半导体物理学 基本概念
半导体物理的基础知识
半导体物理的基础知识半导体物理是研究半导体材料及其电子行为的一门学科。
半导体是介于导体和绝缘体之间的材料，具有独特的电子特性。
本文将介绍半导体物理的基础知识，包括半导体材料的结构、能带理论、杂质掺杂以及PN结等内容。
一、半导体材料的结构半导体材料是由单晶、多晶或非晶三种形态构成。
单晶是指晶体结构完整、无缺陷的材料，拥有良好的导电性能。
多晶是由多个晶粒组成，晶界存在缺陷，导电性能较差。
非晶的特点是结构无序，导电性能较差。
半导体材料的基本结构由共价键和离散缺陷构成。
共价键是指半导体材料中相邻原子之间的化学键，它保持了材料的稳定性。
离散缺陷是指晶体中出现的缺陷，如杂质、空穴等。
这些离散缺陷的存在对半导体材料的导电性能有重要影响。
二、能带理论能带理论是解释物质的导电性能的基础理论。
根据这一理论，半导体材料的电子行为与能带结构有密切关系。
能带是电子能量的分布区域，分为价带和导带两部分。
价带中的电子具有固定位置，不能自由移动；而导带中的电子能够自由移动。
在纯净的半导体中，价带带满，导带没有电子。
半导体的导电性能是通过在半导体中掺入适量的杂质来改变的。
杂质的掺入会导致新的能带形成，同时增加或减少可自由移动的电子数量。
掺杂过程中形成的能带被称为禁带，其能量介于价带和导带之间。
三、杂质掺杂杂质掺杂是一种通过引入少量外来原子来改变半导体材料导电性能的方法。
根据杂质掺入的原子种类不同，可以分为n型和p型两种半导体。
n型半导体是通过掺入五价元素，如磷（P）或砷（As），在半导体中形成额外的自由电子，增加导电性能。
这些自由电子会填满主导带，并进入导带，从而形成导电能力。
n型半导体表现为电子富余。
p型半导体是通过掺入三价元素，如硼（B）或铋（Bi），在半导体中形成额外的空穴，增强导电性能。
空穴是一种电子缺失的状态，它通过与晶格中的自由电子结合来传导电荷。
p型半导体表现为电子贫缺。
四、PN结PN结是将p型半导体和n型半导体通过一定方法连接而成的结构。
半导体物理学概念总结
半导体物理学概念总结
半导体物理学是研究半导体材料及其在电子学和光学中的性质和行为的学科。
以下是对半导体物理学概念的总结：
1. 半导体材料，半导体是一种介于导体和绝缘体之间的材料。
它的导电性介于导体和绝缘体之间，具有在一定条件下可控制的电导率。
2. 禁带宽度，半导体中的电子处于能带中，禁带宽度是指价带和导带之间的能量差。
当禁带宽度较小时，半导体易于导电。
3. 载流子，半导体中的载流子包括电子和空穴。
电子是带负电荷的载流子，而空穴是带正电荷的载流子。
4. 杂质，在半导体中加入少量的杂质可以改变其导电性能。
掺杂可以分为n型和p型，分别引入额外的自由电子或空穴。
5. PN结，PN结是半导体器件中常见的结构，由n型半导体和p型半导体组成。
在PN结中，会出现内建电场和整流特性。
6. 肖特基结，肖特基结是由金属和半导体组成的二极管。
它具有低反向漏电流和快速开关特性。
7. 光电子学，半导体在光照射下会产生光生载流子，这一特性被广泛应用于光电子学领域，如光电二极管和太阳能电池。
8. 晶体管，晶体管是半导体器件中的重要组成部分，可以放大和控制电流。
它的发明对电子技术产生了深远影响。
在半导体物理学中，以上概念都是非常重要的，它们构成了半导体器件和电子技术的基础。
研究半导体物理学不仅有助于深入理解现代电子器件的工作原理，也对半导体材料的开发和应用具有重要意义。
希望以上总结能够帮助你更好地理解半导体物理学的基本概念。
半导体物理归纳总结
半导体物理归纳总结半导体物理是研究半导体材料及其在电子器件中的应用特性的学科领域。
在过去几十年里，半导体技术的飞速发展对我们的生活产生了巨大的影响。
本文将对半导体物理的一些重要概念和原理进行归纳总结，帮助读者更好地理解半导体器件的工作原理及其应用。
1. 半导体的基本概念半导体是介于导体和绝缘体之间的一类物质，具有中等电导率。
它的导电性质可以通过控制掺杂和温度来进行调节。
常见的半导体材料有硅和锗，它们的物理性质决定了半导体器件的性能。
2. 半导体材料的能带结构半导体材料的能带结构直接影响其导电性质。
能带是描述电子能量和电子分布的概念。
在半导体中，价带是最高的填满电子的能带，而导带是电子可以自由移动的能带。
半导体的导电性取决于导带和价带之间的能隙大小。
3. 掺杂与载流子掺杂是将某种杂质引入到半导体材料中，以改变半导体的导电特性。
掺杂可以分为施主掺杂和受主掺杂两种。
施主掺杂会引入额外的自由电子，增加半导体的导电性，而受主掺杂引入额外的空穴，减少导电性。
掺杂后产生的自由电子和空穴被称为载流子，它们在半导体中的运动导致了电流的流动。
4. pn结及其特性pn结是由p型半导体和n型半导体相接触形成的结构。
在pn结中，p区富含空穴，n区富含自由电子。
当p区和n区相接触时，会发生空穴和自由电子的复合过程，形成耗尽区。
耗尽区内形成了电场，阻止了进一步的复合。
这种特殊的结构使得pn结具有整流特性，即在正向偏置下电流可以流动，而在反向偏置下电流几乎不流动。
5. 半导体器件的应用半导体器件包括二极管、场效应晶体管、晶体管等，它们在各种电子设备中起着重要作用。
二极管是一种具有单向导电性的器件，广泛应用在电源供电和信号处理中。
场效应晶体管是一种高度可控的电流放大器，常用于放大和开关电路。
晶体管则是一种功率放大器，被广泛应用在音频和无线通讯领域。
总结：半导体物理是一门涉及半导体材料特性和器件应用的重要学科。
通过对半导体的能带结构、掺杂与载流子、pn结特性以及器件应用的介绍，我们对半导体器件的工作原理有了更深入的理解。
半导体物理学中的基本概念
半导体物理学中的基本概念半导体是一种电子性能介于导体和绝缘体之间的物质。
在现代电子技术中，半导体被广泛应用于各种电子器件中。
要了解半导体，首先要掌握一些基本概念。
1. 能带结构能带结构是描述半导体电子状态的重要工具。
一个半导体晶体中的电子被排列在一系列能带中。
能带是一段能量范围，其中的电子具有相似的能量和动量。
在导带（conduction band）中，电子的能量很高，它们可以流动在半导体中，而在价带（valence band）中，电子的能量较低，它们被束缚在原子核和其他离子周围。
2. 禁带宽度禁带宽度（bandgap）是能带结构的一个重要参数。
它是导带和价带之间的能量间隙，通过这个间隙电子要么不能被激发到导带中，要么不能从导带回到价带中。
禁带宽度的大小是半导体的一个重要参数。
它的大小直接决定了半导体的电子和光学性质。
3. n型半导体和p型半导体n型半导体和p型半导体是两种不同类型的半导体。
n型半导体中存在较多的自由电子，它们带负电荷。
p型半导体中存在较多的空穴，它们带正电荷。
当n型半导体和p型半导体接触时，会出现pn结，这种结构在电子器件中得到了广泛应用。
4. pn结pn结是由n型半导体和p型半导体组成的结构。
在pn结中，n型半导体和p型半导体之间的禁带宽度是逐渐变小的。
这是因为在p型半导体中大量的电子会移动到n型半导体中，形成空穴。
这些空穴和n型半导体中的自由电子可以在pn结中重新组合，产生光子释放出能量。
5. 掺杂半导体需要通过掺杂来实现特定的电子性能。
掺杂是向半导体中引入特定的杂质元素，改变其电学性质的过程。
p型半导体中通常掺杂一些III族元素（例如硼），使得p型半导体中存在大量的空穴。
n型半导体中通常掺杂一些V族元素（例如砷），使得n型半导体中存在大量的自由电子。
总之，半导体物理学是现代电子技术的重要基础。
了解半导体物理学的基本概念对于理解电子器件原理、设计和制造都非常重要。
半导体物理学基本概念
半导体物理学基本概念能带（energy band）相邻原子在组成固体时，其相应的电子能级由于原子间的相互作用而分裂，由于固体中包含的原子数很大，分离出来的能级十分密集，形成一个在能量上准连续的分布即能带。
由不同的原子能级所形成的允许能带之间一般隔着禁止能带。
导带与价带根据能带理论，固体中的电子态能级分裂为一系列的带，在带内能级分布是准连续的，带与带之间存在有能量间隙。
在非导体中，电子恰好填满能量较低的一系列能带，再高的各带全部都是空的，在填满的能带中尽管存在很多电子，但并不导电。
在导体中，则除了完全填满的一系列能带外，还有只是部分地被电子填充的能带，这种部分填充带中的电子可以起导电作用，称为导带。
半导体属于上述非导体的类型，但满带与空带之间的能隙比较小。
通常把半导体一系列满带中最高的能带称为价带，把半导体中一系列空带中最低的能带称为导带。
直接带隙直接带隙半导体材料就是导带最小值（导带底）和满带最大值在k 空间中同一位置。
电子要跃迁到导带上产生导电的电子和空穴（形成半满能带）只需要吸收能量。
间接带隙间接带隙半导体材料（如Si、Ge）导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。
形成半满能带不只需要吸收能量，还要改变动量。
杂质电离能使中性施主杂质束缚的电子电离或使中性受主杂质束缚的空穴电离所需要的能量。
施主（donor）在半导体带隙中间的能级，能够向晶体提供电子同时自身成为正离子的杂质称为施主杂质。
受主（acceptor）在半导体带隙中间的能级，能接受电子同时自身成为负离子的杂质称为受主杂质。
杂质能级（impurity level）由于杂质的存在，半导体材料中的杂质使严格的周期性势场受到破坏，从而有可能产生能量在带隙中的局域化电子态，称为杂质能级。
施主能级离化能很小，在常温下就能电离而向导带提供电子，自身成为带正电的电离施主，通常称这些杂质能级为施主能级。
受主能级离化能很小，在常温下就能电离而向价带提供空穴，自身成为带负电的电离受主，通常称这些杂质能级为受主能级。
半导体物理学
半导体物理学半导体物理学是研究半导体材料及其物性的学科领域。
半导体材料是一种将电流在导电和绝缘体之间进行调控的材料，具有在一定条件下可变的电导特性。
在现代电子技术中，半导体器件如晶体管、二极管和集成电路等起着重要作用。
本文将介绍半导体物理学的基本概念、理论与应用。
一、半导体的基本概念半导体是介于导体和绝缘体之间的一类材料。
与导体相比，半导体的电导率较低；而与绝缘体相比，半导体在一定条件下可以导电。
半导体材料通常由硅、锗和化合物半导体等组成。
半导体中主要存在两种载流子：电子和空穴。
电子是带负电荷的粒子，而空穴则可以被视为缺少一个电子的位置。
在半导体中，电子和空穴的行为决定了它的导电特性。
二、半导体的能带结构半导体的能带结构与其导电特性密切相关。
能带是描述材料中电子能量和允许电子处于的状态的能级。
常用的能带有价带和导带。
在绝缘体和绝缘态半导体中，价带和导带之间存在能隙，电子需要克服能隙才能跃迁到导带中形成电流。
而在半导体中，能隙相对较小，室温下部分电子已经跃迁到导带，因此半导体材料具有较好的导电性。
三、半导体的掺杂掺杂是通过向半导体材料中引入杂质来改变其电导特性。
掺杂分为n型和p型两种类型。
n型半导体是通过掺入五价杂质（如磷或砷）来引入额外的自由电子，从而增加半导体的导电性能。
而p型半导体则是通过掺入三价杂质（如硼或铝）来引入额外的空穴，从而增加半导体的导电性能。
四、半导体器件半导体物理学的应用主要体现在各种半导体器件的研制和应用上。
晶体管是最重要的半导体器件之一。
晶体管的基本原理是通过控制电流在半导体材料中的流动来放大和开关信号。
晶体管的发明极大地改变了电子技术的发展，并推动了计算机、通信和各种电子设备的进步。
二极管是另一种常见的半导体器件，它是由一个p型半导体和一个n型半导体组成。
二极管具有只允许单向电流通过的特性，可以用于整流、光电探测和电压调节等应用。
集成电路是一种将多个晶体管、二极管和其他电子元件集成在一起的半导体器件。
半导体物理学基本概念
半导体物理学基本概念1.离子晶体:由正负离子或正负离子集团按一定比例组成的晶体称作离子晶体。
离子晶体中,正负离子或离子集团在空间排列上具有交替相间的结构特征。
离子间的相互作用以库仑静电作用为主导。
2.共价晶体:主要由共价键结合而成的晶体。
共价晶体中共价键的方向性与饱与性规定了共价晶体中原子间结合的方向性与配位数。
由于共价键非常稳定,所以一般来说,共价晶体的结构很稳定,具有很高的硬度与熔点。
由于所有的价电子都参与成键,不能自由移动,因而共价晶体通常不导电。
3.晶胞:晶格中最小的空间单位。
一般为晶格中对称性最高、体积最小的某种平行六面体。
4.弗仑克耳缺陷(肖特基缺陷):在一定温度下,晶格原子不仅在平衡位置附近做振动运动,而且一部分原子会获得足够的能量,克服周围原子对它的束缚,挤入晶格原子间的间隙,形成间隙原子,原来的位置便成为空位。
这时间隙原子与空位就是成对出现的,称为弗仑克耳缺陷。
若只在晶体内形成空位而无间隙原子时,称为肖特基缺陷。
5.施主(受主)杂质及施主(受主)电离能:V族杂质在硅、锗中电离时,能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心,称它们为施主杂质或n型杂质。
使多余的价电子挣脱束缚成为导电电子所需的能量称为杂质电离能,用△表示。
Ⅲ族杂质在硅、锗中能够接受电子而产生导电空穴,并形成负电中心,称它们为受主杂质或p型杂质。
使空穴挣脱受主杂质束缚成为导电空穴所需的能量称为受主杂质电离能,用Δ、6.直接(间接)复合:电子在导带与价带之间的直接跃迁,引起电子与空穴的直接复合。
电子与空穴通过禁带的能级(复合中心)进行复合。
根据复合过程发生的位置,又可以把它区分为体内复合与表面复合。
7.复合率:n与p分别表示电子浓度与空穴浓度。
单位体积内,每一个电子在单位时间内都有一定概率与空穴复合,这个概率显然与空穴浓度成正比,可以用rp表示,那么复合率R就有如下的形式:R=rnp ,比例系数r 称为电子--空穴复合概率。
半导体物理总复习资料
半导体物理学复习资料
第一章
一、基本概念
1. 能带，允带，禁带，K空间的能带图 能带: 在晶体中可以容纳电子的一系列能级 允带：分裂的每一个能带都称为允带。 禁带：晶体中不可以容纳电子的一系列能级 K空间的能带图：晶体中的电子能量随电子波矢k
2。受主杂质，受主能级，受主杂质电离能
受主杂质：能够能够接受电子而在价带中产生空穴，并形 成负电中心的杂质，称为受主杂质，掺有受主杂质的半导 体叫P型半导体。
受主能级：被受主杂质束缚的空穴的能量状态称为受主能 级EA，受主能级位于离价带低很近的禁带中。 受主杂质电离能：价带顶EV与受主能级EA的能量之差 EA=EV-EA就是受主杂质的电离能。受主杂质未电离时是 中性的，电离后成为负电中心
Байду номын сангаас
3.电子的有效质量
（1） 晶体中的电子在外加电场作用下，电子除受外电场 的作用力，还受到内部原子核和其它电子的作用力，但 内部势场的作用力难以精确确定。电子的有效质量将晶 体导带中电子的加速度与外加作用力联系起来，电子有 效质量概括了晶体中内部势场对电子的作用力。这样仍 能用经典力学的方法来描述晶体中电子运动规律。即：
4. 半导体的电阻率（或电导率）与那些因素有关
n型半导体 p型半导体 本征半导体
nqn ,
1
nq n
pq p ,
1
pq p
ni qn
半导体物理学基本概念(版)
半导体物理学基本概念1.离子晶体：由正负离子或正负离子集团按一定比例组成的晶体称作离子晶体。
离子晶体中，正负离子或离子集团在空间排列上具有交替相间的结构特征。
离子间的相互作用以库仑静电作用为主导。
2.共价晶体：主要由共价键结合而成的晶体。
共价晶体中共价键的方向性和饱和性规定了共价晶体中原子间结合的方向性和配位数。
由于共价键非常稳定，所以一般来说，共价晶体的结构很稳定，具有很高的硬度和熔点。
由于所有的价电子都参与成键，不能自由移动，因而共价晶体通常不导电。
3.晶胞：晶格中最小的空间单位。
一般为晶格中对称性最高、体积最小的某种平行六面体。
弗仑克耳缺陷（肖特基缺陷）：在一定温度下，晶格原子不仅在平衡位置附近做振动运动，而且一部分原子会获得足够的能量，克服周围原子对它的束缚，挤入晶格原子间的间隙，形成间隙原子，原来的位置便成为空位。
这时间隙原子和空位是成对出现的，称为弗仑克耳缺陷。
若只在晶体内形成空位而无间隙原子时，称为肖特基缺陷。
施主（受主）杂质及施主（受主）电离能：V族杂质在硅、锗中电离时，能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心，称它们为施主杂质或n型杂质。
使多余的价电子挣脱束缚成为导电电子所需的能量称为杂质电离能，用△表示。
Ⅲ族杂质在硅、锗中能够接受电子而产生导电空穴，并形成负电中心，称它们为受主杂质或p型杂质。
使空穴挣脱受主杂质束缚成为导电空穴所需的能量称为受主杂质电离能，用Δ.直接（间接）复合：电子在导带和价带之间的直接跃迁，引起电子和空穴的直接复合。
电子和空穴通过禁带的能级（复合中心）进行复合。
根据复合过程发生的位置，又可以把它区分为体内复合和表面复合。
复合率：n和p分别表示电子浓度和空穴浓度。
单位体积内，每一个电子在单位时间内都有一定概率和空穴复合，这个概率显然和空穴浓度成正比，可以用rp表示，那么复合率R就有如下的形式：R=rnp ，比例系数r 称为电子--空穴复合概率。
量子态密度：单位k空间中的量子态数，称为k空间的量子态密度。
半导体物理知识点及重点习题总结
半导体物理知识点及重点习题总结基本概念题：第⼀章半导体电⼦状态1.1 半导体通常是指导电能⼒介于导体和绝缘体之间的材料，其导带在绝对零度时全空，价带全满，禁带宽度较绝缘体的⼩许多。
1.2能带晶体中，电⼦的能量是不连续的，在某些能量区间能级分布是准连续的，在某些区间没有能及分布。
这些区间在能级图中表现为带状，称之为能带。
1.3导带与价带1.4有效质量有效质量是在描述晶体中载流⼦运动时引进的物理量。
它概括了周期性势场对载流⼦运动的影响，从⽽使外场⼒与加速度的关系具有⽜顿定律的形式。
其⼤⼩由晶体⾃⾝的E-k 关系决定。
1.5本征半导体既⽆杂质有⽆缺陷的理想半导体材料。
1.6空⽳空⽳是为处理价带电⼦导电问题⽽引进的概念。
设想价带中的每个空电⼦状态带有⼀个正的基本电荷，并赋予其与电⼦符号相反、⼤⼩相等的有效质量，这样就引进了⼀个假想的粒⼦，称其为空⽳。
它引起的假想电流正好等于价带中的电⼦电流。
1.7空⽳是如何引⼊的，其导电的实质是什么？答：空⽳是为处理价带电⼦导电问题⽽引进的概念。
设想价带中的每个空电⼦状态带有⼀个正的基本电荷，并赋予其与电⼦符号相反、⼤⼩相等的有效质量，这样就引进了⼀个假想的粒⼦，称其为空⽳。
这样引⼊的空⽳，其产⽣的电流正好等于能带中其它电⼦的电流。
所以空⽳导电的实质是能带中其它电⼦的导电作⽤，⽽事实上这种粒⼦是不存在的。
1.8 半导体的回旋共振现象是怎样发⽣的（以n型半导体为例）答案：⾸先将半导体置于匀强磁场中。
⼀般n型半导体中⼤多数导带电⼦位于导带底附近，对于特定的能⾕⽽⾔，这些电⼦的有效质量相近，所以⽆论这些电⼦的热运动速度如何，它们在磁场作⽤下做回旋运动的频率近似相等。
当⽤电磁波辐照该半导体时，如若频率与电⼦的回旋运动频率相等，则半导体对电磁波的吸收⾮常显著，通过调节电磁波的频率可观测到共振吸收峰。
这就是回旋共振的机理。
1.9 简要说明回旋共振现象是如何发⽣的。
半导体样品置于均匀恒定磁场，晶体中电⼦在磁场作⽤下运动运动轨迹为螺旋线，圆周半径为r ，回旋频率为当晶体受到电磁波辐射时，在频率为时便观测到共振吸收现象。
半导体物理学--基本概念汇总
半导体物理学基本概念有效质量--——-载流子在晶体中的表观质量，它体现了周期场对电子运动的影响.其物理意义:1)有效质量的大小仍然是惯性大小的量度；2）有效质量反映了电子在晶格与外场之间能量和动量的传递，因此可正可负。
空穴--—-—是一种准粒子，代表半导体近满带（价带）中的少量空态，相当于具有正的电子电荷和正的有效质量的粒子,描述了近满带中大量电子的运动行为。
回旋共振--——半导体中的电子在恒定磁场中受洛仑兹力作用将作回旋运动，此时在半导体上再加垂直于磁场的交变磁场，当交变磁场的频率等于电子的回旋频率时,发生强烈的共振吸收现象，称为回旋共振. 施主-——-—在半导体中起施予电子作用的杂质. 受主-————在半导体中起接受电子作用的杂质.杂质电离能——---使中性施主杂质束缚的电子电离或使中性受主杂质束缚的空穴电离所需要的能量。
n—型半导体———-——以电子为主要载流子的半导体。
p—型半导体----——以空穴为主要载流子的半导体。
浅能级杂质-—-——-杂质能级位于半导体禁带中靠近导带底或价带顶，即杂质电离能很低的杂质。
浅能级杂质对半导体的导电性质有较大的影响。
深能级杂质———--——杂质能级位于半导体禁带中远离导带底(施主）或价带顶（受主）,即杂质电离能很大的杂质。
深能级杂质对半导体导电性质影响较小，但对半导体中非平衡载流子的复合过程有重要作用.位于半导体禁带中央能级附近的深能级杂质是有效的复合中心。
杂质补偿--—-—在半导体中同时存在施主和受主杂质时，存在杂质补偿现象,即施主杂质束缚的电子优先填充受主能级,实际的有效杂质浓度为补偿后的杂质浓度，即两者之差。
直接带隙--———半导体的导带底和价带顶位于k 空间同一位置时称为直接带隙。
直接带隙材料中载流子跃迁几率较大.间接带隙-———-半导体的导带底和价带顶位于k 空间不同位置时称为间接带隙。
间接带隙材料中载流子跃迁时需有声子参与，跃迁几率较小。
平衡状态与非平衡状态—-—--半导体处于热平衡态时，载流子遵从平衡态分布，电子和空穴具有统一的费米能级.半导体处于外场中时为非平衡态,载流子分布函数偏离平衡态分布,电子和空穴不具有统一的费米能级，载流子浓度也比平衡时多出一部分,但可认为它们各自达到平衡,可引入准费米能级表示. 电中性条件—-———半导体在任何情况下都维持体内电中性,即单位体积内正电荷数与负1电荷数相等。
半导体物理学
半导体物理学前言半导体物理学是一门研究半导体材料及器件的学科。
半导体材料具有介于导体和绝缘体之间的特性，因此在电子学、光电子学和微电子学等领域具有重要应用。
本文将介绍半导体物理学的基本概念、半导体材料的性质以及常见的半导体器件。
半导体的概述半导体是指导电性介于导体和绝缘体之间的材料。
在半导体中，电子的能带结构决定了其导电性能。
常见的半导体材料包括硅(Si)、锗(Ge)和化合物半导体如镓砷化物(GaAs)。
在半导体材料中，存在两个主要的能带：价带和导带。
价带是最高填充电子能级的带，而导带则是能够自由移动的电子能级带。
两个能带之间的能量间隙被称为带隙。
在绝缘体中，带隙非常大，电子无法跃迁到导带，因此无法导电；而在导体中，带隙几乎为零，电子可以自由地从价带跃迁到导带，导致材料具有良好的导电性。
半导体的性质半导体具有一些独特的性质，使得其在电子学领域中得以广泛应用。
英贝尔激发在半导体中，当外界能量(如光)与材料相互作用时，可以激发出电子从价带跃迁到导带。
这一过程被称为英贝尔激发，是光电子学和光伏效应的基础。
N型和P型半导体通过在半导体材料中引入杂质，可以改变其导电性质。
掺入五价元素(如磷)的半导体被称为N型半导体，具有额外的自由电子；而掺入三价元素(如硼)的半导体被称为P型半导体，具有额外的空穴。
N型和P型半导体通过PN结的形成可以构成多种半导体器件。
脱层和外延生长在半导体器件的制备过程中，常常需要将不同类型的半导体材料堆叠起来。
脱层是将不同类型的材料分离的一种技术，而外延生长是在已有的材料上生长新的材料层。
这两种技术在半导体器件的制造中具有关键作用。
常见的半导体器件半导体物理学的研究为设计和制造各种半导体器件提供了理论和实验基础。
下面介绍几种常见的半导体器件。
PN结二极管PN结二极管是最简单的半导体器件之一。
它是由N型和P 型半导体材料组成的结构。
当正向偏置时，电子从N型区域向P型区域流动；当反向偏置时，电子被阻挡。
半导体物理学 基本概念汇总
半导体物理学基本概念有效质量-----载流子在晶体中的表观质量，它体现了周期场对电子运动的影响。
其物理意义：1）有效质量的大小仍然是惯性大小的量度；2）有效质量反映了电子在晶格与外场之间能量和动量的传递，因此可正可负。
空穴-----是一种准粒子，代表半导体近满带（价带）中的少量空态，相当于具有正的电子电荷和正的有效质量的粒子，描述了近满带中大量电子的运动行为。
回旋共振----半导体中的电子在恒定磁场中受洛仑兹力作用将作回旋运动，此时在半导体上再加垂直于磁场的交变磁场，当交变磁场的频率等于电子的回旋频率时，发生强烈的共振吸收现象，称为回旋共振。
施主-----在半导体中起施予电子作用的杂质。
受主-----在半导体中起接受电子作用的杂质。
杂质电离能-----使中性施主杂质束缚的电子电离或使中性受主杂质束缚的空穴电离所需要的能量。
n-型半导体------以电子为主要载流子的半导体。
p-型半导体------以空穴为主要载流子的半导体。
浅能级杂质------杂质能级位于半导体禁带中靠近导带底或价带顶，即杂质电离能很低的杂质。
浅能级杂质对半导体的导电性质有较大的影响。
深能级杂质-------杂质能级位于半导体禁带中远离导带底（施主）或价带顶（受主），即杂质电离能很大的杂质。
深能级杂质对半导体导电性质影响较小，但对半导体中非平衡载流子的复合过程有重要作用。
位于半导体禁带中央能级附近的深能级杂质是有效的复合中心。
杂质补偿-----在半导体中同时存在施主和受主杂质时，存在杂质补偿现象，即施主杂质束缚的电子优先填充受主能级，实际的有效杂质浓度为补偿后的杂质浓度，即两者之差。
直接带隙-----半导体的导带底和价带顶位于k 空间同一位置时称为直接带隙。
直接带隙材料中载流子跃迁几率较大。
间接带隙-----半导体的导带底和价带顶位于k 空间不同位置时称为间接带隙。
间接带隙材料中载流子跃迁时需有声子参与，跃迁几率较小。
平衡状态与非平衡状态-----半导体处于热平衡态时，载流子遵从平衡态分布，电子和空穴具有统一的费米能级。
半导体物理的概念是什么
半导体物理的概念是什么
半导体物理是研究半导体材料和器件的物理学分支。
半导体材料是指一类在温度低于室温时是绝缘体，在高于室温时是导体的材料。
半导体物理研究包括半导体的材料特性、电子结构、能带理论、载流子运动、电导率、电子输运、PN结等相关理论和实验研究，以及半导体器件如晶体管、二极管、光电器件等的设计、制造和性能优化。
半导体材料的特性主要取决于其电子结构和能带理论，在此理论框架下，可以解释半导体特性中的许多现象和规律。
半导体中的原子价电子填满能量较低的全球化价带，而导电性较高的传导带的能量较高，由于其能隙比绝缘体小，这使得外来的激励如温度、光照等可以激发电子从价带跃迁到传导带中，同时在跃迁后留下空穴。
这些载流子在半导体中运动和输运的特性对半导体电子学和器件设计具有重要影响。
PN结是半导体器件中常用的器件之一，它是由n 型半导体和p 型半导体材料的拼接而成的结构。
在PN 结中，n-type 半导体中的高浓度自由电子和
p-type 半导体中的高浓度空穴的扩散汇聚产生了空间电荷区域，它使得PN 结在外加正向偏压下变成导体，在反向偏压下变成绝缘体，从而形成了PN 结二极管器件。
半导体物理的研究不仅对于半导体电子学理论、器件设计和制造具有重要意义，而且具有广泛的应用前景。
例如，半导体材料是制造电子器件的重要材料，其中
包括计算机、手机、平板电视、LED 灯等常用电子产品。
另外，半导体材料被广泛用于太阳能电池、光电器件、半导体激光器、放大器等领域，这些领域的发展对于节能减排、环保、医学、化学等方面都具有积极意义，同时也推动了半导体物理研究的发展。
半导体物理学的基本概念和应用
半导体物理学的基本概念和应用半导体物理学是研究半导体材料及其性质、特性和应用的学科。
本文将介绍半导体物理学的基本概念以及其在实际应用中的重要性。
一、半导体的基本概念半导体是一种导电性介于导体和绝缘体之间的材料。
与导体相比，半导体的导电性较差；与绝缘体相比，半导体的导电性又较强。
半导体晶体的原子结构和能带结构决定了其导电性质。
1. 原子结构半导体材料通常由硅（Si）和锗（Ge）等元素组成。
这些元素在晶体中形成原子网格结构，每个原子通过共享电子与相邻原子相连接，形成晶体的稳定结构。
2. 能带结构能带是描述电子在晶体中能量分布的概念。
在半导体中，能带又被分为价带和导带。
价带是指电子在静止状态下的能量最高的带，其中填满了电子；导带是指离子在晶体振动下电子能量较高的带，其中存在着能够移动的自由电子。
3. 禁带宽度禁带是指价带和导带之间的能量空隙，也称为禁带宽度。
在绝缘体中，禁带宽度较大，几乎不存在电子的跃迁。
而在半导体中，禁带宽度较小，电子可以通过吸收或释放能量从价带跃迁到导带，从而产生导电性。
二、半导体物理学的应用1. 半导体器件在现代科技领域，半导体器件被广泛应用于电子、光电子、通信等领域。
常见的半导体器件包括二极管、晶体管、太阳能电池等。
这些器件通过控制电子的流动，实现电流、电压以及光信号的调节和转换。
2. 光电子学半导体物理学在光电子学中发挥着重要作用。
半导体材料的光电特性使其成为制造光电二极管、激光器和光电传感器等设备的理想选择。
光电二极管利用光的能量将光信号转化为电信号，激光器则利用载流子的复合过程产生高亮度、单色、相干的光束，广泛应用于通信、医疗和激光加工等领域。
3. 太阳能电池半导体物理学对太阳能电池的研究和应用具有重要意义。
太阳能电池利用半导体材料的光电特性，将太阳光直接转换为电能。
该技术在可再生能源领域具有巨大潜力，可解决传统能源短缺和环境污染等问题。
4. 半导体材料的研究半导体物理学对新材料的研究和开发也具有重要意义。
半导体物理学
半导体物理学半导体物理学是现代电子技术的基础学科之一，它研究的是半导体材料的电子特性和行为，以及半导体器件的原理和性能。
在当今科技发展迅猛的时代，半导体物理学扮演着重要的角色，推动了信息技术、通信技术、能源技术等领域的发展。
本文将简要介绍半导体物理学的基本概念、发展历程以及应用前景。
一、半导体物理学的基本概念半导体是介于导体和绝缘体之间的一种材料。
在半导体中，电子的能带结构存在禁带，导电主要依赖于外界激励和掺杂元素带来的电子跃迁。
通过半导体材料特有的电子输运特性和界面现象，可以制造出各种半导体器件，如二极管、晶体管等。
半导体物理学的研究关注半导体材料中电子与晶格相互作用、半导体器件的电子输运和器件特性等多个方面。
二、半导体物理学的发展历程半导体物理学的起源可以追溯到19世纪末的研究工作。
然而，直到20世纪中叶，半导体物理学才开始迅速发展。
1956年，威廉·肖克利和沃尔特·布拉丁等科学家提出了“半导体器件特异性”的概念，并在1958年发表了关于半导体二极管的相关研究，为半导体物理学的进一步深入奠定了基础。
之后，随着集成电路技术的崛起，半导体物理学迎来了更为广泛的研究和应用领域。
三、半导体物理学的应用前景半导体物理学的发展推动了信息技术、通信技术、能源技术等领域的快速进步。
在信息技术方面，半导体器件比如晶体管的诞生和发展，极大地提升了计算机、手机和其他电子设备的性能。
在通信技术方面，半导体材料的光电转换特性使得光纤通信成为可能，并实现了高速、长距离的数据传输。
在能源技术方面，半导体材料在光伏电池、热电材料等领域的应用有很大潜力，可以帮助提高能源转换效率和利用可再生能源。
此外，半导体物理学还在生物医学、环境监测等领域发挥着重要的作用。
综上所述，半导体物理学作为一门基础学科，对现代科技的发展起到了重要的推动作用。
通过对半导体材料和器件的研究，我们得以更好地理解电子行为和电子器件原理，并将其应用于各个领域，推动了社会的进步和发展。
半导体物理与器件
半导体物理与器件半导体物理与器件是研究半导体材料和器件特性的学科领域，这是电子科学与工程的重要分支之一。
在现代科技的发展过程中，半导体物理与器件起到了至关重要的作用，推动了信息技术、通信技术、能源技术等领域的发展与创新。
一、半导体物理的基本概念半导体是介于导体和绝缘体之间的一种材料。
这类材料的导电性能介于金属和非金属之间，可以通过控制掺杂来调节其电导率。
半导体物理主要研究半导体的物理性质及其在器件中的应用。
1.1 半导体的晶体结构半导体通常采用晶格结构，其中最常见的是硅(Si)和锗(Ge)。
晶格结构决定了半导体的物理特性和电学性能。
1.2 半导体的能带结构能带结构是描述半导体的重要概念，半导体中的能带分为价带和导带。
当半导体被采取适当的掺杂和加压等方法后，会出现禁带宽度，电子能够充满价带或从导带跃迁到价带，形成导电能力。
1.3 半导体的载流子半导体中的载流子是指带电粒子，有正负两种。
在掺杂过程中，掺杂原子注入到半导体晶格中，会引入自由电子或空穴，从而影响半导体的导电性能。
二、半导体器件的应用半导体物理的研究成果被广泛应用于各种半导体器件中，这些器件在现代社会中扮演着重要的角色。
2.1 二极管二极管是最简单的半导体器件之一，具有单向导电特性。
它由正负两种半导体材料构成，在正向偏置时导通，在反向偏置时截止。
二极管广泛应用于电源、通信等领域。
2.2 三极管三极管是一种具有放大作用的半导体器件。
它由三个半导体区域组成，包括基极、发射极和集电极。
通过对基极电流的控制，可以实现对集电极电流的放大，被广泛应用于电子设备中。
2.3 场效应晶体管场效应晶体管（FET）是一种控制电流的半导体器件，具有高输入阻抗和低输出阻抗的特点。
它可作为电压控制器件，广泛应用于放大、开关、模拟和数字电路等领域。
2.4 光电二极管光电二极管是将光信号转换为电信号的设备。
通过光敏材料和PN结的结合，光电二极管可以检测和转换光信号，被广泛应用于通信、光学传感器、光通信等领域。
半导体高中物理
半导体高中物理
半导体物理是研究半导体材料的性质、结构及其在电子器件中的应用的一门学科。
它是物理学、化学和材料科学的交叉领域，对于现代电子技术的发展具有重要意义。
半导体物理的主要内容包括：
1. 半导体的基本概念：半导体是一种介于导体（如金属）和绝缘体（如玻璃、橡胶）之间的材料，其电导率介于两者之间。
半导体的导电性能受温度、杂质等因素的影响较大。
2. 半导体的能带结构：半导体中的电子能量分布在不同的能带中，主要有价带、导带和禁带。
价带中的电子受到束缚，不能自由移动；导带中的电子可以自由移动，参与导电过程。
禁带是价带和导带之间的能量间隔，决定了半导体的导电类型（n型或p型）。
3. 载流子：半导体中的电子和空穴都可以作为载流子参与导电过程。
n型半导体中的多数载流子是电子，p型半导体中的多数载流子是空穴。
4. 掺杂：通过向半导体中添加杂质元素，可以改变其导电类型和导电性能。
n型半导体中加入五价元素（如磷），p型半导体中加入三价元素（如硼）。
5. p-n结：将n型半导体和p型半导体结合形成的结构称为p-n结。
p-n结具有单向导电性，即在正向偏置下电阻很小，电流可以顺利通过；在反向偏置下电阻很大，电流几乎不流动。
p-n结是许多半导体器件的基础。
6. 二极管：利用p-n结的特性制成的电子器件。
二极管具有整流、稳压等功能，广泛应用于电路中。
7. 晶体管：利用p-n结和多层半导体结构制成的电子器件。
晶体管具有放大和开关功能，是现代电子设备的核心元件。
半导体物理学基本概念
半导体物理学基本观点有效质量 ----- 载流子在晶体中的表观质量，它表现了周期场对电子运动的影响。
其物理意义：1）有效质量的大小仍然是惯性大小的量度； 2）有效质量反应了电子在晶格与外场之间能量和动量的传达，所以可正可负。
空穴 ----- 是一种准粒子，代表半导体近满带（价带）中的少许空态，相当于拥有正的电子电荷和正的有效质量的粒子，描绘了近满带中大批电子的运动行为。
盘旋共振 ---- 半导体中的电子在恒定磁场中受洛仑兹力作用将作盘旋运动，此时在半导体上再加垂直于磁场的交变磁场，当交变磁场的频次等于电子的盘旋频次时，发生激烈的共振汲取现象，称为盘旋共振。
施主 ----- 在半导体中起施予电子作用的杂质。
受主 ----- 在半导体中起接受电子作用的杂质。
杂质电离能 ----- 使中性施主杂质约束的电子电离或使中性受主杂质约束的空穴电离所需要的能量。
n- 型半导体 ------ 以电子为主要载流子的半导体。
p- 型半导体 ------ 以空穴为主要载流子的半导体。
浅能级杂质 ------ 杂质能级位于半导体禁带中凑近导带底或价带顶，即杂质电离能很低的杂质。
浅能级杂质对半导体的导电性质有较大的影响。
深能级杂质 ------- 杂质能级位于半导体禁带中远离导带底（施主）或价带顶（受主），即杂质电离能很大的杂质。
深能级杂质对半导体导电性质影响较小，但对半导体中非均衡载流子的复合过程有重要作用。
位于半导体禁带中央能级邻近的深能级杂质是有效的复合中心。
杂质赔偿 ----- 在半导体中同时存在施主和受主杂质时，存在杂质赔偿现象，即施主杂质约束的电子优先填补受主能级，实质的有效杂质浓度为赔偿后的杂质浓度，即二者之差。
直接带隙 ----- 半导体的导带底和价带顶位于k 空间同一地点时称为直接带隙。
直接带隙资猜中载流子跃迁几率较大。
间接带隙 ----- 半导体的导带底和价带顶位于k 空间不一样地点时称为间接带隙。
间接带隙资猜中载流子跃迁时需有声子参加，跃迁几率较小。
物理学中的半导体物理知识点
物理学中的半导体物理知识点半导体物理学是物理学领域中的一个重要分支，研究半导体材料及其性质与行为。
本文将介绍几个半导体物理学中的知识点，包括半导体的基本概念、载流子行为、PN结及其应用。
一、半导体的基本概念半导体是一种介于导体和绝缘体之间的材料。
它的导电能力介于导体和绝缘体之间，可以通过控制外加电场或温度来改变其电导率。
根据能带理论，半导体材料中存在一个禁带，将价带和导带分开，如果半导体材料的价带被填满，而导带是空的，那么半导体就没有导电能力；当半导体材料的温度升高或者施加电场时，一些电子会跃迁到导带中，形成可以导电的载流子。
二、载流子行为在半导体中，载流子是指能够输送电流的带电粒子，可以分为自由电子和空穴两种类型。
1. 自由电子：自由电子是指在半导体晶格中脱离原子束缚的电子，它具有负电荷。
在纯净的半导体中，自由电子的数量较少。
2. 空穴：空穴是指由于半导体中某个原子缺少一个电子而形成的一个正电荷，可以看作是受激发的价带上的空位。
载流子的行为受到材料的类型和掺杂等因素的影响。
三、PN结及其应用PN结是半导体中最基本的器件之一，由P型半导体和N型半导体的结合构成。
P型半导体中的空穴浓度较高，N型半导体中的自由电子浓度较高，当这两种类型的半导体材料接触时，自由电子和空穴会发生复合，形成一个耗尽区域。
PN结的特性使得它在半导体器件中有着广泛的应用，例如：1. 整流器：利用PN结的单向导电性质，将交流电信号转换为直流电信号。
2. 发光二极管（LED）：在PN结中注入电流可以激发电子跃迁，从而产生光线，实现发光效果。
3. 晶体管：晶体管是一种基于PN结的三端口器件，通过调控PN结的导电状态，实现信号放大和开关控制。
PN结的应用广泛且多样化，是现代电子技术中不可或缺的一个元件。
总结：半导体物理学作为物理学中的重要分支，研究的是半导体材料及其性质与行为。
本文介绍了半导体的基本概念，包括能带理论和禁带，以及载流子行为，其中自由电子和空穴是半导体中的两种重要载流子。
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半导体物理学基本概念有效质量-----载流子在晶体中的表观质量，它体现了周期场对电子运动的影响。
其物理意义：1）有效质量的大小仍然是惯性大小的量度；2）有效质量反映了电子在晶格与外场之间能量和动量的传递，因此可正可负。
空穴-----是一种准粒子，代表半导体近满带（价带）中的少量空态，相当于具有正的电子电荷和正的有效质量的粒子，描述了近满带中大量电子的运动行为。
回旋共振----半导体中的电子在恒定磁场中受洛仑兹力作用将作回旋运动，此时在半导体上再加垂直于磁场的交变磁场，当交变磁场的频率等于电子的回旋频率时，发生强烈的共振吸收现象，称为回旋共振。
施主-----在半导体中起施予电子作用的杂质。
受主-----在半导体中起接受电子作用的杂质。
杂质电离能-----使中性施主杂质束缚的电子电离或使中性受主杂质束缚的空穴电离所需要的能量。
n-型半导体------以电子为主要载流子的半导体。
p-型半导体------以空穴为主要载流子的半导体。
浅能级杂质------杂质能级位于半导体禁带中靠近导带底或价带顶，即杂质电离能很低的杂质。
浅能级杂质对半导体的导电性质有较大的影响。
深能级杂质-------杂质能级位于半导体禁带中远离导带底（施主）或价带顶（受主），即杂质电离能很大的杂质。
深能级杂质对半导体导电性质影响较小，但对半导体中非平衡载流子的复合过程有重要作用。
位于半导体禁带中央能级附近的深能级杂质是有效的复合中心。
杂质补偿-----在半导体中同时存在施主和受主杂质时，存在杂质补偿现象，即施主杂质束缚的电子优先填充受主能级，实际的有效杂质浓度为补偿后的杂质浓度，即两者之差。
直接带隙-----半导体的导带底和价带顶位于k空间同一位置时称为直接带隙。
直接带隙材料中载流子跃迁几率较大。
间接带隙-----半导体的导带底和价带顶位于k空间不同位置时称为间接带隙。
间接带隙材料中载流子跃迁时需有声子参与，跃迁几率较小。
平衡状态与非平衡状态-----半导体处于热平衡态时，载流子遵从平衡态分布，电子和空穴具有统一的费米能级。
半导体处于外场中时为非平衡态，载流子分布函数偏离平衡态分布，电子和空穴不具有统一的费米能级，载流子浓度也比平衡时多出一部分，但可认为它们各自达到平衡，可引入准费米能级表示。
电中性条件-----半导体在任何情况下都维持体内电中性，即单位体积内正电荷数与负电荷数相等。
非简并半导体----半导体中载流子分布可由经典的玻尔兹曼分布代替费米分布描述时，称之为非简并半导体。
简并半导体-----半导体重掺杂时，其费米能级有可能进入到导带或价带中，此时载流子分布必须用费米分布描述，称之为简并半导体。
简并半导体有如下性质：1）杂质不能充分电离；2）杂质能级扩展为杂质能带。
如果杂质能带与导带或价带相连，则禁带宽度将减小。
本征半导体-----本征半导体即纯净半导体，其载流子浓度随温度增加呈指数规律增加。
杂质半导体----在半导体中人为地，有控制地掺入少量的浅能级杂质的半导体，可在较大温度范围内保持半导体内载流子浓度不随温度改变。
即掺杂的主要作用是在较大温度范围维持半导体中载流浓度不变。
多数载流子与少数载流子------多数载流子是在半导体输运过程中起主要作用的载流子，如n-型半导体中的电子。
而少数载流子在是在半导体输运过程中起次要作用的载流子，如n-型半导体中的空穴。
费米分布------费米分布是费米子（电子）在平衡态时的分布，其物理意义是在温度T时，电子占据能量为E的状态的几率，或能量为E的状态上的平均电子数。
费米能级-----费米能级是T=0 K时电子系统中电子占据态和未占据态的分界线，是T=0 K时系统中电子所能具有的最高能量。
漂移速度----载流子在外场作用下定向运动的平均速度，弱场下漂移速度大小正比于外场强度。
迁移率----描述半导体中载流子在外场中运动难易程度的物理量，若外场不太强，载流子运动遵从欧姆定律时，迁移率与电场强度无关，为一常数。
强场时，迁移率与外场有关。
电导率-----描述材料导电性质的物理量。
半导体中载流子遵从欧姆定律时，电流密度正比于电场强度，其比例系数即为电导率。
电导率大小与载流子浓度，载流子的迁移率有关。
从微观机制看，电导率与载流子的散射过程有关。
电阻率-----电导率的倒数。
本征半导体电阻率随温度上升而单调下降。
同样，电阻率与载流子的散射过程有关。
金属电阻率-----随温度上升而上升。
（晶格振动散射）散射几率-----载流子在单位时间内被散射的次数。
平均自由时间-----载流子在两次散射之间自由运动的平均时间。
强场效应-----电场强度较高时载流子的平均漂移速度与电场强度间的关系偏离线性关系的现象，此时迁移率不再是常数。
电场强度继续增加时，漂移速度不再随外场增加而变化，达到饱和。
热载流子-----半导体处于强场中时，电子的平均能量高于晶格平均能量，以温度度量，则电子平均温度高于晶格平均温度，因此称强场中电子为热载流子。
多能谷散射-----半导体中有多个能量值接近的导带底时，电子被散射到不同能谷的现象。
负微分电导（电阻）------定义dJ/dE为微分电导，当半导体中电流密度随电场增加而减小时，微分电导小于零，称为负微分电导。
耿氏振荡-----存在负微分电导的半导体在强场中电流出现振荡的现象。
由于载流子分布不均匀，在高阻区形成偶极畴，偶极畴不断产生、长大、漂移和吸收的过程便产生微波振荡。
非平衡载流子-半导体处于非平衡态时，比平衡态时多出来的那一部分载流子称为非平衡载流子。
Δp=Δn非平衡载流子的注入与复合-----非平衡载流子的产生过程称为注入，非平衡载流子湮灭的过程称为复合。
准费米能级-----半导体处于非平衡态时，导带电子和价带空穴不再有统一的费米能级，但可以认为它们各自达到平衡，相应的费米能级称为电子和空穴的准费米能级。
少子寿命----非平衡少数载流子在半导体中存在的平均时间。
即产生非平衡载流子的因素去除后，非平衡载流子浓度衰减至初始时浓度的1/e 倍所需的时间。
直接复合-----电子从导带直接跃迁至价带与空穴相遇而复合。
间接复合-----电子通过禁带中的能级而跃迁至价带与空穴相遇而复合。
表面复合----发生在半导体表面处的复合。
体内复合----发生在半导体内部的复合。
辐射复合----电子从高能级跃迁至低能级与空穴复合时，多余的能量以辐射光子的形式释放。
无辐射复合-----电子从高能级跃迁至低能级与空穴复合时，多余的能量以辐射声子的形式释放。
俄歇复合----电子从高能级跃迁至低能级与空穴复合时，释放的能量用于其它载流子由较低能态跃迁至较高能态。
复合中心-----对间接复合起促进作用的深能级杂质。
相应的杂质能级称为复合中心能级，通常位于半导体禁带中央能级附近。
载流子陷阱------对间接复合起阻碍作用的深能级杂质。
相应的杂质能级称为陷阱能级。
半导体物理学 计算问题 能态密度 费米分布 杂质电离能 载流子浓度费米能级与准费米能级 电阻率 电导率例1. 已知Si 导带底在<100>方向，等能面为旋转椭球面，等能面附近能谱：22223122t l k k k E m m ⎛⎫+=+⎪⎝⎭式中m t 和m l 分别为横向和纵向有效质量。
试求Si 导带的能态密度。
解：由能态密度定义：()dZg E dE=式中dZ 为E-E+dE 之间的能量状态数，也可以视为k 空间中两等能面之间的状态数，对一支能带：()()2i i d Z g E d E g k d k == 式中()()32Vg k ,d k =π为k 空间体积元。
2222222331212221222t l tl k k k k k k E m E m E m m ⎛⎫++=+⇒+= ⎪⎝⎭ 等能面为椭球面，此等能面所围的体积为：()12223212323224433243*t lt lmE mE V a b c mm E ππ⎛⎫⎛⎫== ⎪⎪⎝⎭⎝⎭π=两等能面之间的体积：()()321212332121232433222tl*t lmm d k d V E d E mm E d Eπ==π=()()()()321133321212222222222i i t l t l dZ g E dE g k dkm m VE dE V m m E dE⇒==π=π⎛⎫= ⎪π⎝⎭Si 导带底在<100>方向，包括六个旋转椭球等能面，故能态密度：()()()()3212122232121222312222313122322622622266i t l it l c c t l t l V g E g E m m E V m m E m V E m m m m m ⎛⎫==⋅ ⎪π⎝⎭⎛⎫= ⎪π⎝⎭⎛⎫= ⎪π⎝⎭==∑能态密度有效质量例2. 某晶体价电子具有球形等能面，电子能谱为：222k E m=试求其能态密度。
解：()()()()12212322321222321222222124222222dZ g E dE g k dkVV mE m k dk E dE V m E dEV m g E E -==⎛⎫=π= ⎪π⎝⎭π⎛⎫= ⎪π⎝⎭⎛⎫⇒= ⎪π⎝⎭例3. 求本征半导体的费米能级和载流子浓度。
解：本征半导体的电中性条件：00n p =0()exp()()exp()ln c F 0C B F v v B c F F vC v B B c F F v vB B CE -E n =N exp -k T E E p N k T E -E E E N exp -N k T k T E -E E E N -k T k T N ⎧⎪⎪⎨-⎪=-⎪⎩-⇒=--⇒=-+()**1200ln 223ln 24exp ()2c v vB i F Cpc v B i F ng i c v B E E N k T E E N m E E k T E E m E n n p N N k T+==++⇒==+===-例4. 已知处于平衡态的非简并半导体中施主浓度为N D ，当半导体处于饱和区时，求其费米能级和载流子浓度。
解：只含一种施主杂质的半导体的电中性条件：0000:()D D D n p n o r n p N n +=+=+- 半导体处于饱和区时，000,D Dp n n N +≈=≈ e x p l n l n c F c DB c F D DF c BB c cE E N N kT E E N N E E kT kT N N ⎛⎫--= ⎪⎝⎭-⇒-=⇒=+ 载流子浓度：02002200//exp D i i i Dg c v DB n N n p n p n n n N E N N N k T ==⇒==⎛⎫⎛⎫=- ⎪ ⎪⎝⎭⎝⎭半导体物理学 作图问题 半导体能带结构示意图 分布函数曲线 能态密度曲线 准费米能级典型半导体的能带结构半导体的能带结构-价带为满带，价带与紧邻空带间禁带宽度较小；室温下即有电子从价带跃升至导带：空带（导带）T=0K. . . . . . . . .导带（近乎空带）价带（近乎满带）Ec EvEv EcT>0KSi 、Ge 的能带结构（间接带隙）GaAs的能带结构（直接带隙）分布函数曲线 能态密度曲线E1f (E)T ＝00FE半导体平衡时能带结构：E FEc Evn 型半导体p 型半导体EvE F Ec处于非平衡态时半导体的准费米能级：E F Ec Evn 型半导体E FnE Fpp 型半导体EvE F EcE FpE Fn半导体物理学 实验规律 费米能级与杂质浓度和温度的关系费米能级的位置与半导体的导电类型及电子填充能级水平的关系 杂质半导体中载流子浓度与温度的关系 杂质半导体中载流子浓度与杂质浓度的关系 载流子的迁移率与杂质浓度和温度的关系 半导体的电阻率与温度的关系 半导体中非平衡载流子的运动图象0FE 0EN (E)费米能级的位置与半导体的导电类型及电子填充能级水平的关系杂质半导体中载流子浓度与温度的关系杂质半导体中载流子浓度与杂质浓度的关系半导体中非平衡载流子的运动图象。