山东建筑大学电力电子技术期末考试答案及评分标准(高分必备)
电力电子技术期末考试题答案
1.IGBT 的开启电压UGE （th ）随温度升高而略有下降，开关速度小于电力MOSFET 。
2.在如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ）、电力场效应管（电力MOSFET ）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）中，属于不可控器件的是电力二极管，属于半控型器件的是晶闸管，属于全控型器件的是GTO GTR 电力MOSFET IGBT ；属于单极型电力电子器件的有电力MOSFET ，属于双极型器件的有电力二极管 晶闸管 GTO GTR ，属于复合型电力电子器件得有 IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是电力MOSFET ，属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT ，属于电流驱动的是晶闸管、GTO 、GTR 。
3.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_。
阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相围是__0-180O _ ，其承受的最大正反向电压均为_22U __，续流二极管承受的最大反向电压为__22U _（设U 2为相电压有效值）。
4.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相围为0-180O ，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为222U 和22U ；带阻感负载时，α角移相围为0-90O ，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为22U 和22U ；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个平波电抗器。
5.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角时，晶闸管的导通角=π-α-; 当控制角小于不导电角时，晶闸管的导通角= π-2。
6.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm 等于22U ，晶闸管控制角α的最大移相围是0-150o ，使负载电流连续的条件为o 30≤α(U2为相电压有效值)。
山东建筑大学模拟电子技术期末考试试题B卷及答案
···········································································································装订线山东建筑大学试卷 共 4 页 第 1 页2020至2021学年第 二 学期 课程名称 模拟电子技术 （本科） 试卷 B 专业： 电气工程与自动化、电子信息工程、通信工程 试卷性质： 闭卷 考试时间 120 分钟 题号 一 二 三 四 五 六 总分 分数得分 阅卷人一、填空题（本题共20分，每空0.5分）1. PN 结加正向电压时 ，加反向电压时 ，这种特性称为PN 结的 。
20级《电力电子技术》学习通超星期末考试答案章节答案2024年
20级《电力电子技术》学习通超星期末考试章节答案2024年1.或逻辑中，Y=1+1=（）。
答案:12.1的非等于（）。
答案:03.在决定某事件的条件中，只要任一条件具备，事件就会发生，这种因果关系叫做（）逻辑。
答案:或4.当决定某事件的全部条件同时具备时，事件才会发生，这种因果关系叫做（）逻辑。
答案:与5.异或逻辑的逻辑表达式为（）。
答案:Y=A⊕B6.将十进制数37.48转换为二进制数为（），小数点后保留3位。
答案:100101.0117.将二进制数1001101.01转换为十六进制数为（）。
答案:4D.48.将二进制数1001101.01转换为八进制数为（）。
答案:115.29.将八进制数123.4转换为十进制数为（）。
答案:83.510.一位十六进制数可以用（）位二进制数来表示。
答案:411.数字信号的特点是（）。
答案:在时间上和幅值上都是离散的12.与半桥逆变电路相比，全桥逆变电路的电压、电流的幅值均增加了一倍。
答案:对13.半桥电路常用于几千瓦以下的小功率逆变器。
答案:对14.全桥电路中，两对导电臂交替导通（）度。
答案:18015.当交流侧接有电源时，称为（）逆变。
答案:有源16.逆变电路是将（）转换为（）的电路。
答案:直流电;直流;交流电;交流17.以相数分类，整流电路可以分为单相整流电路和三相整流电路。
答案:对18.在半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中，电路出故障时会出现失控现象。
答案:对19.晶闸管在一个周期内导通的电角度，称为（）。
答案:导通角20.从晶闸管开始承受正向电压到施加触发脉冲导通为止的电角度，称为（）或（）。
答案:控制角;触发角21.相控整流电路按其组成器件可分为（）和（）两种形式。
答案:半控;全控22.整流电路是一种把（）转换成（）或（）的电路。
答案:交流电压;直流电压;可调直流电压23.GBT综合了（）和（）两种电力电子器件的优点，因而具有良好的特性。
答案:MOSFET；GTR;MOSFET；GTR24.IGBT的电极分别是（）、（）、（）。
电力电子技术期末复习10套及答案
电力电子技术期末复习10套及答案考试试卷(1)卷一、填空（这道题有8个小问题，每个空白1分，共20分）1、电子技术包括__信息电子技术___和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2.为了降低自身损耗，提高效率，电力电子设备一般工作在开关状态。
当设备的工作频率较高时，开关损耗将成为主要损耗。
3、在pwm控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为______载波比_______，当它为常数时的调制方式称为_____同步____调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为_____分段同步_______调制。
4.面积等效原则指的是___________________________基本相同。
5.在GTR、GTO、IGBT和MOSFET中，开关速度最快的是MOSFET，最大的单管输出功率是多少6、设三相电源的相电压为u2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其最大正向电压为。
7.如果逆变器电路的负载连接到电源，则称为逆变器。
如果它与负载相连，则称为逆变器。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用v1,vd1,v2,vd2表示)。
（1）在从0到T1的时间段内，当前路径为__；（2）在T1~T2时间段内，电流路径为__；(3)t2~t3时间段内，电流的通路为_______；(4)t3~t4时间段内，电流的通路为_______；(5)t4~t5时间段内，电流的通路为_______；二、多项选择题（本题共有10个子题，前4题各得2分，其余各得1分，共计14分）1、单相桥式pwm逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（）a、 V1和V4打开，V2和V3关闭，B和V1正常打开，V2正常关闭，V3和V4交替打开和关闭，C，V1和V4关闭，V2和V3打开d、v1常断，v2常通，v3与v4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（）a、当晶闸管的触发角大于电路的功率因数角时，晶闸管的导通角小于180度b、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作c、晶闸管的触发角小于电路的功率因数角。
2020—2021学年下学期电气自动化专业《电力电子技术》期末标准考试题及答案(试卷A)
2020—2021学年下学期电气自动化专业 《电力电子技术》期末标准考试题及答案 （试卷A ）一、填空题(每小题1分，共12分)。
1. 电流源型逆变器的输出电流波形为 矩形波 。
2. 三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差 120°。
3. 将直流电能转换为交流电能又馈送回交流电网的逆变电路称为 有源 逆变器。
4. 电流型逆变器中间直流环节以 电感 贮能。
5.同一晶闸管，维持电流I H 与擎住电流IL 在数值大小上有I L _=(2～4)______I H ； 6.对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使用输出电压平均值 下降 。
7.晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R 是___院（系） 班级姓名学号……………………………………………装…………………………订………………………线……………………………………………静态均压_____措施。
8.三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有______三角形和星形__二种方式。
9.抑制过电压的方法之一是用____储能元件____吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。
10. 控制角α与逆变角β之间的关系为β=л-α。
11. SPWM有两种调制方式：单极性和___双极性___调制。
12.逆变器可分为无源逆变器和__有源___逆变器两大类。
二、单项选择题；每小题1.5分，共27分。
从每小题的四个备选选答案，选出一个正确答案，并将正确答案的号码填在题干后面的括号内。
1．在型号为KP10-12G中，数字12表示（C）。
A、额定电压12V；B、额定电流12A；C、额定电压1200V；D、额定电流1200A；2．下列电路中，不可以实现有源逆变的有（B）。
A、三相半波可控整流电路；B、三相桥式半控整流电路；C、单相桥式可控整流电路；D、单相全波可控整流电路外接续流二极管；3.整流变压器漏抗对电路的影响有（B）。
山东建筑大学 模电A答案
4、C1 接 + 、 C2 接 -
AVf
评分说明：
Rf Rb
-9
............................... .. .（2 分）
1、 一题判断错误全扣分。 2、 计算题计算过程正确，结果错误酌情扣分，计算过程部分正确，酌情给分。 3、 结果正确，但无计算过程，酌情给分。 4、两个问题相关联，而前问结果错误导致后一问结果错误(计算过程正确)不重复扣分。
2、解：图（a）所示电路为同相输入的过零比较器；图（b）所示电路为同相输入的滞回比较器， 两个门限电压为±UT＝±（R1/R1）UZ＝±UZ 。两个电路的电压传输特性如下图所示： （本小题 6 分，其中每个特性 3 分）
1. 答： 4V 2. 答： RC 桥式振荡电路 3. 答：集成运算放大器在信号运算方面的应用主要有： 比例运算电路（同相和反相） 、 求和运算电路（加法和减法） 、积分和微分运算电路、指数和对数运算电路等等。
2、C1 接 - 、 C2 接 +
.................. .................（2 分）
3、 对性能的影响为：稳定输出电压，减小输出电阻，增大输入电阻......（3 分）
AVf 1
Rf Rb
10
................................. .. （2 分） Rf 接至 b1 ........................（2 分）
一、 选择题（本题共 15 分，每题 1 分）
1.C 13.A 2.C 14.D 3.A 4.B 5.B 6 .A 7.B 8. D 9.C 10 .C 11.B 12.D
15.C
二、 分析题 （本题 30 分，每小题 6 分）
电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)
电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件普通工作在__开关__状态。
2.在通常事情下，电力电子器件功率损耗要紧为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗要紧为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，普通由__操纵电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_爱护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的事情，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的要紧类型有_一般二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。
7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。
9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。
10.晶闸管断态别重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（怎么连接）在同一管芯上的功率集成器件。
的__多元集成__结构是为了便于实现门极操纵关断而设计的。
的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。
的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下落__，开关速度__小于__电力MOSFET 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件操纵端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
的通态压落在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。
(完整word版)电力电子技术期末考试卷和答案
2009—2010学年第一学期期末考试卷课程名称 电力电子技术 试卷编号 A 考试方式 闭卷 满分分值 100分 考试时间 120分钟1. 将直流电变为交流电称为逆变。
当交流侧接在电网上，即交流侧接有电源时， 称为 ；当交流侧直接和负载相连时，称为 。
2. PWM 逆变电路根据直流侧电源性质的不同，也可分为 和 两种。
目前实际应用的PWM 逆变电路几乎都是 电路。
3. 三相桥式全控整流电路，若整流变压器副边电压2u t ω=V,带反电动势阻感负载，030=α，则整流输出平均电压d U = 。
4. 按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度，可以将电力电子器件分为以下三类： 、 和 。
5．电力半导体器件由于承受过电压、过电流的能力太差，所以其控制电路必须设有 和 保护电路。
6. 晶闸管导通的条件有二：一是 ，二是 。
7. 电力电子器件驱动电路的任务是将。
驱动电路还要提供 。
8. 若晶闸管电流的有效值是314A ，则其额定电流为 A 。
若该晶闸管 阴、阳极间所加电压为100sin t ωV ，则其额定电压应为 V 。
（不考 虑晶闸管电流、电压的安全裕量。
）9. 电力变换通常可分为四大类，即交流变直流、 、 和 。
10. 电子技术包括 和 两大分支。
11. 在电压型逆变电路的PWM 控制中，同一相上下两个桥臂的驱动信号是 的。
但实际上为了防止上下两个桥臂直通而造成短路，在上下两臂通断切换时要留一小段上下臂都施加关断信号的 。
12. 在三相全控桥整流电路中，触发脉冲可采用 触发与触发两种方法。
二、单项选择题（每小题2分，共10分）13. 下列电力半导体器件中，（ ）最适合用在小功率、高开关频率的电力电子电路中。
a . 晶闸管b . GTRc . 电力MOSFETd . IGBT14. 三相桥式全控整流电路带大电感负载，则电路中晶闸管的触发角α的移相范围是（ ）。
a. 1800b. 1500c. 1200d. 90015. 有两组三相半波可控整流电路，一组是共阳极接法，一组是共阴极接法，如果它们的触发角都是α，那么共阴极组的触发脉冲与共阳极组的触发脉 冲对同一相来说，在相位上相差（ ）。
《电力电子技术》试卷A及答案
《电力电子技术》课程期末考试试题(A)一.填空（每空1分，36分）1、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管；可关断晶闸管；功率场效应晶体管；绝缘栅双极型晶体管；IGBT是和的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要求是、和。
3、多个晶闸管相并联时必须考虑的问题，解决的方法是。
4、在电流型逆变器中，输出电压波形为波，输出电流波形为波。
5、型号为KS100-8的元件表示晶闸管、它的额定电压为伏、额定有效电流为安。
6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_ 上的上、下二个元件之间进行；而120º导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_ 上的元件之间进行的。
7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会、正反向漏电流会；当温度升高时，晶闸管的触发电流会、正反向漏电流会。
8、在有环流逆变系统中，环流指的是只流经、而不流经的电流。
环流可在电路中加来限制。
为了减小环流一般采控用控制角αβ的工作方式。
9、常用的过电流保护措施有、、、。
（写出四种即可）10、双向晶闸管的触发方式有、、、、四种。
二.判断题,（每题1分，10分）（对√、错×）1、在半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中，电路出故障时会出现失控现象。
（）2、在用两组反并联晶闸管的可逆系统，使直流电动机实现四象限运行时，其中一组逆变器工作在整流状态，那么另一组就工作在逆变状态。
（）3、晶闸管串联使用时，必须注意均流问题。
（）4、逆变角太大会造成逆变失败。
（）5、并联谐振逆变器必须是略呈电容性电路。
（）6、给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。
（）7、有源逆变指的是把直流电能转变成交流电能送给负载。
（）8、在单相全控桥整流电路中，晶闸管的额定电压应取U2。
（）9、在三相半波可控整流电路中，电路输出电压波形的脉动频率为300Hz。
（）10、变频调速实际上是改变电动机内旋转磁场的速度达到改变输出转速的目的。
（）三、选择题（每题3分，15分）1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差度。
电力电子技术试题及答案(精编文档).doc
系别_________________ 班级____________________________ 考试号__________________ 姓名______________……………………………密……………………………封…………………………………线……………………………【最新整理，下载后即可编辑】德州科技职业学院机电系14级机电专业期末考试试题 《电力电子技术》试卷题 号 一二 三 四 合 计分 数阅卷人 得分1.5分，共60分） 1、 晶闸管内部有（ ）个PN 结。
A 、1 B 、2 C 、3 D 、42、晶闸管在电路中的门极正向偏压（ ）越好。
A 、越大 B 、越小 C 、不变 D 、越稳定3、晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（ ）来表示的。
A 、有效值 B 、最大值 C 、平均值 D 、瞬时值4、双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（ ）个电极。
A 、一个 B 、两个 C 、三个 D 、四个5、下列电力半导体器件电路符号中，表示IGBT 器件电路符号的是（ ）6、比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（ ）A 、IGBTB 、MOSFETC 、GTRD 、GTO7、比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（ ） A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO8、比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（ ） A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO9、比较而言，下列半导体器件中输入阻抗最大的的是（ ） A 、IGBT B 、MOSFET C 、GTR D 、GTO10、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（ ） A 、IPM B 、MOSFET C 、IGBT D 、GTO11、逆变电路输出频率较高时，电路中的开关元件应采用（ ） A 、晶闸管 B 、单结晶体管 C 、电力晶体管 D 、绝缘栅双极型晶体管12、电力场效应管MOSFET 适于在（ ）条件下工作 A 、直流 B 、低频 C 、中频 D 、高频13、要使绝缘栅双极型晶体管导通，应（ ）A 、在栅极加正电压B 、在集电极加正电压C 、在栅极加负电压D 、在集电极加负电压14、电力晶体管的开关频率（ ）电力场效应管 A 、稍高于 B 、低于 C 、远高于 D 、等于15、如晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V ，反向重复峰值电压为825V ，则该晶闸管的额定电压为（ ） A 、700V B 、750V C 、800V D 、850V 16、下列电力电子器件中，（ ）的驱动功率小，驱动电路简单 A 、普通晶闸管 B 、可关断晶闸管 C 、电力晶体管 D 、功率场效应晶体管17、二极管两端加上正向电压时（ ） A 、一定导通 B 、超过死区电压才导通 C 、超过0.3V 才导通 D 、系别_________________ 班级____________________________ 考试号__________________ 姓名______________……………………………密……………………………封…………………………………线……………………………超过0.7V 才导通 18、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTO 器件电路符号的是（ ）19、下列电力半导体器件电路符号中，表示GTR 器件电路符号的是（ ）20、下列电力半导体器件电路符号中，表示MOSFET 器件电路符号的是（ ） 21、单结晶体管振荡电路是利用单结晶体管的（ ）工作特性设计的A 、截止区B 、负阻区C 、饱和区D 、任意区域22、在晶闸管直流电动机调速系统中，改变（ ）就能改变直流电动机的转速。
电子电力技术考试试题标准答案与评分标准01
8.滞环比较定时比较三角波比较
9零电压软开关电路零电流软开关电路
10均压均流
二简答（38分）
1答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或：uAK>0且uGK>0。（2分）
维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。（2分）
3答：三相桥式电压型逆变电路为纵向换流（1分），因为电流在同桥臂上下半桥之间换流（1分）；三相桥式电压型逆变电路为横向换流（1分），因
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为电流在三个上桥臂之间或三个下桥臂之间换流（1分）。
4答：直流源为电流源的逆变电路为电流型逆变电路（1分）。直流侧电流无脉动（1分）；交流侧输出电流为矩形波，电压由负载确定（1分）；无需反并联二极管（1分）。
5答：升压斩波电路电路图和工作原理详见课本P123。
6答：全波电路只有一个管压降，损耗小；器件少；器件耐压高；变压器复杂（3分）。全桥电路器件耐压低；变压器简单；损耗大；器件多（3分）。
7答：单相相控调压电路带电阻性负载时，晶闸管控制角α的移相范围是0～π（2分）。输出电压和功率因数都随着α增大而减小（4分）。
本科生课程考试试题标准答案与评分标准
课程名称：电力电子技术课时：54考试时间：2015年1月7日
一、填空（29分，每空1分）
1电力学电子学控制理论
2开关通态损耗开关损耗
3SCRGTOGTR
MOSFETIGBT
4180903，5，7，9，。。。
5电压型逆变电路电流型逆变电路
6器件换流强迫换流电网换流负载换流
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2.解：
电路图（2分）、工作原理（2分）及公式推导（两个公式各2分，共4分）详见教材120页。
山东建筑大学电力电子技术期末考试试卷(高分必备)
10．大电感性负载的三相半波整流电路，流过晶闸管的平均电流为（）。
A． B． C． D．
三．简答题（5×4=20分）
1．交交变频电路和交直交变频电路相比有何优缺点?
山东建筑大学试卷共4页第2页
2．什么是直流斩波电路?举出两种基本的斩波电路形式。
3．画出三相半波可控整流电路，当α=90°时的输出电压ud及晶闸管两端承受电压uT1的波形。
7．PWM控制技术就是的技术。
8．单组单相全控桥能使电动机在Ⅰ、_________象限中工作。
9．三相半波可控整流电路,在电阻性负载时,当控制角α≤30°,每个晶闸管的导通角θ=________。此电路的移相范围为_______。
二.单项选择（1×10=10分，选出一个正确答案，并将正确答案的号码填在题后面的括号内。）
山东建筑大学试卷共4页第1页
2006至2007学年第一学期课程名称电力电子技术（本科）试卷:B卷
试卷类别：考试考试形式：闭卷考试时间120分钟
题号
一
二
三
四
五
总分
分数
一．填空（1×10=10分）
1．处于阻断状态的晶闸管，只有在阳极，且在门极加正向触发电压时，才能使其开通。
2．电压型逆变器的输出电压波形为。
1．把交流电变成直流电的是（）。
A.逆变电路B.整流电路C.斩波电路D.调压电路
2．升压斩波电路中，已知电源电压Ud=12V，导通比α=1/3，则负载电压U0=（）。
A.4V B.18V C. 36V D.8V
3．单相半波可控整流电路，带电阻负载，控制角α的最大移相范围为（）。
A．0°～90°B．0°～180°C．0°～120°D．0°～150°
山东建筑大学电力电子试题05级A卷答案
U d 0 cos0− ∆U d = I d R Id = 0.9×110 =18.33 A 5 + 0 .4
（5 分） （2 分）
Id =I2 U I 1 = 2 I 2 = 9.17 A U1
cosα − cos( α + γ )= γ = 31.57° 2∆U d = 0.148 U d0
（3 分）
山东建筑大学试卷标准答案及评分标准
共
3 页 第
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4． PWM 控制技术中，调制信号就是希望输出的波形，接受调制的信号为载波信号。 若要得到 SPWM 波其调制信号为正弦波。 5．脉冲宽度调制、频率调制、混合型。 6．能正常工作，电阻负载时移相范围是 120°。 四、(共 50 分) 1．解：(10 分)电炉电阻丝的电阻 U d = 0.9U 2 Rd =
UTn= UDn =2×UTM=2× 2 ×220=622V
（4 分）
（2 分）
（4 ）
（可用不同方法，相应公式对即可） 2.解：(15 分)
（3 分）
U d = 2.34U 2 cos30 =445.8V （5分） U I d = d =44.6 A Rd （5分） 1 I dT = I d =14.9 A 3 3 （2分） IT = 1 I d = 25.7 A
2 Ud Pd
1+ cosα =198V 2
=39.2Ω
当α=0°时晶闸管与整流管的电流有效值才最大为 U 1 π −α Sin 2α+ =4A ITm=IDm= 2 2π Rd 4π 晶闸管和整流管的额定电流： I IT(AV)= ID(AV)= 2× Tm =5A 1.57 晶闸管和整流管的额定电压：
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模拟电子技术期末模拟试卷A卷及评分标准(山东建筑大学)
···········································································································装线××大学试卷 共 5 页 第 1 页20××至20××学年第 二 学期 课程名称 模拟电子技术 （本科） 试卷 A 专业： 电气工程与自动化、电子信息工程、通信工程 试卷性质： 闭卷 考试时间 120 分钟 题号 一 二 三 四 五 六 总分 分数得分 阅卷人一、选择正确答案填入空内（用A 、B 、C 、D 填入即可）。
大学电力电子技术期末考试重点习题解答
第2章2. 3. 条件A I H ：维持电流4. 图 2-27 中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为I m ，试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值 I 1、I 2、I 3。
补充：IGBT、GTR、GTO 和电力MOSFET的优缺点的比较如下表：第3章3．单相桥式全控整流电路，U2＝100V，负载中R＝2Ω，L值极大，当 ＝30°时，要求：①作出u d、i d、和i2的波形；②求整流输出平均电压U d、电流I d，变压器二次电流有效值I2；③考虑安全裕量，确定晶闸管的额定电压和额定电流。
7. 在三相半波整流电路中，如果a 相的触发脉冲消失，试绘出在电阻性负载和电感性负载下整流电压u d 的波形。
a)解：假设 = 0°，当负载为电阻时，u d 的波形如下：①画出u d、i d和i VT1的波形；②计算U d、I d、I dT和I VT。
①画出u d、i d和i VT1的波形；②计算U d、I d、I dT和I VT。
23. 带平衡电抗器的双反星形可控整流电路与三相桥式全控整流电路相比有何主要异同？答：带平衡电抗器的双反星形可控整流电路与三相桥式全控整流电路相比有以下异同点：①三相桥式电路是两组三相半波电路串联，而双反星形电路是两组三相半波电路并联，且后者需要用平衡电抗器；②当变压器二次电压有效值U2相等时，双反星形电路的整流电压平均值U d是三相桥式电路的1/2，而整流电流平均值I d是三相桥式电路的2 倍。
③在两种电路中，晶闸管的导通及触发脉冲的分配关系是一样的，整流电压u d和整流电流i d的波形形状一样。
第4章1. 无源逆变电路和有源逆变电路有何不同？答：两种电路的不同主要是：有源逆变电路的交流侧接电网，即交流侧接有电源。
而无源逆变电路的交流侧直接和负载联接。
2. 换流方式各有那几种？各有什么特点？答：换流方式有4种：器件换流：利用全控器件的自关断能力进行换流。
电力电子技术试题参考答案及评分标准
电力电子技术复习 1（见教材后习题）1.维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？2.图中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为I m，试计算各波形的电流平均值I d1、I d2、I d3与电流有效值I1、I2、I3。
3.上题中如果不考虑安全裕量，问100A的晶闸管能送出的平均电流I d1、I d2、I d3各为多少？这时，相应的电流最大值I m1、I m2、I m3各为多少？4.GTO和普通晶闸管同为PNPN结构，为什么GTO能够自关断，而普通晶闸管不能？5.如何防止电力MOSFET因静电感应引起的损坏？6.全控型器件的缓冲电路的主要作用是什么？试分析RCD缓冲电路中各元件的作用。
7.试说明IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET各自的优缺点。
8.单相半波可控整流电路对电感负载供电，L=20mH，U2=100V，求当α=0°和60°时的负载电流I d，并画出u d与i d波形。
9.单相桥式全控整流电路，U2=100V，负载中R=2Ω，L值极大，当α=30°时，要求：①作出u d、i d和i2的波形；②求整流输出平均电压U d、电流I d，变压器二次电流有效值I2；③考虑安全裕量，确定晶闸管的额定电压和额定电流。
10.单相桥式全控整流电路，U2=100V，负载中R=2Ω，L值极大，反电动势E=60V，当α=30°时，要求：①作出u d、i d和i2的波形；②求整流输出平均电压U d、电流I d，变压器二次电流有效值I2；③考虑安全裕量，确定晶闸管的额定电压和额定电流。
11.晶闸管串联的单相半控桥（桥中VT1、VT2为晶闸管），电路如图，U2=100V，电阻电感负载，R=2Ω，L值很大，当α=60°时求流过器件电流的有效值，并作出u d、i d、i VT、i VD的流形。
12.三相半波可控整流电路，U2=100V，带电阻电感负载，R=5Ω，L值极大，当α=60°时，要求：①画出u d、i d和i VT的波形；②计算U d、I d、I dVT和I VT。
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直流斩波电路就是将直流电变为另一固定电压或可调电压的直流电的电路。降压斩波电路、升压斩波电路。
3．
4．
全控型是器件换流；晶闸管可以电网换流、负载换流、强迫换流
四.计算题（48分）
1．解：
Ud=80V时，αmin=30°。
（4分）
（3分）
（2分）
（3分）
2．解：
（4分）
（2分）
（3分）
（3分）
3．解：
二．单项选择（1×10=10分，选出一个正确答案，并将正确答案的号码填在题后面的括号内。）
1．B 2.B 3. B 4. D 5. A 6. C 7. A 8. A 9.B 10. C
三．简答题（5×4=20分）
1．
交交变频和交直交变频相比，交交变频的优点是：只用一次变频，效率较高；可以方便实现四象限工作；低频输出波形接近正弦波形。缺点是：接线复杂，所用器件多；受电网频率和变流电路脉波数的限制，输出频率较低；输入功率因数较低；输入电流谐波含量大，频谱复杂。
2006至2007学年第一学期课程名称电力电子技术（本科）试卷:B卷
试卷类别：考试考试形式：闭卷考试时间120分钟
题号
一
二
三
四
五Байду номын сангаас
六
总分
分数
一．填空（1×10=10分）
1．加正向电压2.矩形波3.相反4.180°5.（PNPN）四层
6.相电压的自然换相点7.对脉冲宽度进行调制8.Ⅱ9.120°，0°～150°