三极管偏压
三极管工作原理
三极管工作原理两种组合。
三个接出来的端点依序称为射极（emitter, E）、基极（base, B）和集极（collector, C），名称来源和它们在三极管操作时的功能有关。
图中也显示出 npn与pnp三极管的电路符号，射极特别被标出，箭号所指的极为n型半导体，和二极体的符号一致。
在没接外加偏压时，两个pn接面都会形成耗尽区，将中性的p型区和n型区隔开。
图1 pnp(a)与npn(b)三极管的结构示意图与电路符号。
三极管的电特性和两个pn接面的偏压有关，工作区间也依偏压方式来分类，这里我们先讨论最常用的所谓”正向活性区”(forward active)，在此区EB极间的pn接面维持在正向偏压，而BC极间的pn接面则在反向偏压，通常用作放大器的三极管都以此方式偏压。
图2(a)为一pnp三极管在此偏压区的示意图。
E B接面的空乏区由于在正向偏压会变窄，载体看到的位障变小，射极的电洞会注入到基极，基极的电子也会注入到射极；而BC接面的耗尽区则会变宽，载体看到的位障变大，故本身是不导通的。
图2(b)画的是没外加偏压，和偏压在正向活性区两种情形下，电洞和电子的电位能的分布图。
三极管和两个反向相接的pn二极管有什么差别呢？其间最大的不同部分就在于三极管的两个接面相当接近。
以上述之偏压在正向活性区之pnp三极管为例，射极的电洞注入基极的n型中性区，马上被多数载体电子包围遮蔽，然后朝集电极方向扩散，同时也被电子复合。
当没有被复合的电洞到达BC接面的耗尽区时，会被此区内的电场加速扫入集电极，电洞在集电极中为多数载体，很快藉由漂移电流到达连结外部的欧姆接点，形成集电极电流IC。
I C的大小和BC间反向偏压的大小关系不大。
基极外部仅需提供与注入电洞复合部分的电子流IBrec，与由基极注入射极的电子流InB? E（这部分是三极管作用不需要的部分）。
I nB? E在射极与与电洞复合，即InB? E=IErec。
pnp三极管在正向活性区时主要的电流种类可以清楚地在图3(a)中看出。
三极管偏压
三极管偏压三极管是一种重要的电子器件，广泛应用于电子电路中。
它是由三个不同类型的半导体材料组成，分为基极、发射极和集电极。
在三极管中，通过对基极电流的控制，可以实现对集电极-发射极电流的放大或开关控制。
在使用三极管时，正确的偏压非常重要。
偏压是指在三极管电路中，给各极端提供适当的电压，以使其工作在预定的区域。
正确的偏压有助于提高三极管的工作稳定性、线性度和可靠性。
下面将对三极管偏压进行具体分析。
首先，三极管的偏压与与之相连接的外部电路有密切的关系。
需根据具体应用场合选择合适的偏压电路。
常见的偏压电路有固定偏压电路和可调偏压电路。
固定偏压电路适合对于工作条件要求变化较小的场合，可调偏压电路适合对工作条件变化要求较大的场合。
其次，在确定偏压电路后，需要对其进行计算和设计。
关键参数包括基极电流、集电极电压和发射极电流。
基极电流的大小将决定三极管的放大倍数，因此应根据放大要求进行合理设置。
集电极电压和发射极电流的合理设置要考虑三极管的工作状态和工作性能，以保证电流和电压在安全的范围内，并避免损坏三极管。
最后，完成偏压电路的计算和设计后，还需要进行实际的调试和测试。
在调试过程中，需要使用合适的仪器设备对电流和电压进行测量，以确保偏压电路的稳定性和准确性。
同时，还需要观察三极管的工作状态和性能指标，如放大倍数、频率响应等，以判断偏压是否合理。
总的来说，三极管的偏压对于电子电路的正常工作至关重要。
正确的偏压可以保证三极管的稳定性和线性度，提高电路的工作性能。
因此，在进行电子电路设计和实际应用时，我们必须重视对三极管偏压的计算、设计和调试。
只有这样，才能更好地利用三极管的特性，为各种电子设备和系统的正常运行提供稳定可靠的基础。
三极管的工作原理
一¨川广————————————————』鼍黪蓬鎏三极管的工作原理三极管是最重要的电子器件。
如果没有三极管的发明，就没有今天的电子电路技术和微电子技术。
美国科学家巴丁制作成功世界上第一只半导体三极管．他因此而获得若贝尔奖。
三极管最重要的特性之一，是可以以小电流控制大电流，使信号放大成为可能。
如何实现信号放大并加以利用，这正是模拟电子技术需要研究的核心内容。
一、三极管内部结构及特点在普通三极管的外形如图１（ａ），其内部结构如图１（ｂ）所示．可以简要地把它归纳为。
两结三区三极”。
“两结”是发射结和集电结，“三区”是发射区、基区、集电区。
三极”是从三区分别引出的三个电极，即发射极、基极和集电极。
ＥＢＣＩａ）发射结集电结圈１三极管由两个ＰＮ结组成，但要注意，它们是一体的。
而不是独立的。
用两个二极管无论如何不可能组成一个三极管。
三极管的制作过程大体是这样的：在厚度极薄（微米级）的Ｐ型半导体基片的两侧，掺入大量的５价元素，形成两个Ｎ型区，因此出现了两个同体且彼此十分靠近的ＰＮ结。
这就是发射结和集电结。
这两个ＰＮ结将三极管分成三个区域。
通常把它们称作发射区、基区、集电区。
从这三个区引出三个电极。
就是发射极、基极和集电极。
分别用字母Ｅ、Ｂ、Ｃ来表示。
三极管结构中最主要的特点是：基区非常薄．使发射结和集电结靠的非常近；基区掺杂量极少，所以内部的载流子（空穴）数量也极少；发射区掺杂量很大。
所以内部载流子（电子）数量非常多；集电结的面积要比发射结大得多。
正是这几个特点。
三极管才具备了控制电流的功能。
成为最重要的电子器件。
二、三极管分类１．以制作材料分，根据制作的半导体材料不同．可以分为硅三极管和锗三极管。
２．以结构极性分，在制造中，如果基片是Ｐ型半导体．则两侧制作形成Ｎ型区．它的极性是ＮＰＮ；当然基片也可以是Ｎ型半导体，那么两侧制作形成Ｐ型区。
它的极性就是ＰＮＰ。
ＰＮＰ型三极管和ＮＰＮ型三极管在工作原理上是相同的，但内部流动的主体载流子极性是不同的。
3极管pnp和npn
3极管pnp和npn三极管是一种重要的电子元件，具有电流放大、开关等功能，同时还可以用于模拟信号的放大和数字信号的驱动。
其中，PNP型和NPN 型的三极管是较为常见的两种类型。
本文将围绕“三极管PNP和NPN”两个主题展开讲述，详细介绍它们的定义、工作原理以及应用等相关方面。
一、PNP型三极管PNP型三极管的工作原理：三极管由三个掺杂不同种类的半导体材料构成，从而形成了PNP和NPN两种型号。
PNP型三极管由两个N型半导体夹一个P型半导体而成，常用的符号为“↑P↓N↓N”。
PNP型三极管的基极区域和集电极区域都是N型半导体，这两个区域之间有一个P型半导体的发射区。
当基极极性为负，它的区域就会变窄，发射结逆偏导致少量的电子流会到达基区，从而发生电子注入，在中心区域可以形成N型掺杂杆，这里是PNP三极管的发射结。
此时的少量载流子从发射结流向集电极的区域，对应地就产生了比基极少很多，但比整个三极管大得多的电流流动。
这样，PNP型三极管就实现了从集电极到发射极传导的电流放大作用。
PNP型三极管的应用：PNP型三极管常用于直流放大器、稳压器、调节器、交替开关以及大功率开关等方面。
在放大器电路中，PNP型三极管可以用于共射级、共集级和共基级放大器中。
在开关电路中，PNP 型三极管可以用于其他器件的控制，例如，在交流电源中，PNP型三极管可以与NPN型三极管组成Darlington对来控制气动线路等。
二、NPN型三极管NPN型三极管的工作原理：NPN型三极管由两个P型半导体夹一个N型半导体而成，常用的符号为“↓N↑P↑P”。
NPN型三极管的基极区域和集电极区域都是P型半导体，这两个区域之间有一个N型半导体的发射区。
当基极极性向前偏压，它的区域就会加宽，发射结正向导通导致大量的电子流进入基极区，进而形成电子空穴注入，从而构成PNP三极管的发射结。
此时，由基极流进的少量电流，就能够在中心区域形成N型掺杂杆，这里是NPN三极管的发射结。
三极管工作原理(详解)
电压放大倍数
Av
vO vI
0.98V 20mV
49
放大状态下BJT的工作原理
综上所述，三极管的放大作用，主要是依 靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到 达集电极而实现的。
实现这一传输过程的两个条件是：
（1）内部条件：发射区杂质浓度远大于基区 杂质浓度，且基区很薄。
（2）外部条件：发射结正向偏置，集电结反 向偏置。
目录
1 三极管的结构
2 三极管的作用
3
三极管的三种放大电路
4 三极管的开关状态
三极管的结构简介
三极管的类型：
• 按频率分：高频管、低频管； • 按功率分：小、中、大功率管； • 按半导体材料分：硅、锗管；
• 按结构分：NPN和PNP管；
三极管的结构简介
(a) 小功率管 (b) 小功率管 (c) 大功率管 (d) 中功率管
IE ＝ IB ＋IC
三极管的三种放大电路
当晶体管被用作放大器使用时，其中两个电极用作信号 (待放大信号) 的输入端子；两个电极作为信号 (放大后的 信号) 的输出端子。 那么，晶体管三个电极中，必须有一 个电极既是信号的输入端子，又同时是信号的输出端子， 这个电极称为输入信号和输出信号的公共电极。Leabharlann IEQVBQ
VB EQ Re
VCEQ VCC ICQ Rc IEQ Re VCC ICQ ( Rc Re )
IBQ
ICQ β
4.5.1 共集电极放大电路
Av 1 。 Ri Rb //[rbe (1 β)RL ]
Ro
Re
//
Rs 1
rbe β
三极管原理全总结
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ﻩ
１、三极管的正偏与反偏:给PN结加的电压和ＰN结的允许电流方向一致的叫正偏，否则就是反偏。即当P区（阳极)电位高于N区电位时就是正偏，反之就是反偏。例如NＰN型三极管,位于放大区时，Ｕc＞Uｂ集电极反偏，Uｂ>Ｕe发射极正偏。总之，当ｐ型半导体一边接正极、n型半导体一边接负极时,则为正偏,反之为反偏。
截止区:Ub＜=Ｕce且Uce>Ube
放大区:Ube>Uｏn且UCE>=Ube,即Uｃ>Ub＞Ｕe。
饱和区:Uｂｅ＞Uoｎ且Uce<Ubｅ
NＰN型三极管导通时（饱和状态)ce间电压约为０．3V，ＰNP型三极管饱和导通条件Ve>Vb,Vc>Vb,eｃ间电压也约等于０.３V。ＮPN型三极管截止时只需发射极反偏即可，ＰNP型三极管与NPN型三极管截止条件相同。
(3)截止区:发射结反偏，集电结反偏。由于两个PＮ结都反偏,使三极管的电流很小,Iｂ≈0,Ic≈0，而管压降Ucｅ却很大。这时的三极管c、e极相当于开路。可以看成是一个开关的断开。
3、三极管三种工作区的电压测量
如何判断电路中的一个NPN硅晶体管处于饱和，放大,截止状态?用电压表测基极与射极间的电压Ube。
共射极电路的电流放大系数为β,共基极电路的电流放大倍数为α。α的值小于1但接近于1,而β的值则远大于１(通常在几十到几百的范围内)，所以Ic>>Ib。由于这个缘故，共射极电路不但能得到电压放大,还可得到电流放大,致使共射极电路是目前应用最广泛的一种组态。
4、三极管用于开关电路的原理
三极管
Vceo
在选择晶体管时， 大约为所用电源电压2倍 在选择晶体管时，Vceo大约为所用电源电压 倍 S8050的Vceo为25V 的
S8050 NPN型三极管参数 型三极管参数
c
Ic
b
Ib Ie
Vce
+
e
最大集电极电流， 最大集电极电流，即流过三极管集电极的最大电流
Icm
在选择晶体管时， 在选择晶体管时，Icm大约为三极管正常工作时流过 集电极最大电流的2倍 集电极最大电流的 倍 S8050的Icm为0.5A 的
Ec = Ic x Rc + Vce
三极管仿真电路分析
Ib、Ic、Vce 波形 波形?
集电极电压V 集电极电压 c
NPN 型 集电极电源Ec 集电极电源
基极电源E 基极电源 b
三极管仿真电路分析
Vo 集电极电压（V） 集电极电压（ Ic 集电极电流（mA） 集电极电流（
集电极电压V 集电极电压 c
驱动继电器(工作原理 驱动继电器 工作原理) 工作原理
+Vcc
3.R1、R2电阻取值
D IN4007
例如： 例如： 若Vcc=+5V,Ics=50mA,β=100， 且R2=4.7kΩ，计算R1取值。 Vcc-Vbe . . I . b= R 1 5V-0.7V R1 . . . Vbe R2 Ic > β
+Vcc
释放
D IN4007
继电器
c
输入Vi 输入 +Vcc OFF 0V R2 4.7K R1
续流二极管
S8050
b e
用NPN三极管驱动继电器电路图 三极管驱动继电器电路图
驱动继电器(工作原理 驱动继电器 工作原理) 工作原理
三极管的偏置电压
三极管的偏置电压摘要：一、三极管的基本概念二、偏置电压的作用三、三极管的偏置电压分类1.发射极偏置2.基极偏置3.集电极偏置四、偏置电压的选择与应用五、偏置电压对三极管性能的影响六、总结正文：一、三极管的基本概念三极管（Transistor）是一种常用的半导体器件，它具有三个区域：发射区、基区和集电区。
在三极管的工作中，基区宽度较小，因此可以看作是一个薄层。
发射区和集电区之间的薄层称为基区，基区宽度对三极管的电流放大倍数和开关速度等性能有很大影响。
二、偏置电压的作用偏置电压是加在三极管基区上的电压，它的作用是使基区内的电子空穴对产生电流，从而实现电流放大。
在实际应用中，偏置电压的大小和极性对三极管的性能有着至关重要的影响。
三、三极管的偏置电压分类1.发射极偏置：发射极偏置电压是将电源正极接到发射极，负极接到集电极。
在这种情况下，基区内的电子空穴对会受到正向偏置，从而使三极管导通。
2.基极偏置：基极偏置电压是将电源正极接到基极，负极接到发射极。
在这种情况下，基区内的电子空穴对会受到正向偏置，使得三极管处于导通状态。
3.集电极偏置：集电极偏置电压是将电源正极接到集电极，负极接到发射极。
在这种情况下，基区内的电子空穴对会受到反向偏置，使三极管处于截止状态。
四、偏置电压的选择与应用在实际电路中，根据不同的工作状态和性能要求，需要选择合适的偏置电压。
例如，在放大电路中，通常采用发射极偏置，可以使三极管工作在截止区，实现电流放大。
而在开关电路中，常采用基极偏置，以便于控制三极管的开关状态。
五、偏置电压对三极管性能的影响偏置电压的大小和极性对三极管的性能有很大影响。
合适的偏置电压可以使三极管工作在最佳状态，实现较高的电流放大倍数和较低的失真度。
然而，如果偏置电压不合适，可能导致三极管工作在截止区或饱和区，从而影响电路的性能。
六、总结本文简要介绍了三极管的基本概念，重点分析了偏置电压的作用和分类。
通过对偏置电压的选择和应用，可以实现三极管在不同电路中的高性能表现。
光敏三极管特性实验解读
实验内容
• 3、光照特性测量
• 按图连接好实验线路，光源选用 高亮度卤素灯，负载电阻选用 100K欧姆。 • 调节光照从“弱—强”，测得不 同(15个)照度条件下，测出光敏三 极管输出光电流IC与入射光照度 间的数据关系。照度依然用UR来 UR I 度量 。其中光电流 ph
实验原理
• 光敏三极管工作原理
• 光敏三极管可等效为一个光敏 二极管和普通三级管结合而成 。当具有光敏特性的PN结受到 光照时会形成光电流，此光生 电流由基极进入发射极，从而 在集电极回路中得到一个放大 了hFE倍的响应电流。
Ib
Ic=Ib*hFE
• 可见与普通三极管类似，光敏三极管同样具有电 流放大功能，只不过其控制端受入射光强控制。
光敏三极管的相对光响应灵敏 度与温度对应曲线如图所示： 由于光电三极管的 hFE 受环境 温度的影响较大，所以光电三 极管的灵敏度也会随环境温度 变化而出现较大的变化；故与 光电二极管相比，光电三极管 对温度变化更为敏感。
实验内容
• 1、判断光敏三极管极性
• 方法：
• 用万用表20K电阻档，黑表棒接发射极E，红 表棒接集电极C，无光照时显示∞，光照增强 时电阻迅速减小至1-2K欧姆； • 若将红表棒接发射极，黑表棒接集电极，则 不论光照变化与否万用表始终显示∞。
实验原理
• 光敏三极管伏安特性
• 在给定光照条件下，光敏三极管两端电压与其输 出电流Ic间的关系即为其伏安特性，具体特性曲 线如图所示： 无光照射时，集电极— 照度 发射极间的漏电流称为 暗电流。 Iceo=Icbo· hFE 可见光敏三极管的暗电 流也比光敏二极管增大 了hFE倍。 偏压
三极管的基本原理
三极管的基本结构是两个反向连结的PN接面，如图1所示，可有PNP和NPN两种组合。
三个接出来的端点依序称为射极（emitter）、基极（base）和集极（collector），名称来源和它们在三极管操作时的功能有关。
图中也显示出NPN与PNP三极管的电路符号，射极特别被标出，箭号所指的极为N型半导体，和二极体的符号一致。
在没接外加偏压时，两个PN接面都会形成耗尽区，将中性的P型区和N型区隔开。
图1 pnp(a)与npn(b)三极管的结构示意图与电路符号。
三极管的电特性和两个pn接面的偏压有关，工作区间也依偏压方式来分类，这里我们先讨论最常用的所谓”正向活性区”(forward active)，在此区EB极间的pn接面维持在正向偏压，而BC极间的pn接面则在反向偏压，通常用作放大器的三极管都以此方式偏压。
图2(a)为一pnp三极管在此偏压区的示意图。
EB接面的空乏区由于在正向偏压会变窄，载体看到的位障变小，射极的电洞会注入到基极，基极的电子也会注入到射极；而BC接面的耗尽区则会变宽，载体看到的位障变大，故本身是不导通的。
图2(b)画的是没外加偏压，和偏压在正向活性区两种情形下，电洞和电子的电位能的分布图。
三极管和两个反向相接的pn二极管有什么差别呢？其间最大的不同部分就在于三极管的两个接面相当接近。
以上述之偏压在正向活性区之pnp三极管为例，射极的电洞注入基极的n型中性区，马上被多数载体电子包围遮蔽，然后朝集电极方向扩散，同时也被电子复合。
当没有被复合的电洞到达BC接面的耗尽区时，会被此区内的电场加速扫入集电极，电洞在集电极中为多数载体，很快藉由漂移电流到达连结外部的欧姆接点，形成集电极电流IC。
IC的大小和BC间反向偏压的大小关系不大。
基极外部仅需提供与注入电洞复合部分的电子流IBrec，与由基极注入射极的电子流InB? E（这部分是三极管作用不需要的部分）。
InB? E在射极与与电洞复合，即InB? E=I Erec。
三极管的工作原理,详细、通俗易懂、图文并茂
三极管的工作原理，详细、通俗易懂、图文并茂一、很多初学者都会认为三极管是两个PN 结的简单凑合（如图1）。
这种想法是错误的，两个二极管的组合不能形成一个三极管。
我们以NPN 型三极管为例（见图2 ），两个PN 结共用了一个P 区——基区，基区做得极薄，只有几微米到几十微米，正是靠着它把两个PN 结有机地结合成一个不可分割的整体，它们之间存在着相互联系和相互影响，使三极管完全不同于两个单独的PN 结的特性。
三极管在外加电压的作用下，形成基极电流、集电极电流和发射极电流，成为电流放大器件。
二、三极管的电流放大作用与其物理结构有关，三极管内部进行的物理过程是十分复杂的，初学者暂时不必去深入探讨。
从应用的角度来讲，可以把三极管看作是一个电流分配器。
一个三极管制成后，它的三个电流之间的比例关系就大体上确定了（见图 3 ），用式子来表示就是β 和α 称为三极管的电流分配系数，其中β 值大家比较熟悉，都管它叫电流放大系数。
三个电流中，有一个电流发生变化，另外两个电流也会随着按比例地变化。
例如，基极电流的变化量ΔI b ＝10 μA ，β ＝50 ，根据ΔI c ＝βΔI b 的关系式，集电极电流的变化量ΔI c ＝50×10 ＝500μA ，实现了电流放大。
三、三极管自身并不能把小电流变成大电流，它仅仅起着一种控制作用，控制着电路里的电源，按确定的比例向三极管提供I b 、I c 和I e 这三个电流。
为了容易理解，我们还是用水流比喻电流（见图 4 ）。
这是粗、细两根水管，粗的管子内装有闸门，这个闸门是由细的管子中的水量控制着它的开启程度。
如果细管子中没有水流，粗管子中的闸门就会关闭。
注入细管子中的水量越大，闸门就开得越大，相应地流过粗管子的水就越多，这就体现出“以小控制大，以弱控制强”的道理。
由图可见，细管子的水与粗管子的水在下端汇合在一根管子中。
三极管的基极 b 、集电极 c 和发射极e 就对应着图4 中的细管、粗管和粗细交汇的管子。
npn型三极管工作原理
npn型三极管工作原理npn型三极管是一种常用的半导体器件，在电子电路中具有重要的作用。
它的工作原理涉及到电子的扩散和漂移运动，通过外加电压来控制电流的传输。
在电子技术领域，npn型三极管被广泛应用于放大、开关、稳压等功能的电路中。
首先，我们来看npn型三极管的结构。
npn型三极管由三个区域组成：发射区、基区和集电区。
其中，发射区和集电区是N型半导体，基区是P型半导体。
在正常工作状态下，发射区和基区之间被正向偏置，集电区和基区之间则被反向偏置。
这种结构决定了npn型三极管的工作原理及其特性。
当外加电压施加在npn型三极管的基极和发射极之间时，发射结会出现正向偏压，导致发射结区域带有高浓度的电子。
这些电子会由于浓度梯度的存在而向基区扩散。
在基区，这些电子会与空穴重新结合，但也会有一部分电子被漂移至基极，形成电流。
这就是npn型三极管的放大作用：通过控制基极的电压，可以控制发射电流的大小，实现信号放大的功能。
另外，当npn型三极管处于饱和状态时，发射结和集电结都处于正向偏置，电流增益最大。
在这种情况下，npn型三极管可以被用作开关。
通过控制基极的电压，可以使npn型三极管在导通和截止之间切换，实现电路的开关功能。
在实际应用中，npn型三极管还可以用作稳压器件。
通过将npn型三极管与其他元件组成稳压电路，可以实现对电压的稳定输出。
当输入电压发生波动时，稳压电路能够通过调整npn型三极管的工作状态来保持输出电压的稳定性，保护其他电路不受干扰。
总结来说，npn型三极管的工作原理是基于PN结的扩散和漂移运动。
通过外加电压的控制，可以实现对电流的放大、开关和稳压功能。
npn型三极管在电子电路中有着广泛的应用，是现代电子技术不可或缺的器件之一。
随着科技的发展，npn型三极管的工作原理也在不断被深入研究和应用，为电子领域的发展带来了新的机遇和挑战。
三极管偏压
三极管偏压电子管某一电极与阴极之间的固定电位差成分。
偏: 偏piān 歪，不在中间：偏斜。
偏离。
压: 压（壓）yā从上面加力整体回路中的某个点，测量它相对某个基准点的电压（是整体回路电压的1/n）就称之为该点的偏压，各段电路的偏压之和就是整体回路电压，相应位置的电流就是偏压电流。
三极管的偏压是什么意思?你指的是不是基极偏置电压。
基极偏置电压是控制三极管基极电流的重要保证。
因为三极管在制造中它的基极电流不可能做成完全一样，只能通过调整偏置电压来实现。
基极电流是保证三极管放大特性的重要参数，要使三极管就够在工作特性三角区内只有调整偏置电压来实现。
那为什么不说偏置电流呢？因为用电压不表示的幅度大，电流的幅度大小了。
所以用电压来表示。
偏压∶整体回路中的某个点，测量它相对某个基准点的电压（是整体回路电压的1/n）就称之为该点的偏压，各段电路的偏压之和就是整体回路电压，相应位置的电流就是偏压电流。
正向偏压∶NPN型三极管的电流方向为由B、C极流向E极。
当需要管子工作时，需给B极加上一个可以使电流正向流动的电压。
这个电压就是正向偏压，电压值的大小需计算确定。
当需要管子完全截止无电流时，为可靠截止，就需要加上一个负的电压。
这个负的电压，就是反向偏压。
当n区相对P区有负电压，且当负电压低于-0.6V(即绝对值大于0.6V)时，就会产生一个P区到N区的大电流；当有正电压时，在小于击穿电压之前电流可以忽略不计。
二极管的基本性质可以通过考虑耗尽层的电压和电场来理解。
正向偏压即在N区加一个相对P区的负电压。
这样会导致PN结内建电势的减小，其变化趋势如图3e所示。
PN结内建电势的减小会导致电场以及耗尽区宽度的减小，如图d、c和b所示。
二极管内部电压的减小和耗尽区宽度的减小开始允许电流导通二极管。
在反偏压下n区相对p区的电压是个正电压。
这会使得PN结内部的电势变大超过开始的内建电势，如图5e所示；当然也会增强PN结的电场强度，如图5d所示。
三极管的简单检测方法(经验判断)
一、三极管的简单检测方法〔经历判断〕1.冒状的三极管：对于这种冒状三极管，一般都有个凸出的部分，那么突出部分对应为E极，然后B极应该为中间的引脚，另外一脚那么为C极；2.普通的三极管：对于这种三极管，首先用数字万用表检测出B极〔万用表打到导通挡，假设测得某一引脚与其他两引脚的压降为无穷大，调换表笔，测得此引脚与其他两引脚都存在一定的压降，那么可断定此引脚为B极〕，检测出B极后，将万用表打到导通挡〔即二极管挡〕，分别测量另外两支引脚对B极的正向偏压，其中偏压较大的为E极，偏压较小的为C极；〔注：一般三极管假设检测出B极在一端，那么另一端为E极，中间为C极〕二、电容的串、并联：1.电容串联电路的根本特征：a):电容串联后总电容的倒数等于各电容容量的倒数之和，即1/C=1/C1+1/C2+…,这一点与电阻并联电路一样。
〔记住一个特例：当两个容量相等电容串联后，其总的电容容量为原来单个电容容量的一半。
〕b):在电容串联电路中，容量大的电容两端电压小，容量小的电容两端电压大〔由Q=C*U，存储在串联电路中各个电容的电荷量Q相等，所以容量越大，电容两端电压越小。
〕，当某个电容的容量远大于其他电容时，该电容相当于通路，此时电路中起决定性作用的是容量小的电容。
c):两只有极性电解电容顺串联的结果仍然为一只有极性的电容，总电容的容量减小，总电容的耐压进步；逆串联后电容没有极性，两根引脚可以任意接入电路中。
2.电容并联电路的根本特征：a):电容并联电路中的总电容等于各电容的容量之和，即总容量C= C1+C2+…，这一点与电阻串联特性相似。
b)：电容并联电路中各电容上电压相等，各电容支路中，大容量电容支路中的电流大，小容量电容支路中的电流小。
〔因为并联电路两端电压相等，容量大容抗小，电流大〕说明：〔平板电容公式为c=εs/4πkd.平行板电容器的电容c跟介电常数ε成正比，跟正对面积成s正比,跟极板间的间隔d成反比，其中式中的k是静电力常量。
三极管原理全总结
1、三极管的正偏与反偏：给PN结加的电压和PN结的允许电流方向一致的叫正偏，否则就是反偏。
即当P区（阳极）电位高于N区电位时就是正偏，反之就是反偏。
例如NPN型三极管，位于放大区时，Uc>Ub集电极反偏，Ub>Ue发射极正偏。
总之，当p型半导体一边接正极、n型半导体一边接负极时，则为正偏，反之为反偏。
NPN和PNP主要是电流方向和电压正负不同。
NPN是用B—E的电流（IB）控制C—E的电流（IC），E极电位最低，且正常放大时通常C极电位最高，即VC>VB>VE。
PNP是用E—B的电流（IB）控制E—C的电流（IC），E极电位最高，且正常放大时通常C极电位最低，即VC<VB<VE。
2、三极管的三种工作状态：放大、饱和、截止（1）放大区：发射结正偏，集电结反偏。
对于NPN管来说，发射极正偏即基极电压Ub>发射极电压Ue，集电结反偏就是集电极电压Uc>基极电压Ub。
放大条件：NPN管：Uc>Ub>Ue；PNP管：Ue>Ub>Uc。
（2）饱和区：发射结正偏、集电结正偏--BE、CE两PN结均正偏。
即饱和导通条件：NPN管：Ub>Ue,Ub>Uc，PNP型管：Ue>Ub,Uc>Ub。
饱合状态的特征是：三极管的电流Ib、Ic 都很大，但管压降Uce 却很小，Uce≈0。
这时三极管的c、e 极相当于短路，可看成是一个开关的闭合。
饱和压降，一般在估算小功率管时，对硅管可取，对锗管取。
此时的，iC几乎仅决定于Ib，而与Uce无关，表现出Ib对Ic的控制作用。
（3）截止区：发射结反偏，集电结反偏。
由于两个PN 结都反偏，使三极管的电流很小，Ib≈0，Ic≈0，而管压降Uce 却很大。
这时的三极管c、e 极相当于开路。
可以看成是一个开关的断开。
3、三极管三种工作区的电压测量如何判断电路中的一个NPN硅晶体管处于饱和,放大,截止状态？用电压表测基极与射极间的电压Ube。
关于三极管偏压问题
关于三极管偏压问题三极管偏压问题近年来，随着电子技术的飞速发展，三极管作为一种重要的电子元器件，被广泛应用于各种电子设备中。
而在三极管的工作中，偏压问题是非常关键的一个方面。
本文将重点探讨三极管的偏压问题及其解决方法。
一、什么是偏压？在讨论偏压问题之前，首先需要明确什么是偏压。
简而言之，偏压指的是对三极管的不同管脚加上合适的电压，以使其正常工作。
不同的管脚所需要的电压不同，因此在实际应用中需要准确地确定并设置合适的偏压。
二、三极管的三个管脚为了更好地理解三极管的偏压问题，我们首先需要了解三极管的三个管脚及其功能。
1. 基极（Base）：基极是三极管中的控制极，用于控制电流的流动。
输入信号通过基极引入三极管，从而控制三极管的工作状态。
2. 发射极（Emitter）：发射极负责提供电子流，并通过与基极之间的电压差来调节电流的大小。
3. 集电极（Collector）：集电极是三极管中的输出极，负责收集电流并将其引出。
三、三极管的偏压类型三极管的偏压类型主要分为固定偏压和可调偏压两种。
1. 固定偏压：固定偏压是指使用固定的电源电压对三极管进行正常工作条件下的偏置。
这种偏压方式基本稳定，适用于对静态工作点要求较高的场合。
2. 可调偏压：可调偏压是使用可变电阻或电源来调整三极管的偏压。
这种偏压方式相对更加灵活，能够对三极管的工作状态进行精确调节，适用于一些需要动态调整的应用场景。
四、三极管的偏压问题及解决方法在实际应用中，三极管的偏压问题是非常重要的。
不同的偏压设置会直接影响三极管的工作状态及性能。
以下是一些常见的三极管偏压问题及相应的解决方法。
1. 基极偏流过大问题基极偏流过大可能会导致三极管过热，甚至损坏。
解决方法是通过合理选择电阻值，使基极电流达到合适的大小。
2. 基极偏流过小问题基极偏流过小会导致三极管无法正常工作，信号放大效果不佳。
解决方法是通过增大电阻值来调节基极电流。
3. 温度变化对偏压的影响温度变化会对三极管的偏压产生影响，可能导致其工作状态偏离正常范围。
三极管单词
三极管单词
三极管单词是指与三极管有关的英语单词及术语，这些单词通常出现在电子工程、电路设计和电子器件等领域中。
以下是一些常见的三极管单词及其含义：
1. Transistor（晶体管）- 一种电子器件，可以放大或开关电流。
2. NPN（N型晶体管）- 一种三极管，具有一个N型掺杂区域夹在两个P型掺杂区域之间。
3. PNP（P型晶体管）- 一种三极管，具有一个P型掺杂区域夹在两个N型掺杂区域之间。
4. Collector（集电极）- 三极管中的一个电极，负责收集电子流。
5. Base（基极）- 三极管中的一个电极，负责控制电子流。
6. Emitter（发射极）- 三极管中的一个电极，负责发射电子流。
7. Bias（偏压）- 在三极管中，通过给一个电极加上恒定的电压来控制电子流。
8. Amplification（放大）- 三极管可以通过控制电流来放大信号。
9. Switching（开关）- 三极管可以通过控制电流来开关电路。
以上是一些常见的三极管单词及其含义，对于从事电子工程和电路设计的人员来说，掌握这些词汇是非常重要的。
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npn三极管工作电压
npn三极管工作电压
摘要：
1.NPN 三极管的定义及组成结构
2.NPN 三极管的工作原理
3.NPN 三极管的工作电压
4.NPN 三极管的应用
正文：
1.NPN 三极管的定义及组成结构
PN 三极管是一种半导体器件，由两块n 型半导体和一块p 型半导体组成，其中p 型半导体位于中间，两侧为n 型半导体。
在NPN 三极管中，发射极（e）、基极（b）和集电极（c）分别对应于三个区域。
发射极和集电极之间的电流可以通过基极电流进行控制。
2.NPN 三极管的工作原理
PN 三极管的主要功能是电流放大和开关。
当基极加上正偏压时，三极管处于导通状态，此时集电极和发射极之间的电流得以流通。
反之，当基极加上负偏压时，三极管处于截止状态，集电极和发射极之间的电流无法流通。
3.NPN 三极管的工作电压
PN 三极管的工作电压包括三个参数：发射极与基极之间的电压（Ueb）、基极与集电极之间的电压（Ubc）以及发射极与集电极之间的电压（Uec）。
在实际应用中，NPN 三极管的工作电压范围通常为0.3V 至2V。
4.NPN 三极管的应用
PN 三极管广泛应用于电子电路中，如信号放大、开关控制、振荡电路等。
在实际应用中，根据电路的需求和设计，可以选择不同类型和参数的三极管。
例如，对于电流放大，通常选用具有较高放大倍数的三极管；对于开关控制，则需要选择具有快速开关速度和低导通电阻的三极管。
总之，NPN 三极管是一种具有重要作用的半导体器件，其工作原理和电压参数对于电子电路的设计和应用至关重要。
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三极管偏压
电子管某一电极与阴极之间的固定电位差成分。
偏: 偏piān 歪，不在中间：偏斜。
偏离。
压: 压（壓）yā从上面加力
整体回路中的某个点，测量它相对某个基准点的电压（是整体回路电压的1/n）就称之为该点的偏压，各段电路的偏压之和就是整体回路电压，相应位置的电流就是偏压电流。
三极管的偏压是什么意思?
你指的是不是基极偏置电压。
基极偏置电压是控制三极管基极电流的重要保证。
因为三极管在制造中它的基极电流不可能做成完全一样，只能通过调整偏置电压来实现。
基极电流是保证三极管放大特性的重要参数，要使三极管就够在工作特性三角区内只有调整偏置电压来实现。
那为什么不说偏置电流呢？因为用电压不表示的幅度大，电流的幅度大小了。
所以用电压来表示。
偏压∶整体回路中的某个点，测量它相对某个基准点的电压（是整体回
路电压的1/n）就称之为该点的偏压，各段电路的偏压之和就是整体回路
电压，相应位置的电流就是偏压电流。
正向偏压∶NPN型三极管的电流方向为由B、C极流向E极。
当需要管子工作时，需给B极加上一个可以使电流正向流动的电压。
这个电压就
是正向偏压，电压值的大小需计算确定。
当需要管子完全截止无电流时，为可靠截止，就需要加上一个负的电压。
这个负的电压，就是反向偏压。
当n区相对P区有负电压，且当负电压低于-0.6V(即绝对值大于0.6V)时，就会产生一个P区到N区的大电流；当有正电压时，在小于击穿电压之前
电流可以忽略不计。
二极管的基本性质可以通过考虑耗尽层的电压和电场
来理解。
正向偏压即在N区加一个相对P区的负电压。
这样会导致PN结内建电势的减小，其变化趋势如图3e所示。
PN结内建电势的减小会导致电场以
及耗尽区宽度的减小，如图d、c和b所示。
二极管内部电压的减小和耗
尽区宽度的减小开始允许电流导通二极管。
在反偏压下n区相对p区的电压是个正电压。
这会使得PN结内部的电势变大超过开始的内建电势，如图5e所示；当然也会增强PN
结的电场强度，如图5d所示。
最终的结果是PN结耗尽区的宽度增加，内
部电势和电场会使得PN结平衡电流(扩散电流和漂移电流)比没有外部偏
压时要大。
这说明如果通过二极管的电流很小时，那么它的导通电压的范
围会比较大。
二极管的偏压
目前你已经知道，在平衡状态时，没有电子能够越过PN结。
一般来说，偏压这个名词指的就是利用直流电压建立电子元件工作所需的某些条件。
与二极管有关的两种偏压就是：正向偏压和反向偏压。
任何一种偏压，都必须在PN结的两边接上足够的直流电压和适当的极性。
在学习完本节的内容后，你应该能够：参与讨论二极管的偏压特性；定义正向偏压并且说明所需条件；定义反向偏压并且说明所需条件；参与讨论门槛电压对正向偏压的影响；解释在正向偏压时，电流如何产生；解释什么是反向电流；说明二极管反向击穿的原因；以能阶图解释正向偏压和反向偏压。
1.正向偏压
要对二极管施以偏压，你必须在它的两端加上直流电压。
正向偏压(forward bias)就是指施加的偏压能够让电流顺利通过PN结。
如图1.20所示，一个直流电压源通过导电材料（接点和导线）在二极管的
两端施加正向偏压。
此外施加偏压的电压值以V BIAS表示。
图中的电阻R可以限制电流的大小，使其不会损坏二极管。
请注意，偏压V BIAS的负极端要接到二极管的N型区，而正极端则要接到P型区。
这是正向偏压的第一个条件。
第二个条件兢是偏压的电压值V BIAS，必须大于门槛电压。
图1.21示出，当二极管处于正向偏压的情况。
就像同性电荷会彼此排斥，偏压源的负端会排斥自由电子(N型区的主要载流子)，使其流向PN结。
这种自由电子的流动，称为电子流。
偏压源的负极端也会提供连续的电子流，经过外部的导线流入N型区。
偏压源提供给自由电子充足的能量，以便克服耗尽的门槛电压，
然后流入P型区。
一旦进入P型区，这些传导电子就失去能量，而立刻与价带的空穴结合。
现在，电子只能位于P型区的价带中，因为它们为了克服门槛电压，而失去太多的能量，无法继续留在导带内。
既然异性电荷相吸，偏压源的正极会吸引并使价电子流向P型区的左方。
于是P型区中的空穴就充当中介作用或路径，让价电子能够借道穿过P型区。
电子从一个空穴流向下一个空穴，一路朝左方流去。
而空穴（P型区的主要载流子）等于是（并非实际上）朝右方流向PN 结，从图1. 21可以看出。
这个空穴的等效流动，称为空穴流。
你可以将空穴流视为价电子流过P型区，而空穴则提供电子流动的唯一途径。
当电子流出P型区，经过钋部导线流到偏压源的正极，它们会在P 型区留下空穴；同时，这些电子成为金属导体中的传导电子。
回想一下，导体的导带与价带有部分重叠在一起，因此导体的电子比半导体的电子需要更少的能量就能成为自由电子。
所以，就像有源源不断的空穴流向PN结，与持续穿过结面进入P型区的电子结合。
(1)正向偏压对耗尽区的作用
当更多电子流入耗尽区时，正离子的数目就会减少。
当PN结的另一边有更多的空穴流入耗尽区，负离子的数目也会减少。
因为正向偏压造成正、负离子的减少，会造成耗尽区变窄，如图1.22所示。
(2)正向偏压对门槛电压作用
回想一下，在耗尽区PN结两端的正、负离子之间的电场，形成所谓的能量丘，在平衡状态时会阻止自由电子扩散通过结面(参见图1. 19(b))。
这就形成所谓的门槛电压。
当施加正向偏压下，自由电子可以从偏压源取得足够的能量，就能克服门槛电压就像爬过能量丘，通过耗尽区。
电子要通过耗尽所需的能量等于门槛电压。
换句话说，当电子通过耗尽区时，它会损失等于门槛电压的能量。
这项能量的损失，会在PN结处产生等于门槛电压(0.7V)的电压降，如图1.22(b)所示。
另外在通过P型区和N型区时，也会产生额外的较小电压降，这是由于材料的内部电阻所造成。
对于掺杂的半导体材料，这个阻抗称为动态阻抗(dynamic resistance)．因为很小，通常都会忽略掉。
2.反向偏压
反向偏压( reverse bias)基本上能防止电流通过二极管。
图1.23显示一个直流电压源对二极管两端施加反向偏压的情形。
这项外加的偏压与正向偏压同样是以V BIAS表示。
需要注意，此项偏压的正极是
连接到二极管的N型区，而负极则连接到P型区。
同时也请注意，此时的耗尽区比正向偏压或平衡（未施加偏压）时更宽。
图1.24显示，当二极管在反向偏压下所发生的情形。
因为异性电荷会互相吸引，因此偏压源的正极会拉动自由电子（P型区的多数载流子）离开PN结。
当电子流向电压源的正极，就会产生额外的正离子。
这样会造成耗尽区更宽，多数载流子数目减少。
在P型区，从电压源负极流出的电子会成为价电子，从一个空穴经过另一个空穴流向耗尽区，并在耗尽区形成更多的负离子。
这样就会加宽耗尽区，使得多数载流子数曰减少。
这种价电子的流动也可视为空穴被拉向正极。
在施加反向偏压后，所产生电荷载流子的流动属于暂时性，只维持很短暂的时间。
当耗尽区加宽时，多数载流子的数目也减少。
当更多的N型区和P型区缺乏多数载流子后，在正离子和负离子之间的
电场就会增强，直到耗尽区两端的电压等于偏压VB．AS为止。
此时，瞬时电流基本上会停止，只剩下很小的反向电流存在，不过通常都予以忽略。
(1)反向饱和电流
在施加反向偏压且在瞬时电流停止后，只有很小的电流存在，这是由N型区和P型区的少数载流子的流动造成，而这些少数载流子是来自于热扰动所产生的电子一空穴对。
这些P型区的少量自由电子，被负偏压推向PN结。
当这些电子到达宽大的耗尽区，就会滑下能量丘并且像价电子一样与N型区的少数载流子空穴结合，流向正偏压端而形成一股小的空穴流。
P型区导带与N型区导带相比位于更高的能阶。
因此，少数载流子的电子就很容易通耗尽区，因为它们不需要额外的能量。
反向电流在图1.25加以说明。
(2)反向击穿
一般来说，反向电流因为太小，可以加以忽略。
但是，当反向偏压增加到所谓的击穿电压(breakdown voltage)的电压值时，反向电流就会大幅地增加。
这是实际发生的现象。
这个反向高电压会赋予少数自由电子足够
的能量，使它们能够加速穿过P型区，它们会冲击原子，并且因为带有足够的能量，就可将原子的价电子撞离轨道，进入导带。
这些新产生的导电电子因为仍然具有很高的能量，因此可以重复这种过程。
如果一个电子在通过P型区的过程中，只另外撞击两个电子离开价轨道，则电子的数目就会快速倍增。
当这些高能电子通过耗尽区，它们仍然具有足够的能量通过N型区成为传导电子，而不会与空穴结合。
我们刚才所介绍的传导电子的倍增现象，HDS402-E称为累增击穿( avalanche)，因此会产生大量的反向电流，而产坐的过量的热能以至于烧坏二极管。