晶闸管 整流二极管主要参数及含义
可控硅的主要参数
可控硅的主要参数可控硅（SCR）是一种常见的半导体器件，也被称为双向可控整流二极管（thyristor）或晶闸管。
它是一种电子开关，可控硅具有多种主要参数，这些参数对于合理选用和应用可控硅是非常重要的。
本文将介绍可控硅的主要参数，包括阈值电压、额定电流、最大可承受电压、触发电流和反向触发电压。
1.阈值电压（VBO）：阈值电压是指在可控硅关闭状态下，当施加的压差超过该电压时，可控硅将开始导通。
阈值电压是可控硅能否实现可控的重要参数。
2.额定电流（IT）：额定电流是指可控硅能够长时间承受的最大电流。
超过额定电流的电流将会引起可控硅的过热和损坏，因此在使用可控硅时应确保电流不超过额定电流。
3.最大可承受电压（VDRM）：最大可承受电压是指在关闭状态下，可控硅可以承受的最高电压。
当施加的电压超过最大可承受电压时，可控硅可能损坏。
4.触发电流（IGT）：触发电流是指在可控硅导通之前需要施加的触发电流。
触发电流是可控硅实现可控的重要参数。
5.反向触发电压（VDRM）：反向触发电压是指可控硅在关闭状态下能承受的最高反向电压。
超过该电压，可控硅可能开始导通，导致不可预计的行为。
除了上述主要参数外，可控硅还有一些其他的重要参数，如触发时间（tQ）、关断时间（tQ）、导通压降（VF）和静态工作点等。
这些参数需要根据具体的应用需求来选择和考虑。
总之，可控硅的主要参数包括阈值电压、额定电流、最大可承受电压、触发电流和反向触发电压等。
掌握这些参数对于正确选择和应用可控硅至关重要。
通过详细了解可控硅的参数，可以更好地设计和使用可控硅，以满足各种不同的电气控制需求。
晶闸管的各项参数指标精
如何形象理解晶闸管的各项参数对于大多数从事电力电子整机和器件的技术人员来说，晶闸管的各项参数的真正含义理解起来是很困难的事，如果单从字面去理解需要十几年甚至几十年才能有正确的认识，而且需要大量的实践经验作依托，没有足够的临场经验可能永远也无法理解其真正的含义。
本人从事电力电子整机技术工作十几年，主要接触过的产品有中频电源、整流器、逆变及整流焊机、直流调速电源、变频调速电源、控温装置、开关电源等，之后又从事电力电子器件的技术工作十几年，主要是器件产品测试仪表的制作、维修、管理等工作，通过测试仪表的这些工作（因为制作仪表、维修仪表必须掌握器件各参数的标准，否则无法做出合格的仪器仪表）让我对晶闸管各项参数的标准有了新的认识，并且将整机技术与器件技术融为一体，由此总结出一套适合所有从事电力电子整机和器件技术人员正确、形象理解晶闸管各项参数的方法，稍微有一些电常识的人利用此方法很短时间内就可以从一名普通技术人员上升为高级设计者，本方法形象生动、通俗易懂、老少皆宜、一经理解终身不忘。
我们知道电荷的移动形成电流、水分子的移动形成水流，要想使电荷移动必须有电压差、要想使水分子移动必须有水位差，由此可以看出，电流可以形象地理解为水流；控制水流要有阀门、控制电流也必须要有“阀门”这个“阀门” 我们就用晶闸管。
水路由水流和阀门构成、电路由电流和晶闸管构成，通过阀门控制水流的大小、有无，通过晶闸管控制电流的大小、有无，可见二者的基础理论基本是一样的，因此我们就可以把电路形象地理解为水路，更确切的说就是可以把晶闸管形象的理解为阀门。
阀门的原理很简单，一种是调节阀门，通过调节阀门可以控制水流的大小；一种是通断阀门，通过阀门可以控制水流的有无。
阀门是我们的日常用品，每天都要接触，因此对于大多数人来说理解阀门的工作原理是很容易的事情。
而且阀门作为一种产品自然有其制作标准，也需有各项参数指标，只要理解了这些参数指标的含义，然后把他们“照抄照搬”到理解晶闸管中就可以了，就是说如想了解晶闸管的参数含义直接套用阀门的参数指标的含义就实现。
晶闸管的主要参数
晶闸管的主要参数一、额定电压（VDRM/VRRM）额定电压是指晶闸管能够承受的最大正向/反向电压。
在电力控制中，晶闸管通常用于控制交流电压，因此额定电压是一个重要的参数。
当晶闸管的电压超过额定电压时，可能会发生击穿现象，导致器件损坏。
二、额定电流（IDRM/IRRM）额定电流是指晶闸管能够承受的最大正向/反向电流。
晶闸管通常用于控制大电流，因此额定电流是一个关键参数。
当晶闸管的电流超过额定电流时，可能会导致器件过热甚至烧毁。
三、触发电流（IT）触发电流是指晶闸管正向电流达到一定数值时，晶闸管开始导通。
触发电流的大小决定了晶闸管的触发灵敏度和可靠性。
如果触发电流过高，会增加控制电路的复杂度和成本；如果触发电流过低，可能会导致误触发。
四、保持电流（IH）保持电流是指晶闸管在导通状态下需要供给的最小电流。
保持电流的大小决定了晶闸管的稳态工作能力。
过低的保持电流可能导致晶闸管无法稳定导通，而过高的保持电流会增加功耗和热损失。
五、封装类型晶闸管的封装类型决定了其外形和安装方式。
常见的封装类型有TO-220、TO-247等。
不同的封装类型适用于不同的应用场景，例如TO-220适用于小功率应用，而TO-247适用于大功率应用。
六、工作温度范围工作温度范围是指晶闸管能够正常工作的温度范围。
晶闸管在高温环境下工作时，可能会出现性能降低甚至失效的情况。
因此，工作温度范围是一个重要的参数。
七、开关速度开关速度是指晶闸管在从关断到导通或从导通到关断的切换速度。
开关速度的快慢影响着晶闸管的响应速度和效率。
较快的开关速度可以提高系统的响应速度，但也会增加开关损耗。
八、导通压降（VCE）导通压降是指晶闸管在导通状态下的正向电压降。
导通压降的大小直接影响着晶闸管的导通损耗和功率损耗。
较低的导通压降可以提高系统的效率。
九、关断电流（ICRM）关断电流是指晶闸管在关断状态下的漏电流。
关断电流的大小决定了晶闸管的关断能力和可靠性。
较小的关断电流可以减小系统的功耗。
整流二极管的参数
整流二极管的参数整流二极管是一种常见的半导体器件，用于将交流电转换为直流电。
它具有许多重要的参数，以确保正常工作和应用。
以下是一份2000字的整流二极管参数的详细解释。
1. 正向导通电压（VF）：正向导通电压是整流二极管的一个重要参数，表示在正向工作时，需要施加在二极管两端才能开始导通的电压。
通常表示为VF，单位为伏特（V）。
2. 正向峰值电流（IFM）：正向峰值电流是整流二极管正向电流的最大允许值。
超过这个数值，整流二极管有可能发生损坏。
通常表示为IFM，单位为安培（A）。
3. 反向击穿电压（VRM）：反向击穿电压是整流二极管在反向电压下发生击穿的最大允许值。
当反向电压超过这个数值，整流二极管将会损坏。
通常表示为VRM，单位为伏特（V）。
4. 最大工作温度（Tj max）：最大工作温度是整流二极管可以安全工作的最高温度。
超过这个温度范围，整流二极管的性能将会下降甚至发生故障。
通常表示为Tj max，单位为摄氏度（℃）。
5. 正向导通电阻（RD）：正向导通电阻表示整流二极管在正向导通状态下的电阻大小。
通常低于几十欧姆。
6. 反向漏电流（IR）：反向漏电流是指在整流二极管反向电压下，从外壳到端子的反向漏电流。
通常表示为IR，单位为安培（A）。
7. 峰值反向重复电压（PRV）：峰值反向重复电压是整流二极管可以承受的最大反向电压峰值。
8. 反向恢复时间（trr）：反向恢复时间是指整流二极管在正向导通至反向封锁状态转换时的时间。
通常表示为trr，单位为纳秒（ns）。
9. 最大导通电流（IF max）：最大导通电流是指整流二极管在正向导通状态下的最大允许电流。
超过这个电流，整流二极管有可能发生过载和损坏。
10. 最大反向电流（IR max）：最大反向电流是指整流二极管在反向电压下的最大允许漏电流。
超过这个电流，整流二极管有可能发生损坏。
以上就是关于整流二极管的一些重要参数的详细描述，这些参数对于选择和应用整流二极管非常重要，希望这些信息可以对你有所帮助。
晶闸管二极管主要参数及其含义
晶闸管二极管主要参数及其含义IEC标准中用来表征晶闸管二极管性能特点的参数有数十项但用户经常用到的有十项左右本文就晶闸管二极管的主要参数做一简单介绍1、正向平均电流IF(AV)(整流管)通态平均电流IT(AV)(晶闸管)是指在规定的散热器温度THS 或管壳温度 TC时,允许流过器件的最大正弦半波电流平均值此时器件的结温已达到其最高允许温度Tjm仪元公司产品手册中均给出了相应通态电流对应的散热器温度THS 或管壳温度 TC值用户使用中应根据实际通态电流和散热条件来选择合适型号的器件2、正向方均根电流IFRMS(整流管)通态方均根电流ITRMS(晶闸管)是指在规定的散热器温度THS 或管壳温度 TC时,允许流过器件的最大有效电流值用户在使用中须保证在任何条件下流过器件的电流有效值不超过对应壳温下的方均根电流值3、浪涌电流IFSM (整流管)ITSM(晶闸管)表示工作在异常情况下器件能承受的瞬时最大过载电流值用10ms底宽正弦半波峰值表示仪元公司在产品手册中给出的浪涌电流值是在器件处于最高允许结温下施加80% VRRM条件下的测试值器件在寿命期内能承受浪涌电流的次数是有限的用户在使用中应尽量避免出现过载现象4、断态不重复峰值电压VDSM反向不重复峰值电压VRSM指晶闸管或整流二极管处于阻断状态时能承受的最大转折电压一般用单脉冲测试防止器件损坏用户在测试或使用中应禁止给器件施加该电压值以免损坏器件5、断态重复峰值电压VDRM反向重复峰值电压VRRM是指器件处于阻断状态时断态和反向所能承受的最大重复峰值电压一般取器件不重复电压的90%标注高压器件取不重复电压减100V标注用户在使用中须保证在任何情况下均不应让器件承受的实际电压超过其断态和反向重复峰值电压6、断态重复峰值漏电流IDRM反向重复峰值漏电流IRRM为晶闸管在阻断状态下承受断态重复峰值电压VDRM 和反向重复峰值电压VRRM时流过元件的正反向峰值漏电流该参数在器件允许工作的最高结温Tjm下测出7、通态峰值电压VTM(晶闸管)正向峰值电压VFM(整流管)指器件通过规定正向峰值电流IFM (整流管)或通态峰值电流ITM(晶闸管)时的峰值电压也称峰值压降该参数直接反映了器件的通态损耗特性影响着器件的通态电流额定能力点图进入相册点图进入相册点图进入相册点图进入相册点图进入相册。
晶闸管原理以及参数介绍
晶閘管結構可等效為一個 NPN型和一個PNP型三極管， 根據其連接方式等效電路 可以基本瞭解到晶閘管控 制導通方式
控制極G加正 向脉衝電壓
NPN管導通
PNP管導通
PNP管關閉
Y
N
NPN管關閉
IT>IH?
整個晶閘管關閉
整個晶閘管 導通
晶閘管的分類
基本分類
按关断导通控制 方式 普通晶闸管(SCR)、双向晶闸管(TRIAC)、逆导晶闸管(RCT)、门极关断晶闸 管(GTO)、BTG晶闸管、温控晶闸管和光控晶闸管(LTT)等多种。
普通晶闸管最基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二极管整 流电路属于不可控整流电路。如果把二极管换成晶闸管，就可 以构成可控整流电路。
晶閘管的基本應用
1.单相半波相控整流电路 下图为单相半波相控整流电路（Single-phase half wave
controllable rectifier），整流变压器二次电压有效值用U2表 示，瞬时值用u2表示，负载上输出电压用uo表示。
（2）维持电流IH（Holding current） 指在室温和门极开路时，逐渐减小导通状态下晶闸管的
阳极电流，最后能维持晶闸管持续导通所必须的最小阳极电 流，结温越高，维持电流IH越小，晶闸管越难关断。
晶閘管的參數介紹
2. 晶闸管的电流参数
（3）掣住电流IL（Latching current） 指晶闸管触发后，刚从正向阻断状态转入导通状态，在立
（6）通态正向平均电压UF
在规定的环境温度和标准散热条件下，器件正向通过正弦 半波额定电流时，其两端的电压降在一周期内的平均值，又称 管压降，其值在0.6~1.2V之间。
晶閘管的參數介紹
2. 晶闸管的电流参数
整流二极管的参数
整流二极管的参数整流二极管是一种常用的半导体器件，用于将交流电转换为直流电。
它具有简单的结构和良好的整流特性，广泛应用于电源电路、信号处理、通信设备和各种电子设备中。
下面将对整流二极管的参数进行详细介绍。
参数一：最大额定反向工作电压（VRRM）最大额定反向工作电压是指整流二极管在反向工作状态下所能承受的最大电压。
通常情况下，整流二极管的最大额定反向工作电压越高，其抗击穿能力越强，适用范围也越广。
参数二：最大额定正向工作电流（IFRM）最大额定正向工作电流是指整流二极管在正向导通状态下所能承受的最大电流。
这是整流二极管的重要参数之一，它决定了整流二极管在电路中的功率承受能力。
参数三：正向压降（VF）正向压降是指整流二极管在正向导通状态下的电压损失，也称为正向压降。
正向压降越小，整流二极管的导通能力越好，能量损失越小。
参数四：反向漏电流（IR）反向漏电流是指整流二极管在反向应用电压下的反向电流。
整流二极管的反向漏电流越小，表示其的反向击穿能力越强，适用范围越广。
参数五：最大额定工作温度（Tj）最大额定工作温度是指整流二极管的最大允许工作温度。
超过这个温度范围，整流二极管的性能和可靠性将会受到影响，甚至损坏。
参数六：最大额定反向恢复时间（trr）最大额定反向恢复时间是指整流二极管从正向导通状态切换到反向截止状态所需要的时间。
这个参数影响了整流二极管在高频电路中的使用效果。
参数七：最大额定正向耗散功率（PD）最大额定正向耗散功率是指整流二极管在正向导通状态下所能承受的最大功率。
它决定了整流二极管在电路中的稳定工作。
参数八：封装类型封装类型包括有多种，如DO-41、SMA、SMB、SOD-123等，选择合适的封装类型可以更好地适应电路布局和焊接要求。
参数九：应用领域整流二极管可以根据其参数特性和封装类型适用于不同的应用领域，比如电源电路中的整流、滤波、电压调节、开关和保护等功能。
总结：以上是关于整流二极管的一些参数介绍，包括最大额定反向工作电压、最大额定正向工作电流、正向压降、反向漏电流、最大额定工作温度、最大额定反向恢复时间、最大额定正向耗散功率、封装类型和应用领域。
二极管有哪些主要参数？常用型号有哪些？
二极管有哪些主要参数？常用型号有哪些？二极管相信大家再熟悉不过了，但你能详细说得出二极管有哪几项主要参数吗？今天电路菌跟大家一起细数一下二极管的几项主要参数！二极管的参数主要有以下几点:1．反向饱和漏电流I R指在二极管两端加入反向电压时，流过二极管的电流，该电流与半导体材料和温度有关。
2．额定整流电流I F指二极管长期运行时，根据允许温升折算出来的平均电流值。
目前大功率整流二极管的I F值可达1000A。
3. 最大平均整流电流I O在半波整流电路中，流过负载电阻的平均整流电流的最大值。
这是设计时非常重要的值。
4. 最大浪涌电流I FSM允许流过的过量的正向电流。
它不是正常电流，而是瞬间电流，这个值相当大。
5．最大反向峰值电压V RRM即使没有反向电流，只要不断地提高反向电压，迟早会使二极管损坏。
这种能加上的反向电压，不是瞬时电压，而是反复加上的正反向电压。
因给整流器加的是交流电压，它的最大值是规定的重要因子。
最大反向峰值电压V RRM指为避免击穿所能加的最大反向电压。
目前最高的V RRM值可达几千伏。
6. 最大直流反向电压V R上述最大反向峰值电压是反复加上的峰值电压，V R是连续加直流电压时的值。
用于直流电路，最大直流反向电压对于确定允许值和上限值是很重要的。
7．最高工作频率f M由于PN结的结电容存在，当工作频率超过某一值时，它的单向导电性将变差。
点接触式二极管的f M值较高，在100MHz以上；整流二极管的f M较低，一般不高于几千赫。
8．反向恢复时间T rr当工作电压从正向电压变成反向电压时，二极管工作的理想情况是电流能瞬时截止。
实际上，一般要延迟一点点时间。
决定电流截止延时的量，就是反向恢复时间。
虽然它直接影响二极管的开关速度，但不一定说这个值小就好。
也即当二极管由导通突然反向时，反向电流由很大衰减到接近I R时所需要的时间。
大功率开关管工作在高频开关状态时，此项指标至为重要。
9. 最大功率P二极管中有电流流过，就会发热，而使自身温度升高。
晶闸管的主要电参数
晶闸管的主要电参数晶闸管的主要电参数有正向转折电压VBO、正向平均漏电流IFL、反向漏电流IRL、断态重复峰值电压VDRM、反向重复峰值电压VRRM、正向平均压降VF、通态平均电流IT、门极触发电压VG、门极触发电流IG、门极反向电压和维持电流IH等。
(一)晶闸管正向转折电压VBO晶闸管的正向转折电压VBO是指在额定结温为100℃且门极(G)开路的条件下，在其阳极(A)与阴极(K)之间加正弦半波正向电压、使其由关断状态转变为导通状态时所对应的峰值电压。
(二)晶闸管断态重复峰值电压VDRM断态重复峰值电压VDRM，是指晶闸管在正向阻断时，允许加在A、K(或T1、T2)极间最大的峰值电压。
此电压约为正向转折电压减去100V后的电压值。
(三)晶闸管通态平均电流IT通态平均电流IT，是指在规定环境温度和标准散热条件下，晶闸管正常工作时A、K(或T1、T2)极间所允许通过电流的平均值。
(四)反向击穿电压VBR反向击穿电压是指在额定结温下，晶闸管阳极与阴极之间施加正弦半波反向电压，当其反向漏电电流急剧增加时反对应的峰值电压。
(五)晶闸管反向重复峰值电压VRRM反向重复峰值电压VRRM，是指晶闸管在门极G断路时，允许加在A、K极间的最大反向峰值电压。
此电压约为反向击穿电压减去100V后的峰值电压。
(六)晶闸管正向平均电压降VF正向平均电压降VF也称通态平均电压或通态压降VT，是指在规定环境温度和标准散热条件下，当通过晶闸管的电流为额定电流时，其阳极A与阴极K之间电压降的平均值，通常为0.4~1.2V。
(七)晶闸管门极触发电压VGT门极触发VGT，是指在规定的环境温度和晶闸管阳极与阴极之间为一定值正向电压的条件下，使晶闸管从阻断状态转变为导通状态所需要的最小门极直流电压，一般为1.5V 左右。
(八)晶闸管门极触发电流IGT门极触发电流IGT，是指在规定环境温度和晶闸管阳极与阴极之间为一定值电压的条件下，使晶闸管从阻断状态转变为导通状态所需要的最小门极直流电流。
整流二极管的工作原理、选型参数、应用详解,几分钟,带你搞懂整流二极管
整流二极管的工作原理、选型参数、应用详解，几分钟，带你搞懂整流二极管什么是整流二极管？整流二极管是一种对电压具有整流作用的二极管，可以将交流电整成直流电。
常应用于整流电路中，多采用硅半导体制成，能够承载高电流值。
也可以用锗半导体制成，锗二极管具有较低的允许反向电压以及较低的允许结温。
在数字电子产品中，通过肖特基势垒使用整流二极管具有巨大的价值。
该二极管可以控制从mA到几KA的电流，从几V到几KV的电压。
整流二极管电路符号到底什么是整流？有人会问，整改是什么？我在这里给你解释一下。
二极管的作用是让电流只向一个方向流动，整流就是给二极管施加一个交流波形，整流二极管只允许一半以上的波形导通，剩下的一半被阻断。
这就是整流二极管的整流作用。
具体可以看下图，比较直观。
整流二极管整流过程整流二极管工作原理整流二极管N型和P型材料都与特殊的制造技术化学结合以形成PN 结。
因为这个PN结有两个可以看作电极的端子，所以被称为“DIODE”（二极管）。
当外部直流电源电压通过其端子施加到任何电子设备时，就会发生偏置。
无偏整流二极管无偏压:当没有电压提供给整流二极管时，称为无偏压整流二极管。
N侧将有大部分电子，由于热激发，空穴数量比较少，而P侧将有大部分电荷载流子空穴和很少数量的电子。
在这个过程中，来自N侧的自由电子将扩散到P侧，并在存在的空穴中发生重组，导致正离子固定在N侧，负离子固定在P侧。
在靠近结边缘的N型侧不动，类似地，在靠近结边缘的P型侧中也有固定离子。
因此，大量的正离子和负离子积聚在连接处，这样形成的这个区域称为耗尽区。
在这个区域，二极管的PN结上会产生一个称为势垒电位的静电场，它可以防止空穴和电子进一步迁移穿过结。
无偏置整流二极管正偏整流二极管正向偏置：在PN结二极管中，电压源的正端连接到p型侧，负端连接到N型侧，二极管处于正向偏置状态。
电子被直流电压源的负极端排斥并向正极端漂移，因此，在施加电压的影响下，这种电子漂移会导致电流在半导体中流动。
常用整流二极管常用整流二极管参数
常用整流二极管常用整流二极管参数第一，电流参数。
整流二极管的电流参数通常包括最大平均整流电流和最大峰值整流电流。
最大平均整流电流是指在连续导通条件下，二极管所能承受的最大电流值。
最大峰值整流电流是指二极管能够承受的短时间内的最大电流值，通常与最大平均整流电流成比例关系。
第二，电压参数。
整流二极管的电压参数包括正向导通压降和反向击穿电压。
正向导通压降是指在正向工作状态下，二极管的电压降。
反向击穿电压是指二极管在反向工作时，其能够承受的最大电压值。
这两个参数对于选择合适的整流二极管至关重要。
第三，速度参数。
整流二极管的速度参数主要包括导通速度和恢复速度。
导通速度是指整流二极管从关态转变为导态所需的时间，即二极管开启的速度。
恢复速度是指整流二极管从导态转变为关态所需的时间，即二极管关断的速度。
速度参数对于二极管在高频率或快速开关应用中的性能至关重要。
第四，频率参数。
整流二极管的频率参数主要包括最大允许频率和最小逆变频率。
最大允许频率是指整流二极管可靠工作的最高频率，通常与其他参数相关。
最小逆变频率是指在逆变电路中，二极管能够正常工作的最低频率。
除了上述常用参数外，还有一些其他参数也很重要，如功耗、热阻、封装类型等。
功耗是指整流二极管在工作过程中所消耗的功率，对于电路的稳定性和可靠性有很大影响。
热阻是指整流二极管导通过程中产生的热量与温度之间的关系，可以直接影响到二极管的散热性能。
封装类型是指整流二极管的外部封装形式，有不同的封装类型适用于不同的应用场景和安装方式。
综上所述，常用整流二极管的参数有很多，包括电流、电压、速度和频率等。
在选择和应用整流二极管时，需要综合考虑这些参数，并根据具体的应用要求做出合理的选择。
二极管与晶闸管
2）在P型半导体中：
空穴——为多数载流子 自由电子——为少数载流子
结论： • 半导体的热敏性；
• 半导体的掺杂特性；
• 半导体的光敏性特性 • 三点特性是可人为控制的
3、PN结的形成及其单向导电性
• 载流子要从浓度大域向浓度小的区域扩散,称载流子的扩散的运
动
• 两种半导体结合后，由于浓度差产生载流子的扩散运动 结果产 生空间电荷区耗尽层（多子运动）。
二极管与晶闸管
§4-1 二极管
• 了解半导体的导电特性，掌握二极管的单
向导电性
• 理解普通二极管的伏安特性和主要参数
• 用万用表判别二极管的极性和好坏
半导体二极管简称二极管，是电子电路中最常
用的元件，在汽车电路中广泛应用。二极管的核心
就是PN结 一、半导体的导电特性 (1) 导体：导电性能良好的物质。导电率为 105s.cm-1量级，如：金、银、铜、铝。
• 空间电荷区产生建立了内电场产生载流子定向运动（漂移运
动） • 当扩散运动↑内电场↑漂移运动↑扩散运动↓动态平衡。 • 扩散运动产生扩散电流；漂移运动产生漂移电流。 • 动态平衡时：扩散电流=漂移电流。 形成PN内总电流=0。P 区
与 N 区的交界面就形成了的结称为PN结
二、二极管的的结构和符号
§4-2二极管整流电路
• 掌握单相半波整流电路和桥式整流电路的组成及 工作原理 • 掌握三相桥式整流电路的组成及工作原理 • 了解硅整流堆器件的应用 • 了解电容滤波和电感滤波的基本形式和工作原理
汽车蓄电池是直流电源。若是交流电源，就必须
先将其转换为直流电源才可对汽车直流蓄电池进行充
电。 将交流电转换为直流电称为整流。具有单向导电性 的二极管是最常用的整流元件。 一、单相半波整流电路 1、电路组成
晶体二极管主要参数
晶体二极管主要参数
1.最大整流电流IOM
指二极管长期工作时准许通过的最大正向平均电流。
它是由PN 结的面积和散热条件决定,若工作电流超过IOM,可能导致结温过高而烧毁PN结。
2.最高反向工作电流Vrm
指二极管在反向工作状态下安全使用时的最高反向电压。
通常Vrm的值规定为反向击穿电压Vb的一半。
3.反向电流Ir
指二极管未击穿时的反向电流。
Ir越小二极管单向导电特性越好。
4.直流电阻Rd
指二极管两端所加的直流电压V与通过的直流电流I之比，既
Rd=V/I
该直流电阻可通过二极管伏安特性曲线求得。
由于伏安特性的非线性，不同工作点的直流电阻是不相同的，工作点位置低的直流电阻大，反之直流电阻小。
5.交流电阻Rd
又称动态电阻或微变等效电阻，他指的是二极管工作点Q附近电压的微变量Dv与相对应电流为变量Di之比，既：
Rd=DV/DI
6.最高工作频率Fom
取决于二极管的势垒电容和扩散电容的大小，二极管在工作时，若工作频率超过这个数值单向导电性将被破坏。
整流二极管的参数
整流二极管的参数（原创实用版）目录一、整流二极管的概念与作用二、整流二极管的主要参数1.最大反向电压2.正向电流容许值3.正向压降4.反向漏电流5.最大反向峰值电流三、整流二极管参数对电路设计的影响四、常用整流二极管型号及区别1.1N40072.1N4148正文整流二极管是一种常用的电子元器件，其主要作用是将交流电转换为直流电。
在电子电路中，整流二极管被广泛应用于整流、限幅、开关等电路。
为了更好地使用整流二极管，我们需要了解它的主要参数以及这些参数对电路设计的影响。
整流二极管的主要参数包括最大反向电压、正向电流容许值、正向压降、反向漏电流和最大反向峰值电流。
最大反向电压是指在反向通断状态下，器件可以承受的最大电压值。
一旦超过这个值，整流二极管就会损坏。
正向电流容许值是指在正常工作状态下，整流二极管可以承受的最大电流值。
超过这个值会导致器件过热而损坏。
正向压降是指正向通断状态下，整流二极管两端的电压降低值，也就是整流二极管内部的电阻。
反向漏电流是指二极管反向偏置时，流过处于反向工作的二极管 PN 结的微小电流。
反向漏电流越小，二极管的单方向导电性能越好。
最大反向峰值电流是指二极管在最高反向工作电压下允许流过的反向电流。
这个电流值越小，表明二极管质量越好。
整流二极管的参数对电路设计有着重要的影响。
例如，在选择整流二极管时，需要根据电路的工作电压、工作电流等参数来选择合适的整流二极管型号。
此外，整流二极管的参数还会影响电路的稳定性、可靠性等性能指标。
在实际应用中，常用的整流二极管型号包括 1N4007 和 1N4148 等。
1N4007 是一种硅材料整流二极管，在小功率情况下正向导通电压约为0.6～0.8V，在大功率情况下，正向压降往往达到 1V 左右。
1N4148 是另一种常用的整流二极管，其最快响应时间仅为 1 纳秒，适用于高速开关电路等领域。
总之，整流二极管的参数对电路设计有着重要的影响。
整流二极管的参数
整流二极管的参数整流二极管是一种常见的电子元件，广泛应用于电源电路和信号处理中。
它具有许多重要的参数，包括最大反向电压、正向导通电压、最大正向电流、反向漏电流等。
下面将详细介绍这些参数。
1. 最大反向电压（VRRM）：最大反向电压是整流二极管能够承受的最大反向电压。
当整流二极管处于反向偏置时，反向电压不能超过VRRM，否则会导致击穿现象，损坏器件。
VRRM是整流二极管最重要的参数之一，通常由制造厂商在规格书中指定。
2. 正向导通电压（VF）：正向导通电压是整流二极管在正向偏置时导通所需要的电压。
它是整流二极管工作时最主要的电性能参数之一。
由于正向导通电压会导致功耗损失，因此在电源电路设计中需要尽量减小VF，以提高电路的效率。
3. 最大正向电流（IF）：最大正向电流是整流二极管能够承受的最大正向电流。
超过这个电流值，整流二极管会过载而损坏。
因此在实际应用中要保证电流不超过IF。
4. 后向漏电流（IR）：后向漏电流是整流二极管在反向偏置时漏电流的最大值。
虽然整流二极管在反向极性应该是截止的，但实际上在高温、高压等环境下会产生一定的后向漏电流，因此需要在设计电路时考虑IR的影响。
除了上述参数外，整流二极管还有许多其他参数，例如响应时间、热阻、封装方式等。
这些参数都对整流二极管的性能和应用起着重要作用，需要在实际应用中仔细考虑。
整流二极管能够有效地将交流电信号转换为直流电信号，广泛应用于各种电子设备的电源电路中。
了解整流二极管的参数对于电子工程师和电子爱好者都是非常重要的。
晶闸管参数
晶闸管参数晶闸管是一种常用的电子器件，广泛应用于各种电路中。
了解晶闸管的参数对于正确选择和使用晶闸管至关重要。
本文将介绍晶闸管的几个重要参数，并对其进行详细解析。
1. 电压参数晶闸管的电压参数包括最大可承受电压和触发电压。
最大可承受电压是指晶闸管能够承受的最大电压，超过该电压会导致晶闸管失效。
触发电压是指使晶闸管进入导通状态所需的最小电压值。
2. 电流参数晶闸管的电流参数包括最大可承受电流和触发电流。
最大可承受电流是指晶闸管能够承受的最大电流值，超过该电流会导致晶闸管损坏。
触发电流是指使晶闸管进入导通状态所需的最小电流值。
3. 功率参数晶闸管的功率参数包括最大可承受功率和触发功率。
最大可承受功率是指晶闸管能够承受的最大功率值，超过该功率会导致晶闸管损坏。
触发功率是指使晶闸管进入导通状态所需的最小功率值。
4. 开关特性晶闸管的开关特性包括导通电压降和关断电压降。
导通电压降是指晶闸管在导通状态下的电压降，关断电压降是指晶闸管在关断状态下的电压降。
这两个参数会影响晶闸管的能效和发热情况。
5. 响应时间晶闸管的响应时间是指从触发信号到晶闸管完全进入导通状态所需的时间。
响应时间越短，晶闸管的响应速度就越快，适用于高频开关电路。
6. 温度特性晶闸管的温度特性包括温度系数和工作温度范围。
温度系数是指晶闸管参数随温度变化的程度，工作温度范围是指晶闸管正常工作的温度范围。
了解晶闸管的温度特性有助于正确选择和使用晶闸管。
7. 封装形式晶闸管的封装形式包括直插式封装、表面贴装封装等。
不同的封装形式适用于不同的应用场景，需要根据实际需求选择合适的封装形式。
晶闸管的参数对于正确选择和使用晶闸管至关重要。
通过了解晶闸管的电压参数、电流参数、功率参数、开关特性、响应时间、温度特性和封装形式等参数，可以更好地应用晶闸管于各种电路中，提高电路的稳定性和可靠性。
在实际应用中，还需注意晶闸管的工作条件，避免超过其最大可承受电压、电流和功率，以免损坏晶闸管。
常用整流二极管参数
常用整流二极管参数1.最大正向电压（VRRM）：整流二极管的最大正向电压指的是在正向工作时，二极管能够承受的最大电压。
这个参数通常以伏特（V）为单位来表示。
2.最大正向电流（IF）：整流二极管的最大正向电流指的是在正向工作时，二极管能够承受的最大电流。
这个参数通常以安培（A）为单位来表示。
3.最大反向电压（VR）：整流二极管的最大反向电压指的是在反向工作时，二极管能够承受的最大电压。
这个参数通常以伏特（V）为单位来表示。
4.最大反向电流（IR）：整流二极管的最大反向电流指的是在反向工作时，二极管能够承受的最大电流。
这个参数通常以安培（A）为单位来表示。
5.承受功率（PR）：整流二极管的承受功率指的是在一定的工作条件下，二极管能够承受的最大功率。
这个参数通常以瓦特（W）为单位来表示。
6.负载能力：整流二极管的负载能力指的是在一定的工作条件下，二极管能够承受的最大负载。
这个参数通常以欧姆（Ω）为单位来表示。
7.正向电压降（VF）：整流二极管在正向工作时，电流通过时会产生一定的电压降，这个电压降被称为正向电压降。
这个参数通常以伏特（V）为单位来表示。
8.正向电流（IFM）：整流二极管在正向工作时，能够承受的最大正向电流。
这个参数通常以安培（A）为单位来表示。
9.动态电阻（RD）：整流二极管在正向工作时，电流和电压之间的变化关系可以通过动态电阻来表示。
这个参数通常以欧姆（Ω）为单位来表示。
10. 反向恢复时间（Trr）：整流二极管在从正向工作状态切换到反向工作状态时，电流从正向工作到反向工作之间所需的时间。
这个参数通常以纳秒（ns）为单位来表示。
以上是常见的整流二极管参数，不同类型的整流二极管可能会有不同的参数范围和性能情况。
在选择和使用整流二极管时，需要根据具体的应用需求和工作条件来选择合适的整流二极管。
二极管参数大全
二极管二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode);它只往一个方向传送电流的电子零件。
它是一种具有1个零件号接合的2个端子的器件，具有按照外加电压的方向，使电流流动或不流动的性质。
晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。
当不存在外加电压时，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。
一.二极管的应用 1、整流二极管：利用二极管单向导电性，可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉冲直流电。
2、开关元件：二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。
利用二极管的开关特性，可以组成各种逻辑电路。
3、限幅元件：二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7V，锗管为0.3V）。
利用这一特性，在电路中作为限幅元件，可以把信号幅度限制在一定范围内。
4、继流二极管：在开关电源的电感中和继电器等感性负载中起继流作用。
5、检波二极管：在收音机中起检波作用。
6、变容二极管：使用于电视机的高频头中。
7、显示元件：用于VCD、DVD、计算器等显示器上。
8、稳压二极管：反向击穿电压恒定，且击穿后可恢复，利用这一特性可以实现稳压电路。
二.二极管的类型 按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。
根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管、旋转二极管等。
按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。
点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面，通以脉冲电流，使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起，形成一个“PN结”。
由于是点接触，只允许通过较小的电流（不超过几十毫安），适用于高频小电流电路，如收音机的检波等。
整流二极管的主要参数
整流二极管的主要参数
整流二极管是电子元件中常用的一种，主要用于将交流信号转变为直流信号。
了解整流二极管的主要参数对于正确选择和应用这种元件非常重要。
1. 电压容许值：整流二极管的电压容许值是指在正向工作时，最大可承受的电压值。
一旦电压超过了这个值，整流二极管可能会被击穿，导致故障。
2. 最大正向电流：整流二极管最大正向电流是指在正向工作时，最大可承受的电流值。
一旦电流超过了这个值，整流二极管可能会被烧毁。
3. 正向压降：当整流二极管被正向偏置时，它所引起的电压降称为正向压降。
正向压降是由于电子从N型半导体流向P型半导体而产生的。
4. 反向击穿电压：当整流二极管反向偏置时，如果电压过高，将产生反向击穿电流。
反向击穿电压是指整流二极管可以承受的最大反向偏置电压，一旦电压超过了这个值，整流二极管可能会被烧毁。
5. 反向漏电流：当整流二极管反向偏置时，由于少量的载流子漏到另一侧，会导致反向漏电流。
反向漏电流是整流二极管在反向偏置下漏流的大小。
通过对整流二极管的主要参数的了解，可以更好地选择和应用这种元件，确保电路的正常工作和长期稳定性。
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作者：广州晶泰电子来源： 发布时间：2012年01月28日
一、晶闸管定义：
晶闸管（Thyristor）是晶体闸流管的简称，又可称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅.
1957年美国通用电器公司开发出世界上第一款晶闸管产品，并于1958年将其商业化；晶闸管是PNPN四层半导体结构，它有三个极：阳极，阴极和门极；晶闸管工作条件为：加正向电压且门极有触发电流；其派生器件有：快速晶闸管，双向晶闸管，逆导晶闸管，光控晶闸管等。
它是一种大功率开关型半导体器件，在电路中用文字符号为“V”、“VT”表示（旧标准中用字母“SCR”表示）。
晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。
二、主要参数及含义
1．正向平均电流I F(AV)( 整流管)
通态平均电流I T(AV)( 晶闸管)
是指在规定的散热器温度T HS或管壳温度T C时,允许流过器件的最大正弦半波电流平均值。
此时，器件的结温已达到其最高允许温度T jm。
广州晶泰产品手册中均给出了相应通态电流对应的散热器温度T HS或管壳温度T C值，用户使用中应根据实际通态电流和散热条件来选择合适型号的器件。
2．正向方均根电流I F（RMS）( 整流管)
通态方均根电流I T（RMS）( 晶闸管)
是指在规定的散热器温度T HS或管壳温度 T C时,允许流过器件的最大有效电流值。
用户在使用中，须保证在任何条件下，流过器件的电流有效值不超过对应壳温下的方均根电流值。
3．浪涌电流I FSM(整流管)、I TSM(晶闸管)
表示工作在异常情况下，器件能承受的瞬时最大过载电流值。
用10ms底宽正弦半波峰值表示，晶泰电子在产品手册中给出的浪涌电流值是在器件处于最高允许结温下，施加80% V RRM条件下的测试值。
器件在寿命期内能承受浪涌电流的次数是有限的，用户在使用中应尽量避免出现过载现象。
4．断态不重复峰值电压V DSM
反向不重复峰值电压V RSM
指晶闸管或整流二极管处于阻断状态时能承受的最大转折电压，一般用单脉冲测试防止器件损坏。
用户在测试或使用中，应禁止给器件施加该电压值，以免损坏器件。
5．断态重复峰值电压V DRM
反向重复峰值电压V RRM
是指器件处于阻断状态时，断态和反向所能承受的最大重复峰值电压。
一般取器件不重复电压的90%标注（高压器件取不重复电压减100V标注）。
用户在使用中须保证在任何情况下，均不应让器件承受的实际电压超过其断态和反向重复峰值电压。
6．断态重复峰值（漏）电流I DRM
反向重复峰值（漏）电流I RRM
为晶闸管在阻断状态下，承受断态重复峰值电压V DRM和反向重复峰值电压V RRM时，流过元件的正反向峰值漏电流。
该参数在器件允许工作的最高结温Tjm下测出。
7．通态峰值电压V TM(晶闸管)
正向峰值电压V FM(整流管)
指器件通过规定正向峰值电流I FM(整流管)或通态峰值电流I TM(晶闸管)时的峰值电压，
也称峰值压降。
该参数直接反映了器件的通态损耗特性，影响着器件的通态电流额定能力。
器件在不同电流值下的的通态（正向）峰值电压可近似用门槛电压和斜率电阻来表示：V TM=V TO+r T*I TM V FM=V FO+r F*I FM
晶泰电子在产品手册中给出了各型号器件的最大通态（正向）峰值电压及门槛电压和斜率电阻，用户需要时，可以提供该器件的实测门槛电压和斜率电阻值。
8．电路换向关断时间t q（晶闸管）
在规定条件下，在晶闸管正向主电流下降过零后，从过零点到元件能承受规定的
重加电压而不至导通的最小时间间隔。
晶闸管的关断时间值决定于测试条件，广州晶泰电子科技有限公司对所制造的快速、高频晶闸管均提供了每只器件的关断时间实测值，在未作特别说明时，其对应的测试条件如下：
通态峰值电流I TM等于器件I TAV；
通态电流下降率di/dt=-20A/μs；
重加电压上升率dv/dt=30A/μs；
反向电压V R=50V；
结温Tj=115°C。
如果用户需要在某一特定应用条件下的关断时间测试值，可以向我们提出要求。
9．通态电流临界上升率di/dt（晶闸管）
是指晶闸管从阻断状态转换到导通状态时，晶闸管所能承受的通态电流上升率最大值。
器件所能承受的通态电流临界上升率di/dt受门极触发条件影响很大，因此我们建议用户应用中采用强触发方式，触发脉冲电流幅值：I G≥10I GT；脉冲上升时间：t r≤1μs。
10．断态电压临界上升率dv/dt
在规定条件下，不会导致晶闸管从断态转换到通态所允许的最大正向电压上升速度。
广州晶泰产品手册中给出了所有品种晶闸管的最小dv/dt值，当用户对dv/dt有特殊要求时，可在订货时提出。
11．门极触发电压 V GT
门极触发电流I GT
在规定条件下，能使晶闸管由断态转入通态所需的最小门极电压和门极电流。
晶闸管开通过程中的开通时间、开通损耗等动态性能受施加在其门极上的触发信号强弱影响很大。
如果在应用中采用较临界的I GT去触发晶闸管，将不能让晶闸管得到良好的开通特性，某些情况下甚至会引起器件提前失效或损坏。
因此我们建议用户应用中采用强触发方式，触发脉冲电流幅值：I G≥10I GT；脉冲上升时间：t r≤1μs。
为了保证器件可靠工作，I G必须远大于I GT。
12．结壳热阻R jc
指器件在规定条件下，器件由结至壳流过单位功耗所产生的温升。
结壳热阻反映了器件的散热能力，该参数也直接影响着器件的通态额定性能。
晶泰电子产品手册中对平板式器件给出了双面冷却下的稳态热阻值，对半导体功率模块，给出了单面散热时的热阻值。
用户须注意，平板式器件的结壳热阻直接受安装条件的影响，只有按手册中推荐的安装力安装，才能保证器件的结壳热阻值满足要求。