低噪声放大器--产品规格
SX502MQ 低噪声宽带放大器 说明书、使用手册
SX502MQ 低噪声宽带放大器产品说明书、使用手册V.20151126产品用途及应用范围● 无线通信接收/发射系统 ● 射频或中视频信号处理系统产品特点● 双极工艺制作● 输入/输出50Ω阻抗匹配 ● 器件电压低：4.2 V (典型值) ● 工作频带宽：10MHz~4.0GHz● 输出1dB 压缩点较高：(典型值)产品描述SX502MQ 是采用双极工艺制作的射频放大器。
该产品具有工作频带宽、噪声系数较低、器件电压低、温度性能好等特点。
它通过外接偏置电阻实现可调节的单电源供电，使用简单方便，适用于各种常规电源电压工作的射频或中频信号处理系统。
该产品采用4引线ST31B 封装。
该产品电原理图如下：①③②、④图1 电原理图标准● 总规范及编号：GJB 597A-1996《半导体集成电路总规范》● 详细规范及确认号：Q/UC 965-2013《半导体集成电路SX502MQ 型低噪声宽带放大器详细规范》 ● 质量等级： 除静电、盐雾、水汽除外产品检验按B 级控制产品外形图和实物图片图2 外形图 图3 实物图片单位为毫米引出端排列（俯视图）413图4 引出端排列引出端功能符号表产品标识1图5 产品标识图推荐工作条件● 器件电压(V D ):4.2V ● 电源电流(I D ):68mA● 工作频率范围(f ):10MHz~4.0GHz ● 外壳温度(T C ):-55℃~125℃性能指标除另有规定外，V CC =15V ，R =160Ω，Z I =Z O =50Ω，-55℃≤T A ≤125℃。
绝对最大额定值● 电源电流(I D ):80mA ● 射频输入功率(P I ):-5dBm ● 贮存温度(T stg ): -65℃~150℃ ● 热阻(θJC ):150℃/W ● 引线耐焊接温度(T h ):300℃主要特性曲线图（电特性测试图）若无其它说明，测试条件均为T A=25℃，V CC/R bias=15V/160 ，Lc选用RF choke TCCH-80，输入/输出耦合电容选用0.1uF。
900M低噪声放大器
900MHz 低噪声放大器Vikas ChandraCarnegie Mellon Univercity摘要采用标准的0.25umCMOS工艺设计的900MHz低噪声放大器。
放大器能提供15dB的增益，而噪声系数仅1dB，电源电压2.5V，工作电流9.6mA。
该报告中有详细的设计过程及模拟结果。
1. 介绍接收机的最前级通常是低噪声放大器（Low Noise Amplifier, LNA）。
LNA的主要功能是在克服噪声的条件下为后级提供足够高的增益。
即在提供增益的同时，尽可能地减少噪声，以及完成接受大信号不失真——线性度要好。
通常，LNA要实现一个特性阻抗如50Ω，以匹配输入源信号，尤其是在LNA的前级有一个无源滤波器的情况下，因为许多滤波器的传输函数对负载的值十分敏感。
此外，LNA需要低的功耗，对便携式设备尤其重要。
LNA的设计是以下各特性的折中，即优化的增益、低噪声系数、输入输出端口匹配、高的线性度和低功耗之间的折中。
LNA的简单结构会误导我们，认为设计很简单，但其中设计的折中非常复杂。
当然在深亚微米工艺制作高Q值的片上电感也是很不容易。
设计的目标为以下参数：电源电压 2.5V功耗 25mW噪声系数NF（dB） <2.0dBIIP3 >5dBm增益 >15dB输入阻抗（实部） 40-60Ω输出阻抗（实部） 40-60Ω－1dB压缩点 >-10dBm从10MHz到2GHz反向增益（隔离） <-30dB在900MHz输入阻抗匹配（S11） <-12dB输出阻抗匹配（S22） <-12dB在900MHz传输函数平坦度（中心频率周围）－3dB带宽>100MHz采用标准的0.25umCMOS工艺设计的900MHz低噪声放大器。
为了得到纯实数的输入阻抗，我们采用源极电感负反馈的电路[1]。
这种结构与其它结构相比在得到50Ω阻抗时具有更低的噪声。
但源极电感负反馈的电路要求电路可以调谐，而该设计是窄带的。
AD8229低噪声仪表放大器产品手册说明书
应用
井下仪器仪表 恶劣环境下的数据采集 废气测量 振动分析
概述
AD8229是一款超低噪声仪表放大器，设计用于在大共模 电压和高温下测量小信号。
AD8229专门针对高温工作环境而设计，采用介质隔离工 艺来防止高温时产生漏电流。所选择的设计架构可补偿高 温下的低VBE电压。
预测寿命与工作温度的关系................................................... 6 热阻 .............................................................................................. 6 ESD警告....................................................................................... 6 引脚配置和功能描述 ..................................................................... 7 典型工作特性 .................................................................................. 8
修订历史
2012年2月—修订版A至修订版B 增加8引脚SOIC封装 ...............................................................通篇 更改特性和概述部分...... 1 更改表1 ............................................................................................. 3 更改表2、热阻部分和表3 ............................................................ 6 更新外形尺寸 ................................................................................ 21 更改订购指南 ................................................................................ 21
opa2227高精度、低噪声运算放大器
PSRR
TA = –40°C to +85°C vs Time
Channel Separation (dual, quad)
INPUT BIAS CURRENT
Input Bias Current
IB
TA = –40°C to +85°C
Input Offset Current
IOS
TA = –40°C to +85°C
(V–)+2
(V+)–2
120
138
120
VCM = (V–)+2V to (V+)–2V VO = (V–)+2V to (V+)–2V, RL = 10kΩ VO = (V–)+3.5V to (V+)–3.5V, RL = 600Ω
107 || 12 109 || 3
132
160
132
132
160
All trademarks are the property of their respective owners.
PRODUCTION DATA information is current as of publication date. Products conform to specifications per the terms of Texas Instruments standard warranty. Production processing does not necessarily include testing of all parameters.
136-174MHz VHF低噪放大器
低噪放大器定义：
噪声系数很低的放大器。
一般用作各类无线电接收机的高频或中频前置放大器，以及高灵敏度电子探测设备的放大电路。
在放大微弱信号的场合，放大器自身的噪声对信号的干扰可能很严重，因此希望减小这种噪声，以提高输出的信噪比。
由放大器所引起的信噪比恶化程度通常用噪声系数F来表示。
理想放大器的噪声系数 F=1（0分贝），其物理意义是输入信噪比等于输出信噪比。
现代的低噪声放大器大多采用晶体管、场效应晶体管；微波低噪声放大器则采用变容二极管参量放大器，常温参放的噪声温度Te可低于几十度(绝对温度)，致冷参量放大器可达20K以下，砷化镓场效应晶体管低噪声微波放大器的应用已日益广泛，其噪声系数可低于 2 分贝。
放大器的噪声系数还与晶体管的工作状态以及信源内阻有关。
为了兼顾低噪声和高增益的要求，常采用共发射极一共基极基联的低噪声放大电路。
低噪放大器的原理：
地球站的品质因数（G/T）主要取决于天线和低噪声放大器（LNA）的性能。
接收系统的噪声温度Ts是指折算到LNA输入端的系统等效噪声温度，它主要由天线噪声温度TA、馈线损耗LALA 和低噪声接收机噪声三个部分组成。
136-174MHz 低噪放大器外形尺寸图：
136-174MHz 低噪放大器产品实物图
优译主要生产的产品：射频隔离器、环形器、衰减器、负载、合路器、功分器、电桥、射频滤波器、放大器等射频微波器件。
M:UIYXXXXXXX XXXXXXX N:XXXXXXXXX
Φ2.7[.106]THRU
+12V GND
78.0 [3.071]
3.0 [.118]
12.0 [.472]
25.4 [1.000]。
低噪声放大器 核心参数
低噪声放大器核心参数
低噪声放大器的核心参数主要包括增益、带宽、噪声系数和输入/输出阻抗。
以下是对这些参数的详细解释：
1. 增益：低噪声放大器的增益是指输入信号经过放大器后的输出信号幅度与输入信号的幅度之间的比例关系。
增益通常用分贝（dB）表示。
高增益意味着放大器可以有效地放大微弱输入信号。
2. 带宽：低噪声放大器的带宽是指放大器能够有效放大输入信号的频率范围。
带宽通常以赫兹（Hz）表示。
较大的带宽意味着放大器可以传输更高频率的信号。
3. 噪声系数：低噪声放大器的噪声系数是指放大器引入的噪声对输入信号的影响程度。
噪声系数通常用分贝（dB）表示，数值越低表示放大器的性能越好。
在设计低噪声放大器时，尽量选择具有较低噪声系数的放大器，以保持信号的准确性和质量。
4. 输入/输出阻抗：低噪声放大器的输入阻抗是指放大器对输入信号源的负载效应，输出阻抗是指放大器驱动负载的能力。
较高的输入阻抗意味着放大器对输入信号源的负载效应较小，较低的输出阻抗意味着放大器可以有效地驱动负载。
这些核心参数是设计和选择低噪声放大器时需要考虑的重要因素，需要根据具体的应用需求和信号特征进行合理选择。
2.4GHz低噪声放大器
2.4GHz低噪声放大器概述2.4GHz低噪声放大器是一种广泛应用于射频收发系统中的重要组件，其主要功能是放大输入信号并降低噪声功率，以提高系统的灵敏度和性能。
在无线通信、雷达、卫星通信等领域中，低噪声放大器发挥着关键作用。
本文将介绍2.4GHz低噪声放大器的工作原理、设计要点以及常见的应用案例。
工作原理2.4GHz低噪声放大器的工作原理基于通信系统中的信号放大和噪声特性。
在信号传输过程中，原始信号的功率很小，为了保持信号的强度，需要将其放大到一定的幅度。
放大信号时，要尽量避免引入额外的噪声，以免干扰原始信号。
低噪声放大器的关键是降低输入信号的噪声功率，在放大信号的同时尽量减小噪声的增益。
这通常通过选择合适的器件和电路设计来实现。
在2.4GHz频段，常用的器件包括高电子迁移率晶体管（HEMT）、增强型场效应晶体管（eFET）和双极晶体管（BJT）等。
设计要点1. 选择合适的器件在设计2.4GHz低噪声放大器时，需要选择合适的器件来实现高增益和低噪声。
一般来说，HEMT器件在高频率下具有较低的噪声指标，可以被视为较好的选择。
此外，还应考虑器件的线性度、功耗和可靠性等因素。
2. 优化电路布局电路布局对低噪声放大器的性能有重要影响。
合理的布局可以减小电路之间的相互干扰，降低噪声水平。
应尽量缩短信号线和功率线的长度，减小回路面积，同时避免引入额外的杂散电容和电感。
此外，分析和优化传输线、匹配网络和功率供应电路等也是布局设计的重点。
3. 进行合理的匹配网络设计匹配网络在低噪声放大器中起到了很重要的作用。
合理设计匹配网络可以提高信号的传输效率和匹配度，降低反射损耗和噪声功率。
常用的匹配网络包括巴尔孔匹配器、L型匹配器和Pi型匹配器等。
4. 使用合适的供电电源供电电源的稳定性和纹波水平对低噪声放大器的性能有直接影响。
使用合适的供电电源可以降低噪声水平，提高放大器的线性度和稳定性。
应选择低纹波的稳压器或低噪声放大芯片作为供电电源，同时注意供电线和信号线的分离布线。
低噪声放大器opa1612
0.000008 –142
Copyright © 2009–2011, Texas Instruments Incorporated
OPA1611 OPA1612
SBOS450B – JULY 2009 – REVISED JULY 2011
This integrated circuit can be damaged by ESD. Texas Instruments recommends that all integrated circuits be handled with appropriate precautions. Failure to observe proper handling and installation procedures can cause damage.
OPA1611AI, OPA1612AI
PARAMETER
CONDITIONS
MIN
TYP
MAX
AUDIO PERFORMANCE
Total Harmonic Distortion + Noise
THD+N
G = +1, f = 1kHz, VO = 3VRMS
0.000015 –136
Intermodulation Distortion
DESCRIPTION
The OPA1611 (single) and OPA1612 (dual) bipolar-input operational amplifiers achieve very low 1.1nV/√Hz noise density with an ultralow distortion of 0.000015% at 1kHz. The OPA1611 and OPA1612 offer rail-to-rail output swing to within 600mV with a 2kΩ load, which increases headroom and maximizes dynamic range. These devices also have a high output drive capability of ±30mA.
AT2659 L1频段卫星导航低噪声放大器芯片
1 功能描述AT2659 是一款专门针对中国 BDS（北斗卫星导航系统），美国的 GPS，俄罗斯的GLONASS 和欧盟的 GALILEO 导航系统应用而设计的高增益、低噪声系数射频放大器。
AT2659 芯片采用先进的 SiGe 工艺设计制造，具有 23dB 高增益和 0.71dB 的低噪声系数。
芯片支持 1.4V 至 3.6V 宽电源供电，电流消耗仅 4.4mA。
芯片采用 1.5 mm X 1 mm ×0.55 mm 的 6 pin DFN 封装，符合 RoHS 规范。
特性●支持BDS、GPS、GALILEO、GLONASS等L1频段的多个卫星导航系统；●典型噪声系数：0.71dB；●典型功率增益：23dB；●典型输入P1dB：-14dBm；●工作频率：1550MHz ～ 1615MHz；●典型工作电流：4.4mA;●宽供电电压范围：1.4V ~ 3.6V;●所有管脚支持2.5KV HBM ESD保护●内部集成的50Ω输出匹配电路；●外围电路简单应用●导航设备●可穿戴式设备●内置天线●外置天线●定位功能移动设备●个人导航仪●集成 GPS 的手机●笔记本/PAD技术描述PIN 排列图管脚定义管脚名称功能1、2GND接地3RFIN射频输入4VDD电源5工作（高电平）,休眠(低电平),SHDN6RFOUT射频输出电气参数典型应用电路元件标号描述C1输入隔直电容， 100pFC2旁路电容，100pFL1输入匹配电感, 6.8 nH典型工作特性典型工作条件为：评估板测试，温度为25℃，电源电压为2.85V，输入信号为导航系统中心频率信号。
输入输出特性（S11，S21/增益，S12，S22，评估板实测值）频率1561.098MHz 1575.42MH1602MHz参数zBD L1Glonass L1GPS L1S11(dB)-10.93-11.37-12.15 S21/增益(dB)23.0723.0322.88 S12(dB)-34.10-34.10-33.94 S22(dB)-17.72-17.28-14.623.2噪声系数（评估板实测值）3.2.1 BDS（北斗）中心频率=1561.098MHz 评估板噪声系数实测值=0.88dB*芯片噪声系数应考虑 PCB 损耗和 SMA 损耗。
ad603手册
AD603是一款低噪声、电压控制型放大器，适用于射频（RF）和中频（IF）自动增益控制（AGC）系统。
以下是AD603的手册概述：
1. 功能特点
-低噪声：AD603具有极低的噪声系数，可提供优异的信号放大性能。
-电压控制型：AD603采用电压控制型放大器设计，可提供精确的增益控制。
-高增益：AD603的增益范围为+31dB至-11dB，可满足不同应用的需求。
-宽带宽：AD603的带宽可达到90MHz，可满足高频信号放大的需求。
2. 技术指标
-电源电压：+5V至+15V
-输出功率：最大2W（+20dBm）
-增益：+31dB至-11dB
-噪声系数：≤1.2dB@1MHz，≤1.8dB@10MHz
-工作温度：0℃至70℃
3. 应用
AD603适用于射频和中频自动增益控制系统，可广泛应用于雷达、卫星通信、无线电广播、卫星导航等领域。
4. 注意事项
-在使用AD603前，应仔细阅读手册，确保正确连接电路和电源。
- AD603的输入和输出阻抗应匹配，否则会影响放大效果。
-在使用AD603时，应注意保护器件和电路，避免过载和损坏器件。
以上是AD603的手册概述，如果需要更详细的操作指南，请查阅AD603的官方手册或在线教程。
Skyworks SKY67105-306LF 低噪声放大器数据手册说明书
DATA SHEETSKY67105-306LF: 0.6-1.1 GHz Two-Stage, High Linearity and High Gain Low-Noise AmplifierApplications•GSM, CDMA, WCDMA, cellular infrastructure systems•Ultra low-noise, high gain and high linearity systemsFeatures•Ultra-low NF: 0.69 dB @ 850 MH z•High gain: 37 dB @ 850 MHz•+4 or +5 V operation for improved efficiency•Stage 1 adjustable gain and current•Wideband performance, useable to 1.1 GHz•Small, QFN (16-pin, 4 x 4 mm) Pb-free package (MSL1, 260°C per JEDEC J-STD-020)Figure 1. SKY67105-306LF Block Diagram DescriptionThe SKY67105-306LF is a GaAs pHEMT and HBT two-stage, Low-Noise Amplifier (LNA) with active bias and high linearity performance. The pHEMT front end of the device provides an ultra-low Noise Figure (NF) while the HBT output stage provides high gain, linearity, and efficiency.The SKY67105-306LF operates in the frequency range of 0.6 to 1.1 GHz. For higher frequency operation, the pin and layout-compatible SKY67106-306LF (Data Sheet document # 201521) should be used.The SKY67105-306LF is provided in a 4 x 4 mm, 16-pin Quad Flat No-Lead (QFN) package. A functional block diagram is shown in Figure 1. The pin configuration and package are shown in Figure2. Signal pin assignments and functional pin descriptions are provided in Table 1.DATA SHEET • SKY67105-306LF TWO-STAGE LNAFigure 2. SKY67105-306LF Pinout – 16-Pin QFN(Top View)Electrical and Mechanical Specifications The absolute maximum ratings of the SKY67105-306LF are provided in Table 2. Electrical specifications are provided in Table s 3 (V DD= +5 V) and 4 (V DD= +4 V).Typical performance characteristics of the SKY67105-306LF are illustrated in Figures 3 through 15.DATA SHEET • SKY67105-306LF TWO-STAGE LNAparameters set at or below their nominal value.Exceeding any of the limits listed here may result in permanent damage to the device.CAUTION: Although this device is designed to be as robust as possible, Electrostatic Discharge (ESD) can damage this device. This device must be protected at all times from ESD. Static charges may easily produce potentials of several kilovolts on the human body or equipment, which can discharge without detection. Industry-standard ESD precautions should be used at all times. TheSKY67105-306LF is a Class 1B ESD device.Table 3. SKY67105-306LF Electrical Specifications: V DD = +5 V (Note 1)OP IN ONote 1:Performance is guaranteed only under the conditions listed in this Table.DATA SHEET • SKY67105-306LF TWO-STAGE LNATable 4. SKY67105-306LF Electrical Specifications: V DD = +4 V (Note 1) OP IN ODATA SHEET • SKY67105-306LF TWO -STAGE LNATypical Performance Characteristics(V DD = +5 V, T OP = +25 °C, P IN = –30 dBm, Characteristic Impedance [Z O ] = 50 Ω, Optimized for 850 MHz Operation, Unless Otherwise Noted)Figure 3. Input Return Loss vs Frequency Over Temperature,Narrow BandFigure 5. Reverse Isolation vs Frequency Over Temperature,Narrow BandFigure 7. Input Return Loss vs Frequency Over Temperature,Wide BandFigure 4. Small Signal Gain vs Frequency Over Temperature,Narrow BandFigure 6. Output Return Loss vs Frequency Over Temperature,Narrow BandFigure 8. Small Signal Gain vs Frequency Over Temperature,Wide BandDATA SHEET • SKY67105-306LF TWO -STAGE LNAFigure 9. Reverse Isolation vs Frequency Over Temperature,Wide BandFigure 11. OIP3 vs Frequency Over TemperatureFigure 13. Gain vs Output Power Over TemperatureFigure 10. Output Return Loss vs Frequency Over Temperature,Wide BandFigure 12. OIP3 vs Frequency Over VoltageFigure 14. Quiescent Supply Current vs Output Power OverTemperatureDATA SHEET • SKY67105-306LF TWO-STAGE LNAFigure 15. Noise Figure vs Frequency Over TemperatureEvaluation Board DescriptionThe SKY67105-306LF Evaluation Board is used to test the performance of the SKY67105-306LF two-stage LNA. An Evaluation Board schematic diagram is provided in Figure 16. Table 5 provides the Evaluation Board Bill of Materials. An assembly drawing for the Evaluation Board is shown in Figure 17. Package DimensionsThe PCB layout footprint for the SKY67105-306LF is shown in Figure 18. Typical case markings are noted in Figure 19. Package dimensions for the 16-pin QFN are shown in Figure 20, and tape and reel dimensions are provided in Figure 21. Package and Handling InformationInst ructions on the shipping container label regarding exposure to moisture after the container seal is broken must be followed. Otherwise, problems related to moisture absorption may occur when the part is subjected to high temperature during solder assembly.THE SKY67105-306LF is rated to Moisture Sensitivity Level 1 (MSL1) at 260 °C. It can be used for lead or lead-free soldering. For additional information, refer to the Skyworks Application Note, Solder Reflow Information, document number 200164.Care must be taken when attaching this product, whether it is done manually or in a production solder reflow environment. Production quantities of this product are shipped in a standard tape and reel format.DATA SHEET • SKY67105-306LF TWO-STAGE LNAFigure 16. SKY67105-306LF Evaluation Board Schematic (For 850 MHz and V DD = +5 V)DDDATA SHEET • SKY67105-306LF TWO-STAGE LNAFigure 17. SKY67105-306LF Evaluation Board Assembly DiagramDATA SHEET • SKY67105-306LF TWO-STAGE LNAFigure 18. SKY67105-306LF PCB Layout FootprintFigure 19. Typical Case MarkingsDATA SHEET • SKY67105-306LF TWO -STAGE LNASkyworks Solutions, Inc. • Phone [781] 376-3000 • Fax [781] 376-3100•*********************•201518A • Skyworks Proprietary Information • Products and Product Information are Subject to Change Without Notice • April 15. 201111 Figure 20. SKY67105-306LF 16-Pin QFN Package DimensionsDATA SHEET • SKY67105-306LF TWO-STAGE LNAFigure 21. SKY67105-306LF Tape and Reel DimensionsSkyworks Solutions, Inc. • Phone [781] 376-3000 • Fax [781] 376-3100•*********************• 12 April 15. 2011 • Skyworks Proprietary Information • Products and Product Information are Subject to Change Without Notice • 201518ADATA SHEET • SKY67105-306LF TWO-STAGE LNA Ordering InformationCopyright © 2011 Skyworks Solutions, Inc. All Rights Reserved.Information in this document is provided in connection with Skyworks Solutions, Inc. (“Skyworks”) products or services. These materials, including the information contained herein, are provided by Skyworks as a service to its customers and may be used for informational purposes only by the customer. Skyworks assumes no responsibility for errors or omissions in these materials or the information contained herein. Skyworks may change its documentation, products, services, specifications or product descriptions at any time, without notice. Skyworks makes no commitment to update the materials or information and shall have no responsibility whatsoever for conflicts, incompatibilities, or other difficulties arising from any future changes.No license, whether express, implied, by estoppel or otherwise, is granted to any intellectual property rights by this document. Skyworks assumes no liability for any materials, products or information provided hereunder, including the sale, distribution, reproduction or use of Skyworks products, information or materials, except as may be provided in Skyworks Terms and Conditions of Sale.THE MATERIALS, PRODUCTS AND INFORMATION ARE PROVIDED “AS IS” WITHOUT WARRANTY OF ANY KIND, WHETHER EXPRESS, IMPLIED, STATUTORY, OR OTHERWISE, INCLUDING FITNESS FOR A PARTICULAR PURPOSE OR USE, MERCHANTABILITY, PERFORMANCE, QUALITY OR NON-INFRINGEMENT OF ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHT; ALL SUCH WARRANTIES ARE HEREBY EXPRESSLY DISCLAIMED. SKYWORKS DOES NOT WARRANT THE ACCURACY OR COMPLETENESS OF THE INFORMATION, TEXT, GRAPHICS OR OTHER ITEMS CONTAINED WITHIN THESE MATERIALS. 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低噪声放大器简介
g m (1 sriCgs ) sC gd s 2 riCgsCgd I2 Y21 V1 V 0 1 s(Cgs Cgd ) Rg sriCgs s 2 Rg riCgsCgd
2
23
T of NMOS and PMOS
Set:
Y11 ( j T ) Y21 ( j T )
Sin/Nin G1, N1, NF1 Gi, Ni, NFi Sout/Nout GK, NK, NFK
NF2 1 NF3 1 NFK 1 NF 1 NF1 1 ... G1 G1G2 G1G2...GK 1
• Overall NF dominated by NF1 [1] F. Friis, “Noise Figure of Radio Receivers,” Proc. IRE, Vol. 32, pp.419-422, July 1944.
• 0.25um CMOS Process*
1
Solve for T
gm T gm Cgs Cgd
[2] Tajinder Manku, “Microwave CMOS - Device Physics and Design,” IEEE J. Solid-State Circuits, vol. 34, pp. 277 - 285, March 1999.
g
Rs g m
2 (1 2 Rs2Cgs )
g
Rs g m
gRs g m
2
( g m / Cgs ) 2
gm T C gs
20
Unity Current Gain Frequency
Device
iin
iout
UHF频段 400-480MHz 低噪放大器
低噪放大器定义：噪声系数很低的放大器。
一般用作各类无线电接收机的高频或中频前置放大器，以及高灵敏度电子探测设备的放大电路。
在放大微弱信号的场合，放大器自身的噪声对信号的干扰可能很严重，因此希望减小这种噪声，以提高输出的信噪比。
由放大器所引起的信噪比恶化程度通常用噪声系数F来表示。
理想放大器的噪声系数 F=1（0分贝），其物理意义是输入信噪比等于输出信噪比。
现代的低噪声放大器大多采用晶体管、场效应晶体管；微波低噪声放大器则采用变容二极管参量放大器，常温参放的噪声温度Te可低于几十度(绝对温度)，致冷参量放大器可达20K以下，砷化镓场效应晶体管低噪声微波放大器的应用已日益广泛，其噪声系数可低于 2 分贝。
放大器的噪声系数还与晶体管的工作状态以及信源内阻有关。
为了兼顾低噪声和高增益的要求，常采用共发射极一共基极基联的低噪声放大电路。
低噪放大器的原理：地球站的品质因数（G/T）主要取决于天线和低噪声放大器（LNA）的性能。
接收系统的噪声温度Ts是指折算到LNA输入端的系统等效噪声温度，它主要由天线噪声温度TA、馈线损耗LALA 和低噪声接收机噪声三个部分组成。
400-480MHz 低噪放大器外形尺寸图：400-480MHz 低噪放大器产品实物图优译创立于中国深圳市，主要生产的产品：射频隔离器、环形器、衰减器、负载、合路器、功分器、电桥、射频滤波器、放大器等射频微波器件。
M:UIYXXXXXXX XXXXXXX N:XXXXXXXXXΦ2.7[.106]THRU+12V GND78.0 [3.071]3.0 [.118]12.0 [.472]25.4 [1.000]。
低噪声放大器 核心参数
低噪声放大器核心参数摘要：低噪声放大器核心参数I.引言- 低噪声放大器简介- 低噪声放大器在通信系统中的重要性II.低噪声放大器核心参数- 噪声系数- 增益- 频率响应- 线性度III.噪声系数- 定义及作用- 影响因素- 降低噪声系数的措施IV.增益- 定义及作用- 影响因素- 提高增益的措施V.频率响应- 定义及作用- 影响因素- 优化频率响应的措施VI.线性度- 定义及作用- 影响因素- 提高线性度的措施VII.总结- 低噪声放大器核心参数的重要性- 各参数间的平衡与优化正文：低噪声放大器核心参数低噪声放大器（Low Noise Amplifier, LNA）在通信系统中具有至关重要的作用，它能够放大天线接收到的微弱信号，降低噪声干扰，从而确保通讯质量。
为了实现高性能的低噪声放大器，必须关注并优化其核心参数。
本文将详细介绍低噪声放大器核心参数，包括噪声系数、增益、频率响应和线性度。
首先，噪声系数是衡量低噪声放大器性能的关键参数。
噪声系数是指输入信号与输出信号之间的噪声功率比，通常用分贝（dB）表示。
较低的噪声系数意味着放大器具有较低的噪声水平，从而提高整个通信系统的性能。
影响噪声系数的因素包括放大器的结构、材料、工艺等。
为了降低噪声系数，可以采取选用低噪声元件、优化电路拓扑等措施。
其次，增益是低噪声放大器另一个重要参数。
增益是指放大器对输入信号的放大程度，通常用分贝（dB）或倍数表示。
较高的增益有利于提高信号传输距离和抗干扰能力，但同时也会增加噪声放大。
因此，在设计低噪声放大器时，需要在增益与噪声之间寻求平衡。
影响增益的因素包括偏置电流、偏置电压等。
通过合理地选择偏置电流和电压，可以提高放大器的增益。
接下来，频率响应是衡量低噪声放大器在不同频率下性能的参数。
频率响应是指放大器在某一频率范围内的增益、相位等特性。
理想的低噪声放大器应具有平坦的频率响应，以保证在整个频率范围内具有稳定的性能。
影响频率响应的因素包括元件参数、电路拓扑等。
X波段单片低噪声放大器
X波段单片低噪声放大器刘莹【摘要】本文介绍了X波段8.5-10.5 GHz单片低噪声放大器的设计,给出了在片测试结果.该放大器采用三级放大,在8.5-10.5 GHz频率范围内,噪声系数典型值小于1.2dB,增益＞30dB,具有3dB的正斜率,P-1大于7dBm,输入输出驻波≤1.4:1.电路芯片尺寸为:2.7mmX1.2mmX0.1mm.【期刊名称】《电子世界》【年(卷),期】2018(000)009【总页数】2页(P138-139)【关键词】8.5-10.5 GHz;放大器;MMIC【作者】刘莹【作者单位】成都嘉纳海威科技有限责任公司【正文语种】中文一、引言单片微波集成电路简称MMIC，是一种把有源和无源元器件制作在同一块半导体基片上的微波电路。
它具有体积小、稳定性高、一致性好、寄生参量小、大批量低成本等特点，成为军事电子和民用通信系统最具吸引力的选择。
低噪声放大器(LNA)作为射频信号传输链路的第一级，它的噪声系数特性决定了整个射频电路前端的噪声性能，因此作为高性能射频接收电路的第一级LNA 的设计必须满足[1]：（1）较高的线性度以抑制干扰和防止灵敏度下降；（2）足够高的增益，使其可以抑制后续级模块的噪声；（3）与输入输出阻抗的匹配，通常为50欧；（4）尽可能低的功耗，这是无线通信设备的发展趋势所要求的。
本文介绍的8.5－10.5 GHz低噪声MMIC 放大器不仅具有优良的噪声性能，而且还具有正斜率的高增益特性和较低功耗，具有很好的实际应用性能。
二、MMIC放大器的设计1.电路结构及器件的选择常用的放大器电路结构有：平衡结构、行波结构、有耗匹配、负反馈等[2]。
本设计采用负反馈结构。
放大器采用三级放大，以获得较高的增益。
为了兼顾噪声、增益、输出功率以及功耗，根据FOUNDRY厂家提供的器件参数，经过分析比较，放大器的第一级采用350μm栅宽的器件，第二级采用250μm栅宽的器件，第三级采用88μm栅宽的器件,第一级和第二级采用电流复用的结构来减小直流功耗。
lm358中文资料
LM358中文资料简介LM358是一种双运算放大器，属于通用型的低功耗音频放大器。
它具有低输入偏置电流和低噪声电流等特点，适用于低噪声放大、信号调理和滤波等应用。
借助于其低功耗的特性，LM358在便携式电子设备、仪器仪表以及汽车电子系统中得到了广泛的应用。
特性•双运算放大器•低功耗音频放大器•低输入偏置电流•低噪声电流引脚图LM358的引脚图如下所示：__ __| 1 8 || |_|_2 7_|_| ||3 6|| ||4 5||__ __|1.非反向输入端12.反向输入端13.输出端14.电源引脚 VCC+5.地引脚 VCC-6.输出端27.反向输入端28.非反向输入端2参数规格下表列出了LM358的一些关键参数规格：参数符号最大值电源电压VCC±16V工作温度范围Toper-40~125°C 输入偏置电流Ib20nA幅值微分模输入电压VID60mV开环增益AVOL100dB锁相放大倍频器幅值零偏差AVOL DC90输出电流Iout20mA失调电流Ios 1.5nA应用低噪声放大器由于LM358具有低噪声电流和低输入偏置电流的特点，它可以用于低噪声放大器的设计。
通过合理的电路设计和优化，可以在保持较低噪声水平的同时，实现对信号的放大和处理。
信号调理LM358具有双运算放大器的特点，可以用于信号调理的应用场景。
通过合适的电路配置和参数调整，可以实现对输入信号的滤波、放大、求和等操作，为后续电路和系统提供清晰、稳定的信号。
电子测量仪器由于LM358具有较低的功耗，它可以广泛应用于电子测量仪器中。
例如，通过将LM358用作前置放大器，可以实现对测量信号的放大和调理，提高测量的准确性和稳定性。
汽车电子系统在汽车电子系统中，LM358可以用于音频信号的处理和放大。
例如，可以将其用于汽车音响系统中的前置放大器，对音频信号进行放大和调整，提供更好的音质和声音效果。
结论LM358是一款性能稳定、应用广泛的双运算放大器。
芯佰微电子 低噪声、精密运算放大器 CBM27数据手册说明书
CBM27数据手册专芯发展 • 用芯服务 • 创芯未来www. corebai. com● 宽压供电范围： 8V (±4V)~36V (±18V) ● 低噪声：90 nV p-p （0.1 Hz 至10 Hz ） ● 高速：2.8 V/µs 压摆率、8 MHz 增益带宽 ● 共模抑制比(CMRR)：130 dB (VCM = ±11 V) ● 高开环增益：1,800,000● CBM27A 和 CBM27G 其他产品特点 ● 最大噪声谱密度CBM27A . . . 3.9 nV/√Hz @ 1 kHz Max CBM27G . . . 5.0 nV/√Hz @ 1 kHz Max ● 低输入失调电压CBM27A . . . 26 μV Max CBM27G . . . 100 μV Max ● 低输入失调电压漂移CBM27A . . . 0.2 μV/°C CBM27G . . . 0.4 μV/°C● 电力采集应用系统● 高精密数据采集系统 ● 自动化测试设备（ATE ）● 音频前置放大器 ● 仪器仪表CBM27提供低电平信号出色的低噪声和高精度放大性能。
产品广泛应用于稳定的积分器、精密求和放大器、精密电压阈值检测器、比较器和专业音频电路，如磁头和麦克风前置放大器。
失调电压低至26 μV ，漂移为0.2 μV/°C ，因而该器件是精密仪器仪表应用的理想之选。
极低噪声（10 Hz 时en=3.5nV/√Hz ）, 低1/f 噪声转折频率(2.7Hz)以及高增益(1800V/mV)，能够使低电平信号得到精确的高增益放大。
8 MHz 增益带宽积和2.8 V/µs 压摆率则可以在高速数据采集系统中实现出色的动态精度。
利用偏置电流消除电路，CBM27可实现±10nA 的低输入偏置电流。
输出级具有良好的负载驱动能力。
低频低噪声高增益放大器
低频低噪声高增益放大器摘要本设计共由5个模块构成: 直流电源, 选频网络, 两级放大(次级可控)模块, CPLD 控制模块, 显示和键盘.信号发生器选用自制正弦波发生器, 经过电路自身的正反馈自激产生正弦波. 其放大网络稳幅增益Af为3, 为使其容易起振, 起振增益应大于3, 所以采用二极管自动调整放大增益.带通滤波器 (3kHz-5kHz)应选用窄带滤波器, 故采用了二阶电压控制有源滤波器. 此种滤波器的频响曲线很对称, 带宽很窄.放大器分为两级, 前级增益固定为200; 后级从1-15倍可调. 原理都为由反比例放大电路. 后级放大器选通开关由继电器控制. CPLD供给其控制信号, 因其高电平为5V, 逻辑非门需求12V, 故二者之间采用耦合芯片TPL521-4 连接.CPLD 将键盘数字(指示可控放大器的增益)选择信号译码, 送入可控放大器接口, 经过光耦和门逻辑, 进一步控制达林顿管的导通从而控制继电器的吸和, 同时经过显示译码送入数码管显示整体放大倍数.人机接口共有2位拨码开关, 范围为1-15, 选定后产生脉冲送入CPLD译码. 数码管显示经CPLD译码驱动, 有两位数码管显示总放大倍数的千位和百位值.一,方案论证与比较1), 带通滤波器方案选择方案1: 此方案(图1)是由纯电阻和电容组成的带通滤波网络, 本方案的优点是频率响应对称且中频4kHz可以满足(如图2所示), 但通频带较宽, 并且前后级相互影响较大, 故达不到题目的要求.图1图2方案2:此方案是方案1的改进, 采用集成运放使前后级低通和高通网络隔开, 减弱其互相影响. 而且, 整体输入阻抗大幅度提高, 输出阻抗大幅度减小.但频响曲线对称性较差且通频带依然较宽.图3图4方案3: 此方案采用电压控制式二阶带通滤波器(图5), 可以很精确的使通频带变窄为3kHz-5kHz. 且频响曲线对称, 中心频率恰好使4kHz(如图6所示). 故选择此方案.图5图62), 中频放大模块. 本题目的核心部分就是电压放大部分,采用何种电路形式以达到题目要求的性能指标, 是我们成功的关键.a), 第一级放大器本电路需要实现的是200到2000的高放大倍数，而一般的晶体管很难达到这一放大要求。
ad8067的参数
ad8067的参数AD8067是一款高性能低噪声运算放大器，广泛应用于高速数据采集和处理系统，如光通信、宽带通信、测试与测量设备、医疗设备等领域。
该模块优秀的性能指标和可靠的运行特性使得它非常受欢迎。
下面是关于AD8067的一些参数和相关参考内容。
1. 增益带宽积（GBWP）：AD8067的增益带宽积为145 MHz，这意味着它可以在高频率范围内提供较大的增益。
这使得它非常适用于需要高频率放大的应用，如高速数据传输和通信系统。
2. 输入噪声电压密度：AD8067的输入噪声电压密度为6.5nV/√Hz，在低频范围内具有很低的噪声水平。
这使得它适用于对信号质量要求较高的应用，如精密测量和传感器信号放大。
3. 输入偏移电压和漂移：AD8067的输入偏移电压非常低，通常在1 mV以下。
此外，它的输入偏移电压漂移率也很低，通常在0.1 μV/℃以下。
这保证了在长时间运行和温度变化下，它能够提供稳定的放大性能。
4. 输出能力和驱动能力：AD8067能够以较低的失真和较高的输出电流提供较大的输出能力。
其输出电流驱动能力为±35 mA，使得它能够驱动复杂负载，如电容负载和电阻负载。
5. 工作电源电压范围：AD8067的工作电源电压范围非常宽，可以从单个供电电源（3V到24V）或双供电电源（±1.5V到±12V）提供电源。
这种灵活性使得它适用于不同的供电要求和应用场景。
除了以上参数之外，AD8067还有其他一些重要的性能指标，如失调电流、失调电压、共模抑制比、温度稳定性等。
这些参数可以在ADI（Analog Devices Inc.）的官方产品数据手册中找到。
手册提供了完整的电气特性表格、应用电路和指导，可以帮助用户了解AD8067的使用和设计。
总的来说，AD8067作为一款高性能低噪声运算放大器，具有广泛的应用前景。
在设计和开发过程中，可以参考ADI官方的产品数据手册，以了解更多有关其性能和应用的详细信息。
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低噪声放大器
一种位于放大链路输入端，针对给定的增益要求，引入尽可能小的内部噪声，并在输出端获得最大可能的信噪比而设计的放大器。
低噪声放大器，噪声系数很低的放大器。
一般用作各类无线电接收机的高频或中频前置放大器，以及高灵敏度电子探测设备的放大电路。
在放大微弱信号的场合，放大器自身的噪声对信号的干扰可能很严重，因此希望减小这种噪声，以提高输出的信噪比。
低噪声放大器low noise amplifier噪声系数很低的放大器。
一般用作各类无线电接收机的高频或中频前置放大器，以及高灵敏度电子探测设备的放大电路。
在放大微弱信号的场合，放
低噪声放大器
大器自身的噪声对信号的干扰可能很严重，因此希望减小这种噪声，以提高输出的信噪比。
由放大器所引起的信噪比恶化程度通常用噪声系数F来表示。
理想放大器的噪声系数F＝1（0分贝），其物理意义是输出信噪比等于输入信噪比。
现代的低噪声放大器大多采用晶体管、场效应晶体管；微波低
低噪声放大器
噪声放大器则采用变容二极管参量放大器，常温参放的噪声温度Te 可低于几十度(绝对温度)，致冷参量放大器可达20K以下，砷化镓场效应晶体管低噪声微波放大器的应用已日益广泛，其噪声系数可低于 2 分贝。
放大器的噪声系数还与晶体管的工作状态以及信源内阻有关。
在工作频率和信源内阻均给定的情况下，噪声系数也和晶体管直流工作点有关。
为了兼顾低噪声和高增益的要求，常采用共发射极一共基极级联的低噪声放大电路。
应用
噪声放大器(LNA)主要面向移动通信基础设施基站应用，例如收发器无线通信卡、塔顶放大器(TMA)、组合器、中继器以及远端/数字无线宽带头端设备等应用设计，并为低噪声指数(NF, Noise Figure)立下了新标竿。
目前无线通信基础设施产业正面临必须在拥挤的频谱内提供最佳信号质量和覆盖度的挑战，接收器灵敏度是基站接收路径设计中最关键的要求之一，合适的LNA选择，
低噪声放大器
特别是第一级LNA可以大幅度改善基站接收器的灵敏度表现，低噪声指数也是关键的设计目标，Avago提供了1900MHz下0.48dB同级产品最佳的噪声指数。
另一个关键设计为线性度，它影响了接收器分辨紧密接近信号和假信号分别的能力，三阶截点OIP3可以用来定义线性度，在1900MHz和5V/51mA的典型工作条件下，Avago特有的GaAs
增强模式pHEMT工艺技术可以带来0.48dB的噪声指数和35dBm的OIP3，在2500MHz 和5V/56mA的典型工作条件下，噪声指数为0.59dB，OIP3则为35dBm。
通过低噪声指数和高OIP3，这些Avago的新低噪声放大器可以提供基站接收器路径比现有放大器产品更大的设计空间。
可调整能力和共通引脚安排带来设计优化和灵活度
特点是高可靠性、频率跨度（0.1Hz--40GHz）、供货周期短、生产和检验所用仪表的精度和准确度高---均为HP公司的标量和矢量网络分析仪等，产品已广泛地应用于雷达、电子对抗、航空、航海等军事领域和通讯、电视传输、仪器、仪表等民用市场。
应用领域：
•VHF/UHF 波段低噪声放大
•室外电池供电系统的测试设备
•小信号放大器或前置放大
•实验室测试用
•从VHF直至S波段的宽带接收
•测试设备
•宽带接收
•超宽带接收机前端
•高功率线性功放的推动
•小信号线性增强
•便携式数字图像发射设备的末级
•便携式无线传输设备
TLA系列低噪声放大器
TSPA系列中功率放大器
TPA系列微波功率放大器
北京天华中威科技有限公司。