半导体极管三极管来料检验规程

电子元器件来料检验规程（一）半导体晶体管部分1内容本规程规定了本公司常用半导体二极管、三极管、达林顿晶体管、绝缘栅双极晶体管（IGBT）来料检验的抽样方式、接收标准、检验测试方法和所用测试仪器等具体要求。

2范围本规程适用于本公司常用半导体二极管、三极管、达林顿晶体管、绝缘栅双极晶体管（IGBT）来料检验和验收。

3引用标准GB2828.1-2003 计数抽样检验程序第一部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划GB2421 电工电子产品基本环境试验规程总则GB2423.22 电工电子产品基本环境试验规程试验Cb：恒定湿热试验方法GB2421 电工电子产品基本环境试验规程试验N：温度变化试验方法GB4798.1电工电子产品应用环境条件贮存4检验测试设备和测试方法测试设备：DW4824型晶体管特性图示仪（或QT2型晶体管特性图示仪等）测试大功率晶体管专用转接夹具、插座或装置数字万用表、不锈钢镊子等应手工具晶体管特性图示仪、数字万用必须经检定合格并且在计量检定的有效期内。

人员素质：能熟练操作使用晶体管特性图示仪进行各种半导体器件参数测试，工作态度严谨、细心，持有检验测试操作合格证或许可证。

测试准备：晶体管特性图示仪每次开启，必须预热五分钟。

检查确认图示仪的技术状态完好方能进行测试。

每种器件在测试前都要做外观检查：管脚应光洁、明亮，管身标志清晰、无划痕，封装尺寸应符合订货要求。

4.1 绝缘栅N沟道双极晶体管IGBT主要测试参数：IGBT的特性曲线IGBT的饱和压降V CESIGBT的栅极阈值电压V GE（th）IGBT的击穿电压V CER测试方法：现将上述特性参数的测试方法分述如下。

4.1.1 测IGBT的输出特性曲线按附表1“常规测试/输出特性曲线”栏、测IGBT的要求，调整晶体管特性图示仪各选择开关的档位。

正确连接相应的IGBT测试夹具、插座或装置，检查连接无误后，接入待测的IGBT，图示仪即显示一簇该IGBT的输出特性曲线。

该线簇应均匀、平滑、无畸变，为合格（如图1a所示）。

否则为不合格（如图1b所示）。

图 14.1.2 测IGBT的饱和压降V CES在特性曲线中选择V GE=4.5V的一条曲线，它与I C=7.0A直线的交点所对应的V C电压值就是所测试的IGBT在V GE=4.50V、I C=7.0A时的饱和压降V CES。

V CES＜3.0V为合格。

否则为不合格。

4.1.3 测IGBT的转移特性曲线按附表1“常规测试/转移特性曲线”栏、测IGBT的要求调整晶体管特性图示仪各选择开关的档位。

正确连接相应的IGBT测试夹具、插座或装置，检查连接无误后，接入待测的IGBT，图示仪即显示一簇该IGBT的转移特性曲线。

该线簇应当是一组幅度由小到大的、等间距的竖直线段。

这些线段的一端在X轴上，另一端连接起来应当是一条平滑的曲线。

4.1.4 测IGBT的栅极阈值电压V GE（th）观测特性曲线与I C=1mA直线的交点所对应的V BE电压值，就是该IGBT在该测试温度下的栅极阈值电压V GE（th）。

此时V BE=V GE（th）。

所测得的V GE（th）在该IGBT的标称栅极阈值电压范围内为合格。

否则为不合格。

4.1.5 测IGBT的击穿电压V CER按附表1“击穿电压测试”栏、测IGBT的要求，调整晶体管特性图示仪各选择开关的档位。

接入待测的IGBT并使栅极悬空，使峰值电压由0V缓慢增加，观测特性曲线的形状及击穿点电压，此电压在该IGBT的标称击穿电压范围内为合格。

否则为不合格。

注意：操作人员应避免直接接触高压电极，并且每测试完一只IGBT的击穿电压，都要将“峰值电压调节”旋钮调节回0，以保障人员和设备安全。

4.2 达林顿大功率NPN晶体管主要测试参数：达林顿晶体管的共射输出特性曲线达林顿晶体管的饱和压降BV CES达林顿晶体管的共射极电流放大系数β达林顿晶体管的反向击穿电压BV CE0测试方法：现将上述特性参数的测试方法分述如下。

4.2.1 测达林顿晶体管的共发射极输出特性曲线按附表1“常规测试/输出特性曲线”栏、测达林顿晶体管的要求，调整晶体管特性图示仪各选择开关的档位。

正确连接相应的达林顿晶体管测试夹具、插座或装置，检查连接无误后，接入待测的IGBT，图示仪即显示一簇该达林顿晶体管的共发射极输出特性曲线。

该线簇应均匀、平滑、无畸变，为合格（如图2a所示）。

否则为不合格（如图2b所示）。

图 24.2.2 测达林顿晶体管的饱和压降BV CES观测达林顿晶体管的共发射极输出特性曲线I C=6A的直线与饱和区某一特性曲线的交点所对应的V CE值，就是该测达林顿晶体管在基极注入电流足够大且集电极电流I C=6A时的饱和压降V CES。

观测到的V CES值在该达林顿晶体管的标称饱和压降范围内为合格，否则为不合格。

4.2.3 测达林顿晶体管的共射极电流放大系数β观测达林顿晶体管的共发射极输出特性曲线I C=6A的直线与放大区某一特性曲线的交点所对应的I B值，即可粗略地计算出在该工作点对应的共发射极电流放大系数ββ=（1.01～1.20）I C/I Bβ值在该达林顿晶体管的标称电流放大系数范围内为合格，否则为不合格。

4.2.4 测达林顿晶体管的反向击穿电压BV CE0按附表1“击穿电压测试”栏、测达林顿晶体管的要求，调整晶体管特性图示仪各选择开关的档位。

接入待测的达林顿晶体管并使基极悬空，使峰值电压由0V缓慢增加，观测特性曲线的形状及击穿点电压V CE，此电压即为达林顿晶体管基极开路时的击穿电压BV CE0，BV CE0在该达林顿晶体管的标称击穿电压范围内为合格。

否则为不合格。

注意：操作人员应避免直接接触高压电极，并且每测试完一只达林顿晶体管的反向击穿电压，都要将“峰值电压调节”旋钮调节回0，以保障人员和设备安全。

4.3 小功率晶体管主要测试参数：小功率晶体管的共发射极输出特性曲线小功率晶体管的饱和压降V CES小功率晶体管的共射极电流放大系数β小功率晶体管基极开路时的反向击穿电压BV CE0小功率晶体管基极开路时的穿透电流I CE0测试方法：现将上述特性参数的测试方法分述如下。

4.3.1 测小功率晶体管的共发射极输出特性曲线按附表1“常规测试/输出特性曲线”栏、测NPN晶体管的要求，调整晶体管特性图示仪各选择开关的档位。

正确连接相应的NPN晶体管测试夹具、插座或装置，检查连接无误后，接入待测的小功率NPN晶体管，图示仪即显示一簇该小功率NPN晶体管的共发射极输出特性曲线。

该线簇应均匀、平滑、无畸变，为合格（如图3a所示）。

否则为不合格（如图3b所示）。

PNP晶体管NPN晶体管图 34.3.2 测小功率晶体管的饱和压降BV CES观测小功率NPN晶体管的共发射极输出特性曲线I C=10mA的直线与饱和区某一特性曲线的交点所对应的V CE值，就是该小功率NPN晶体管在基极注入电流足够大且集电极电流I C=10mA时的饱和压降BV CES。

观测到的V CES值在该小功率晶体管的标称饱和压降范围内为合格，否则为不合格。

4.3.3 测小功率晶体管的共射极电流放大系数β观小功率NPN晶体管的共发射极输出特性曲线I C=10mA的直线与放大区某一特性曲线的交点所对应的I B值，即可粗略地计算出在该工作点对应的共发射极电流放大系数ββ=（1.01～1.20）I C/I Bβ值在该小功率NPN晶体管的标称电流放大系数范围内为合格，否则为不合格。

4.3.4 测小功率晶体管基极开路时的反向击穿电压BV CE0按附表1“击穿电压测试”栏、测小功率NPN晶体管的要求，调整晶体管特性图示仪各选择开关的档位。

接入待测的小功率NPN并使基极悬空，使峰值电压由0V缓慢增加，观测特性曲线的形状及击穿点电压V CE，此电压即为小功率NPN晶体管基极开路时的击穿电压BV CE0，BV CE0在该小功率晶体管的标称击穿电压范围内为合格。

否则为不合格。

4.3.5 测小功率晶体管基射极开路时的穿透电流I CE0在测小功率晶体管基极开路时的反向击穿电压BV CE0的基础上，将“阶梯作用”转向“关”状态，Y轴集电极电流调整到0.1×0.01mA(或0.5×0.01mA或最小电流档)。

接入待测的小功率NPN并使基极悬空，使峰值电压由0V缓慢增加，观测在被测小功率晶体管正常工作电压范围内的集电极电流值I C，此电流就是该小功率晶体管基极开路时的穿透电流I CE0。

所测得的I CE0在该小功率晶体管基射极开路时的穿透电流I CE0的标称范围内，为合格，否则为不合格。

PNP小功率晶体管的测试方法与此基本相同。

只是要按附表1各测试项目栏中测NPN晶体管的要求调整晶体管特性图示仪各选择开关的档位。

4.4 二极管主要测试参数：二极管的V-A特性曲线二极管的正向压降V F二极管的反向电流I0二极管的反向击穿电压BV R测试方法：现将上述特性参数的测试方法分述如下。

4.4.1 测二极管的V-A特性曲线按附表1“常规测试/输出特性曲线”栏、测二极管的要求调整晶体管特性图示仪各选择开关的档位。

正确连接相应的二极管测试夹具、插座或装置，检查连接无误后，接入待测的二极管，图示仪即显示该二极管的V-A特性曲线。

该曲线应平滑、陡峭、呈指数变化，为合格（如图4a所示）。

否则为不合格（如图4b所示）。

图 44.4.2 测二极管的正向电压降V F对应于特性曲线上标称工作电流值的垂直直线与X轴的交点所对应的电压坐标值，即是在该电流下二极管的正向电压降V F。

所测得的二极管的正向电压降，在该二极管的标称值范围内为合格，否则为不合格。

4.4.3 测二极管的反向电流I0按附表1“击穿电压测试”栏、测二极管的要求，调整晶体管特性图示仪各选择开关的档位。

接入待测的二极管，使峰值电压由0V缓慢增加，观测在被测二极管正常工作电压范围内的反向电流值I0。

所测得的反向电流I0，在该二极管的标称值范围内为合格，否则为不合格。

4.4.4 测二极管的反向击穿电压BV R紧接着反向电流的测试，使峰值电压继续缓慢增加，观测在被测二极管刚刚被击穿时的击穿点的电压值，就是该二极管的反向击穿电压BV R。

所测得的反向击穿电压BV R，在该二极管的标称值范围内为合格，否则为不合格。

4.5 可焊性检查(槽焊法)以上半导体器件的引出脚都要按下述方法进行可焊性检查。

4.5.1 锡槽温度：235±5℃；浸渍时间3±0.5S；浸入深度：与引出脚或焊盘平齐。

4.5.2 试验完毕用5倍以上的放大镜检查，浸渍部位表面应浸润覆盖一层光滑的、明亮的焊锡涂层，缺陷比率（例如针孔或出现未浸润面）不得多于5%，且这些缺陷不得集中在元件的相同部位。

5 验收规则如果没有特殊规定，电子元器件的验收，应包括抽样检验和接收试验。