蚀刻基础知识考核试题
蚀刻工艺工程师岗位面试题及答案(经典版)
蚀刻工艺工程师岗位面试题及答案1.请简要介绍您的背景和经验，以及为什么您适合蚀刻工艺工程师的职位。
答：我拥有材料科学与工程的硕士学位，并在蚀刻领域有5年的工作经验。
我熟悉各种蚀刻技术，包括湿法和干法蚀刻，以及光刻工艺。
我的专业知识和实践经验使我具备解决复杂蚀刻工艺问题的能力，以及优化工艺以提高产量和质量的能力。
2.请详细解释湿法和干法蚀刻的区别，以及它们在不同应用中的优势和劣势。
答：湿法蚀刻是在液体溶液中进行的，通常用于刻蚀硅和硅基材料。
干法蚀刻则是在气相中进行的，适用于更多类型的材料，如金属和氮化物。
湿法蚀刻通常速度较慢，但表面质量较好，而干法蚀刻速度较快，但可能产生侧向腐蚀。
选择蚀刻方法需根据具体应用和材料属性。
3.请描述一种您熟悉的高选择性蚀刻工艺，并说明如何实现高选择性。
答：高选择性蚀刻是一种在保持目标层完整性的同时去除非目标材料的工艺。
例如，对于硅蚀刻，可以使用CHF3和O2的混合气体进行干法蚀刻，其中氧气增加了氧化硅的选择性。
通过调整气体比例和工艺参数，可以实现高选择性，确保只去除非目标材料。
4.在蚀刻工艺中，如何处理蚀刻不均匀性（etchnon□uniformity）问题？答：蚀刻不均匀性通常是由于气体流动、材料均匀性或设备问题引起的。
解决方法包括改进气体分布系统、优化工艺参数，如气体流量和压力，以及使用基板旋转或倾斜等技术来提高均匀性。
定期维护和设备校准也对减少蚀刻不均匀性至关重要。
5.在蚀刻工艺中，如何确定蚀刻速率，并且速率的变化会对工艺有何影响？答：蚀刻速率通常通过监测蚀刻前后材料的厚度差异来确定。
速率的变化可能会影响工艺的结果，例如，速率增加可能导致过刻，而速率减小可能导致不足刻。
因此，必须根据应用需求调整蚀刻速率，并且进行工艺开发以优化速率和刻蚀质量之间的平衡。
6.请描述一次您成功解决的蚀刻工艺问题，以及您采取的方法和结果。
答：在一次硅片蚀刻中，我遇到了侧向腐蚀问题，导致目标结构的尺寸不一致。
答案黄光蚀刻工段培训试卷
黄光课员工理论试卷姓名：得分：一、填空题：（40分，2分/空）1.蚀刻作业前应先查看水；电；气；是否正常。
参考蚀刻SOP 规定流程的要求作业；2.蚀刻配槽循环后20min 开机；3.DES包括显影、蚀刻、脱膜；4.蚀刻使用的滤芯规格（um）包括两种分别是水洗滤芯、蚀刻滤芯；水洗槽使用 1 um、药水槽使用10 um；5.CM610温度30 ；CM9463温度44 ；CM6001温度45 ；6.CU材使用的显影液名称CM610 的配比4% ，PH范围≥10.6 ；脱膜名称CM6001 的配比15% 、PH范围≥10.4 ；蚀刻1名称CM9300 、算当量范围0.25 -0.75 ；H202不能低于80g/L ；蚀刻2名称CM9400 ；算当量范围0.2-0.6 ；7.防酸化材料，蚀刻2使用的药水名称CM9463 ；8.一道生产，显影液300 M/次；.生产第二道产品显影150 M/次。
9.Cu材CM9300 15 天/次;CM6001 7 天/次;CM9400 30 天/次; CM722 2 天/次;纯水当班/次；防酸化CM9463 700 M/次;10.集渣槽200 M/次;脱膜滤筒共2组前使用钢丝网；的500 um；滤袋，后使用300 um，滤袋；450 M/次;二、判断题：（10分，2分/题）1.蚀刻做首件过程中应单手拿材料。
（）2.蚀刻生产过程中添加系统可以不开。
（）3.覆膜时戴好手套的双手碰到可视区域不会影响到品质。
（）4.蚀刻收放料机台滚轮需保持干净无异物，若有异物，及时清洁擦拭。
（）5.蚀刻温度没有到达设置的温度可以开机生产。
（）三、多项选择题：（10分，2分/题）1.造成显影不开有哪些：（ABD ）A、显影液浓度过低B、设计的线宽太小，解析不开C、曝光能量过低D、速度太快2.造成脱膜不净有哪些：（A BCD ）A、曝光能量过高B、脱膜浓度低C、脱膜压力低，D、纯水不纯3.造成材料过蚀有哪些（ABCD ）A、干膜过期，溢胶B、药水温度过高C、蚀刻速度慢D、喷洒不均匀4.造成残铜有哪些（ABCD ）A、菲林透光B、材料赃物C、H202浓度过低D、显影不开5.造成设备停机主要原因（ABC ）A、药水低于L ，LL液时无人处理，B、材料卡板C、收放卷机马达异常D、药水温度过高四、简答题：（40分，10分/题）1.简述造成批量性残铜，断线不绝缘的主要原因，各列举至少五项？1.造成残铜主要原因：1.菲林透光划伤；材料氧化；H202浓度过低；材料赃物异物；显影不开；2.断线----曝光异物；压膜产生气泡；滚轮划伤；药水过蚀；曝光对位偏移导致蚀刻断线。
蚀刻机设备在半导体产业的角色考核试卷
考生姓名：__________答题日期：__________得分：__________判卷人：__________
一、单项选择题（本题共20小题，每小题1分，共20分，在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的）
1.蚀刻机设备在半导体产业中主要的作用是：（）
A.使用先进的等离子体源
B.优化反应室设计
C.采用先进的控制系统
D.使用高精度的硅片传输系统
15.以下哪些因素会影响蚀刻的选择性？（）
A.蚀刻气体种类
B.反应室压力
C.射频功率
D.硅片的材料
16.以下哪些方法可以用来减少蚀刻过程中的副作用？（）
A.优化光刻工艺
B.使用抗蚀刻材料
C.控制刻蚀时间
D.调整蚀刻气体比例
A.去除不需要的材料
B.定义线路图形
C.减小特征尺寸
D.提高半导体器件性能
2.以下哪些因素会影响湿法蚀刻的速率？（）
A.温度
B.蚀刻液的浓度
C.蚀刻液的搅拌速度
D.硅片的类型
3.干法蚀刻与湿法蚀刻相比，以下哪些是干法蚀刻的特点？（）
A.更好的选择性
B.更高的蚀刻速率
C.可能产生各向异性的蚀刻
D.环境污染较小
1.请描述干法蚀刻与湿法蚀刻的主要区别，并说明它们在半导体制造中的应用场景。
2.蚀刻机设备在操作过程中可能遇到哪些常见问题？请列举至少三种，并给出相应的解决措施。
3.请详细说明蚀刻机设备中的反应室设计对于整个蚀刻过程的重要性，并讨论如何优化反应室设计以提高蚀刻质量和效率。
4.结合半导体产业的发展趋势，谈谈蚀刻机设备技术未来的发展方向和潜在挑战。
7.蚀刻机设备在操作过程中，需要定期对_______进行维护，以保证设备正常运行。
刻蚀机基础知识单选题100道及答案解析
刻蚀机基础知识单选题100道及答案解析1. 刻蚀机的主要作用是（）A. 沉积材料B. 去除材料C. 检测材料D. 合成材料答案：B解析：刻蚀机的主要作用是通过物理或化学方法去除材料。
2. 以下哪种不是常见的刻蚀方法（）A. 干法刻蚀B. 湿法刻蚀C. 激光刻蚀D. 声波刻蚀答案：D解析：声波刻蚀不是常见的刻蚀方法，常见的是干法刻蚀、湿法刻蚀和激光刻蚀。
3. 干法刻蚀中常用的刻蚀气体有（）A. 氧气B. 氮气C. 氯气D. 氢气答案：C解析：氯气在干法刻蚀中是常用的刻蚀气体。
4. 湿法刻蚀通常使用的刻蚀剂是（）A. 强酸B. 强碱C. 盐溶液D. 有机溶液答案：A解析：强酸是湿法刻蚀中通常使用的刻蚀剂。
5. 刻蚀机的精度主要取决于（）A. 刻蚀方法B. 刻蚀气体C. 设备结构D. 控制系统答案：D解析：控制系统对刻蚀机的精度起到关键作用。
6. 以下哪种材料对刻蚀的选择性较高（）A. 金属B. 半导体C. 绝缘体D. 有机物答案：C解析：绝缘体对刻蚀的选择性通常较高。
7. 刻蚀过程中的侧壁垂直度主要影响（）A. 器件性能B. 材料纯度C. 生产效率D. 成本答案：A解析：侧壁垂直度会直接影响器件的性能。
8. 提高刻蚀速率的方法不包括（）A. 增加刻蚀气体流量B. 提高温度C. 降低压力D. 减小刻蚀面积答案：D解析：减小刻蚀面积并不能提高刻蚀速率。
9. 刻蚀机的维护保养重点在于（）A. 清洁刻蚀腔B. 更换零部件C. 校准仪器D. 以上都是答案：D解析：刻蚀机的维护保养包括清洁刻蚀腔、更换零部件和校准仪器等多个方面。
10. 刻蚀机的工作环境要求（）A. 高温高压B. 高湿度C. 无尘无菌D. 强磁场答案：C解析：刻蚀机的工作环境要求无尘无菌，以保证刻蚀质量。
11. 以下哪种不是刻蚀机的关键部件（）A. 真空泵B. 气体流量计C. 加热装置D. 冷却装置答案：D解析：冷却装置不是刻蚀机的关键部件，真空泵、气体流量计和加热装置相对更关键。
刻蚀类操作员 岗位培训试题(五)
刻蚀类操作员岗位培训试题（五）一基本知识1 我们工厂生产什么产品？2 CF全称是什么？3 在生产CF时，我们常说的三原色是什么？4 什么种类的CF要到D线生产？5 我们所用的原料玻璃四个角中有一个与众不同，作用是什么？玻璃的大角方向（方向角）与玻璃膜面及浮法方向的关系怎样？6 简单说明净化间的等级概念，100级表示什么？7 进入净化间的空气一般经过几级过滤？对应的过滤器是什么？8 净化间的清洁工具、用品有哪些？9 为什么不能在净化间用一般的家用吸尘器？10 在净化间硬件一定的情况下，主要污染源是什么？11 净化间管理的四大原则是什么？12 穿脱净化工衣的顺序是什么？13 风淋室的作用是什么？14 把我们的净化服锁入柜中，可以吗？为什么？15 净化间有的地方用白色日光灯，有的地方用黄光灯，为什么？16 我们用的纯水很干净，口渴了喝一点没有关系，对吗？17 净化间地板很干净，可以坐在地板上，对吗？18 我们使用的玻璃原片厂家有哪些？二岗位知识1 你能熟练操作LOADER、刻蚀机、剥离机、POSTBAKE、UNLOADER设备吗？2 你认为你自己做好工作准备了吗？你认为可以做好本职工作吗？3 刻蚀机、剥离机的清洁规定？4 《工序流程卡》上你要填写哪些内容？5 本工序要确认的特性参数有哪些？？6 DUMMY玻璃、条件板与正常玻璃如何区分？7本工序有哪些记录需要你填写？8本工位的工艺核查有哪些内容？9 刻蚀液有哪几类？对应的配比是多少？10剥离液有哪几种？对应配比多少?11你认为哪些是刻蚀、剥离工序最重要的参数？12 POST BAKE的常用的温度是多少？13 常用的刻蚀液温度是多少?更换频次?14玻璃的方向角在本工序有什么规定？15 高压泵常用设置是多少？16 常用的剥离液温度是多少?更换频次？17 在剥离段, 怎么样使用水封?需注意什么？18 按抛光方式分,铝膜分为哪几类?19 铝膜厚度有哪几种?20 你的上下游工序是什么？如何保持信息畅通？21 本工序容易产生的产品缺陷有哪些？如何避免？22 什么物质或原因容易造成刻蚀液实效？如何避免？23 什么物质或原因容易造成剥离液失效？如何避免？24 UV-254在本工序的作用是什么？25 为什么铝膜特别容易被破坏？生产中要注意的问题有哪些？26 在生产本工序时我们强调要注意安全，主要是指什么？27 生产时，出了问题怎么办？。
刻蚀试卷(工艺质量设备安全)
工号：姓名：工序：
刻蚀工序考题
一、填空题：
1.刻蚀设备整个系统主要由＿＿、＿＿、＿＿和＿＿四块组成。
2.RENA刻蚀清洗机共有＿个槽，分别是：＿＿＿＿＿＿。
3.RENA刻蚀清洗机共有＿个滤清器，其中＿＿槽没有滤清器。
4.刻蚀设备开机前首先要打开＿＿＿。
5.刻蚀设备开机流程为：＿＿＿＿＿＿。
6.制冷机里面所加的溶液为＿＿和＿＿，比例为＿＿。
7.刻蚀车间常见的危险化学品有＿＿、＿＿、＿＿、＿＿等。
8.刻蚀工序的目的是和。
9.刻蚀的工艺步骤：上片碱洗清
洗清洗
10.对于单面扩散的硅片，在刻蚀机上放硅片时，硅片的扩散面
必须
11．刻边后硅片各边的绝缘电阻为
12.刻蚀工序的质量控制点为、、、
13.多晶156的硅片减薄量控制要求为。
14.刻蚀槽的主要影响因素为、、。
二、简答题：
1.简述生产操作人员在设备人员不在场时发生设备故障如何处
理？
2.RENA刻蚀设备与RENA制绒设备的区别
3.刻蚀工艺中皮肤接触到酸或误食后的紧急处理方法
4.RENA设备刻蚀槽中所用的化学品是什么，分别有什么作用？
5.检验PSG是否去除干净的方法
6.异常分析：造成PECVD后有水痕的主要原因有哪些，应怎么
处理？。
ETCH的基础知识[1]
![ETCH的基础知识[1]](https://img.taocdn.com/s3/m/896fa8593b3567ec102d8a2f.png)
ETCH何谓蚀刻(Etch)?答：将形成在晶圆表面上的薄膜全部，或特定处所去除至必要厚度的制程。
蚀刻种类:答：(1) 干蚀刻(2) 湿蚀刻蚀刻对象依薄膜种类可分为:答：poly,oxide, metal半导体中一般金属导线材质为何?答：鵭线(W)/铝线(Al)/铜线(Cu)何谓dielectric 蚀刻(介电质蚀刻)?答：Oxide etch and nitride etch半导体中一般介电质材质为何?答：氧化硅/氮化硅何谓湿式蚀刻答：利用液相的酸液或溶剂;将不要的薄膜去除何谓电浆Plasma?答：电浆是物质的第四状态.带有正,负电荷及中性粒子之总和;其中包含电子,正离子, 负离子,中性分子,活性基及发散光子等,产生电浆的方法可使用高温或高电压.何谓干式蚀刻?答：利用plasma将不要的薄膜去除何谓Under-etching(蚀刻不足)?答：系指被蚀刻材料，在被蚀刻途中停止造成应被去除的薄膜仍有残留何谓Over-etching(过蚀刻)答：蚀刻过多造成底层被破坏何谓Etch rate(蚀刻速率)答：单位时间内可去除的蚀刻材料厚度或深度何谓Seasoning(陈化处理)答：是在蚀刻室的清净或更换零件后，为要稳定制程条件，使用仿真（dummy）晶圆进行数次的蚀刻循环。
Asher的主要用途:答：光阻去除Wet bench dryer 功用为何?答：将晶圆表面的水份去除列举目前Wet bench dry方法:答：(1) Spin Dryer (2) Marangoni dry (3) IPA Vapor Dry何谓Spin Dryer答：利用离心力将晶圆表面的水份去除何谓Maragoni Dryer答：利用表面张力将晶圆表面的水份去除何谓IPA Vapor Dryer答：利用IPA(异丙醇)和水共溶原理将晶圆表面的水份去除测Particle时,使用何种测量仪器?答：T encor Surfscan测蚀刻速率时,使用何者量测仪器?答：膜厚计,测量膜厚差值何谓AEI答：After Etching Inspection 蚀刻后的检查AEI目检Wafer须检查哪些项目:答：(1) 正面颜色是否异常及刮伤(2) 有无缺角及Particle (3)刻号是否正确金属蚀刻机台转非金属蚀刻机台时应如何处理?答：清机防止金属污染问题金属蚀刻机台asher的功用为何?答：去光阻及防止腐蚀金属蚀刻后为何不可使用一般硫酸槽进行清洗?答：因为金属线会溶于硫酸中"Hot Plate"机台是什幺用途?答：烘烤Hot Plate 烘烤温度为何?答：90~120 度C何种气体为Poly ETCH主要使用气体?答：Cl2, HBr, HCl用于Al 金属蚀刻的主要气体为答：Cl2, BCl3用于W金属蚀刻的主要气体为答：SF6何种气体为oxide vai/contact ETCH主要使用气体?答：C4F8, C5F8, C4F6硫酸槽的化学成份为:答：H2SO4/H2O2AMP槽的化学成份为:答：NH4OH/H2O2/H2OUV curing 是什幺用途?答：利用UV光对光阻进行预处理以加强光阻的强度"UV curing"用于何种层次?答：金属层何谓EMO?答：机台紧急开关EMO作用为何?答：当机台有危险发生之顾虑或已不可控制,可紧急按下湿式蚀刻门上贴有那些警示标示?答：(1) 警告.内部有严重危险.严禁打开此门(2) 机械手臂危险. 严禁打开此门(3 ) 化学药剂危险. 严禁打开此门遇化学溶液泄漏时应如何处置?答：严禁以手去测试漏出之液体. 应以酸碱试纸测试. 并寻找泄漏管路.遇IPA 槽着火时应如何处置??答：立即关闭IPA 输送管路并以机台之灭火器灭火及通知紧急应变小组BOE槽之主成份为何?答：HF(氢氟酸)与NH4F(氟化铵).BOE为那三个英文字缩写?答：Buffered Oxide Etcher 。
蚀刻操作员试卷及答案
电镀工序蚀刻试卷岗位__________ 姓名__________ 分数__________一．填空题（每空3分，共36分）1．开线生产前需检查各药水槽、水槽液位、温度、浓度、压力是否达到标准，检查喷嘴有无堵塞。
2．生产前必须确认流程卡流程是否正确，注意底铜厚度，板电是否有加厚铜，在调整蚀刻速度、压力。
3．内层板厚小于0.3 mm板件特别注意卡板报废，生产时需用边条拖板，必要时外发内层蚀刻线蚀刻。
4．线宽、线距≤8MIL板件必须首件确认后方可批量生产。
5．蚀刻前锣槽或半孔板件在退膜前需先过蚀刻机将锣槽披锋、铜刺去除，以防毛刺盖住干膜在蚀刻后留下残铜。
二．判断题（对的打“√”，错的打“×”）（每题3分，共24分）1．退膜前必须确认流程，完成面铜要求大于1OZ板件必须切片确认铜厚。
（√）2．每班必须检查药水液位、温度、浓度；检查速度、压力、摇摆是否正常，无卡板现象才能开线生产。
（√）3．蚀刻不净返蚀时不需做首件确认。
（×）4．取板时轻拿轻放，避免划伤锡面蚀刻时造成开路。
（√）5．保养时佩戴劳保用品，严谨强酸进入蚀刻、退膜槽液，因强酸会与强碱发生强烈的中和反应，造成槽液沸腾，甚至损坏设备。
（×）6．蚀刻缸倒缸时，用酸碱水清洗沉淀结晶部分，所用废水排放时与回收蚀刻液管道不同，保养时应特别注意切换。
（√）7．蚀刻缸倒缸用的过滤泵抽药水时直接开机即可，不用切换开关。
（×）8．由于水池效应导致蚀刻药水喷到板面的压力不同，在生产做板时必须将上压力调大，以调整上、下两面的蚀刻量一致。
（√）三．问答题（共40分）1．请写出锣半孔板的蚀刻流程。
（15分）答：锣半孔→过蚀刻机→退膜→蚀刻→退锡2．简述蚀刻倒缸过程？（25分）答：1.将蚀刻液抽至储备槽；2.清洗蚀刻缸，酸洗循环30分钟；3.排放酸洗水，清洗喷嘴；4.氨水循环15分钟后排放；5.将蚀刻液抽回蚀刻缸，调整药水。
蚀刻基础知识考核试题
蚀刻知识培训考核试题姓名 部门 分数一、选择题：(每题3分，10题共30分，在括号内填入正确答案的字母)1、一般碱性蚀刻工序与退锡工序、退膜工序联动成线，行业内称简称()线。
A、DESB、SESC、PTHD、VCP2、一般酸性蚀刻工序与显影工序、退膜工序联动成线，行业内称简称()线。
A、DESB、SESC、PTHD、VCP3、碱性蚀刻液分析的参数不包括下列哪个参数（ ）。
A、pHB、比重C、铜离子浓度D、酸度E、氯离子浓度4、酸性蚀刻液分析的参数不包括下列哪个参数（ ）。
A、pHB、比重C、铜离子浓度D、酸度E、ORP5、目前市场上的酸性蚀刻液按类型分有（ ）种。
A、1B、2C、3D、46、双液型酸性蚀刻液的氧化剂我们一般不用以下哪种物料进行配制( )。
A、氯酸钠B、氯化钠C、氯化铵D、盐酸7、碱性蚀刻液子液的原物料不包括以下哪个（ ）。
A、氨水B、液氨C、氯化铵D、氯化钠8、蚀刻液品质的好坏有几个关键考察点，以下哪个不是客户重点评估的因素（ ）。
A、蚀刻速率B、蚀刻因子C、蚀刻液比重D、蚀刻稳定性9、单液型酸性蚀刻液控制主要参数不包括哪个（ ）。
A、比重B、酸度C、氯离子D、ORP10、目前市场上的酸性蚀刻液不包括哪种体系（ ）。
A、盐酸-氯酸钠体系B、盐酸-双氧水体系C、盐酸-三氯化铁体系D、硫酸-双氧水体系二、判断题(每题2分，10题共20分，正确的打“√”，错误的打“×”)1、一般正常的双液型酸性蚀刻液的蚀刻速率为35um/min左右。
( )2、蚀刻线的生产员工所说的1条、2条的“条”是说的密耳即25.4um。
( )3、碱性蚀刻线上，比重1.202，氯离子浓度190g/L,铜离子102g/L。
( )4、DES线的工艺流程为显影－退膜－蚀刻－烘干。
( )5、SES线的工艺流程为退膜－蚀刻－退锡－烘干。
( )6、目前碱性蚀刻液制程能力为最小的线路为3/3mil。
( )7、酸性蚀刻液的ORP控制在530mv,此时工作槽的溶液是黑色的。
等离子体刻蚀工艺参数优化考核试卷
B.塑料
C.硅片
D.纤维
2.等离子体刻蚀过程中，等离子体的主要作用是什么？()
A.提供刻蚀能量
B.转移刻蚀材料
C.保护非刻蚀区域
D.清洗刻蚀表面
3.以下哪项是等离子体刻蚀的特点？()
A.选择性好
B.刻蚀速率慢
C.刻蚀不均匀
D.对材料损伤小
4.等离子体刻蚀过程中，影响刻蚀速率的主要因素是什么？()
2.等离子体刻蚀的速率与刻蚀功率成正比。（）
3.在等离子体刻蚀工艺中，增加刻蚀气体流量会提高刻蚀速率。（）
4.等离子体刻蚀过程中，过高的压力会导致刻蚀速率降低。（）
5.等离子体刻蚀的选择性只与刻蚀气体种类有关。（）
6.等离子体刻蚀中的侧壁粗糙度可以通过提高刻蚀功率来改善。（）
7.等离子体刻蚀工艺中，湿法刻蚀比干法刻蚀具有更好的选择性。（）
3.等离子体刻蚀过程中，如何平衡刻蚀速率和刻蚀均匀性？请从工艺参数调整的角度给出具体措施。
4.请阐述等离子体刻蚀工艺中颗粒产生的原因，并介绍减少颗粒生成的有效方法。
标准答案
一、单项选择题
1. C
2. A
3. A
4. B
5. C
6. B
7. C
8. B
9. A
10. D
11. D
12. C
13. B
14. A
A.刻蚀气体流量
B.刻蚀功率
C.腔体压力
D.刻蚀气体种类
20.在等离子体刻蚀工艺参数优化时，以下哪些目标是重要的？()
A.提高刻蚀速率
B.提高刻蚀选择性
C.提高刻蚀均匀性
D.降低刻蚀损伤
（以下为试卷其他部分的提示，实际内容请根据需求自行编写）
刻蚀(ETCH)工艺的基础知识
刻蚀（ETCH）工艺的基础知识何谓蚀刻(Etch)?答：将形成在晶圆表面上的薄膜全部，或特定处所去除至必要厚度的制程。
蚀刻种类:答：(1) 干蚀刻(2) 湿蚀刻蚀刻对象依薄膜种类可分为:答：poly,oxide, metal半导体中一般金属导线材质为何?答：鵭线(W)/铝线(Al)/铜线(Cu)何谓 dielectric 蚀刻(介电质蚀刻)?答：Oxide etch and nitride etch半导体中一般介电质材质为何?答：氧化硅/氮化硅何谓湿式蚀刻答：利用液相的酸液或溶剂;将不要的薄膜去除何谓电浆 Plasma?答：电浆是物质的第四状态.带有正,负电荷及中性粒子之总和;其中包含电子,正离子,负离子,中性分子,活性基及发散光子等,产生电浆的方法可使用高温或高电压.何谓干式蚀刻?答：利用plasma将不要的薄膜去除何谓Under-etching(蚀刻不足)?答：系指被蚀刻材料，在被蚀刻途中停止造成应被去除的薄膜仍有残留何谓Over-etching(过蚀刻 )答：蚀刻过多造成底层被破坏何谓Etch rate(蚀刻速率)答：单位时间内可去除的蚀刻材料厚度或深度何谓Seasoning(陈化处理)答：是在蚀刻室的清净或更换零件后，为要稳定制程条件，使用仿真（dummy）晶圆进行数次的蚀刻循环。
Asher的主要用途:答：光阻去除Wet bench dryer 功用为何?答：将晶圆表面的水份去除列举目前Wet bench dry方法:答：(1) Spin Dryer (2) Marangoni dry (3) IPA Vapor Dry何谓 Spin Dryer答：利用离心力将晶圆表面的水份去除何谓 Maragoni Dryer答：利用表面张力将晶圆表面的水份去除何谓 IPA Vapor Dryer答：利用IPA(异丙醇)和水共溶原理将晶圆表面的水份去除测Particle时,使用何种测量仪器?答：Tencor Surfscan测蚀刻速率时,使用何者量测仪器?答：膜厚计,测量膜厚差值何谓 AEI答：After Etching Inspection 蚀刻后的检查AEI目检Wafer须检查哪些项目:答：(1) 正面颜色是否异常及刮伤 (2) 有无缺角及Particle (3)刻号是否正确金属蚀刻机台转非金属蚀刻机台时应如何处理?答：清机防止金属污染问题金属蚀刻机台asher的功用为何?答：去光阻及防止腐蚀金属蚀刻后为何不可使用一般硫酸槽进行清洗?答：因为金属线会溶于硫酸中"Hot Plate"机台是什幺用途?答：烘烤Hot Plate 烘烤温度为何?答：90~120 度C何种气体为Poly ETCH主要使用气体?答：Cl2, HBr, HCl用于Al 金属蚀刻的主要气体为答：Cl2, BCl3用于W金属蚀刻的主要气体为答：SF6何种气体为oxide vai/contact ETCH主要使用气体?答：C4F8, C5F8, C4F6硫酸槽的化学成份为:答：H2SO4/H2O2AMP槽的化学成份为:答：NH4OH/H2O2/H2OUV curing 是什幺用途?答：利用UV光对光阻进行预处理以加强光阻的强度"UV curing"用于何种层次?答：金属层何谓EMO?答：机台紧急开关EMO作用为何?答：当机台有危险发生之顾虑或已不可控制,可紧急按下湿式蚀刻门上贴有那些警示标示?答：(1) 警告.内部有严重危险.严禁打开此门 (2) 机械手臂危险. 严禁打开此门(3) 化学药剂危险. 严禁打开此门遇化学溶液泄漏时应如何处置?答：严禁以手去测试漏出之液体. 应以酸碱试纸测试. 并寻找泄漏管路.遇 IPA 槽着火时应如何处置??答：立即关闭IPA 输送管路并以机台之灭火器灭火及通知紧急应变小组BOE槽之主成份为何?答：HF(氢氟酸)与NH4F(氟化铵).BOE为那三个英文字缩写 ?答：Buffered Oxide Etcher 。
金属表面处理的刻蚀技术考核试卷
B.高浓度的
C.中等浓度的
D.酸性
12.溶液刻蚀时，刻蚀速率与刻蚀液的（）成正比。
A.温度
B.流量
C.浓度
D. pH值
13.离子束刻蚀中，刻蚀速率与离子束的（）成反比。
A.能量
B.流量
C.密度
D.压强
14.化学刻蚀过程中，为了提高刻碱性
C.中性
D.碱性或酸性
5.刻蚀过程中，为了提高刻蚀均匀性，通常采用（）。
A.单面刻蚀
B.双面刻蚀
C.多面刻蚀
D.随机刻蚀
6.离子束刻蚀中，刻蚀速率与离子束的（）成正比。
A.能量
B.流量
C.密度
D.压强
7.化学刻蚀过程中，为了控制刻蚀深度，需要调整（）。
A.刻蚀时间
B.刻蚀液的浓度
C.温度
D.金属的纯度
8.激光刻蚀的主要优点是（）。
A.刻蚀速度快
B.刻蚀精度高
C.刻蚀成本低
D.可实现复杂图案刻蚀
9.刻蚀过程中，为了防止腐蚀到邻近区域，常使用（）。
A.防护膜
B.防护罩
C.防护液
D.防护板
10.以下哪种刻蚀方法适用于大面积刻蚀？（）
A.离子束刻蚀
B.激光刻蚀
C.化学刻蚀
D.机械刻蚀
11.刻蚀过程中，为了提高刻蚀质量，应选用（）刻蚀液。
A.提高金属的耐磨性
B.改善金属的耐腐蚀性
C.优化金属的表面性能
D.增加金属的导电性
2.以下哪些是化学刻蚀的优点？（）
A.刻蚀速度快
B.刻蚀成本低
C.刻蚀均匀性好
D.可实现复杂图案刻蚀
3.在离子束刻蚀中，以下哪些因素会影响刻蚀速率？（）
蚀刻操作员试卷及答案
电镀工序蚀刻试卷岗位__________ 姓名__________ 分数__________一．填空题（每空3分，共36分）1．开线生产前需检查各药水槽、水槽液位、温度、浓度、压力是否达到标准，检查喷嘴有无堵塞。
2．生产前必须确认流程卡流程是否正确，注意底铜厚度，板电是否有加厚铜，在调整蚀刻速度、压力。
3．内层板厚小于0.3 mm板件特别注意卡板报废，生产时需用边条拖板，必要时外发内层蚀刻线蚀刻。
4．线宽、线距≤8MIL板件必须首件确认后方可批量生产。
5．蚀刻前锣槽或半孔板件在退膜前需先过蚀刻机将锣槽披锋、铜刺去除，以防毛刺盖住干膜在蚀刻后留下残铜。
二．判断题（对的打“√”，错的打“×”）（每题3分，共24分）1．退膜前必须确认流程，完成面铜要求大于1OZ板件必须切片确认铜厚。
（√）2．每班必须检查药水液位、温度、浓度；检查速度、压力、摇摆是否正常，无卡板现象才能开线生产。
（√）3．蚀刻不净返蚀时不需做首件确认。
（×）4．取板时轻拿轻放，避免划伤锡面蚀刻时造成开路。
（√）5．保养时佩戴劳保用品，严谨强酸进入蚀刻、退膜槽液，因强酸会与强碱发生强烈的中和反应，造成槽液沸腾，甚至损坏设备。
（×）6．蚀刻缸倒缸时，用酸碱水清洗沉淀结晶部分，所用废水排放时与回收蚀刻液管道不同，保养时应特别注意切换。
（√）7．蚀刻缸倒缸用的过滤泵抽药水时直接开机即可，不用切换开关。
（×）8．由于水池效应导致蚀刻药水喷到板面的压力不同，在生产做板时必须将上压力调大，以调整上、下两面的蚀刻量一致。
（√）三．问答题（共40分）1．请写出锣半孔板的蚀刻流程。
（15分）答：锣半孔→过蚀刻机→退膜→蚀刻→退锡2．简述蚀刻倒缸过程？（25分）答：1.将蚀刻液抽至储备槽；2.清洗蚀刻缸，酸洗循环30分钟；3.排放酸洗水，清洗喷嘴；4.氨水循环15分钟后排放；5.将蚀刻液抽回蚀刻缸，调整药水。
湿法刻蚀设备工艺改进考核试卷
A.光刻胶
B.硅
C.铝
D.水
2.以下哪些因素会影响湿法刻蚀的选择性？（）
A.溶液浓度
B.刻蚀时间
C.溶液温度
D.硅片材质
3.湿法刻蚀设备中的溶液循环系统包括以下哪些部分？（）
A.泵
B.管道
C.过滤器
D.冷却器
4.以下哪些措施可以提高湿法刻蚀的刻蚀速率？（）
5.湿法刻蚀过程中，下列哪项因素会影响刻蚀速率？（）
A.溶液温度
B.刻蚀液浓度
C.电源频率
D.设备颜色
6.以下哪种技术通常用于湿法刻蚀的工艺改进？（）
A.硅片旋转
B.紫外光照射
C.真空环境
D.高频电源
7.湿法刻蚀设备中的喷嘴设计，主要影响以下哪一项性能？（）
A.刻蚀均匀性
B.刻蚀速率
C.溶液回收率
D.设备体积
B.物理冲击
C.热能作用
D.光照作用
2.以下哪种溶液通常不用于湿法刻蚀工艺？（）
A.硝酸
B.氢氟酸
C.磷酸
D.乙醇
3.湿法刻蚀设备中，冷却系统的目的是什么？（）
A.提高刻蚀速率
B.防止溶液温度过高
C.降低化学反应活性
D.提高溶液粘度
4.下列哪种材料对湿法刻蚀液较为敏感？（）
A.硅
B.玻璃
C.铝
D.不锈钢
2.刻蚀均匀性
3.喷嘴角度
4.稀释剂
5.温度
6.浓度
7.过滤器
8.过刻蚀
9.氧化层
10.生产
四、判断题
1. ×
2. ×
3. √
4. ×
5. √
刻蚀(ETCH)工艺的基础知识
刻蚀（ETCH ）工艺的基础知识f4 }" y# [7 N. @4 g何谓蚀刻（Etch）? 答：将形成在晶圆表面上的薄膜全部，或特定处所去除至必要厚度的制程。
蚀刻种类:答：（1）干蚀刻（2）湿蚀刻蚀刻对象依薄膜种类可分为: 答：poly,oxide, metal 半导体中一般金属导线材质为何?答：鵭线（W）/铝线（Al）/ 铜线（Cu） 8 n5 i! \; k5 ]& f |何谓dielectric 蚀刻（介电质蚀刻）?答：Oxide etch and nitride etch 半导体中一般介电质材质为何? 答：氧化硅/氮化硅何谓湿式蚀刻答：利用液相的酸液或溶剂;将不要的薄膜去除 4 E% e8 p3 A8 q6 F5 U 何谓电浆Plasma?答：电浆是物质的第四状态.带有正,负电荷及中性粒子之总和;其中包含电子,正离子, 负离子,中性分子,活性基及发散光子等,产生电浆的方法可使用高温或高电压.何谓干式蚀刻?答：利用plasma 将不要的薄膜去除何谓Under-etching（蚀刻不足）? $ a$ o2 k; j9 F; N答：系指被蚀刻材料，在被蚀刻途中停止造成应被去除的薄膜仍有残留 6 m9 d- c! W! `. `6 ?" D） ?0 h; l何谓Over-etching（过蚀刻）答：蚀刻过多造成底层被破坏何谓Etch rate（蚀刻速率） ! n* v/ r6 b0 ` 答：单位时间内可去除的蚀刻材料厚度或深度8 _5 F4 Q+ r） D8 n2 K何谓Seasoning（陈化处理）答：是在蚀刻室的清净或更换零件后，为要稳定制程条件，使用仿真（dummy ）晶圆* L% r$ a5 L5 p, D N% C 进行数次的蚀刻循环。
& H2 O6 r2 K0 p6 u* W（ @2 A9 b5 N Asher 的主要用途:答：光阻去除* m8 q" @; {* MWet bench dryer 功用为何? ; c* ?# M" a% d Q# G$ q3 k, Y' d. P 答：将晶圆表面的水份去除& q+ k& d+ p: m9 M% k（ g' U2 M 列举目前Wet bench dry方法: 9 [* L b4 e+ ] O）T答：(1) Spin Dryer (2) Marangoni dry (3) IPA Vapor Dry ( }" C: r, A' w/ q/ T 何谓Spin Dryer " {6 n5 S4 |: ~0 Y+ I1 H$ p0 z: j8 b& M 答：利用离心力将晶圆表面的水份去除何谓Maragoni Dryer 答：利用表面张力将晶圆表面的水份去除- R( s3 v& r) Q( g7 p 何谓IPA Vapor Dryer 9 X4 R3 @* m% I2 I C% R 答：利用IPA(异丙醇)和水共溶原理将晶圆表面的水份去除0 q4 s$ e' Z' W* |测Particle 时,使用何种测量仪器?答：TencorSurfscan 测蚀刻速率时,使用何者量测仪器? 8 M6 d5 ~% \) g 答：膜厚计,测量膜厚差值 2 X, {1 M$ f& S 何谓AEI答：After Etching Inspection 蚀刻后的检查7 d J( [" | o8 T# ]AEI 目检Wafer 须检查哪些项目:答：(1) 正面颜色是否异常及刮伤(2) 有无缺角及Particle (3)刻号是否正确0 J- E7 |* b- Y" s, I' O: S' ~金属蚀刻机台转非金属蚀刻机台时应如何处理? : K% |+ m4 T2 a 答：清机防止金属污染问题( Y* G Z, S0 v7 `9 m5 i5 [ 金属蚀刻机台asher的功用为何? " ^/ m! u) E5 p7 V/ M2 r3 r 答：去光阻及防止腐蚀金属蚀刻后为何不可使用一般硫酸槽进行清洗? 答：因为金属线会溶于硫酸中7 z5 {0 @ A1 I+ s5 f9 _0 d "Hot Plate"机台是什幺用途? % Y& H. w2 p5 g/ b* n 答：烘烤, x1 | J% L# S4 K4 n) z, F- x Hot Plate 烘烤温度为何? 1 M) I4 o5 ~4 d0 F9 J: z 答：90~120 度 C 5 O& G$ V6 ?; |: o" K* ]3 u 何种气体为Poly ETCH 主要使用气体? ! q! \# {# K5 \/A 答：Cl2, HBr, HCl $ I% O* e$ |; s# T4 l 用于Al 金属蚀刻的主要气体为# N( {( @* l;W0 V% D 答：Cl2, BCl3 用于W 金属蚀刻的主要气体为答：SF6 , s0 r! a# b! R( D 何种气体为oxide vai/contact ETCH 主要使用气体? 答：C4F8, C5F8, C4F6 硫酸槽的化学成份为: 答：H2SO4/H2O2 $ ]% j) m6 ^4 E9 y* K& y AMP 槽的化学成份为: 答：NH4OH/H2O2/H2OUV curing 是什幺用途?答：利用UV 光对光阻进行预处理以加强光阻的强度- D Q* r0 F+ C2 h; W0 X"UV curing" 用于何种层次? $ b1 Z* ?5 U. K" b4 L5 M0 m 答：金属层何谓EMO? " d' F6 I/ a. x: b, I9 q" H: x! ` 答：机台紧急开关EMO 作用为何? 8 Q* s1 i( \1 o: ]&i; J 答：当机台有危险发生之顾虑或已不可控制,可紧急按下湿式蚀刻门上贴有那些警示标示?答：(1) 警告.内部有严重危险.严禁打开此门(2) 机械手臂危险. 严禁打开此门(38 f- A4 k" I; @/ F5 n) 化学药剂危险. 严禁打开此门遇化学溶液泄漏时应如何处置? - }, Y9 u; L( b. A7 g$ X2 n( q 答：严禁以手去测试漏出之液体. 应以酸碱试纸测试. 并寻找泄漏管路. 遇IPA 槽着火时应如何处置??答：立即关闭IPA 输送管路并以机台之灭火器灭火及通知紧急应变小组/ H X8 e! [-r0 M; P. }BOE 槽之主成份为何?答：HF(氢氟酸)与NH4F(氟化铵).BOE 为那三个英文字缩写?答：Buffered Oxide Etcher 。
半导体器件的干法刻蚀技术考核试卷
9. 硅片的掺杂类型会影响干法刻蚀的刻蚀速率。（ ）
10. 干法刻蚀后的硅片表面粗糙度与刻蚀时间无关。（ ）
五、主观题（本题共4小题，每题10分，共40分）
1. 请简述干法刻蚀与湿法刻蚀的主要区别，并说明干法刻蚀在半导体器件制造中的应用优势。（10分）
4. 通过优化刻蚀气体成分、调整反应室压力、控制刻蚀功率和温度等工艺参数，可以提高刻蚀选择比和均匀性。同时，使用钝化气体和保护层可以降低离子损伤。
2. 描述干法刻蚀过程中可能出现的几种常见问题（如刻蚀偏差、刻蚀残留等），并分析其产生原因。（10分）
3. 详细说明干法刻蚀中的各向异性刻蚀原理，以及如何通过调整工艺参数来实现更好的各向异性刻蚀效果。（10分）
4. 讨论在干法刻蚀过程中，如何优化工艺参数以提高刻蚀选择比和刻蚀均匀性，并降低离子损伤。（10分）
D.湿法刻蚀
4. 在干法刻蚀中，等离子体的作用是什么？（ ）
A. 生成自由基
B. 吸收热量
C. 提供反应动力
D. 以上都是
5. 下列哪种气体在干法刻蚀过程中用作钝化气体？（ ）
A. 氮气
B. 氧气
C. 氯气
D. 硅烷
6. 以下哪个因素会影响干法刻蚀的选择比？（ ）
A. 刻蚀气体种类
B. 反应室温度
C. 电路设计
D. 防止硅片受损
15. 下列哪种气体在干法刻蚀过程中用作刻蚀气体？（ ）
A. 氮气
B. 氧气
C. 氟化氢
D. 二氧化硫
16. 在干法刻蚀中，为什么需要控制反应室压力？（ ）
A. 影响刻蚀速率
B. 影响刻蚀均匀性
C. 影响选择比
光伏电池刻蚀设备考核试卷
4.常见问题包括刻蚀不均匀、局部过刻蚀、电池片损伤等。解决措施包括检查和调整刻蚀参数、清洗设备和检查气体供应系统等。
9.光伏电池刻蚀过程中，电池片的放置方式不会影响刻蚀效果。（）
10.光伏电池刻蚀设备的维护保养可以随时进行，无需停机。（）
五、主观题（本题共4小题，每题10分，共40分）
1.请简述光伏电池刻蚀的主要目的及其对光伏电池性能的影响。
2.描述光伏电池刻蚀设备中的刻蚀机的工作原理，并说明如何优化刻蚀工艺以提高刻蚀质量。
1.光伏电池刻蚀的主要目的包括：（）
A.减少表面反射
B.提高电池效率
C.增加电池表面粗糙度
D.提高电池的机械强度
2.光伏电池刻蚀设备在运行前需要进行的检查包括：（）
A.检查气体供应系统是否正常
B.检查刻蚀机是否清洁
C.检查自动传输系统是否顺畅
D.检查电源是否稳定
3.以下哪些因素会影响光伏电池刻蚀的均匀性？（）
A.视觉检查
B.电阻率测试
C.光谱分析
D.尺寸测量
20.光伏电池刻蚀设备在停机维护时，以下哪些工作是必须进行的？（）
A.清洗刻蚀机内部
B.更换损坏的部件
C.检查气体管道是否有泄漏
D.对设备进行全面的性能测试
三、填空题（本题共10小题，每小题2分，共20分，请将正确答案填到题目空白处）
1.光伏电池刻蚀设备中，刻蚀机通常采用的刻蚀技术是_______技术。
A.刻蚀液的浓度
B.刻蚀时间
C.电池片的温度
D.刻蚀机的气流分布
4.光伏电池刻蚀过程中可能出现的缺陷包括：（）
刻蚀工艺考试题及答案
刻蚀工艺考试题及答案一、单项选择题（每题2分，共10分）1. 刻蚀工艺中，湿法刻蚀与干法刻蚀的主要区别在于：A. 刻蚀速率B. 刻蚀环境C. 刻蚀材料D. 刻蚀设备答案：B2. 在半导体制造过程中，光刻胶的主要作用是：A. 保护硅片B. 作为刻蚀掩模C. 提供导电路径D. 作为热传导介质答案：B3. 以下哪种材料不适合作为刻蚀过程中的掩模材料？A. 光刻胶B. 硅片C. 金属D. 氧化硅答案：B4. 刻蚀过程中，侧壁角度的控制对于以下哪项工艺至关重要？A. 晶体生长B. 光刻C. 扩散D. 离子注入答案：B5. 干法刻蚀中，等离子体刻蚀技术的主要优点是：A. 刻蚀速率快B. 刻蚀选择性好C. 刻蚀均匀性好D. 所有上述优点答案：D二、多项选择题（每题3分，共15分）1. 刻蚀工艺中，以下哪些因素会影响刻蚀速率？A. 刻蚀液的浓度B. 刻蚀液的温度C. 刻蚀液的pH值D. 刻蚀液的搅拌速度答案：ABCD2. 刻蚀过程中，以下哪些因素会影响刻蚀选择性？A. 刻蚀液的化学组成B. 被刻蚀材料的性质C. 刻蚀环境的湿度D. 刻蚀液的温度答案：ABD3. 在刻蚀工艺中，以下哪些设备可以用于干法刻蚀？A. 等离子体刻蚀机B. 湿法刻蚀槽C. 离子束刻蚀机D. 光刻机答案：AC4. 刻蚀工艺中，以下哪些材料可以作为刻蚀液？A. 氢氟酸B. 硫酸C. 硝酸D. 磷酸答案：ABCD5. 刻蚀工艺中，以下哪些因素会影响刻蚀均匀性？A. 刻蚀液的流动状态B. 刻蚀液的温度分布C. 刻蚀液的化学稳定性D. 刻蚀设备的设计答案：ABCD三、填空题（每空1分，共10分）1. 刻蚀工艺中，刻蚀速率的单位通常是___________。
答案：纳米/分钟2. 干法刻蚀技术中，常用的等离子体刻蚀气体包括___________和___________。
答案：氟化氢、氯气3. 刻蚀工艺中，刻蚀选择性是指___________材料的刻蚀速率与___________材料的刻蚀速率之比。
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蚀刻知识培训考核试题
姓名 部门 分数
一、选择题：(每题3分，10题共30分，在括号内填入正确答案的字母)
1、一般碱性蚀刻工序与退锡工序、退膜工序联动成线，行业内称简称()线。
A、DES
B、SES
C、PTH
D、VCP
2、一般酸性蚀刻工序与显影工序、退膜工序联动成线，行业内称简称()线。
A、DES
B、SES
C、PTH
D、VCP
3、碱性蚀刻液分析的参数不包括下列哪个参数（ ）。
A、pH
B、比重
C、铜离子浓度
D、酸度
E、氯离子浓度
4、酸性蚀刻液分析的参数不包括下列哪个参数（ ）。
A、pH
B、比重
C、铜离子浓度
D、酸度
E、ORP
5、目前市场上的酸性蚀刻液按类型分有（ ）种。
A、1
B、2
C、3
D、4
6、双液型酸性蚀刻液的氧化剂我们一般不用以下哪种物料进行配制( )。
A、氯酸钠
B、氯化钠
C、氯化铵
D、盐酸
7、碱性蚀刻液子液的原物料不包括以下哪个（ ）。
A、氨水
B、液氨
C、氯化铵
D、氯化钠
8、蚀刻液品质的好坏有几个关键考察点，以下哪个不是客户重点评估的因素（ ）。
A、蚀刻速率
B、蚀刻因子
C、蚀刻液比重
D、蚀刻稳定性
9、单液型酸性蚀刻液控制主要参数不包括哪个（ ）。
A、比重
B、酸度
C、氯离子
D、ORP
10、目前市场上的酸性蚀刻液不包括哪种体系（ ）。
A、盐酸-氯酸钠体系
B、盐酸-双氧水体系
C、盐酸-三氯化铁体系
D、硫酸-双氧水体
系
二、判断题(每题2分，10题共20分，正确的打“√”，错误的打“×”)
1、一般正常的双液型酸性蚀刻液的蚀刻速率为35um/min左右。
( )
2、蚀刻线的生产员工所说的1条、2条的“条”是说的密耳即25.4um。
( )
3、碱性蚀刻线上，比重1.202，氯离子浓度190g/L,铜离子102g/L。
( )
4、DES线的工艺流程为显影－退膜－蚀刻－烘干。
( )
5、SES线的工艺流程为退膜－蚀刻－退锡－烘干。
( )
6、目前碱性蚀刻液制程能力为最小的线路为3/3mil。
( )
7、酸性蚀刻液的ORP控制在530mv,此时工作槽的溶液是黑色的。
( )
8、碱性蚀刻工作液中氯离子浓度的多少对蚀刻速度没影响，只要高于150g/L就行。
( )
9、酸性蚀刻液虽没有监控氯离子浓度，但其浓度还是会影响蚀刻效果。
( )
10、蚀刻生产速度的快慢只由蚀刻速率决定。
( )
三、问答题：(每题10分，3题共30分)
1、碱性蚀刻线生产过程中发生蚀刻不洁事故时，主要从哪些方面排查问题原因?
2、酸性蚀刻线主要控制的参数有哪些，一般控制范围为多少？
3、碱性蚀刻线主要控制的参数有哪些，一般控制范围为多少？
四、理述题(20分)
已知有以下物料与工具：15*15cm双面覆铜板若干，卷尺1个，分析天秤1台，秒表1个,金属铜的密度为8.92g/cm3 ，一条以5m/min正常运行的蚀刻生产线，如何测量正常工作下蚀刻液的蚀刻速率,具体步骤是及计算公式是？。