霍尔效应及其应用(修
霍尔效应及其应用实验报告数据处理
霍尔效应及其应用实验报告数据处理一、实验目的本次实验的主要目的是通过测量霍尔电压、电流等物理量，深入理解霍尔效应的原理，并探究其在实际中的应用。
同时，通过对实验数据的处理和分析，提高我们的科学研究能力和数据处理技巧。
二、实验原理霍尔效应是指当电流垂直于外磁场通过导体时，在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差，这一现象称为霍尔效应。
假设导体中的载流子为电子，其电荷量为 e，平均定向移动速度为v，导体宽度为 b，厚度为 d，外加磁场的磁感应强度为 B。
则电子受到的洛伦兹力为 F ＝ e v B，在洛伦兹力的作用下，电子会向导体的一侧偏转，从而在导体两侧产生电势差，即霍尔电压 UH 。
根据霍尔效应的基本公式：UH ＝ RH I B ／ d ，其中 RH 为霍尔系数。
三、实验仪器霍尔效应实验仪、直流电源、毫安表、伏特表、特斯拉计等。
四、实验步骤1、连接实验仪器，将霍尔元件放入磁场中，确保磁场方向与霍尔元件平面垂直。
2、调节直流电源，给霍尔元件通入恒定电流 I ，并记录电流值。
3、用特斯拉计测量磁场的磁感应强度 B ，并记录。
4、测量霍尔元件两端的霍尔电压 UH ，改变电流和磁场的方向，多次测量取平均值。
五、实验数据记录以下是一组实验数据示例：｜电流 I （mA) ｜磁场 B （T) ｜霍尔电压 UH （mV) ｜｜｜｜｜｜ 500 ｜ 050 ｜ 250 ｜｜ 500 ｜ 100 ｜ 500 ｜｜ 500 ｜ 150 ｜ 750 ｜｜ 1000 ｜ 050 ｜ 500 ｜｜ 1000 ｜ 100 ｜ 1000 ｜｜ 1000 ｜ 150 ｜ 1500 ｜六、数据处理方法1、计算霍尔系数 RH根据公式 UH ＝ RH I B ／ d ，可得 RH ＝ UH d ／（I B) 。
由于 d 为霍尔元件的厚度，在实验中为已知量，因此可以通过测量不同电流和磁场下的霍尔电压，计算出霍尔系数 RH 。
实验报告霍尔效应原理及其应用范文
实验报告霍尔效应原理及其应用范文一、实验目的1.掌握霍尔效应的基本原理。
2.学习如何测量霍尔电压。
3. 理解霍尔元件在磁场中的行为。
4. 了解霍尔效应的应用。
二、实验原理当一块半导体板通过一恒定电流时，板的两端会出现电压VH，即霍尔电压，其方向垂直于板和当前通过板的电流方向。
2.霍尔电压得出公式VH = BIL/ne其中B为磁场强度，I为电流强度，L为元件长度，e为元件载流子密度，n为载流子电荷数。
当元件置于磁场中时，霍尔电压会随着磁场的改变而线性变化。
磁场的强度越强，霍尔电压也越大。
霍尔效应可以应用于测量磁场、磁场传感器、磁传动、自动控制系统等领域。
三、实验材料1.霍尔元件2.磁铁3.电压表4.电流表5.恒流源6.导线四、实验步骤1.将霍尔元件固定在导轨上，并连接电路。
2.将电压表连接到霍尔元件的输出端，并将恒流源连接到元件的输入端。
3.用绿色磁铁靠近元件，然后再用蓝色磁铁靠近元件，观察电表显示。
4.改变恒流源的电流大小，再次使用磁铁观察电表的显示。
5.多次重复步骤3和4，记录数据。
五、实验结果通过实验可得，当恒定电流增加时，霍尔电压随之增加；当磁场强度增加时，电压也会增加。
当磁场方向改变时，霍尔电压的方向也会改变。
利用这些变化，可以测量磁场的强度和方向。
本实验通过观察霍尔效应，学习了如何测量霍尔电压和了解了霍尔元件在磁场中的行为。
同时，实验还介绍了霍尔效应的应用。
通过实验得出数据，验证了霍尔电压与电流、磁场强度之间的关系，并且可以得到准确的磁场测量结果。
霍尔效应及其应用实验原理
霍尔效应及其应用实验原理霍尔效应是一种利用材料内部自由电子的磁场运动所引起的电压现象，也是一种用来测量磁场强度和磁场方向的技术。
该效应可以在所有导体材料中观察到，尤其是在半导体材料中表现出更为复杂的特性。
霍尔效应的实验原理是：当一个导体材料处于垂直于磁场方向的磁场中，自由电子的运动受到磁场的力作用而偏向一侧，形成电荷分离，从而产生电势差，这个电势差称为霍尔电势差。
霍尔电势差与磁场的大小和电流的方向有关。
一般来说，当电流方向与磁场垂直时，霍尔电势差达到最大值；当电流方向与磁场平行时，霍尔电势差为零。
霍尔效应在实际应用中有着广泛的用途，包括测量磁场强度和方向、测量导体材料内部自由电子浓度、测量射线辐照量等。
在半导体材料中，霍尔效应可以用来测量载流子类型、载流子浓度以及半导体的类型等。
在实验中，霍尔效应的应用可以通过霍尔元件进行。
霍尔元件通常是一个纯半导体片，在片的交叉口处引入掺杂杂质，使其形成p型和n型结构，从而形成一个p-n结。
当通过霍尔元件的电流和磁场垂直时，就可以观察到霍尔电势差的产生。
具体实验步骤如下：1.准备霍尔元件。
将霍尔元件插入电路板的插孔中，连接元件的负载电阻。
2.设置磁场。
将磁铁放在电路板上方并打开电源，调整磁铁的位置和方向，使磁场垂直于霍尔元件。
3.测量电压。
开启电源，调节电流大小，记录不同电流下霍尔电压的大小和方向。
4.绘制图表。
将电流和霍尔电压数据绘制成图表，根据图表分析霍尔电势差与电流和磁场的关系。
霍尔效应具有广泛的应用前景，特别是在微电子工业中，可以用来测量半导体性能和器件参数，从而提高半导体器件制造的精度和可靠性。
霍尔效应的应用和原理
霍尔效应的应用和原理1. 介绍霍尔效应是指在通过一定的电流流过具有一定形状和大小的金属或半导体的时候，垂直于电流方向的横向电压差。
该效应由美国物理学家爱德华·霍尔于1879年发现并命名。
霍尔效应不仅有重要的理论意义，还具有广泛的应用，包括传感器、电子器件、测量、电力、磁体等领域。
本文将重点介绍霍尔效应的应用和原理。
2. 应用2.1 磁场传感器霍尔效应可以用于制造磁场传感器，这些传感器可以测量磁场的强度和方向。
其中最常见的应用是如下几种：•磁力计：通过测量对象周围的磁场变化来检测物体的位置和运动。
•磁场计：测量磁场的大小和磁极的方向，并将其转化为电信号。
磁场传感器广泛应用于社交媒体、电子游戏、导航系统、安防系统等领域。
2.2 电流测量霍尔效应可以应用于电流测量。
通过将电流传导器件放在电路中，利用霍尔传感器测量横向电压差并根据一定的数学计算关系求得电流大小。
这种方法可以测量直流和交流电流。
电流测量是电力行业、电子设备制造业和电动车制造业中常见的应用。
2.3 速度测量霍尔效应也可以用于速度测量。
在车辆的制动系统中，可以使用霍尔传感器检测车轮的转速，并根据转速计算车辆的速度。
此外，霍尔传感器还可用于工业机械设备以及风力发电机组等领域的速度测量。
3. 原理3.1 霍尔元件霍尔元件通常由铬、铂、铜等金属制成的片状金属电极组成。
在元件的一边施加电流，而在另一边测量横向电压差。
元件两侧的接触电极与电流方向垂直，并且在两个接地电极之间有一定距离。
3.2 磁场作用当将一个垂直于电流方向的磁场加在霍尔元件上时，由于电子的洛仑兹力作用，电子会产生一个横向偏转运动，从而形成横向电压差。
这个横向电压差正比于电流的大小和磁场的强度。
通过测量这个横向电压差，可以间接测量电流或磁场的值。
4. 结论霍尔效应是一种重要的物理现象，它不仅有理论研究的意义，还在很多领域发挥着重要的应用价值。
磁场传感器、电流测量和速度测量是霍尔效应最常见的应用领域。
霍尔效应及其应用.pptx
霍尔U电H压的14测(量U结1 果为U：2 U3 U4 )
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操作指南
• 实验装置 • 操作要点
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实验装置
KH值
霍尔元件
励磁线圈
工作电路
测量电路
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励磁电路
操作要点
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预备知识
•霍尔效应 •霍尔元件中的附加效应外磁场方向通过导体时，在垂直于磁场 和电流方向的导体的两个端面之间出现电势差的现象 称为霍尔效应，该电势差称为霍尔电势差（霍尔电 压）。
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霍尔效应
霍尔电压UH与电流I和磁感应强度B及元件的厚
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霍尔元件中的附加效应
2.温差电效应引起的附加电压UE （厄廷好森效应） 3.热磁效应直接引起的附加电压UN （能斯特效应） 4. 热磁效应产生温差引起的附加电压UR（里纪－勒
杜克效应 ）
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消除附加电压
为了减小附加效应对测量霍耳电压UH的影 响，我们采用对称测量法，即将I和B正反两 个方向组合出四种情况：
度d的关系：
VH
RH
IB d
式中RH为霍尔系数，它与载流子浓度n和载流子电
量q的关系：
RH
1 nq
若令霍尔灵敏度KH=RH/d，则 UH KH IB
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霍尔元件中的附加效应
在霍尔效应建立的同时还会伴有其它附加效应 的产生，在霍尔元件上测得的电压是各种附加电 压叠加的结果。
附加电压 1.不等势电压Uo （不等势效应 ）＝Is . R
霍尔效应及应用实验报告
霍尔效应及应用实验报告霍尔效应及应用实验报告引言：霍尔效应是一种在导体中产生电势差的现象，它是由美国物理学家爱德华·霍尔于1879年首次发现并描述的。
霍尔效应在现代电子学和材料科学中具有广泛的应用，例如传感器、电流测量和电子设备等领域。
本实验旨在通过测量霍尔效应的电压和磁场强度之间的关系，验证霍尔效应的存在，并探究其在实际应用中的潜力。
实验设备和方法：实验所需的设备包括霍尔效应实验装置、恒流电源、磁场调节器和数字万用表。
首先，将霍尔效应实验装置连接至恒流电源，通过调节电流大小来控制导体中的电子流量。
然后，使用磁场调节器改变磁场的强度，并使用数字万用表测量霍尔效应产生的电压。
实验结果和分析：在实验过程中，我们分别测量了不同电流和磁场强度下的霍尔效应电压。
结果显示，随着电流的增加，霍尔效应电压也随之增加。
这是因为电流通过导体时，会受到洛伦兹力的作用，使电子在导体中发生偏移，从而产生电势差。
此外，我们还观察到磁场强度增加时，霍尔效应电压也随之增加。
这是因为磁场的存在会进一步影响电子的运动轨迹，增加电子流的偏移程度，从而增大霍尔效应电压的大小。
基于实验结果的分析，我们可以得出以下结论：1. 霍尔效应是一种由电流通过导体时，在垂直于电流方向和磁场方向的平面上产生电势差的现象。
2. 霍尔效应的电压与电流和磁场强度呈正相关关系，即电压随着电流和磁场强度的增加而增加。
3. 霍尔效应可以用于测量电流和磁场强度，因此在传感器和测量仪器中有着广泛的应用。
实验的局限性和改进方向：在本实验中，我们只考虑了电流和磁场强度对霍尔效应电压的影响，而未考虑其他因素的影响。
例如，温度和材料的特性可能会对霍尔效应产生一定的影响。
因此，未来的实验可以进一步探究这些因素对霍尔效应的影响，并提出相应的改进措施。
实际应用：霍尔效应在现代科技中有着广泛的应用。
其中之一是在汽车工业中的应用。
例如，霍尔效应传感器可以用于测量车辆的转速和位置，从而实现精确的控制和监测。
霍尔效应及其应用
霍尔效应及其应用霍尔效应是1879年美国物理学家霍尔读研究生期间在做研究载流子导体在磁场中受力作用实验时发现的。
阐述了霍尔效应的原理，霍尔元件的特点和分类以及在各个领域中的应用。
霍尔效应霍尔元件应用一、霍尔效应原理霍尔效应是1879年美国物理学家霍尔读研究生期间在做研究载流子导体在磁场中受力作用实验时发现的。
霍尔效应是载流试样在与之垂直的磁场中由于载流子受洛仑兹力作用发生偏转而在垂直于电流和磁场方向的试样的两个端面上出现等量异号电荷而产生横向电势差UH的现象。
电势差UH称为霍尔电压，EH 称为霍尔电场强度。
此时的载流子既受到洛伦兹力作用又受到与洛伦兹力方向相反的霍尔电场力作用，当载流子所受的洛伦兹力与霍尔电场力相等时，霍尔电压保持相对稳定。
二、霍尔元件的特点和分类1.霍尔元件的特点。
霍尔元件的结构牢固，体积小，重量轻，寿命长，安装方便，功耗小，频率高（可达1MHZ），耐震动，不怕灰尘、油污、水汽及盐雾等的污染或腐蚀，调试方便等。
霍尔元件和永久磁体都能在很宽的温度范围(-40℃～1 50℃)、很强的振动冲击条件下工作，且磁场不受一般介质的阻隔。
另外它的变换器组件能够和相关的信号处理电路集成到同一片硅片上，体积小，成本低，且具有较好的抗电磁干扰性能。
2.霍尔元件的分类。
按照霍尔元件的结构可分为：一维霍尔元件、二维霍尔元件和三维霍尔元件。
一维霍尔元件又被称为单轴霍尔元件，它的主要参数是灵敏度、工作温度和频率响应。
运用此类器件时，就可将与适当的小磁钢一起运动的物体的位置、位移、速度、角度等信息以电信号的形式传感出来，达到了自动测量与控制的目的。
二维霍尔元件的结构是二维平面，也被称为平面霍尔元件；三维霍尔元件通常被称为非平面霍尔元件。
霍尔元件按功能可分为：线形元件、开关、锁存器和专用传感器。
三、霍尔效应的应用人们在利用霍尔效应原理开发的各种霍尔元件已广泛应用于精密测磁、自动化控制、通信、计算机、航天航空等工业部门及国防领域。
霍尔效应及其应用实验报告数据处理
霍尔效应及其应用实验报告数据处理霍尔效应及其应用实验报告数据处理引言：霍尔效应是指当导体中有电流通过时，垂直于电流方向的磁场会在导体内产生一种电势差，这种现象被称为霍尔效应。
霍尔效应的应用非常广泛，例如在传感器、电流计、磁场测量等领域都有重要的应用。
本文将通过实验报告数据处理的方式，探讨霍尔效应及其应用的相关内容。
实验目的：通过实验测量和处理数据，验证霍尔效应的存在，并探究其在磁场测量中的应用。
实验步骤：1. 准备实验仪器和材料：霍尔元件、电源、电流表、磁场源、导线等。
2. 搭建实验电路：将霍尔元件与电源、电流表和磁场源连接，保证电路的正常工作。
3. 施加电流：通过电源向霍尔元件中施加一定大小的电流。
4. 施加磁场：通过磁场源在霍尔元件附近施加一定大小的磁场。
5. 测量电势差：使用电压表测量霍尔元件中产生的电势差。
6. 记录实验数据：记录不同电流和磁场下的电势差数值。
实验数据处理：1. 绘制电势差与电流的关系曲线：将实验数据绘制成电势差与电流的关系曲线，观察曲线的特点。
2. 分析曲线特点：根据曲线的变化趋势，判断霍尔元件的工作状态和特性。
3. 计算霍尔系数：根据实验数据和已知参数，计算霍尔元件的霍尔系数，用于后续的数据处理和应用。
4. 绘制电势差与磁场的关系曲线：将实验数据绘制成电势差与磁场的关系曲线，观察曲线的特点。
5. 分析曲线特点：根据曲线的变化趋势，判断霍尔元件对磁场的响应情况。
6. 应用数据：根据实验数据和已知参数，计算磁场的大小和方向。
实验结果与讨论：通过实验数据处理，我们得到了电势差与电流、磁场的关系曲线。
从曲线的变化趋势可以看出，电势差随着电流的增加而增加，符合霍尔效应的基本规律。
同时，电势差随着磁场的增加而变化，这表明霍尔元件对磁场有一定的响应能力。
根据实验数据和已知参数，我们还计算出了霍尔元件的霍尔系数。
霍尔系数是描述霍尔元件特性的重要参数，它可以用来计算磁场的大小和方向。
通过对实验数据的处理和分析，我们可以准确地测量出磁场的大小和方向，这对于磁场测量和磁场控制具有重要的意义。
霍尔效应及其应用(修)
霍尔效应及其应用霍尔效应是导电材料中的电流与磁场相互作用而产生电动势的效应。
1879年美国霍普金斯大学研究生霍尔在研究金属导电机理时发现了这种电磁现象，故称霍尔效应。
后来曾有人利用霍尔效应制成测量磁场的磁传感器，但因金属的霍尔效应太弱而未能得到实际应用。
随着半导体材料和制造工艺的发展，人们又利用半导体材料制成霍尔元件，由于它的霍尔效应显著、结构简单、形小体轻、无触点、频带宽、动态特性好、寿命长，因而被广泛应用于自动化技术、检测技术、传感器技术及信息处理等方面。
在电流体中的霍尔效应也是目前在研究中的“磁流体发电”的理论基础。
近年来，霍尔效应实验不断有新发现。
1980年原西德物理学家冯·克利青研究二维电子气系统的输运特性，在低温和强磁场下发现了量子霍尔效应，这是凝聚态物理领域最重要的发现之一。
目前对量子霍尔效应正在进行深入研究，并取得了重要应用，例如用于确定电阻的自然基准，可以极为精确地测量光谱精细结构常数等。
在磁场、磁路等磁现象的研究和应用中，霍尔效应及其元件是不可缺少的，利用它观测磁场直观、干扰小、灵敏度高、效果明显。
霍尔效应也是研究半导体性能的基本方法，通过霍尔效应实验所测定的霍尔系数，能够判断半导体材料的导电类型，载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。
【实验目的】(1) 了解霍尔效应产生的机理及霍尔元件有关参数的含义和作用。
(2) 学习利用霍尔效应研究半导体材料性能的方法及消除副效应影响的方法。
(3) 学习利用霍尔效应测量磁感应强度B 及磁场分布。
(4) 学习用最小二乘法和作图法处理数据。
【实验原理】(1) 霍尔效应霍尔效应从本质上讲，是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力的作用而引起的偏转。
当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷在不同侧的聚积，从而形成附加的横向电场。
这个现象叫做霍尔效应。
如图1.1所示，把一块半导体薄片放在垂直于它的磁感应强度为B 的磁场中（B 的方向沿Z 轴方向），若沿X 方向通以电流S I 时，薄片内定向移动的载流子受到的洛伦兹力B F 为：quB F B = ，其中q ,u 分别是载流子的电量和移动速度。
《霍尔效应及应用》课件
磁流体发电是一种高效、清洁的发电方式，利用高温、高速的离子或等离子体流 过强磁场时产生的洛伦兹力，使带电粒子与磁场相互作用，产生电能。
磁流体发电装置
磁流体发电装置主要包括燃烧室、磁体、电极和冷却系统等部分。燃烧室产生高 温、高速的离子或等离子体流，穿过强磁场区域，在电极上产生电压和电流。
核磁共振成像（MRI）
利用磁场梯度变化产生的霍尔效应，实现人体内部结构的无创、 无痛、无辐射的成像。
超声波成像
通过检测声波在人体组织中的传播速度和方向变化，利用霍尔效应 分析声波的传播特性，实现医学成像。
磁场感应成像
利用磁场感应技术，通过测量人体内部磁场变化产生的霍尔效应， 实现高分辨率的医学成像。
。
生物学中的应用
生物磁场测量
利用磁场感应技术，测量生物体 内磁场变化产生的霍尔效应，研 究生物磁场的分布和变化规律， 为生物医学研究提供重要依据。
生物电信号检测
通过测量生物电信号的变化，利 用霍尔效应分析生物电信号的传 播特性和生理机制，为生物医学 研究和临床诊断提供技术支持。
02
在汽车工业中，霍尔元 件用于发动机控制、气 囊安全系统、ABS防抱 死系统等。
03
在新能源领域，霍尔元 件用于光伏逆变器、风 力发电系统的电流和磁 场检测。
04
在智能家居领域，霍尔 元件用于智能电表、智 能家居控制系统的传感 器模块。
01
霍尔效应在磁流体 发电和磁悬浮列车
中的应用
磁流体发电原理及装置
《霍尔效应及应用》 ppt课件
THE FIRST LESSON OF THE SCHOOL YEAR
目录CONTENTS
• 霍尔效应简介 • 霍尔效应的实验研究 • 霍尔效应在电子学中的应用 • 霍尔效应在磁流体发电和磁悬浮列
霍尔效应及其应用
测 绘 U H - I M的 曲 线 霍 尔 元 件 位 于 气 隙 中 心 ， 保 持 工 作 电 流 I s不 变 ， 调 节 I M 呈 梯 度 变 化 ， 每 一 个 I M 值 下 通 过 改 变 I M 和 I S 的 方 向 测 得 U H ,并 取 平 均 值 。
测定电磁铁气隙的磁场分布 保 持 IM 和 I S不 变 ， 使 霍 尔 元 件 从 中 心 向 边 缘 移 动 ， 每 隔 5m m 测 出 相 应 B值 ， 绘 制 x-B曲 线 。
压力传感器 霍尔压力传感器由弹性元件, 磁系统和霍尔元件等部分组成, 加上压力后, 使磁系统和霍尔元件间产生相对位移, 改变作用到霍尔元件 上的磁场, 从而改变它的输出电压UH。由事先校准的P~ f( UH )曲线即可 得到被测压力P的值。
电磁无损探伤 其探伤原理是建立在铁磁性材料 的高磁导率特性之上。采用霍尔元件检测该泄漏磁场的 信号变化, 可以有效地检测出缺陷存在。 磁流体发电 其基本原理就是利用等离子体的霍 尔效应, 即在横向磁场作用下使通过磁场的等离子体正、 负带电粒子分离后积聚于两个极板形成电源电动势。这 种新型的高效发电方式, 通过燃料燃烧发出的热能使气 体变成高温高压的等离子体流而转换成电能, 提高了热 能利用效率。
实 际 测 量 的 U 包 括 U H , U 0 , U E , U N ,U R的 代 数 和
R
为了减少和消除以上效应引起的附加电势差，利用这些电势 I 差和 I S ， M 的关系，采用对称测量法测量，测量时可以改变 I S 和B的方向，抵消负效应.
测 绘 U H - I S的 曲 线 霍 尔 元 件 位 于 气 隙 中 心 ， 保 持 励 磁 电 流 I M 大 小 不 变 ， 调 节 IS呈 梯 度 变 化 ， 在 每 一 个 I S 下 通 过 改 变 I M 和 I S的 方 向 测 得 霍 尔 电 势 差 U H
霍尔效应及其应用
霍尔效应及其应用一、引言霍尔效应是指当电流通过一块导体时，在垂直于电流方向的磁场中，会产生一种电势差，这种现象被称为霍尔效应。
霍尔效应是由美国物理学家爱德华·霍尔于1879年发现的，他观察到在垂直于电流方向的磁场中，导体两侧产生的电势差与电流、磁场的关系。
霍尔效应不仅在物理学领域有重要应用，而且在电子技术中也有广泛的应用。
二、霍尔效应的原理当电流通过一块导体时，导体上的自由电子将受到洛伦兹力的作用，使得电子在导体内部堆积，导致导体两侧产生电荷分布不均。
这种电荷分布不均会产生一种电势差，即霍尔电势差。
根据霍尔效应的原理，霍尔电势差与电流、磁场的关系可以表示为VH = RHBIL，其中VH为霍尔电势差，RH为霍尔系数，B为磁感应强度，I为电流，L为导体宽度。
三、霍尔效应的应用1. 磁场测量：由于霍尔电势差与磁感应强度成正比，因此可以利用霍尔效应来测量磁场的强度。
通过将霍尔传感器置于待测磁场中，测量霍尔电势差的大小，就可以间接得到磁场的信息。
这种方法在磁力计、磁强计等仪器中得到广泛应用。
2. 电流测量：利用霍尔效应可以测量电流的大小。
通过将电流通过一块装有霍尔传感器的导体上，测量霍尔电势差的大小，就可以间接得到电流的信息。
这种方法在电子设备中的电流检测、电流计等方面有着重要的应用。
3. 速度测量：利用霍尔效应可以测量物体的速度。
在一些需要测量转速或线速度的场合，可以将霍尔传感器安装在旋转或移动的物体上，当物体运动时，霍尔电势差的大小会随着速度的变化而改变。
通过测量霍尔电势差的变化，就可以得到物体的速度信息。
4. 接近开关：由于霍尔效应对磁场的敏感性，因此可以利用霍尔传感器制作接近开关。
当有物体靠近霍尔传感器时，物体的磁场会影响到传感器的霍尔电势差，从而触发开关的状态改变。
这种接近开关在自动控制、安防系统等方面有着广泛的应用。
5. 电力测量：利用霍尔效应可以测量电力的大小。
通过将电流和电压信号分别经过霍尔传感器进行测量，然后计算二者的乘积，就可以得到电力的信息。
霍尔效应及其应用实验报告
霍尔效应及其应用实验报告一、实验目的1、了解霍尔效应的基本原理。
2、掌握用霍尔效应测量磁场的方法。
3、学习用“对称测量法”消除副效应的影响。
二、实验原理1、霍尔效应将一块半导体薄片置于磁场中（磁场方向垂直于薄片平面），当有电流通过时，在垂直于电流和磁场的方向上会产生一个横向电场，这种现象称为霍尔效应。
设半导体中的载流子为电子，它们以平均速度 v 沿 x 轴正方向运动，所受洛伦兹力为：＼F_L ＝ evB\其中 e 为电子电荷量，B 为磁感应强度。
在洛伦兹力作用下，电子向一侧偏转，在薄片的 y 轴方向上形成电荷积累，从而产生霍尔电场 EH ，霍尔电场对电子的作用力 FE 为：＼F_E ＝ eEH\当 FE ＝ FL 时，电子的积累达到动态平衡，此时霍尔电场为：＼EH ＝ vB\设薄片的厚度为 d，宽度为 b，通过的电流为 I，则：＼I ＝ nevbd\其中 n 为单位体积内的电子数。
则霍尔电压 UH 为：＼UH ＝ EHb ＝ vBb ＝＼frac{1}｛ne}＼cdot\frac{IB}｛d}＼令 RH ＝ 1/ne ，称为霍尔系数，则：＼UH ＝ RH\frac{IB}｛d}＼2、副效应及其消除方法在实际测量中，由于各种副效应的存在，会使测量结果产生误差。
主要的副效应有：（1）不等位电势差：由于霍尔片制作工艺的问题，霍尔片的两个电极不在同一等势面上，从而产生电势差，记为 U0 。
（2）爱廷豪森效应：载流子的速度服从统计分布，它们在磁场中受到的洛伦兹力不同，从而产生温差，形成温差电动势 UE 。
（3）能斯特效应：由于电流的热效应，在霍尔片两端会产生温度差，从而产生热扩散电流，在磁场作用下产生电势差 UN 。
（4）里纪勒杜克效应：热扩散电流的载流子也会受到洛伦兹力的作用，产生附加的电势差 UR 。
为了消除这些副效应的影响，通常采用“对称测量法”，即改变电流和磁场的方向，分别测量四组数据：＼U1 ＝ UH ＋ U0 ＋ UE ＋ UN ＋ UR\＼U2 ＝ UH U0 UE ＋ UN ＋ UR\＼U3 ＝ UH ＋ U0 UE UN UR\＼U4 ＝ UH U0 ＋ UE UN UR\则霍尔电压为：＼UH ＝＼frac{1}｛4}（U1 U2 ＋ U3 U4)＼三、实验仪器霍尔效应实验仪、霍尔效应测试仪、双刀双掷开关、导线等。
霍尔效应及其应用实验报告
课程名称：大学物理实验（二）实验名称：霍尔效应及其应用二、实验原理2.1霍尔效应1.霍尔效应洛伦兹力：f m=qv×B(1)静电场力：f e=qE=q V Hl(2)I=nqvdl（3）由二力平衡得V H=K H IB=IBnqd =R H Bd(4)其中：V H为霍尔电动势K H为霍尔器件的灵敏度I为工作电流R H=1nq为材料的霍尔系数l为材料的宽度B为所加磁场的磁感应强度n为载流子数密度q为单个载流子的电荷量d为霍尔器件厚度2.样品的导电类型N型：在图2.1条件下，A点高于B点P型：在图2.2条件下，B点高于A点图2.1 霍尔效应原理示意图2.2霍尔器件的输出特性测量1.控制变量法由4式知：（1）控制B不变，研究V H和工作电流I的关系（2）控制工作电流I不变，研究V H和磁感应强度B的关系2.附加电动势电热（爱廷豪森效应）温差（能斯特效应里纪勒杜克效应）不等电位差（零位误差）图2.2 霍尔器件示意图3.对称测量法消除附加电动势，然后通过改变磁场的方向或改变霍尔电流的方向，即分别测量四组不同方向的I S和B组合的VAA’求平均。
V H=V1−V2+V3−V4(5)4例如：能斯特（Nernst）效应引起的V N的方向仅与B 的方向有关。
+I S′+B：V1=V H+V N(6)−I S′+B：V2=−V H+V N(7)V H=V1−V2(8)22.3霍尔器件的应用1.测量螺线管的磁场分布图2.3 测量螺线管磁场分布示意图B=1μnI(cosβ1−cosβ2)(9)2图2.4 螺线管磁场分布图三、实验仪器：3.1霍尔器件输出特性测量仪器图3.1 霍尔器件输出特性测量仪器示意图图3.2 霍尔器件输出特性测量仪器实物图图3.3 霍尔器件输出特性测量仪器实物图3.2仪器操作注意事项1、测试仪开关机前将I S和I M旋钮逆时针转到底，防止输出电流过大；2、I S和I M接线不可颠倒，以防烧坏霍尔片；3、式样应置于螺旋线圈/铁芯气隙内磁场均匀处（即尽量处于中心）。
《霍尔效应及其应用》课件
学习建议
深入理解霍尔效应的原理
学习霍尔元件的应用实例
为了更好地理解和应用霍尔效应，建议学 习者深入了解洛伦兹力、载流子迁移等概 念，以及它们在霍尔效应中的作用。
通过学习霍尔元件在不同领域的应用实例 ，可以加深对霍尔效应的理解，并了解其 实际应用价值。
实验操作与数据分析
关注霍尔效应的最新研究进展
建议学习者通过实验操作来验证霍尔效应 ，并学会对实验数据进行处理和分析，以 提高实验技能和数据处理能力。
详细描述
利用霍尔效应可以制造高稳定性的磁场传感器和电流传感器，用于信息存储、通信、雷达等领域，提高信息传输 的可靠性和稳定性。
05
总结
本章重点
霍尔效应的基本原理
霍尔效应是指当电流通过某些半导体材料时，会 在垂直于电流的方向上产生一个横向的电压差， 这个现象的原理涉及到洛伦兹力、载流子迁移等 概念。
测量电流
霍尔效应还可以用来测量电流，其原理是当电流通过一个导 体时，会产生一个垂直于电流方向的磁场，这个磁场的大小 与电流的大小成正比。因此，通过测量这个磁场的大小，就 可以推算出电流的大小。
霍尔电流传感器具有测量范围广、精度高、线性度好等优点 ，因此在电力电子、电机控制、开关电源等领域有广泛应用 。
。
磁场发生器
产生恒定或可调的磁场 ，以观察霍尔电压的变
化。
测量仪表
电压表、电流表等，用 于测量霍尔电压和电流
。
实验步骤
连接电路
将电源、磁场发生器、霍尔元 件和测量仪表按照电路图正确 连接。
测量数据
使用测量仪表记录不同磁场强 度下霍尔电压和电流的数据。
准备实验器材
根据实验需求选择合适的霍尔 元件、电源、磁场发生器和测 量仪表。
霍尔效应的原理及应用论文
霍尔效应的原理及应用1. 引言霍尔效应是指当电流通过一块导体时，当该导体中有磁场存在时，会在垂直于电流方向和磁场方向的方向上产生电势差，即霍尔电压。
霍尔效应在现代电子技术领域具有广泛的应用，如磁传感器、霍尔电流传感器、霍尔电磁流量计等。
2. 霍尔效应的原理霍尔效应的原理基于洛伦兹力和电荷守恒定律。
当电流通过一段导体时，导体内的自由电子受到洛伦兹力的作用，导致电子在导体内部发生偏转运动。
此时，若垂直于电流方向和磁场方向的方向上存在电势差，即霍尔电压。
霍尔电压和电流、外加磁场以及导体特性有关。
3. 霍尔效应的类型根据霍尔电压的极性，霍尔效应可分为正常霍尔效应和反向霍尔效应。
3.1 正常霍尔效应正常霍尔效应是指当电流流经导体时，在垂直于电流方向和磁场方向上产生的电势差为正值。
在正常霍尔效应中，电流、磁场和霍尔电压的关系如下： - 当电流与磁场方向相同，霍尔电压为正值； - 当电流与磁场方向相反，霍尔电压为负值。
3.2 反向霍尔效应反向霍尔效应是指当电流流经导体时，在垂直于电流方向和磁场方向上产生的电势差为负值。
在反向霍尔效应中，电流、磁场和霍尔电压的关系如下： - 当电流与磁场方向相同，霍尔电压为负值； - 当电流与磁场方向相反，霍尔电压为正值。
4. 霍尔效应的应用霍尔效应在许多领域都具有重要的应用价值。
4.1 磁传感器磁传感器是一种通过检测磁场变化来感知物理量的装置。
基于霍尔效应的磁传感器具有灵敏度高、响应速度快、非接触式等优点，广泛应用于机械工程、自动化控制、航空航天等领域。
4.2 霍尔电流传感器霍尔电流传感器是一种通过测量电流和获得霍尔电压来感知电流大小的装置。
霍尔电流传感器具有无功率损耗、高线性度、高精度等特点，在电力、电子设备等领域被广泛应用。
4.3 霍尔电磁流量计霍尔电磁流量计是一种通过测量流体中的霍尔电压来获得流速和流量的装置。
霍尔电磁流量计具有抗压力能力强、体积小、精度高等特点，在工业、农田灌溉等领域被广泛使用。
霍尔效应的应用和原理有哪些
霍尔效应的应用和原理有哪些1. 引言本文将会介绍霍尔效应的原理和应用。
霍尔效应是指当电流通过具有磁场的半导体材料时，垂直于电流方向产生的电势差。
这种效应已经在多个领域得到了广泛的应用。
2. 霍尔效应的原理霍尔效应的原理基于洛伦兹力和半导体材料的特性。
当电流通过半导体材料时，电子受到洛伦兹力的作用，导致电子在材料内产生偏转运动。
在半导体材料的一侧，电子的偏转速度受到局部磁场的影响而改变，导致电子在该侧聚集。
这种因磁场产生的电荷积累导致在材料两侧产生了电位差，成为霍尔电压。
3. 霍尔效应的应用霍尔效应在很多领域都有着广泛的应用，以下是一些常见的应用：3.1 传感器由于霍尔效应能够精确地测量磁场的变化，因此被广泛应用于传感器领域。
霍尔传感器可以用来检测物体的位置、速度和方向等信息。
在汽车领域中，霍尔传感器用于测量转速、角度和位置，在工业自动化中，霍尔传感器用于检测零件的位置和运动。
3.2 开关和触发器霍尔效应也可以应用在开关和触发器中。
通过将霍尔传感器放置在磁场中，当磁场的强度超过一定阈值时，输出电位差，用于触发器的操作。
这种应用在磁力感应开关、电子锁和接近传感器中得到了广泛应用。
3.3 磁场测量另一个广泛应用霍尔效应的领域是磁场测量。
通过将霍尔传感器放置在感兴趣的磁场附近，可以测量磁场的强度和方向。
这种应用在地理学中，用于测量地球磁场的变化，在物理实验中，用于测量磁体的磁场。
3.4 霍尔电流传感器霍尔效应还可以用于测量电流的变化。
通过将霍尔传感器包裹在传输电流的导线周围，可以测量电流的大小和方向。
这种应用在电力系统中，用于监测电力设备的运行状态和功率消耗。
3.5 电子计量由于霍尔效应与电流和磁场的关系密切，它也被广泛应用于电子计量中。
例如，霍尔效应可以用来测量电流、电压和功率等电子基本参数。
这种应用在电力仪表和电子设备中得到了广泛应用。
4. 总结霍尔效应是一种重要的电子现象，基于半导体材料和洛伦兹力的相互作用，用于测量磁场和电流的变化。
实验二 霍尔效应及其应用
实验二霍尔效应及其应用引言霍耳效应是一种磁电效应。
在匀强磁场中放一金属薄板，使板面与磁场方向垂直，当沿垂直磁场方向给金属板通以电流时，在垂直电流和磁场方向的金属板两侧会产生一附加横向电场。
这一现象是霍耳（Hall, Ａ.Ｈ. 1855-1938）于1879年发现的，因此被称为霍耳效应。
后来发现半导体、导电流体等也有这种现象。
而半导体的霍耳效应比金属强得多。
霍耳效应不仅是测定半导体材料电学参数的主要手段，而且利用霍耳效应原理将半导体制成磁敏器件被广泛应用于非电量测量、自动控制和信息处理等方面。
流体中的霍耳效应已成为研究“磁流发电”的理论基础。
本实验一方面了解霍耳效应产生的原理，一方面学习用霍耳效应测磁场的方法。
原理１）霍耳效应图1 霍尔效应霍耳效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。
当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场。
对于图1所示的半导体试样，若在ｘ方向通以电流I，在ｚ方向加磁场Ｂ，则在ｙ方向即试样A、A′电极两侧就开始聚积异号电荷而产生相S应的附加电场。
电场的指向取决于试样的导电类型。
显然，该电场是阻止载流子继续向侧面eE与洛仑兹力相等时，样品两侧电荷的积累就达到平偏移，当载流子所受的横向电场力H衡，故有：H eE evB =（1）其中：H E 为霍耳电场；v 是载流子在电流方向上的平均漂移速度。
设试样的宽度为ｂ，厚度为ｄ，载流子浓度为ｎ，则S I nevbd =（2）由式（１）和式（２）可得：1S H H H S I BI U E b R n d d===B （3）H U （A 、A ′电极之间的电压）即霍耳电压，1H R ne=称为霍耳系数，是反映材料霍耳效应强弱的重要参数。
只要测出、()B U V ()B T 以及知道()S I A 和，可按下式计算(d cm ))3(/H R m c ：H H S U d R I B=（4）根据H R 可进一步确定以下参数。
霍尔效应及其应用
霍尔效应及其应用霍尔效应是一种物理现象，其广泛的应用涉及到许多领域，如电子技术和磁学。
本文将探讨霍尔效应的原理和应用，并讨论其在实际中的重要性。
首先，我们需要了解霍尔效应的原理。
在一根导体中，当有电流通过时，将会形成一个横向于电流和磁场方向的电场，这被称为霍尔电场。
同时，由于电子受到洛伦兹力的作用，电子的运动轨迹会发生偏转。
这个偏转距离正比于电流、磁场强度和导体的霍尔系数。
该霍尔系数反映了导体的电荷特性。
当观察者位于导体上方时，可以通过测量霍尔电场和偏转距离来计算出霍尔电阻，从而得到导体的霍尔系数。
霍尔效应的应用非常广泛，其中一个重要的应用是用于测量磁场的强度和方向。
霍尔传感器是一种常用的传感器，它能够根据外部磁场的变化输出电信号。
这种传感器在导航系统、电动汽车和工业控制等领域中被广泛使用。
此外，霍尔效应还可以用于测量电流的大小。
通过将导体置于一个垂直于电流的磁场中，可以根据霍尔电阻来测量电流。
这种测量方法具有快速、准确和无损耗的特点，在电力系统中得到了广泛的应用。
除了测量和控制，霍尔效应还被用于电压调节和电流控制。
在电源电路中，霍尔元件可以通过测量输出电压来调节稳压电路的输出电压。
这种电压稳定器在数码产品、电视和计算机等设备中得到了广泛的应用。
总之，霍尔效应是一种重要的物理现象，其应用涵盖了各个领域。
从测量和控制到电压调节和电源管理，霍尔效应在现代科技中起着关键作用。
虽然霍尔效应的原理相对简单，但其应用的广泛性和实用性使它成为了现代技术不可或缺的一部分。
未来，随着科技的进步，我们可以期待更多创新性的应用将会基于霍尔效应的原理开发出来，为我们的生活带来更多便利和创造力。
霍尔效应的五个应用
应用1、测量载流子浓度根据霍尔电压产生的公式，以与在外加磁场中测量的霍尔电压可以判断传导载流子的极性与浓度，这种方式被广泛的利用于半导体中掺杂载体的性质与浓度的测量上。
霍尔电场强度EH的大小与流经样品的电流密度Jx和磁感应强度Bz的乘积成正比下面以p型半导体样品为例，半导体样品的长、宽、厚分别为L、a、b，半导体载流子（空穴）的浓度为p，它们在电场Ex作用下，以平均漂移速度vx沿x方向运动，形成电流Ix。
在垂直于电场Ex方向上加一磁场Bz，则运动着的载流子要受到洛仑兹力的作用载流子向-y方向偏转，这样在样品的左侧面就积累了空穴，从而产生了一个指向+y方向的电场－霍尔电场Ey。
当该电场对空穴的作用力qEy与洛仑兹力相平衡时，空穴在y方向上所受的合力为零，达到稳态。
稳态时电流仍沿x方向不变，但合成电场E＝Ex＋Ey不再沿x方向，E与x轴的夹角称“霍尔角”。
若Ey是均匀的，则在样品左、右两侧面间的电位差由理论算得，在弱磁场条件下，对球形等能面的非简并半导体，对于高载流子浓度的简并半导体以与强磁场条件，A＝1；对于晶格和电离杂质混合散射情况，上面讨论的是只有电子或只有空穴导电的情况。
对于电子、空穴混合导电的情况，在计算RH时应同时考虑两种载流子在磁场下偏转的效果。
对于球形等能面的半导体材料，可以证明。
从霍尔系数的表达式可以看出：由RH的符号（也即UH的符号）可以判断载流子的类型，正为p型，负为n型，则霍尔电场方向为y轴方向。
当霍尔电场方向的指向与y 正向相同时，则RH为正。
）；RH的大小可确定载流子的浓度2、霍尔效应还能够测量磁场在工业、国防和科学研究中，例如在粒子回旋器、受控热核反应、同位素分离、地球资源探测、地震预报和磁性材料研究等方面，经常要对磁场进行测量，测量磁场的方法主要有核磁共振法、霍尔效应法和感应法等。
霍尔效应是磁电效应的一种,当电流垂直于外磁场通过导体时,在导体的垂直于磁场和电流方向的两个端面之间会出现电势差,这个电势差就被叫做霍尔电势差.导体中的载流子在外加磁场中运动时,因为受到洛仑兹力的作用而使轨迹发生偏移,并在材料两侧产生电荷积累,形成垂直于电流方向的电场,最终使载流子受到的洛仑兹力与电场斥力相平衡,从而在两侧建立起一个稳定的电势差即霍尔电压.正交电场和电流强度与磁场强度的乘积之比就是霍尔系数.平行电场和电流强度之比就是电阻率.因此,对于一个已知霍尔系数的导体,通过一个已知方向、大小的电流,同时测出该导体两侧的霍尔电势差的方向与大小,就可以得出该导体所处磁场的方向和大小.3、磁流体发电从20世纪50年代末开始进行研究的磁流体发电技术，可能是今后取代火力发电的一个方向。
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霍尔效应及其应用霍尔效应是导电材料中的电流与磁场相互作用而产生电动势的效应。
1879年美国霍普金斯大学研究生霍尔在研究金属导电机理时发现了这种电磁现象，故称霍尔效应。
后来曾有人利用霍尔效应制成测量磁场的磁传感器，但因金属的霍尔效应太弱而未能得到实际应用。
随着半导体材料和制造工艺的发展，人们又利用半导体材料制成霍尔元件，由于它的霍尔效应显著、结构简单、形小体轻、无触点、频带宽、动态特性好、寿命长，因而被广泛应用于自动化技术、检测技术、传感器技术及信息处理等方面。
在电流体中的霍尔效应也是目前在研究中的“磁流体发电”的理论基础。
近年来，霍尔效应实验不断有新发现。
1980年原西德物理学家冯·克利青研究二维电子气系统的输运特性，在低温和强磁场下发现了量子霍尔效应，这是凝聚态物理领域最重要的发现之一。
目前对量子霍尔效应正在进行深入研究，并取得了重要应用，例如用于确定电阻的自然基准，可以极为精确地测量光谱精细结构常数等。
在磁场、磁路等磁现象的研究和应用中，霍尔效应及其元件是不可缺少的，利用它观测磁场直观、干扰小、灵敏度高、效果明显。
霍尔效应也是研究半导体性能的基本方法，通过霍尔效应实验所测定的霍尔系数，能够判断半导体材料的导电类型，载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。
【实验目的】(1) 了解霍尔效应产生的机理及霍尔元件有关参数的含义和作用。
(2) 学习利用霍尔效应研究半导体材料性能的方法及消除副效应影响的方法。
(3) 学习利用霍尔效应测量磁感应强度B 及磁场分布。
(4) 学习用最小二乘法和作图法处理数据。
【实验原理】(1) 霍尔效应霍尔效应从本质上讲，是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力的作用而引起的偏转。
当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷在不同侧的聚积，从而形成附加的横向电场。
这个现象叫做霍尔效应。
如图1.1所示，把一块半导体薄片放在垂直于它的磁感应强度为B 的磁场中（B 的方向沿Z 轴方向），若沿X 方向通以电流S I 时，薄片内定向移动的载流子受到的洛伦兹力B F 为：quB F B = ，其中q ,u 分别是载流子的电量和移动速度。
载流子受力偏转的结果使电荷在'AA 两侧积聚而形成电场，电场的取向取决于试样的导电类型。
设载流子为电子，则B F 沿着负Y 轴负方向，这个电场又给载流子一个与B F 反方向的电场力E F 。
设H E 为电场强度，H V 为A 、'A 间的电位差，b 为薄片宽度，则 bV qqE F HH E == （1）达到稳恒状态时，电场力和洛伦兹力平衡，有E B F F =，即bV qquB H= （2） 设载流子的浓度用n 表示，薄片的厚度用d 表示，因电流强度S I 与u 的关系为bdnqu I S =，或bdnq I u S =，故得 dBI nq V S H 1= （3） 令 nqR H 1=（4） 则（3）式可写成 dBI R V S HH = （5） H V 称为霍尔电压，S I 称为控制电流。
比例系数R H 称为霍尔系数，是反映材料霍尔效应强弱的重要参数。
由（5）式可知，霍尔电压V H 与I S 、B 的乘积成正比，与样品的厚度d 成反比。
(2)霍尔效应在研究半导体性能中的应用 1.霍尔系数R H 的测量由（5）式可知，只要测得I S 、B 和相应的V H 以及霍尔片的厚度d ，霍尔系数R H 可以按下式计算求得 BI dV R S H H =（6） 根据霍尔系数R H ，可进一步确定以下参数。
2.根据R H 的符号判断样品的导电类型半导体材料有N 型（电子型）和P 型（空穴型）两种，前者的载流子为电子，带负电；后者载流子为空穴，相当于带正电的粒子。
判别的方法是按图1所示的I S 和B 的方向，若R H >0,样品属n 型（电子型）半导体材料；反之,样品属p 型（空穴型）半导体材料。
3.由R H 确定样品的载流子浓度n（4）式是假定所有的载流子都具有相同的漂移速度得到的。
如果考虑载流子速度的统计分布规律，这个关系式需引入一个38π的修正因子。
可得，qR n H 138π=（7）根据测得的霍尔系数R H ，由（7）式可确定样品的载流子浓度n 。
4.结合电导率的测量，计算载流子的迁移率厚度为d ，宽度为b 的样品，通过电流为S I 时，测得长度为L （5.0mm ）的一段样品材料上的电压为0V ，对应的电阻SI V R 0=。
由于电导率σ与电阻率ρ（单位长度上的电阻）互为倒数，所以由此可求出样品的σ为： bdV L I bdR LS 01===ρσ (8) 电导率σ与载流子浓度n 及迁移率u 之间有如下关系：σσH R nqu ==(9)式中q 为电子电量。
5.利用霍尔效应测磁场令nqdd R K H H 1==，则（5）式可写成如下形式 B I K V S H H = （10）比例系数H K 称为霍尔元件的灵敏度，表示该元件在单位磁场强度和单位控制电流时的霍尔电压。
H K 的大小与材料性质（种类、载流子浓度）及霍尔片的尺寸（厚度）有关。
对一定的霍尔元件在温度和磁场变化不大时，可认为H K 基本上是常数。
可用实验方法测得，一般要求H K 愈大愈好。
H K 的单位为T mA mV ⋅/。
由(10)式可以看出，如果知道了霍尔片的灵敏度H K ，用仪器分别测出控制电流I S 及霍尔电压H V ，就可以算出磁场B 的大小，这就是用霍尔效应测磁场的原理。
从以上分析可知，要得到大的霍尔电压，关键是选择霍尔系数大（即迁移率高、电阻率高）的材料。
就金属导体而言，u 和ρ均很小，而不良导体ρ虽高，但u 极小，因此上述两种材料均不适宜用来制造霍尔器件。
由于半导体的u 高，ρ适中，是制造霍尔元件比较理想的材料，加之，电子的迁移率比空穴的迁移率大，所以霍尔元件多采用n 型半导体材料。
此外元件厚度d 愈薄，K H 愈高，所以制作时，往往采用减少d 的办法来增加灵敏度，但不能认为d 愈薄愈好，因为此时元件的输入和输出电阻将会增加，这对霍尔元件是不希望的。
本实验采用的霍尔片的厚度d 为0.2mm ，为1.5mm ，长度L 为1.5mm 。
由于霍尔效应建立需要的时间很短（约在10–12—10–14 s 内），因此使用霍尔元件时可以用直流电或交流电。
若控制电流S I 用交流电t I I S ωsin 0=, 则t I B K B I K V H S H H ωsin 0⋅=⋅⋅=所得的霍尔电压也是交变的，在使用交流电情况下，（5）式仍可使用，只是式中的S I 和HV 应理解为有效值。
（3）伴随霍尔电压产生的附加电压及其消除方法 在霍尔效应产生的过程中伴随有多种副效应，（参看附录）这些副效应产生的电压主要有：a. 厄廷豪森效应产生的E V ；b. 能脱斯效应产生的N V ；c. 里纪—勒杜克效应产生的R V ；d. 不等位电位差0V 。
这些副效应产生的附加电压迭加在霍尔电压上，使测得的电压值并不完全是霍尔电压。
因此必须采取措施消除或减小各种副效应的影响。
若依次改变电流方向、磁场方向，取各测量值的平均值，就可以把大部分副效应消除掉，即测量值的平均值就是霍尔电压。
设电流、磁场取某方向（定为正方向）时，所有副效应与霍尔效应的电位差均为正（如果有负结果也是一样），用数学形式表示各种副效应的消除方法如下： ),(S I B ++ 01V V V V V V R N E H ++++=； ),(S I B -+ 02V V V V V V R N E H -++--=),(S I B -- 03V V V V V V R N E H ---+=； ),(S I B +- 04V V V V V V R N E H +---=则 )(44321E H V V V V V V +=-+-其中只有厄廷豪森效应产生的电位差E V 无法消除，但E V 一般较小，可以忽略。
所以得：)(414321V V V V V H -+-=（11）； 或： ()432141V V V V V H +++=(12) 在精密测量中，可采用交变磁场和交流电流及相应的测量仪器，使霍尔片上、下两侧来不及产生温差；从而可使霍尔电压的测量减小误差。
【实验仪器】DH4512系列霍尔效应实验仪【实验内容和步骤】 一、开机前的准备工作1. 仔细检查测试仪面板上的“S I 输出”、“ M I 输出”、“ H V 、0V 输入”三对接线柱分别与实验仪的三对相应接线柱是否正确连接。
a.将DH4512型霍尔效应测试仪面板右下方的励磁电流I M 的直流恒流源输出端（0～0.5A ），接DH4512型霍尔效应实验架上的I M 磁场励磁电流的输入端（将红接线柱与红接线柱对应相连，黑接线柱与黑接线柱对应相连）。
b.将“测试仪”左下方供给霍尔元件工作电流I S 的直流恒流源（0～3mA ）输出端，接“实验架”上I S 霍尔片工作电流输入端。
（注意：将红接线柱与红接线柱对应相连，黑接线柱与黑接线柱对应相连）c.“测试仪”H V 、σV 测量端，接“实验架”中部的V H 输出端。
（注意：以上三组线千万不能接错，以免烧坏元件）d.用一边是分开的接线插、一边是双芯插头的控制连接线与测试仪背部的插孔相连接。
(注意：红色插头与红色插座相联, 黑色插头与黑色插座相联) 2.将S I 和M I 的调节旋扭逆时针旋至最小。
3.检查霍尔片是否在双线圈的中心位置。
4.接通电源，预热数分钟即可开始实验。
二、确定半导体硅单晶样品的霍尔系数H R 和载流子浓度na.在稳恒磁场中（保持励磁电流=M I 500mA 不变），改变样品的控制电流S I 从 1.50mA 至3.50mA ，间隔0.50mA ，用对称测量法测出相应的霍尔电压H V ，把H V —S I 数据填入表1。
b.保持样品的控制电流=S I 3.50mA 不变，改变励磁电流M I 从100m Ａ至500m Ａ间隔100mA ，从而测出在不同磁感应强度B 的磁场中样品的霍尔电压H V ，将H V —M I 数据记录在自拟的数据表中。
三、测出通电样品一段长度上的电压0V ，从而确定样品的电导率σ和载流子迁移率u 把2个＂H V 、σV ＂测量选择拨向σV ，将Is ，I M 都调零时，调节中间的霍尔电压表，使其显示为0mV 。
取=S I 2.00mA ，改变S I 的方向，由两次测量值求出平均值2/)(02010V V V +=。
代入(8)、(9)式即可求得σ和u 。
四、利用霍尔元件测绘螺线管的轴向磁场分布 1.将实验仪和测试架的转换开关切换至V H 。
2.先将I M 、Is 调零，调节中间的霍尔电压表，使其显示为0mV 。