带隙基准电路ppt

SS
TT
FF
-
温度系数
5.79ppm/℃ 1.13ppm/℃ 0.74ppm/℃
4.功耗
3.4
图
功 耗 仿 真 图
SS
TT
FF
-
功耗
0.99mW 1.35mW 2.05mW
5.蒙特卡罗分析
输出电压
温度系数
-
电源抑制比 功耗
蒙特卡罗分析结果
输出电压（V） 电源抑制比（dB） 温度系数（ppm/℃） 功耗（uA）
核心电路
第三章 仿真结果
1.输出电压
3.1
图
输 出 电 压 仿 真 图
SS
TT
FF
-
输出电压 1.25V 1.23V 1.22V
2.电源抑制比（PSRR）
3.2
图
电 源 抑 制 比 仿 真 图
SS
TT
FF
-
PSRR
73dB 72dB 93dB
3.温度系数（TC）
3.3
图
温 度 系 数 仿 真 图
基于0.35微米CMOS工艺的 带隙基准源设计
Based on 0.35um BCD Process BandGap reference design
-
第一章 概述
1.BCD工艺简介 BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）功率集成电路器件， 通过MOS管的最高电压可达40V，最低为5V。
2.带隙基准源简介及其应用 模拟集成电路广泛地包含带隙基准电压源，由于带隙基准 电压源的输出电压与电源电压、工艺参数和温度的关系很 小，所以带隙基准电压源一直是集成电路中的一个重要的 基本模块，例如可应用于LDO或者电荷泵等。
当VBE 750mV ,T 300K时，VBE T -1.5mV / K
VBE
VT
ln
IC IS
,VT
KT
q
VBE2 VT ln n (R2 R3) R3 VREF
-
图1.2 基本的带隙基准源
第二章 BandGap电路设计
1.核心电路（含启动电路）
VREF
wenku.baidu.com
2VT ln R45
n
R43
VBEQ32
SS 1.356-1.041 98.54-51.226 105.78-1.337
218-182
TT 1.342-1.023 106.58-51.55 89.205-0.566
321-274
FF 1.332-1.013 95.71-48.64 78.72-2.183
441-383
-
参考文献： 1.高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源_吴志明 2.模拟CMOS集成电路设计_毕查德拉扎维
-
12
3
启动电路
-
图2.1 核心电路（含启动电路）
2.运放电路
三级运放 通过运放，使整个核心电路 的偏置电压独立于电源电压， 从而提高电源抑制比。
-
图2.2 运放电路
3.启动电路
2.3
图
保证运放正常工作，并提供偏置
启
动
电
路
-
启动电路
-
三级运放
此电路共计49个MOS管，5个三极管，8个电阻和1个电容 图2.4 整体电路