常用的肖特基二极管型号及参数
e220b肖特基二极管参数
e220b肖特基二极管参数一、肖特基二极管的基本概念肖特基二极管（Schottky Diode）是一种金属半导体结二极管，具有快速的开关速度、低正向压降、高耐压等特点。
它主要用于信号传输、电源开关、脉冲发生器等电子设备中，起到整流、限幅、保护等作用。
二、肖特基二极管的主要参数1.正向电压（V Forward）：正向电压是指在正向电流条件下，二极管两端的电压。
一般情况下，正向电压越低，二极管的效率越高。
2.反向电压（V Reverse）：反向电压是指在反向电流条件下，二极管两端的电压。
反向电压越高，二极管的耐压能力越强。
3.正向电流（I Forward）：正向电流是指在正向电压下，通过二极管的电流。
正向电流越大，说明二极管的导通能力越强。
4.反向电流（I Reverse）：反向电流是指在反向电压下，通过二极管的电流。
反向电流越小，说明二极管的隔离能力越好。
5.开关速度（Switching Speed）：开关速度是指二极管在通断过程中，电压或电流变化的速度。
开关速度越快，二极管的响应时间越短。
三、肖特基二极管的应用领域1.电源电路：肖特基二极管在电源电路中用作整流器、开关电源、稳压器等。
2.信号传输：肖特基二极管在信号传输电路中用作限幅器、脉冲发生器等。
3.保护元件：肖特基二极管可用于电气设备的过压、过流保护。
4.射频应用：肖特基二极管在射频电路中用作调制器、检波器等。
四、选择和使用肖特基二极管的注意事项1.根据电路需求选择合适的肖特基二极管型号，注意参数匹配。
2.注意二极管的封装和尺寸，确保散热良好。
3.在高电压、大电流应用场合，应选择反向电压和正向电流较大的二极管。
4.在高速应用场合，选择开关速度较快的二极管。
5.考虑环境因素，如温度、湿度等，选择合适的二极管材料和封装。
总之，肖特基二极管作为一种重要的半导体元器件，在电子设备中有着广泛的应用。
正确选择和使用肖特基二极管，可以提高电路的性能和可靠性。
肖特基二极管 1a 常用参数
肖特基二极管（Schottky Diode）是一种使用金属-半导体界面的二极管，因其具有低开启电压和快速开关速度而备受青睐。
它的结构由一个n型半导体和一个金属材料组成，两者在一起形成一个肖特基界面，这使得肖特基二极管在一些特定的应用中具有独特的优势。
对于肖特基二极管，常用参数是很重要的，通过这些参数我们可以更好地了解这种二极管的性能和特点。
下面，我将按照深入浅出的方式，从不同角度来评估肖特基二极管1A常用参数，并为您撰写一篇相关文章。
1. 正向导通电压（VF）：这是肖特基二极管的一个关键参数，也是其最显著的特点之一。
正向导通电压（VF）通常比常规PN结二极管的正向导通电压要低，这使得肖特基二极管能够在低电压下工作，从而在一些特定的应用中具有优势。
2. 反向击穿电压（VR）：与正向导通电压相对应的是反向击穿电压，这是肖特基二极管的一个重要参数。
了解肖特基二极管的反向击穿电压，可以帮助我们在电路设计和应用中更好地加以考虑和利用。
3. 最大正向工作电流（IF）：肖特基二极管的最大正向工作电流也是一个重要的参数。
了解肖特基二极管能够承受的最大正向工作电流，可以帮助我们在电路设计中选择合适的元器件，确保电路的可靠性和稳定性。
4. 热阻（θja）：对于肖特基二极管而言，热阻也是一个不可忽视的参数。
了解肖特基二极管的热阻，可以帮助我们在实际应用中合理设计散热系统，确保器件在工作时能够保持正常的温度，避免过热给电路带来不良影响。
5. 开启时间（tr）：肖特基二极管的开启时间也是一个值得关注的参数。
了解肖特基二极管的开启时间，可以帮助我们在电路设计中更好地考虑信号传输的速度和时序要求，确保电路的稳定性和可靠性。
总结回顾在本文中，我们对肖特基二极管1A常用参数进行了全面评估，从正向导通电压、反向击穿电压、最大正向工作电流、热阻和开启时间等多个角度来分析了肖特基二极管的性能和特点。
通过对这些参数的了解，我们可以更全面、深入和灵活地应用肖特基二极管，从而在实际应用中取得更好的效果。
贴片肖特基二极管常见型号
贴片肖特基二极管常见型号
贴片肖特基二极管是一种常用的小型的二极管，它们在电子行业中的应用非常
普遍，它们的封装形式相对于普通的二极管更加紧凑，可以节省空间。
下面我们来看看贴片肖特基二极管一些常见型号。
首先，BJT系列贴片肖特基二极管，它们紧凑型的设计具有象芯片一样的封装，使其具有良好的耐热性及耐腐蚀性，具有较高的耐电压能力，经常用于控制电源。
常见型号有BC547、BC548和BC549，它们具有良好的导通性和抗干扰能力。
其次，PNP系列贴片肖特基二极管，它具有高可靠性和良好的稳定性，可以用
于模拟信号处理和放大，它们的信号噪声及纹波电压也比较低。
常见型号是2SB54、2SB55、2SB56，它们可以用于模拟视频信号的输入和处理，同时可以兼容CMOS芯片。
最后，NMOSFET系列贴片肖特基二极管，它具有良好的高压和热稳定性，经常
用于高速电路中。
常见型号有IRF 4905、IRF5305和IRF 5705，它们可以用于频
繁转换的输出电路和高速电路中，同时还具有良好的功率效率。
总之，贴片肖特基二极管具有高效性、稳定性及耐热性等特点，有其独特的优势。
不同类型的贴片肖特基二极管都用在各种电子设备中，发挥着不可替代的作用。
肖特基(Schottky)二极管
肖特基（Schottky）二极管肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称 SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。
最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。
其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。
在通信电源、变频器等中比较常见。
一个典型的应用，是在双极型晶体管 BJT 的开关电路里面, 通过在 BJT 上连接 Shockley 二极管来箝位，使得晶体管在导通状态时其实处于很接近截止状态，从而提高晶体管的开关速度。
这种方法是 74LS，74ALS，74AS 等典型数字 IC 的 TTL内部电路中使用的技术。
肖特基（Schottky）二极管的最大特点是正向压降 VF 比较小。
在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。
另外它的恢复时间短。
它也有一些缺点：耐压比较低，漏电流稍大些。
选用时要全面考虑。
三、晶体二极管晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示，如： D5表示编号为5的二极管。
1、作用：二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。
正因为二极管具有上述特性，无绳电话机中常把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中。
电话机里使用的晶体二极管按作用可分为：整流二极管（如1N4004）、隔离二极管（如1N4148）、肖特基二极管（如BAT85）、发光二极管、稳压二极管等。
2、识别方法：二极管的识别很简单，小功率二极管的N极（负极），在二极管外表大多采用一种色圈标出来，有些二极管也用二极管专用符号来表示P极（正极）或N极（负极），也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。
发光二极管的正负极可从引脚长短来识别，长脚为正，短脚为负。
3、测试注意事项：用数字式万用表去测二极管时，红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极管的负极，此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值，这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。
肖特基二极管作用及型号
肖特基二极管肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。
SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。
因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
肖特基二极管是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。
其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安。
这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。
中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。
一、肖特基二极管原理肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B 为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的多属-半导体器件。
因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。
显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。
随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度表面逐渐降轻工业部，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B →A。
但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。
当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。
典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。
阳极（阻档层）金属材料是钼。
二氧化硅（SiO2）用来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。
N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。
在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。
通过调整结构参数，可在基片与阳极金属之间形成合适的肖特基势垒，当加上正偏压E时，金属A和N型基片B分别接电源的正、负极，此时势垒宽度Wo变窄。
肖特基二极管常用参数大全
肖特基二极管常用参数大全1.电流电压特性：肖特基二极管的电流电压特性是其最重要的参数之一、它包括正向电压、反向电压和漏泄电流。
正向电压是指在正向偏置情况下肖特基二极管所支持的最大电压值。
反向电压是指在反向偏置情况下肖特基二极管所能承受的最大电压值。
漏泄电流是指当肖特基二极管处于反向偏置状态时，从阳极到阴极电流的数值。
2.规格参数：肖特基二极管的规格参数包括最大额定电流、最大额定功率和最大频率。
最大额定电流是指肖特基二极管所能承受的最大电流值。
最大额定功率是指肖特基二极管所能承受的最大功率值。
最大频率是指肖特基二极管所能支持的最高工作频率。
3.转导电导：转导电导是指肖特基二极管在正向偏压下的导纳值。
它是电流和电压的比值，用来衡量肖特基二极管的导电能力。
4.热稳定性：5.漏极电容：漏极电容是指肖特基二极管的漏极到阴极之间的电容值。
它与肖特基二极管的工作频率密切相关。
6.正向压降：正向压降是指肖特基二极管在正向偏压下的电压降。
较低的正向压降意味着肖特基二极管的能耗较低。
7.动态电阻：动态电阻是指肖特基二极管在正向偏压下的阻抗大小。
它与肖特基二极管的导通特性相关。
8.寿命：寿命是指肖特基二极管的使用寿命。
一个好的肖特基二极管应该具有较长的寿命。
9.噪声：噪声是指肖特基二极管产生的噪声信号。
较小的噪声意味着肖特基二极管具有较低的噪音水平。
10.尺寸与封装：尺寸与封装是指肖特基二极管的物理尺寸和封装形式。
常见的封装包括TO-220、TO-247等。
[常用肖特基二极管参数]肖特基二极管原理和常用参数和检测方法
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[常用肖特基二极管参数]肖特基二极管原理和常用参数和检测方法篇一: 肖特基二极管原理和常用参数和检测方法肖特基二极管原理肖特基势垒二极管SBD是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。
，正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安培。
这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。
中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。
基本原理是：在金属和半导体的接触面上，形成肖特基势垒来阻挡反向电压。
肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。
其耐压程度只有40V左右。
其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间特别地短。
因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。
肖特基二极管肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。
肖特基二极管利用金属与半导体接触所形成的势垒对电流进行控制。
它的主要特点是具有较低的正向压降；另外它是多子参与导电，这就比少子器件有更快的反应速度。
肖特基二极管常用在门电路中作为三极管集电极的箝位二极管，以防止三极管因进入饱和状态而降低开关速度肖特基二极管是贵金属A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。
因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。
显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。
随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度表面逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。
但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。
另外使用ZC 25-3型兆欧表和500型万用表的250VDC档测出，内部两管的反向击穿电压VBR依次为140V、135V。
查手册，B82-004的最高反向工作电压VBR=40V。
表明留有较高的安全系数。
篇二: 肖特基二极管的作用肖特基二极管的工作原理肖特基二极管是一种热载流子二极管。
肖特基二极管参数表
肖特基二极管参数表（原创版）目录1.肖特基二极管的概念与特点2.肖特基二极管的参数表及其含义3.肖特基二极管的应用领域4.肖特基二极管的发展前景正文一、肖特基二极管的概念与特点肖特基二极管，又称为肖特基势垒二极管，是一种金属与半导体接触的电子器件。
它具有很高的工作速度、较低的正向电压和较大的反向电流。
肖特基二极管的这些特性使其在电子设备中具有广泛的应用。
二、肖特基二极管的参数表及其含义肖特基二极管的参数表包括以下几个主要参数：1.最大重复峰值反向电压（VRRM）：表示肖特基二极管能够承受的最大重复峰值反向电压。
例如，MBR10200CT 肖特基二极管的 VRRM 为 200V。
2.最大直流闭锁电压（VDC）：表示肖特基二极管在最大直流电压下能够正常工作的电压值。
例如，MBR10200CT 肖特基二极管的 VDC 为 200V。
3.最大正向平均整流电流（I(AV)）：表示肖特基二极管在最大正向电压下能够通过的平均整流电流。
例如，MBR10200CT 肖特基二极管的 I(AV) 为 10.0A。
4.最大瞬时正向电压（VF）：表示肖特基二极管在最大正向电流下能够承受的瞬时正向电压。
例如，MBR10200CT 肖特基二极管的 VF 为 0.92V。
5.额定直流阻断电压下的最大直流反向电流（IR）：表示肖特基二极管在最大直流阻断电压下能够承受的最大直流反向电流。
例如，MBR10200CT 肖特基二极管的 IR 在最大直流阻断电压 TA25 下为0.1mA，在最大直流阻断电压 TA125 下为 20.0mA。
6.工作温度和存储温度范围（TJ,TSTG）：表示肖特基二极管能够正常工作的温度范围。
例如，MBR10200CT 肖特基二极管的工作温度和存储温度范围为 -65to 175。
三、肖特基二极管的应用领域肖特基二极管广泛应用于各种电子设备中，如电源开关、稳压器、充电器、电视机、收音机等。
其高速开关特性使得肖特基二极管在高频应用领域具有优势。
肖特基二极管参数表
肖特基二极管（Schottky Diode）是一种具有低功耗、大电流、超高速特性的半导体器件。
它不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属半导体结原理制作的。
因此，SBD也称为金属半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
肖特基二极管的参数表通常包括以下内容：1. VF（Forward Voltage Drop）：正向压降。
这是肖特基二极管在正向导通时，从阳极到阴极的电压降。
通常情况下，VF的值较低，大约在0.4V到0.7V之间。
2. VFM（Maximum Forward Voltage Drop）：最大正向压降。
这是设备在正向工作时所能承受的最大电压。
VFM决定了二极管是否能在特定电路中进行可靠的操作。
3. VBR（Reverse Breakdown Voltage）：反向击穿电压。
这是肖特基二极管在反向偏置时，能够承受的最大电压，超过这个电压会导致器件损坏。
4. VRRM（Peak Reverse Voltage）：峰值反向电压。
这是设备在反向工作时所能承受的最大电压。
VRRM通常高于VBR，以确保器件在正常操作中不会因反向电压而损坏。
5. VRsM（Non-Repetitive Peak Reverse Voltage）：非反复峰值反向电压。
这是设备在非反复模式（如单次脉冲）下所能承受的最大反向电压。
6. VRwM（Reverse Working Voltage）：反向工作电压。
这是设备在反向偏置时能够安全工作的电压。
7. Vpc（Maximum DC Blocking Voltage）：最大直流截止电压。
这是肖特基二极管能够承受的最大直流电压，用于防止器件因过压而损坏。
8. Trr（Reverse Recovery Time）：反向恢复时间。
这是肖特基二极管从反向偏置到正向偏置的恢复时间，通常很短，大约在几纳秒到几十纳秒之间。
肖特基二极管原理和常用参数和检测方法
肖特基二极管原理肖特基势垒二极管SBD（Schottky Barrier Diode，简称肖特基二极管）是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。
其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安培。
这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。
中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。
基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，形成肖特基势垒来阻挡反向电压。
肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。
其耐压程度只有40V左右。
其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间特别地短。
因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。
肖特基二极管（Schottky Barrier Diode)是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。
其正向起始电压较低。
其金属层除钨材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。
其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。
这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。
由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。
其工作频率可达100GHz。
并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。
肖特基二极管利用金属与半导体接触所形成的势垒对电流进行控制。
它的主要特点是具有较低的正向压降（0.3V至0.6V）；另外它是多子参与导电，这就比少子器件有更快的反应速度。
肖特基二极管常用在门电路中作为三极管集电极的箝位二极管，以防止三极管因进入饱和状态而降低开关速度肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B 为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。
因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。
肖特基二极管原理和常用参数和检测方法
肖特基二极管原理肖特基势垒二极管SBD（Schottky Barrier Diode，简称肖特基二极管）是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。
其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安培。
这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。
中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。
基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，形成肖特基势垒来阻挡反向电压。
肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。
其耐压程度只有40V左右。
其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间特别地短。
因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。
肖特基二极管（Schottky Barrier Diode)是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。
其正向起始电压较低。
其金属层除钨材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。
其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。
这种器件是由多数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。
由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频响仅为RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。
其工作频率可达100GHz。
并且，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管。
肖特基二极管利用金属与半导体接触所形成的势垒对电流进行控制。
它的主要特点是具有较低的正向压降（0.3V至0.6V）；另外它是多子参与导电，这就比少子器件有更快的反应速度。
肖特基二极管常用在门电路中作为三极管集电极的箝位二极管，以防止三极管因进入饱和状态而降低开关速度肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B 为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。
因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。
肖特基二极管参数表
肖特基二极管参数表摘要：1.肖特基二极管的基本概念和特点2.肖特基二极管的分类和应用领域3.常用肖特基二极管的型号与参数4.肖特基二极管的主要性能指标及其意义5.选择和使用肖特基二极管时需关注的因素正文：肖特基二极管（Schottky Barrier Diode，简称SBD）是一种低功耗、大电流、超高速半导体器件。
它以金属与半导体接触形成的金属半导体结原理制作，而非利用PN结原理。
由于其独特的性能优势，被广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路中。
肖特基二极管的特点包括：1.低功耗：正向导通压降仅0.4V左右，整流电流可达到几千毫安。
2.高速度：反向恢复时间极短，可达到几纳秒。
3.良好的热稳定性：具有较高的热稳定性，可以承受较高的功耗。
根据应用领域和性能要求，肖特基二极管可分为不同类型。
例如，用于续流二极管、保护二极管等。
在通信电源、变频器等电路中，肖特基二极管有着广泛的应用。
常用的肖特基二极管型号包括：1.引线式肖特基二极管：D80-004、B82-004等。
2.封装式肖特基二极管：MBR1545、MBR2535、MBR300100CT、MBR400100CT等。
在选择和使用肖特基二极管时，需要关注以下性能指标：1.正向电压VF：指肖特基二极管正向导通时，正向电压与正向电流的比值。
VF越低，功耗越小。
2.反向漏电IR：指二极管反向漏电流。
IR越小，二极管的反向性能越好。
3.反向电压VR：二极管能承受的最大反向电压。
VR越高，二极管的耐压能力越强。
4.反向恢复时间trr：二极管从反向导通到截止的时间。
trr越小，二极管的开关速度越快。
总之，肖特基二极管具有低功耗、高速度等优点，广泛应用于高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管等电路。
ASEMI肖特基二极管MBR2045CT参数,肖特基二极管作用原理及特点
编辑：GG
ASEMI肖特基二极管MBR2045CT参数规格：
肖特基二极管MBR2045CT电流：20A ；
肖特基二极管MBR2045CT电压：45V；
肖特基二极管MBR2045CT管装：50/管；盒装：1000PCS/盒。
肖特基二极管广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。
基本的参数包装都是容易了解的，除了这些基本参数，你知道什么是肖特基二极管，他的作用原理是什么吗？又有什么特点呢？听小编GG为您娓娓道来吧。
一、什么是肖特基二极管？
肖特基二极管(Schottky Barrier Diode) ，它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。
其正向起始电压较低。
其金属层除钨材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。
其半导体材料采用硅或砷化镓，多为型半导体。
二、肖特基二极管的作用原理是什么？
肖特基二极管：肖特基二极管利用金属与半导体接触所形成的势垒对
电流进行控制。
三、肖特基二极管有什么特点？
它的主要特点是具有较低的正向压降（0.3V至0.6V）；另外它是多子参与导电，这就比少子器件有更快的反应速度。
肖特基二极管常用在门电路中作为三极管集电极的箝位二极管，以防止三极管因进入饱和状态而降低开关速度。
看完这边文章，是不是又小小的涨知识了。
常用肖特基二极管简表
常用肖特基二极管参数简表型 号厂商封 装 电流If/A 反 压Vrrm/V 压降Vf/V 50SQ080 IR 轴向 5.00 80 0.6650SQ100IR轴向 5.00100 0.66 MBR735 GS TO2207.5035 0.84 MBR745GS TO2207.50450.84 MBR745IR TO2207.50450.841SS294TOS SC‐590.1400.60 BAT15‐099INF SOT1430.1140.3210MQ060N IR SMA0.77900.6510MQ100N IR SMA0.77 100 0.9610BQ015IR SMB 1.00150.34SS12 GS DO214 1.00 200.50 MBRS13 0LT3ON 1.0030 0.3910BQ040IR SMB 1.0040 0.53RB060L‐40ROHM PMDS 1.00400.55RB160L‐40ROHM PMDS 1.00400.55SS14GS DO214 1.00400.50 MBRS140T3ON ‐ 1.0040 0.6010BQ060IR SMB 1.00600.57SS16GS DO214 1.00600.7510BQ100IR SMB 1.001000.78 MBRS1100T3ON ‐ － 1.00 1000.7510MQ040N IR SMA 1.10400.5115MQ040N IR SMA 1.70400.55 PBYR245CT PS SOT223 2.00450.4530BQ015 IR SMC 3.00 150.3530BQ040IR SMC 3.00400.5130BQ060IR SMC 3.00600.5830BQ100IR SMC 3.00100 0.79 STPS340U STM SOD6 3.00 400.84 MBRS340T3ON ‐ － 3.00 40 0.52RB051L‐40ROHM PMDS 3.00 400.45 MBRS360T3ON ‐ － 3.00600.7030WQ04FN IR DPAK 3.30400.6230WQ06 FN IR DPAK3.30600.7030WQ10 FN IR DPAK 3.30 1000.9130WQ03FN IR DPAK 3.50300.5250WQ03FN IR DPAK 5.50300.5350WQ06 FN IR DPAK 5.5 060 0.576CWQ06F N IR DPAK 6.6060 0.586CWQ10FN IR DPAK pr 6.60 1000.811N5817ON轴向 1.0020 0.751N5818ON轴向 1.00300.551N5819ON轴向 1.00400.60SB130 GS轴向 1.00 300.50 MBR150 ON轴向 1.0050 1.00 MBR160 ON 轴向 1.0060 1.00 11DQ10IR 轴向 1.101000.85 11DQ04IR轴向 1.10400.55 11DQ05IR轴向 1.10500.58 11DQ06IR轴向 1.10 600.58 MBRS340TR IR SMC 3.0040 0.43 1N5820 ON 轴向 3.00200.85 1N5821ON轴向 3.00 300.38 1N5822ON轴向 3.00 400.52 MBR360ON轴向 3.0060 1.00 SS32 GS DO214 3.0020 3.00 SS34 GS DO214 3.00 40 0.50 31DQ10 IR DO201 3.30 100 0.85 SB530 GS 轴向 5.00 30 0.57 SB540 GS DO201 5.00 40 0.57 80SQ040 IR 轴向 8.00 40 0.53 STQ080 IR TO220 8.00 80 0.72 8TQ100 IR TO220 8.00 100 0.72 80SQ040 IR 轴向 8.00 40 0.53 80SQ035 IR DO204AR 8.00 35 0.53 HFA16PA60C IR TO247CT 8.00 600 1.70 95SQ015 － 轴向 9.00 15 0.31 90SQ040 － 轴向 9.00 40 0.48 10TQ045 － TO220 10.00 45 0.57 MBR1035 GS TO220 10.00 35 0.84 MBR1045 ON TO220 10.00 45 0.84 STPS1045F ON ISO220 10.00 45 0.64 MBR2060CT ON TO220 10.00 60 0.85 MBR106 0 ON TO220 10.00 60 0.95 PBYR10100 PS TO220 10.00 100 0.70 10TQ040 IR TO220 10.00 40 0.57 MBR1045 CT IR TO220 10.00 45 0.84 10CTQ150‐1 IR D2pak 10.00 150 0.73 40L15CTS IR D2pak 10.00 150 0.41 85CNQ015A IR D61 80.00 15 0.32 150K40A IR D08 150.00 400 1.33 12CTQ040 IR TO220 12.00 45 0.73 MBR1545CT IR TO220 pr 15.00 45 0.72 MBR1660 GS TO220 16.0060 0.75 16CTQ080 IR TO220 pr 16.0080 0.72 16CTQ100 IR TO220 pr 16.00100 0.72 16CTQ100‐1 IR D2Pak 16.00100 0.72 18TQ045 ON TO220 18.0045 0.60HFA16PB120 IR TO247 16.00 1200 3.00 MBR1645 IR TO220AC 16.00 45 0.63 19CTQ01 IR TO220 19.00 15 0.36 20CTQ045IRTO220 pr20.00450.6420TQ045 IR TO220 20.00 45 0.57 MBR2045CT IR TO220 pr 20.00 45 0.84 MBR2090CT IR TO220 pr 20.00 90 0.80 MBR20100CTIRTO220 pr 20.00 100 0.80 MBR20100CT-1 IR TO262 20.00 100 0.80 MBR2080CT IR TO220AB 20.00 80 0.85 MBR2545CT IR TO220AB 30.00 45 0.82 MBR3045WTIRTO24730.004532CTQ030 IR TO220 pr 30.00 30 0.49 32CTQ303-1IRD2Pak30.00300.4930CPQ060 IR TO220 pr 30.00 60 0.62 30CPQ080 IR TO247AC 30.00 80 0.86 30CPQ100 IR TO247 pr 30.00 100 0.86 30CPQ150 IR TO247 pr 30.00 150 1.00 40CPQ040 IR TO247 pr 40.00 40 0.49 40CPQ045 IR TO247 pr 40.00 45 0.49 40CPQ050 IR TO247AA 40.00 50 0.53 40CPQ100 IR TO247 pr 40.00 100 0.77 40L15CT IR TO220AB 40.00 15 0.53 47CTQ020IRTO22040.00200.34 48CTQ060 IR TO220 40.00 60 0.58 40L15CWIRTO24740.00150.5242CTQ030 IR TO220 40.00 30 0.38 40CTQ045 IR TO220 40.00 45 0.68 40L45CW IR TO247 40.00 45 0.70 40CPQ060 ON TO247 40.00 60 0.68 MBR4045WT IR TO247 40.00 45 0.59 MBR4060WT IR TO247 40.0060 0.77 43CTQ100 IR TO220 40.00 1000.98 52CPQ030 IR TO247 50.00 30 0.38 MBR6045WTIRTO247pr60.0045 0.73 STPS6045CPI ON TOP3I 60.00450.84 65PQ015 IR TO247 65.00 15 0.50 72CPQ030IRTO247AC70.00300.51 85CNQ015 IR D61 80.00 15 0.32 83CNQ100 IR D61 80.00 100 0.67 80CPQ020 IR TO247 80.00 20 0.32 82CNQ030A IR D61 80.00 30 0.37 82CNQ045AIRD6180.00450.47 83CNQ100A IR D61 80.001000.67 120NQ045 IR HALFPAK 120.00 450.52125NQ015 IR D67 120.00 15 0.33122NQ030 IR D67 120.00 30 0.41 STPS16045TV ON ISOTOP 160.00 45 0.95182NQ030 IR D67 180.00 30 0.41200.00 40 0.54 200CNQ040 IR TO244AB200.00 45 0.54 200CNQ045 IR TO244AB200CNQ030 IR TO244AB 200.00 30 0.48STPS24045TV ON ISOTOP 240.00 45 0.91203CMQ080 IR TO244 200.00 80 1.03240NQ045 IR HALFPAK240.00 45 0.55 301CNQ045 IR TO244 300.00 45 0.59 403CNQ100 IR TO244AB 400.00 100 0.83440CNQ030 IR TO244AB 440.00 30 0.411N60 VOLTTS轴向0.15 40 0.5 1N60P VOLTTS轴向0.5 45 0.5 1N5711 agilent轴向0.015 70 0.41 1N5712 agilent轴向0.035 20 0.55 5082-5810 agilent轴向0.035 20 0.41 5082-2811 agilent轴向0.020 15 0.41 5082-2835 agilent轴向0.010 8 0.34 型号厂家封装电流If/A 反 压Vrrm/V压降Vf/V 编制：w5jj@ 2009‐8‐19修订。
常用的肖特基二极管型号及参数
常用的肖特基二极管型号及参数肖特基二极管（Schottky Diode）是一种由半导体材料制成的二极管，其具有较快的开关速度、低的开关功耗和较小的反向恢复时间等优点。
在电子设备和电路中广泛使用，特别是在高频应用、功率电子和数字和模拟电路中。
下面是一些常用的肖特基二极管型号及其参数的介绍。
1.1N5817-正向电压降：0.45V-最大正向连续电流：1A-反向漏电流：10uA-耐反向电压：20V- 反向恢复时间：15ns2.BAT41-正向电压降：0.37V-最大正向连续电流：100mA-反向漏电流：150nA-耐反向电压：30V- 反向恢复时间：4ns3.BAT85-正向电压降：0.37V-最大正向连续电流：200mA -反向漏电流：150nA-耐反向电压：40V- 反向恢复时间：4ns4.SB540-正向电压降：0.55V-最大正向连续电流：5A-反向漏电流：200uA-耐反向电压：40V- 反向恢复时间：25ns5.MBR2045CT-正向电压降：0.75V-最大正向连续电流：20A -反向漏电流：300uA-耐反向电压：45V- 反向恢复时间：35ns-正向电压降：0.75V-最大正向连续电流：20A -反向漏电流：300uA-耐反向电压：100V- 反向恢复时间：40ns7.11DQ06-正向电压降：0.65V-最大正向连续电流：1A-反向漏电流：10uA-耐反向电压：60V- 反向恢复时间：20ns-正向电压降：0.52V-最大正向连续电流：16A-反向漏电流：50uA-耐反向电压：45V- 反向恢复时间：16ns9. TPSMBxxA-正向电压降：0.65V-最大正向连续电流：600mA-反向漏电流：5uA-耐反向电压：5-180V（不同型号可选）- 反向恢复时间：5-50ns（不同型号可选）10.LMBS82-正向电压降：0.32V-最大正向连续电流：100mA-反向漏电流：5uA-耐反向电压：20V- 反向恢复时间：4ns以上是一些常见的肖特基二极管型号及其参数的介绍。
肖特基整流二极管型号及参数
肖特基整流二极管型号及参数
肖特基整流二极管（Schottky Barrier Diode，简称SBD）是一种具有快速开关特性和低电压损耗的二极管。
其工作原理是通过形成金属和半导体之间的肖特基势垒来导电。
以下是一些常见的肖特基整流二极管型号及其参数介绍：
1.BAT54C：
-最大正向电流：600mA
-最大反向电压：30V
-正向压降：0.37V（I=0.1A）
- 导通时间：4ns
2.BAT46W：
-最大正向电流：150mA
-最大反向电压：100V
-正向压降：0.4V（I=0.1A）
- 导通时间：5ns
3.BAT41：
-最大正向电流：100mA
-最大反向电压：40V
-正向压降：0.45V（I=0.1A）
- 导通时间：8ns
4.BAT54S：
-最大正向电流：300mA
-最大反向电压：30V
-正向压降：0.26V（I=0.2A）
- 导通时间：6ns
5.BAT54:
-最大正向电流：600mA
-最大反向电压：30V
-正向压降：0.41V（I=0.1A）
- 导通时间：4ns
6.BAT85:
-最大正向电流：1A
-最大反向电压：30V
-正向压降：0.37V（I=0.1A）
- 导通时间：1ns
以上只是一些常用的肖特基整流二极管型号，实际上市场上还有很多其他型号的肖特基整流二极管。
不同型号的肖特基整流二极管具有不同的正向电流、反向电压、正向压降和导通时间等参数，可以根据具体应用需求选择合适的型号。
常用的肖特基二极管型号及参数
常用的肖特基二极管型号及参数肖特基二极管是一种具有特殊结构的二极管，具有快速开关速度、低反向电流和低电压丢失的特点，广泛应用于电源管理、开关电源、高频电路、自增放大器、矩阵存储等领域。
下面是一些常见的肖特基二极管型号及其参数。
1.1N5711：1N5711是一种常用的肖特基二极管型号，其最大正向电流为15mA，最大反向电流为2uA，最大反向电压为70V。
2.BAT54：BAT54是一种超小型、超低电压丢失的肖特基二极管，其最大正向电流为600mA，最大反向电流为5uA，最大反向电压为30V。
该型号适用于电源管理、无线通信、自增放大器等应用领域。
3.BAS70：BAS70是一种超小型、超低电压丢失、低反向电流的肖特基二极管，其最大正向电流为70mA，最大反向电流为50nA，最大反向电压为70V。
该型号适用于电源管理、高频电路、模拟开关等领域。
4.1N5819：1N5819是一种经典的肖特基二极管型号，其最大正向电流为1A，最大反向电流为5uA，最大反向电压为40V。
该型号适用于开关电源、充电器、汽车电路等应用领域。
5.SB520：SB520是一种超速肖特基二极管，其最大正向电流为5A，最大反向电流为5uA，最大反向电压为20V。
该型号适用于变换器、电源管理、DC/DC转换器等高功率应用领域。
6.SR240：SR240是一种高速肖特基二极管，其最大正向电流为2A，最大反向电流为5uA，最大反向电压为40V。
该型号适用于开关电源、电机驱动、变换器等高速开关应用领域。
以上只是常见的一些肖特基二极管型号及其参数，不同型号的肖特基二极管在正向电流、反向电流和反向电压等参数上存在差异。
在实际选择时，需要根据具体应用场景和要求来选择合适的肖特基二极管型号。
常用肖特基二极管
反向重复峰 最大平均
Part 值电压 Number
正向电流
VRRM IO @ TA
V
A
℃
1.0 安培肖特基势垒二极管
1N17 20
1.0
90
1N18 30
1.0
90
1N19 40
1.0
90
1S20 20
1.0
75
1S40 40
1.0
75
1S60 60
1.0
100
1S80 80
1.0
100
75 80
SR380 80
3.0
75 80
SR3100 100
3.0
75 80
5.0 安培肖特基势垒二极管
0.55 0.70 0.85 0.85
2.0 0.5 2.0 0.5 2.0 0.5 2.0 0.1
0.475 0.500 0.525 0.550 0.700 0.700 0.850 0.850
5.0
100 150
SR5A10 100
0
5.0
100 150
SRF5A2 20 0
5.0
90 150
SRF5A4 40 0
5.0
90 150
SRF5A6 60
0
5.0
100 150
SRF5A8 80 0
5.0
100 150
SRF5A1 100
00
5.0
100 150
8.0 安培肖特基势垒二极管
0.55 5.0 0.5 0.70 5.0 0.5 0.70 5.0 0.5 0.85 5.0 0.5 0.85 5.0 0.2 0.55 5.0 0.5 0.70 5.0 0.5 0.70 5.0 0.5 0.85 5.0 0.5 0.85 5.0 0.2 0.55 5.0 1.0 0.70 5.0 1.0 0.70 5.0 1.0 0.85 5.0 1.0 0.85 5.0 1.0 0.55 5.0 1.0 0.70 5.0 1.0 0.70 5.0 1.0 0.85 5.0 1.0 0.85 5.0 1.0