电力电子器件考试题及答案复习过程
电力电子试题及答案及电力电子器件及其驱动电路实验报告
一、填空题：（本题共7小题，每空1分，共20分）
1、请在正确的空格内标出下面元件的简称：
电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的触发功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
ton=1.8us，ts=1.8us，tf=1.2us
（2）电阻、电感性负载时的开关特性测试
除了将主回器部分由电阻负载改为电阻、电感性负载以外（即将“1”与“22”断开而将“2”与“22”相连)，其余接线与测试方法同上。
ton=2.1us，ts=10.0us，tf=2.5us
2．不同基极电流时的开关特性测试
2．不同基极电流时的开关特性测试。
3．有与没有基极反压时的开关过程比较。
4．并联冲电路性能测试。
5．串联冲电路性能测试。
6．二极管的反向恢复特性测试。
三．实验线路
四．实验设备和仪器
1．MCL-07电力电子实验箱中的GTR与PWM波形发生器部分
2．双踪示波器
3．万用表
4．教学实验台主控制屏
五．实验方法
GTR ：1
PWM：1
GTR：6
PWM：2
GTR：3
GTR：5
GTR：9
GTR：7
GTR：8
GTR：11
GTR：18
主回路：4
GTR：15
GTR：16
GTR：19
GTR：29
GTR：21
GTR：22
主回路：1
用示波器观察，基极驱动信号ib（“19”与“18”之间）及集电极电流ic（“21”与“18”之间）波形，记录开通时间ton，存贮时间ts、下降时间tf。
电力电子器件考试题及答案
一、填空题。
1、电子技术包括（信息电子）技术和（电力电子）技术.2、电力电子器件可以分为（电真空器件）和（半导体器件）两类，目前广泛使用的是基于（半导体材料)的电力电子器件。
3、电力电子器件工作在（开关）状态.4、电力电子器件的损耗包括（通态损耗）、（断态损耗）和(开关损耗）。
5、按照电力电子器件能够被控制电路所控制的程度，可将电力电子器件分为（半控型器件)、（全控型器件）和（不可控器件）。
6、写出以下电力电子器件的中英文名臣:常见的半控型器件为（晶闸管Thyristor）,常见的不可控器件为（电力二极管Power Diode）,常见的全控型器件为（门极可关断晶闸管GTO）、（电力晶体管GTR）、（电力场效应晶体管Power MOSFET）和(绝缘栅双极晶体管IGBT）。
7、电力二极管的基本工作原理为（PN结的单项导电性)，常见的电力二极管主要有（普通二极管Genera; Purpose Diode)、(快恢复二极管Fast Recovery Diode—FRD）、(肖特基二极管SBD）。
8、晶闸管又被称作（可控硅整流器SCR），有(螺栓型）和（平板型）两种封装结构，引出（阳极A）、（阴极K）和(门极G）三个连接端。
9、写出下列晶闸管的派生器件的英文缩写：快速晶闸管(FST），双向晶闸管（TRIAC），逆导晶闸管（RCT），光控晶闸管（LTT）.10、GTO为（PNPN四层半导体）结构，外部引出阳极、阴极和门极，结构上类似晶闸管,当给门极施加正的脉冲电流时，GTO导通，若要使其关断，则需(在门极施加负的脉冲电流）.GTO的（电压）和（电流）容量较大,多用在（兆瓦级）以上的大功率场合。
11、GTR的三个极分别为(集电极)、（基极）和(发射极），通常采用至少由两个晶体管按（达林顿）接法组成的单元结构。
12、电力场效应晶体管在导通时只有一种极性的载流子参与导电，是（单极型)晶体管，包括(漏极D）、（源极S）和（栅极G），为（电压）驱动型器件.13、GTO和GTR是（双）极型(电流）驱动器件。
电力电子技术期末考试试题及答案
电力电子技术期末考试试题及答案第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止。
9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于IH。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_小于__Ubo。
12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
15.IGBT的开关速度__小于__电力MOSFET16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
18.在如下器件：电力二极管（PowerDiode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_GTO、GTR、电力MOSFET、IGBT_；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET_，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO、GTR_，属于复合型电力电子器件得有IGBT_；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET，属于电压驱动的是电力MOSFET、IGBT_，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO、GTR_。
电力电子技术复习题 _含答案)
12、 在单相全控桥整流电路中，晶闸管的额定电压应取 U2（）
13、 在单相桥式全控整流电路中，带大电感负载，不带续流二极管时，输出电压波形中没有负面积。
（）
14、 单相全控晶闸管整流电路中，带电感性负载，没有续流二极管时，导通的晶闸管在电源电压过零时不关断。
（）
15、 三相半波可控整流电路也必需要采用双窄脉冲触发。（ ）
2 晶闸管整流电路
2、 给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。 （ ）
3、 晶闸管导通后其电流趋向无穷大。
（）
4、 已经导通的晶闸管恢复阻断的唯一条件是 AK 极电源电压降到零或反向。（ ）
5、 晶闸管并联使用时，必须采取均压措施。 （ ）
6、 晶闸管串联使用时，必须注意均流问题。 （ ）
7、 触发普通晶闸管的触发脉冲，也能触发可关断晶闸管。（ ）
合型 的 PWM 控制方法。 3、 正激电路和反激电路属于 13 励磁，半桥电路和全桥电路属于 14 励磁。 4、 开关电源大都采用 15 PWM 控制器.其原理方案分为 16 、 17 和 18 三类。 5、 试填写下列电路的名称
3 / 14
半桥电路 反激电路
正激电路 全桥电路
推挽电路
4、逆变电路
中，通常采用 规则采样法 来代替上述方法，在计算量大为减小的情况下得到的效果能够满足工程需要。
3. PWM 逆变电路３种目标控制： ７ 电压、 ８
电流和圆形磁链的 ９ 压 比较、 滞环电流比较 和 三角波比较。
5. 相电压正弦波叠加 3 次谐波构成 13 与三角波比较产生 PWM，可以提高 14 利用率并降低 15 。
2 / 14
致集电极电流增大，造成器件损坏。这种电流失控现象被称这 擎住 效应。 11、 IGBT 往往与 反并联 的快速二极管封装在一起，制成模块，成为逆导器件 。 12、电力电子器件是在电力电子电路中是作为可控开关来用。电力电子器件是一种半导体开关，实际上是一种单 向单极开关。它不是理想开关，存在开关时间和开关暂态过程。开关时间尤其是关断时间限制了电力电子器件的 开关频率。 13、电力电子应用系统一般由控制电路、驱动电路和主电路组成一个系统。为了提高系统可靠性，还应加入电 压、电流检测电路和过压、过流保护电路并构成反馈闭环控制。 14.几乎所有的电力半导体器件均为 单向极性 开关。电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可 关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（Power MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中， 在可控的器件中，功率范围最大的是 SCR 晶体管 ，开关频率最高的是_PMOS 电力场效应管
电力电子复习题含答案
考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为____电压型____和_____电流型___两类。
2、电子技术包括__信息电子技术___和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在____开关_____状态。
当器件的工作频率较高时，__开关_______损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为______载波比_______，当它为常数时的调制方式称为_____同步____调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为_____分段同步_______调制。
4、面积等效原理指的是，_____冲量____相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是___MOSFET______，单管输出功率最大的是____GTO_________，应用最为广泛的是___IGBT________。
6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。
7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。
(1) 0~t1时间段内，电流的通路为________；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为_______；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为_______；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为_______；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为_______；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。
电力电子复习材料及答案解析
电力电子技术一填空题1、电力电子技术就是应用于电力领域的电子技术。
2、电力变换通常可分为四大类，分别是整流、逆变、直流斩波、交流变交。
3、电力电子技术是一门由电力技术、电子技术、控制技术三个学科交叉而形成的。
4、电力电子器件一般工作在开关状态，在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为通态损耗，而当器件开关频率较高时你，功率损耗主要为开关损耗。
5、一个周期内，下列整流电路整流电压波形的脉动次数：单相半波可控电路脉动__1____次；单相全控桥式整流电路脉动__2____次；三相半波可控电路脉动____3__次；三相全控桥式整流电路脉动___6___次。
6、电压型三相逆变器，电路的基本工作方式是___180°__导电方式，任一瞬间，有___3_____个IGBT 同时导通；电流型三相逆变器，电路的基本工作方式是___120°__导电方式，任一瞬间，有____2____个IGBT同时导通。
7、同一晶闸管，维持电流IH与掣住电流I L在数值大小上有I L＞ I H。
8、电力电子器件一般都工作在开关状态。
9、晶闸管和门极可关断晶闸管的英文名字的缩写分别为SCR 和GTO 。
10、按照直流侧电源性质划分，逆变电路可分为电流型逆变电路和电压型逆变电路。
11、单结晶体管张弛振荡电路的原理是利用单结晶体管的___负阻____特性和RC电路的___充放电____特性。
12、当发射极电压等于____峰点电压__时，单结晶体管导通。
导通后，当发射极电压小于__谷点电压___时，单结晶体管关断。
13、晶闸管内部是四层半导体结构，它的三个电极分别是阳极、阴极、门极。
14、整流电路的作用是交流电能将变为直流电能供给直流用电设备。
15、自换流逆变电路采用器件换流和强迫换流两种换流方式，外部换流逆变电路采用电网换流和负载换流两种换流方式。
16、IGBT是绝缘栅双极晶体管，是三端器件，三个电极分别是发射极、栅极、集电极。
电力电子)
电力电子考试复习题第一章1.所谓电力电子技术就是应用于电力领域的电子技术。
电子技术包括信息电子技术和电力电子技术两大分支2.电力变换通常可分为四大类：即交流变直流（AC—DC），直流变交流（DC—AC），直流变直流（DC—DC）和交流变交流（AC—AC）。
3.通常把电力电子技术分为电力电子器件制造技术和变流技术两个分支。
4.电力电子器件的制造技术是电力电子技术的基础，而变流技术则是电力电子技术的核心。
电力电子器件制造技术的理论基础是半导体物理，而变流技术的理论基础是电路理论。
5.晶闸管是通过对门极的控制能够使其导通而不能使其关断的器件，属于半控型器件。
第二章6.在电气设备或电力系统中，直接承担电能的变换或控制任务的电路被称为主电路。
7.电力电子技术功率损耗有通态损耗和断态损耗。
开关损耗：开通损耗和关断损耗。
8.按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度，可以将电力电子器件分为三类：半控型器件，全控型器件和不可控器件。
9.按照驱动电路在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质，可以将电力电子器件分为电流驱动形和电压驱动型两类。
10.电力电子期间还可以按照期间内部电子和空穴两中载流子参与导电的情况分为：单极型器件，双极型器件和复合型器件。
11.反向击穿按照机理不同有雪崩击穿，齐纳击穿和热击穿。
12.静态特性即晶闸管正常工作特性：1）当晶闸管承受反向压力时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都不会导通。
2）当晶闸管承受正向压力时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能导通。
3）晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用，不论门极触发电流是否还存在，晶闸管都保持导通。
4）若要使已导通的晶闸管关断，只能利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值一下。
13.光直接照射硅片，即光触发。
光触发的晶闸管称为光控晶闸管14.在正向阻断恢复时间内，如果重新对晶闸管施加正向电压，晶闸管会重新正向导通，而是不受门极电流控制而导通。
电力系统电力电子器件封装考核试卷
B.器件与散热器之间的界面材料
C.封装尺寸
D.环境温度
10.以下哪些标准与电力电子器件封装相关？（）
A. IPC
B. JEDEC
C. MIL-STD
D. RoHS11.电源自电子器件封装的可靠性测试包括以下哪些？（）
A.高温测试
B.低温测试
C.湿度测试
D.热循环测试
12.以下哪些封装形式适用于低功率电力电子器件？（）
电力系统电力电子器件封装考核试卷
考生姓名：________________答题日期：________________得分：_________________判卷人：_________________
一、单项选择题（本题共20小题，每小题1分，共20分，在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的）
19. D
20. D
二、多选题
1. ABC
2. ABCD
3. ABC
4. ABD
5. ABCD
6. ABCD
7. ABC
8. AD
9. ABCD
10. ABC
11. ABCD
12. AB
13. ABCD
14. ABCD
15. ABCD
16. AC
17. ABC
18. ABCD
19. ABCD
20. ABCD
二、多选题（本题共20小题，每小题1.5分，共30分，在每小题给出的四个选项中，至少有一项是符合题目要求的）
1.电力电子器件的主要功能包括以下哪些？（）
A.电力转换
B.电力控制
C.电力放大
D.电力存储
2.以下哪些因素会影响电力电子器件的封装设计？（）
电力电子技术课程复习题_解答参考_V2
11．在直流电动机负载的整流电路中，串接平波电抗器的意义是什么? 平波电抗器电感量的选择原则是什么? 分析：电枢回路串接平波电抗器，增大直流电动机工作的电流连续区， 改善电机的工作特性。电感量的选择原则为在电动机工作电流为额定电 流的5%-10%时，仍能工作于连续状态。 12．整流电路中出现换相重叠角γ的根本原因是什么；换相重叠角γ与 什么参数有关。 分析：根本原因是变压器存在漏感，使换相过程不能瞬时完成。γ与 Id、XB、α、U2有关，详见书本P61 公式2-36。 第3章部分: 一，教材P.111中的全部习题。 提示：对第3．题，因本题的L为有限值，故要首先判断电感电流即 负载电流是否连续。先假设电感电流连续， 。 二，补充题： 1．分别绘出BUCK式、BOOST式、BUCK-BOOST式DC/DC斩波电路图，绘出 其电感电流连续与不连续下的等效电路图，并在理想条件下分别导出它
3开关管选择错误不应选gtr从工作频率和功率两方面考虑应选用功率mos附图a附图brocot1uonsvt1npt1cod1nsnpuo附录scr整流负载类scr电流平均值有效值输入变压器最大功率s二极管同电阻负载同电阻负载同电阻负cos17cos17二极管同电阻负载同电阻负载同电阻负cos343参考p56图219参考p57图221计算cos34二极管同电阻负载同电阻负载同电阻负
导体器件。单极型器件：Power MOSFET。 第2章部分: 一，教材P.97---99中的第2.---13. 题, 第16.---17.①题，第18.--19. 题, 第22.---26. 题, 第29.---30. 题的全部习题。 提示：对第2．题，写出正、负半波的磁链增量之差的积分表达式来 说明；对第3．题，L为极大，即电感电流连续，且为恒流状态，② Ud80V，Id=I240A；对第5．题，半控桥中的两个二极管可以起续流二极 管的作用；对第7．题，当a相触发脉冲消失，则整流电路只对b、c相整 流 ，电路变为两相整流电路。对第11．题，Ud58.5V， IdVT =Id /33.9A；对第13．题，对照第11．题来理解、列式可简单地得出答案； 对第17．①题，Ud257.4V；对第22．题，要考虑负载是恒流性质这个电 路条件来简化解题。 二，补充题： 1．在电阻性负载、大电感性负载、大电感加有输出续流二极管性负载 这三种典型负载条件下，对SCR单相全控桥、三相半波、三相全控桥电 路三种典型整流电路，列表分别填写：电路输出直流电压、电流，SCR 的最大移相范围、导通角、承受的最大正、方向电压、电流平均值、电 流有效值；输入变压器的最大功率（）；输入电流的最低次谐波频率等 各数学表达式（包括原始积分表达式）。 分析：本题主要考察不同情况下整流电路的工作原理，各电压电流波 形；明确平均值、有效值的定义，在此基础上求解电路相关参数。详见 本文档尾页附录。 2．单相桥式全控整流电路，接电阻性负载，要求电路输出的直流平均 电压Ud从20～100V连续可调，负载平均电流均能达到20A,考虑最小控制 角为30度。试计算SCR导通角的变化范围，要求的电源容量及功率因 数，并选择SCR。提示：αmin =30，αmax =129º；S=119*42.8VA； cosφ(αmax)=0.36。 解： 1）由 ，在最小控制角α=30时，Ud=20V，可得U2=119V 由此可解出100V时的触发角α=128.8。导通角为（180-α）。提示给的 是触发角，非导通角。 2) 得： λ（α=128.8）=0.36 分析知，α在 (0,180) 区间，S单调递增，
电力电子技术期末考试试题及答案 (1)
电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态.2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。
5。
电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。
7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8。
晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。
9。
对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流I L在数值大小上有I L__大于__IH。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM_大于__Ubo。
11。
逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的.13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__.14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数.15。
IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。
16。
按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
17.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。
电力电子技术_复习题答案()
第二章：1.晶闸管的动态参数有断态电压临界上升率du/dt和通态电流临界上升率等，若du/dt过大，就会使晶闸管出现_ 误导通_，若di/dt过大，会导致晶闸管_损坏__。
2.目前常用的具有自关断能力的电力电子元件有电力晶体管、可关断晶闸管、功率场效应晶体管、绝缘栅双极型晶体管几种。
简述晶闸管的正向伏安特性？答: 晶闸管的伏安特性正向特性当IG=0时，如果在器件两端施加正向电压，则晶闸管处于正向阻断状态，只有很小的正向漏电流流过。
如果正向电压超过临界极限即正向转折电压Ubo，则漏电流急剧增大，器件开通。
随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低，晶闸管本身的压降很小，在1V左右。
如果门极电流为零，并且阳极电流降至接近于零的某一数值IH以下，则晶闸管又回到正向阻断状态，IH称为维持电流。
3.使晶闸管导通的条件是什么?答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。
或：uAK>0且uGK>0。
4.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于半控型器件的是 SCR 。
5.晶闸管的擎住电流IL答：晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，能维持导通所需的最小电流。
6.晶闸管通态平均电流I T(AV)答：晶闸管在环境温度为40 C和规定的冷却状态下，稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。
标称其额定电流的参数。
7.晶闸管的控制角α（移相角）答：从晶闸管开始承受正向阳极电压起到施加触发脉冲止的电角度,用a表示,也称触发角或控制角。
8.常用电力电子器件有哪些？答：不可控器件：电力二极管。
半控型器件：晶闸管。
全控型器件：绝缘栅双极晶体管IGBT，电力场效应晶体管（电力MOSFET），门极可关断晶闸管（GTO），电力晶体管。
电力电子试题及答案
电力电子试题及答案（注：此部分为标题）【试题一】1. 请简要说明电力电子的定义和作用。
【答案一】电力电子是以电力为能源，利用电力半导体器件进行能量转换、控制和调节的一门学科。
其作用主要包括将电力从一种形式转换为另一种形式，如直流到交流、交流到直流、改变电压和频率等。
同时，电力电子在各个领域中起到了电能传输和控制的关键作用，例如在电力系统中实现高效能源转换和配电控制，在电动汽车中驱动电动机等。
【试题二】2. 请简要介绍电力电子中常用的电力半导体器件有哪些，并简要说明其工作原理。
【答案二】常用的电力半导体器件包括：可控硅（SCR）、晶闸管（Thyristor）、功率晶体管（Power Transistor）、金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）等。
- 可控硅（SCR）：通常由四个独立的、可相互控制的结区组成。
其工作原理是由控制极施加适当的触发脉冲后，使得电流能够从阳极开始导通，并在失去触发脉冲后一直保持导通。
- 晶闸管（Thyristor）：与可控硅相似，是一种双向可控硅。
其工作原理与可控硅相同。
- 功率晶体管（Power Transistor）：它与普通晶体管相比，能够承受较大的电流和功率。
其工作原理是通过控制输入的电压和电流来控制输出的电流。
- 金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）：通过控制栅极上的电压来控制源-漏极间的电流。
其工作原理是栅极电压的变化可以改变沟道上电子的浓度，从而影响导电能力。
- 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）：综合了MOSFET和双极型晶体管的优点，在工作时既有MOSFET的高输入电阻和低控制功率，又有双极型晶体管的低导通压降。
【试题三】3. 请简要说明电力电子在可再生能源领域中的应用，并阐述其意义。
【答案三】电力电子在可再生能源领域中有着重要的应用。
常见的应用包括风力发电、光伏发电和可再生能源储能系统等。
- 风力发电：电力电子器件用于将风力发电机输出的交流电转换为适用于电网的交流电，并进行协调控制；同时，在风速变化较大的情况下，电力电子器件还能够进行功率调节，以维持电力系统的稳定运行。
电力电子复习及答案
第一章文档仅供学习参考，请无作他用。
注释：许多高校（Eg：嘉应学院）考试出题，题库。
填空题：1.电力电子器件一般工作在开关状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为通态损耗，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为开关损耗。
3.电力电子器件组成的系统，一般由主电路、驱动电路、控制电路三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加保护电路。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为单极型器件、双极型器件、复合型器件三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为单向导通。
6.电力二极管的主要类型有普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管。
7.肖特基二极管的开关损耗小于快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为正向有触发则导通、反向截止。
9.对同一晶闸管，维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上有I L大于I H。
10.晶闸管断态不重复电压U DRM与转折电压U bo数值大小上应为，U DRM小于Ubo。
11.逆导晶闸管是将二极管与晶闸管反并联（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的阴极和门极在器件内并联结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为二次击穿。
14.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的截止区、前者的饱和区对应后者的放大区、前者的非饱和区对应后者的饱和区。
15.电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数。
16.IGBT 的开启电压U GE（th）随温度升高而略有下降，开关速度低于电力MOSFET 。
17.功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是智能功率集成电路。
18.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为电流驱动和电压驱动两类。
19.为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是负脉冲。
电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)
17、为了减小变流电路的开、关损耗，通常让元件工作在软开关状态，软开关电路种类很多，但归纳起来可分为零电流开关与零电压开关两大类。
7.Sepic斩波电路和Zeta斩波电路具有相同的输入输出关系，所不同的是：_ Sepic斩波电路_的电源电流和负载电流均连续，_ Zeta斩波电路_的输入、输出电流均是断续的，但两种电路输出的电压都为__正_极性的。
8.斩波电路用于拖动直流电动机时，降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限，升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限，_电流可逆斩波电路能使电动机工作于第1和第2象限。
18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_GTO、GTR、电力MOSFET、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO、GTR _，属于复合型电力电子器件得有__ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET，属于电压驱动的是电力MOSFET、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO、GTR _。
15.IGBT的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)
6.把电网频率的交流电直接变换成可调频率的交流电的变流电路称为__交交变频电路_。
7.单相交交变频电路带阻感负载时，哪组变流电路工作是由_输出电流的方向_决定的，交流电路工作在整流还是逆变状态是根据_输出电流方向和输出电压方向是否相同_决定的。
1、请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
2、晶闸管对触Βιβλιοθήκη 脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。
9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
10、逆变器按直流侧提供的电源的性质来分，可分为电压型型逆变器和电流型型逆变器，电压型逆变器直流侧是电压源，通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧用电容器进行滤波，电压型三相桥式逆变电路的换流是在桥路的本桥元件之间元件之间换流，每只晶闸管导电的角度是180º度；而电流型逆变器直流侧是电流源，通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧是用电感滤波，电流型三相桥式逆变电路换流是在异桥元件之间元件之间换流，每只晶闸管导电的角度是120º
第2章整流电路
最全的电力电子复习(有答案)
第一章填空题：1.电力电子器件一般工作在开关状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为通态损耗，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为开关损耗。
3.电力电子器件组成的系统，一般由主电路、驱动电路、控制电路三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加保护电路。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为单极型器件、双极型器件、复合型器件三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为单向导通。
6.电力二极管的主要类型有普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管。
7.肖特基二极管的开关损耗小于快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为正向有触发则导通、反向截止。
9.对同一晶闸管，维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上有I L大于I H。
10.晶闸管断态不重复电压U DRM与转折电压U bo数值大小上应为，U DRM小于Ubo。
11.逆导晶闸管是将二极管与晶闸管反并联（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的阴极和门极在器件内并联结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为二次击穿。
14.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的截止区、前者的饱和区对应后者的放大区、前者的非饱和区对应后者的饱和区。
15.电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数。
16.IGBT 的开启电压U GE（th）随温度升高而略有下降，开关速度低于电力MOSFET 。
17.功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是智能功率集成电路。
18.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为电流驱动和电压驱动两类。
19.为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是负脉冲。
20.GTR的驱动电路中抗饱和电路的主要作用是使基极驱动电流不进入放大区和饱和区。
电力电子器件期末考试卷
电力电子器件期末考试卷一、选择题（每题2分，共20分）1. 电力电子器件中，IGBT的全称是什么？A. 绝缘栅双极晶体管B. 绝缘栅晶体管C. 绝缘栅三极管D. 绝缘栅场效应晶体管2. 以下哪个不是电力电子变换器的基本功能？A. 整流B. 逆变C. 变频D. 滤波3. PWM控制技术中，PWM代表什么？A. 脉冲宽度调制B. 脉冲频率调制C. 脉冲幅度调制D. 脉冲时间调制4. 以下哪个器件不是电力电子器件？A. 晶闸管B. 功率MOSFETC. 继电器D. IGBT5. 电力电子技术在以下哪个领域应用最为广泛？A. 计算机技术B. 通信技术C. 能源转换与控制D. 生物技术6. 电力电子器件的开关速度通常用哪个参数来描述？A. 导通时间B. 关断时间C. 延迟时间D. 存储时间7. 在电力电子系统中，软开关技术的主要优点是什么？A. 减少开关损耗B. 提高系统效率C. 降低噪声D. 所有上述选项8. 电力电子器件的热设计主要考虑哪些因素？A. 器件的电流容量B. 器件的电压等级C. 器件的散热能力D. 所有上述选项9. 电力电子系统中的电磁兼容性问题主要涉及哪些方面？A. 电磁干扰B. 电磁辐射C. 电磁耐受性D. 所有上述选项10. 电力电子变换器的控制策略中，以下哪个不是常见的控制方法？A. 电压控制B. 电流控制C. 频率控制D. 相位控制二、简答题（每题10分，共30分）1. 简述电力电子器件的发展历程及其在现代电力系统中的重要性。
2. 解释什么是功率因数校正，并说明其在电力电子系统中的作用。
3. 描述电力电子变换器在新能源发电系统中的作用及其关键技术。
三、计算题（每题25分，共50分）1. 给定一个单相桥式整流电路，输入电压为220V，负载为纯电阻性负载，负载电阻为100Ω。
计算整流电路的输出直流电压，并画出电路的波形图。
2. 假设有一个三相全控桥式整流电路，输入为三相交流电源，每相电压为220V，负载为纯电阻性负载，负载电阻为20Ω。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
电力电子器件考试题
及答案
一、填空题。
1、电子技术包括（信息电子）技术和（电力电子）技术。
2、电力电子器件可以分为（电真空器件）和（半导体器件）两类，目前广泛使用的是基于（半导体材料）的电力电子器件。
3、电力电子器件工作在（开关）状态。
4、电力电子器件的损耗包括（通态损耗）、（断态损耗）和（开关损耗）。
5、按照电力电子器件能够被控制电路所控制的程度，可将电力电子器件分为（半控型器件）、（全控型器件）和（不可控器件）。
6、写出以下电力电子器件的中英文名臣：常见的半控型器件为（晶闸管Thyristor），常见的不可控器件为（电力二极管Power Diode），常见的全控型器件为（门极可关断晶闸管GTO）、（电力晶体管GTR）、（电力场效应晶体管Power MOSFET）和（绝缘栅双极晶体管IGBT）。
7、电力二极管的基本工作原理为（PN结的单项导电性），常见的电力二极管主要有（普通二极管Genera; Purpose Diode）、（快恢复二极管Fast Recovery Diode-FRD）、（肖特基二极管SBD）。
8、晶闸管又被称作（可控硅整流器SCR），有（螺栓型）和（平板型）两种封装结构，引出（阳极A）、（阴极K）和（门极G）三个连接端。
9、写出下列晶闸管的派生器件的英文缩写：快速晶闸管（FST），双向晶闸管（TRIAC），逆导晶闸管（RCT），光控晶闸管（LTT）。
10、GTO为（PNPN四层半导体）结构，外部引出阳极、阴极和门极，结构上类似晶闸管，当给门极施加正的脉冲电流时，GTO导通，若要使其关断，则需
（在门极施加负的脉冲电流）。
GTO的（电压）和（电流）容量较大，多用在（兆瓦级）以上的大功率场合。
11、GTR的三个极分别为（集电极）、（基极）和（发射极），通常采用至少由两个晶体管按（达林顿）接法组成的单元结构。
12、电力场效应晶体管在导通时只有一种极性的载流子参与导电，是（单极型）晶体管，包括（漏极D）、（源极S）和（栅极G），为（电压）驱动型器件。
13、GTO和GTR是（双）极型（电流）驱动器件。
14、IGBT为（电压）驱动型器件，其三个极分别为（栅极G）、（集电极C）、（发射极E），其驱动电压为（栅射极电压U GE）。
二、简答题。
1、什么是电力电子器件？
可直接用于主电路中，实现电能的变换或控制的电子器件。
2、电力二极管有哪些部分组成？有几种封装形式？
电力二极管由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成，主要有螺栓型和平板型两种封装。
3、使晶闸管导通的条件是什么？维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？
答：导通的条件是：晶闸管承受正相阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。
或者UAK >0且UGK>0。
维持导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流。
若想使晶闸管关断，可利用外加电压和外电路的作用是流过晶闸管的电流降到接近零的某一数值以下，即降到维持电流以下。