第8章 电力电子学基础
电子技术基础第8章电力电子学基础课件
2. 脉冲变压器触发电路
V1、V2构成脉冲放大环节。 脉冲变压器TM和附属电路构成脉冲输出环节。
V1、V2导通时,通过脉冲变压器向晶闸 管的门极和阴极之间输出触发脉冲。
3. 典型的直接耦合式GTO驱动电路
RL —+ uL
T4
单相–单相直接变频电路
8.5 功率(电力)半导体器件
按照器件能够被控制的程度,分为以下三类: 半控型器件(Thyristor),通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断。如晶闸管。 全控型器件(IGBT,MOSFET), 通过控制信号既可控制其导通又可控制其关断,又称自关断器件 不可控器件(Power Diode), 不能用控制信号来控制其通断, 不需要驱动电路。如电力二极管。 按照驱动电路信号的性质,分为两类: 电流驱动型, 通过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或者 关断的控制。 电压驱动型, 仅通过在控制端和公共端之间施加一定的电压信号就可实现导通或者关断的控制。
4.典型全控型器件
(1) 门极可关断晶闸管(Gate-Turn-Off Thyristor —GTO)
门极可关断晶闸管是晶闸管的一种派生器件。可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断。 GTO的电压、电流容量较大,与普通晶闸管接近,因而在兆瓦级以上的大功率场合仍有较多 的应用。
(2) 电力晶体管(GTR)
(3) 电力场效应晶体管(MOSFET)
(通常主要指绝缘栅型中的MOS型(Metal Oxide Semiconductor FET)简称电力 MOSFET(Power MOSFET)。
特点——用栅极电压来控制漏极电流 l 驱动电路简单,需要的驱动功率小。 l 开关速度快,工作频率高。 l 热稳定性优于GTR。 电流容量小,耐压低,一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置 。 小 功 率 MOS 管 是 横 向 导 电 器 件 。 电 力 MOSFET 大 都 采 用 垂 直 导 电 结 构 , 又 称 为 VMOSFET(Vertical MOSFET)。按垂直导电结构的差异,分为利用V型槽实现垂直导电 的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散MOS结构的VDMOSFET(Vertical Double-diffused MOSFET)。
电力电子技术第8章晶闸管主电路的参数计算及保护
电力电子技术第8章晶闸管主电路的参数计算及保护晶闸管主电路的参数计算及保护是电力电子技术中非常重要的内容。
晶闸管主电路的参数计算需要考虑电路的稳定性及性能的优化,而晶闸管的保护则是为了保证电路的安全运行。
首先,对于晶闸管主电路的参数计算,主要包括以下几个方面:1.阻抗参数计算:阻抗参数包括输入电抗和输出电抗。
输入电抗可以通过电源的特性以及电路的设计来计算,输出电抗则是通过负载的特性和电路的设计来计算。
阻抗参数的计算可以帮助我们确定电路的稳定性和性能。
2.电流和电压参数计算:计算电流和电压参数是为了确保晶闸管的正常工作。
电流参数主要包括峰值电流和有效电流,需要根据负载以及晶闸管的特性来计算。
电压参数主要包括峰值电压和平均电压,同样需要根据负载和晶闸管的特性来计算。
3.热参数计算:晶闸管工作时会产生热量,因此需要计算热参数来确保晶闸管的温度不超过其允许的工作温度。
热参数包括导通状态和关断状态下的热阻,以及晶闸管的最大工作温度。
此外,晶闸管主电路的保护也非常重要。
保护电路的设计可以避免晶闸管受到过载、短路、过压和过流等因素的损坏。
1.过载保护:晶闸管受到过载时会发热,保护电路需要及时检测并切断电路以防止晶闸管被损坏。
过载保护可以通过电流检测电路来实现。
2.短路保护:当负载发生短路故障时,保护电路需要能够检测并切断电路,避免晶闸管受到过大电流的损坏。
3.过压保护:过压保护可以通过电压检测电路来实现,当晶闸管主电路中电压超过设定值时,保护电路会及时切断电路。
4.过流保护:过流保护可以通过电流检测电路来实现,当晶闸管主电路中电流超过预设值时,保护电路会及时切断电路。
5.温度保护:通过温度传感器来监测晶闸管的温度,当温度超过设定值时,保护电路会切断电路以避免晶闸管过热而损坏。
总之,晶闸管主电路的参数计算及保护是电力电子技术中非常重要的内容。
参数计算可以帮助我们优化电路设计,使其具有更好的性能和稳定性;保护电路可以确保晶闸管主电路的安全运行,避免晶闸管受到过载、短路、过压和过流等因素的损坏。
电力电子学基础
第8章电力电子学基础8.1晶闸管的导通条件是什么?导通后流过晶闸管的电流决定于什么?晶闸管由导通转变为阻断的条件是什么?阻断后它所承受的电压决定于什么?8.2晶闸管能否和晶体管一样构成放大器?为什么?8.3晶闸管的主要参数有哪些?8.4如何用万用表粗测晶闸管的好坏?8.5晶闸管的控制角和导通角是何含义?8.6有一单相半波可控整流电路,其交流电源电压U2=220V ,负载电阻R L=10 Ω,试求输出电压平均值U d的调节范围,当α=π/3,输出电压平均值 U d和电流平均值I d 为多少?并选晶闸管。
8.7续流二极管有何作用?为什么?若不注意把它的极性接反了会产生什么后果?8.8试画出单相半波可控整流电路带不同性质负荷时,晶闸管的电流波形与电压波形。
8.9有一电阻型负载,需要直流电压 U d=60V,电流I d=30A供电,若采用单相半波可控整流电路,直接接在220V的交流电网上,试计算晶闸管的导通角θ。
8.10有一电阻负载需要可调直流电压U d= 0V~60V, 电流I d=0A~10A,现选用一单相半控桥式可控制流电路,试求电源变压器副边的电压和晶闸管与二极管的额定电压和电流。
8.11三相半波可控整流电路,如在自然换相点之前加入触发脉冲会出现什么现象?画出这时负载侧的电压波形图。
8.12相半波电阻负载的可控整流电路,如果由于控制系统故障,A相的触发脉冲丢失,试画出控制角α=0时的整流电压波形。
8.13三相桥式全控整流电路带电阻性负载,如果有一只晶闸管被击穿,其它晶闸管会受什么影响?8.14晶闸管对触发电路有哪些要求?触发电路主要有那三个环节?每个环节的功能是什么?8.15单结晶体管自震荡电路的震荡频率是由什么决定的?为获得较高的震荡频率,减小充电电阻R与减小电容C效果是否一样?R的大小受哪些因素的限制?为什么?8.16为什么晶闸管的触发脉冲必须与主电路的电压同步?8.17在单结晶体管触发电路中,改变电阻R为什么能实现移相?移相的目的是什么?8.18试简述有源逆变器的工作原理,逆变得条件和特点是什么? 8.19晶闸管元件的过电压、过电流保护有哪些方法?8.20试画出图中负载电阻R上的电压波形和晶闸管上的电压波形。
电力电子技术_基础知识
电力电子系统集成化研ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ成为热点,目前主要集中
于电力电子器件与控制电路的集成、磁性元件的集 成两大块。
三、电力电子技术的应用
电源
弧焊电源 电解、电镀电源 不停电电源(UPS) 恒频恒压电源 直流开关电源 充电电源 感应加热电源 脉冲电源、激光电源 。。。
数码产品广泛应用各类开关电源
新能源应用
风能、太阳能、潮汐能、地热能等应用
电网电源常见问题波形示意图
未来电力系统将大量应用电力电子 技术以提高电力品质和供电效率
风力、太阳能发电系统
风力发电
太阳能发电
三、电力电子技术的应用
照明
各类气体放电灯 电子镇流器 LED照明驱动器
西湖夜景
杭州湾大桥
集中运行中心
面向军事应用领域举例
电力电子技术与电能控制的关系
一、什么是电力电子学
典型的电力电子系统
电流采样
二、电力电子技术的发展与现状
电力电子器件的进步推动电力电子学的变革发展
1957年通用电气公司发明晶闸管,标志着电力电子技术的 诞生,相控变换技术广泛应用;
20世纪70年代后期,GTO、GTR、P-MOSFET迅速发
展,PWM控制技术推广应用; 20世纪80年代后期,IGBT开始推广应用,大功率变换进
入以IGBT+PWM技术为主流的时代;
20世纪90年代,为降低器件开关损耗,软开关技术开始推 广应用;
二、电力电子技术的发展与现状
进入21世纪以后
为了实现高频和低 EMI 的大功率变换,多电平变换 技术逐步推广应用;
船用操作变流器模块
配电模块
燃料电池
电力电子教材
(四)各类电源的应用领域
(五)家用电器(包括公共照明)的应用领域
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(一)节约能源的应用领域
主要体现在: (1) 降低通态压降提高整流效率而节能 (2) 调速节能
(二)电力系统的应用领域
(1)自动化装置,最有代表性的是同步发电机的励磁调节系统; (2)高压直流输电装置; (3)静止无功补偿装置 (4)新能源的开发和超导贮能装置; (5)固态断路器——切换用的电力电子断路器。
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电力电子学包含下面三方面的内容
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1 电力电子学器件(基础) 2 电力电子电路及装置(主体)
电力电子电路及装置可分为如下几类 1 DC-DC 2 AC-DC 3 AC-AC 4 DC-AC 5 AC-DC-AC
3 电力电子电路的控制系统
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第二节:电力电子学的应用领域
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第一节:电力电子学的科学性
质与发展
• 电力电子学的定义
• 电力电子学(Power Electronics)是研究采用半 导体器件实现对电能的控制 和变换的科学,它是一门应 用于电力技术领域中的电子 学
• 电力电子学是一门介于电气 工程三大主要领域——电力、 电子和控制之间的交叉学科。 电力电子学是应用电子学的 一个分支,是与电气工程的 主要学科紧密相关的
电力电子基础-绪论
2.第二代产品。以具备自关断能力为代表,主要代表 器件有:
①门极可判断晶闸管(GTO)。1964年,美国第一次 试制成功了参数为500V/10A的GTO,但在此后的近10 年内,GTO的容量一直停留在较小水平,只在汽车点 火装置和电视机行扫描电路中进行试用。自70年代中 期开始,GTO的研制取得突破是七十年代中期发展起 来的, 它使半导体电力电子技术进入了自关断阶段, 前几年国外产品已达到6kV/6000A/1kHz水平。GTO具 有高导通电流密度,高耐压及高阻断、较高dv/d t与 di/dt耐量等特点,因而在大容量变流器
• ②巨型晶体管(GTR)。出现于七十年代,现有产 品的水平为1800V/800A/2kHz、1400V/600A/5kHz、 600V/3A/100kHz。它在开关电源、电机驱动、通用 逆变器等中等频率和中等功率容量的电路中广泛应 用。其缺点是存在二次击穿、安全区易受各种参数 影响、过流能力低等问题。它的开关速度比GTO提 高了一个数量级,80年代未出现的通用变频调速器, 其功率器件大多采用GTR,变频调速器的出现,给 不少行业带来了革命性的影响→节能降耗,稳定工 艺等,充分体现了科学技术是第一生产力的论断。
应用以来,IGBT已经涵盖了600V~6.5kV的电压范 围和1~3500A的电流范围,并且表现出在更高和更 低的电压和电流、更高的频率和更低的功率损耗方 面具有进一步发展的诸多潜质。IGBT在低功耗、高
可控性方面取得的巨大进步,使得10MW级的IGBT
功率变流器已进入商品化,100MW级的逆变器同样 也有商品问世。日本东芝公司提出了一种新的加强 型IGBT(也叫IEGT),
• 各种移动信息终端和电源电路中。现在沟槽结构功 率MOSFET 的产品型号规格超过100种,漏源额定 电压为2 5、55、100、150、200V,其低导通电阻 最小分别为3、5.5、8、9、20、40mΩ。生产该种 产品的厂家包括:飞利浦、英特西尔、TEMIC半导 体、硅电子器件、快捷半导体、通用半导体、三菱 电机、日立、APT、国际整流器公司、IR公司、摩 托罗拉等。MOSFET还有一主要优点,它的导通电 阻RON具有正温度系数,具有自动均流能力,因些 它的并联问题比其它功率器件的并联问题要简单一 些。
电力电子学基础
电力电子学是一门研究如何高效、可靠地使用、转换和控制电能的科学。
它涉及电子学、电力工程和计算机科学等多个领域,是现代电力系统的关键组成部分。
分类电力电子学可进一步细分为电力电子器件、电力电子电路和电力电子系统等分支领域。
定义定义与分类VS电力电子学的重要性030201电力电子学的发展历程起源60年代至80年代,出现了诸如晶闸管等新型电力电子器件,电力电子技术在电力系统、工业和交通等领域得到广泛应用。
发展阶段成熟阶段总结词详细描述二极管晶体管总结词晶体管是一种电流控制器件,通过基极电流控制集电极和发射极之间的通断。
具有放大、开关、阻抗变换等功能。
详细描述晶体管是一种半导体器件,由半导体材料制成的三个电极(基极、集电极和发射极)组成。
通过调节基极电流,可以控制集电极和发射极之间的通断,从而实现电流的放大、开关和阻抗变换等功能。
晶体管在电力电子电路中常用于放大、开关和阻抗变换等应用。
总结词场效应管是一种电压控制器件,通过栅极电压控制源极和漏极之间的通断。
具有输入阻抗高、噪声小、功耗低等特点。
详细描述场效应管是一种电压控制器件,通过在栅极上施加电压来控制源极和漏极之间的通断。
与晶体管相比,场效应管具有输入阻抗高、噪声小、功耗低等优点。
在电力电子电路中,场效应管常用于放大、开关和阻抗变换等应用。
场效应管可控硅整流器总结词详细描述斩波器是直流电源变换器的一种,通过调节占空比,将直流电压变成可调的直流斩波电流。
升降压变换器是一种直流电源变换器,能够实现直流电压的升降压变换。
直流电源变换器是将直流电能转换为另一数值的直流电能的电路,包括斩波器和升降压变换器等。
变器和交流升降压变换器等。
整流器是交流电源变换器的一种,将交流电转换为直流电。
逆变器是交流电源变换器的另一种,将直流电转换为交流电。
电路拓扑过载保护短路保护欠压保护过压保护电路保护电磁兼容性设计采取措施降低电磁干扰对电路和设备的影响。
电磁干扰抑制电磁屏蔽接地设计滤波设计利用金属等材料对电磁波进行屏蔽,以保护电路和设备。
电力电子基础知识概览
电力电子基础知识概览电力电子是指运用电子技术来处理、转换和控制电能的学科领域。
它在现代工业、交通、通信等各个领域都有广泛的应用。
电力电子的发展对能源的高效利用和环境的保护起到了重要作用。
本文将概述电力电子的基础知识,介绍其原理、应用和相关技术。
一、电力电子的基本原理电力电子的基本原理是通过控制电压和电流来实现电能的转换和处理。
主要包括以下几个方面:1. 整流:将交流电转换为直流电。
主要有单相和三相整流电路,使用二极管、可控硅等元件来实现。
2. 逆变:将直流电转换为交流电。
逆变器常用于变频器、UPS等设备中,可以将直流电源转换为交流电源,用于驱动电机或供电。
3. DC-DC转换:将直流电的电压转换为其他电压水平的直流电。
常用的DC-DC转换器包括升压、降压、升降压等。
4. AC-AC转换:将一种交流电的电压、频率、相位转换为另一种交流电形式。
例如,交流调压器和交流调频器。
5. 交流电压控制:通过改变电压的波形、幅值和频率等参数来控制电力系统中的电能流动。
常见的控制方法有PWM调制、谐波注入等。
二、电力电子的应用领域电力电子在各个行业中都有广泛的应用。
以下是一些典型的应用领域:1. 工业应用:电力电子在工业生产中用于调节电机的转速和负载,实现节能控制。
例如,变频器用于控制电动机的转速,提高能源利用率。
2. 电力系统:电力电子在电力系统中用于电能传输、配电和调节。
例如,STATCOM用于电力系统的电压调节和无功功率控制。
3. 汽车电子:电力电子在汽车中使用广泛,如混合动力汽车中的电力转换和电机驱动系统。
4. 可再生能源:电力电子可实现对太阳能、风能等可再生能源的高效利用。
例如,太阳能逆变器将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。
5. 智能电网:电力电子在智能电网中起到重要作用,通过电力电子器件和控制系统使电力系统更加稳定、可靠和智能。
三、电力电子的发展趋势随着能源需求的增加和环境保护的要求,电力电子技术正迅速发展。
电力电子学(陈坚)第八章课件
电感电流线性下降模式
第8章 谐振开关型变换器
输入电感电流续流模式
第8章 谐振开关型变换器
第八章 谐振开关型变换器 8.1 软开关变换器的分类 8.2 准谐振变换器 8.3 ZCS PWM变换器和ZVS PWM变换器 8.4 零电压转换PWM变换器 8.5 移相控制零电压开关全桥变换器 8.6 谐振直流环节逆变器
第8章 谐振开关型变换器
电容线性放电模式
Q
t
iLr 0 Io 2Vin vcr Vin 0 vQ 0 t0 t1 t1a t1b t2 t3 t4 Vin t t t
第8章 谐振开关型变换器
滤波电感电流续流模式
Q
t
iLr 0 Io 2Vin vcr Vin 0 vQ 0 t0 t1 t1a t1b t2 t3 t4 Vin t t t
S
S
Forward
第8章 谐振开关型变换器
Flyback
全波模式Buck ZCS QRC
第8章 谐振开关型变换器
电感电流线性增加模式
Q
t
iLr 0 Io 2Vin vcr Vin 0 vQ 0 t0 t1 t1a t1b t2 t3 t4 Vin t t t
第8章 谐振开关型变换器
谐振模式:开关管导通
Q Qa
DQ1
Lr Da Qa
t t Vo t Iin t
阴影部分为 DQ导通
D
RLd
vcr
0
+ iQ Cf Vo _
0
Cr
Iin
Q
Vo/Za Iin t Vo t
iLa
0
vD
0
iD
0
Iin t t0 t1 t2 t3 t4 t5 t6 t7
电力电子基础8
1.引言
单纯提高开关频率使电力电子装置高频化
滤波器、变压器体积和重量减小,电力电子装 置小型化、轻量化
开关损耗增加,效率下降,频率提高受限 电磁干扰增大,电磁兼容变差
软开关技术
降低开关损耗和开关噪声 进一步提高开关频率
3
第八讲 谐振软开关技术
东南大学电气工程学院
-电力电子技术-
2.软开关的基本概念
6
第八讲 谐振软开关技术
东南大学电气工程学院
-电力电子技术-
软开关电路的分类
根据开关元件开通和关断时电压电流状态,分为零电 压电路和零电流电路两大类。
根据软开关技术发展的历程可以将软开关电路分成准 谐振电路、零开关PWM电路和零转换PWM电路。
每一种软开关电路都可以用于降压型、升压型等不同
前后引入谐振,消除电压、电流的重叠。 降低开关损耗和开关噪声。
u
u
i
i
0
t
P
0
t
a)软开关的开通过程
u
u
i
i
0
t
P
0
t
b)软开关的关断过程
软开关的开关过程
5
第八讲 谐振软开关技术
东南大学电气工程学院
-电力电子技术-
软开关的基本概念
零电压开通:开关开通前其两端电压为零——开通时 不会产生损耗和噪声。
b)零电流转换PWM电路 的基本开关单元
零转换PWM电路的基本开 关单元
东南大学电气工程学院
-电力电子技术-
3.典型的软开关电路
零电压开关准谐振电路 谐振直流环 移相全桥型零电压开关PWM电路 零电压转换PWM电路
13
第八讲 谐振软开关技术
电子行业电工电子学第八章
电子行业电工电子学第八章1. 引言本章节主要介绍电子行业中的电工电子学知识。
电工电子学是电子行业中的基础学科,涵盖了电子元器件、电路原理、电路分析与设计等内容。
掌握电工电子学的知识,对于从事电子行业的人员来说十分重要。
2. 电子元器件2.1 电子元器件的分类电子元器件根据其功能和特性可以分为被动元器件和主动元器件。
被动元器件包括电阻、电容、电感等,主动元器件包括二极管、三极管、集成电路等。
2.2 常用电子元器件介绍2.2.1 电阻电阻是电子电路中最常见的被动元器件之一,用于限制电流的流动。
电阻按照其材料、功率、阻值等参数可以分为不同类型。
2.2.2 电容电容是一种储存电荷的元器件,用于储存和释放电能。
电容根据材料、容值、额定电压等参数可以有多种类型。
2.2.3 电感电感是一种储存磁能的元器件,用于储存和释放磁能。
电感根据材料、电感值、最大电流等参数可以分为不同类型。
2.2.4 二极管二极管是一种主动元器件,具有单向导电性。
二极管常用于整流和保护电路。
2.2.5 三极管三极管是一种主动元器件,具有放大和开关功能。
三极管常用于放大电路和开关电路。
2.2.6 集成电路集成电路是一种将多个电子元器件集成在一起的元器件,具有复杂的功能和结构。
集成电路广泛应用于电子设备中。
3. 电路原理3.1 电路的基本要素电路由电源、负载和连接它们的导线构成。
电源提供电压或电流,负载是用电器件,导线用于连接电源和负载。
3.2 电流、电压和电阻电流是电荷的流动,电压是电荷的势能差,电阻是电流流经时产生的阻力。
它们之间的关系可以根据欧姆定律进行计算。
3.3 电路的分析方法电路分析可以使用基尔霍夫定律、网孔分析、节点分析等方法。
这些方法可以帮助我们理解电路的特性和性能。
4. 电路设计4.1 电路设计的基本步骤电路设计通常包括需求分析、电路拓扑设计、元器件选择和电路验证等步骤。
每个步骤都需要认真考虑电路的性能和可靠性。
4.2 电路设计中的注意事项在电路设计过程中,需要注意元器件的参数选择、稳定性分析、热效应和电磁兼容性等因素。
第八章 电力电子学基础
1 2iG iB2
K EA > 0、EG > 0
晶闸管导通后,去 掉EG , 依靠正反 馈,仍可维持导通 状态。
晶闸管导通的条件? 晶闸管关断的条件?
8.1.2 晶闸管的伏安特性和主要参数
1. 伏安特性
前一页 后一页
I f (U )
I IF
C B IG3 > IG2 > IG1 IG3 IG2 IG1=0A
VT
1,4
0
i2
t
0
t
2)带阻感负载
2
O u
d
t
O i
d
I
d
t
i
VT
O
1,4
I
d
t
i
VT
O
2,3
I
d
t
O
I
2 d
t
i
O u
VT
I
d
t
1,4
O
t
3) 带反电动势负载
负载为直流电动机时,如果 出现电流断续,则电动机的 机械特性将很软。为了克服 此缺点,在主电路中直流输 出侧串联一个平波电抗器。
P2 N2 K 阴极
三 个 PN 结
G
控制极
G
K
符号
返回
A
P1 N1
A A P
N N P N
K 内部结构 VT1
G
P2 N2
G
P
G
VT2
K
K
内部等效电路
2. 工作原理
A
形成正反馈过程:
β1β2 iG
VT1
G
电力电子学基本知识
Ton
TS 2
Ts
t
S2
3TS 2
(b) 输出 v o 波形
图1.8 直流-直流降压变换电路
工作方式:占空比控制(PWM、PFM、混合调制) 分析方法:傅立叶分解
VDO Ton VS D VS VS TS
6
2.1 开关电路实现电力变换和控制基本 原理(续5)
5. DC/DC直接变换电路(升压)Boost
VPA L
P
dil dt
L
il 减小
A S1 C S3
VA VP
vo
il
VS
io
C + -
vo
R
S2 ON 0
S4 ON
S2 ON Ts
S4 ON
VS
S2 B
Ton Toff Ton Toff
2Ts
il
S4 D 0 (b) 电压 o ,电流 i l , I d 波形
Id
(a) 直流升压电路
v
12
2.2 半导体电力开关器件(续3)
二极管和晶闸管模块
(a)
(b)
(c)
(d)
图2.21二极管和晶闸管模块
13
2.2 半导体电力开关器件(续4)
达林顿三极管功率模块
图2.22 达林顿三极管功率模块
14
2.2 半导体电力开关器件(续5)
MOSFET功率模块
(a)双开关模块
vo
v1
C D
T 2
VD
vo
VD
vo
C
S3 L C D
v1
R
0
X-Axis (b)
t t
180 o 方波
教学课件:第八章-电力电子学基础
电流变换技术
电流变换技术概述
电流变换技术的分类
隔离式电流变换器
非隔离式电流变换器
电流变换技术是将电能从一种 电流形式变换为另一种电流形 式,以满足不同设备对输入电 流的要求。
根据变换原理和应用场景,电 流变换技术可分为隔离式和非 隔离式两大类。
隔离式电流变换器是通过变压 器实现输入和输出之间的电气 隔离,以保证设备和操作人员 的安全。常见的隔离式电流变 换器有单相和三相的电流互感 器等。
有源滤波器(APF)
总结词
用于消除谐波干扰,提高电力系统的电能质量。
详细描述
有源滤波器是一种用于消除谐波干扰的装置,可以提高电力系统的电能质量。它通过实时监测谐波电流的大小和 相位,并产生相应的补偿电流注入到电网中,从而消除谐波干扰。有源滤波器可以有效地抑制谐波对电力系统的 影响,提高电力系统的稳定性和可靠性。
功率MOSFET和IGBT的应用
功率MOSFET和IGBT在电机控制、新能源发电、有源滤波器等领域有着广泛的应用。
03
电力电子换技术是电力电 子学中的一种重要技术 ,用于将电能从一种电 压等级变换为另一种电 压等级。
电压变换技术的 分类
根据变换原理和应用场 景,电压变换技术可分 为线性电压变换器和开 关式电压变换器两大类 。
直流输电线路
高压直流输电需要特殊的输电线路, 以传输大容量、远距离的电能。这些 输电线路通常采用架空线或海底电缆。
06
电力电子学的未来发展
新型电力电子器件的研究与应用
宽禁带半导体材料
硅碳化物、氮化镓等宽禁带半导 体材料具有高频率、高效率、高 功率等优点,是未来电力电子器
件的重要发展方向。
柔性电力电子器件
太阳能逆变器
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况下很容易损杯,要保证其可靠工作,在控
制电路中要采取保护措施,在选用时,其电 压、电流应适当留有余量; (2) 抗干扰能力差,易受冲击电压的影 响,当外界干扰较强时,容易产生误动作;
(3) 导致电网电压波形畸变,高次 谐波分量增加,干扰周围的电气设备;
(4) 控制电路比较复杂,对维修人 员的技术水平要求高。
Ud U 1 cos 0.9 2 R R 2
2U 2
1
1 cos 2
晶闸管承受的最大正反向电压:
2. 电感性负载
有了续流二极管,当电源电压降到零时,负 载电流流经续流二极管,晶闸管因电流为零而关 断,不会出现失控现象。
负载电压: Ud
2U 2 sintd (t ) 0.9U 2
3.电力场效应晶体管
主要参数:
1 )开启电压 UT—当 uGS 上升到开启 电压UT时,开始出现漏极电流; 2)漏极电压
3)漏极直流电流和脉冲直流峰值
•删源电压 •极间电容
4.绝缘栅双极晶体管(IGBT)
简化等效电路
图形符号
基本电路
8.2 单相可控整流电路 整流——将交流电变为直流电的过程; 整流电路——将交流电变为直流电的电路; 整流 8.2.1 单相半波可控整流电路
晶闸管电流平均值:
IdVS
Id 2
2U 2
晶闸管承受的最大正反向电压: 续流二极管的电流平均值:
Idv
2 Id 2
8.2.2 单相桥式整流电路 一、晶闸管组成的半控桥式整流电路。
1. 电阻性负载
负载电压: Ud
负载电流: I d
2U 2 sintd (t ) 0.9U 2
2U 2 sintd (t ) 0.9U 2
2U 2
1
1 cos 2
晶闸管承受的最大正反向电压: 流过每只晶闸管平均电流:
流过续流二极管的平均电流 :
Id 2
I dv 2 Id 2
为了节省晶闸管元件,还可采用如图所示的接线,它由四只整流二极管组成 单相桥式电路,将交流电整流成脉动的直流电,然后用一只晶闸管进行控制,改 变晶闸管的控制角,即可改变其输出电压。
3.反电势负载 当整流电路输出接有电势负载时,只有当电源电源的瞬时值大于反电势,同 时又有触发脉冲时,晶闸管才能导通,整流电路才有电流输出,在晶闸管关断的 时间内,负载上保留原有的反电势。
a. 负载两端的电压平均值比电阻性负载时高 b. 负载电流平均值比电阻性负载时低 U E Id d R 因为导通角小,导电时间短,回路电阻小,所以,电流的幅值与平均值之比 值相当大,晶闸管元件工作条件差,晶闸管必须降低电流定额使用。另外,对于 直流电动机来说整流子换向电流大,易产生火花,对于电源则因电流有效值大, 要求的容量也大,因此,对于大容量电动机或蓄电池负载,常常串联电抗器,用 以平滑电流的脉动。
2U 2
1
1 cos 2
晶闸管承受的最大正反向电压: 流过每只晶闸管平均电流: 流过续流二极管的平均电流:
Id 2
Id
半控桥式整流电路在电感性负载时,可以不 加续流二极管。 这是因为在电源电压过零时,电感中的电流 通过V1和V2形成续流,确保VS1或VS2可靠关断, 这样也就不会出现失控现象。 负载电压: Ud
( 1)起始时若控制极不加电压,则不论阳极加正向电压还是反向电压,
晶闸管均不导通,这说明晶闸管具有正、反向阻断能力;
(2)晶闸管的阳极和控制极同时正向电压时晶闸管才能导通,这是晶闸
管导通必须同时具备的两个条件;( 3 )在晶闸管导通之后,其控制极就失去控制作用,欲使晶闸管恢复
阻断状态,必须把阳极正向电压降低到一定值(或断开,或反向)。
一、带电阻性负载的可控整流电路
可控 单相 不可控 可控 三相 不可控
u2-输入电压 ; ud-输出电压 ; α-控制角 ;晶闸管元件承受 正向电压起始点到触发脉冲 的作用点之间的电角度。
θ-导通角 ;是晶闸管在
一周期时间内导通的电角度。
的范围
0 ~
的范围 ~ 0
单相半波可控整流电路用于大电感性负载时,如果不采取措施,负载上就 得不到所需要的电压和电流。
三、加续流二极管的电路 为了提高大电感负载时的单相半波可 控整流电路整流输出平均电压,可采取负 载两端并联一只二极管的措施。 输入电压: u2 2U 2 sint
负载电压: Ud
1 1 cos 2 U sin td ( t ) 0 . 45 U 2 2 2 2
二、单相全控桥式整流电路 单相全控桥式整流电路如图所示。把半控桥中的两只二极管用两只晶闸管代 替即构成全控桥。
例10.1 欲装一台白炽灯泡调光电路,需要可调的直流电源,调节范围:电压 U0=0V~180V,电流I0=0~10A。现采用单相半控桥式整流电路,试求最大输入交流 电压和电流有效值,并选择整流元件。 解: 设在晶闸管导通角θ为π(控制角为0 )时输出电压值为最大(180V), 则对 应的输入交流电压有效值为最大。
( 2 ) 在 t1~t2 之 间 : uAK>0 ,由于开关 S 合上, ud , u2即 使ug>0,而 晶闸管导通; (3)在 t2~t3 之间, uAK<0,尽管ug>0,但 ud=0,即晶闸管关断;
主电路加上交流电压~u2,控制极电路接入Eg,在t1 瞬间 合上开关S,在t4 瞬间拉开开关S。
反向截止状态: 当 uAK <URSM ,元件中有很小的反向电流(反向 漏电流)流过,处于截止状态。
反向( uAK <0 )
反向击穿:当 uAK =URSM ,晶闸管突然由反向截止状态转化为导通 状 态。 URSM称为反向不重复峰值电压,或用UBR表示称反向击穿电压。
4. 晶闸管的主要参数 1) 断态重复峰值电压UDRM 晶闸管正向阻断状态下,可以重复加 在晶闸管阳极和阴极两端的正向峰值电压 。 UDRM=UDSM -100 2)反向重复峰值电压URRM 晶闸管反向截止状态下,可以重复加在 晶闸管阳极和阴极两端的反向峰值电压 。 URRM=URSM -100 在选择晶闸管时还要考虑留有足够的余量,一般: 晶闸管的UDRM 、 UDRM应等于 所承受的正、反向电压的(2~3)倍。 3)额定通态平均电流(额定电流)IT 在环境温度不大于40度的标准散热及全导通的条件下,晶闸管元件可以连续通过的 工频正弦半波电流(在一个周期内)平均值,称为额定通态平均电流,简称为额定电流。
三、全控型开关器件
1.门极可关断晶闸管(GTO) 工作特点:
1) 当门极 G 上加正电压或 正脉冲信号时,GTO导 通并保持; 2) 当门极上加上反向电压 或反向脉冲时,GTO关 断并保持。
2.电力晶体管(GTR)
内部结构
基本电路
开关时间
主要特性 1) 开路关断电压—基极开路时另两个极之间能承受的最高电压; 2)集电极最大持续电流—基极偏置时,集电极能流过的最大电流。
电力电子学的任务: 利用电力半导体器件和线路来实现电功率的变换和控制。 弱电 电力半导体器件 强电
电力半导体器件根据其
导通和管断的可控性可分为
不可控器件 电力半导体器件 半控型器件 全控型器件
由电力半导体器件和相应电路所组成的电力变换电路按功能可以分为:
可控整流电路—将固定频率、电压的交流电变为固定或可调的直流电; 交流调压电路—将固定频率、电压的交流电变为可调电压的交流电; 逆变电路—把直流电变为频率固定或可调的交流电; 变频电路—把固定频率的交流电变为频率可调的交流电; 斩波电路—把固定的直流电压变为可调直流电压; 电子开关 —功率半导体工作在开关状态,可以代替继电器、接触器用于频 繁开合操作的场合。
4)维持电流 IH
在规定的环境温度和控制极断路时,维持元件继续导通的最小电流称维持电流。一 般为几mA~一百多mA
其他电力半导体器件
• 1.双向晶闸管
8. 8.6 8.7
逆导晶闸管
I G K O IG=0 U
A
a)
b)
8.8 图10.9 逆导晶闸管 将晶闸管反并联一个二极管制作在同一管芯上的功率集成器件。 具有正向压降小、关断时间短、高温特性好、额定结温高等优点。 逆导晶闸管的额定电流有两个,一个是晶闸管电流,一个是反并联二极管的电流。
(3) 损耗小、效率高,晶闸管本
身的压降很小 (仅1V左右 ),总效率可 达 97.5% ,而一般机组效率仅为 85% 左右;
功率 (电流自几十安~几千安,电压自几
百伏~几千伏),
(2) 控制灵敏、反应快,晶闸管的导 通和截止时间都在微秒级;
(4) 体积小、重量轻。
缺点:
(1) 过载能力弱,在过电流、过电压情
(4)在 t3~t4 之间, uAK>0,这时ug>0 ,而 ud u2,所以,晶闸管又导通;
(5)当 t=t4 时, ug=0 ,但uAK>0 , ud u2 ,即晶闸管仍处于导通状态; (6)当 t=t5 时, uAK=0 , ug=0 ,而ud=0,即晶闸管关断,晶闸管处于阻断状态。
综上所述可得出以下结论:
输入电压: u2 2U 2 sint 负载电压: Ud 负载电流: I d
1 1 cos 2U 2 sintd (t ) 0.45U 2 2 2
Ud U 1 cos 0.45 2 R R 2
2U 2
晶闸管承受的最大正反向电压:
二、带电感性负载的可控整流电路
在实践中,应该充分发挥晶闸管有利的一面,同时采取必要措施消除其不利的一面。 目前,采用晶闸管作为整流放大元件组成的晶闸管控制系统,获得越来越广泛的应用。
晶闸管是在半导体二极管、三极管之后发现的一种新型的大功率半导体器件,它是一 种可控制的硅整流元件,亦称可控硅。