晶体管混频器

Q
O
VBB
晶体管转移特性曲线
vBE
变频电路工作在晶体 管的非线性区，所以分 析混频器工作时只取这 一段曲线进行研究。
信号 输入 + vs -
+ v0 本机 振荡
中 vi 频 输 出 本页完 继续
晶
体
晶体管混频器的变频原理
管
利用泰勒级数展开可得这段 二、晶体管混频器的工作原理 晶体管混频器在工作时，必须 保证本机振荡频率v0远大于外来 信号频率vs 。 变频器工作时，送至晶体管的 输入电压为 vBE= VBB+v0+vS 在vBE处利用泰勒级数展开可得 这段转移特性曲线近似为抛物线 ic=b0+b1vBE+b2v2BE 把 vs=Vsmcosωst 和 v0=Vomcosω0t 代入知混频电路产生新频率的电 流，其中有(ω0-ωs)差频成份。 LC谐振回路与其中的(ω0-ωs)电 流分量ii产生谐振，输出差频电压 v i。
管
混
频
器
一、四种晶体管混频器的电路组态
(a)电路对振荡电压v0来说输入阻抗 较大，因此用作混频时，本地振荡比 较容易起振，需要的本振注入功率也 较小。但信号输入电路与振荡电路相 互影响较大，产生牵引现象。 LC回路谐
(b)信号输入电路和本振电路相互牵 引干扰可能性小，对于本振电路来说 是共基电路，输入阻抗小，不易过激 励，振荡波形较好。但需要较大的本 振注入功率。这种电路应用较多。 (c)共基混频组 态，信号电压 vi 和本振电压均 由射极注入。
继续
晶
体
介绍共基混频组态电路优缺点
管
混
频
器
一、四种晶体管混频器的电路组态
(c) 和(d)电路在较低频率工作时，变频增益低，输入阻抗也较 低，因此在频率较低时一般都不采用。但在较高的频率工作时 （几十兆），因为共基电路的fα比共发电路的fβ要大很多，所以 变频增益较大。因此，在较高频率工作时也有采用这种电路的。
+ v - +s v - 0 (a) + v - s (b) (a)共发混频组 + v 态，信号电压 - s + vi 和本振电压均 v - 0 由基极注入。 (c) (b)共发混频组 态，信号电压 + vs + vi 由基极注入， v0 本振电压由射 极注入。 (d) (c)共基混频组 态，信号电压 vi 和本振电压均 由射极注入。
+ v0 -
(d)共基混频组 态，信号电压 vi 由射极注入， 本振电压由基 极注入。本页完
继续
晶
体
▶四种晶体管混频器的电路组态内容结束页
管
混
频
器
一、四种晶体管混频器的电路组态
本内容学习结束，单击继续，继 (c) 和(d)电路在较低频率工作时，变频增益低，输入阻抗也较 续学习《晶体管混频原理》内容；单 低，因此在频率较低时一般都不采用。但在较高的频率工作时 击返回，返回学习主页。 （几十兆），因为共基电路的fα比共发电路的fβ要大很多，所以 返回 继续 变频增益较大。因此，在较高频率工作时也有采用这种电路的。
了v0成份，说明差频输出电 流已经与本振信号无关。
iC
差频输出电流的式中没有 混 频 器
ii是混频器输出的中频电流 Vs是混频器输入信号电压振幅 g1 Vs—是混频器输出电流的振幅 2
Q
O
VBB
晶体管转移特性曲线
vBE
信号 输入 + vs -
+ v0 本机 振荡
中 vi 频 输 出 本页完 继续
iC
混 频 器vBE处 在V0m>> Vsm时，在
转移特性曲线近似为抛物线
Q
O
VBB
晶体管转移特性曲线
vBE
信号 输入 + vs -
+ v0 本机 振荡
中 vi 频 输 出 本页完 继续
晶
体
晶体管混频器的输出电流表达式
管
二、晶体管混频器的工作原理
混频器输出的差频电流ii的值为 g1 ii=Vs — cos(ω0-ωs)t 2 其中g1是晶体管在差频时的跨导
+ v0 -
(d)共基混频组 态，信号电压 vi 由射极注入， 本振电压由基 极注入。本页完
继续
晶
体
二、晶体管混频器的工作原理
管
混
频
iiB C
器
二、晶体管混频器的工作原理
O
晶体管输入特性曲线 晶体管转移特性曲线
vBE
变频电路工作在晶体 管的非线性区，所以分 析混频器工作时只取这 一段曲线进行研究。
振在中频
+ v - +s v - 0 (a) + v - s (b)
(a)共发混频组 + v 态，信号电压 - s + vi 和本振电压均 v - 0 由基极注入。 (c) (b)共发混频组 态，信号电压 + vs + vi 由基极注入， v0 本振电压由射 极注入。 (d)
+ v0 -
(d)共基混频组 态，信号电压 vi 由射极注入， 本振电压由基 极注入。本页完
晶体管混频器
引言
晶体管混频器就是利用晶体管的非线性输入特性 来进行变频的变频电路。
晶体管混频器的变频增益较高，因而在中短波接
收机和测量仪器中广泛应用。
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本 节 学 习 要 点 和 要 求
了解四种晶体管混频器的电路组态
掌握晶体管混频器的基本工作原理
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晶 体 管 混 频 器 主 页
主页源自文库
四种晶体管混频器电路组态 晶 体 管 混 频 原 理
晶 体 管 混 频 器 的 增 益
例 题
实 际 电 路 分 析 举 例
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晶
体
一、四种晶体管混频器的电路组态 介绍共射混频组态电路优缺点
+ v - +s v - 0 (a) + v - s (b)
(a)共发混频组 + v 态，信号电压 - s + vi 和本振电压均 v - 0 由基极注入。 (c) (b)共发混频组 态，信号电压 + vs + vi 由基极注入， v0 本振电压由射 极注入。 (d)
(c)共基混频组 态，信号电压 vi 和本振电压均 由射极注入。
因为有iC=βiB` 所以iC随vBE变化的曲线 也与晶体管输入特性曲线 形态相近。 iC随vBE变化的曲线称为 转移特性曲线。 本页完 继续
晶
体
晶体管混频器的输入电压
管 混 把非线性段放大
频
iC
器
静态工作点Q
二、晶体管混频器的工作原理
晶体管混频器在工作时，必须 保证本机振荡频率v0远大于外来 信号频率vs 。 变频器工作时，送至晶体管的 输入电压为 vBE= VBB+v0+vS