电子线路线性部分复习资料
电子线路(线性部分)第五章
vo
-
电流串联反馈
例3 判断下列电路的反馈类型和反馈性质。
RB RC1 RC2 VCC RB RC1 RC2 VCC源自○ +vi
○ ○ - vo Rf R E2 + +
vi
○ +
-
○ ○ ○ - vo Rf RE2 +
+ RE1
RE1
电流并联负反馈
Rf
电流串联正反馈
Rf R1
R1
vs+ -
○ +
+ vi RB2 -
+
RE
vo
-
Rf为反馈元件。
RE为反馈元件。
5.1.2 反馈类型与性质的判别 2. 判断反馈类型---- 短路法
RS
+ vs -
+ v+ i vi Av - v+ f kfv
RL
+ vo -
ii
iS RS
ii if Ai kfi io RL
判断电压与电流反馈
假设输出端交流短路，若反馈信号消失，则为电压反 馈；反之为电流反馈。
注意：不同反馈类型对应不同输入、输出电量，因此不同类 型反馈电路的A、kf 、Af含义不同。
5.1.2 反馈类型与性质的判别 1. 找出反馈元件
看电路输出与输入之间是否 接有元件，若有则为反馈电路， 该元件即为反馈元件。
例1
Rf vi VCC RC vo
xi
xi
A kf
xo
xf
例2
RB1 RC
VCC
判断串联与并联反馈
假设输入端交流短路，若反馈作用消失，则为并联反 馈；反之为串联反馈。
中国科学技术大学 线性电子线路期末总复习 考研 课件 清华大学出版社 郭圆月
90 90 lg
135
22 1’ = 或= A0 F0 A0 F0
2
典型题解6_理想集成运放电路
题2：已知VC（0）=0，画
VS 5K R’ VS 1V 0 -1V 4V t/s + 20K R1 Rf R V01 1M + C 1uf V0
V01、V02波形。
双端输入求和
-3V 2K 2K
+ A2 4K V02
2 6 6 V01 6 6 6 24 V01 8V
4 V02 (1 ) (3) 9V 2
V0
同相比例
V01 V02 V02 V0 V0 9.5V 12 6
电子线路
举例
例：已知运放内部电路共有三个极点，其转角频率分别为 f1 0.1MHz，f 2 10MHz，f 3 100MHz，其中f1由运放内部 R、C电路确定，R 30k，有频率补偿端。运放的中频 开环电压增益为100dB。 (1)写出该运放的电压传递函数Av ( S )的表达式。 (2)将运放接成图示的电路，要求电路 稳定工作且有45的相位裕量，求R f 值。 (3)若R f 100k，仍要求电路有45的 相位裕量，采用简单电容补偿，求补 偿电容值。
2 R B 典型电流源电路的分析方法 差模输入电阻：Ri 2( RB + hie )多级放大电路； （2 ）差动电路 + 差动增益： A hie RB∥RS RB RS 差模输出电阻：R R 差模输入电阻：Ri 2( RB hie ) 差模输出电阻：Ro 2 Rc 共模增益：Ac 0 共模抑制比：CMRR
第四章场效应晶体管及其基本放大电路
线性电子线路
《电子线路》综合复习题（一）班级学号姓名一、填空题；1、二极管由一个PN结构成，其特性是__________，即给P区加_______电位，N区加_________电位时，二极管就导通。
它的电压和电流不成正比，所以它是一种元件。
2、放大器在无信号输入时的电流、电压参数在晶体管输入输出特性曲线族上所确定的点叫做。
其三个参数是、、。
3、某放大器空载时，输出电压为6V，接入2KΩ负载后，输出电压为4V，则该放大器的输出电阻为KΩ。
4、在多级放大器中，前级是后级的，后级是前级的；只有当负载电阻R L 和信号源内阻r s时负载获得的功率最大，这种情况称为。
5、两级放大器的第一级电压增益为40Db，第二级电压增益为60Db，则该放大器的总电压增益为dB，总电压放大倍数为倍。
6、固定式偏置电路的静态工作点随_______的变化而变化，但____ ___电路可以减小对静态工作点的影响。
7、在直流放大器中，如将输入端对地短路而无输入信号时，输出端也会出现忽大忽小忽快忽慢的无规则变化，这种现象称为_______，直接耦合放大器级数越多，放大倍数越大，零点漂移越_______。
8、在甲类、乙类、甲乙类推挽功率放大器中，类功放电路的效率最高；类电路能有效的消除交越失真。
实用的OCL、OTL电路属于功放。
9、带有放大环节的串联型晶体管稳压电源一般有、、和四部分组成。
10、LC正弦波振器的振荡频率f取决于参数。
二、选择题：1、普通整流二极管的两个主要参数-----------------------------------------------（）A、最高反向工作电压V RM和最大整流电流I FMB、最大整流电流I FM和稳定电压V ZC、最高反向工作电压V RM和稳定电流I Z2、已知晶体管的V（BR）CEO=25V，I CM=125mA，P CM=125mW。
在下列条件下允许使用的是-----------------------------------------------------------（）A、I C=50mA，V CE=25VB、I C=20mA，V CE=15VC、I C=10mA，V CE=12V3、交流放大电路中，晶体管一旦进入饱和或截止状态，I B对I C将-------（）A、增强控制能力；B、控制能力不变；C、失去控制能力；D、它们之间没有关系。
线性电子电路5
引入负反馈后，在输入信号一定的情况下，当电路
参数变化、电源电压波动或负载发生变化时，放大电路
输出信号的波动减小，即放大倍数的稳定性提高。
放大倍数稳定性提高的程度与反馈深度有关。
.
.
A
Af 1 A F
在中频范围内，
Af
A 1 AF
放大倍数的相对变化量：
图5-7 电压串联负反馈
第五章 放大电路中的反馈
电压放大倍数：
.
.
Auu
Uo
U
' i
.
反馈系数：
.
F uu
Uf U o
因为：
.
Uf
R1 R1 RF
.
Uo
所以反馈系数：
.
.
F uu
Uf U o
R1 R1 RF
(b)方框图
图5-7 电压串联负反馈
第五章 放大电路中的反馈
二、电压并联负反馈
反馈信号与输出电压成正比，净输入电流等于外加 输入电流与反馈电流之差
③ 如果开环差模电压放大倍数 A 的相对变化量为
±10%，此时闭环电压放大倍数 Af 的相对变化量等于多
少？ 解：① 反馈系数
F
U f U o
R1 R1 RF
2 2 18
0.1
反馈深度 1 A F 1 105 0.1 104
第五章 放大电路中的反馈
② 闭环放大倍数
.
.
A 105
Af 1 A F 104 10
RC2
○-
vi
RS
○+
T1
T2
VCC
Rf
电子线路(线性部分)试题及解答5
一、在括号内用“ ”或“×”表明下列说法是否正确。
（1）只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（）（2）可以说任何放大电路都有功率放大作用；（）（3）放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（）（4）电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（）（5）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（）（6）由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（）（7）只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
（）解：（1）×（2）√（3）×（4）×（5）√（6）×（7）×二、试分析图T2.2所示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。
设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
图T2.2解：（a）不能。
因为输入信号被V B B短路。
（b）可能。
（c）不能。
因为输入信号作用于基极与地之间，不能驮载在静态电压之上，必然失真。
（d）不能。
晶体管将因发射结电压过大而损坏。
（e）不能。
因为输入信号被C2短路。
（f）不能。
因为输出信号被V C C短路，恒为零。
（g）可能。
（h）不合理。
因为G-S间电压将大于零。
（i）不能。
因为T截止。
三、在图T2.3所示电路中， 已知V C C ＝12V ，晶体管的β＝100，'b R ＝100k Ω。
填空：要求先填文字表达式后填得数。
（1）当iU ＝0V 时，测得U B E Q ＝0.7V ，若要基极电流I B Q ＝20μA ， 则'b R 和R W 之和R b＝ ≈ k Ω；而若测得U C E Q ＝6V ，则R c ＝ ≈ k Ω。
（2）若测得输入电压有效值i U =5mV 时，输出电压有效值'o U ＝0.6V ， 则电压放大倍数uA ＝ ≈ 。
若负载电阻R L 值与R C 相等 ，则带上负载图T2.3 后输出电压有效值o U ＝ ＝ V 。
线性电子线路
第 4 章 放大器基础
放大器旳构成原则：
▪ 直流偏置电路(即直流通路)要确保器件工作在放大 模式。
▪ 交流通路要确保信号能正常传播，即有输入信号 vi 时，应有 vo 输出。
▪ 元件参数旳选择要确保信号能不失真地放大，即电 路需提供合适旳 Q 点及足够旳放大倍数。
Ro
反应放大器性能旳主要指标有：
输入电阻 Ri 、 输出电阻 Ro、 增益 A。
第 4 章 放大器基础
4.2.1 输入电阻、输出电阻、增益
输入电阻
对输入信号源而言，放大器相当于它旳一种负载，
而这个等效负载电阻就是放大器输入电阻 Ri 。
ii
ii
RS +
+
vi
Ri
或
iS
vS
-
-
+
RS vi
Ri
-
定义
第 4 章 放大器基础
输出电阻 Ro 计算：
RS +
vS -
放
+
大
RL vo
RS
器
-
i
放
+
大
v
器
-
(放大器一般框图)
( Ro 旳定义)
▪ 令负载电阻 RL 开路，信号源为零。
▪ 在输出端外加电压 v，则产生电流 i。
定义
Ro
v i
Ro 反应放大器受负载电阻 RL 旳影响程度。
第 4 章 放大器基础
Ri
vi ii
上式中，Ri 表达本级电路对输入信号源旳影响程度。
第 4 章 放大器基础
《线性电子线路》课程知识点
《线性电子线路》课程知识点第一章晶体二极管半导体部分的概念：1.半导体、本征半导体、杂质半导体的定义2.什么是P型、N型半导体，其多数载流子和少数载流子分别是什么？3.什么是PN结，PN结形成的三个过程是？4.什么是PN结的单向导电性？5.PN结的反向电流大小如何，与什么有关？（材料，温度）6.PN结具有电容效应（PN结相当于存在一个容量很小的电容）器件：（一）二极管1.什么是二极管？二极管的符号，主要特性是单向导电性（与PN结一样）2.二极管端电压与流过它的电流的关系曲线（伏安特性曲线p24），曲线中几个不同段的理解3.二极管在路分析时采用的模型（理想模型、折线模型、恒压模型）。
（表示对包含二极管的电路进行分析时候，对复杂的二极管曲线可以进行简化替代（等效））（二）稳压二极管1.稳压二极管的符号，特性曲线（p19），为什么说稳压二极管具有稳压特性？2.要使稳压管能够具备稳压功能其正确的连接是？对流过其电流的要求是？（三）发光二极管1.什么是发光二极管？2.发光二极管正常点亮的时候参数为？（正向压降约1.5v 还与颜色和大小有光；正向电流5—8mA电流数值越大越亮，根据实际情况可调整）3.什么是数码管？和发光二极管有何关系？应用电路：1.二极管整流电路(P30)2.稳压管稳压电路（P31）3.二极管或稳压二极管限幅电路（P34）4.发光二极管作为指示灯的连接电路及限流电阻的估算。
分析方法：1.包含二极管电路的分析方法（先选定二极管模型，在电路中把二极管断开，分别计算其阳极和阴极的电位，判断二极管的导通与截止并套入相应模型对电路进行变更，根据节点电流和回路电压法计算电压或电流值）2.计算稳压二极管电路中的限流电阻在电路连接正确且外加电压大于稳压管反向击穿电压的情况下：先假定稳压二极管反向击穿导通，取稳压管的稳压值作为已知条件，根据电路原理中的学到的电压电流计算方法计算所要求的各个电量，根据计算结果验证是否满足稳压管稳压，（是：结果正确，否：变更稳压管等效重新计算）第二章晶体三极管概念：1.晶体三极管的导电类型的分类，结构和符号2.三极管各区各极的名称，各区在制造工艺上的特点3.三极管的工作状态有哪三个？4.三极管工作在放大，饱和，截止时对发射结和集电结偏置的要求（文字描述）5.针对NPN, PNP 两种不同类型的三极管在3个工作状态下所对应的各极电位的大小关系。
《线性电子线路》课程知识点
《线性电子线路》课程知识点第一章晶体二极管半导体部分的概念:1.半导体、本征半导体、杂质半导体的定义2.什么是P型、N型半导体,其多数载流子和少数载流子分别是什么?3.什么是PN结,PN结形成的三个过程是?4.什么是PN结的单向导电性?5.PN结的反向电流大小如何,与什么有关?(材料,温度)6.PN结具有电容效应(PN结相当于存在一个容量很小的电容)器件:(一)二极管1.什么是二极管?二极管的符号,主要特性是单向导电性(与PN结一样)2.二极管端电压与流过它的电流的关系曲线(伏安特性曲线p24),曲线中几个不同段的理解3.二极管在路分析时采用的模型(理想模型、折线模型、恒压模型)。
(表示对包含二极管的电路进行分析时候,对复杂的二极管曲线可以进行简化替代(等效))(二)稳压二极管1.稳压二极管的符号,特性曲线(p19),为什么说稳压二极管具有稳压特性?2.要使稳压管能够具备稳压功能其正确的连接是?对流过其电流的要求是?(三)发光二极管1.什么是发光二极管?2.发光二极管正常点亮的时候参数为?(正向压降约1.5v 还与颜色和大小有光;正向电流5—8mA电流数值越大越亮,根据实际情况可调整)3.什么是数码管?和发光二极管有何关系?应用电路:1.二极管整流电路(P30)2.稳压管稳压电路(P31)3.二极管或稳压二极管限幅电路(P34)4.发光二极管作为指示灯的连接电路及限流电阻的估算。
分析方法:1.包含二极管电路的分析方法(先选定二极管模型,在电路中把二极管断开,分别计算其阳极和阴极的电位,判断二极管的导通与截止并套入相应模型对电路进行变更,根据节点电流和回路电压法计算电压或电流值)2.计算稳压二极管电路中的限流电阻在电路连接正确且外加电压大于稳压管反向击穿电压的情况下:先假定稳压二极管反向击穿导通,取稳压管的稳压值作为已知条件,根据电路原理中的学到1的电压电流计算方法计算所要求的各个电量,根据计算结果验证是否满足稳压管稳压,(是:结果正确,否:变更稳压管等效重新计算)第二章晶体三极管概念:1.晶体三极管的导电类型的分类,结构和符号2.三极管各区各极的名称,各区在制造工艺上的特点3.三极管的工作状态有哪三个?4.三极管工作在放大,饱和,截止时对发射结和集电结偏置的要求(文字描述)5.针对NPN, PNP 两种不同类型的三极管在3个工作状态下所对应的各极电位的大小关系。
电子线路第四版线性部分复习资料
i o i v A r = 24、理想放大器性能特点：
考试有可能会告诉你 Ri R0 的大小，让我们选择放大器的类型。 25、放大器的失真： 26、差分放大器的特点：抑制共模信号，放大差模信号。 27、差放性能指标归纳总结：
28、理想差放特点：输入电阻 Ri 无穷大，输出电阻 R0 无穷小， 共模抑制比无穷大。 29、（了解）镜像电流源电路：
面积大。 11、三极管的工作状态及其外部工作条件： 放大模式：发射结正偏，集电结反偏； 饱和模式：发射结正偏，集电结正偏； 截止模式：发射结反偏，集电结反偏。 12、三极管工作在放大模式下： 对 NPN 管 各 极 电 位 间 要 求 ： Ve<vb<vc< p="" data-filtered="filtered"> 对 PNP 管各极电位间要求：Ve>Vb>Vc 例：测得某三极管的三个极的电压分别为 U1=10V，U2=3V， U3=2.3V，请判断此三极管的类型、工作状态、并指出其 B C E 极。 解：电压值都为正，可判断为 NPN 管；假设三极管工作在放大状 态，根据电位间要求：Ve<vb<vc，可判断 u1=10v 为 c 极电压，< p="" data-filtered="filtered"> U2-U3=0.7V，可判断 U2=3V 为 B 极电压；U3=2.3V 为 E 极电压； 且 UCE=10-2.3=7.7V>0.3V,由此可判断此三极管为 NPN 型三极 管，且工作在放大状态，假设成立。 13、三极管静态工作点：IBQ、TCQ、VCEQ
电子线路第四版线性部分复习资料
申明：本复习资料仅作为考试参考，不代表百分百会考本资料上 的内容。 一、选择填空题 1、本征半导体：纯净的、不含杂质的半导体称为本征半导体。 2、本征激发是半导体中产生自由的电子空穴对的条件。 3、N 型半导体：本征半导体中掺入少量五价元素构成。 4、P 型半导体：本征半导体中掺入少量三价元素构成。 5、PN 结的基本特性：单向导电性（即正向导通，反向截止）。 除了单向导电性外还有反向击穿特性、温度特性、电容特性。 6、PN 结的伏安特性方程式： )1(T S -=V V e I I 正偏时： T S V V e I I ≈ 反偏时：S I I -≈ 其中：热电压 q kT V =T ≈26mV （室温）；温度每升高 10℃， Is 约增加一倍。 7、硅 PN 结：VD （on ）=0.7V 锗 PN 结：VD （on ）=0.3V 8、PN 结的击穿特性：热击穿（二 极管损坏，不可恢复），齐纳击穿（可恢复）。 9、PN 结的电容特性：势垒电容、扩散电容。 10、三极管内部结构特点：发射区掺杂浓度大；基区薄；集电结
电子线路线性部分复习资料
- 1 - 南昌大学模拟综合试卷一一．填充题1．集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a，b。
2．通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是a,b。
3．在晶体三极管参数相同，工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。
4．一个NPN晶体三极管单级放大器，在测试时出现顶部失真，这是失真。
5．工作于甲类的放大器是指导通角等于，乙类放大电路的导通角等于，工作于甲乙类时，导通角为。
6．甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。
7．若双端输入，双端输出理想差动放大电路，两个输入电压ui1=ui2,则输出电压为V；若ui1=1500µV, ui2=500µV，则差模输入电压uid为µV，共模输入信号uic为µV。
8．由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。
9．晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为的影响。
10．在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最；组态电压增益最小；组态功率增益最高；组态输出端长上承受最高反向电压。
频带最宽的是组态。
二．选择题1．晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，ICBO,uBE 的变化情况为（）。
A．β增加，ICBO,和uBE减小 B. β和ICBO增加，uBE 减小C．β和uBE减小，ICBO增加 D. β、ICBO和uBE都增加2．反映场效应管放大能力的一个重要参数是（） A. 输入电阻 B. 输出电阻 C. 击穿电压 D. 跨导3．双端输出的茶分放大电路主要（）来抑制零点飘移。
A. 通过增加一级放大B. 利用两个 C. 利用参数对称的对管子 D. 利用电路的对称性4．典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出，共模电压放大倍数（）。
A. 变大 B. 变小C. 不变 D. 无法判断5．差分放大电路的共模抑制比KCMR越大，表明电路（）A. 放大倍数越稳定 B. 交流放大倍数越大C. 直流放大倍数越大 D. 抑制零漂的能力越强6．负反馈放大电路以降低电路的（）来提高嗲路的其他性能指标。
线性电子线路期末复习
——复习与考试 2014年12月
电子线路
考试要求
考试安排：
（1）时间：2014年12月29日周一晚上19-21点
（2）地点：3C222
考试类型：
（1）填空（20分左右） （2）计算与分析（80分左右）
电子线路
复习与考试
一、考查什么 二、复习什么 三、怎样复习
电子线路
一、考查什么
0.7V。试画出ui与uO的波形，并标出幅值。
电子线路
第三章双极型晶体管及其基本放大电路
本章重点1：晶体管结构结构、原理
IC I B IC I E
放大工作条件：发射结正偏、集电结反偏。-电位关系； 三种工作状态：
①截止区截止时，IB=0，容易判别；
②先假定工作在放大区，若得出矛盾， 则表示工作在饱和区，再用饱和压降估
n
RC高通和下限截止频率
第1章 线性系统的复频域分析方法
H j
本章重点2：系统的频率响应及波特图；
H ( j ) 幅频响应 H ( j ) H ( j ) 相频响应
幅频波特图
上截止频率：h 3dB : 下截止频率：l
H0
会看：电路的识别、定性分析。
如是哪种电路：
共射、共基、共集、共源、共漏、差分放大电路及哪种
接法？
引入了什么反馈？
比例、加减、积分、微分……运算电路？
单限、滞回电压比较器？
电子线路
一、考查什么
会看：电路的识别、定性分析。
又如性能如何：
元器件、电路的典型指标与参数、极限参数；
Ro Ron
0
l
h
电子线路
最新级线性电子线路期末复习
2007级通信工程专业《电子线路》（线性部分）期末复习提纲2009-1-5 1．差分放大器*电路结构与典型电路的工作原理、特性（注意差分放大电路与电流源电路结合）。
* 差分放大电路直流分析（静态工作点计算）。
* 差分放大电路交流分析，包括：差模性能分析、共模性能分析；电压增益、输入电阻、输出电阻、共模抑制比等参数计算；单入、双入、单出、双出的电路计算。
2. 电流源电路* 典型电流源电路工作原理、要求、特性等（注意差分放大电路与电流源电路结合）。
* 电流源电路参数（输出电流、输出电阻）的分析计算。
* 电流源电路的简单设计（电路参数配置设计）。
3. 放大器频率响应*频率响应基本概念（频率失真、频率响应分析、极零点、波特图等）。
* 单级共E放大器频率响应（f计算、不需推导）。
H* 已知系统传输函数或标尺因子、极零点，画出系统幅频特性、相频特性波图并分析（注意与负反馈稳定性分析结合）。
4．负反馈放大器* 反馈放大器极性、类型判别。
* 负反馈对放大器交流性能的影响（p280-285），注意总结归纳基本概念。
* 负反馈放大器分析，包括：增益灵敏度分析（负反馈放大器框图分析）；负反馈放大器拆环分析（拆环后的基本放大器、反馈回路、反馈系数）；* 深度负反馈放大器的分析及电压增益估算。
注意复习例题、习题等。
* 负反馈放大器稳定性稳定性判定（结合波特图分析、自激分析、裕量分析计算）；相位补偿技术。
5. 集成运算放大器* 集成运算放大器基本概念、基本特性。
* 集成运算放大器构成同相输入放大器、反相输入放大器、差动输入放大器的分析计算。
* 集成运算放大器典型应用电路分析、设计、计算。
（注意复习例题、习题等）。
中小学教师职业道德规范“十不准”（1）不准参与邪教活动，宣传封建迷信，传播有害学生身心健康的观点和思想；（2）不准参与赌博、色情、吸毒、酗酒等违反社会公德和教师职业道德的不健康不文明活动；（3）不准从事有偿家教和违规从事校外教学、培训、辅导或商业活动；（4）不准出现体罚、变相体罚或者其他侮辱学生人格尊严、侵犯学生合法权益的行为；（5）不准向学生推销或变相推销教辅资料、商品；不向学生家长索要或变相索要礼金、财物卡及其他有价证券。
电子线路线性部分-02
IC
VBE
ISe VT
(1
VCE VA
)
与 IC 的关系：
在 IC 一定范围内 近似为常数。
IC 过小使 IB 造成 。
O
IC
IC 过大发射效率 造成 。
IC
考虑上述因素，IB 等量增加时，
输出曲线不再等间隔平行上移。
O
VCE
第 2 章 晶体三极管
截止区(VBE 0.5 V， VCE 0.3 V)
I
R
VBC
ICBS(e VT
1)
第 2 章 晶体三极管
2.4 晶体三极管伏安特性曲线
伏安特性曲线是三极管通用的曲线模型，它适用
于任何工作模式。
IC
IB
+
VBE
-
+
T VCE
-
共发射极
输入特性： IB= f1E ( VBE ) VCE = 常数 输出特性： IC= f2E ( VCE ) IB = 常数
第 2 章 晶体三极管
➢ 输入特性曲线
VCE 一定：
类似二极管伏安特性。
VCE 增加：
正向特性曲线略右移。
IB /A 0.3V
VCE = 0
10 V
V(BR)BEO
O VBE(on) VBE /V IEBO + ICBO
由于 VCE = VCB + VBE
基区宽度调制效应
E
B
C
因此当 VBE 一定时：
第 2 章 晶体三极管
发射结正偏：保证发射区向基区发射多子。 ▪ 发射区掺杂浓度 >> 基区掺杂浓度 ：减少基区向发射 区发射的多子，提高发射效率。
基区的作用：将发射到基区的多子，自发射结传输 到集电结边界。
电子线路(线性部分)第3章场效应管
No Image
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4、由VGD=VGD-VDS， 当VGD＝ VGS(off) ，即VDS ≥ VGS- VGS(off)时，出现了预夹断，ID也 不会随VDS变化
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二、特性曲线 与DMOS类似
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1)非饱和区：VGS>VGS(off)，VDS≤VGS-VGS(off) （相当于三极管的 饱和区） 2)饱和区：VGS>VGS(off)，VDS≥VGS-VGS(off) 3)截止区：VGS＜VGS(off) 4)击穿区：VGS或VDS太大 （相当于三极管的
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CoxW 导： gm 2 IDQ 2l 1 阻： g I
输入特性：（转移特性） 输出特性： 1)非饱和区：VGS>VGS(th)，VDS≤VGS-VGS(th) 相当于三极管的饱和区 2)饱和区：VGS>VGS(th)，VDS≥VGS-VGS(th) 相当于三极管的放大区 3)截止区：VGS＜VGS(th) 4)击穿区：VGS或VDS太大
一、结构及工作原理（N沟道）
P区：高掺杂
N区：低掺杂
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1、VGS＝0，VDS为正电压 ID随VDS正向增长
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2、VGS为负电压，VDS为正电压 VGS越负，沟道变窄，ID随VDS增长变慢
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3、VGS＝VP（夹断电压），ID不随VDS变化(很小）
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二、耗尽型场效应管（DMOS） 1、结构与工作原理 与EMOS相似，差别仅在于预先已在衬底表面扩散了一薄层与衬底
最新模电电子线路线性部分专业知识讲座
共价键具有很强的结合力。 当 T = 0 K(无外界影响) 时，共价键中无自由移动的电子。
当 T 升高或光线照射时 产生自由电子空穴对。
这种现象称
本征激发。
注意：空穴的出现是半导体区别于导体的重要特征。
文第档来1 章源于网晶络体，二文极档所管提供的信息仅供参考之用，不能作为科学依据，请勿模
PN 结电容
PN 结总电容： Cj = CT + CD PN 结正偏时，CD >> CT ，则 Cj ≈ CD
故：PN 结正偏时，以 CD 为主。 通常：CD 几十 pF ~ 几千 pF。 PN 结反偏时，CT >> CD ，则 Cj CT
故：PN 结反偏时，以 CT 为主。 通常：CT 几 pF ~ 几十 pF。
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1.1.1 本征半导体
硅和锗的单晶称为本征半导体。它们是制造半导 体器件的基本材料。
硅和锗共价键结构示意图：
共价键
+4
+
+4
+4
+4
+4
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温度 T
电流 IR
少子漂移形成微小的反向电流 IR 结论：PN 结具有单方向导电特性。
PN 结截止
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PN 结——伏安特性方程式
PN 结正、反向特性，可用理想的指数函数来描述：
电子线路-线性部分-场效应管-文档资料
当 VGS为常数时，VDSID 近似线性，表现为一种电阻特性； 当 VDS为常数时，VGS ID ，表现出一种压控电阻的特性。
因此，非饱和区又称为可变电阻区。
第3章
场效应管
数学模型：
VDS 很小 MOS 管工作在非饱和区时，ID 与 VDS 之间呈线 性关系： C W 2 I D n OX [2(VGS VGS(th) )VDS VDS ] 2l nCOXW (VGS VGS(th) )VDS l 其中，W、l 为沟道的宽度和长度。 COX (= / OX , SiO2 层介电常数与厚度有关)为单位面积的 栅极电容量。 此时 MOS 管可看成阻值受 VGS 控制的线性电阻器：
非饱和区(可变电阻区)工作条件
|VGS| > |VGS(th) | ， |VDS | < | VGS – VGS(th) |
非饱和区(可变电阻区)数学模型
ID
nC OXW
l
(VGS VGS(th) )VDS
第3章
场效应管
FET 直流简化电路模型(与三极管相对照)
ID
G
IG0
DMOS 管结构
U S P+ N+ P G N+ D
D
ID
U
N 沟道 DMOS
G
S
VGS = 0 时，导电沟道已存在 对比增强型？
U S N+ P+ N G P+ D
沟道线是实线
D
ID
U
P 沟道 DMOS
G
S
第3章
场效应管
NDMOS 管伏安特性
ID/mA VDS = VGS –VGS(th) VGS = 1 V
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- 1 - 南昌大学模拟综合试卷一一．填充题1．集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a
，b。
2．通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是a
,b。
3．在晶体三极管参数相同，工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。
4．一个NPN晶体三极管单级放大器，在测试时出现顶部失真，这是
失真。
5．工作于甲类的放大器是指导通角等于
，乙类放大电路的导通角等于
，工作于甲乙类时，导通角为。
6．甲类功率输出级电路的缺点是
，乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于
状态。
7．若双端输入，双端输出理想差动放大电路，两个输入电压ui1=ui2,则输出电压为V；若ui1=1500µV, ui2=500µV，则差模输入电压uid为
µV，共模输入信号uic为
µV。
8．由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较
同相比例放大电路的输入电阻较。
9．晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为的影响。
10．在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，
组态电流增益最；组态电压增益最小；
组态功率增益最高；
组态输出端长上承受最高反向电压。
频带最宽的是
组态。
二．选择题1．晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，ICBO,uBE 的变化情况为（）。
A．β增加，ICBO,和uBE减小 B. β和ICBO增加，uBE 减小C．β和uBE减小，ICBO增加 D. β、ICBO和uBE都增加2．反映场效应管放大能力的一个重要参数是（） A. 输入电阻 B. 输出电阻 C. 击穿电压 D. 跨导3．双端输出的茶分放大电路主要（）来抑制零点飘移。
A. 通过增加一级放大B. 利用两个 C. 利用参数对称的对管子 D. 利用电路的对称性4．典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出，共模电压放大倍数（）。
A. 变大 B. 变小C. 不变 D. 无法判断5．差分放大电路的共模抑制比KCMR越大，表明电路（）A. 放大倍数越稳定 B. 交流放大倍数越大C. 直流放大倍数越大 D. 抑制零漂的能力越强6．负反馈放大电路以降低电路的（）来提高嗲路的其他性能指标。
A. 带宽 B. 稳定性 C. 增益 D. 输入电阻
- 2 - 7．为了使运放工作于线性状态，应（） A. 提高输入电阻 B. 提高电源电压 C. 降低输入电压 D. 引入深度负反馈8．在正弦振荡电路中，能产生等幅振荡的幅度条件是（）。
A. ÀF=1 B. ÀF> C. ÀF<1 D. ÀF=1 9．振荡电路的振荡频率，通常是由（）决定 A. 放大倍数 B. 反馈系数 C. 稳定电路参数 D. 选频网络参数10．在串联型线性稳定电路中，比较放大环节放大的电压是（） A. 取样电压与基准电压之差 B. 基准电压 C. 输入电压D. 取样电压
一．填充题1．深度反馈同相输入点接地 2. 稳定直流工作点抑制零点漂移3．小 4. 截止 5. 180 o 90 o 大于90 o 小于180 o 6. 效率低甲乙类7. 0 500 100 8. 低9. 晶体管结电容10. 共集共集共射共集共基二．选择题1．B 2. D 3. C 4. 5. D 6. C 7. D 8. A 9. D
10. A。