集成电路英文缩写

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电控常用词汇英文缩写

电控常用词汇英文缩写

电子类常用缩写(英文翻译) 1AC(alternating current) 交流(电)A/D(analog to digital) 模拟/数字转换ADC(analog to digital convertor) 模拟/数字转换器ADM(adaptive delta modulation) 自适应增量调制ADPCM(adaptive differential pulse code modulation) 自适应差分脉冲编码调制ALU(arithmetic logic unit) 算术逻辑单元ASCII(American standard code for information interchange) 美国信息交换标准码A V(audio visual) 声视,视听BCD(binary coded decimal) 二进制编码的十进制数BCR(bi-directional controlled rectifier)双向晶闸管BCR(buffer courtier reset) 缓冲计数器BZ(buzzer) 蜂鸣器,蜂音器C(capacitance,capacitor) 电容量,电容器CA TV(cable television) 电缆电视CCD(charge-coupled device) 电荷耦合器件CCTV(closed-circuit television) 闭路电视CMOS(complementary) 互补MOSCPU(central processing unit)**处理单元CS(control signal) 控制信号D(diode) 二极管DAST(direct analog store technology) 直接模拟存储技术DC(direct current) 直流DIP(dual in-line package) 双列直插封装DP(dial pulse) 拨号脉冲DRAM(dynamic random access memory) 动态随机存储器DTL(diode-transistor logic) 二极管晶体管逻辑DUT(device under test) 被测器件DVM(digital voltmeter) 数字电压表ECG(electrocardiograph) 心电图ECL(emitter coupled logic) 射极耦合逻辑EDI(electronic data interchange) 电子数据交换EIA(Electronic Industries Association) 电子工业联合会EOC(end of conversion) 转换结束EPROM(erasable programmable read only memory) 可擦可编程只读存储器EEPROM(electrically EPROM) 电可擦可编程只读存储器ESD(electro-static discharge) 静电放电FET(field-effect transistor) 场效应晶体管FS(full scale) 满量程F/V(frequency to voltage convertor) 频率/电压转换FM(frequency modulation) 调频FSK(frequency shift keying) 频移键控FSM(field strength meter) 场强计FST(fast switching shyster) 快速晶闸管FT(fixed time) 固定时间FU(fuse unit) 保险丝装置FWD(forward) 正向的GAL(generic array logic) 通用阵列逻辑GND(ground) 接地,地线GTO(Sate turn off thruster) 门极可关断晶体管HART(highway addressable remote transducer) 可寻址远程传感器数据公路HCMOS(high density COMS) 高密度互补金属氧化物半导体(器件)HF(high frequency) 高频HTL(high threshold logic) 高阈值逻辑电路HTS(heat temperature sensor) 热温度传感器IC(integrated circuit) 集成电路ID(international data) 国际数据IGBT(insulated gate bipolar transistor) 绝缘栅双极型晶体管IGFET(insulated gate field effect transistor) 绝缘栅场效应晶体管I/O(input/output) 输入/输出I/V(current to voltage convertor) 电流-电压变换器IPM(incidental phase modulation) 附带的相位调制IPM(intelligent power module) 智能功率模块IR(infrared radiation) 红外辐射IRQ(interrupt request) 中断请求JFET(junction field effect transistor) 结型场效应晶体管LAS(light activated switch)光敏开关LASCS(light activated silicon controlled switch) 光控可控硅开关LCD(liquid crystal display) 液晶显示器LDR(light dependent resistor) 光敏电阻LED(light emitting diode) 发光二极管LRC(longitudinal redundancy check) 纵向冗余(码)校验LSB(least significant bit) 最低有效位LSI(1arge scale integration) 大规模集成电路M(motor) 电动机MCT(MOS controlled gyrator) 场控晶闸管MIC(microphone) 话筒,微音器,麦克风min(minute) 分MOS(metal oxide semiconductor)金属氧化物半导体MOSFET(metal oxide semiconductor FET) 金属氧化物半导体场电子类常用缩写(英文翻译)2效应晶体管N(negative) 负NMOS(N-channel metal oxide semiconductor FET) N沟道MOSFETNTC(negative temperature coefficient) 负温度系数OC(over current) 过电流OCB(overload circuit breaker) 过载断路器OCS(optical communication system) 光通讯系统OR(type of logic circuit) 或逻辑电路OV(over voltage) 过电压P(pressure) 压力FAM(pulse amplitude modulation) 脉冲幅度调制PC(pulse code) 脉冲码PCM(pulse code modulation) 脉冲编码调制PDM(pulse duration modulation) 脉冲宽度调制PF(power factor) 功率因数PFM(pulse frequency modulation) 脉冲频率调制PG(pulse generator) 脉冲发生器PGM(programmable) 编程信号PI(proportional-integral(controller)) 比例积分(控制器)PID(proportional-integral-differential(controller))比例积分微分(控制器)PIN(positive intrinsic-negative) 光电二极管PIO(parallel input output) 并行输入输出PLD(phase-locked detector) 同相检波PLD(phase-locked discriminator) 锁相解调器PLL(phase-locked loop) 锁相环路PMOS(P-channel metal oxide semiconductor FET) P沟道MOSFETP-P(peak-to-peak) 峰--峰PPM(pulse phase modulation) 脉冲相位洲制PRD(piezoelectric radiation detector) 热电辐射控测器PROM(programmable read only memory) 可编只读程存储器PRT(platinum resistance thermometer) 铂电阻温度计PRT(pulse recurrent time) 脉冲周期时间PUT(programmable unijunction transistor) 可编程单结晶体管PWM(pulse width modulation) 脉宽调制R(resistance,resistor) 电阻,电阻器RAM(random access memory) 随机存储器RCT(reverse conducting thyristor) 逆导晶闸管REF(reference) 参考,基准REV(reverse) 反转R/F(radio frequency) 射频电子类常用缩写(英文翻译)3RGB(red/green/blue) 红绿蓝ROM(read only memory) 只读存储器RP(resistance potentiometer) 电位器RST(reset) 复位信号RT(resistor with inherent variability dependent) 热敏电阻RTD(resistance temperature detector) 电阻温度传感器RTL(resistor transistor logic) 电阻晶体管逻辑(电路)RV(resistor with inherent variability dependent on the voltage) 压敏电阻器SA(switching assembly) 开关组件SBS(silicon bi-directional switch) 硅双向开关,双向硅开关SCR(silicon controlled rectifier) 可控硅整流器SCS(safety control switch) 安全控制开关SCS(silicon controlled switch) 可控硅开关SCS(speed control system) 速度控制系统SCS(supply control system) 电源控制系统SG(spark gap) 放电器SIT(static induction transformer) 静电感应晶体管SITH(static induction thyristor) 静电感应晶闸管SP(shift pulse) 移位脉冲SPI(serial peripheral interface) 串行外围接口SR(sample realy,saturable reactor) 取样继电器,饱和电抗器SR(silicon rectifier) 硅整流器SRAM(static random access memory) 静态随机存储器SSR(solid-state relay) 固体继电器SSR(switching select repeater) 中断器开关选择器SSS(silicon symmetrical switch) 硅对称开关,双向可控硅SSW(synchro-switch) 同步开关ST(start) 启动ST(starter) 启动器STB(strobe) 闸门,选通脉冲T(transistor) 晶体管,晶闸管TACH(tachometer) 转速计,转速表TP(temperature probe) 温度传感器TRIAC(triodes AC switch) 三极管交流开关TTL(transistor-transistor logic) 晶体管一晶体管逻辑TV(television) 电视UART(universal asynchronous receiver transmitter) 通用异步收发器VCO(voltage controlled oscillator) 压控振荡器VD(video decoders) 视频译码器VDR(voltage dependent resistor) 压敏电阻VF(video frequency) 视频V/F(voltage-to-frequency) 电压/频率转换V/I(voltage to current convertor) 电压-电流变换器VM(voltmeter) 电压表VS(vacuum switch) 电子开关VT(visual telephone) 电视电话VT(video terminal) 视频终端AC(alternating current) 交流(电)A/D(analog to digital) 模拟/数字转换ADC(analog to digital convertor) 模拟/数字转换器ADM(adaptive delta modulation) 自适应增量调制ADPCM(adaptive differential pulse code modulation) 自适应差分脉冲编码调制ALU(arithmetic logic unit) 算术逻辑单元ASCII(American standard code for information interchange) 美国信息交换标准码A V(audio visual) 声视,视听BCD(binary coded decimal) 二进制编码的十进制数BCR(bi-directional controlled rectifier)双向晶闸管BCR(buffer courtier reset) 缓冲计数器BZ(buzzer) 蜂鸣器,蜂音器C(capacitance,capacitor) 电容量,电容器CA TV(cable television) 电缆电视CCD(charge-coupled device) 电荷耦合器件CCTV(closed-circuit television) 闭路电视CMOS(complementary) 互补MOSCPU(central processing unit)**处理单元CS(control signal) 控制信号D(diode) 二极管DAST(direct analog store technology) 直接模拟存储技术电子类常用缩写(英文翻译)2DC(direct current) 直流DIP(dual in-line package) 双列直插封装DP(dial pulse) 拨号脉冲DRAM(dynamic random access memory) 动态随机存储器DTL(diode-transistor logic) 二极管晶体管逻辑DUT(device under test) 被测器件DVM(digital voltmeter) 数字电压表ECG(electrocardiograph) 心电图ECL(emitter coupled logic) 射极耦合逻辑EDI(electronic data interchange) 电子数据交换EIA(Electronic Industries Association) 电子工业联合会电子类常用缩写(英文翻译)4EOC(end of conversion) 转换结束EPROM(erasable programmable read only memory) 可擦可编程只读存储器EEPROM(electrically EPROM) 电可擦可编程只读存储器ESD(electro-static discharge) 静电放电FET(field-effect transistor) 场效应晶体管FS(full scale) 满量程F/V(frequency to voltage convertor) 频率/电压转换FM(frequency modulation) 调频FSK(frequency shift keying) 频移键控FSM(field strength meter) 场强计FST(fast switching shyster) 快速晶闸管FT(fixed time) 固定时间FU(fuse unit) 保险丝装置FWD(forward) 正向的GAL(generic array logic) 通用阵列逻辑GND(ground) 接地,地线GTO(Sate turn off thruster) 门极可关断晶体管HART(highway addressable remote transducer) 可寻址远程传感器数据公路HCMOS(high density COMS) 高密度互补金属氧化物半导体(器件)HF(high frequency) 高频HTL(high threshold logic) 高阈值逻辑电路HTS(heat temperature sensor) 热温度传感器IC(integrated circuit) 集成电路ID(international data) 国际数据IGBT(insulated gate bipolar transistor) 绝缘栅双极型晶体管IGFET(insulated gate field effect transistor) 绝缘栅场效应晶体管I/O(input/output) 输入/输出I/V(current to voltage convertor) 电流-电压变换器IPM(incidental phase modulation) 附带的相位调制IPM(intelligent power module) 智能功率模块IR(infrared radiation) 红外辐射IRQ(interrupt request) 中断请求JFET(junction field effect transistor) 结型场效应晶体管LAS(light activated switch)光敏开关LASCS(light activated silicon controlled switch) 光控可控硅开关LCD(liquid crystal display) 液晶显示器LDR(light dependent resistor) 光敏电阻LED(light emitting diode) 发光二极管LRC(longitudinal redundancy check) 纵向冗余(码)校验LSB(least significant bit) 最低有效位LSI(1arge scale integration) 大规模集成电路M(motor) 电动机MCT(MOS controlled gyrator) 场控晶闸管MIC(microphone) 话筒,微音器,麦克风min(minute) 分MOS(metal oxide semiconductor)金属氧化物半导体MOSFET(metal oxide semiconductor FET) 金属氧化物半导体场效应晶体管N(negative) 负NMOS(N-channel metal oxide semiconductor FET) N沟道MOSFETNTC(negative temperature coefficient) 负温度系数OC(over current) 过电流OCB(overload circuit breaker) 过载断路器OCS(optical communication system) 光通讯系统OR(type of logic circuit) 或逻辑电路OV(over voltage) 过电压P(pressure) 压力FAM(pulse amplitude modulation) 脉冲幅度调制PC(pulse code) 脉冲码PCM(pulse code modulation) 脉冲编码调制PDM(pulse duration modulation) 脉冲宽度调制PF(power factor) 功率因数PFM(pulse frequency modulation) 脉冲频率调制PG(pulse generator) 脉冲发生器PGM(programmable) 编程信号PI(proportional-integral(controller)) 比例积分(控制器)PID(proportional-integral-differential(controller))比例积分微分(控制器)PIN(positive intrinsic-negative) 光电二极管PIO(parallel input output) 并行输入输出PLD(phase-locked detector) 同相检波PLD(phase-locked discriminator) 锁相解调器PLL(phase-locked loop) 锁相环路PMOS(P-channel metal oxide semiconductor FET) P沟道MOSFETP-P(peak-to-peak) 峰--峰PPM(pulse phase modulation) 脉冲相位洲制PRD(piezoelectric radiation detector) 热电辐射控测器PROM(programmable read only memory) 可编只读程存储器PRT(platinum resistance thermometer) 铂电阻温度计PRT(pulse recurrent time) 脉冲周期时间PUT(programmable unijunction transistor) 可编程单结晶体管PWM(pulse width modulation) 脉宽调制R(resistance,resistor) 电阻,电阻器RAM(random access memory) 随机存储器RCT(reverse conducting thyristor) 逆导晶闸管REF(reference) 参考,基准REV(reverse) 反转R/F(radio frequency) 射频RGB(red/green/blue) 红绿蓝ROM(read only memory) 只读存储器RP(resistance potentiometer) 电位器RST(reset) 复位信号RT(resistor with inherent variability dependent) 热敏电阻RTD(resistance temperature detector) 电阻温度传感器RTL(resistor transistor logic) 电阻晶体管逻辑(电路)RV(resistor with inherent variability dependent on the voltage) 压敏电阻器SA(switching assembly) 开关组件SBS(silicon bi-directional switch) 硅双向开关,双向硅开关SCR(silicon controlled rectifier) 可控硅整流器SCS(safety control switch) 安全控制开关SCS(silicon controlled switch) 可控硅开关SCS(speed control system) 速度控制系统SCS(supply control system) 电源控制系统SG(spark gap) 放电器SIT(static induction transformer) 静电感应晶体管SITH(static induction thyristor) 静电感应晶闸管SP(shift pulse) 移位脉冲SPI(serial peripheral interface) 串行外围接口SR(sample realy,saturable reactor) 取样继电器,饱和电抗器SR(silicon rectifier) 硅整流器SRAM(static random access memory) 静态随机存储器SSR(solid-state relay) 固体继电器SSR(switching select repeater) 中断器开关选择器SSS(silicon symmetrical switch) 硅对称开关,双向可控硅SSW(synchro-switch) 同步开关ST(start) 启动ST(starter) 启动器STB(strobe) 闸门,选通脉冲电子类常用缩写(英文翻译)5T(transistor) 晶体管,晶闸管TACH(tachometer) 转速计,转速表TP(temperature probe) 温度传感器TRIAC(triodes AC switch) 三极管交流开关TTL(transistor-transistor logic) 晶体管一晶体管逻辑TV(television) 电视UART(universal asynchronous receiver transmitter) 通用异步收发器VCO(voltage controlled oscillator) 压控振荡器VD(video decoders) 视频译码器VDR(voltage dependent resistor) 压敏电阻VF(video frequency) 视频V/F(voltage-to-frequency) 电压/频率转换V/I(voltage to current convertor) 电压-电流变换器VM(voltmeter) 电压表VS(vacuum switch) 电子开关VT(visual telephone) 电视电话VT(video terminal) 视频终端。

原理图常用缩写

原理图常用缩写

原理图常用缩写很多,掌握了解这些缩写对我们分析电路帮助很大。

下面,介绍在手机中较常使用的一些英文符号,供分析电路和维修时参考。

A/D:或ADC: 模数转换。

AC:交流。

ADDRESS:地址线。

ADC-DRIVE:自动功率检测AF:音频。

AFC:自动频率控制,控制基准频率时钟电路。

在GSM手机电路中,只要看到AFC字样,则马上可以断定该信号线所控制的是13MHz电路。

该信号不正常则可能导致手机不能进入服务状态,严重的导致手机不开机。

有些手机的AFC标注为VCXOCONT。

AGC:自动增益控制。

该信号通常出现在接收机电路的低噪声放大器,被用来控制接收机前端放大器在不同强度信号时给后级电路提供一个比较稳定的信号。

ALERT:告警。

属于接收音频电路,被用来提示用户有电话进入或操作错误。

ALRT:铃声电路AM:调幅。

AMP:放大器。

常用于手机的电路框图中。

AMPS:先进的移动电话系统。

ANT:天线。

用来将高频电磁波转化为高频电流或将高频信号电流转化为高频电磁波。

在电路原理图中,找到ANT,就可以很方便地找到天线及天线电路。

ANTSW:开线开关控制信号。

AOC:自动功率控制。

通常出现在手机发射机的功率放大器部分(以摩托罗拉手机比较常用)。

AOC-DRIVE:自动功率控制参考电平。

ASIC:专用应用集成电路。

在手机电路中,它通常包含多个功能电路,提供许多接口,主要完成手机的各种控制。

AUC:鉴权中心。

AUDIO:音频。

AUX:辅助。

AVCC:音频供电。

BACKLIGHT;背光。

BALUN:平衡/不平衡转换。

BAND:频段。

BAND-SELECT:频段选择。

只出现在双频手机或三频手机电路中。

该信号控制手机的频段切换。

BASEBAND:基带信号。

B+:电源。

BATT,BATTARY: 电池电压。

BAND:频段。

BCH:广播信道。

BDR:接收数据信号。

BDX:发射数据信号。

BKLT-EN:背景灯控制。

BIAS:偏压。

常用集成电路名词缩写汇总(第二版)

常用集成电路名词缩写汇总(第二版)

常⽤集成电路名词缩写汇总(第⼆版)重要说明整个集成电路的设计和⽣产链路很长,相关专有名称很多;本⽂对常见的集成电路相关的名词缩写进⾏了汇总,特别聚焦与集成电路设计领域,意在整理常⽤的数字电路/DC/PT/ICC/DFV/DFT/RTL/ATE相关⽅⾯的知识点,⽅便⼤家快速学习和掌握相关知识,⽅便⼤家查询;同时希望对学⽣将来的培训/⾯试等活动给予最⼤的帮助;⽂章按照字母排序的⽅式进⾏编排,⽅便⼤家查询;本次⽂章内容为第⼆次发布,我们将定期更新,逐步完善;欢迎⼤家提供相关信息⾄xgcl_wei微信号,帮助我们逐步完善内容,⽅便更多的⼈查询和使⽤,感谢您的参与,谢谢!英⽂全称中⽂说明ABV Assertion based verification基于断⾔的验证AES Advanced Encryption Standard⾼级加密标准,是美国政府采⽤的⼀种区块加密标准ADC Analog-to-Digital Converter指模/数转换器或者模数转换器AHB Advanced High Performance Bus⾼级⾼性能总线ALF Advanced Library Format先进(时序)库格式ALU Arithmetic and logic unit算数逻辑单元AMBA Advanced Microcontroller Bus Architecture⾼级微控制器总线体系ANT antenna天线效应AOP Aspect Oriented Programming⾯向⽅⾯编程APB Advanced Peripheral Bus⾼级外部设备总线API Application Programming Interface应⽤程序编程接⼝APR Auto place and route⾃动布局布线ARM Advanced RISC Machines 英国Acorn公司(ARM公司的前⾝)设计的低功耗成本的第⼀款RISC微处理器。

ASIC专用集成芯片

ASIC专用集成芯片

ASIC专用集成芯片ASIC是Application Specific Integrated Circuit的英文缩写,在集成电路界被认为是一种为专门目的而设计的集成电路。

中文名:集成电路芯片简称:ASIC外文名:Application Specific Integrated Circuit 类型:电子科学1ASIC芯片简介目前,在集成电路界ASIC被认为是一种为专门目的而设计的集成电路。

是指应特定用户要求和特定电子系统的需要而设计、制造的集成电路。

ASIC的特点是面向特定用户的需求,ASIC在批量生产时与通用集成电路相比具有体积更小、功耗更低、可靠性提高、性能提高、保密性增强、成本降低等优点。

2ASIC芯片定制ASIC分为全定制和半定制。

全定制设计需要设计者完成所有电路的设计,因此需要大量人力物力,灵活性好但开发效率低下。

如果设计较为理想,全定制能够比半定制的ASIC芯片运行速度更快。

半定制使用库里的标准逻辑单元(Standard Cell),设计时可以从标准逻辑单元库中选择SSI(门电路)、MSI(如加法器、比较器等)、数据通路(如ALU、存储器、总线等)、存储器甚至系统级模块(如乘法器、微控制器等)和IP核,这些逻辑单元已经布局完毕,而且设计得较为可靠,设计者可以较方便地完成系统设计。

现代ASIC常包含整个32-bit处理器,类似ROM、RAM、EEPROM、Flash的存储单元和其他模块. 这样的ASIC常被称为SoC(片上系统)。

FPGA是ASIC的近亲,一般通过原理图、VHDL对数字系统建模,运用EDA 软件仿真、综合,生成基于一些标准库的网络表,配置到芯片即可使用。

它与ASIC 的区别是用户不需要介入芯片的布局布线和工艺问题,而且可以随时改变其逻辑功能,使用灵活。

3ASIC芯片设计ASIC的设计方法和手段经历了几十年的发展演变,从最初的全手工设计发展到现在先进的可以全自动实现的过程。

电路图常用英文缩写大全

电路图常用英文缩写大全

UHF超高频段UREGISTERED未注册SW开关UI用户接口BSIC专用集成电路BAND频段BAND-SEL频段选择/切换BUFFER缓冲放大器BUS通信总线DET检测Circuit Diagram电路原理图Blick Diagram方框图PCB板图LayoutPCB元件分布图Receiver收信机Transmitter发信机Interface界面,电子电路基础知识2,接口Power Supply电源系统射频电路A模拟信号AFC自动频率控制AGC自动增益控制APC/AOC自动功率控制AGND模拟地ANT天线ANTSW天线切换开关AM调幅BPF带通滤波器CP-TX RXVCO控制输出接收锁相电平CP-TX TXVCO控制输出发射锁相电平DUPLEX / DIPLEX双工器Duplex Sapation双工间隔DCS-CS发射机控制信号:控制TXVCO与I/Q调制器FILFTER滤波器Gen Out信号发生器GAIN增益GSM-PINDIODE功率放大器输出匹配电路切换控制信号GSM-SEL频段切换控制信号之一G-TX-VCO900MHZ发射VCO切换控制IF中频IFLO中频本振LO本振LOCK锁定MODFreq调制频率Mixed Second第二混频信号PA 功率放大器PLL锁相环路PADRV功率放大器驱动TXRF发射射频TXEN发射使能TXENT发射供电TXIN发送I信号负TXIP发送I信号正TXON发送开TXQN发送Q信号负TXQP发送Q信号正TXI发射基带信号TX-DEY-OUT发射时序控制输出TXQ发射基带信号UHFVCO超高频/射频VCO VHFVCO甚高频/中频VCO SHFVCO专用射频VCO(NOKIA) VCO 压控振荡器VCTCXO温补压控振荡器AMP放大器CTL-GSM频段控制信号Diplex双工滤波器SUPLEX双工器作用相当于天线开关LPF低通滤波器MAINVCO主振荡器(Motorola)MIX混频器Anternna天线RFConnector射频接口BALUN平衡于一不平衡转换Direct Coner Siorl Lionear Receicer直接变换的线性接收机Carrier载波调制POWCONTROL功率控制POWLEV功放级别RFIN/OFF高频输入/输出RADIO射频本振RFADAT射频频率合成器数据RFAENB射频频率合成器启动RSSI接收信号强度指示RX接收RXIN接收输出RXON接收机启动/开关控制RXOUT接收输出RXEN接收使能RXIFN接收中频信号负RXIFP接收中频信号正RXIN接收I信号负RXIP接收I信号正RXQN接收Q信号负RXQP接收Q信号正RX-ACQ接收机数据传输请求信号RXI接收基带信号(同相)RXQ接收基带信号(正交)SAW声表面波滤波器SF超级滤波器SYNCLK频率合成器时钟SYNDAT频率合成器数据SYNEN频率合成器启动/使能SYNSTR频率合成器启动SYNTCON频率合成器开/关TX 发送TXEN发送使能TXOUT发射输出TXPWR发射功率逻辑音频电路AFMS来音频信号AAFPCB音频电路板ATMS到移动台音频信号AUDIO音频AUX辅助AVCC音频处理芯片AUTO自动A/L音频/逻辑板COBBA音频IC(诺基亚系列常用)Base band基带(信号)BDR接收数据信号CLK-OUT逻辑时钟输出CLK-SELECT时钟选择信号(Motorola手机) DEINTERLEARING去交织DECIPHRIG解秘I同相支路I/O输入/输出MODEM调制解调器MCLK主时钟MDM调制解调器(Motorola手机) MISO主机输入从机输出(Motorola) MOD调制信号MODIN调制I信号负MODIP调制I信号正MODQN调制Q信号负MODQP调制Q信号正MOSI主机输出从机输入(Motorola) PCM脉冲编码调制Q uadrature modulalion正交调制Q 正交支路SMOC数字信号处理器WATCHDOG看门狗信号WDG看门狗(维持信号电压)A/DC模拟信号到数字信号的转换AF音频信号CCONTCSX开机维持(NOKIA) CCONTINT关机请求信号D/AC数字信号到模拟信号的转换DDI数据接口电路EMOD Demodu Laticon解调DSP数字信号处理器FBUS处接通信接口信号线MCLK主时钟MOD调制MOEM调制解调器DM PD/PH相位比较器PLL锁相环PURX复位信号(NOKIA) SLEEPCLK睡眠时钟LCDCLK显示器时钟ab》地址总线accessorier》配件adc》模拟到数字的转换afc》自动频率控制agc》自动增益控制aged》模拟地afms》来自音频信号alarm》告警ant》天线antsw》天线开关atms》到移动台音频信号base》三极管基极batt+》电池电压b+》内电路工作电压buzz》蜂鸣器cdma》码分多址control》控制cpu》中央处理器d》数字dac》数字到模拟的转换d b》数据总线dcin》外接直流电愿输入dgnd》数字地dtms》到数据信号dfms》来数据信号dsp》数字信号处理器emitter》三极管发射极en》使能etacs》增强的全接入通信系统ext》外部的feed back》反馈fdma》频分多址fh》跳频fl》滤波器fm》调频from》来自于gain》增益gnd》地hook》外接免提状态i》同相支路if》中频int》xxi/o输入输出ictrl》供电电流大小控制端led》发光二极管loop fliter》环路滤波器lspctrl》扬声器控制mclk》主时钟mic》送话器mod》调制信号mopip》调制i信号正modin》调制i信号负mute》静音ofst》偏置on》开onsrq》免提开关控制powcontrol》功率控制powlev》功率级别pwrsrc》供电选择pll》锁相环q》正交支路ram》随机储存器(暂存)ref》参考reset》复位rf》射频rfadat》射频频率合成数据rfaenb》射频频率合成启动rssi》接收强度指示rx》接收rxon》接收开rxifp》接收中频信号正rxifn》接收中频信号负sat-det》饱和度检测saw》声表面波滤波器spk》扬声器spi》串行外围接口swdc》末调整电压synstr》频率合成器启动synclk》频率合成器时钟syndat》频率合成器数据synton》频率合成器开/关sw》开关tdma》时分多址temp》温度监测txvco》发送压控振荡器频率控制tp》测试点tx》发送tx en》发送使能txon》发送开vbatt》电池电压vrpad》调整后电压vpp》峰峰值vppflash flash》编程控制vcxocont》基准振荡器频率控制vswitch》开关电压vcc》电愿vco》压控振荡AA模拟AB地址总线ACCESSORRIER配件ADC(A/O)模拟到数字的转换ADDRESSBUS地址总线AFC自动频率控制AGC自动增益控制AGND模拟地AFMS来音频信号ALARM告警ALEV自动电平ALC自动电平控制AM调幅AMP放大器ANT天线ANT/SW天线开关APC自动功率控制ARFCH绝对信道号AFPCB音频电路板ATMS到移动台音频信号ASIC专用接口集成电路AST-DET饱和度检测AUC身份鉴定中心AUDIO音频CCDMA码分多址CONTROL控制CPU中央处理器CIRCCITY整机COLLECTOR集电极CALL呼叫CARDxxCEPTxx邮电管理委员会CH信道CHAGCER充电器CHECK检查CLK时钟COLxxCP脉冲、泵CS片选EEMITTER发射极EN使能ENAB使能ETACS增强的全接入通信系统EXT外部EL发光ERASABLE可擦的Earph耳机EEPROM电擦除可编程只读存储器EPROM电编程只读存贮器EIR设备号寄存器EN使能、允许、启动EXT外部II同相支路IF中频INTxxI/O输入/输出ICTRL供电电流大小控制端IC集成电路IMEI国际移动设备识别码IN输入INSERTCARD插卡ISDN综合业务数字网MMCLK主时钟MIC话筒MOD调制信号MODIP调制I信号正MODIN调制I信号负MODQP调制Q信号正MODQN调制Q信号负MUTE静音MIXERSECOND第二混频信号MF陶瓷滤波器MCC移动国家码MENU菜单MDM调制解调MIX混合MS移动台MSC移动交换中心MSK最小移频键控MSIN移动台识别码MSRN漫游NNAM号码分配模块NC空、不接NONETWORK无网络QQ正交支路RRAM随机存储器REF参考、基准RESET复位RF射频RFADAT射频频率合成器数据RFAENB射频频率合成器启动RSSI接收信号强度指示RX接收RXON接收开RXIFP接收中频信号正RXIFN接收中频信号负RFPCB射频板RACH随机接入信道RD读RFI射频接口ROM只读存储器ROW行RSSI场强RXVCO收信压控振荡器TTDMA时分多址TEMP温度监测TXVCO发信压控振荡器TP测试点TX发信TXEN发送使能TXON发送开TACS全接入移动通信系统TCH话音通道TEST测试TRX收发信机TXC发信控制TX-IF发信中频WWATCHDOG看门狗WCDMA宽带码分多址WD-CP看门狗脉冲WDOG看门狗WR写。

手机电路信号英文缩写

手机电路信号英文缩写
手机电路中的常用英文缩写
手机电路中各种英文缩写很多,掌握了解这些缩写对我们分析电路帮助很大。下面,介绍在手机中较常 使用的一些英文符号,供分析电路和维修时参考。 AC:交流。 ADDRESS:地址线。 AF AF:音频。 A/D:模数转换。 AC ADDRESS AFC:自动频率控制,控制基准频率时钟电路。在GSM手机电路中,只要看到AFC字样,则马上可以断定该 AFC 信号线所控制的是13MHz电路。该信号不正常则可能导致手机不能进入服务状态,严重的导致手机不开机 。有些手机的AFC标注为VCXOCONT。 AGC:自动增益控制。该信号通常出现在接收机电路的低噪声放大器,被用来控制接收机前端放大器在不 AGC 同强度信号时给后级电路提供一个比较稳定的信号。 ALERT:告警。属于接收音频电路,被用来提示用户有电话进入或操作错误。 ALERT ALRT:铃声电路。 AMP AMP:放大器。常用于手机的电路框图中。 AMPS AMPS:先进的移动电话系统。 ALRT AMP ANT ANT:天线。用来将高频电磁波转化为高频电流或将高频信号电流转化为高频电磁波。在电路原理图 ANT 中,找到ANT,就可以很方便地找到天线及天线电路。 ANTSW ANTSW:开线开关控制信号。 AOC-DRIVE :自动功率控制参考电平。 ANTSW AOC-DRIVE APC APC:自动功率控制。通常出现在手机发射机的功率放大器部分(以摩托罗拉手机比较常用)。 APC ASIC ASIC:专用应用集成电路。在手机电路中,它通常包含多个功能电路,提供许多接口,主要完成手 ASIC 机的各种控制。 AUC AUC:鉴权中心。 AUDIO AUDIO:音频。 AUX AUX:辅助。 AVCC AVCC:音频供电。 AUC AUDIO AUX BALUN BALUN:平衡/不平衡转换。 BAND BAND:频段。 BASEBAND BASEBAND:基带信号。 BACKLIGHT ;背光。 BALUN BAND BASEBAND BAND-SELECT :频段选择。只出现在双频手机或三频手机电路中。该信号控制手机的频段切换。 BAND-SELECT B+ B+:电源。 BATT BATT:电池电压。 BAND BAND:频段。 BCH BCH:广播信道。 BDR BDR:接收数据信号。 B+ BATT BCH BDR BDX BDX:发射数据信号。 BKLT-EN BKLT-EN:背景灯控制。 BOOT BOOT:屏蔽罩。 BRIGHT BRIGHT:发光。 BDX BKLT-EN BOOT BRIGHT BIAS BIAS:偏压。常出现在诺基亚手机电路中,被用来控制功率放大器或其他相应的电路。 BIAS BS BS:基站。 BSC BSC:基站控制器。 BSEL BSEL:频段切换。 BTS BTS:基站收发器。 BUS BUS:通信总线。 BS BTS BUS BSI BSI:电池尺寸。在诺基亚的许多手机中,若该信号不正常,会导致手机不开机。 BSI BUFFER BUFFER:缓冲放大器。常出现在VCO电路的输出端。 BUZZ BUZZ:蜂鸣器。出现在铃声电路。 BUFFER BUZZ BW BW:带宽。 CARD CARD:卡。 CELL CELL:小区。 CELLULAR CELLULAR:蜂窝。 CH CH:信道。 CHECK CHECK:检查。 BW CARD CH CDMA CDMA:码分多址。多址接人技术的一种,CDMA通信系统容量比GSM更大,其微蜂窝更小,CDMA手机所 CDMA 需的电源消耗更小,所以CDMA手机待机时间更长。 CLONE.复制。 CMOS:金金属氧化物半导体。 CHARG+:充电正电源。 CHARG-:充电电源负端。 CLONE CHARG+ CHARGCMOS CLK:时钟。CLK出现在不同的地方起的作用不同。.若在逻辑电路,则它与手机的开机有很大的关系; CLK 都在SIM卡电路,则可能导致SIM卡故障。 CODEC:编译码器。主要出现在音频编译码电路。 COL:列地址线。出现在手机的按键电路。 CODEC COM:串口。 CONNECTOR:连接器。 CONTACTSEVICER:联系服务商。 CORD:代码。 COUPLING:耦合。 COVER COVER:覆盖。 CP CP:表示鉴相器的输出端。 CP-RX:RXVCO控制信号输出。 COUPLING CP-RX CP-TX:发射VCO控制输出端。 CRYSTAL:晶振。 CS:片选。 CP-TX CRYSTAL CS D/A:数模转换。 D/ CPU:中央处理器。在手机的逻辑电路,完成手机的多种控制。 CPU DATA:数据DAT。 DB DB.数据总线。 DC DC:直流。 DCIN DCIN:外接电源输入。 DCON DCON:直流接通。 DATA DCS:数字通信系统。工作频段在1800MHz频段。该系统的使用频率比GSM更高,也是数字通信系统的一 DCS 种,它是GSM的衍生物。DCS的很多技术与GSM一样。 DCS-SEL:DCS频段选择信号。 DCSPA DCSPA:功率放大器输出的DCS信号。 DCSRX DCSRX:DCS射频接收信号。 DCS-SEL DCSRX DEMOD:解调。 DET DET:检测。 DGND DGND:数字地。 DIGITAL DIGITAL:数字。 DIODE DIODE.二极管。 DEMOD DM-CS:片选信号。摩托罗拉手机专用,该信号用来控制发射机电路中的MODEM、发射变换模块及发射 DM-CS VCO电路。 DISPLAY DISPLAY:显示。 DP-EN DP-EN:显示电路启动控制。 D-TX-VCO D-TX-VCO:DCS发射VCO切换控制。 DSP:数字语音处理器。在逻辑音频电路,它将进行PCM编码后的数码话音信号进一步处理。 DSP DTMS:到数据信号。 DFMS DFMS:来数据信号。 DYNATRON DYNATRON:晶体波器,处于天线与射频电路之间。 DUPLEX EAR:听筒。又被称为受话器、喇叭、扬声器。它所接的是接收音频电路。 EAR EEPROM:电可擦只读存储器。在手机中用来存储手机运行的软件。如它损坏,会导致手机不开机、软件 EEPROM 故障等。 EL:发光。 EN(ENAB) EN(ENAB):使能。 EXT EXT:外接。 ERASABLE :可擦写的。 ETACS ETACS:增强的全接人通信 EL 系统。FACCH FACCH:快速随路控制信道。 FACCH

集成电路的英文integrated

集成电路的英文integrated

集成电路的英文:integrated circuit简称:IC集成电路的定义IC就是半导体元件产品的统称。

包括:1.集成电路板(integrated circuit,缩写:IC);2.二、三极管;3.特殊电子元件。

再广义些讲还涉及所有的电子元件,象电阻,电容,电路版/PCB版,等许多相关产品。

集成电路产业发展与变革自1958年美国德克萨斯仪器公司(TI)发明集成电路(IC)后,随着硅平面技术的发展,二十世纪六十年代先后发明了双极型和MOS型两种重要的集成电路,它标志着由电子管和晶体管制造电子整机的时代发生了量和质的飞跃,创造了一个前所未有的具有极强渗透力和旺盛生命力的新兴产业集成电路产业。

回顾集成电路的发展历程,我们可以看到,自发明集成电路至今40多年以来,"从电路集成到系统集成"这句话是对IC产品从小规模集成电路(SSI)到今天特大规模集成电路(ULSI)发展过程的最好总结,即整个集成电路产品的发展经历了从传统的板上系统(System-on-board)到片上系统(System-on-a -chip)的过程。

在这历史过程中,世界IC产业为适应技术的发展和市场的需求,其产业结构经历了三次变革。

第一次变革:以加工制造为主导的IC产业发展的初级阶段。

70年代,集成电路的主流产品是微处理器、存储器以及标准通用逻辑电路。

这一时期IC制造商(ID M)在IC市场中充当主要角色,IC设计只作为附属部门而存在。

这时的IC设计和半导体工艺密切相关。

IC设计主要以人工为主,CAD系统仅作为数据处理和图形编程之用。

IC产业仅处在以生产为导向的初级阶段。

第二次变革:Foundry公司与IC设计公司的崛起。

80年代,集成电路的主流产品为微处理器(MPU)、微控制器(MCU)及专用IC(ASIC)。

这时,无生产线的IC设计公司(Fabless)与标准工艺加工线(Foundry)相结合的方式开始成为集成电路产业发展的新模式。

电子工厂专技考试题及答案

电子工厂专技考试题及答案

电子工厂专技考试题及答案一、单项选择题(每题2分,共20分)1. 电子电路中最基本的元件是:A. 电阻B. 电容C. 电感D. 二极管答案:A2. 下列哪个不是数字信号的特点?A. 离散性B. 数值有限C. 连续性D. 数值可变答案:C3. 在电子电路中,频率f与周期T的关系是:A. f = 1/TB. f = TC. f = T/2D. f = 2T答案:A4. 以下哪个元件不是半导体器件?A. 二极管B. 三极管C. 电容器D. 场效应管答案:C5. 集成电路的英文缩写是:A. ICB. CPUC. RAMD. ROM答案:A6. 电子元件的封装主要影响其:A. 价格B. 性能C. 散热D. 外观答案:C7. 电子设备中的电源管理芯片主要负责:A. 信号放大B. 信号转换C. 电源转换D. 信号滤波答案:C8. 以下哪个不是电子元件的测试项目?A. 电阻值测试B. 电容值测试C. 电感值测试D. 重量测试答案:D9. 电子电路的稳定性主要取决于:A. 元件质量B. 电路设计C. 环境温度D. 所有上述因素答案:D10. 以下哪个是数字电路的特点?A. 模拟信号处理B. 离散信号处理C. 信号连续变化D. 信号线性变化答案:B二、多项选择题(每题3分,共15分)11. 以下哪些是电子元件的常见故障?A. 开路B. 短路C. 性能下降D. 外观损伤答案:A, B, C12. 电子电路设计中需要考虑的因素包括:A. 元件成本B. 信号稳定性C. 电路复杂度D. 电源供应答案:A, B, D13. 以下哪些是电子电路的测试方法?A. 静态测试B. 动态测试C. 温度测试D. 振动测试答案:A, B14. 电子元件的封装类型包括:A. 直插式B. 表面贴装式C. 混合式D. 无封装答案:A, B, C15. 以下哪些是电子电路的噪声来源?A. 电源噪声B. 信号干扰C. 元件老化D. 环境因素答案:A, B, D三、判断题(每题1分,共10分)16. 所有电子元件都具有线性特性。

高职单招电子试题及答案

高职单招电子试题及答案

高职单招电子试题及答案一、单项选择题(每题1分,共10分)1. 电子技术中,二极管的主要用途是实现:A. 信号放大B. 整流C. 稳压D. 振荡答案:B2. 在数字电路中,基本逻辑运算包括:A. 与、或、非B. 与、或、异或C. 与、或、同或D. 与、或、排他或答案:A3. 集成电路的英文缩写是:A. LEDB. CPUC. ICD. PCB答案:C4. 下列哪个元件不是构成放大电路的基本元件?A. 电阻B. 电容C. 二极管D. 变压器答案:D5. 晶体三极管的放大作用是通过控制:A. 发射极电流B. 集电极电流C. 基极电流D. 电源电压答案:C6. 在电子电路中,滤波器的主要作用是:A. 放大信号B. 整流信号C. 稳定电压D. 去除噪声答案:D7. 电子电路中的“逻辑1”通常对应于:A. 0VB. 3.3VC. 5VD. 12V答案:C8. 一个完整的电子系统通常包括以下哪些部分?A. 电源和信号源B. 信号处理电路C. 输出设备D. 所有以上部分答案:D9. 在电子技术中,带宽是指:A. 信号的频率范围B. 信号的电压范围C. 信号的电流范围D. 信号的阻抗范围答案:A10. 电子元件的封装通常指的是:A. 元件的物理外壳B. 元件的电气特性C. 元件的安装方式D. 元件的制造材料答案:A二、多项选择题(每题2分,共10分)11. 下列哪些是数字电路的特点?A. 抗干扰能力强B. 功耗低C. 工作速度快D. 价格昂贵答案:A, B, C12. 在电子电路设计中,通常需要考虑以下哪些因素?A. 成本B. 可靠性C. 兼容性D. 美观性答案:A, B, C13. 以下哪些元件可以用于实现信号的逻辑运算?A. 电阻B. 电容C. 逻辑门D. 二极管答案:C14. 电子电路中的噪声可能来源于:A. 电源B. 外部电磁干扰C. 元件内部D. 信号线答案:A, B, C, D15. 在电子电路中,稳压二极管的主要作用是:A. 整流B. 稳压C. 信号放大D. 信号整形答案:B三、判断题(每题1分,共5分)16. 电子电路中的接地通常指的是与电源的负极相连。

集成电路简介

集成电路简介

集成电路(integrated circuit)是一种微型电子器件或部件。

采用一定的工艺,把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起,制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上,然后封装在一个管壳内,成为具有所需电路功能的微型结构;其中所有元件在结构上已组成一个整体,使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面迈进了一大步。

它在电路中用字母IC表示。

集成电路发明者为杰克▪基尔比(基于锗(Ge)的集成电路)和罗伯特▪诺伊思(基于硅(Si)的集成电路)。

当今半导体工业大多数应用的是基于硅的集成电路。

集成电路,英文为Integrated Circuit,缩写为IC;顾名思义,就是把一定数量的常用电子元件,如电阻、电容、晶体管等,以及这些元件之间的连线,通过半导体工艺集成在一起的具有特定功能的电路。

是20世纪50年代后期一60年代发展起来的一种新型半导体器件。

它是经过氧化、光刻、扩散、外延、蒸铝等半导体制造工艺,把构成具有一定功能的电路所需的半导体、电阻、电容等元件及它们之间的连接导线全部集成在一小块硅片上,然后焊接封装在一个管壳内的电子器件。

其封装外壳有圆壳式、扁平式或双列直插式等多种形式。

集成电路技术包括芯片制造技术与设计技术,主要体现在加工设备,加工工艺,封装测试,批量生产及设计创新的能力上。

为什么会产生集成电路?我们知道任何发明创造背后都是有驱动力的,而驱动力往往来源于问题。

那么集成电路产生之前的问题是什么呢?我们看一下1942年在美国诞生的世界上第一台电子计算机,它是一个占地150平方米、重达30吨的庞然大物,里面的电路使用了17468只电子管、7200只电阻、10000只电容、50万条线,耗电量150千瓦。

显然,占用面积大、无法移动是它最直观和突出的问题;如果能把这些电子元件和连线集成在一小块载体上该有多好!我们相信,有很多人思考过这个问题,也提出过各种想法。

典型的如英国雷达研究所的科学家达默,他在1952年的一次会议上提出:可以把电子线路中的分立元器件,集中制作在一块半导体晶片上,一小块晶片就是一个完整电路,这样一来,电子线路的体积就可大大缩小,可靠性大幅提高。

集成电路基础知识单选题100道及答案解析

集成电路基础知识单选题100道及答案解析

集成电路基础知识单选题100道及答案解析1. 集成电路的英文缩写是()A. ICB. CPUC. PCBD. ROM答案:A解析:集成电路的英文是Integrated Circuit,缩写为IC。

2. 以下不属于集成电路制造工艺的是()A. 光刻B. 蚀刻C. 焊接D. 扩散答案:C解析:焊接通常不是集成电路制造的核心工艺,光刻、蚀刻和扩散是常见的制造工艺。

3. 集成电路中,负责存储数据的基本单元是()A. 晶体管B. 电容器C. 电阻器D. 触发器答案:D解析:触发器是集成电路中用于存储数据的基本单元。

4. 以下哪种材料常用于集成电路的制造()A. 玻璃B. 塑料C. 硅D. 铝答案:C解析:硅是集成电路制造中最常用的半导体材料。

5. 集成电路的发展遵循()定律A. 摩尔B. 牛顿C. 爱因斯坦D. 法拉第答案:A解析:集成电路的发展遵循摩尔定律。

6. 集成电路封装的主要作用不包括()A. 保护芯片B. 散热C. 提高性能D. 便于连接答案:C解析:封装主要是保护、散热和便于连接,一般不能直接提高芯片的性能。

7. 在数字集成电路中,逻辑门是由()组成的A. 二极管B. 三极管C. 场效应管D. 晶闸管答案:C解析:场效应管常用于数字集成电路中构成逻辑门。

8. 以下哪种集成电路属于模拟集成电路()A. 微处理器B. 计数器C. 放大器D. 编码器答案:C解析:放大器属于模拟集成电路,其他选项通常属于数字集成电路。

9. 集成电路的集成度是指()A. 芯片面积B. 晶体管数量C. 工作频率D. 功耗答案:B解析:集成度通常指芯片上晶体管的数量。

10. 集成电路设计中,常用的硬件描述语言有()A. C 语言B. Java 语言C. VerilogD. Python 语言答案:C解析:Verilog 是集成电路设计中常用的硬件描述语言。

11. 以下关于集成电路测试的说法错误的是()A. 可以检测芯片的功能是否正常B. 可以提高芯片的可靠性C. 测试只在生产完成后进行D. 有助于筛选出不合格的芯片答案:C解析:集成电路测试在生产过程的多个阶段都可能进行,不只是在生产完成后。

tja1050中文资料

tja1050中文资料

tja1050中文资料集成电路(英语:integrated circuit,缩写作IC),或称微电路(microcircuit)、微芯片(microchip)、晶片/芯片(chip)在电子学中是一种把电路(主要包括半导体设备,也包括被动组件等)小型化的方式,并时常制造在半导体晶圆表面上。

晶体管发明并大量生产之后,各式固态半导体组件如二极管、晶体管等大量使用,取代了真空管在电路中的功能与角色。

到了20世纪中后期半导体制造技术进步,使得集成电路成为可能。

相对于手工组装电路使用个别的分立电子组件,集成电路可以把很大数量的微晶体管集成到一个小芯片,是一个巨大的进步。

集成电路的规模生产能力,可靠性,电路设计的模块化方法确保了快速采用标准化集成电路代替了设计使用离散晶体管。

集成电路对于离散晶体管有两个主要优势:成本和性能。

成本低是由于芯片把所有的组件通过照相平版技术,作为一个单位印刷,而不是在一个时间只制作一个晶体管。

性能高是由于组件快速开关,消耗更低能量,因为组件很小且彼此靠近。

2006年,芯片面积从几平方毫米到350 mm²,每mm²可以达到一百万个晶体管。

第一个集成电路雏形是由杰克·基尔比于1958年完成的,其中包括一个双极性晶体管,三个电阻和一个电容器,相较于现今科技的尺寸来讲,体积相当庞大。

电子显微镜下碳纳米管微计算机芯片体的场效应画面根据一个芯片上集成的微电子器件的数量,集成电路可以分为以下几类:小型集成电路(SSI英文全名为Small Scale Integration):逻辑门10个以下或晶体管100个以下。

中型集成电路(MSI英文全名为Medium Scale Integration):逻辑门11~100个或晶体管101~1k个。

大规模集成电路(LSI英文全名为Large Scale Integration):逻辑门101~1k个或晶体管1,001~10k个。

集成电路介绍

集成电路介绍

集成电路介绍集成电路是20世纪60 年代发展起来的一种半导体器件,它的英文名称为Integrated Circuites,缩写为IC。

它是以半导体晶体材料为基片,经加工制造,将元件、有源器件和互连线集成在基片内部、表面或基片之上,执行某种电子功能的微型化电路。

随着科学技术的迅速发展和对数字电路不断增长的应用要求,集成电路生产厂家积极采用新技术、改进设计方案和生产工艺,沿着提高速度、降低功耗、缩小体积的方向作不懈努力,不断推出各种型号的新产品。

仅几十年时间,数字电路就从小规模、中规模、大规模发展到超大规模、巨大规模。

集成电路的种类相当多,集成电路按制作工艺来分可分为三大类,即半导体集成电路,膜集成电路及混合集成电路。

目前世界上生产最多、应用最广的就是半导体集成电路。

半导体集成电路又可分为DDL (二极管-二极管逻辑)集成电路、DTL (二极管-三极管逻辑)集成电路、HTL 高电压(二极管-三极管逻辑)集成电路、TTL (三极管—三极管逻辑)集成电路、ECL (射极偶合逻辑或电流开关逻辑)集成电路和CMOS (互补型金属氧化物半导体逻辑)集成电路。

目前应用最广泛的数字电路是TTL 电路和CMOS 电路。

TTL 电路以双极型晶体管为开关元件,所以又称双极型集成电路。

根据应用领域的不同,它分为54 系列和74系列,前者为军品,一般工业设备和消费类电子产品多用后者。

74 系列数字集成电路是国际上通用的标准电路。

其品种分为六大类:74XX(标准)、74SXX(肖特基)、74LS XX(低功耗肖特基)、74AS XX(先进肖特基)、74ALSXX(先进低功耗肖特基)、74F XX(高速)、其逻辑功能完全相同。

它具有速度高、驱动能力强等优点,但其功耗较大,集成度相对较低。

MOS 电路又称场效应集成电路,它的主要优点是输入阻抗高、功耗低、抗干扰能力强且适合大规模集成。

特别是其主导产品CMOS 集成电路有着特殊的优点,如静态功耗几乎为零,输出逻辑电平可为VDD或VSS,上升和下降时间处于同数量级等,因而CMOS集成电路产品已成为集成电路的主流之一。

你常见的“区块链”英文缩写和名词解释

你常见的“区块链”英文缩写和名词解释

你常见的“区块链”英文缩写,是什么意思?(最全,98个专有名词解释)A开头ASIC(专用集成电路):ASIC是“专用集成电路”的英文缩略,其全称为:application specific integrated circuit。

在集成电路界ASIC被认为是一种为专门目的而设计的集成电路。

是指应特定用户要求和特定电子系统的需要而设计、制造的集成电路。

具有用户现场可编程特性,支持边界扫描技术。

Airdrop(空投):有一天你醒来,看到你钱包里多了一些不知名的代币——这就是一次空投!空投就是项目方免费赠送代币给你。

(这种营销方法在 2017 年非常流行,因为空投会促使人们进一步了解这个币种)Altcoin(竞争币):Altcoin 是“竞争币”的英文缩写,其全称为:Alternative Coin。

是指除了比特币外的其他加密货币。

因为比特币存在一些缺陷(例如,单链,计算打包一个区块链的处理速度很缓慢),所以出现了很多想要改进比特币的项目,比如莱特币(LTC),这些项目的代币都被称为 Altcoin,即比特币的竞争币。

AMA(问我什么都可以):AMA Ask Me Anything(问我什么都可以)的缩写,一般指公司成员或是个人举行的问答活动,用户、读者、观众可以询问任何相关的问题。

常见的 AMA 形式有视频直播、文字直播。

AML(反洗钱):AML其全称为:Anti-Money Laundering(代表反洗钱的政策和相关法律法规),这可以防止非法获得的钱被掩饰及合法化。

AML则在更广泛的层面上运作,是机构为预防和打击洗钱,恐怖主义和其他金融犯罪而采取的措施。

通常情况下银行使用AML +KYC(客户实名认证)双重系统来确保客户财产的安全。

B开头BT(区块链):BT 是“区块链”的英文缩写,全称是blockchain technology / Blockchain。

区块链是很多链的底层技术抽象提出来的一个综合。

科技英语

科技英语

1.写出下面缩写词的全称,或者全称的缩写词集成电路:IC=integrated circuit直流电:DC=direct current交流电:AC=alternating current晶体管逻辑:TTL/T2L=transistor transistor logic双极晶体管:BJT=bipolar junction transistor发光二极管:LED=light emitting diode实验室:laboratory =lab数学:mathematics =math2.写出下面专业词语的英文表示,或者英文的中文意思物理学:physics生物物理学:biophysics生物物理化学:biophysical chemistry微电子:microelectronics微电子技术:microelectronic technique半导体:semiconductor绝缘体:insulator光刻胶:photoresist光刻工艺:photolithographic process光电效应:photoelectric effect电光效应:electro-optical effect电阻:resistance电阻器:resistor电阻率:resistivity电导率:conductivity阴极:cathode阳极:anode正极:positive electrode负极:negative electrode数字电路:digital circuit迁移率:drift mobility电极:electrode函数:function红外的:infrared紫外的:ultraviolet二极管:diode光电二极管:photo diode量子力学:quantum mechanics太阳能电池:solar battery/cell碰撞:collision杂质:impurity散射:scattering投射:transmission晶体:crystal维度:dimension激活:activation退火:anneal双向开关:bilateral switch体心立方:body-centered (BCC)面心立方:face-centered (FCC)四面体:tetrahedron价电子:bonding electron共价键:linked bond电荷守恒:charge conservation扩散:diffusion直接耦合:direct-coupling直接跃迁:direct transition激发态:excited state反馈:feedback满带:filled band/occupied band导带:conduction band禁带:forbidden band平带:flat band梯度:gradient干涉:interference模块:modulate迁移率:mobility调制:modulate光淬灭:optical quenching光跃迁:optical transition过补偿:overcompensation短路:short circuit单晶:single crystal张量:tensor波动方程:wave equation波导:wave guide波数:wave number3.写出“图”的10种表示(中英文都要写出),并用合适的词填空drawing 图、工程图figure 图、插图picture 图画、图像diagram 图标、图释sketch 草图、图解illustration 插图、图解view 图、视图image 像、图像outline 轮廓图、略图graph 曲线图、图表a diagram of the apparatus 装置简图a diagram of a flask showing its outline 显示一个长颈鹿轮廓图的简图a sketch of the apparatus used for distillation 蒸馏装置的草图Project the image on a screen. 把图像投射到屏幕上Figure 3 shows an electrics motor being used to lift a heavy object. 图3所示的是正在起吊重物的一台电动机A front view shows only the width and height of an object. 前视图(正面图)只显示物体的宽度和高度The colored illustrations in that book are most attractive. 那本书中的彩色插图非常吸引人4.写出“组成”的10种表示(中英文都要写出),并用合适的词填空(1)名词形式component 成分、组分composition 组成、成分constitution 构成、组成constituent 成分、要素content 内容、含量formation 形成、构成ingredient 成分、配件make-up 组成、构造(2)动词、短语be combined in/into …组成compose 组成、构成constitute 组成、构成formmake upbe composed ofbe made up ofconsist ofcomprisecontaincompriseSteel is composed iron and a number of other elements. 铁是由铁和若干种其他元素构成的。

电路中常用的英文缩写汇总

电路中常用的英文缩写汇总

电路中常用的英文缩写汇总A/D:模数转换。

AC:交流。

ADDRESS:地址线。

AF:音频。

AFC:自动频率控制,控制基准频率时钟电路。

在GSM电路中,只要看到AFC字样,则马上可以断定该信号线所控制的是13MHz电路。

该信号不正常则可能导致不能进入服务状态,严重的导致不开机。

有些AFC标注为VCXOCONT。

AGC:自动增益控制。

该信号通常出现在接收机电路的低噪声放大器,被用来控制接收机前端放大器在不同强度信号时给后级电路提供一个比较稳定的信号。

ALERT:告警。

属于接收音频电路,被用来提示用户有电话进入或操作错误。

ALRT:铃声电路。

AMP:放大器。

AMPS:先进的移动电话系统。

ANT:天线。

用来将高频电磁波转化为高频电流或将高频信号电流转化为高频电磁波。

在电路原理图中,找到ANT,就可以很方便地找到天线及天线电路。

ANTSW:开线开关控制信号。

AOC:自动功率控制。

通常出现在发射机的功率放大器部分。

AOC-DRIVE:自动功率控制参考电平。

ASIC:专用应用集成电路。

在电路中,它通常包含多个功能电路,提供许多接口,主要完成各种控制。

AUC:鉴权中心。

AUDIO:音频。

AUX:辅助。

AVCC:音频供电。

BACKLIGHT;背光。

BALUN:平衡/不平衡转换。

BAND:频段。

BAND-SELECT:频段选择。

只出现在双频或三频电路中。

该信号控制频段切换。

BASEBAND:基带信号。

B+:电源。

BATT:电池电压。

BAND:频段。

BCH:广播信道。

BDR:接收数据信号。

BDX:发射数据信号。

BKLT-EN:背景灯控制。

BIAS:偏压。

被用来控制功率放大器或其他相应的电路。

BOOT:屏蔽罩。

BRIGHT:发光。

BS:基站。

BSC:基站控制器。

BSEL:频段切换。

BTS:基站收发器。

BSI:电池尺寸。

,若该信号不正常,会导致不开机。

BUFFER:缓冲放大器。

常出现在VCO电路的输出端。

BUS:通信总线。

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集成电路英文缩写
IC
Integrated Circuit 缩写,集成电路
ICDS
IC Design Service 缩写,芯片设计服务
IP
Intellectual Property 缩写, 知识产权,在芯片设计中指对某种设计技术的专利
SoC
System on Chip缩写, 指单芯片系统设计,是当今混合信号IC设计的趋势
ASIC
Application Special Integrated Circuit缩写, 指专用集成电路
VLSI
Very Large Scal Integrated circuit 缩写, 指超大规模集成电路
DSP
Digital Signal Processing 缩写, 指数字信号处理
RF
Radiation Frequency 缩写, 指发射频率,简称射频
FPGA
Field Programmable Gate Array缩写, 指现场可编程门阵列
CPLD
Complex Programmable Logic Device, 即复杂可编程器件。

FE
Front End 缩写, 前端,通常指IC设计中的前道逻辑设计阶段,并不是规范化用法BE
Back End 缩写, 后端,通常指IC设计中的后道布局布线(Layout)阶段,并不是规范化用法
Multiple Project Wafer缩写, 多项目晶圆投片,指在同一种工艺的不同芯片放在同一块晶圆(Wafer)上流片,是小公司节省成本的有效手段
EDA
Electronic Design Automation缩写,电子设计自动化,现在IC设计中用EDA 软件工具实现布线,布局
VHDL
VHSIC(Very High Speed IC) Hardware Descrīption Language 缩写, 硬件描述语言,用于实现电路逻辑设计的专用计算机语言
RTL
Register Transformation Level 缩写, 寄存器传输级
Netlist
门级网表,一般是RTL Code经过综合工具综合而生成的网表文件
Foundry
指芯片制造加工厂的代工业务,负责将设计完成的芯片生产出来
DFT
Design For Test 缩写, 为了增强芯片的可测性而采用的一种设计方法
STA
Static Timing Analysis缩写, 即静态时序分析
CAD
Computer Aided Design缩写, 即计算机辅助设计
NRE
Non Recuuring Engineering缩写,不反复出现的工程成本
BIST
Build in system test, 即内建测试系统
ASSP
Application-specific standard product 缩写,一种有着广泛应用范围的ASIC芯片
Reduced Instruction System Computer缩写
LVS
Layout versus Schematic 缩写,是在IC Design经过Layout后检查其版图与门级电路是否一致
DRC
Design Rule Check缩写, 是在IC Design经过Layout后检查其版图是否符合设计规则
ERC
Electronic Rule Check缩写, 是在IC Design经过Layout后检查其版图是否符合电气规则
OPC
Optical and Process Correction缩写,即光刻工艺修正
ATPG
Auto Test Pattern Generator缩写, 是一个测试向量自动生成工具,生成的测试向量会给测试厂作测试芯片用
LVDS
Low Voltage Differential Signaling缩写, 是一种低摆幅的差分信号技术,它使得信号能在差分PCB线对或平衡电缆上以几百Mbps的速率传输,其低压幅和低电流驱动输出实现了低噪声和低功耗
ADC
Analog to Digital Convert缩写, 一般用作模拟信号到数字信号的转换电路
DAC
Digital to Analog Convert缩写, 一般用作数字信号到模拟信号的转换电路
PLL
Phase Locked Loop缩写, 一般用作时钟倍频电路
OTP
OTP(One Time Programable)是MCU的一种存储器类型MCU按其存储器类型可分为MASK(掩模)ROM、OTP(一次性可编程)ROM、FLASH ROM等类型。

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