模拟电子技术(模电课后习题含答案)(第三版)复习进程
模拟电子技术基础第三版课后答案
-习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。
解：在20℃时的反向电流约为：3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为：321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。
已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。
解：20℃时，()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时，8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。
①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大？输入特性的死区电压约为多大？②为了使PNP 型三极管工作在放大区，其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零？并与NPN 型三极管进行比较。
模拟电子技术基础简明教程(第三版)课后习题答案详解
模拟电子技术基础简明教程（第三版）课后习题答案习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。
解：在20℃时的反向电流约为：3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为：321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。
已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。
解：20℃时，()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时，8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。
①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大？输入特性的死区电压约为多大？②为了使PNP 型三极管工作在放大区，其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零？并与NPN 型三极管进行比较。
模拟电子技术第三版详细答案
第三章
自测题
一、（1）×（2）√√（3）√×（4）×（5）√
二、（1）A A（2）D A（3）B A（4）D B（5）C B
三、（1）B D（2）C（3）A（4）A C（5）B（6）C
四、（1）IC3＝（UZ－UBEQ3）/Re3＝0.3mAIE1＝IE2＝0.15mA
4.16T1－共射电流的放大管，T2和T3－互补输出级，T4、T5、R2－消除交越失失真。
4.17（1）u11为反相输入端，u12为同相输入端。
（2）为T1和T2管的有源负载，将T1管集电极电路变化量转换到输出，使单端输出的放大倍数近似等于双端输出时的放大倍数。
（3）为T6设置静态电流，且为T6的集电极有源负载。
5.12
5.13（1）
（2）
图略。
5.14
5.15
图略。
5.16
（3）折线画法，低频段有两个拐点，f＜4Hz时幅频特性的斜率为40dB/十倍频，4Hz＜f＜50Hz时幅频特性的斜率为20dB/十倍频；高频段有一个拐点，f＞105Hz时幅频特性的斜率为－40dB/十倍频。图略。
5.17（1）Ce
（2） 所在回路的τ大于 所在回路的τ，第二级的上限频率低。
（4）消除交越失真。
4.18（1）由T10、T11、T9、T8、T12、T13、R5构成。
（2）三级放大电路：
T1～T4－共集-共基差分放大电路，T14～T16－共集-共射-共集电路，T23、T24－互补输出级。
（3）消除交越失真。UBE23＋UBE24＝UBE20＋UBE19
第五章
自测题
一、（1）A（2）B A（3）B A（4）C C
模拟电子技术基础第三版课后答案王远.doc
模拟电子技术基础第三版课后答案王远【篇一：模电资料】术基础是高等院校电气、信息类（包括原自动化、电气类、电子类）专业知识平台重要核心课程，是学生在电子技术入门阶段的专业基础课。
课程涉及模拟信号的产生、传输及处理等方面的内容，工程实践性很强。
课程任务是使学生获得适应信息时代电子技术的基本理论、基本知识及基本分析方法。
旨在培养学生综合应用能力、创新能力和电子电路计算机分析、设计能力。
课程学习完成能为学生以后深入学习电子技术及其在专业中的应用打好两方面的基础；其一是正确使用电子电路特别是集成电路的基础；其二是为将来进一步学习设计集成电路专用芯片打好基础。
《模拟电子技术基础》是电气电子类各专业的一门重要的技术基础课。
其作用与任务是使学生获得低频电子线路方面的基本理论，基本知识和基本技能。
本课程在介绍半导体器件的基础上，重点要求掌握放大器的各种基本单元电路、放大器中的负反馈、运算放大器及其应用、直流电源等低频电子线路电路的工作原理、分析方法和设计方法，使学生具有一定的实践技能和应用能力。
培养学生分析问题、解决问题的能力和创新思维能力，为后续课程和深入学习这方面的内容打好基础。
教学大纲一、课程名称模拟电子技术基础analog electronics二、学时与学分本课程学时：60 学时(课内) 本课程学分： 3.5 学分三、授课对象电类本科生、专科生四、先修课程电路理论、电路测试与实验技术五、教学目的《模拟电子技术基础》是电子类等专业入门性质的课程，是实践性很强的技术基础课。
课程的任务是使学生获得电子技术方面的基本理论、基本知识和基本技能，培养学生分析问题和解决问题的能力。
通过本课程的学习，使学生具备应用电子技术的能力，为学习后续课程和电子技术在专业中的应用打好基础。
六、主要内容、基本要求及学时分配第一章绪论主要内容基本要求学时数 2第二章半导体二极管及其基本电路主要内容基本要求学时数 4第三章半导体三极管及放大电路基础主要内容基本要求学时数18第四章场效应管放大电路主要内容基本要求学时数 4第五章功率放大电路主要内容基本要求学时数 4第六章集成电路运算放大器主要内容基本要求学时数 6第七章反馈放大电路主要内容基本要求学时数8第八章信号的运算与处理电路主要内容基本要求【篇二：模拟电子技术课程标准】t>电子与信息工程系（院）课程教学标准课程名称模拟电子技术课程类型理论＋实践授课对象三年制大专学生课程学分 4 总学时722009 年12 月《模拟电子技术》教学标准课程名称：模拟电子技术课时：72适用专业：应用电子技术、电子信息工程技术、通信技术、汽车电子技术1．课程定位模拟电子技术是电类专业的一门重要岗位能力课程，是培养生产一线高级技术应用型人才硬件能力的基本入门课程，是十分强调应用实践的工程性质的课程，对人才培养有着至关重要的作用。
模拟电子技术基础简明教程(第三版)习题答案1_3
第一章习题参考答案100B i Aμ=80Aμ60Aμ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区FD 、EABC图P1-14(g)DS =15V ，u GS =4V 时的跨导g m u DS =15V由图可得，开启电压U GS(th)=2V ，I DO =2.5mA ，4 1.22.84.53.5D m GS i g mS u ∆-===∆-习题1-17试根据图P1-17所示的转移特性曲线，分别判断各相应的场效应管的类型（结型或绝缘栅型，P 型沟道或N 型沟道，增强型或耗尽型）。
如为耗尽型，在特性曲线上标注出其夹断电压U GS(off)和饱和漏极电流I DSS ；如为增强型，标出其开启电压U GS(th)。
(a)绝缘栅型N 沟道增强型；(b)结型P 沟道耗尽型；(c)绝缘栅型N 沟道耗尽型；(d)绝缘栅型P 沟道增强型。
习题1-18已知一个N 型沟道增强型MOS 场效应管的开启电压U GS(th)= +3V ，I DO =4mA ，请示意画出其转移特性曲线。
习题1-19已知一个P 型沟道耗尽型MOS 场效应管的饱和漏极电流I DSS = -2.5mA ，夹断电压U GS(off)=4V ，请示意画出其转移特性曲线。
习题1-18图习题1-19图R b R e i U +oUR i U +oU R 1i U '+2i i N U U N '=LR '=定电路中，假设电路其他参数不变，分别改变以下某一参数将增u A ↑。
u A ，↓。
u A ↓。
u A ④增大β，则I BQ基本不变u Ai U +oU +(b)解：①可先用近似估算法求I BQ 100.70.0220510CC BEQ b V U mA AR μ--==≈=直流负载线方程：10CE CC C C u V i R =-=-Q 1静态工作点Q l 点处，0.5,CEQ CQ U V I ≈≈解：①可先用近似估算法求I BQ 100.70.0220510CC BEQb V U mA A R μ--==≈=直流负载线方程：10CE CC C C u V i R =-=-Q 1静态工作点Q 点处，0.5,U V I ≈≈Q 1Q 2Q 1Q 2=2mA ，u CE =2V 的一点与横坐标上u CE =10V 因此，需减小R c 和R b ，可减为R c ＝4k Ω，R b ＝250Q 3R b 211k Ωi U oU (b)P2-7()153CE CC C c e C V i R R i ≈-+=-(b)mA的一条水平线， 2.67.2点，且斜率为，其中1LR -'R b 211k Ωi U oU图P2-6(b)C2-10 设图P2-10电路中三极管的β=60，V ，R b =530k Ω，R L =5M Ω，试：①估算静态工作点；值；，输入电阻u A R b C 1R iU o U ++_(u R A β=-( u RAβ=-?ouiUAU==o ii i oU RU R R=+iU o U+_(uRAβ=-iU o U +R e 2k Ω(u A r β=-+R b 1-i U sU oU +-i UR b-sU +-R oU iU (1(1u A r +=+(1(1u A r +=+R -1o U iU 2o U r beR cR biU 1o U 2o U -+-1o i be U U r =-+2(1(1o i be U U r +=+12o o U U ≈-oU R b 2=10R =3k(//c u R A r β=R 1i U oU -m (1)i gs d s m s gs U U I R g R U =+=+(//)o m gs d L U g U R R =-(1o m i U g R U =-+R SgsU o m gs sU g U R =(1)i gs o m s gsU U U g R U =+=+1o m i m U g R U g =+12u be A r =-22k =ΩCR E1Us习题2-27P110答：①测静态工作点Q ：直流稳压电源、万用表(直流电压档)：直流稳压电源、正弦波信号发生②测电压放大倍数Au器、示波器、交流毫伏表。
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习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。
解：在20℃时的反向电流约为：3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为：321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。
已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。
解：20℃时，()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时，8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。
①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大？输入特性的死区电压约为多大？②为了使PNP 型三极管工作在放大区，其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零？并与NPN 型三极管进行比较。
《电路与模拟电子技术》第3版全部习题答案
第一章 电路的基本概念和基本定律1.1 在题1.1图中，各元件电压为 U1=-5V ，U2=2V ，U3=U4=-3V ，指出哪些元件是电源，哪些元件是负载？解：元件上电压和电流为xx 参考方向时，P=UI ；电压和电流为非xx 参考方向时，P=UI 。
P>0时元件吸收功率是负载，P<0时，元件释放功率，是电源。
本题中元件1、2、4xx 电流和电流为非xx 参考方向，元件3xx 电压和电流为xx 参考方向，因此P1=-U1×3= -（-5）×3=15W； P2=-U2×3=-2×3=-6W ； P3=U3×（-1）=-3×（-1）=3W ； P4=-U4×（-4）=-（-3）×（-4）=-12W 。
元件2、4是电源，元件1、3是负载。
1.2 在题1.2图所示的RLCxx 电路中，已知 求i 、uR 和uL 。
解：电容上电压、电流为非xx 参考方向,故()()33133t t t t c du di ce e e e A dt dt--=-=-⨯-=-电阻、电感上电压、电流为xx 参考方向()34t t R u Ri e e V --==- ()()3313t t t t L di du Le e e e V dt dt----==⨯-=-+1.3 在题1.3图中，已知I=2A ，求Uab 和Pab 。
解：Uab=IR+2-4=2×4+2-4=6V ， 电流I 与Uab 为xx 参考方向，因此Pab=UabI=6×2=12W1.4 在题1.4图中，已知 IS=2A ，US=4V ，求流过恒压源的电流I 、恒流源上的电压U 及它们的功率，验证电路的功率平衡。
解：I=IS=2A ， U=IR+US=2×1+4=6V PI=I2R=22×1=4W，US 与I 为xx 参考方向，电压源功率：PU=IUS=2×4=8W， U 与I 为非xx 参考方向，电流源功率：PI=-ISU=-2×6=-12W ， 验算：PU+PI+PR=8-12+4=0ba题1.3图1.5 求题1.5图中的R 和Uab 、Uac 。
模拟电子技术基础简明教程(第三版)习题答案1-3(DOC)
第一章习题参考答案100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区FD 、EABC图P1-14(g)DS =15V ，u GS =4V 时的跨导g m u DS =15V由图可得，开启电压U GS(th)=2V ，I DO =2.5mA ，4 1.22.84.53.5D m GS i g mS u ∆-===∆-习题1-17试根据图P1-17所示的转移特性曲线，分别判断各相应的场效应管的类型（结型或绝缘栅型，P 型沟道或N 型沟道，增强型或耗尽型）。
如为耗尽型，在特性曲线上标注出其夹断电压U GS(off)和饱和漏极电流I DSS ；如为增强型，标出其开启电压U GS(th)。
(a)绝缘栅型N 沟道增强型；(b)结型P 沟道耗尽型；(c)绝缘栅型N 沟道耗尽型；(d)绝缘栅型P 沟道增强型。
习题1-18已知一个N 型沟道增强型MOS场效应管的开启电压U GS(th)= +3V ，I DO =4mA ，请示意画出其转移特性曲线。
习题1-19已知一个P 型沟道耗尽型MOS 场效应管的饱和漏极电流I DSS = -2.5mA ，夹断电压U GS(off)=4V ，请示意画出其转移特性曲线。
习题1-18图习题1-19图R b (a)交流通路R e i U +--oU R (b)交流通路i U +--oU R 1(c)交流通路i U '+-21i i N U U N '=23L N R R ⎛⎫'= ⎪NPN 三极管组成的单管共射放大电路中，假设电路其他参数不变，分别改变以下某一参数时，试定性说明、I CQ 和U CE Q 将增大、减少还是基本不变。
定电路中，假设电路其他参数不变，分别改变以下某一参数将增u A ↓，↑。
u A ，↓。
u A ↓。
u A ④增大β，则I BQ 基本不变，r be ↑，基本不变u Ai U +--oU +(b)解：①可先用近似估算法求I BQ100.70.0220510CC BEQb V U mA AR μ--==≈=直流负载线方程：10CE CC C C u V i R =-=-Q 1静态工作点Q 点处，0.5,U V I ≈≈Q 1Q 1Q 2Q 1Q 2=2mA ，u CE =2V 的一点与横坐标上u CE =10V 因此，需减小R c 和R b ，可减为R c ＝4k Ω，R b ＝250Q 3R b 211k Ω2i U oU +_(b)图P2-7解：①直流负载线方程为：()153CE CC C c e C u V i R R i ≈-+=-(b)mA的一条水平线， 2.67.2点，且斜率为，其中1LR -'R b 211k Ω2i U oU ++图P2-6(b)C2-10 设图P2-10电路中三极管的β=60，V ，R b =530k Ω，R L =5M Ω，试：①估算静态工作点；值；，输入电阻。
《电路与模拟电子技术》第3版全部习题答案
第一章 电路的根本概念和根本定律1.1 在题1.1图中，各元件电压为 U 1=-5V ，U 2=2V ，U 3=U 4=-3V ，指出哪些元件是电源，哪些元件是负载？解：元件上电压和电流为关联参考方向时，P=UI ；电压和电流为非关联参考方向时，P=UI 。
P>0时元件吸收功率是负载，P<0时，元件释放功率，是电源。
此题中元件1、2、4上电流和电流为非关联参考方向，元件3上电压和电流为关联参考方向，因此P 1=-U 1×3= -〔-5〕×3=15W ； P 2=-U 2×3=-2×3=-6W ； P 3=U 3×〔-1〕=-3×〔-1〕=3W ； P 4=-U 4×〔-4〕=-〔-3〕×〔-4〕=-12W 。
元件2、4是电源，元件1、3是负载。
1.2 在题 1.2图所示的RLC 串联电路中，)V 33t t C e e (u ---= 求i 、u R 和u L 。
解：电容上电压、电流为非关联参考方向,故()()33133t t t t c du di ce e e e A dt dt--=-=-⨯-=- 电阻、电感上电压、电流为关联参考方向()34t t R u Ri e e V --==-()()3313t t t t L di du Le e e e V dt dt----==⨯-=-+1.3 在题1.3图中，I=2A ，求U ab 和P ab 。
解：U ab =IR+2-4=2×4+2-4=6V ， 电流I 与U ab 为关联参考方向，因此P ab =U ab I=6×2=12W1.4 在题1.4图中， I S =2A ，U S =4V ，求流过恒压源的电流I 、恒流源上的电压U 及它们的功率，验证电路的功率平衡。
解：I=I S =2A ，U=IR+U S =2×1+4=6V P I =I 2R=22×1=4W ，U S 与I 为关联参考方向，电压源功率：P U =IU S =2×4=8W ，+U 4-题1.1图ba题1.3图+u L-1/题1.2图题1.4图U 与I 为非关联参考方向，电流源功率：P I =-I S U=-2×6=-12W ，验算：P U +P I +P R =8-12+4=01.5 求题1.5图中的R 和U ab 、U ac 。
模拟电子技术 课后习题及答案
第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断以下说法是否正确，用“√〞和“×〞表示判断结果填入空内。
〔1〕在N 型半导体中掺入足够量的三价元素，可将其改为P 型半导体。
〔 〕 〔2〕因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
〔 〕〔3〕PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
〔 〕〔4〕处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
〔 〕 〔5〕结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS 大的特点。
〔 〕〔6〕假设耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零，那么其输入电阻会明显变小。
〔 〕解：〔1〕√ 〔2〕× 〔3〕√ 〔4〕× 〔5〕√ 〔6〕×二、选择正确答案填入空内。
〔1〕PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄B. 根本不变C. 变宽〔2〕设二极管的端电压为U ，那么二极管的电流方程是 。
A. I S e UB. T U U I e SC.)1e (S －TU U I〔3〕稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿〔4〕当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏〔5〕U GS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。
A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管解：〔1〕A 〔2〕C 〔3〕C 〔4〕B 〔5〕A C三、写出图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。
四、稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Zmin＝5mA。
求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
解：U O1＝6V，U O2＝5V。
五、某晶体管的输出特性曲线如下图，其集电极最大耗散功率P CM＝200mW，试画出它的过损耗区。
模拟电路第三版课后习题答案详解
习题 1-1 欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
习题 1-2 假设一个二极管在 50℃时的反向电流为 10μ A，试问它在 20℃和 80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高 10℃，反向电流大致增加一倍。
解：在 20℃时的反向电流约为： 2310A 1.25 A在 80℃时的反向电流约为：2310A80 AN7习题 1-3某二极管的伏安特性如图(a)所示：①如在二极管两端通过1k?的电阻加上 1.5V的电压，如图(b) ，此时二极管的电流I 和电压 U各为多少？②如将图 (b)中的 1.5V电压改为 3V，则二极管的电流和电压各为多少？3I/mA解：根据图解法求解+ U -①电源电压为 1.5V 时2I1.5UI1I0.8A,U0.7V0.5 1 1.5 2 U/V 1.5V 1k?② 电源电压为3V 时(a)(b) 3U II 2.2A,U0.8V可见，当二极管正向导通后，如电源电压增大，则二极管的电流随之增大，但管子两端的电压变化不大。
习题 1-4 已知在下图中，u I = 10sinω t (V) ， R L=1k?，试对应地画出二极管的电流i D、电压 u D以及输出电压 u O的波形，并在波形图上标出幅值。
设二极管的正向压降和反向电流可以忽略。
u I/V+ u D-10++ti D/mAu I i D u--R L D10(a)tu I /Vt- 10u o/V10t习题 1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z、动态电阻 r Z以及温度系数αU，是大一些好还是小一些好？答：动态电阻 r Z愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流 I Z愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。
模拟电子技术基础第三版课后答案解析
N7习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。
解：在20℃时的反向电流约为：3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为：321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。
已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。
解：20℃时，()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时，8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。
①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大？输入特性的死区电压约为多大？②为了使PNP 型三极管工作在放大区，其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零？并与NPN 型三极管进行比较。
模拟电子技术基础简明教程(第三版)_课后答案
+习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。
解：在20℃时的反向电流约为：3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为：321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。
已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。
解：20℃时，()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时，8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。
①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大？输入特性的死区电压约为多大？②为了使PNP 型三极管工作在放大区，其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零？并与NPN 型三极管进行比较。
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第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大；B.不变；C.减小 1.3电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。
1.4电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。
试画出i u 与o u 的波形图，并标出幅值。
图P1.3 解图P1.31.6电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？解：二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω故动态电流的有效值：/1di D I U r mA =≈1.7现有两只稳压管，稳压值分别是6V 和8V ，正向导通电压为0.7V 。
试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：(1)串联相接可得4种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。
1、两个管子都正接。
（1.4V ）2、6V 的管子反接，8V 的正接。
(6.7V)3、8V 的反接， 6V 的管子正接。
(8.7V)4、两个管子都反接。
（14V ） (2)并联相接可得2种：0.7V ；6V 。
1、 两个管子都反接，电压小的先导通。
(6V) 2.、一个正接，一个反接，电压小的先导通。
（0.7V ）1.8 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM ＝150mW 。
试求图P1.8所示电路中电阻R 的取值范围。
解：稳压管的最大稳定电流： I ZM ＝P ZM / U Z ＝25mA 电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin所以其取值范围为Ω=-=k 8.136.0ZZI ～I U U R1.9 已知图Pl.9 所示电路中稳压管的稳定电压6ZU V =，最小稳定电流min 5Z I mA =，最大稳定电流max 25Z I mA =。
(1)分别计算I U 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压O U 的值； (2)若35IU V=时负载开路，则会出现什么现象？ 为什么？解：(1)只有当加在稳压管两端的 电压大于其稳压值时，输出电压才为6V 。
∴V U I 10=时，V U R R R U I LLO 3.3=+=；V U I 15=时，5LO I LR U U V R R ==+；V U I 35=时，11.7LO I Z LR U U V U R R =≈>+，∴VU U Z O 6==。
(2)当负载开路时，mA I mA RU U I Z ZI Z 2529max =>=-=，故稳压管将被烧毁。
1.11 电路如图P1.11（a ）、（b ）所示，稳压管的稳定电压U Z ＝3V ，R 的取值合适，u I 的波形如图（c ）所示。
试分别画出u O1和u O2的波形。
2.7电路如图P2.7所示，晶体管的β=80 ，'100bb r =Ω。
分别计算L R =∞和3L R k =Ω时的Q 点、uA &、i R 和o R 。
解：在空载和带负载情况下，电路的静态电流、be r 均相等，它们分别为：22CC BEQBEQ BQ bsV U U I AR R μ-=-≈1.76CQ BQ I I mA β=≈'26(1)1.3be bb EQmVr r k I β=++≈Ω 空载时，静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为：6.2CEQ CC CQ c U V I R V=-≈；308c ubeR A r β=-≈-&// 1.3i b be be R R r r k =≈≈Ω； 93beus ube sr A A r R ≈⋅≈-+&&5o c R R k ==Ω3L R k =Ω时，静态管压降、电压放大倍数分别为：(//) 2.3LCEQ CC CQ c L L cR U V I R R VR R =-≈+(//)115c L u be R R A r β=-≈-& 34.7be us ube s r A A r R ≈⋅≈-+&&// 1.3i b be be R R r r k =≈≈Ω 5o c R R k ==Ω。
2.8在图P2.7所示电路中，由于电路参数不同，在信号源电压为正弦波时，测得输出波形如图P2.8（a ）、（b ）、（c ）所示，试说明电路分别产生了什么失真，如何消除。
解：（a ）饱和失真，增大R b ，减小R c 。
（b ）截止失真，减小R b 。
（c ）同时出现饱和失真和截止失真，应增大V CC 。
2.10 已知图P2.10所示电路中，晶体管β=100，be r =1.4kΩ。
(1)现已测得静态管压降U CEQ =6V ，估算R b ；(2)若测得i U &和oU &的有效值分别为1mV 和100mV ，则负载电阻R L 为多少？解：(1)mA R U V I c CECC C 2=-=，A I I C B μβ20/==,∴Ω=-=k I U V R BBECC b 565。
(2)由(//)100o c L ui beU R R A U r β=-=-=-&, 可得: 2.625L R k =Ω。
图P2.102.13 电路如图P2.13所示，晶体管β=100，b b r '=100Ω。
(1)求电路的Q 点、uA &、i R 和o R ； (2)若改用β=200的晶体管，则Q 点如何变化？(3)若电容C e 开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？解：(1)静态分析：1122b BQ CC b b R U V VR R =⋅=+1BQ BEQ EQ f eU U I mA R R -==+101EQ BQ I I A μβ==+e (R ) 5.7CEQ CC EQ cf U V I R R V=-++= 图P2.13动态分析：'26(1)2.73bebb EQmVr r k I β=++≈Ω(//)7.7(1)c L ube fR R A r R ββ=-=-++& 12////[(1)] 3.7i b b be f R R R r R k β=++≈Ω5o c R R k ==Ω(2) β=200时，1122b BQCC b b R U V VR R =⋅=+（不变）；1BQ BEQ EQ f eU U I mA R R -==+（不变）；51EQ BQ I I A μβ==+（减小）； e (R ) 5.7CEQ CC EQ c f U V I R R V=-++=（不变）。
(3) C e 开路时，(//)// 1.92(1)()c L c Lube e f e fR R R R A r R R R R ββ=-≈-=-++++&（减小）； 12////[(1)()] 4.1i b b be e f R R R r R R k β=+++≈Ω（增大）；5o c R R k ==Ω（不变）。
2.12 电路如图P2.12所示，晶体管的β=80，be r =1kΩ。
(1)求出Q 点； (2)分别求出R L =∞和R L =3kΩ时电路的uA &、i R 和o R 。
解：(1)求解Q 点：32.3(1)CC BEQ BQ b eV U I A R R μβ-=≈++(1) 2.61EQ BQ I I mA β=+≈7.17CEQ CC EQ e U V I R V=-≈图P2.12(2)求解放大倍数和输入、输出电阻：R L =∞时；(1)0.996(1)eube eR A r R ββ+=≈++&//[(1)]110i b be e R R r R k β=++≈ΩR L =3kΩ时；(1)(//)0.992(1)(//)e L ube e L R R A r R R ββ+=≈++&//[(1)(//)]76i b be e L R R r R R k β=++≈Ω输出电阻：////371s b beoe R R r R R β+=≈Ω+2.13 电路如图P2.13 所示，晶体管的β=60 ,'100bb r =Ω。
(1)求解Q 点、uA &、i R 和o R (2)设U s = 10mV （有效值），问?i U =,?o U =若C 3开路，则?iU =,?o U =解：(1) Q 点：31(1)CC BEQ BQ b eV U I A R R μβ-=≈++1.86CQ BQ I I mA β=≈() 4.56CEQ CC EQ c e U V I R R V≈-+≈uA &、i R 和o R 的分析： 图P2.13 '26(1)952be bb EQmV r r I β=++≈Ω, (//)95c L ube R R A r β=-≈-& //952i b be R R r =≈Ω , 3o c R R k ==Ω。
(2)设U s = 10mV （有效值），则3.2ii s s iR U U mV R R =⋅=+；304o u iU A U mV =⋅=& 若C 3开路，则：//[(1)]51.3i b be e R R r R k β=++≈Ω ， // 1.5c L ue R R A R ≈-≈-& 9.6ii s s iR U U mV R R =⋅=+，14.4o u iU A U mV =⋅=&。
(c) (d)3.6图P3.6所示电路参数理想对称，晶体管的β均为100，'100bb r =Ω，0.7BEQ U V≈。