电子技术试题
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由此可知：
1、电极①是C极，电极②是B极，电极③是E极。
2、此晶体管的电流放大系数 约为40。
3、此晶体管的类型是PNP型（PNP或NPN）。
五、
测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如下图所示
1判断它们各是NPN管还是PNP管，在图中标出e，b，c极；
（a）NPN 4mA-C 4.1mA-E 0.1mA-B
《 模拟电子技术 》综合复习资料
第一章 常用半导体器件
一、选择
1、在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如下图所示，该晶体管的类型是[ A]
A.NPN型硅管
B.PNP型硅管
C.NPN型锗管 2V6V
D.PNP型锗管1.3V
2、三极管各个电极的对地电位如下图所示，可判断其工作状态是[ D ]
A. 饱和
七、
电路如下图所示，若UI=10V，R=100，稳压管DZ的稳定电压UZ=6V，允许电流的变动范围是Izmin=5mA,Izmax=30mA,求负载电阻RL的可变范围。
解：满足两个条件：
1、稳压的条件：RL〉150
2、电流条件满足：RL〉171且RL<600
综合：RL〉171且RL<600
八、
稳压管稳压电路如下图所示。已知稳压管稳压值为5伏，稳定电流范围为10mA~50mA，限流电阻R=500 。试求：
（1）当
（2） 当
解：（1） 稳压管稳压，
（2） 稳压管不稳压，工作在反向截止状态，
第二章 基本放大电路
一、选择题
1、 在基本放大电路的三种组态中，输入电阻最大的放大电路是[ C]
A.共射放大电路B.共基放大电路
C.共集放大电路D.不能确定
2、在基本共射放大电路中，负载电阻RL减小时，输出电阻RO将[C]
三、判断对错
1、P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。（ ⅹ）
2、P型半导体带正电，N型半导体带负电。（ ⅹ）
3、由于PN结交界面两边存在电位差，所以，当把PN结两端短路时就有电流流过。（ ⅹ ）
4、通常的BJT管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。（ ⅹ ）
四、
在某放大电路中，晶体管三个电极的电流下图所示。已量出I1=-1.2mA，I2=-0.03mA，I3=1.23mA。
3、在本征半导体中，电子浓度等于空穴浓度；
4、在P型半导体中，电子浓度小于空穴浓度；
5、在N型半导体中，电子浓度大于空穴浓度。
4、二极管的最主要特性是单向导电性。
5、双极型晶体管从结构上看可以分成NPN和PNP两种类型，它们工作时有自由电子和空穴两种载流子参与导电。
6、晶体三极管用来放大时，应使发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置。
A.共射放大电路B.共基放大电路
C.共集放大电路D.不能确定
6、 在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了底部削平的失真，这种失真是[ A]
A.饱和失真 B.截Baidu Nhomakorabea失真C.交越失真D.频率失真
7、以下电路中，可用作电压跟随器的是[ D]
A．差分放大电路 B．共基电路
8、 温度升高时，三极管的β值将[ A ]
A.增大B.减少C.不变D.不能确定
9、在N型半导体中，多数载流子是[ A ]
A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质
10、下面哪一种情况二极管的单向导电性好[ A ]
A.正向电阻小反向电阻大 B. 正向电阻大反向电阻小
C.正向电阻反向电阻都小 D.正向电阻反向电阻都大
5、二极管的主要特性是[ C ]
A.放大特性 B.恒温特性
C.单向导电特性 D.恒流特性
6、温度升高时，晶体管的反向饱和电流ICBO将[ B ]
A.增大B.减少C.不变D.不能确定
7、 下列选项中，不属三极管的参数是[ B ]
A.电流放大系数β B.最大整流电流IF
C.集电极最大允许电流ICMD.集电极最大允许耗散功率PCM
A.共射放大电路B.共基放大电路
C.共集放大电路D.不能确定
11、 在P型半导体中，多数载流子是[ B]
A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质
二、填空
1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺杂浓度，而少数载流子的浓度则与本征激发有很大关系。
2、温度升高时，晶体管的电流放大系数β增大，反向饱和电流ICBO增大，正向结电压UBE变小。(a.变大，d.变小，c.不变)
C．共射电路 D．共集电路
8、 晶体三极管的关系式iC=f(uBE)|uCE代表三极管的[ B]
A.共射极输入特性 B.共射极输出特性
C.共基极输入特性 D.共基极输出特性
9、 在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了顶部削平的失真，这种失真是[ B]
A.增大B.减少C.不变D.不能确定
3、 在三种基本放大电路中，输入电阻最小的放大电路是[ B]
A.共射放大电路B.共基放大电路
C.共集放大电路D.不能确定
4、在电路中我们可以利用[ C]实现高内阻信号源与低阻负载之间较好的配合。
A 共射电路 B 共基电路 C 共集电路 D 共射-共基电路
5、 在基本放大电路的三种组态中，输出电阻最小的是[ C]
(b) PNP 6mA-C 6.1mA-E 0.1mA-B
2估算(b)图晶体管的 和 值。
(a) =40 =40/41
(b) =60 =60/61
六、
判断各下图中二极管导通状态，并标出 的值。各二极管导通电压 0.7V。
左图：D1 D3 D2导通D4截止 =2.1V
右图： D2导通D1截止 =-6V
B.饱和失真 B.截止失真C.交越失真D.频率失真
10、对于基本共射放大电路， Rb减小时，输入电阻Ri将[ B ]
A.增大B.减少C.不变D.不能确定
11、在基本共射放大电路中，信号源内阻RS减小时，输入电阻Ri将[ C ]
A.增大B.减少C.不变D.不能确定
12、在三种基本放大电路中，电压增益最小的放大电路是[ C ]
B.放大
C. 截止
D.已损坏
3、 在如下图所示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。若把电源电压调整到V=10V，则电流的大小将是[ C ]
A.I=2mAB.I<2mA
C.I>2mA D.不能确定
4、 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于[ B ]
A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷
1、电极①是C极，电极②是B极，电极③是E极。
2、此晶体管的电流放大系数 约为40。
3、此晶体管的类型是PNP型（PNP或NPN）。
五、
测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如下图所示
1判断它们各是NPN管还是PNP管，在图中标出e，b，c极；
（a）NPN 4mA-C 4.1mA-E 0.1mA-B
《 模拟电子技术 》综合复习资料
第一章 常用半导体器件
一、选择
1、在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如下图所示，该晶体管的类型是[ A]
A.NPN型硅管
B.PNP型硅管
C.NPN型锗管 2V6V
D.PNP型锗管1.3V
2、三极管各个电极的对地电位如下图所示，可判断其工作状态是[ D ]
A. 饱和
七、
电路如下图所示，若UI=10V，R=100，稳压管DZ的稳定电压UZ=6V，允许电流的变动范围是Izmin=5mA,Izmax=30mA,求负载电阻RL的可变范围。
解：满足两个条件：
1、稳压的条件：RL〉150
2、电流条件满足：RL〉171且RL<600
综合：RL〉171且RL<600
八、
稳压管稳压电路如下图所示。已知稳压管稳压值为5伏，稳定电流范围为10mA~50mA，限流电阻R=500 。试求：
（1）当
（2） 当
解：（1） 稳压管稳压，
（2） 稳压管不稳压，工作在反向截止状态，
第二章 基本放大电路
一、选择题
1、 在基本放大电路的三种组态中，输入电阻最大的放大电路是[ C]
A.共射放大电路B.共基放大电路
C.共集放大电路D.不能确定
2、在基本共射放大电路中，负载电阻RL减小时，输出电阻RO将[C]
三、判断对错
1、P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。（ ⅹ）
2、P型半导体带正电，N型半导体带负电。（ ⅹ）
3、由于PN结交界面两边存在电位差，所以，当把PN结两端短路时就有电流流过。（ ⅹ ）
4、通常的BJT管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。（ ⅹ ）
四、
在某放大电路中，晶体管三个电极的电流下图所示。已量出I1=-1.2mA，I2=-0.03mA，I3=1.23mA。
3、在本征半导体中，电子浓度等于空穴浓度；
4、在P型半导体中，电子浓度小于空穴浓度；
5、在N型半导体中，电子浓度大于空穴浓度。
4、二极管的最主要特性是单向导电性。
5、双极型晶体管从结构上看可以分成NPN和PNP两种类型，它们工作时有自由电子和空穴两种载流子参与导电。
6、晶体三极管用来放大时，应使发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置。
A.共射放大电路B.共基放大电路
C.共集放大电路D.不能确定
6、 在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了底部削平的失真，这种失真是[ A]
A.饱和失真 B.截Baidu Nhomakorabea失真C.交越失真D.频率失真
7、以下电路中，可用作电压跟随器的是[ D]
A．差分放大电路 B．共基电路
8、 温度升高时，三极管的β值将[ A ]
A.增大B.减少C.不变D.不能确定
9、在N型半导体中，多数载流子是[ A ]
A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质
10、下面哪一种情况二极管的单向导电性好[ A ]
A.正向电阻小反向电阻大 B. 正向电阻大反向电阻小
C.正向电阻反向电阻都小 D.正向电阻反向电阻都大
5、二极管的主要特性是[ C ]
A.放大特性 B.恒温特性
C.单向导电特性 D.恒流特性
6、温度升高时，晶体管的反向饱和电流ICBO将[ B ]
A.增大B.减少C.不变D.不能确定
7、 下列选项中，不属三极管的参数是[ B ]
A.电流放大系数β B.最大整流电流IF
C.集电极最大允许电流ICMD.集电极最大允许耗散功率PCM
A.共射放大电路B.共基放大电路
C.共集放大电路D.不能确定
11、 在P型半导体中，多数载流子是[ B]
A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质
二、填空
1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺杂浓度，而少数载流子的浓度则与本征激发有很大关系。
2、温度升高时，晶体管的电流放大系数β增大，反向饱和电流ICBO增大，正向结电压UBE变小。(a.变大，d.变小，c.不变)
C．共射电路 D．共集电路
8、 晶体三极管的关系式iC=f(uBE)|uCE代表三极管的[ B]
A.共射极输入特性 B.共射极输出特性
C.共基极输入特性 D.共基极输出特性
9、 在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了顶部削平的失真，这种失真是[ B]
A.增大B.减少C.不变D.不能确定
3、 在三种基本放大电路中，输入电阻最小的放大电路是[ B]
A.共射放大电路B.共基放大电路
C.共集放大电路D.不能确定
4、在电路中我们可以利用[ C]实现高内阻信号源与低阻负载之间较好的配合。
A 共射电路 B 共基电路 C 共集电路 D 共射-共基电路
5、 在基本放大电路的三种组态中，输出电阻最小的是[ C]
(b) PNP 6mA-C 6.1mA-E 0.1mA-B
2估算(b)图晶体管的 和 值。
(a) =40 =40/41
(b) =60 =60/61
六、
判断各下图中二极管导通状态，并标出 的值。各二极管导通电压 0.7V。
左图：D1 D3 D2导通D4截止 =2.1V
右图： D2导通D1截止 =-6V
B.饱和失真 B.截止失真C.交越失真D.频率失真
10、对于基本共射放大电路， Rb减小时，输入电阻Ri将[ B ]
A.增大B.减少C.不变D.不能确定
11、在基本共射放大电路中，信号源内阻RS减小时，输入电阻Ri将[ C ]
A.增大B.减少C.不变D.不能确定
12、在三种基本放大电路中，电压增益最小的放大电路是[ C ]
B.放大
C. 截止
D.已损坏
3、 在如下图所示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。若把电源电压调整到V=10V，则电流的大小将是[ C ]
A.I=2mAB.I<2mA
C.I>2mA D.不能确定
4、 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于[ B ]
A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷