《半导体集成电路》试题2

第一部分考试试题

第2章集成电路中的晶体管及其寄生效应

1.简述集成双极晶体管的有源寄生效应在其各工作区能否忽略？。

2.什么是集成双极晶体管的无源寄生效应？

3. 什么是MOS晶体管的有源寄生效应？

4. 什么是MOS晶体管的闩锁效应，其对晶体管有什么影响?

5. 消除“Latch-up”效应的方法？

6.如何解决MOS器件的场区寄生MOSFET效应？

7. 如何解决MOS器件中的寄生双极晶体管效应？

第3章集成电路中的无源元件

1.双极性集成电路中最常用的电阻器和MOS集成电路中常用的电阻都有哪些？

2.集成电路中常用的电容有哪些。

3. 为什么基区薄层电阻需要修正。

4. 为什么新的工艺中要用铜布线取代铝布线。

5. 运用基区扩散电阻，设计一个方块电阻200欧，阻值为1K的电阻，已知耗散功率为

20W/c㎡,该电阻上的压降为5V,设计此电阻。

第4章TTL电路

1.名词解释

电压传输特性开门/关门电平逻辑摆幅过渡区宽度输入短路电流输入漏电流

静态功耗瞬态延迟时间瞬态存储时间瞬态上升时间瞬态下降时间

瞬时导通时间

2. 分析四管标准TTL与非门（稳态时）各管的工作状态？

3. 在四管标准与非门中，那个管子会对瞬态特性影响最大，并分析原因以及带来那些困难。

4. 两管与非门有哪些缺点，四管及五管与非门的结构相对于两管与非门在那些地方做了改善，并分析改善部分是如何工作的。四管和五管与非门对静态和动态有那些方面的改进。

5. 相对于五管与非门六管与非门的结构在那些部分作了改善，分析改进部分是如何工作的。

6. 画出四管和六管单元与非门传输特性曲线。并说明为什么有源泄放回路改善了传输特性的矩形性。

7. 四管与非门中，如果高电平过低，低电平过高，分析其原因，如与改善方法，请说出你的想法。

8. 为什么TTL与非门不能直接并联？

9. OC门在结构上作了什么改进，它为什么不会出现TTL与非门并联的问题。

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