第二章电子技术基础解析

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《电子技术基础》第五版高教康华光版部分课后答案

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第一章数字逻辑习题1.1数字电路与数字信号1.1.2 图形代表的二进制数0101101001.1.4一周期性数字波形如图题所示,试计算:(1)周期;(2)频率;(3)占空比例MSB LSB0 1 2 11 12 (ms)解:因为图题所示为周期性数字波,所以两个相邻的上升沿之间持续的时间为周期,T=10ms 频率为周期的倒数,f=1/T=1/0.01s=100HZ占空比为高电平脉冲宽度与周期的百分比,q=1ms/10ms*100%=10%1.2数制2 1.2.2将下列十进制数转换为二进制数,八进制数和十六进制数(要求转换误差不大于4(2)127 (4)2.718解:(2)(127)D=72-1=(10000000)B-1=(1111111)B=(177)O=(7F)H(4)(2.718)D=(10.1011)B=(2.54)O=(2.B)H1.4二进制代码1.4.1将下列十进制数转换为8421BCD码:(1)43 (3)254.25解:(43)D=(01000011)BCD1.4.3试用十六进制写书下列字符繁荣ASCⅡ码的表示:P28(1)+ (2)@ (3)you (4)43解:首先查出每个字符所对应的二进制表示的ASCⅡ码,然后将二进制码转换为十六进制数表示。

(1)“+”的ASCⅡ码为0101011,则(00101011)B=(2B)H(2)@的ASCⅡ码为1000000,(01000000)B=(40)H(3)you的ASCⅡ码为本1111001,1101111,1110101,对应的十六进制数分别为79,6F,75(4)43的ASCⅡ码为0110100,0110011,对应的十六紧张数分别为34,331.6逻辑函数及其表示方法1.6.1在图题1. 6.1中,已知输入信号A,B`的波形,画出各门电路输出L的波形。

解: (a)为与非, (b)为同或非,即异或第二章 逻辑代数 习题解答2.1.1 用真值表证明下列恒等式 (3)A B AB AB ⊕=+(A ⊕B )=AB+AB 解:真值表如下A B A B ⊕ABAB A B ⊕AB +AB0 0 0 1 0 1 1 0 1 1 0 0 0 0 1 0 1 0 0 0 0 11111由最右边2栏可知,A B ⊕与AB +AB 的真值表完全相同。

电子技术基础(电工Ⅱ)李春茂主编_机械工业出版社_课后习题答案

电子技术基础(电工Ⅱ)李春茂主编_机械工业出版社_课后习题答案

1-9 有 A、B、C 3 只晶体管,测得各管的有关参数与电流如题表 1-2 所示,试填写表中空白的栏目。
表 1-2 题 1-9 表
电流参数
管号
iE / mA iC / mA iB / μA ICBO / μA ICEO / μA
A
1
0.982
18
2
111
0.982
B
0.4
0.397
3
1
132.3 0.99
目录
第一章 双极型半导体器件∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙1 第二章 基本放大电路∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙7 第三章 场效应晶体管放大电路∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙18 第四章 多级放大电路∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙23 第五章 集成运放电路∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙33 第七章 直流稳压电源∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙46 第九章 数字电路基础知识∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙51 第十章 组合逻辑电路∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙61 第十一章 时序逻辑电路∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙73 第十二章 脉冲波形的产生和整形∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙90 第十三章 数/模与模/数转换电路∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙∙96

《电子技术基础》第五版(数字部分)高教版课后答案

《电子技术基础》第五版(数字部分)高教版课后答案

1.1 数字电路与数字信号第一章 数字逻辑习题1.1.2 图形代表的二进制数MSBLSB 0 1 211 12(ms )解:因为图题所示为周期性数字波,所以两个相邻的上升沿之间持续的时间为周期,T=10ms 频率为周期的倒数,f=1/T=1/=100HZ占空比为高电平脉冲宽度与周期的百分比,q=1ms/10ms*100%=10% 数制1.2.2 将下列十进制数转换为二进制数,八进制数和十六进制数(要求转换误差不大于 2 (2)127 (4)解:(2)(127)D=27-1=()B-1=(1111111)B =(177)O=(7F )H (4)()D=B=O=H 二进制代码1.4.1 将下列十进制数转换为 8421BCD 码: (1)43 (3) 解:(43)D=(01000011)BCD1.4.3 试用十六进制写书下列字符繁荣 ASC Ⅱ码的表示:P28 (1)+ (2)@ (3)yo u (4)43解:首先查出每个字符所对应的二进制表示的 ASC Ⅱ码,然后将二进制码转换为十六进制 数表示。

(1)“+”的 ASC Ⅱ码为 0101011,则(00101011)B=(2B )H (2)@的 ASC Ⅱ码为 1000000,(01000000)B=(40)H(3)you 的 ASC Ⅱ码为本 1111001,1101111,1110101,对应的十六进制数分别为79,6F,75 (4)43 的 ASC Ⅱ码为 0110100,0110011,对应的十六紧张数分别为 34,33 逻辑函数及其表示方法解: (a)为与非, (b)为同或非,即异或第二章逻辑代数习题解答2.1.1 用真值表证明下列恒等式(3) A⊕B AB AB(A⊕B)=AB+AB解:真值表如下A B A⊕BAB AB A⊕BAB+AB0 0 1 11111111111A (1BC ) ACDCDEA ACDCDEACD CDEACD E2.1.4 用代数法化简下列各式(3) ABC B C)A⋅B A⋅B(A B)(A B)1BAB ABABBABAB(9) ABC DABD BC D ABCBD BC解: ABC DABDBC DABCBD BCB ( ACD )L D ( AC)2(3)(L AB)(C D)2.2.2 已知函数 L(A,B,C,D)的卡诺图如图所示,试写出函数 L 的最简与或表达式解:L( A, B, C, D) BC D BCD B C D ABD2.2.3 用卡诺图化简下列个式(1)ABCD ABCD AB AD ABC3解:ABCD ABCD AB AD ABCABCD ABCD AB CC DDAD B B CCABC D D)()()()()(ABCD ABCD ABC D ABCD ABC D ABC D ABC D(6)L( A, B, C, D ) ∑m解:(0, 2, 4, 6,9,13)∑d(1, 3, 5, 7,11,15)L AD(7)L( A, B, C , D )∑m 解: (0,13,14,15)∑d(1, 2, 3, 9,10,11)L AD AC AB42.2.4 已知逻辑函数L AB BC C A,试用真值表,卡诺图和逻辑图(限用非门和与非门)表示解:1>由逻辑函数写出真值表A11112>由真值表画出卡诺图B1111C1111L1111113>由卡诺图,得逻辑表达式L AB BC AC 用摩根定理将与或化为与非表达式L AB BC AC AB⋅B C⋅AC4>由已知函数的与非-与非表达式画出逻辑图5第三章习题MOS逻辑门电路3.1.1 根据表题所列的三种逻辑门电路的技术参数,试选择一种最合适工作在高噪声环境下的门电路。

数字电子技术基础第三版第二章答案

数字电子技术基础第三版第二章答案

第二章逻辑门电路第一节重点与难点一、重点:1.TTL与非门外特性(1)电压传输特性及输入噪声容限:由电压传输特性曲线可以得出与非门的输出信号随输入信号的变化情况,同时还可以得出反映与非门抗干扰能力的参数U on、U off、U NH和U NL。

开门电平U ON是保证输出电平为最高低电平时输入高电平的最小值。

关门电平U OFF 是保证输出电平为最小高电平时,所允许的输入低电平的最大值。

(2)输入特性:描述与非门对信号源的负载效应。

根据输入端电平的高低,与非门呈现出不同的负载效应,当输入端为低电平U IL时,与非门对信号源是灌电流负载,输入低电平电流I IL通常为1~1.4mA。

当输入端为高电平U IH时,与非门对信号源呈现拉电流负载,输入高电平电流I IH通常小于50μA。

(3)输入负载特性:实际应用中,往往遇到在与非门输入端与地或信号源之间接入电阻的情况,电阻的取值不同,将影响相应输入端的电平取值。

当R≤关门电阻R OFF时,相应的输入端相当于输入低电平;当R≥ 开门电阻R ON时,相应的输入端相当于输入高电平。

2.其它类型的TTL门电路(1)集电极开路与非门(OC门)多个TTL与非门输出端不能直接并联使用,实现线与功能。

而集电极开路与非门(OC 门)输出端可以直接相连,实现线与的功能,它与普通的TTL与非门的差别在于用外接电阻代替复合管。

(2)三态门TSL三态门即保持推拉式输出级的优点,又能实现线与功能。

它的输出除了具有一般与非门的两种状态外,还具有高输出阻抗的第三个状态,称为高阻态,又称禁止态。

处于何种状态由使能端控制。

3.CMOS逻辑门电路CMOS反相器和CMOS传输门是CMOS逻辑门电路的最基本单元电路,由此可以构成各种CMOS逻辑电路。

当CMOS反相器处于稳态时,无论输出高电平还是低电平,两管中总有一管导通,一管截止,电源仅向反相器提供nA级电流,功耗非常小。

CMOS器件门限电平U TH近似等于1/2U DD,可获得最大限度的输入端噪声容限U NH和U NL=1/2U DD。

电子技术基础》正式教案

电子技术基础》正式教案

《电子技术基础》正式教案一、教学目标1. 了解电子技术的基本概念、发展和应用。

2. 掌握电子元件的基本原理和特性,包括电阻、电容、电感等。

3. 学习基本的电子电路分析方法,包括串联、并联、混联电路等。

4. 学会使用常用的电子仪器仪表,如万用表、示波器等。

5. 培养学生的实验操作能力和团队协作精神。

二、教学内容第一章:电子技术概述1.1 电子技术的定义和发展1.2 电子技术的应用领域1.3 电子技术的基本电路元素第二章:电子元件2.1 电阻2.2 电容2.3 电感2.4 二极管2.5 晶体管第三章:基本电路分析3.1 串联电路3.2 并联电路3.3 混联电路3.4 电路的功率和能量第四章:常用电子仪器仪表4.1 万用表的使用4.2 示波器的使用4.3 信号发生器和频率计的使用第五章:实验操作与团队协作5.1 电子实验的基本操作5.2 电子实验的安全注意事项5.3 团队协作与沟通技巧三、教学方法1. 讲授法:讲解电子技术的基本概念、原理和分析方法。

2. 实验法:通过实验操作,让学生亲手实践,加深对电子技术的理解和掌握。

3. 案例分析法:分析实际应用中的电子技术案例,提高学生的应用能力。

4. 小组讨论法:鼓励学生相互交流、讨论,培养团队合作精神。

四、教学评价1. 平时成绩:包括课堂表现、作业完成情况等,占总评的30%。

3. 期末考试:包括理论知识、电路分析和实际操作,占总评的40%。

五、教学资源1. 教材:《电子技术基础》正式教案。

2. 实验设备:电阻、电容、电感、二极管、晶体管等元件,万用表、示波器等仪器仪表。

3. 辅助材料:教案、PPT课件、实验指导书等。

六、教学进度安排1. 第一章:2课时2. 第二章:3课时3. 第三章:4课时4. 第四章:3课时5. 第五章:2课时七、教学注意事项1. 注重学生的安全意识和实验操作规范。

2. 鼓励学生提问,及时解答学生疑问。

3. 关注学生的学习进度,适时调整教学难度和节奏。

(完整版)电子技术基础教学大纲

(完整版)电子技术基础教学大纲

电子技术基础教学大纲电子技术基础是入门性质的技术基础课,它既有自身的理论体系,又有很强的实践性。

本课程的任务是使学生获得电子技术方面的基本理论、基本知识和基本技能,培养分析问题和解决问题的能力,为今后进一步学习、研究、应用电子技术打下基础。

本课程是我院工科电类专业的必修课。

模拟部分教学大纲学时:55 学分:4适用专业:电子类、自控类、计算机类专业(高职高专)先修课程:《大学物理》、《电工技术基础》一、课程内容和基本要求第一章半导体器件1、正确理解PN结的形成及其单向导电作用,熟练掌握二极管、稳压管的外特性和主要参数。

2、正确理解半导体三极管的结构及工作原理,熟练掌握外特性和主要参数。

第二章基本放大电路1、正确理解放大的基本概念,放大电路的主要指标,掌握放大电路的组成特点。

2、掌握放大电路定性分析方法及静态工作点的估算方法。

3、熟练掌握放大电路的等效电路法,会计算静态工作点,能用微变等效电路计算放大电路的电压放大倍数、输入和输出电阻。

4、正确理解放大器失真产生的原因及解决的办法,放大电路频率特性的概念及其频率特性。

5、了解级间耦合放大电路的工作原理及指标的估算,选频放大电路。

第三章场效应管放大电路1、正确理解结型场效应管和绝缘栅场效应管的结构、工作原理,掌握特性曲线和主要参数。

2、确理解场效应管放大电路结构,工作原理。

第四章集成运算放大电器1、熟练掌握集成运算放大器的组成、性能特点和基本单元电路。

2、正确理解差动放大器的组成、工作原理及应用,了解通用型集成运算放大器的主要性能指标。

3、了解集成运放的应用及两种基本电路。

第五章负反馈放大电路1、练掌握反馈的基本概念和分类,会判断反馈放大电路的类型和极性。

2、熟练掌握负反馈的四种组态及其对放大电路性能的影响。

第六章集成运算放大器的应用1、练掌握由集成运放组成线性电路和非线性应用电路的方法和应用知识。

2、练掌握由集成运算放大器组成的比例、加减法和积分运算电路、信号处理电路等的结构及分析方法。

《电子技术基础与技能》张金华主编-第二章

《电子技术基础与技能》张金华主编-第二章

三极管输出特性曲线及测量
2.1.4 三极管的使用常识
一、三极管器件手册查阅 1.三极管型号命名
2.1.4 三极管的使用常识
一、三极管器件手册查阅 2.常用三极管主要参数查阅
1)电流放大系数
(21)共射极交直流电流放大系数
三极管共射接法时,当UUCEC为E 为规规定定值值时时,,集集电电极极直直流流电电流流变I化C 和量基极iC电和流IB
叠加了一个随ui 变化而变化
的交流量,这时电路处于交 流状态或动态工作状态,简 称为动态。电路及波形如图 所示。
2.2.2 静态工作点和放大原理
三、静态工作点对放大电路的影响 观在察放到大的电输路出的波输形入端送入f =1kHz,幅度适当的正弦信号,输出端用示波 器观如察图输所出示电。压波形。实验示意如图所示。
多级放大电路中级与级之间的连接称为耦合,耦合方式就是指连接方式。 常用的耦合方式有阻容、变压器和直接耦合三种。 如表所示。
常用的耦合方式
2.3.1 多极放大电路的耦合方式
一、电压放大倍数
电路如图所示。
前级电压放大倍数为
Au1
U o1 U i1
级联后的总电压放大倍数为
后级电压放大倍数为
Au
Uo Ui
2. 输出电阻
Ri Ri1
多级放大电路的输出级就是电路的最后一级,其作用是推动负载工作。
多级放大电路的输出电阻就是输出级的输出电阻,即
Ro Ron
2.3.1 多级放大电路的耦合方式
2.2.1 共射极基本放大电路
一、电路组成 如图所示。
2.2.1 共发射极基本放大电路
二、元器件的作用
元器件的作用如图所示
元器件的作用
2.2.2 静态工作点和放大原理

电子技术基础(数字)康华光课后答案

电子技术基础(数字)康华光课后答案

(A)
(B)
(C)
(D)
解:对于图题 3.1.12(a)所示的 CMOS 电路,当 EN =0 时, TP2 和TN 2 均导通,
TP1 和 TN1 构成的反相器正常工作,L= A ,当 EN =1 时,TP2 和TN 2 均截止,无论
A 为高电平还是低电平,输出端均为高阻状态,其真值表如表题解 3.1.12 所示, 该电路是低电平使能三态非门,其表示符号如图题解 3.1.12(a)所示。
A
L
00Βιβλιοθήκη 1010
1
0
1
1
高阻
3.1.12(a)
A
L
0
0
0
0
1
1
1
0
高阻
1
1
高阻
3.1.12(b)
EN A
0
0
L 高阻
0
1
高阻
1
0
0
1
1
1
3.1.12(c
A
L
0
0
1
0
1
0
1
0
高阻
1
1
高阻
3.1.12(d)
3.2.2 为什么说 TTL 与非门的输入端在以下四种接法下,都属于逻辑 1:(1)输 入端悬空;(2)输入端接高于 2V 的电源;(3)输入端接同类与非门的输出高电 压 3.6V;(4)输入端接 10kΩ 的电阻到地。 解:(1)参见教材图 3.2.4 电路,当输入端悬空时,T1 管的集电结处于正偏,Vcc 作用于 T1 的集电结和 T2,T3 管的发射结,使 T2,T3 饱和,使 T2 管的集电极 电 位 Vc2=VcEs2+VBE3=0.2+0.7=0.9V , 而 T4 管 若 要 导 通 VB2=Vc2≥VBE4+VD=0.7+0.7=1.4V,故 T4

《电子技术基础》正式教案

《电子技术基础》正式教案

《电子技术基础》正式教案第一章:电子技术概述1.1 电子技术的定义与发展介绍电子技术的定义讲解电子技术的发展历程1.2 电子技术的基本组成部分介绍电子电路的基本组成部分讲解电子元件的功能和特点1.3 电子技术的基本测量与测试方法介绍电子技术的测量与测试方法讲解测量工具的使用和测量原理第二章:模拟电子技术基础2.1 模拟电子元件介绍电阻、电容、电感等基本元件的特性讲解二极管、晶体管等有源元件的功能和特点2.2 模拟电子电路分析并讲解基本放大电路、滤波电路、振荡电路等介绍模拟集成电路的基础知识2.3 模拟信号处理讲解模拟信号的采样与保持介绍模拟信号的调制与解调第三章:数字电子技术基础3.1 数字电子元件介绍逻辑门、逻辑电路的功能和特点讲解触发器、计数器等数字电路的应用3.2 数字电路设计分析并讲解组合逻辑电路、时序逻辑电路的设计方法介绍数字集成电路的基础知识3.3 数字信号处理讲解数字信号的编码与解码介绍数字信号的滤波与加密技术第四章:电子电路的设计与实践4.1 电子电路设计的基本原则和方法讲解电子电路设计的基本原则介绍电子电路设计的方法和步骤4.2 电子电路仿真与实验讲解电子电路仿真软件的使用方法安排电子电路实验项目,讲解实验原理和方法4.3 电子电路的安装与调试讲解电子电路的安装工艺和注意事项介绍电子电路调试的方法和技巧第五章:现代电子技术应用与发展5.1 微电子技术及其应用介绍微电子技术的基本概念和特点讲解微电子技术在现代电子产品中的应用5.2 通信技术及其应用介绍通信技术的基本原理和分类讲解通信技术在现代通信系统中的应用5.3 嵌入式系统及其应用介绍嵌入式系统的基本概念和组成讲解嵌入式系统在现代工业中的应用第六章:传感器与信号检测6.1 传感器的基本原理与应用介绍传感器的作用和分类讲解常见传感器的原理及其在电子技术中的应用6.2 信号检测技术讲解信号检测的基本原理和方法介绍信号处理技术在电子技术中的应用6.3 传感器与信号检测实验安排传感器与信号检测实验项目讲解实验原理和操作方法第七章:电源技术与电子测量7.1 电源技术基础介绍电源的分类和基本原理讲解电源电路的设计和保护7.2 电子测量技术介绍电子测量的基本概念和方法讲解电子测量仪器仪表的使用和维护7.3 电源与电子测量实验安排电源与电子测量实验项目讲解实验原理和操作方法第八章:可编程逻辑器件与计算机8.1 可编程逻辑器件介绍可编程逻辑器件的分类和特点讲解可编程逻辑器件的设计和应用8.2 计算机硬件基础介绍计算机硬件系统的组成和功能讲解中央处理器(CPU)、存储器、输入输出设备等的基本原理和应用8.3 计算机软件与编程介绍计算机软件的分类和特点讲解计算机编程语言及其应用第九章:电子技术在工程应用中的案例分析9.1 电子技术在通信工程中的应用分析电子技术在通信系统、设备中的应用案例讲解通信工程中的关键技术及其解决方案9.2 电子技术在自动化控制中的应用分析电子技术在自动化控制系统中的应用案例讲解自动化控制工程中的关键技术及其解决方案9.3 电子技术在现代医疗设备中的应用分析电子技术在医疗设备中的应用案例讲解医疗电子工程中的关键技术及其解决方案第十章:电子技术的创新与发展趋势10.1 电子技术的创新与发展介绍电子技术在科研、产业等领域的创新成果分析电子技术的发展趋势和前景10.2 现代电子技术的应用领域讲解电子技术在物联网、大数据、等领域的应用10.3 电子技术的创新与产业发展探讨电子技术产业发展对经济社会的影响分析电子技术创新对人才培养的需求和挑战重点解析本文档是《电子技术基础》正式教案的完整版,共包含十个章节。

电子技术基础

电子技术基础
(1)正向特性:
图1-1二极管的伏安特性曲线①OA段:死区。
死区电压:硅管为05V,锗管为02V
②AB段:正向导通区。
导通电压:锗管为07V,硅管为03V。
(2)反向特性:
①OC段:反向截止区。
反向截止区的特点:
随反向电压增加,反向电流基本不变,电流值比较小。只有当温度升高时,反向电流才会增加。
(2)求交流放大系数时,取△IB=20μA,△IC=1 mA,则交流放大系数β=△IC/△IB=50。
(3)当基极IB=0时,对应集电极电流即为ICEO的值,根据三极管的输出特性,IB=0的曲线对应的集电极电流IC约为02 mA。
第一章半导体器件的基础知识
第二章二极管应用电路
第三章三极管基本放大电路
第四章负反馈放大器
第五章正弦波振荡器
第六章集成运算放大器
第七章功率放大器
第八章直流稳压电源
第九章晶闸管及应用电路
第十章逻辑门电路
第十一章数字逻辑基础
第十二章组合逻辑电路
第十三章集成触发器
第十四章时序逻辑电路
6 PN结:经过特殊的工艺加工,将P型半导体和N型半导体紧密地结合在一起,则在两种半导体的交界处就会出现一个特殊的接触面,称为PN结。
7 PN结内电场的方向:由N区指向P区。内电场将阻碍多数载流子的继续扩散,又称为阻档层或耗尽层。
8 PN结的反向击穿是指PN结两端外加的反向电压增加到一定值时,反向电流急剧增大,称为PN结的反向击穿。
半导体器件是各种电子线路的核心,晶体二极管和晶体三极管及场效应管是应用广泛的半导体器件之一,熟悉并掌握这些半导体器件的结构、特性及主要参数是本章的重点。

《电工技术与电子技术》教案

《电工技术与电子技术》教案

《电工技术与电子技术》教案第一章:电工技术基础1.1 电流、电压和电阻的概念电流:电荷的定向移动形成电流,单位是安培(A)。

电压:电路两点间的电势差,单位是伏特(V)。

电阻:阻碍电流流动的性质,单位是欧姆(Ω)。

1.2 电路的基本元件电源:提供电能的设备,如电池、发电机。

负载:消耗电能的设备,如灯泡、电动机。

导线:连接电源和负载,传输电能。

开关:控制电路通断的设备。

1.3 电路的两种状态通路:电流能够顺畅流动的状态。

开路:电流无法流动的状态,即电路中断。

第二章:电子技术基础2.1 电子和原子电子:原子核外的负电荷粒子。

原子:由原子核和核外电子组成,原子核由质子和中子组成。

2.2 半导体的性质导电性能:介于导体和绝缘体之间。

掺杂:向半导体中加入微量杂质,改变其导电性能。

PN结:P型半导体和N型半导体接触形成的结。

2.3 简单的电子电路放大电路:放大微弱信号的电路,如放大器。

整流电路:将交流电转换为直流电的电路,如整流器。

稳压电路:保持输出电压稳定的电路,如稳压器。

第三章:交流电路3.1 交流电的基本概念交流电:电流方向和大小周期性变化的电流。

频率:交流电周期性变化的次数,单位是赫兹(Hz)。

电压和电流的相位差:电压和电流波形之间的相位差。

3.2 交流电路的功率有功功率:电路中实际做功的功率,如灯泡发光产生的功率。

无功功率:电路中不做功的功率,如电容器和电感器消耗的功率。

视在功率:电路中总的功率,等于有功功率和无功功率的平方和的开方。

3.3 交流电路的测量和保护电压表和电流表:测量交流电路的电压和电流。

保护装置:如熔断器、漏电保护器,用于保护电路和人身安全。

第四章:磁路与变压器4.1 磁路的概念磁路:磁力线所通过的路径。

磁通量:磁场穿过磁路的磁力线数量。

磁阻:磁力线通过磁路时的阻碍程度。

4.2 变压器的基本原理变压器:通过电磁感应原理,改变交流电压的设备。

一次绕组和二次绕组:变压器的两个互相绝缘的绕组。

电子技术基础(于宝明)第二章 习题答案

电子技术基础(于宝明)第二章  习题答案

第二章习题2.1 既然BJT具有两个PN结,可否用两个二极管取代PN结并相联以构成一只BJT?试说明其理由。

答:不可以,因为BJT的两个PN结掺杂浓度、面积等制作工艺与二极管不同2.2 要使BJT具有放大作用,发射结和集电结的偏置电压应如何联接?答:集电极结反偏,发射结正偏2.3 一只NPN型BJT,具有e、b、c三个电极,能否将e、c两电极交换使用?为什么?答:不可以,因为为了吸收更多的电子,集电极面积大,为发射更多的电子发射极掺杂浓度高。

交换后,集电极发射电子的能力很低,三极管的放大能力降低。

2.4 为什么BJT的输出特性在V CE>1V以后是平坦的?又为什么说,BJT是电流控制器件?答:BJT的输出特性在V CE>1V以后因为发射极发射出来的所有电子都被集电极吸收,此时再增加集电极与发射极之间的电压,发射极也没有更多的电子向外发射了。

所以V CE>1V 以后的输出特性是平坦的。

由于基极的空穴被发射区来的电子中和,为了维持基区空穴的浓度不变,所以要向电源索取空穴,不断的向基区补充。

2.5 BJT的电流放大系数α、β是如何定义的,能否从共射极输出特性上求得β值,并算出α值?在整个输出特性上,β或α值是否均匀一致?答:β =I C/I B,α=I C/I E,在整个输出特性上,β或α值基本是均匀一致的。

2.6 在分析电路时,为什么要规定参考电位点和正方向?答:便于计算和进行相位分析2.7放大电路为什么要设置合适的Q点?在图中,设R b=300kΩ,R c=4kΩ,V CC=12V。

如果使I B=0μA或80μA,问电路能否正常工作?答:放大电路设置合适的Q点可以放大电路工作在放大区还可以使输出电压达到最大值。

R b=300kΩ,R c=4kΩ,V CC=12V。

如果使I B=0μA放大电路工作在截止区。

如果使I B= 80μA,I CMAX=V CC/R C=12/4=3mA β =I C/I B =3/0.08=37.5如果β<37 放大器可以工作在放大区。

《数字电子技术基础》课后习题答案

《数字电子技术基础》课后习题答案

《数字电子技术基础》课后习题答案《数字电路与逻辑设计》作业教材:《数字电子技术基础》(高等教育出版社,第2版,2012年第7次印刷)第一章:自测题:一、1、小规模集成电路,中规模集成电路,大规模集成电路,超大规模集成电路5、各位权系数之和,1799、01100101,01100101,01100110;11100101,10011010,10011011二、1、×8、√10、×三、1、A4、B练习题:1.3、解:(1) 十六进制转二进制: 4 5 C0100 0101 1100二进制转八进制:010 001 011 1002 13 4十六进制转十进制:(45C)16=4*162+5*161+12*160=(1116)10所以:(45C)16=(10001011100)2=(2134)8=(1116)10(2) 十六进制转二进制: 6 D E . C 80110 1101 1110 . 1100 1000二进制转八进制:011 011 011 110 . 110 010 0003 3 3 6 . 6 2十六进制转十进制:(6DE.C8)16=6*162+13*161+14*160+13*16-1+8*16-2=(1 758.78125)10所以:(6DE.C8)16=(011011011110. 11001000)2=(3336.62)8=(1758.78125)10(3) 十六进制转二进制:8 F E . F D1000 1111 1110. 1111 1101二进制转八进制:100 011 111 110 . 111111 0104 3 7 6 . 7 7 2十六进制转十进制:(8FE.FD)16=8*162+15*161+14*160+15*16-1+13*1 6-2=(2302.98828125)10所以:(8FE.FD)16=(100011111110.11111101)2=(4376.772)8=(2302.98828125)10(4) 十六进制转二进制:7 9 E . F D0111 1001 1110 . 1111 1101二进制转八进制:011 110 011 110 . 111 111 0103 6 3 6 . 7 7 2十六进制转十进制:(79E.FD)16=7*162+9*161+14*160+15*16-1+13*16 -2=(1950. 98828125)10所以:(8FE.FD)16=(011110011110.11111101)2=(3636.772)8=(1 950.98828125)101.5、解:(74)10 =(0111 0100)8421BCD=(1010 0111)余3BCD (45.36)10=(0100 0101.0011 0110)8421BCD=(0111 1000.0110 1001 )余3BCD(136.45)10=(0001 0011 0110.0100 0101)8421BCD=(0100 0110 1001.0111 1000 )余3BCD (374.51)10=(0011 0111 0100.0101 0001)8421BCD=(0110 1010 0111.1000 0100)余3BCD1.8、解(1)(+35)=(0 100011)原= (0 100011)补(2)(+56 )=(0 111000)原= (0 111000)补(3)(-26)=(1 11010)原= (1 11101)补(4)(-67)=(1 1000011)原= (1 1000110)补第二章:自测题:一、1、与运算、或运算、非运算3、代入规则、反演规则、对偶规则二、2、×4、×三、1、B3、D5、C练习题:2.2:(4)解:Y=AB̅+BD+DCE+A̅D=AB̅+BD+AD+A̅D+DCE=AB̅+BD+D+DCE=AB̅+D (B +1+CE ) =AB̅+D (8)解:Y =(A ̅+B ̅+C ̅)(D ̅+E ̅)̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅(A ̅+B ̅+C ̅+DE ) =[(A ̅+B ̅+C ̅)̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅+(D ̅+E ̅)̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅](A ̅+B ̅+C ̅+DE ) =(ABC +DE )(ABC ̅̅̅̅̅̅+DE ) =DE 2.3:(2)证明:左边=A +A ̅(B +C)̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅ =A +A ̅+(B +C)̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅=A +B̅C ̅ =右式所以等式成立(4)证明:左边= (A̅B +AB ̅)⨁C = (A̅B +AB ̅)C ̅+ (A ̅B +AB ̅)̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅C = (A ̅BC ̅+AB ̅C ̅)+A ̅B ̅̅̅̅⋅AB̅̅̅̅̅⋅C =A̅BC ̅+AB ̅C ̅+(A +B ̅)(A ̅+B )C =A̅BC ̅+AB ̅C ̅+(AB +A ̅B ̅)C =A̅BC ̅+AB ̅C ̅+ABC +A ̅B ̅C 右边= ABC +(A +B +C )AB ̅̅̅̅⋅BC ̅̅̅̅⋅CA̅̅̅̅ =ABC +(A +B +C )[(A̅+B ̅)(B ̅+C ̅)(C ̅+A ̅)] =ABC +(A +B +C )(A̅B ̅+A ̅C ̅+B ̅+B ̅C ̅)(C ̅+A ̅)=ABC +(A +B +C )(A̅B ̅C ̅+A ̅C ̅+B ̅C ̅+A ̅B ̅) =ABC +AB̅C ̅+A ̅BC ̅+A ̅B ̅C 左边=右边,所以等式成立 2.4(1)Y ′=(A +B ̅C ̅)(A ̅+BC) 2.5(3)Y ̅=A ̅B ̅(C ̅+D ̅)̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅ C ̅D ̅(A ̅+B ̅)̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅ 2.6:(1)Y =AB +AC +BC=AB (C +C̅)+AC (B +B ̅)+BC (A +A ̅) =ABC +ABC ̅+AB ̅C +A ̅BC 2.7:(1)Y =A ̅B ̅+B ̅C ̅+AC +B ̅C 卡诺图如下: B C A 00 0111100 1 1 1111所以,Y=B̅+AC2.8:(2)画卡诺图如下:B C A 0001 11 100 1 1 0 11 1 1 1 1Y(A,B,C)=A+B̅+C̅2.9:(1)画Y(A,B,C,D)=∑m(0,1,2,3,4,6,8)+∑d(10,11,12,13,14)如下:CDAB00 01 11 1000 1 1 1 101 1 111 ×××10 1 ××Y (A,B,C,D )=A̅B ̅+D ̅ 2.10:(3)解:化简最小项式: Y =AB +(A̅B +C ̅)(A ̅B ̅+C ) =AB +(A̅B A ̅B ̅+A ̅BC +A ̅B ̅C ̅+C ̅C ) =AB (C +C̅)+A ̅BC +A ̅B ̅C ̅ =ABC +ABC ̅+A ̅BC +A ̅B ̅C ̅ =∑m (0,3,6,7)最大项式:Y =∏M(1,2,4,5) 2.13:(3)Y =AB̅+BC ̅+AB ̅C ̅+ABC ̅D ̅ =AB̅(1+C ̅)+BC ̅(1+AD ̅) =AB̅+BC ̅ =AB̅+BC ̅̿̿̿̿̿̿̿̿̿̿̿̿ = AB̅̅̅̅̅∙BC ̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅技能题:2.16 解:设三种不同火灾探测器分别为A 、B 、C ,有信号时值为1,无信号时为0,根据题意,画卡诺图如下:B C A 00 01 11 10 0 0 0 1 0 1 0 1 1 1Y =AB +AC +BC=AB +AC +BC ̿̿̿̿̿̿̿̿̿̿̿̿̿̿̿̿̿̿̿=AB ̅̅̅̅⋅AC ̅̅̅̅⋅BC ̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅=(A ̅+B ̅)(A ̅+C ̅)(B ̅+C ̅)̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅=A ̅+B ̅̅̅̅̅̅̅̅̅+A ̅+C ̅̅̅̅̅̅̅̅̅+B ̅+C ̅̅̅̅̅̅̅̅̅第三章:自测题:一、1、饱和,截止7、接高电平,和有用输入端并接,悬空;二、1、√8、√;三、1、A4、D练习题:3.2、解:(a)因为接地电阻4.7k Ω,开门电阻3k Ω,R>R on ,相当于接入高电平1,所以Y =A ̅B ̅1̅̅̅̅̅̅=A +B +0=A +B(e) 因为接地电阻510Ω,关门电0.8k Ω,R<R off ,相当于接入高电平0,所以、Y =A +B +0̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅=A̅⋅B ̅∙1̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅=A +B +0=A +B3.4、解:(a) Y1=A+B+0̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅=A+B̅̅̅̅̅̅̅̅(c) Y3=A+B+1̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅=1̅=0(f) Y6=A⋅0+B⋅1̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅=B̅3.7、解:(a) Y1=A⨁B⋅C=(A̅B+AB̅)C=A̅BC+AB̅C3.8、解:输出高电平时,带负载的个数2020400===IHOHOH I I NG 可带20个同类反相器输出低电平时,带负载的个数78.1745.08===ILOLOL I I NG 反相器可带17个同类反相器3.12EN=1时,Y 1=A , Y 2=B ̅EN=0时,Y 1=A ̅, Y 2=B3.17根据题意,设A为具有否决权的股东,其余两位股东为B、C,画卡诺图如下,BCA00 01 11 100 0 0 0 01 0 1 1 1则表达结果Y的表达式为:Y=AB+AC=AB+AC̿̿̿̿̿̿̿̿̿̿̿̿=AB̅̅̅̅⋅AC̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅逻辑电路如下:技能题:3.20:解:根据题意,A、B、C、D变量的卡诺图如下:CD AB00 01 11 1000 0 0 0 001 0 0 0 011 0 1 1 110 0 0 0 0Y =ABC +ABD =ABC +ABD ̿̿̿̿̿̿̿̿̿̿̿̿̿̿̿̿=ABC ̅̅̅̅̅̅⋅ABD ̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅电路图如下:第四章:自测题:一、2、输入信号,优先级别最高的输入信号7、用以比较两组二进制数的大小或相等的电路,A>B 二、3、√4、√三、5、A7、C练习题:4.1;解:(a) Y =A⨁B +B ̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅=A ̅B +AB ̅+B ̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅=A ̅B +B ̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅̅=A ̅+B̅̅̅̅̅̅̅̅̅=AB ,所以电路为与门。

电子技术基础(张龙兴版)教案

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《电子技术基础(张龙兴版)全套教案》之第一至五章第一章:电子技术导论1.1 电子技术的定义与发展历程1.2 电子技术的基本组成部分1.3 电子技术的主要应用领域1.4 学习电子技术的方法与意义第二章:电子元件2.1 半导体器件的基本原理与特性2.2 晶体管的结构与类型2.3 电阻、电容、电感的作用与计算2.4 常用电子元件的识别与选用第三章:基本电路分析3.1 电路的基本概念与基本定律3.2 简单电阻电路的分析与计算3.3 交流电路的分析与计算3.4 电路仿真软件的使用与实践第四章:放大电路4.1 放大电路的基本原理与类型4.2 晶体管放大电路的设计与分析4.3 放大电路的频率响应与稳定性4.4 放大电路的应用实例第五章:数字电路基础5.1 数字电路的基本概念与逻辑门5.2 组合逻辑电路的设计与分析5.3 时序逻辑电路的设计与分析5.4 数字电路仿真与实践第六章:信号与系统6.1 信号的分类与特性6.2 系统的性质与分类6.3 信号的时域分析6.4 信号的频域分析第七章:模拟电子技术7.1 模拟电路的基本概念7.2 运算放大器的基本原理与应用7.3 滤波器的设计与分析7.4 模拟信号处理实例第八章:数字信号处理8.1 数字信号处理的基本概念8.2 数字滤波器的设计与分析8.3 快速傅里叶变换(FFT)8.4 数字信号处理在实际应用中的实例第九章:电子测量技术9.1 电子测量的基本概念与方法9.2 常用电子测量仪器与仪表9.3 测量误差与数据处理9.4 电子测量实验指导第十章:电子技术实验与实践10.1 电子技术实验的基本要求与流程10.2 常用实验仪器的使用与维护10.3 经典电子技术实验介绍第十一章:通信原理基础11.1 通信系统的概述11.2 模拟通信系统11.3 数字通信系统11.4 通信系统的性能评估第十二章:微电子技术与集成电路12.1 微电子技术概述12.2 集成电路的类型与设计12.3 半导体器件的封装与测试12.4 集成电路的应用实例第十三章:电源技术与电子负载13.1 电源技术的基本概念13.2 开关电源的设计与分析13.3 电子负载的设计与应用13.4 电源系统的测试与保护第十四章:嵌入式系统与微控制器14.1 嵌入式系统的基本概念14.2 微控制器的结构与工作原理14.3 嵌入式系统的编程与开发14.4 嵌入式系统的应用实例第十五章:电子技术在现代社会中的应用15.1 电子技术在通信领域的应用15.2 电子技术在计算机领域的应用15.3 电子技术在医疗领域的应用15.4 电子技术在交通领域的应用重点和难点解析第一章:电子技术导论重点:电子技术的定义与发展历程、电子技术的主要应用领域。

数字电子技术基础第三版第二章答案

数字电子技术基础第三版第二章答案

数字电子技术基础第三版第二章答案(总7页)--本页仅作为文档封面,使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--第二章逻辑门电路第一节重点与难点一、重点:1.TTL与非门外特性(1)电压传输特性及输入噪声容限:由电压传输特性曲线可以得出与非门的输出信号随输入信号的变化情况,同时还可以得出反映与非门抗干扰能力的参数U on、U off、U NH和U NL。

开门电平U ON是保证输出电平为最高低电平时输入高电平的最小值。

关门电平U OFF是保证输出电平为最小高电平时,所允许的输入低电平的最大值。

(2)输入特性:描述与非门对信号源的负载效应。

根据输入端电平的高低,与非门呈现出不同的负载效应,当输入端为低电平U IL时,与非门对信号源是灌电流负载,输入低电平电流I IL通常为1~。

当输入端为高电平U IH时,与非门对信号源呈现拉电流负载,输入高电平电流I IH通常小于50μA。

(3)输入负载特性:实际应用中,往往遇到在与非门输入端与地或信号源之间接入电阻的情况,电阻的取值不同,将影响相应输入端的电平取值。

当R≤关门电阻R OFF时,相应的输入端相当于输入低电平;当R≥?开门电阻R ON时,相应的输入端相当于输入高电平。

2.其它类型的TTL门电路(1)集电极开路与非门(OC门)多个TTL与非门输出端不能直接并联使用,实现线与功能。

而集电极开路与非门(OC门)输出端可以直接相连,实现线与的功能,它与普通的TTL与非门的差别在于用外接电阻代替复合管。

(2)三态门TSL三态门即保持推拉式输出级的优点,又能实现线与功能。

它的输出除了具有一般与非门的两种状态外,还具有高输出阻抗的第三个状态,称为高阻态,又称禁止态。

处于何种状态由使能端控制。

3.CMOS逻辑门电路CMOS反相器和CMOS传输门是CMOS逻辑门电路的最基本单元电路,由此可以构成各种CMOS逻辑电路。

当CMOS反相器处于稳态时,无论输出高电平还是低电平,两管中总有一管导通,一管截止,电源仅向反相器提供nA级电流,功耗非常小。

(完整word版)《电子技术基础》第五版课后答案

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第一章数字逻辑习题1.1数字电路与数字信号1。

1.2 图形代表的二进制数0101101001.1.4一周期性数字波形如图题所示,试计算:(1)周期;(2)频率;(3)占空比例MSB LSB0 1 2 11 12 (ms)解:因为图题所示为周期性数字波,所以两个相邻的上升沿之间持续的时间为周期,T=10ms频率为周期的倒数,f=1/T=1/0。

01s=100HZ占空比为高电平脉冲宽度与周期的百分比,q=1ms/10ms*100%=10%1。

2数制21.2。

2将下列十进制数转换为二进制数,八进制数和十六进制数(要求转换误差不大于4(2)127 (4)2.718解:(2)(127)D=72-1=(10000000)B-1=(1111111)B=(177)O=(7F)H(4)(2。

718)D=(10。

1011)B=(2。

54)O=(2.B)H1。

4二进制代码1.4.1将下列十进制数转换为8421BCD码:(1)43 (3)254.25解:(43)D=(01000011)BCD1。

4。

3试用十六进制写书下列字符繁荣ASCⅡ码的表示:P28(1)+ (2)@(3)you (4)43解:首先查出每个字符所对应的二进制表示的ASCⅡ码,然后将二进制码转换为十六进制数表示。

(1)“+"的ASCⅡ码为0101011,则(00101011)B=(2B)H(2)@的ASCⅡ码为1000000,(01000000)B=(40)H(3)you的ASCⅡ码为本1111001,1101111,1110101,对应的十六进制数分别为79,6F,75(4)43的ASCⅡ码为0110100,0110011,对应的十六紧张数分别为34,331。

6逻辑函数及其表示方法1。

6.1在图题1。

6。

1中,已知输入信号A,B`的波形,画出各门电路输出L的波形.解: (a)为与非, (b)为同或非,即异或第二章 逻辑代数 习题解答2.1.1 用真值表证明下列恒等式 (3)A B AB AB ⊕=+(A ⊕B )=AB+AB A B A B ⊕AB AB A B ⊕ AB +AB 0 0 0 1 0 1 1 0 1 1 0 0 0 0 1 0 1 0 0 0 0 11111由最右边2栏可知,A B ⊕与AB +AB 的真值表完全相同。

(完整word版)《电子技术基础》第五版课后答案

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(2)CS信号不能有两个或两个以上同时有效,否则两个不同的信号将在总线上发生冲突,即总线不能同时既为0又为1.
解:图解3.1.7所示电路中L1= ,L2= ,L3= ,L4实现与功能,即L4=L1 L2 L3,而L= ,所以输出逻辑表达式为L=
3.1.9图题3.1.9表示三态门作总线传输的示意图,图中n个三态门的输出接到数据传输总线,D1,D2,……Dn为数据输入端,CS1,CS2……CSn为片选信号输入端.试问:
= — =0.8V—0.4V=0.4V
同理分别求出逻辑门B和C的噪声容限分别为:
=1V
=0.4V
=1V
=0.6V
电路的噪声容限愈大,其抗干扰能力愈强,综合考虑选择逻辑门C
3.1.3根据表题3.1.3所列的三种门电路的技术参数,计算出它们的延时-功耗积,并确定哪一种逻辑门性能最好
表题3.1.3逻辑门电路的技术参数表
逻辑门A
1
1.216Biblioteka 逻辑门B56
8
逻辑门C
10
10
1
解:延时-功耗积为传输延长时间与功耗的乘积,即
DP=tpdPD
根据上式可以计算出各逻辑门的延时-功耗分别为
= = *16mw=17.6* J=17.6PJ
同理得出: =44PJ =10PJ,逻辑门的DP值愈小,表明它的特性愈好,所以逻辑门C的性能最好.
3.1.5为什么说74HC系列CMOS与非门在+5V电源工作时,输入端在以下四种接法下都属于逻辑0: (1)输入端接地; (2)输入端接低于1.5V的电源; (3)输入端接同类与非门的输出低电压0.1V; (4)输入端接10kΩ的电阻到地.
解:对于74HC系列CMOS门电路来说,输出和输入低电平的标准电压值为:

数字电子技术基础 第02章门电路习题解

数字电子技术基础 第02章门电路习题解

& & &
2.8
试比较TTL电路和CMOS电路的优、缺点。
解 CMOS门电路具有电路结构简单、功耗低、集成度高、抗 干扰能力强;工作速度较慢 TTL门电路工作速度快;功耗高、集成度较低、抗干扰能 力较弱
2.9 试说明下列各种门电路中哪些的输出端可以并联使用。 (1)具有推拉式输出级的TTL门电路; (2)TTL电路的OC门; (3)TTL电路的三态输出门; (4)普通的CMOS门: (5)漏极开路的CMOS门; (6)CMOS电路的三态输出门。
解:TTL输入标准值 UIH=2V (1)以基本TTL与非门为例,当输入端悬空时,T1和射极电流 iE1=0,集电极正偏,T2,T5饱和导通,相当于输入高电平情况,即 等效逻辑1 (2)uI>2V=UIH,所以为逻辑1 (3)uI>3.6V>2V=UIH,所以为逻辑1
2.4 指出图2.43中各门电路的输出是什么状态(高电平、低电平或高阻 态)。假定它们都是T1000系列的TTL门电路。 U & Y
逻辑门电路习题开关特性ttl门oc门综合mos21在图242所示各电路中当输入电压u分别为0v5v悬空时试计算输出电压u010202051102v假设成立u50751084ma1007200535maibsc10032300162mabsct饱和导通10v假设成立uuiuo2k3020k51k20k51k07v5v10va121010202051102v假设成立u50751084ma1007200535maibsc10032300162mabsct饱和导通10v假设成立uuiuo2k18k47k20k51k07v5v10vb122为什么说ttl与非门输入端在以下三种接法时在逻辑上都属于输入为0

《电子技术基础》数字部分第五版课后答案

《电子技术基础》数字部分第五版课后答案

第一章数字逻辑习题1.1数字电路与数字信号1.1.2图形代表的二进制数0101101001.1.4一周期性数字波形如图题所示,试计算:(1)周期;(2)频率;(3)占空比例MSB LSB0121112(ms)解:因为图题所示为周期性数字波,所以两个相邻的上升沿之间持续的时间为周期,T=10ms 频率为周期的倒数,f=1/T=1/0.01s=100HZ占空比为高电平脉冲宽度与周期的百分比,q=1ms/10ms*100%=10%1.2数制2−1.2.2将下列十进制数转换为二进制数,八进制数和十六进制数(要求转换误差不大于4(2)127(4)2.718解:(2)(127)D=72-1=(10000000)B-1=(1111111)B=(177)O=(7F)H(4)(2.718)D=(10.1011)B=(2.54)O=(2.B)H1.4二进制代码1.4.1将下列十进制数转换为8421BCD码:(1)43(3)254.25解:(43)D=(01000011)BCD1.4.3试用十六进制写书下列字符繁荣ASCⅡ码的表示:P28(1)+(2)@(3)you(4)43解:首先查出每个字符所对应的二进制表示的ASCⅡ码,然后将二进制码转换为十六进制数表示。

(1)“+”的ASCⅡ码为0101011,则(00101011)B=(2B)H(2)@的ASCⅡ码为1000000,(01000000)B=(40)H(3)you的ASCⅡ码为本1111001,1101111,1110101,对应的十六进制数分别为79,6F,75(4)43的ASCⅡ码为0110100,0110011,对应的十六紧张数分别为34,331.6逻辑函数及其表示方法1.6.1在图题1.6.1中,已知输入信号A,B`的波形,画出各门电路输出L的波形。

解:(a)为与非,(b)为同或非,即异或第二章逻辑代数习题解答2.1.1用真值表证明下列恒等式(3)A B AB AB ⊕=+(A⊕B)=AB+AB 解:真值表如下A B A B⊕ABAB A B⊕AB +AB00010110110000101000011111由最右边2栏可知,A B ⊕与AB +AB 的真值表完全相同。

电子技术基础

电子技术基础
性。 A——PNP锗材料,B——NPN锗材料, C——PNP硅材料,D——NPN硅材料。
第三部分是用拼音字母表示管子的类型。
三极管型号的读识
3
A
G 54
三极管 NP锗材料 高频小功率 序号
X——低频小功率管,G ——高频小功率管 ,
D——低频大功率管,A ——高频大功率管。
A
规格号
第四部分用数字表示器件的序号。 第五部分用拼音字母表示规格号。
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第二章 晶体三极管及基本放大电路
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中等职业教育国家规划教材
HEP
3.三种基本放大电路的比较
《电子技术基础》教学演示文稿
陈振源主编
共集电极放大电路
共基极放大电路
(1)共发射极放大电路的电压、电流、功率放大倍数都较大,所以应用在多
间的最大允许电压。若管子的VCE超过V(BR)CEO,会引起电击穿导致管子损坏。
第二章 晶体三极管及基本放大电路
12
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中等职业教育国家规划教材 HEP
《电子技术基础》教学演示文稿
陈振源主编
五、三极管引脚与管型的判别
(1)先确定b极 (2)判断e极、c极
集—基反向饱和电流ICBO 它是指三极管发射极开路时,流过集电结的反
向漏电电流。ICBO大的三极管工作的稳定性较差。
ICBO测量电路
ICEO测量电路
集—射反向饱和电流ICEO 它是指三极管的基极开路,集电极与发射极之
间加上一定电压时的集电极电流。ICEO是ICBO的(1+β)倍,所以它受温度影响不可 忽视。
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DATE: 2019/1/5
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一、常用电子器件-电感器
电感器简称电感,用符号L表示,通常是将绝缘的 导线在绝缘的骨架上绕一定的圈数制成。 电感器和电容器一样,也是一种储能元件,它能把 电能转变为磁场能,并在磁场中储存能量。
DATE: 2019/1/5
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一、常用电子器件-电感器
DATE: 2019/1/5
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一、常用电子器件-三极管
三极管简称晶体管,在电路中常用“Q”加数字表示,如 Q7表示编号为7的三极管。 晶体管最基本的作用是放大作用,它把电源的能量转换 成信号的能量,从而可以把微弱的电信号变成一定强度 的信号。当晶体管的基极上加一个微小的电流时,在集 电极上可以得到一个是注入电流β倍的电流,即集电极 电流。集电极电流随基极电流的变化而变化,并且基极 电流很小的变化可以引起集电极电流很大的变化,这就 是晶体管的放大作用。
DATE: 2019/1/5
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一、常用电子器件-电容器
由于电容有“通交流,隔直流”的作用,因此在电子电路中用作 耦合、旁路、滤波等。小容量的电容,通常在高频电路中使用,用 于通过交流信号而阻隔直流信号。大容量的电容往往是作滤波和存 储电荷使用。 电容的基本单位为法拉 (F) 。常用的电容单位有微法(μF)、纳法 (nF)和皮法(pF)等,它们的关系是:1法拉(F)= 1000000微法(μF) 1 微法(μF)= 1000纳法 (nF)= 1000000 皮法 (pF)。一般 1μF以上的 电容均为电解电容,而1μF以下的电容多为瓷片电容。 在瓷片电容上经常看到103,224等这样的标注。它的容量应为前两 位 读 数 后 加 上 第 3 位 数 字 表 示 的 “ 0 ” 的 个 数 。 103=10*1000=10000pF=0.01μF,224=22*10000=220000pF=0.22μF ,因此103是0.01uF, 104是0.1uF,而224是0.22uF。 电解电容有正负极的区分。负极通常在圆周上 以一窄条与其他部分明显不同的颜色标识。
DATE: 2019/1/5
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一、常用电子器件-电源
独立电源是二端元件,有电压源和电流源两种。实际电 压源模型是由理想电压源和内阻串联而成,实际电流源 模型是由理想电流源池常见参数 。 电池的容量指的是容纳多少电量,用放电电流和放电时
电感基本单位是亨利(H),常用毫亨(mH)和微亨(μH)。 1H=103mH=106uH。电感的感抗单位也为Ω(欧姆)。 电感具有阻交流、通直流的特性,且其感抗随着信号频率 的增加而变大。电感在电路中主要起谐振、耦合、延迟、 滤波、扼流抗干扰等作用。 电感常和电容一起工作,构成LC滤波器、LC振荡器。另外 利用电感的特性,制造扼流圈、变压器、继电器等。
DATE: 2019/1/5
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一、常用电子器件-二极管
二极管是具有单向导电特性的元器件,在正向电压的作 用下,导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极 大或无穷大。在电路中用“D”加数字表示。
利用二极管的单向导电性和反向击穿特性,可以构成整 流、稳压等各种功能电路。点接触型二极管的工作频率 高,不能承受较高的电压和通过较大的电流,多用于检 波、小电流整流或高频开关电路。面接触型二极管的工 作电流和能承受的功率都较大,但适用的频率较低,多 用于整流、稳压、低频开关电路等方面。
例如若5色环颜色依次为:红黑黑橙金,那么阻值应为200乘以1000, 即200KΩ,且允许误差为±5%。
DATE: 2019/1/5 PAGE: 4
一、常用电子器件-电容器
电容器是由两片平行金属板,其间填充绝缘介质( 如云母、绝缘纸、空气等)而构成的器件。 电容分为容量固定的与容量可变的。常见的是固定 容量的电容,其中电解电容和瓷片电容最为常见。
DATE: 2019/1/5
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一、常用电子器件-电阻
电阻的阻值和允许偏差的标注通常采用5色环标法,其中前3个色环标 示电阻的有效数,第4位代表倍乘数,第5位代表允许误差(通常为金 5%银10%棕1%)。 电阻色环表记忆口决:棕一红二橙是三,四黄五绿六为蓝,七紫八灰 九对白,黑是零,金五银十表误差。
单片机原理及应用
(第二章 电子技术基础)
教学内容
常用电子元器件 集成电路
数字电路
DATE: 2019/1/5
PAGE: 2
一、常用电子器件-电阻
电阻器主要用于控制和调节电路中的电流和电压,或 用作消耗电能的负载。 电阻的单位是欧姆Ω(简称为欧),其它常用单位还 有千欧(kΩ),兆欧(MΩ)。 电阻通常分为固定电阻,可变电阻,特种电阻三大类
间的乘积表示。例如容量为 500mAh 的电池,是指该电池 用500mA的电流放电,能使用1个小时。
DATE: 2019/1/5
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二、集成电路
集成电路是一种采用特殊工艺,将晶体管、电阻、电容 等元件集成在硅基片上而形成的具有一定功能的器件, 英文缩写为IC。
TTL 集成电路由晶体管为基础构成 , 使用 5V 的电压,逻辑 “0”输出电压小于等于 0.2V ,逻辑“1”输出电压约为 3V。 CMOS 集成电路由 MOS 型场效应管为基础构成 , 工作电压范 围为 3-18V ,不必像 TTL 集成电路那样要用确定的 5V 电压 。CMOS集成电路的输入阻抗很高,能耗很低。
DATE: 2019/1/5
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一、常用电子器件-场效应晶体管
场效应管是较新型的半导体材料,利用电场效应来控制晶 体管的电流。它的外型也是一个三极管,因此又称场效应 三极管。
场效应管是电压控制元件,由输入端电压控制输出电流 的大小,输入电阻很大,可达 109 ~ 1014Ω。和普通晶体 管比较,场效应管的源极、漏极和栅极相当于普通晶体 管的发射极、集电极和基极,两者的放大电路也类似。 由于场效应管具有制造工艺简单、占用芯片面积小、器 件特性便于控制等特点,从而可以用于制造高密度超大 规模集成电路。
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