分享一个比较经典MOS管驱动电路

功率mos管工作原理与几种常见驱动电路图

功率mos管工作原理与几种常见驱动电路图
功率MOSFET的工作原理
截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。

P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。

导电：在栅源极间加正电压UGS，栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流过。

但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子电子吸引到栅极下面的P区表面当UGS大于UT(开启电压或阈值电压)时，栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度，使P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电。

几种MOSFET驱动电路介绍及分析
一. 不隔离的互补驱动电路
图7(a)为常用的小功率驱动电路，简单可靠成本低。

适用于不要求隔离的小功率开关设备。

图7(b)所示驱动电路开关速度很快，驱动能力强，为防止两个MOSFET管直通，通常串接一个0.5～1小电阻用于限流，该电路适用于不要求隔离的中功率开关设备。

这两种电路特点是结构简单。

功率MOSFET属于电压型控制器件，只要栅极和源极之间施加的电压超过其阀值电压就会导通。

由于MOSFET存在结电容，关断时其漏源两端电压的突然上升将会通过结电容在栅源两端产生干扰电压。

常用的互补驱动电路的关断回路阻抗小，关断速度较快，但它不能提供负压，故抗干扰性较差。

为了提高电路的抗干扰性，可在此种驱动电路的基础上增加一级有V1、V2、R组成的电路，产生一个负压，电路原理图如图8所示。

当V1导通时，V2关断，两个MOSFET中的上管的栅、源极放电，下管的栅、源极充电，即上管关断，下管导通，则被驱动的功率管关断;反之V1关断时，V2导通，上管导通，。

mos管驱动的全桥电路原理

mos管驱动的全桥电路原理全桥电路是一种常用的电力电子转换电路，可以实现电压、电流的变换和控制。

在全桥电路中，MOS管是常用的开关元件。

本文将详细介绍mos管驱动的全桥电路原理。

全桥电路由四个MOS管组成，分别是上侧的两个开关管和下侧的两个开关管。

这四个MOS管可以分别控制电流的通断，通过合理的控制，可以实现对电压和电流的精确控制。

在全桥电路中，MOS管的驱动是至关重要的。

驱动电路的设计和实现可以有效地提高全桥电路的效率和性能。

我们来了解一下MOS管的基本原理。

MOS管是一种金属氧化物半导体场效应管，由源极、漏极和栅极组成。

当栅极与源极之间的电压达到一定阈值时，MOS管就会导通，形成一条通路，电流可以流过。

在全桥电路中，MOS管的驱动电路通常采用半桥驱动或全桥驱动。

半桥驱动只需两个驱动信号，可以实现两个MOS管的控制，而全桥驱动则需要四个驱动信号，可以同时控制四个MOS管。

半桥驱动的原理是通过两个晶体管和两个电阻器组成的电路，通过控制晶体管的导通和截止，来实现对两个MOS管的控制。

当晶体管导通时，相应的MOS管导通，反之，MOS管截止。

通过调整晶体管的导通时间和截止时间，可以控制MOS管的导通和截止，从而实现对电流和电压的控制。

全桥驱动则采用更加复杂的电路设计。

它由四个晶体管和四个电阻器组成，每个MOS管都与一个晶体管和一个电阻器相连。

通过调整晶体管的导通时间和截止时间，可以实现对四个MOS管的分别控制。

全桥驱动可以实现更加精确的控制，提高电路的稳定性和效率。

在mos管驱动的全桥电路中，还需要考虑保护电路的设计。

由于MOS管是一种敏感的元件，容易受到过电压、过电流等因素的影响，因此需要设计相应的保护电路，以保证电路的安全和稳定运行。

mos管驱动的全桥电路是一种常用的电力电子转换电路，通过合理的驱动设计和实现，可以实现对电压和电流的精确控制。

在实际应用中，还需要考虑保护电路的设计，以确保电路的安全和稳定运行。

一种利用并联mos管控制的驱动电路的制作方法

一种利用并联mos管控制的驱动电路的制作方法一种利用并联mos管控制的驱动电路的制作方法，包括以下步骤：
1. 在第一节点和第三节点之间设置第三导线。

2. 在第三导线上串联第一控制电阻，将第一控制电阻与栅极和源极形成并联关系，以放掉由于米勒效应导致mos管漏极充给栅极的漏极电荷，从而直接避免整个驱动电路门极电压升高，防止mos管误导通。

3. 在第二节点和第四节点之间设置第四导线。

4. 在第四导线上串联瞬态二极管，从而将瞬态二极管与源极和地之间形成并联关系，以吸收由于开关切换产生的瞬态电压，防止mos管被击穿。

以上步骤仅供参考，建议咨询专业人士获取更准确的信息。

工作中常用的几个mos管驱动电路

工作中常用的几个mos管驱动电路常用的几个MOS管驱动电路MOS管是一种常用的电子元件，广泛应用于各个领域的电路中。

在工作中，我们经常会用到一些与MOS管相关的驱动电路，以确保MOS管能够正常工作。

本文将介绍几个常用的MOS管驱动电路。

1. 单级MOS管驱动电路单级MOS管驱动电路是一种简单但有效的驱动电路。

它由一个MOS管和一个电阻组成。

通过控制输入信号的电压，可以控制MOS 管的导通和截止，从而控制输出电压的高低。

这种驱动电路适用于一些简单的应用场景，如LED灯的驱动等。

2. 双级MOS管驱动电路双级MOS管驱动电路是一种更复杂但更稳定的驱动电路。

它由两个MOS管和一些电阻、电容等元件组成。

其中一个MOS管负责放大输入信号，另一个MOS管负责输出信号的驱动。

这种驱动电路具有较高的驱动能力和稳定性，适用于一些要求较高的应用场景，如电机驱动、功率放大等。

3. 高侧驱动电路高侧驱动电路是一种特殊的MOS管驱动电路，用于控制MOS管的源极电压。

由于MOS管的源极电压与驱动信号的电压之间存在差异，因此需要采用一些特殊的电路来实现高侧驱动。

常见的高侧驱动电路包括级联电阻和电容、反相器等。

这种驱动电路适用于一些对源极电压控制要求较高的应用场景，如电源开关、电动汽车驱动等。

4. 低侧驱动电路低侧驱动电路是一种常见的MOS管驱动电路，用于控制MOS管的漏极电压。

它通常由一个MOS管和一个电阻组成，通过控制输入信号的电压，可以控制MOS管的导通和截止，从而控制输出信号的高低。

低侧驱动电路适用于一些对漏极电压控制要求较高的应用场景，如LED驱动、电机控制等。

总结：在工作中，我们经常会用到一些与MOS管相关的驱动电路。

本文介绍了几个常用的MOS管驱动电路，包括单级驱动电路、双级驱动电路、高侧驱动电路和低侧驱动电路。

这些驱动电路都有各自的特点和适用场景，可以根据具体的需求选择合适的驱动电路。

通过合理使用这些驱动电路，可以确保MOS管能够正常工作，提高电路的性能和稳定性。

分享一个比较经典的MOS管驱动电路

问题提出：现在的MOS驱动，有几个特别的需求，1，低压应用当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V 左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有4.3V。

这时候，我们选用标称gate电压4.5V的MOS管就存在一定的风险。

同样的问题也发生在使用3V或者其他低压电源的场合。

2，宽电压应用输入电压并不是一个固定值，它会随着时间或者其他因素而变动。

这个变动导致PWM电路提供给MOS管的驱动电压是不稳定的。

为了让MOS管在高gate电压下安全，很多MOS管内置了稳压管强行限制gate 电压的幅值。

在这种情况下，当提供的驱动电压超过稳压管的电压，就会引起较大的静态功耗。

同时，如果简单的用电阻分压的原理降低gate电压，就会出现输入电压比较高的时候，MOS管工作良好，而输入电压降低的时候gate电压不足，引起导通不够彻底，从而增加功耗。

3，双电压应用在一些控制电路中，逻辑部分使用典型的5V或者3.3V数字电压，而功率部分使用12V甚至更高的电压。

两个电压采用共地方式连接。

这就提出一个要求，需要使用一个电路，让低压侧能够有效的控制高压侧的MOS 管，同时高压侧的MOS管也同样会面对1和2中提到的问题。

在这三种情况下，图腾柱结构无法满足输出要求，而很多现成的MOS驱动IC，似乎也没有包含gate电压限制的结构。

于是我设计了一个相对通用的电路来满足这三种需求。

电路图如下：图1 用于NMOS的驱动电路图2 用于PMOS的驱动电路这里我只针对NMOS驱动电路做一个简单分析：Vl和Vh分别是低端和高端的电源，两个电压可以是相同的，但是Vl不应该超过Vh。

Q1和Q2组成了一个反置的图腾柱，用来实现隔离，同时确保两只驱动管Q3和Q4不会同时导通。

R2和R3提供了PWM电压基准，通过改变这个基准，可以让电路工作在PWM信号波形比较陡直的位置。

Q3和Q4用来提供驱动电流，由于导通的时候，Q3和Q4相对Vh和GND最低都只有一个Vce的压降，这个压降通常只有0.3V左右，大大低于0.7V的Vce。

MOS管驱动电路总结

MOS管驱动电路总结MOS（金属氧化物半导体）管驱动电路是一种常见的功率电子器件，用于驱动高功率负载或控制功率器件的开关。

它通过电路中的MOS管（也称为MOSFET）来实现开关效果。

MOSFET驱动电路的设计与应用具有重要意义，下面是对MOS管驱动电路的总结。

一、MOS管的基本原理MOS管是一种具有与传统晶体管相似结构的半导体器件。

它的核心部分是氧化层上的金属层和半导体基区。

MOS管通过改变基区和导通层之间的电阻来实现开关效果。

MOS管具有低输入电阻、高输入阻抗、快速开关速度和较低的功耗等优势。

二、MOS管的驱动方式1.直流驱动：直流驱动方式是最简单的方式，只需将DC信号连接到MOS管的栅极，使其在正常工作区域内工作。

直流驱动方式适用于低频应用。

2.求幅驱动：幅度驱动方式是通过向MOS管的栅极施加一个脉宽调制信号来控制其导通和关闭状态。

脉宽调制信号的幅度决定了MOS管的开启程度，从而控制输出信号的幅度。

求幅驱动方式适用于一些需要调整信号幅度的应用。

3.双电源驱动：双电源驱动方式使用两个电源分别给MOS管的源极和栅极提供电压。

这种驱动方式可以保持MOS管在稳态工作区域内，避免其处于截止区或饱和区，从而提高工作效率。

三、MOS管驱动电路的设计要点1.选择适当的驱动电路结构和元件：常见的MOS管驱动电路结构包括共射极结构、共源结构和H桥结构。

不同结构适用于不同的应用场景。

此外，还需选择合适的电阻、电容和二极管等元件。

2.考虑驱动电源和信号电源的匹配：驱动电路的电源电压应与MOS管的额定电压匹配，以确保稳定可靠的工作。

此外，还需注意输入信号的频率和幅度与驱动电路的匹配性。

3.保护电路的设计：由于MOS管具有较高的功率特性，对驱动电路的保护显得尤为重要。

常见的保护电路包括过流保护、过温保护、过压保护和短路保护等。

4.电流放大器的设计：为了提高MOS管的驱动能力，通常需要使用电流放大器来增大输出电流，从而驱动更大的负载。

单片机驱动mos管电路

单片机驱动mos管电路
单片机(MCU)驱动MOS管电路是一种通过单片机控制MOS管工作的电路。

MOS管是一种可控硅晶体管，具有高电阻性和低功耗优势。

它可以用来控制电流和电压，并用于驱动电机、控制继电器和其他电气设备。

MCU驱动MOS管电路的工作原理是通过单片机的控制脚来控制MOS管的工作状态。

当单片机的控制脚输出高电平信号时，MOS 管就会导通，使得电流流过MOS管，驱动电机或其他设备工作。

当单片机的控制脚输出低电平信号时，MOS管就会断开，使得电流不流过MOS管，电机或其他设备停止工作。

在MCU驱动MOS管电路中, MOS管通常需要配合其他元器件使用，如电阻、电容、反相器等。

这些元器件的选择和配置对于电路的稳定性和性能有很大的影响。

此外, 在设计MCU驱动MOS管电路时，需要考虑电流、电压、功率、热效应等各种因素，以确保电路的安全性和可靠性。

同时, 在使用过程中需要注意电路的温度、电压、电流等参数的变化，及时采取措施确保电路的正常工作。

总之，MCU驱动MOS管电路是一种简单可靠的电路，能够有效控制电气设备的工作状态。

但在设计和使用过程中需要注意多种因素，确保电路的安全性和可靠性。

1 / 1。

mos管自举驱动电路

mos管自举驱动电路自举驱动电路（Bootstrap Driver Circuit）是一种用于驱动功率MOSFET的电路。

它通常用于桥式逆变器、升压转换器等需要高速开关的电路中。

自举驱动电路利用了MOSFET的电容特性，在驱动信号周期性变化时，通过电容的充放电过程来提供所需的驱动电压。

这样可以在驱动信号频率较高的情况下保持驱动电路的工作稳定性。

自举驱动电路通常由一个高侧驱动电路和一个低侧驱动电路组成。

高侧驱动电路用于驱动高侧MOSFET的栅极，低侧驱动电路用于驱动低侧MOSFET的栅极。

在每个驱动电路中，一个功率MOSFET的栅极连接到一个NPN晶体管的集电极上，而NPN晶体管的发射极则连接到VCC电压。

此外，在高侧驱动电路中，MOSFET的源极还连接到一个电容上。

具体工作原理如下：1. 初始时刻，高侧驱动电路中的电容充满了电压VCC。

低侧驱动电路中的电容充满了电压VCC-Vin，其中Vin为低侧驱动信号。

2. 当低侧驱动信号变为高电平时，低侧的NPN晶体管导通，将低侧MOSFET的栅极拉低，使其导通。

3. 由于低侧MOSFET导通，电感中的电流开始增加。

4. 由于高侧MOSFET导通，电容开始放电，驱动电压逐渐下降。

5. 当驱动电压下降到一定程度时，高侧MOSFET将关闭，电容停止放电。

6. 当低侧驱动信号变为低电平时，低侧的NPN晶体管截止，低侧MOSFET断开。

7. 由于高侧MOSFET断开，电容开始充电，驱动电压逐渐增加。

8. 重复上述步骤，实现对功率MOSFET的高速开关。

自举驱动电路可以提供较高的驱动电压，从而减小MOSFET 的导通电阻，提高开关速度。

它具有结构简单、效率高、成本低等优点，在多种应用中得到了广泛应用。

经典mos管应用电路

问题：此电路为什么会烧坏Mos管？
经典分析
此电路是一个非常经典的小电流MOS管驱动电路，但LZ将之移到大电流应用上，水土不服，出了点小问题。

1. 烧MOS管不是由于Q41没有饱和所致，而是由于驱动电流不足，驱动大功率MOS管时（由于其栅极电容的存在），无法快速对其栅极电容充电，引起栅极电压上升缓慢，切换功耗大大增大，引起烧MOS管。

2.D41不能省，一般MOS管的栅极极限电压为15-16V, 此稳压管起保护MOS管作用，防止过高电压（本电路去掉R42时可高达+30V !）对MOS管的栅极冲击引起击穿损坏。

3. R42不能省，起到限制光耦最大输出电流，及对IN4744A的限流作用。

由于光耦的最大输出电流一般较小，过份减小R42加大光耦输出电流，易引起光耦加速老化及损坏，因此，比较好的方法是在光耦输出端用NPN三极管加一级射极跟随器, 放大输出驱动电流。

另外，可在R45上并联一只几十至百皮皮法的小电容，起加速MOS管的饱和。

4. R43不能大幅增加，一般加大到10K为上限，其原因在于，当MOS管关断时，储存一定驱动电压的栅极电容通过R43放电，最终将MOS管关断，如R43太大，MOS管关断时间增加，关断速度减慢，引起关断时的切换功耗大大增大，引起烧MOS管。

当然，最好的方法是在栅极加负压，加速MOS管关断，但这样成本会高些。

单片机驱动mos管电路

单片机驱动mos管电路单片机（Microcontroller）现在已经应用于各种电子产品，其中一种最常见的部件就是MOS管。

MOS管电路可以进行非常复杂的数字和模拟计算，同时具有非常低的功耗。

然而，MOS管是一种非常复杂的组件，需要一种复杂的控制技术来驱动它。

这正是单片机的优势所在，它可以实现所需的驱动功能，从而为MOS管提供更精确的控制。

MOS管电路的基本原理是，在一个特定的电路中，当一个电流通过某一个MOS管的控制端时，MOS管将电流值稳定调整到电路中另一个部分，从而实现电路的控制功能。

这种电路通常使用MOS管来作为自动波补偿运放（OPA），或作为其他复杂的网络工作。

在实际应用中，MOS管电路往往需要精确地控制每一个MOS管的控制端，以实现对电路的控制。

这就需要一种能够快速处理多个MOS 管控制端电平的驱动技术。

而这正是单片机技术可以提供的。

单片机控制的MOS管电路具有许多优势。

首先，单片机可以提供快速的处理能力，可以实现对MOS管控制端电平的实时改变，从而使得电路可以做出更精确的控制。

其次，单片机对MOS管电路提供了非常高的精确性，可以进行更复杂的操作，从而实现更复杂的功能。

最后，单片机比传统的控制技术可以提供更低的功耗，从而可以有效提高电路的可靠性。

在实际应用中，单片机控制的MOS管电路广泛应用于各种电子设备中，例如数据转换器、网络控制器等，用于实现对电路的控制和操作。

同时，单片机驱动的MOS管电路在家用电器、汽车电子产品、通信和网络、办公设备、安防设备等方面也有着广泛的应用。

单片机驱动MOS管电路可以为电子系统提供更高的控制精度，更高的可靠性，更低的功耗，从而更好地满足用户的需求。

综上所述，单片机驱动的MOS管电路可以提供更高的控制精度、更高的可靠性、更低的功耗，并且可以应用于各种电子设备中，可以更好地满足用户的需求。

因此，单片机驱动的MOS管电路具有重要的意义，将给世界电子行业带来新的发展机遇。

工作中常用的几个mos管驱动电路

工作中常用的几个mos管驱动电路常用的几个MOS管驱动电路MOS管驱动电路是一种常见的电路设计，用于控制MOS管的开关动作。

它们在各种电子设备和系统中起着重要的作用。

本文将介绍几种常用的MOS管驱动电路，包括共源极驱动电路、共漏极驱动电路和双MOS管驱动电路。

1. 共源极驱动电路共源极驱动电路是一种简单且常用的MOS管驱动电路。

它的基本原理是通过一个NPN晶体管来驱动MOS管的栅极电压。

在这个电路中，输入信号通过一个电阻分压电路到达基极，然后通过NPN晶体管放大，最后驱动MOS管的栅极。

这种电路具有输出电流大、驱动能力强的优点，适用于需要高电流驱动的场合。

2. 共漏极驱动电路共漏极驱动电路是另一种常用的MOS管驱动电路。

它的基本原理是通过一个PNP晶体管来驱动MOS管的源极电压。

在这个电路中，输入信号通过一个电阻分压电路到达基极，然后通过PNP晶体管放大，最后驱动MOS管的源极。

这种电路具有输出电压高、驱动能力强的优点，适用于需要高电压驱动的场合。

3. 双MOS管驱动电路双MOS管驱动电路是一种更为复杂但更为灵活的MOS管驱动电路。

它由两个MOS管组成，一个用于驱动另一个。

其中一个MOS管作为驱动管，控制另一个MOS管的导通和截止。

这种电路可以实现高速切换和低功耗的特点，适用于需要快速响应和高效率的场合。

总结：MOS管驱动电路是一种常用的电路设计，用于控制MOS管的开关动作。

常见的几种MOS管驱动电路包括共源极驱动电路、共漏极驱动电路和双MOS管驱动电路。

它们分别具有不同的优点和适用场合。

在实际应用中，根据具体需求选择合适的驱动电路可以提高系统的性能和可靠性。

mos管的驱动电路设计ir2104

mos管的驱动电路设计ir2104
IR2104是一款由Infineon T echnologies公司生产的mos管驱动器集成电路，适用于开关电源和驱动大型mosfet的应用。

以下是一种基本的IR2104驱动电路设计，用于驱动一个N沟道mosfet：
1. 电源电压：
IR2104的工作电源电压范围为10V到20V。

选择一个适合的电源电压。

2. 输入端：
IR2104有两个输入端：HIN（High-Side Input）和LIN（Low-Side Input）。

将HIN接地，将LIN连接到一个适当的输入信号源，例如微控制器的数字输出引脚。

3. 驱动电压：
IR2104通过VBAT引脚提供驱动电压给mosfet的门极。

通常，mosfet的门极电压取决于所使用的mosfet的VGS（Gate-to-Source Voltage）特性曲线。

使用一个适当的电阻分压电路将VBAT与GND连接，以设置所需的驱动电压。

4. mosfet的输出电流测量：
IR2104具有一个驱动输出（HO）和一个反相驱动输出（LO）。

它们分别连接到mosfet的上源和下源端。

为了测量mosfet的输出电流，可以使用一个电流传感器来测量这两个输出之间的电流差异，例如霍尔效应电流传感器。

5. 辅助组件：
为了确保IR2104的工作稳定性，还需要添加适当的陶瓷电容和电源去耦电容来滤除噪声。

请注意，上述电路仅用于基本指导。

在设计实际驱动电路时，请注意考虑所用mosfet的电压、电流和功率特性，以确保整个驱动电路的安全和可靠性。

此外，在设计和布局电路板时，请遵循相关的安全和EMC规范。

电源设计经验之MOS管驱动电路篇

电源设计经验之MOS管驱动电路篇MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源中。

MOSFET的驱动常根据电源IC和MOSFET的参数选择合适的电路。

下面一起探讨MOSFET用于开关电源的驱动电路。

在使用MOSFET设计开关电源时，大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。

但很多时候也仅仅考虑了这些因素，这样的电路也许可以正常工作，但并不是一个好的设计方案。

更细致的，MOSFET还应考虑本身寄生的参数。

对一个确定的MOSFET，其驱动电路，驱动脚输出的峰值电流，上升速率等，都会影响MOSFET的开关性能。

当电源IC与MOS管选定之后，选择合适的驱动电路来连接电源IC与MOS管就显得尤其重要了。

一个好的MOSFET驱动电路有以下几点要求：（1）开关管开通瞬时，驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值，保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。

（2）开关导通期间驱动电路能保证MOSFET栅源极间电压保持稳定且可靠导通。

（3）关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压的快速泄放，保证开关管能快速关断。

（4）驱动电路结构简单可靠、损耗小。

（5）根据情况施加隔离。

下面介绍几个模块电源中常用的MOSFET驱动电路。

1、电源IC直接驱动MOSFET图1 IC直接驱动MOSFET电源IC直接驱动是我们最常用的驱动方式，同时也是最简单的驱动方式，使用这种驱动方式，应该注意几个参数以及这些参数的影响。

第一，查看一下电源IC手册，其最大驱动峰值电流，因为不同芯片，驱动能力很多时候是不一样的。

第二，了解一下MOSFET的寄生电容，如图1中C1、C2的值。

如果C1、C2的值比较大，MOS管导通的需要的能量就比较大，如果电源IC没有比较大的驱动峰值电流，那么管子导通的速度就比较慢。

如果驱动能力不足，上升沿可能出现高频振荡，即使把图1中Rg减小，也不能解决问题！IC驱动能力、MOS寄生电容大小、MOS管开关速度等因素，都影响驱动电阻阻值的选择，所以Rg并不能无限减小。

功率mos管工作原理与几种常见驱动电路图

功率mos管工作原理与几种常见驱动电路图功率MOSFET的工作原理截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零。

P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过。

导电：在栅源极间加正电压UGS，栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流过。

但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子电子吸引到栅极下面的P区表面当UGS大于UT(开启电压或阈值电压)时，栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度，使P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电。

几种MOSFET驱动电路介绍及分析一. 不隔离的互补驱动电路图7(a)为常用的小功率驱动电路，简单可靠成本低。

适用于不要求隔离的小功率开关设备。

图7(b)所示驱动电路开关速度很快，驱动能力强，为防止两个MOSFET管直通，通常串接一个0.5～1小电阻用于限流，该电路适用于不要求隔离的中功率开关设备。

这两种电路特点是结构简单。

功率MOSFET属于电压型控制器件，只要栅极和源极之间施加的电压超过其阀值电压就会导通。

由于MOSFET存在结电容，关断时其漏源两端电压的突然上升将会通过结电容在栅源两端产生干扰电压。

常用的互补驱动电路的关断回路阻抗小，关断速度较快，但它不能提供负压，故抗干扰性较差。

为了提高电路的抗干扰性，可在此种驱动电路的基础上增加一级有V1、V2、R组成的电路，产生一个负压，电路原理图如图8所示。

当V1导通时，V2关断，两个MOSFET中的上管的栅、源极放电，下管的栅、源极充电，即上管关断，下管导通，则被驱动的功率管关断;反之V1关断时，V2导通，上管导通，下管关断，使驱动的管子导通。

因为上下两个管子的栅、源极通过不同的回路充放电，包含有V2的回路，由于V2会不断退出饱和直至关断，所以对于S1而言导通比关断要慢，对于S2而言导通比关断要快，所以两管发热程度也不完全一样，S1比S2发热严重。

该驱动电路的缺点是需要双电源，且由于R的取值不能过大，否则会使V1深度饱和，影响关断速度，所以R上会有一定的损耗。

深析mos管led驱动电路图及原理

深析mos管led驱动电路图及原理led驱动mos管led驱动电路图，LED是特性敏感的半导体器件，又具有负温度特性，因而在应用过程中需要对其进行稳定工作状态和保护，从而产生了驱动的概念。

LED器件对驱动电源的要求近乎于苛刻，LED不像普通的白炽灯泡，可以直接连接220V的交流市电。

mos管led驱动电路图mos管led驱动电路图原理mos管led驱动电路图原理如下：正向压降(VF)和正向电流的(IF)关系曲线，由曲线可知，当正向电压超过某个阈值(约2V)，即通常所说的导通电压之后，可近似认为，IF与VF成正比。

见表是当前主要超高亮LED的电气特性。

由表可知，当前超高亮LED的最高IF可达1A，而VF通常为2～4V。

由于LED的光特性通常都描述为电流的函数，而不是电压的函数，光通量(φV)与IF的关系曲线，因此，采用恒流源驱动可以更好地控制亮度。

此外，LED的正向压降变化范围比较大(最大可达1V以上)，而由上图中的VF-IF曲线可知，VF的微小变化会引起较大的，IF变化，从而引起亮度的较大变化。

LED的温度与光通量(φV)关系曲线，由下图可知光通量与温度成反比，85℃时的光通量是25℃时的一半，而一40℃时光输出是25℃时的1．8倍。

温度的变化对LED的波长也有一定的影响，因此，良好的散热是LED保持恒定亮度的保证。

所以,采用恒压源驱动不能保证LED亮度的一致性，并且影响LED 的可靠性、寿命和光衰。

因此，超高亮LED通常采用恒流源驱动。

mos管led驱动电路图驱动方式通过线性稳压器来转换电压会面临功耗问题，这种方式比较适合用于需要回避噪声(比如汽车音响)因而不能采用开关方式的转换电路中。

而开关方式的特点是转换效率非常高，但它也有噪声的问题，所以选择何种转换方式取决于何种应用。

通常，电荷泵驱动方式的效率会随着输入电压的变化而变化，在电压变化范围大的应用中，其效率比较低;而在电压变化范围比较小的应用中，只有当输入和输出电压之间是整倍数关系时，它的效率才能达到最大，但这在电池供电的实际应用中很难达到。

MOS管驱动电路

MOS管寄生参数的影响和其驱动电路要点我们在应用MOS管和设计MOS管驱动的时候，有很多寄生参数，其中最影响MOS管开关性能的是源边感抗。

寄生的源边感抗主要有两种来源，第一个就是晶圆DIE和封装之间的Bond ing线的感抗，另外一个就是源边引脚到地的PCB走线的感抗（地是作为驱动电路的旁路电容和电源网络滤波网的返回路径）。

在某些情况下，加入测量电流的小电阻也可能产生额外的感抗。

我们分析一下源边感抗带来的影响：1.使得MOS管的开启延迟和关断延迟增加由于存在源边电感，在开启和关段初期，电流的变化被拽了，使得充电和放电的时间变长了。

同时源感抗和等效输入电容之间会发生谐振（这个谐振是由于驱动电压的快速变压形成的，也是我们在G端看到震荡尖峰的原因），我们加入的门电阻Rg和内部的栅极电阻Rm都会抑制这个震荡（震荡的Q值非常高）。

我们需要加入的优化电阻的值可以通过上述的公式选取，如果电阻过大则会引起G端电压的过冲（优点是加快了开启的过程），电阻过小则会使得开启过程变得很慢，加大了开启的时间（虽然G端电压会被抑制）。

园感抗另外一个影响是阻碍Id的变化，当开启的时候，初始时di/dt偏大，因此在原感抗上产生了较大压降，从而使得源点点位抬高，使得Vg电压大部分加在电感上面，因此使得G点的电压变化减小，进而形成了一种平衡（负反馈系统）。

另外一个重要的寄生参数是漏极的感抗，主要是有内部的封装电感以及连接的电感所组成。

在开启状态的时候Ld起到了很好的作用（Subber吸收的作用），开启的时候由于Ld的作用，有效的限制了di/dt/（同时减少了开启的功耗）。

在关断的时候，由于Ld的作用，Vds电压形成明显的下冲（负压）并显著的增加了关断时候的功耗。

下面谈一下驱动（直连或耦合的）的一些重要特性和典型环节：直连电路最大挑战是优化布局实际上驱动器和MOS管一般离开很远，因此在源级到返回路径的环路上存在很大的感抗，即使我们考虑使用地平面，那么我们仍旧需要一段很粗的PCB线连接源级和地平面。

mos管分离元件自举电容驱动电路

mos管分离元件自举电容驱动电路
MOS管分离元件自举电容驱动电路是一种常见的电路拓扑结构，用于驱动功率MOSFET或IGBT等高压开关器件。

该电路通过自举电容技术，利用周期性切换产生的高频脉冲来提供所需的驱动电压。

在这种电路中，主要包含两个关键部分：分离元件和自举电容。

分离元件是指将驱动电源与高压开关器件的电源隔离开来，主要由分离变压器和整流器组成。

分离变压器将低压信号转换为高压信号，并通过整流器将交流信号转换为直流信号，从而为高压开关器件提供所需的驱动电源。

自举电容是一种特殊的电容器，其具有存储电荷的能力。

在驱动过程中，自举电容首先被充电，然后通过开关电路周期性地自举充放电。

当自举电容放电时，产生的负压脉冲将作为驱动电源，提供给高压开关器件的栅极或控制端，以实现开关操作。

通过使用MOS管分离元件自举电容驱动电路，可以实现高效、可靠的驱动高压开关器件的目的。

它在一些需要高电压和快速开关的应用中被广泛采用，如功率电子变换器、逆变器、交流驱动器等领域。

MOSFET管经典驱动电路设计大全

MOSFET管经典驱动电路设计大全1.简单的驱动电路最简单的MOSFET驱动电路是使用普通的NPN晶体管作为驱动器。

这种电路只需要一个晶体管和几个电阻。

晶体管的基极通过一个电阻连接到控制信号源，并且其发射极通过一个电阻连接到地。

MOSFET的栅极通过一个电阻与晶体管的集电极相连。

当驱动信号施加在基极时，晶体管将导通，从而允许电流流过栅极电阻，最终控制MOSFET的导通。

2.共射极驱动电路共射极驱动电路使用一个普通的NPN晶体管作为驱动器，并且具有共射极配置。

这种电路可以提供较高的驱动电流，并且对于驱动大功率的MOSFET特别有效。

MOSFET的栅极连接到驱动晶体管的集电极，并且通过一个电阻与源极相连。

此电路还可以通过添加一个二极管来保护MOSFET免受反向电压的损坏。

3.升压驱动电路升压驱动电路是一种通过升压来改善MOSFET开关速度和效率的驱动电路。

这种电路使用一个电感器、一个开关和一个脉冲宽度调制（PWM）控制器来提供短暂的高电压脉冲。

这种高电压脉冲可以快速地开启和关闭MOSFET，从而提高其开关速度和效率。

4.高低侧驱动电路高低侧驱动电路是一种使用驱动器来同时控制高侧和低侧MOSFET的开关的电路。

该电路利用一个半桥驱动器，包括两个晶体管和一个PWM控制器。

其中一个晶体管驱动高侧MOSFET，另一个晶体管驱动低侧MOSFET。

PWM控制器可以调整两个晶体管的开关频率和占空比，从而控制MOSFET 的导通和关断。

以上是一些常见的MOSFET管经典驱动电路设计。

每种电路都有其适用的场景和优缺点。

在设计时，需要根据具体应用的需求来选择合适的驱动电路，并确保合理的功率传输和电流控制。