认知实习报告精修订

认知实习报告

SANY标准化小组 #QS8QHH-HHGX8Q8-GNHHJ8-HHMHGN#

重庆邮电大学光电工程学院

认识实习报告

专业：电子科学与技术

班级：

学号：

姓名：

实习时间：2016年06月28日

一、认识实习时间 2016年6月25日

二、实习地点：1101

三、主讲老师：王振

四、实习目的与内容

实习目的：

培养应用型人才基地，要培养德才兼备的大学生，不仅需要通识教育和专业教育，更要理论和实践相结合的正规化培训。实习是大学生必须参与的一项实践教学环节。是学生熟悉多晶硅、单晶硅生产和半导体封装测试等生产过程的一种正规化的培训，以充实理论教学中不能学到的知识和技能。同时，把在理论教学中学到的

知识和具体实际工作贯穿起来，做到学以致用，使学生成为既有理论知识，又有实际动手能力的人才。

自摩尔定律提出以来，微电子领域一直如神话般按其所预言的规律不断发展。微电子行业的进步使计算机的计算能力成倍增加，硬件成本大幅度降低，极大地推动了信息产业和工业的发展，是现代信息业和工业的基础。微电子专业主要培养掌握集成电路、微电子系统设计、制造工艺及设计软件系统，能在微电子及相关领域从事科研、教学、工程技术及技术管理等工作的高级专门人才。

本次实习旨在提高学生的综合素质通过本次实习，开阔视野，增长见识，拓宽我们的知识面。了解本专业相关方面的知识，通过实习，启发我们积极向上，努力学习。

实习内容：参观微电子工艺实验室，了解相关仪器。

五、实习收获与体会

本次认识实习时间为1个半小时，在此期间，通过对各实验室的参观，我学到了很多东西，也对自己将来的学习和研究方向有了一定的规划。这次的参观实习丰富了我的理论知识，增强了我的观察能力，让我收获颇丰。《集成电路设计与制造》课是微电子学与固体电子学专业本科教学中的重要教学实践环节。目的是帮助学生理解课堂上学到的基本原理和知识，了解并掌握集成电路设计与制造的基本方法，提供实际动手能力，以适应社会的需求。

1、认识到《微电子器件实验》课是微电子学与固体电子学专业本科教学中的重要教学实践环节。目的是帮助学生理解课堂上学到的基本原理和知识，并掌握晶体管基本参数的测量方法，提供实际动手能力。

基本原理及课程简介：

微电子器件课程讲述了基本的半导体器件 BJT、JFET、MOSFET 的物理结构和工作原理，它主要针对半导体器件的主要电参数讲述其测量方法和原理。它包含了三个实验：双极晶体管击穿特性测试、双极晶体管直流放大特性测试、晶体管特征频率的测量。

2、了解了基本原理及实验课程的简介：集成电路工艺基础课程讲述了集成电路制造的基本工艺：扩散、离子注入、氧化、光刻、刻蚀、外延、化学汽象沉积、金属化和钝化等，介绍了这些工艺的基本原理及制造过程。的半导体器件BJT、JFET、MOSFET 的物理结构和工作原理，它主要针对半导体器件的主要电参数讲述其测量方法和原理。《集成电路设计与制造实验》包含了四个实验：氧化工艺实验、光刻工艺实验、硼扩散工艺实验和磷扩散工艺实验；并有一周的课程设计：将以上四个工艺实验按集成电路制造工艺流程结合起来，制造出一个集成电路重要的单元---双极晶体管并进行击穿特性测试、双极晶体管直流放大特性测试。

3、其次也了解硼扩散工艺实验过程，其基本实验原理为：扩散是微观粒子的一种极为普遍的热运动形式，各种分离器件和集成电路制造中的固态扩散工艺简称扩散，硼扩散工艺是将一定数量的硼杂质掺入到硅片晶体中，以改变硅片原来的电学性质。硼扩散是属于替位式扩散，采用预扩散和再扩散两步扩散法，

第一步，预扩散硼杂质浓度分布方程为： N(x,t)=Nserfc｛x/2D1t)

｝表示恒定表面浓度（杂质在预扩散温度的固溶度），D1为预扩散温度的扩散系数，x表示由表面算起的垂直距离（cm）,他为扩散时间。此分布为余误差分布。第二步，主扩散硼再扩散为有限表面源扩散，杂质浓度分布方程为：

N(x,t)=Qe-x2/4D2t/(πD2t)

，其中 Q 为扩散入硅片杂质总量：杂质分布为高斯分别。

4、了解了CMOS制作步骤如下：1、双阱工艺；2、浅槽隔离工艺；3、多晶硅栅结构工艺；4、轻掺杂漏（LDD）注入工艺；

5、侧墙的形成；

6、源/漏（S/D）注入工艺；

7、接触孔的形成；

8、局部互连工艺；

9、通孔1和金属塞1的形成；10、金属1互连的形成；11、通孔2和金属塞2的形成；12、金属2互连的形成；

13、制作金属3直到制作压点及合金；14、参数测试。

浅槽隔离工艺：浅槽隔离（STI）是在衬底上制作的晶体管有源区之间隔离区的一种可选工艺。可分为三个主要步骤：槽刻蚀、氧化物填充、氧化物平坦化。槽刻蚀：1、隔离氧化层；2、氮化物淀积；3、第三层掩膜，浅槽隔离；4、STI槽刻蚀。

STI氧化物填充：1、沟槽衬垫氧化硅；2、沟槽CVD氧化物填充。

氧化物平坦化：抛光是最有效的一种平坦化技术，STI氧化层抛光—氮化物去除的基本步骤如下：1、沟槽氧化物抛光（化学机械抛光）；2、氮化物去除。

多晶硅栅结构工艺：晶体管中栅结构的制作是流程当中最关键的一步，因为它包括了最薄的栅氧化层的热生长以及多晶硅栅的刻印和刻蚀，而后者是整个集成电路工艺中物理尺度最小的结构。多晶硅栅的宽度通常是整个硅片上最关键的CD线宽。

多晶硅栅结构制作的基本步骤：1、栅氧化层的生长；2、多晶硅淀积；3、第四层掩膜，多晶硅栅；4、多晶硅栅刻蚀。局部互连工艺:晶体管以及其他钛硅化物之间布金属连接线，所用到的方法称为局部互联（LI）。形成局部互联氧化硅介质的步骤：1.氮化硅化学气相淀积2.掺杂氧化物的化学气相淀积3.氧化层抛光4第九层掩膜，局部互联刻蚀。制作局部互联金属的步骤：1金属钛淀积

（PVD工艺）；2氮化钛淀积；3钨淀积（化学气相淀积工艺平坦化）；4磨抛钨。大马士革：先淀积一层介质薄膜，接下来是化学机械抛光，刻印，刻蚀和钨金属淀积，最后以金属层抛光结束。最终在硅片表面得到一种类似精致的镶嵌首饰或艺术图案。

六、个人心得体会：

老师的讲解，使我认识和了解了微电子工艺，进一步认识了微电子学科的特点，理论基础的要求，技术指标和发展前景。同时使我更加明确了学习目标，增强了我们对所学专业的热爱。

虽然是短短的半天时间，但我们也学到了很多的东西，微电子学是一门发展极为迅速的学科，高集成度、低功耗、高性能、高可靠性是微电子学发展的方向。信息技术发展的方向是多媒体（智能化）、网络化和个体化。要求系统获取和存储海