微电子工艺考题 (3)

一、名词解释（每题4分，共20分）

1. Moore定律

答：集成电路的集成度每3年增长4倍；特征尺寸每3年减小倍。

2. 分辨率

答：表征光刻精度，即光刻时所能得到的光刻图形的最小尺寸。

3. 结深

答：pn结的几何位置与扩散层表面的距离。

或：掺杂浓度等于衬底浓度时的扩散深度。

4. 方块电阻

答：结深为Xj的一个正方形扩散层的薄层电阻,即(Ω/□)

5. 欧姆接触

当金属与半导体的接触电阻小到可忽略不计时，称为欧姆接触。

延层和衬底为同种材料。也称子

二、选择与填空题（每题/空2分，共30分）

1．在温度相同的情况下，制备相同厚度的氧化层，分别用干氧，湿氧和水汽氧化，哪个需要的时间最长？（A）

A.干氧

B.湿氧

C.水汽氧化

2．二氧化硅膜能有效的对扩散杂质起掩蔽作用的基本条件有哪些__B____

①杂质在硅中的扩散系数大于在二氧化硅中的扩散系数

②杂质在硅中的扩散系数小于在二氧化硅中的扩散系数

③二氧化硅的厚度大于杂质在二氧化硅中的扩散深度

④二氧化硅的厚度小于杂质在二氧化硅中的扩散深度

A．②④ B. ①③C①④ D. ②③

3．离子注入与热扩散相比，哪个横向效应小（A ）

A. 离子注入

B. 热扩散

4．在LPCVD中，由于h G>>k S,即质量转移系数远大于表面反应速率常数，所以，LPCVD系统中，淀积过程主要是质量转移控制__错__（对/错）

5．预淀积是在较__低__温度下（与再分布相比），采用__恒定（表面）源__扩散方式，在硅片表面扩散一层数量一定、按_ 余误差（函数）__形式分布的杂质。

6．扩散只用于浅结的制备__错___(对/错)

7．不论正胶或负胶，光刻过程中都包括如下步骤：①涂胶②_前烘___③曝光④显影⑤_坚膜__⑥刻蚀⑦_去胶___。

8．干法刻蚀适用于__细___ (粗/细)线条。

9．曝光后显影时感光的胶层溶解了，没有感光的胶层不溶解留下了，这种胶称为__正___胶。

10．CMP是_ chemical mechanical polishing(化学机械抛光) __的英文缩写。

11．CVD是___chemical vapor deposition(化学气相淀积)__的英文缩写。

三、问答题（每小题10分，共20分）

1．什么是金属铝的电迁移现象？电迁移对器件可靠性有什么影响？

答：在大电流密度作用下，导电电子与铝金属离子发生动量交换，使金属离子沿电子流方向迁移。迁移使金属离子在阳极端堆积，形成小丘或须晶，造成电极间短路；在阴极端形成空洞，导致电极开路。

2．二氧化硅薄膜在半导体器件生产上有哪些应用？（3）

答：①杂质扩散的掩蔽膜；②器件薄膜的钝化、保护膜；③IC隔离介质和绝缘介质；④MOS电容介质；

⑤MOSFET的绝缘栅介质。