英飞凌向中国通信市场推出新一代LDMOS晶体管
英飞凌的IGBT驱动芯片介绍
电容设定故障消隐 时间
EN
VCC HIN1,2,3 VB1,2,3 LIN1,2,3 HO1,2,3 FAULT VS1,2,3 EN 欠压锁定 RRCIN
TO LOAD
外接NTC用于过温 (OT)保护
RCIN ITRIP VSS
LO1,2,3 COM
RNTC
GND
外接取样电阻作短路/过流保护
Page 8
EiceDriver
Page 23
Isoaltion Definitions
Functional Insulation:
VDE 0884-10 Approved UL1577 Pending
Insulation between conductive parts which is necessary only for the proper functioning of the equipment. Basic Insulation: Insulation applied to live parts to provide basic protection against electric shock. Supplementary Insulation: Independent insulation applied in addition to basic insulation, in order to provide protection against shock in the event of a failure of basic insulation. Double Insulation: Insulation comprising both basic insulation and supplementary insulation. Reinforced Insulation: A single Insulation applied to live parts, which provides a degree of protection against electric shock equivalent to double insulation
微波毫米波技术基本知识
微波毫米波技术基本知识目录一、内容概要 (2)1. 微波毫米波技术的定义 (2)2. 微波毫米波技术的历史与发展 (3)二、微波毫米波的基本特性 (4)1. 微波毫米波的频率范围 (5)2. 微波毫米波的传播特性 (6)3. 微波毫米波的波形与调制方式 (7)三、微波毫米波的传输与辐射 (8)1. 微波毫米波的传输介质 (10)2. 微波毫米波的辐射方式 (10)3. 微波毫米波的天线与馈电系统 (11)四、微波毫米波的探测与测量 (12)1. 微波毫米波的探测原理 (13)2. 微波毫米波的测量方法 (14)3. 微波毫米波的检测器件 (15)五、微波毫米波的应用 (16)1. 通信领域 (18)2. 雷达与导航 (19)3. 医疗与生物技术 (20)4. 材料科学 (21)六、微波毫米波系统的设计 (22)1. 系统架构与设计原则 (24)2. 混频器与中继器 (25)3. 功率放大器与低噪声放大器 (26)4. 检测与控制电路 (27)七、微波毫米波技术的未来发展趋势 (29)1. 新材料与新结构的研究 (30)2. 高速与高集成度的发展 (31)3. 智能化与自动化的应用 (32)八、结论 (34)1. 微波毫米波技术的贡献与影响 (35)2. 对未来发展的展望 (36)一、内容概要本文档旨在介绍微波毫米波技术的基本知识，包括其定义、原理、应用领域以及发展趋势等方面。
微波毫米波技术是一种利用微波和毫米波进行通信、雷达、导航等系统的关键技术。
通过对这一技术的深入了解，可以帮助读者更好地掌握微波毫米波技术的相关知识，为在相关领域的研究和应用提供参考。
我们将对微波毫米波技术的概念、特点和发展历程进行简要介绍。
我们将详细阐述微波毫米波技术的工作原理，包括传输方式、调制解调技术等方面。
我们还将介绍微波毫米波技术在通信、雷达、导航等领域的应用，以及这些领域中的主要技术和设备。
在介绍完微波毫米波技术的基本概念和应用后，我们将对其发展趋势进行分析，包括技术创新、市场前景等方面。
(完整word版)光伏发电系统逆变器结构特点
光伏发电系统逆变器结构特点提出问题:1.光伏发电系统并网时的主要部件是什么?2.光伏逆变器如何分类？其电路如何构成?3.IGBT是什么，有什么特点，主要参数?4.电力MOSFET是什么，主要参数和特性？5.逆变器的常用电路有哪些，各自的接线和特点是什么？6.常用逆变器的形式有哪些，各自特点是什么，主要生产厂家?1・光伏发电系统并网时的主要部件是什么？光伏发电系统并网时的主要部件是逆变器。
无论是太阳能电池、风力发电还是新能源汽车，其系统应用都需要把直流电转换为交流电，承担这一任务的部件为逆变器。
逆变器乂称电源调整器、功率调节器，是光伏系统必不可少的一部分。
通常，物理上把将直流电能变换成交流电能的过程称为逆变，把实现逆变过程的装置称为逆变设备或逆变器。
逆变器的名称由此而來。
光伏逆变器最主要的功能是把太阳能电池板所发的直流电转化成家电使用的交流电。
逆变器是光伏系统的心脏，太阳能电池板所发的电全部都要通过逆变器的处理才能对外输出，逆变器对于整套系统的运行起着重要的作用，逆变器的核心器件是IGBT（绝缘栅双极型晶体管），也是价格最高的部件之一。
2.光伏逆变器如何分类？其电路如何构成?光伏逆变器的分类如下图：逆变器的分类输出波形运行方式输出交流电相数功率流动方向方波逆变器阶梯波逆变器正弦波逆变器离网逆变器并网逆变器单相逆变器三相逆变器单向逆变器双向逆变器功率较小(<4kW)的光伏发电系统一般采用正弦波逆变器。
逆变器的显示功能主要包括：直流输入电斥•和电流的测量值，交流输出电床和电流的测最值，逆变器的工作状态(运行、故障、停机等)。
光伏逆变器的电路构成如下图所示：控制电路：逆变器的控制电路主要是为主逆变电路提供一系列的控制脉冲來控制逆变开关器件的导通与关断，配合主逆变电路完成逆变功能。
辅助电路:辅助电路主要是将输入电压变换成适合控制电路工作的直流电压。
辅助电路还包含多并网逆变器Sd Conriectca Conveners®.AC ElecincrtyQ电网s><raQ种检测、显示电路。
COOLMOS核心专利引文分析
COOLMOS核心专利引文分析李介胜【摘要】核心专利带动技术发展.本文检索了COOLMOS核心专利的引文专利数据,分析了这些专利的申请趋势、主要申请人,以英飞凌为代表进一步分析了如何在核心专利的基础上进行专利布局,借助专利稳固自身的市场地位.【期刊名称】《河南科技》【年(卷),期】2018(000)021【总页数】3页(P45-47)【关键词】COOLMOS;核心专利;外围专利;引文【作者】李介胜【作者单位】国家知识产权局专利局,北京 100088【正文语种】中文【中图分类】TN386COOLMOS也就是超级结MOSFET，这是沿用了英飞凌的叫法。
1998年，英飞凌成功推出COOLMOS，600V的晶体管导通电阻仅有70mΩ，这给英飞凌带来了新的业绩增长点，当今的COOLMOS市场中英飞凌占据了一半以上的份额，其余的供应商还有意法半导体、飞兆、威世、瑞萨、华虹NEC等。
常规功率MOSFET的主要缺点是导通电阻大，功率MOSFET的发展是围绕着不断协调阻断电压和导通电阻两者之间的矛盾而进行的。
COOLMOS结构是由VDMOS派生而来的，它是在N-外延层中注入一个与外延层掺杂相反的P-型细圆柱阱。
当加上反偏电压时，器件内部不仅存在纵向电场，而且存在横向电场。
如果在击穿之前，N-区和圆柱阱能完全耗尽，则器件的击穿电压仅依赖N-漂移区的厚度，而与N-区的掺杂浓度及圆柱阱的掺杂浓度无关。
且N-区的掺杂浓度和圆柱阱的电荷补偿越充分，其阻断电压就越高。
由于N-外延层中的掺杂浓度提高因而其导通电阻大大降低，由此COOLMOS解决了VDMOS中阻断电压与导通电阻之间的矛盾［1］。
最近，英飞凌推出了最新的高压超级结MOSFET技术的产品600V COOLMOSTMCFD7，它不仅拥有快速开关技术的所有优势，还兼具高换相稳固性，同时不影响在设计过程中的轻松部署，拥有更低的栅极电荷和更好的关断性能，其反向恢复电荷比市场上的竞争性产品低69%之多［2］。
5G网络设备芯片的国产化现状及未来策略
5G网络设备芯片的国产化现状及未来策略2020年是中国5G大规模商用化元年，截至2020年11月，三大运营商已累计建成71.8万座基站，占全球比重接近7成。
未来三年，中国仍处于5G发展的导入期，5G建设逐渐向县城渗透，覆盖密度逐渐加深。
5G网络的建设需要采购大量设备，其中芯片器件所占成本高，技术难度最大。
在当前国际形势下，华为海思等国内芯片厂商陆续被美国政府加入“实体清单”，影响巨大。
未来，唯一的解决办法是提高国产化水平，实现安全可控的国产替代。
5G接入网由AAU、CU、DU构成，涉及到的芯片有基带芯片和射频芯片，其中射频芯片包含功率放大器、低噪声放大器、射频开关。
5G承载网全面采用光纤网，涉及到的芯片主要在光模块中，包含激光器芯片和探测器芯片。
5G核心网采用了SBA架构（Service Based Architecture）,淘汰复杂的电信专用设备，采用X86服务器与虚拟软件，涉及到的芯片主要是X86服务器CPU和存储芯片。
综上，5G网络设备中的芯片如下图所示。
一、5G网络设备芯片的国产化现状1、5G基站基带芯片：华为、中兴具备设计能力，制造环节成瓶颈基带芯片是指用来将模拟信号转化为基带信号（数字信号），或对接收到的基带信号进行解码的芯片。
移动基站市场主要被华为、中兴、爱立信、诺基亚占领。
其中，华为海思在2019年1月推出了自行设计的天罡系列5G基站核心芯片，采用台积电7nm制程，华为5G基站的基带处理芯片已使用了天罡系列ASIC芯片。
中兴的5G基站使用中兴微电子自行设计的5G多模软基带芯片MSC3.0，采用的同样是台积电7nm制程，该芯片是中兴首款支持5G的基带芯片，集成了多种5G算法硬件加速IP，完备地支持5G现有协议标准，并具备后续协议演进的能力。
国外Marvell推出的5G基带处理器OCTEON Fusion可用于服务多扇区宏基站、微基站、智能射频头和分布式单元。
诺基亚与Marvell 在2020年3月就5G芯片技术达成合作协议，未来诺基亚的5G基站可能采用Marvell的产品。
实现第三代半导体
实现第三代半导体行业前景在中国有意打击房地产等传统行业、大力扶持新能源企业、积极鼓励科技创新的背景下，未来十年经济增长的动力将发生显著变化。
当下，中国经济正处于新一轮产业转型的关键时期。
以新能源汽车为代表的新能源汽车产业，以芯片半导体为代表的科技创新企业，势必成为经济发展的命脉。
在这种情况下，无论内外部条件多么艰难，中国的芯片半导体产业都必须逆势而上，走出一条自己的路，否则我们不仅会在全球经济转型的关键阶段失去机遇，还会处处受制于人第三代半导体是什么半导体是电子产品的核心、现代工业的“粮食”。
第一代半导体主要包括硅和锗。
硅因其自然储量大、制备工艺简单，成为制造半导体产品的主要原料，广泛应用于集成电路等低压、低频、低功耗场景。
然而，第一代半导体材料难以满足大功率、高频器件的要求。
砷化镓(GaAs)是第二代半导体材料的代表，其高电子迁移率使其应用于光电子学和微电子学领域。
它是制造半导体发光二极管和通讯器件的核心材料。
但砷化镓禁带宽度小，击穿电场低，毒性大，无法在高温、高频、大功率器件领域推广。
第三代半导体材料以碳化硅、氮化镓为代表，与前两代半导体材料相比最大的优势是较宽的禁带宽度，保证了其可击穿更高的电场强度，适合制备耐高压、高频的功率器件半导体的核心产品之一就是芯片，在如今智能化的时代，一切电子产品都要依赖芯片；小到手机、电视、电脑乃至家用电器，大到电动汽车、5g基站、航空航天装备等新兴领域硅是半导体的主要原材料，发展半导体产业的基石，碳化硅又是基础中的基础碳化硅的产业链：碳化硅衬底材料的制备、外延层的生长、器件制造以及下游应用市场，通常采用物理气相传输法（pvt 法）制备碳化硅单晶，再在衬底上使用化学气相沉积法（cvd 法）生成外延片，最后制成器件。
原材料在外延片制造中的生产成本占比超过80%。
根据nerl的测算，在美国生产碳化硅外延片的生产成本约是758美元/片，最低售价约是1290美元/片，其中材料成本约为600美元，占生产成本的80%以上。
金属氧化物半导体气体传感器选择性改进研究进展
金属氧化物半导体气体传感器选择性改进研究进展目录一、内容描述 (2)二、金属氧化物半导体气体传感器概述 (2)1. 传感器基本原理 (4)2. 金属氧化物半导体材料特性 (5)3. 气体传感器应用领域 (6)三、金属氧化物半导体气体传感器选择性改进研究现状 (7)1. 传感器材料改进 (8)（1）材料成分优化 (9)（2）纳米材料应用 (11)（3）复合氧化物材料研究 (12)2. 传感器结构改进 (13)（1）微型化设计 (14)（2）阵列式结构设计 (16)（3）集成化设计 (17)3. 气体检测技术与算法优化 (18)（1）气体识别技术提升 (19)（2）信号处理与算法优化 (20)（3）智能化识别系统研究 (22)四、金属氧化物半导体气体传感器选择性改进实验与分析 (23)1. 实验材料与设备 (24)2. 实验方案设计与实施 (26)3. 实验结果分析 (27)五、金属氧化物半导体气体传感器选择性改进的挑战与展望 (28)1. 面临的主要挑战 (29)2. 发展趋势及前景展望 (30)六、结论 (31)一、内容描述本文档主要介绍了金属氧化物半导体气体传感器选择性改进研究进展。
文章首先概述了金属氧化物半导体气体传感器的基本概念和原理，接着重点介绍了传感器选择性的重要性及其在实际应用中的挑战。
文章接着详细阐述了为提高传感器选择性所进行的研究和改进措施，包括材料设计、结构设计、工艺优化等方面。
对目前金属氧化物半导体气体传感器在选择性方面的最新进展进行了介绍，并分析了未来可能的研究方向和技术创新点。
文章总结了金属氧化物半导体气体传感器选择性改进研究的成果与不足，指出了实际应用中需要解决的问题和未来的发展趋势。
文档内容全面，旨在为相关领域的研究人员提供有价值的参考信息。
二、金属氧化物半导体气体传感器概述金属氧化物半导体气体传感器是一种基于金属氧化物半导体材料的气体检测装置，其工作原理是利用金属氧化物半导体材料对气体分子的吸附和电导变化来间接测量气体的浓度。
ldmos工作原理
ldmos工作原理LDMOS工作原理。
LDMOS（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor）是一种常见的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），在射频和微波功率放大器中得到广泛应用。
LDMOS器件具有低电阻、高电压和高频特性，因此在无线通信、广播、雷达和其他射频应用中具有重要作用。
本文将介绍LDMOS的工作原理，以便更好地理解其在功率放大器中的应用。
LDMOS的结构。
LDMOS器件通常由N型衬底上的P型沟道和N型扩散层组成。
在P型沟道区域，有一层金属氧化物绝缘层（MOS结构），用于控制沟道中的电子流。
P型沟道和N型扩散层之间的结构使得LDMOS器件具有较高的耐压能力，适合用于高电压应用。
LDMOS的工作原理。
当在LDMOS器件的门极上施加正向电压时，形成的电场使P型沟道中的电子被吸引到N型扩散层，从而形成导通通道。
当信号电压施加在沟道上时，电子将在沟道中形成连续的电流，从而实现信号的放大。
在LDMOS器件中，电子的主要流动路径是沿着P型沟道和N型扩散层的界面。
由于P型沟道的电阻较低，电子在沟道中的移动速度较快，因此LDMOS器件能够实现较高的电流传输能力。
同时，N型扩散层的结构使得LDMOS器件能够承受较高的电压，适合用于功率放大器等高压应用。
LDMOS的优势。
与其他功率MOSFET相比，LDMOS器件具有较低的电阻和较高的耐压能力，适合用于高频、高功率的射频应用。
同时，LDMOS器件的制造工艺成熟，成本相对较低，因此在市场上得到了广泛的应用。
总结。
LDMOS器件是一种常见的功率MOSFET，具有较低的电阻、较高的耐压能力和较高的频率特性。
其工作原理是通过在P型沟道和N型扩散层之间形成导通通道，实现信号的放大。
在射频和微波功率放大器中，LDMOS器件具有重要作用，广泛应用于无线通信、广播、雷达等领域。
通过本文的介绍，相信读者对LDMOS器件的工作原理有了更深入的理解，能够更好地应用于实际工程中。
碳化硅器件研发史
碳化硅器件研发史
碳化硅器件的研发历史可以追溯到20世纪50年代，当时碳化硅的晶体生长技术开始发展，但应用非常有限。
随着科技的不断进步，碳化硅材料的生长技术和加工工艺在20世纪80年代末和90年代初取得了重大突破，这进一步推动了碳化硅器件的研究和开发。
进入21世纪后，碳化硅开始在高功率电子和高温应用领域得到广泛应用，如电力变换器、太阳能逆变器、电动车充电器等。
在这一阶段，碳化硅器件的研发得到了快速的发展，各种碳化硅材料、器件结构和制备工艺得到了广泛的研究和应用。
其中，1989年北卡罗来纳州立大学（NCSU）的B. Jayant Baliga首次描述了将碳化硅用于电力电子设备的好处，为碳化硅器件的发展奠定了基础。
同时，他还发明了IGB技术，进一步推动了碳化硅器件在电力电子领域的应用。
在碳化硅器件的研发过程中，器件厂商不断推陈出新，大量更高电压等级、更大电流等级的产品相继推出，市场反应碳化硅元器件的应用效果非常好。
然而，碳化硅元器件的普及还有很长的路要走，因为碳化硅这种宽带隙（WBG）器件给应用开发带来了设计挑战，用户需要对碳化硅MOSFET平面栅和沟槽栅的选择和权衡，及其浪涌电流、短路能力、栅极可靠性等进行深入的了解和研究。
目前，碳化硅器件已经发展到了第三代，其性能和可靠性得到了极大的提升，应用领域也在不断扩展。
未来，随着碳化硅技术的不断发展和应用领域的不断扩大，碳化硅器件将会在更多领域得到应用，为人类社会的发展做出更大的贡献。
LDMOS介绍教学提纲
1992年研制出了高效率的靠电池供电移动通信用的低压MO栅LDMOS，其沟道长度为
0.8µm，在6v工作时 1.5GHz下输出2w，增益5dB，漏极效率达65%，功率附加效率为
55%。1994年又研制出了在1.SGHz下连续波输出35W，增益13dB，漏极效率50%的微波
功率LDMOS。到1996年，Motorola的Alan Wood等人研制出了2GHz下连续波输出60w的
LDMOS由于更容易与CMOS工艺兼容而被广泛采用。1971年Y.Tarui等人提出了横向
双扩散MOS的结构。1976年M.J.Declerq和J.D.Plummer采用这种方案，做出了第一个
LDMOS。
LDMOS器件结构如图1所示，LDMOS是一种双扩散结构的功率器件。这项技术是在
相同的源/漏区域相继两次进行硼磷扩散，一次注入浓度较大（典型注入剂量 1015cm-2）
高频率、更大功率方向发展。
LDMOS。80年代末，研究者们利用RESURF原理，对LDMOS进行优化设计，出现了
LDMOS的不同结构。其努力的方向是降低Ron及CGs，CGD，CDs，提高击穿电压BVDSS，
并分析研究了栅电阻对器件微波性能的影响。在LDMOS的研究过程中，研究者们发现，
限制器件增益和效率的主要因素是沟道长度、源极接地电感和栅电阻。
LDMOS介绍
LDMOS( Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor；横向扩散金属氧化物半导体)是 为900MHz蜂窝电话技术开发的，蜂窝通信市场的不断增长保证了LDMOS晶体管的应用， 也使得LDMOS的技术不断成熟，成本不断降低，因此今后在多数情况下它将取代双极型 晶体管技术。与双极型晶体管相比,LDMOS管的增益更高，LDMOS管的增益可达14dB以 上，而双极型晶体管在5~6dB,采用LDMOS管的PA模块的增益可达60dB左右。这表明对于 相同的输出功率需要更少的器件，从而增大功放的可靠性。 LDMOS能经受住高于双极型晶体管3倍的驻波比，能在较高的反射功率下运行而没有 破坏LDMOS设备；它较能承受输入信号的过激励和适合发射数字信号，因为它有高级的 瞬时峰值功率。LDMOS增益曲线较平滑并且允许多载波数字信号放大且失真较小。 LDMOS管有一个低且无变化的互调电平到饱和区，不像双极型晶体管那样互调电平高且 随着功率电平的增加而变化。这种主要特性允许LDMOS晶体管执行高于双极型晶体管二 倍的功率，且线性较好。LDMOS晶体管具有较好的温度特性温度系数是负数，因此可以 防止热耗散的影响。这种温度稳定性允许幅值变化只有0.1dB，而在有相同的输入电平的 情况下，双极型晶体管幅值变化从0.5~0.6dB,且通常需要温度补偿电路。
《半导体制造过程的批间控制和性能监控》随笔
《半导体制造过程的批间控制和性能监控》读书札记目录一、内容描述 (2)1.1 背景介绍 (2)1.2 研究目的与意义 (3)二、半导体制造过程概述 (4)2.1 半导体制造流程 (6)2.2 每个阶段的工艺要点 (7)三、批间控制的重要性 (9)3.1 影响产品质量的因素 (10)3.2 如何实现有效的批间控制 (11)四、性能监控在半导体制造中的作用 (12)4.1 性能监控的定义与目的 (13)4.2 监控方法与技术 (15)五、批间控制和性能监控的策略与技术 (16)5.1 控制策略 (18)5.2 监控技术 (19)5.2.1 预测性维护 (21)5.2.2 实时监控系统 (22)六、实际案例分析 (23)6.1 国内外半导体制造企业的案例 (25)6.2 案例分析 (26)七、挑战与未来趋势 (27)7.1 当前面临的挑战 (28)7.2 未来发展趋势与展望 (30)八、结论 (31)8.1 研究成果总结 (33)8.2 对未来研究的建议 (33)一、内容描述《半导体制造过程的批间控制和性能监控》是一本深入探讨半导体制造领域中质量控制与性能监测的重要著作。
本书通过对半导体制造过程的全面剖析，揭示了批间控制的关键性和性能监控的重要性。
本书共分为七个章节，详细阐述了半导体制造过程中从原材料到最终产品的全方位控制策略。
“批间控制”主要介绍了如何在生产过程中确保产品质量的一致性和稳定性，通过精确的工艺参数控制、严格的质量检测以及有效的设备维护，实现了对制造过程的全面监控和管理。
“性能监控”则侧重于评估半导体产品的性能指标，包括电学性能、光学性能和机械性能等，并通过实时数据采集和分析，及时发现潜在问题并采取相应措施，确保产品在满足性能要求的同时，也符合质量标准。
1.1 背景介绍随着信息技术的飞速发展，半导体作为现代电子产业的核心组成部分，其制造工艺和技术水平日益受到重视。
半导体制造是一个高度复杂且精细的过程，涉及多个环节和多种材料，任何环节的微小变化都可能影响到最终产品的性能和质量。
功率半导体分立器件产业及标准化白皮书
本白皮书编写专家来自功率半导体器件产业链上下游各个环节 相关企事业单位，并面向全行业进行了广泛的征求意见。但由于编者
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水平有限，疏漏和不足之处，欢迎读者批评指正，编制组将根据技术 发展和行业意见进行持续修订完善。
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2 功率半导体分立器件概述 2.1 功率半导体分立器件的概念
功率半导体器件（Power Electronic Device）又称为电力电子 器件和功率电子器件，是指可直接用于处理电能的主电路中，实现电 能的变换或控制的电子器件，其作用主要分为功率转换、功率放大、 功率开关、线路保护和整流等。功率半导体大致可分为功率半导体分 立器件（Power Discrete）(包括功率模块)和功率半导体集成电路 （Power IC）两大类，在半导体产业中的结构关系如图 1 所示。其中， 功率半导体分立器件是指被规定完成某种基本功能，并且本身在功能 上不能再细分的半导体器件。
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目录 1 前言........................................................................................................1 2 功率半导体分立器件概述................................................................... 3
VLSI工艺技术
VLSI工艺技术VLSI是Very Large Scale Integration的缩写，指的是超大规模集成电路技术。
随着计算机和通信技术的发展，集成电路的规模越来越大，同时性能要求也越来越高。
VLSI工艺技术就是为了满足这些要求而诞生的。
VLSI工艺技术是一种将数百万、乃至数十亿个晶体管等电子元器件集成到一个芯片上的技术。
通过VLSI工艺技术，可以极大地提高电路的集成度，使得芯片尺寸变小，性能提高，功耗降低，成本减少。
因此，VLSI工艺技术在现代计算机、通信、消费电子等领域得到了广泛的应用。
VLSI工艺技术的核心是摩尔定律，即每隔18个月，集成电路的密度会翻倍，价格会下降一半。
摩尔定律的实现离不开VLSI工艺技术的不断创新和突破。
目前，最先进的VLSI工艺技术是7nm工艺，即每个晶体管的尺寸仅为7纳米。
随着技术的进一步发展，预计未来还会实现更小的尺寸，更高的集成度。
VLSI工艺技术的主要方法包括光刻、薄膜沉积、离子注入、蚀刻、电镀等。
其中，光刻是最关键的步骤之一。
光刻技术是利用光刻胶和光掩模，将芯片上的电路图案复制到硅晶圆上的一种方法。
通过不断改进光刻机的分辨率和曝光光源的波长，可以实现更小尺寸的芯片制造。
薄膜沉积技术主要用于制备芯片上的绝缘层、金属层等。
离子注入技术则用于改变硅晶圆材料的导电性，以实现晶体管的正常工作。
VLSI工艺技术的发展离不开设备的进步和工艺的创新。
目前，世界上主要的VLSI工艺技术公司有台积电、三星电子、英特尔等。
这些公司在技术研发、制造设备等方面投入巨大的资源，不断推动VLSI工艺技术的进步。
另外，一些研究机构和大学也在积极开展VLSI工艺技术的研究，为发展更先进的工艺技术做出贡献。
总的来说，VLSI工艺技术的发展对现代科技的进步起到了关键的推动作用。
它不仅提高了电路的性能，也降低了电子产品的成本，促进了计算机和通信技术的发展。
随着技术的进一步发展，VLSI工艺技术将继续创新，为我们带来更便捷、快速、可靠的科技产品。
新能源汽车功率半导体第三代化合物半导体SiC及GaN应用分析报告
新能源汽车功率半导体第三代化合物半导体SiC及GaN应用分析SiC主要用于实现电动车逆变器等驱动系统的小量轻化。
SiC器件相对于Si器件的优势之处在于，降低能量损耗、更易实现小型化和更耐高温。
SiC适合高压领域，GaN更适用于低压及高频领域。
SiC是第三代半导体材料的代表。
以硅而言，目前SiMOSFET应用多在1000V以下，约在600~900V之间，若超过1000V，其芯片尺寸会很大，切换损耗、寄生电容也会上升。
SiC器件相对于Si器件的优势之处在于，降低能量损耗、更易实现小型化和更耐高温。
SiC 功率器件的损耗是Si器件的50%左右。
SiC主要用于实现电动车逆变器等驱动系统的小量轻化。
SiC的开关损耗数据来源：公开资料整理英飞凌和科锐占据了全球SiC市场的70%。
罗姆公司在本田的Clarity上搭载了SiC 功率器件，Clarity是世界首次用FullSiC驱动的燃料电动车，由于具有高温下动作和低损耗等特点，可以缩小用于冷却的散热片，扩大内部空间。
2017年全球SiC功率半导体市场总额达3.99亿美元。
预计到2023年市场总额将达16.44亿美元，年复合增长率26.6%。
从应用来看，混合动力和纯电动汽车的增长率最高，达81.4%。
从产品来看，SiCJFETs的增长率最高，达38.9%。
其次为全SiC功率模块，增长率达31.7%。
政策支持力度大幅提升，推动第三代半导体产业弯道超车。
国家和各地方政府持续推出政策和产业扶持基金支持第三代半导体发展。
2018年7月国内首个《第三代半导体电力电子技术路线图》正式发布，提出了中国第三代半导体电力电子技术的发展路径及产业建设。
福建省更是投入500亿，成立专门的安芯基金来建设第三代半导体产业集群。
GaN应用场景增多，迎来发展机遇。
由于GaN的禁带宽度较大，利用GaN可以获得更大带宽、更大放大器增益、尺寸更小的半导体器件。
GaN。
器件可以分为射频器件和电力电子器件。
LDMOS介绍
现状
目前，LDMOS已经发展到比较成熟的阶段，国外各大公司都有多种LDMOS产品面世，满足从 300MHz~3GHz各个频段，各种功率的需求。 Motorola公司生产多种LDMOS产品。MRF282、284、286系列产品，在2GHz下对三个器件分别输 入0.5、2.4、4.75W的功率，各器件相应的峰值包络功率为10、30、60W。MRF1507是GSM基站用的 900MHz的LDMOS晶体管，是宽带通信和工业应用的一种低成本产品。MRF1507在520MHz下输出功 率为5W，增益为10dB，效率为63%，在7.5v直流供电便携式FM(频率调制)装置中用作UHF、VHF功率 放大器特别适合。目前，Motorola公司已经推出了针对GSM、EDGE、CDMA和W-CDMA基站放大器 应用的第六代LDMOS产品。第六代射频LDMOS技术的热性能也达到了业界领先。例如，125W(P1dB) 器件的热阻达到了0.4℃/w。正在开发的第七代LDMOS产品使用经济高效的超模压塑料封装和金属陶瓷 封装(采用飞思卡尔低热阻(Low Rth技术)来提高功率，降低成本。 Ericsson公司是生产LDMOS产品的主要厂商之一。相继研制出了工作于1.8-2.0GHz的增强型 LDMOS器件PTF10120和工作在2.1-2.17GHz的LDMOS器件PTF10134。PTFIO120型产品包含四个芯 片并安装推挽结构，输入输出端口设有内匹配电路。在1.8-2.0GHz的频率范围内，具有120W的峰值包 络功率，功率增益10.5dB。PTF10134是适用于PCS基站的金一金属化LDMOS晶体管。在2.110.5dB PTF10134 PCS LDMOS 2.12.17GHz的WCDMA中可提供100W的峰值包络功率，1dB压缩点的输出功率是110W。此外，Ericsson 公司推出了系列可以满足CDMA和WCDMA的线性和峰值功率需求的大功率LDMOS器件。它采用全金 金属化和氮化硅钝化层，使用周期长，可靠性高。 Philips公司推出了1030-l090MHz频率范围内输出功率200W，增益14dB，效率大于40%的LDMOS 产品。Philips公司生产的BLF0810一180LDMos晶体管用于CDMA蜂窝电话基站。与其他同类产品相比， 该技术使用更少数量的元件设计出封装尺寸更小、性能更高的晶体管。此外，这些晶体管采用双层金属 化和金线间连接技术，使得其平均无故障时间(MTBF)提高8一10倍。飞利浦已发展到第五代LDMOS， 生产的盯功率晶体管栅长只有0.4µm，四层金属镀膜，其推出的BLFSG22-100，增益达到17dB。 与国外大的半导体厂商相比，国内LDMOS研究起步较晚，加上现有工艺条件不是很成熟，与国外 差距较大，目前还处于探索研制阶段。仅有个别高校或研究机构针对LDMOS进行理论的研究和器件结 构上的调整，很少有真正立足于实现产品化而进行研究的。对于微波功率应用的LDMOS，中国电子科 技集团公司第十三研究所针对未来军事装备的需求进行了初步设计和研制，于2003年3月报道了采用 Mo栅工艺研制出的1GHz连续输出30W、增益11dB、漏极效率60%、IMD3为-30dB的LDMOS器件。 2005年5月报道了10Hz连续波输出60w、1oow的LDMOS器件,100W的LDMOS器件增益10.5dB，漏极 效率57.6%。国内其他研究机构鲜有器件性能报道。
碳化硅 mosfet dibl效应
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华虹 Ｎ Ｏ出 席 ２ １ Ｅ ０ 中 国通 信 集 成 ０年
电路 技 术 与应 用 研 讨 会
恩智浦推 出 Ｅ ７ ３电能计量芯片 Ｍ７
为进一步推进通信专用集成电路技术的发展与
进 步 ，００（ 八届 ） 国通 信集 成 电路 技术 与 应用 ２１ 第 中 研 讨会 于 近 日在 武 汉 隆重 召 开 ， 上海 华 虹 Ｎ Ｃ电子 Ｅ 有 限公 司 （“ 虹 Ｎ Ｃ 应邀 出席 了此次 活动 。 华 Ｅ ”） 恩 智 浦 半 导 体 近 日宣 布 正 式 推 出 Ｅ ７ Ｍ７３电 能 计量 芯 片 ， 是全 球 首款 非计 费 式 电能计 量用 ３ 这 ２位 Ａ Ｍ解 决方 案 。近年 来 ， Ｒ 电力企 业 和管 理部 门纷纷
求 ；Ｖ Ｐ Ｒ功能及丰富的接 口扩展能力 ，为下一代广
播 电视 网络 （ Ｇ 预 留 了足够 的开 发 空 间。 Ｎ Ｂ）
在 １ — ． Ｈ 频带 中。 ．２ Ｇ ｚ ４ ６ 如此将可使用体积减少 ３ ％ ０
的器件 ， 设计 更 小 型且成 本 更低 的功 率 放大器 。 高峰 值 功 率非 常有 助 于设 计 Ｄ ｈｒ 放 大 器 ，以及 减 少 ｏｅｔ ｙ 其 它架 构 中 的零 件 数量 。
行 了优化 。
后将继续开发性价 比更 高的射频 工艺技术平台 ， 以 期实现高端无线通信芯片的国产化 。
此 次会 议促 进 了集 成 电路 上下 游企 业在 通信 领 域 的沟通合 作 ， 虹 Ｎ Ｃ将 持 续 加强 技 术升 级创 新 华 Ｅ 和 业务 开 拓 ， 先进 的技 术 和 更优 质 的服 务 ， 客 以更 与
作为世界领先的晶圆代工企业 ， 华虹 Ｎ Ｃ专注 Ｅ
采用先进计量基 础设施 （ Ｍ ） Ａ Ｉ 和智 能仪表来 推行
的嵌入式非挥发性存储以及射频等特色工艺被广泛 更为精确合理 的计价模式和资费标准 ，鼓励用户相 恩 Ｍ７ 应 用于 各类 通信 产 品 ，公 司市场 副 总裁 高峰 先生 在 应调 整其 能 源消 耗方 式 。 智浦 的 Ｅ ７ ３电能 计量 会上发表了 “ 华虹 Ｎ Ｃ与 中国通信集成 电路产业 Ｅ
户共同迎接通信产业的新一轮发展 ！
扬智科 技推 出新升级版
Ｍ ７ １ 顶 盒 芯 片组 ３ ０ Ｅ机
２ １ 杭 州 Ｉ Ｔ 展 会 上 ， 扬 智 科 技 （ Ｌ ００ ＣＣ Ａｉ
英 飞 凌 向 中国 通 信 市 场
推 出新一代 Ｌ Ｍ Ｓ晶体 管 ＤＯ
Ｃ ｒｏａｏ ， “ ７ １ ｏｐｒｉｎ） 携 Ｍ３ ０Ｅ第 二 代 高 清 有 线 数 字 电 ｔ 视 机顶 盒解 决方 案 ”， ｉａｅ 共 同参展 。 为 扬智 与 Ｐｎｌ 做 英 飞 凌 最 近 宣 布 推 出 全 新 的 Ｐ Ｆ 系 列 ＴＢ
安捷 伦 推 出 的 ４ ６款 Ｐ Ｉ Ａ Ｉ 品包 括 数 Ｘ 和 Ｘｅ产
字 转 换器 、 意波 形 发生 器 、 字 示 波 器 、 字 万 用 任 数 数
通 信产 品代工 领域 取 得不 俗成 绩 。 １ 米 ＳＧ ｉＭＯ ．３微 ｉ ｅＢＣ Ｓ技 术 ， 今
ＬＭ Ｓ Ｄ Ｏ 晶体管 ， 可供设计宽频无线 网络基站的高功
率 Ｌ ＭＯ Ｄ Ｓ晶体 管 系列 产 品 ，新 型 晶体 管 的单 管 输 出功 率高 达 ３ ０ ，完全 支持 由 ３ ０Ｗ Ｇ发 展 为 ４ Ｇ无线 网络 所 需 的 高 峰 值 对 均 值 功 率 比 （ ｅｋｔ ａｅａｅ ｐａ ｖｒｇ ｏ ｐｗ ｒａｉ 以及 高 数 据 传输 速 率 规 格 。Ｐ Ｆ ｏ ｅ ｔ ｒ ｏ） Ｔ Ｂ系列 系列产 品所 提 供 的高增 益及 高 功率 密 度 ，主要应 用
共 成长 ” 主题 演讲 ， 的 他介 绍说 ， 近年 来 中国通 信 产 芯片 突破 了传 统 的计 费概 念 ，使 系统设 计人 员 能够 方 便 地 将 电 能 计 量 功 能 整 合 到 几 乎 任 何 类 型设 备
业快速发展 ， 的市场契机不断涌现 ， 新 华虹 Ｎ Ｃ始 Ｅ 终以市场需求为导向， 紧跟热点应用及技术趋势 ， 在
本次展 出的主打产 品 Ｍ３０ Ｅ ７ １ ，是一款同时具备高
清 、 能先 进 、 活 等诸 多优 势 的机顶 盒 平 台 。具 有 性 灵 双 调谐 器通 道 的 Ｍ３０ Ｅ支 持有 线 数 字 电视 多格 式 ７１ 视 频标 准 ，支 持将 标 清 向上 转 换 为 高清 视 频 ＨＤ ＭＩ 播 出 ；ｔｅｎｔ 口可 以对 接 “ 网融 合 ”的技 术 要 Ｅｈｒｅ 接 三
中， 为终端用户提供更方便直观的用电信息 。 Ｍ ７ Ｅ ７３ 芯片作为计量引擎 ， 具有 自动单相电能计量功能， 其
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表 （ ＭＭ） 和 一 系 列 开 关 。 模 块 包 括 ＩＩＣ、 Ｄ Ｖ— Ｉ — Ｏ 和 Ｌｂ ＩＷ （ 软 件 驱 动 程 序 ， ＶＩＣ Ｍ ａＶ Ｅ Ｇ） 以及 增 强 型输 入 ／ 出 （／ 程 序 库 。所 有驱 动 程 序 均 已 输 Ｉ Ｏ）
针 对需 要 高 性 能 、 高速 度 和 高 吞 吐量 的测 试 应 用 进