硅N 型快恢复整流二极管 R 2CR106 A8C

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CR6221和CR6224和CR6228和CR6229设计指导

5.7V
VDD clamper
Burst mode
PWM Compartor
50ms
OLP
FB 3
7/8 GND
图 1.1 CR622X 内部框图
2
CR622X 应用指导书
2.欠压锁定和启动电路系统在上电时，整流后的高压通过启动电阻 RIN 为 VDD 端的电容 C1 充电，直到 VDD 端电压达到芯片的启动电压 VDD_ON(典型 14.8V)时，芯片启动并且驱动整个电源系统工作。如果发生保护，输出关断，导致辅助绕组掉电，VDD 端电压开始下降，当 VDD 端电压低于芯片的关闭电压 VDD_OFF（典型 9V）时，控制电路关断，芯片消耗电流变小，进入再次启动序列。
PIN =
PO
η
………………………………………………………（2.1）
根据最大输出功率来选择合适的 CR622X 系列产品。
表 2.1 2.1 CR622X 系列产品选型表
型号 CR6221T CR6224S CR6224T CR6228T CR6229T
MOSFET RDS(ON) 12 5.0 5.0 3.0 2.0
对于 AC 90~264V 宽范围输入， CIN 按 2~3uF/Watt 输出功率选取；对于 AC 230V 或者 115V 倍压整流输入，CIN 按 1uF/Watt 输出功率选取。最小直流输入电压 VMIN
2 VMIN = 2 × VACMIN
1 − tC 2 × PO × 2 × fL …………………………（2.2） − η × CIN
图 1.4 FB 端电压对应系统工作状态
0.8V~1.1V 为系统在空载或轻载时工作在间歇模式下的 FB 端电压；1.1V~1.62V 为系统在中等或轻载负载时频率调制模式下的 FB 端电压；1.62V~3.7V 为系统在重载下的 FB 端电压；3.7V~5.6V 为系统开环，过功率保护，短路保护时 FB 端电压；FB 端的短路电流典型值为 1.55mA。当 VFB 大于 3.7V 并持续 50ms 的时间，关闭开关管，状态被保持。此时芯片 VDD 电压必须降低到 VDD_OFF 后，再启动才能恢复正常。当 VFB 小于 0.8V 时，仅关闭开关管以保护系统。 6.CS 输入端 CR622X 采用电流模式 PWM 控制技术，初级峰值电流通过电流检测电阻 Rsense 转化为电压反馈到 Sense 端。由于在开关管导通瞬间会有脉冲峰值电流，如果此时采样电流值，会导致错误的控制。内置的前沿消隐（LEB）电路，就是为了防止这种错误的控制。在开关管导通后，经过一段前沿消隐时间（典型 300ns）才去控制电流限制比较器，可以为系统节省一个外部的 RC 网络。正常工作时，PWM 占空比由 Sense 端电压和 FB 端电压共同调整。 7.内置斜波补偿内置斜波补偿电路增加电流检测电压的斜率，这可以改善系统闭环的稳定性，防止次谐波振荡，减小输出纹波电压。 4

mur1060二极管参数

mur1060二极管参数
MUR1060二极管是一款超快恢复二极管，具有反向恢复时间短、反向耐压高、正向电流大、结电容小等优秀特点。

以下是MUR1060二极管的具体参数：
反向恢复时间（trr）：35 ns。

反向重复峰值电压（VRRM）：600 V。

最大平均整流电流（IO）：10 A。

非重复峰值正向电流（IFSM）：120 A。

正向电压降（VF）：1.45 V【连续正向电流（IF）=10 A】。

反向漏电流（IR）：5 μA【环境温度（Ta）=25 ℃】。

结电容（Cj）：40 pF。

反向方均根电压（VR(RMS)）：420 V。

封装：TO-220AC。

MUR1060二极管采用抗冲击硅芯片材质，里面有1颗芯片组成。

其工作时耐温度范围为-55℃~150℃，具有较高的温度适应性。

同时，该二极管还具有较小的结电容，能够降低电路的损耗和反向恢复电荷，提高电路的稳定性和可靠性。

MUR1060二极管在反向恢复时，能够迅速从反向导通状态恢复到
截止状态，减小了反向恢复电流的连续时间，从而减小了电磁干扰（EMI）和开关损耗。

此外，其较小的结电容也降低了传输延迟和反向恢复电荷，适用于高频和高功率应用。

MUR1060二极管是一款性能优异、可靠性高、适应性强、应用广泛的超快恢复二极管。

其参数全面、特性优良，可满足不同领域的需求。

1N5819二级管规格

1N5819二级管规格1N5819二极管规格解析1. 引言在电子电路领域中，二极管是一种常用的电子元件，用于控制电流的方向和大小。

在众多二极管型号中，1N5819是一种非常常见的快恢复二极管。

本文将对1N5819二极管的规格进行深入解析，并探讨其在电路设计中的应用。

2. 1N5819二极管的特点与规格1N5819二极管属于肖特基二极管的一种，在多种应用中具有广泛的适用性。

以下是1N5819二极管的一些关键特点和规格：2.1 最大正向工作电流（IFM）：1N5819二极管能够承受的最大正向工作电流为1A。

这意味着在正向电压下，电流控制在1A以下是安全可靠的。

2.2 最大反向工作电压（VRM）：1N5819二极管的最大反向工作电压为40V。

这意味着在反向电压不超过40V时，该二极管可以正常工作。

2.3 正向压降（VF）：1N5819二极管的正向压降通常在0.45V左右。

这意味着在正向导通状态下，电压降低约为0.45V左右。

2.4 肖特基势垒电容（CJ）：1N5819二极管具有一个肖特基势垒电容，其典型值为7pF。

肖特基势垒电容对高频性能和高速开关特性具有一定影响。

2.5 峰值逆向电流（IRRM）：1N5819二极管的峰值逆向电流为10mA。

这意味着在逆向电压超过其最大反向工作电压时，峰值逆向电流不应超过10mA，以保证二极管性能的稳定性。

3. 1N5819二极管的应用领域由于1N5819二极管具有快速恢复的特点，因此在多个电子应用中得到广泛使用。

以下是一些常见的应用领域：3.1 反向保护：1N5819二极管可用于电路中的反向保护，以防止逆向电压对电路的损坏。

通过将1N5819二极管反向连接过去，可以确保只允许正向电压通过。

3.2 DC-DC转换器：由于1N5819二极管具有较低的正向压降和快速恢复特性，因此在DC-DC转换器中，可用于快速切换和能量传输。

3.3 急停保护：在很多电路中，需要一种能够迅速截断电流的保护装置，以应对突发情况。

常用稳压二极管的参数规格

常用稳压二极管的参数规格-稳压二极管参数大全[ 来源：不详| 作者：佚名| 时间：2008-3-27 1:17:23 | 浏览：本日：1 本周：24 本月：59 总数：118 ] 常用的稳压二极管常用的国产稳压二极管有2CW系列和2DW系列，常用的国产稳压二极管稳压二极管参数见表4-16和表4-17。

常用的进口稳压二极管有1N41××系列、1N46××系列、1N47××系列、1N52××系列、1N59××系列、1N6××系列、1N700系列、1N900系列、MTZ系列、MTZJ系列、RLZ系列、RLZJ系列及HZ系列、RD系列、05Z系列、PTZ系列、DTZ系列、，常用的进口稳压二极管参数见表4-18~表4-22。

快恢复二极管参数型号品牌电流电压时间极性IN5817GJ1A20V10nsIN5819GJ1A40V10nsIN5819MOT1A40V10nsIN5822MOT3A40V10ns21D-06FUI3A60V10nsSBR360GI3A60V10nsC81-004FUI3A40V10ns8TQ080IR8A80V10ns单管MBR1045MOT10A45V10ns单管MBR1545CTMOT15A45V10ns双管MBR1654MOT16A45V10ns双管16CTQ100IR16A100V10ns双管MBR2035CTMOT20A35V10ns双管MBR2045CTMOT20A45V10ns双管MBR2060CTMOT20A60V10ns双管MBR20100CTIR20A100V10ns双管025CTQ045IR25A45V10ns双管30CTQ045IR30A45V10ns双管C85-009*FUI20A90V10ns双管D83-004*FUI30A40V10ns双管D83-009*FUI30A90V10ns双管MBR4060*IR40A60V10ns双管MBR30045MOT300A45V10ns MUR120MOT1A200V35nsMUR160MOT1A600V35nsMUR180MOT1A800V35nsMUR460MOT4A600V35nsBYV95PHI1.5A1000V250nsBYV27-50PHI2A55V25nsBYV927-100PHI2A100V25nsBYV927-300PHI2A300V25ns BYW76PHI3A1000V200nsBYT56GPHI3A600V100nsBYT56MPHI3A1000V100nsBYV26CPHI1A600V30nsBYV26EPHI1A1000V30nsFR607GI6A1000V200nsMUR8100MOT8A1000V35ns单管HFA15TB60IR15A600V35ns单管HFA25TB60IR25A600V35ns单管MUR30100HAR30A1000V35ns单管MUR30120HAR30A1200V35ns单管MUR1620PHI16A200V35ns双管MUR1620CTMOT16A200V35ns双管MUR1620PMOT16A200V35ns双管MUR1660CTMOT16A600V35ns双管HFA16TA600IR16A600V35ns双管MUR3030GI30A300V35ns双管MUR3040MOT30A400V35ns双管MUR3060MOT30A600V35ns双管HFA30TA600IR30A600V35ns双管MUR20040MOT200A400V35ns双管B92M-02FUI20A200V35ns单管C92-02FUI20A200V35ns双管D92M-02FUI30A200V35ns双管D92M-03FUI30A300V35ns双管DSE130-06DSET30A600V35ns双管DSE160-06DSET60A600V35ns双管原创文章："/public/tool/kbview/kid/686/cid/1" 【请保留版权，谢谢！】文章出自电子元件技术网。

士兰微电子 SBD20C100T F S 说明书 20A、100V肖特基整流管说明书

20A、100V肖特基整流管描述Array SBD20C100T/F/S是采用硅外延工艺制作而成的肖特基整流二极管，广泛应用于开关电源、保护电路等各类电子线路中。

特点♦具有过压保护的保护环结构♦高电流冲击能力♦低功耗，高效率♦正向压降低产品规格分类产品名称封装形式打印名称环保等级包装 SBD20C100T TO-220-3L SBD20C100T 无铅料管SBD20C100T TO-220HW-3L SBD20C100T 无铅料管SBD20C100F TO-220F-3L SBD20C100F 无铅料管SBD20C100S TO-263-2L 20C100S 无卤料管SBD20C100STR TO-263-2L20C100S无卤编带=25°C)极限参数(除非特殊说明，TC参数符号额定值单位最大反向峰值电压V RRM100 V 正向平均整流电流I FAV20 A 正向峰值浪涌电流@8.3ms I FSM150 A 工作结温T J150 °C 芯片存储温度范围T STG-40~150 °C 热阻特性参数名称符号额定值单位芯片对管壳热阻RθJC 2.0 °C/W电参数规格典型特性曲线图1、正向压降典型值图2、反向漏电流典型值图3、结电容典型值I F [A ]V F [V]V R [V]I R [m A ]V R [V]C T [p F ]1010.1204060801001101010.1图4、正向平均整流电流I F A V [A ]T C [°C]155251020封装外形图封装外形图(续)声明：♦士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最新。

♦任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用Silan产品进行系统设计和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生！♦产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！产品名称：SBD20C100T/F/S文档类型：说明书版权：杭州士兰微电子股份有限公司公司主页：http: //版本： 2.1 作者：殷资修改记录：1.增加TO-263-2L封装版本： 2.0 作者：殷资修改记录：1.删除TO-262-3L封装版本： 1.9 作者：殷资修改记录：1.修改TO-220F-3L封装信息2.增加TO-220HW-3L封装3.修改TO-220-3L封装信息版本： 1.8 作者：张科锋修改记录：1.修改“封装外形图”版本： 1.7 作者：张科锋修改记录：1.增加TO-262-3L封装版本： 1.6 作者：张科锋修改记录：1.修改图4版本： 1.5 作者：张科锋修改记录：1.增加“正向平均整流电流”曲线版本： 1.4 作者：张科锋修改记录：1.修改“封装外形图”版本：13 作者：张科锋修改记录：1.修改说明书模板版本： 1.2 作者：张科锋修改记录：1.增加康比TO-220F-3L封装版本： 1.1 作者：张科锋修改记录：1.增加TO-220-3L、TO-220F-3L友益薄框架封装；康比TO-220-3L封装版本： 1.0 作者：张科锋修改记录：1.原版士兰微电子文档类型：说明书。

快恢复整流二极管安全操作及保养规程

快恢复整流二极管安全操作及保养规程快恢复整流二极管是现代工业中广泛使用的一种电子元器件。

在使用期间，需要注意其安全操作，正确进行保养和维护。

本文将详细介绍快恢复整流二极管的安全操作及保养规程。

1. 快恢复整流二极管的基本知识快恢复整流二极管是一种半导体器件，它可以将交流电转为直流电。

快恢复整流二极管的主要特点是具有较快的恢复时间、低反向电流和高工作温度等性能。

快恢复整流二极管广泛应用于工业自动化、电子设备、电力电子与光电器件等领域。

快恢复整流二极管的结构基本上由P型半导体和N型半导体组成，两种半导体之间有一个PN结。

PN结处的电子和空穴在外界的电场作用下向反方向运动，这样就产生了电流的导通和截止。

2. 快恢复整流二极管的安全操作在工作中，如果不注意快恢复整流二极管的安全操作，可能会造成严重的损害。

以下是快恢复整流二极管的安全操作规程。

2.1 使用范围快恢复整流二极管适用于直流或低频交流的整流电路。

不能用于高频电路或高压直流电路中。

2.2 过电压保护必须在相应的电路中增加保护电阻和过压保护管等电路保护元件，以防止电压超过额定值，损坏快恢复整流二极管。

2.3 储存与运输快恢复整流二极管储存和运输时，应注意防水、防潮、防震和防爆。

不要强行打开包装袋或破坏密封密封胶封条。

2.4 安装在安装快恢复整流二极管时，应仔细检查管芯、管引线、管壳是否有损坏，并注意正负极的接线。

同时要使用适当的散热器对快恢复整流二极管进行散热。

2.5 运行在运行快恢复整流二极管时，应注意防潮、防尘、防振动和防触电保护措施。

在使用过程中，要防止快恢复整流二极管长时间超负荷工作。

2.6 更换当快恢复整流二极管损坏需要更换时，必须使用相应的工具进行拆卸和安装，并清除拆卸时可能引入的污垢和异物。

更换后必须进行全面检测，以确保正常工作。

3. 快恢复整流二极管的保养规程快恢复整流二极管的保养工作是保证它正常工作的前提。

以下是快恢复整流二极管的保养规程。

碳化硅快恢复二极管 650v 8a参数

碳化硅快恢复二极管是一种高性能的功率半导体器件，具有高频率、低电压降和低功率损耗等优点，因此在电源、逆变器、汽车电子等领域得到了广泛的应用。

本文将主要介绍碳化硅快恢复二极管650V 8A 参数方面的相关内容。

1. 额定参数碳化硅快恢复二极管650V 8A的额定电压为650V，额定电流为8A。

这意味着该二极管可以在650V的电压下正常工作，并且可以承受不超过8A的电流。

这一参数是其正常工作的基本条件，也是其在实际应用中需要满足的最基本要求之一。

2. 反向恢复时间碳化硅快恢复二极管的反向恢复时间也是其重要参数之一。

650V 8A 的碳化硅快恢复二极管，在通电后能够在极短的时间内从导通状态迅速恢复到截止状态，这一特性使得其在高频开关电源和逆变器中具有重要的应用价值。

反向恢复时间长短直接影响了二极管在实际电路中的性能表现，因此该参数的优化对于碳化硅快恢复二极管的性能提升具有重要意义。

3. 导通压降碳化硅快恢复二极管的导通压降也是其重要参数之一。

650V 8A的碳化硅快恢复二极管在导通状态下具有较低的导通压降，这一特性使得其在功率电子器件中广泛应用。

较低的导通压降能够减小功率损耗，提高能效，因此对于碳化硅快恢复二极管的性能改善具有重要作用。

4. 封装类型碳化硅快恢复二极管650V 8A通常采用TO-220、TO-247等常见的封装形式，这些封装形式具有良好的散热性能和结构稳定性，能够满足对于高功率和高频率应用领域的实际要求。

良好的封装类型能够保证二极管的工作稳定性和可靠性，也是其在实际应用中被广泛采用的重要原因之一。

5. 可靠性指标除了以上主要参数外，碳化硅快恢复二极管650V 8A还需要满足一系列的可靠性指标，如温度特性、耐压能力、耐湿能力、抗干扰能力等。

这些可靠性指标是其在实际应用中必须要满足的，对产品品质和性能表现具有重要影响。

总结来看，碳化硅快恢复二极管650V 8A在电源、逆变器、汽车电子等领域的应用前景广阔，其具有较高的额定电压和电流、较短的反向恢复时间、较低的导通压降等优点，同时也需要满足一系列的可靠性指标。

er106二极管参数

ER106二极管参数一、目录1.概述2.ER106二极管特性3.ER106二极管的应用4.ER106二极管的主要参数5.ER106二极管的规格尺寸6.ER106二极管的包装与存储7.结论二、详细描述1.概述：2.ER106二极管是一种高效、快速恢复的肖特基二极管，适用于高频率、高温等恶劣环境下的开关电源、变频器、UPS等电力电子设备中的整流、续流、保护等应用。

该产品具有反向恢复时间短、正向导通压降低、耐压高等优点，是电力电子设备中重要的电子元件之一。

3.ER106二极管特性：4.（1）高效快速恢复：ER106二极管采用肖特基势垒结构，具有较低的结电容和正向压降，因此具有高效快速恢复的特性。

5.（2）反向恢复时间短：ER106二极管的反向恢复时间通常为几十纳秒，可以在高频率下快速地进行开关操作。

6.（3）正向导通压降低：ER106二极管的正向导通压降较低，可以有效降低功耗和提高系统效率。

7.（4）高温稳定性好：ER106二极管可以在高温环境下稳定工作，适用于各种恶劣环境。

8.（5）高耐压能力：ER106二极管的最大反向电压可以达到几百伏特，可以满足各种高电压环境下的保护需要。

9.ER106二极管的应用：10.ER106二极管广泛应用于开关电源、变频器、UPS等电力电子设备中，主要作用是整流、续流、保护等。

在高频率、高温等恶劣环境下，ER106二极管可以发挥其优良的性能特点，提高设备的可靠性和稳定性。

11.ER106二极管的主要参数：（1）最大正向电流：是指ER106二极管在规定条件下可以安全通过的最大正向电流值。

在实际使用中，应不超过这个值，以保证二极管的安全工作。

（2）最大反向电压：是指ER106二极管在正常工作时所能承受的最大反向电压值。

在实际使用中，应不超过这个值，以避免对二极管造成损坏。

超快恢复二极管型号参数

超快恢复二极管型号参数二极管（Diode）是一种常见的电子器件，其具有只允许电流在一个方向上通过的特性。

在电子电路中，二极管常被用于整流、调制、变频、开关等各种应用中。

超快恢复二极管（Ultra-Fast Recovery Diode）是一种具有较快恢复时间的二极管，其特点是在一个很短的时间内能够从导通状态恢复到封锁状态。

首先，额定电流（IO）是指二极管在规定的工作条件下，可以持续承受的最大电流。

该参数通常以安培（A）为单位，例如IO=1A表示二极管的额定电流为1安培。

其次，额定反向电压（VRRM）是指二极管所能承受的最大反向电压。

它是通过测试，将二极管的阳极连接到正向电源并施加反向电压，观察二极管是否发生击穿来确定的。

该参数通常以伏特（V）为单位，例如VRRM=100V表示二极管的额定反向电压为100伏特。

最大导通电压降（VF）是指二极管在正向导通状态下的电压降。

正向导通时，二极管前后的电压存在一个较小的压降，该参数通常以伏特（V）为单位，例如VF=0.7V表示二极管的最大导通电压降为0.7伏特。

最大反向电流（IR）是指二极管在反向工作状态下所能承受的最大反向电流。

当反向电流大于该参数时，二极管可能发生击穿并损坏。

该参数通常以安培（A）为单位。

恢复时间（Trr）是指二极管从正向导通状态恢复到封锁状态所需的时间。

超快恢复二极管的恢复时间通常较短，一般在纳秒级别，它对于高频开关电路的性能起到重要影响。

该参数通常以纳秒（ns）为单位。

除了以上几个主要参数，超快恢复二极管的其他参数还包括最大工作温度（Tjmax）、封装方式、引线间距和引线排列等。

这些参数会根据不同的厂家和产品型号而有所差异。

总结起来，超快恢复二极管的型号参数主要包括额定电流、额定反向电压、最大导通电压降、最大反向电流和恢复时间等。

这些参数对于选择和应用超快恢复二极管起到至关重要的作用，需要根据具体的电路需求进行合理选择。

5000A／200V／10kHz阻焊机用FRD二极管的研制

５０２０１ＨＺＤｉｄｓｇｖｎＵｓｇｉｔｒａｉｎｌｓａｄｒｓａｄｔｅｕｔ — ｈｎｓｌｏｅｈｏｏ００Ａ／０Ｖ／０ｋｏｅｉｉｅ．ｉｎｅｎｔａｔｎａｄｎｈｌａｔｉｉｃｎｔｃｎｌ— ｎｏｒｉ
ｇｔｏｕｔｏｎｓｒｄｕｔｎｔｓｆ１ＨｚｒｓｓａｅｗｅｄｒＦＲＤ００２０ＶｅｉｅａｅＹ，ｈｅｐｒｄｃｉｎａｄｍａｓｐｏｃｉａｋｏｋｅｉｔｎｃｌｅｏ０５０Ａ／０ｄｖｃｒｃｍｐｅｅ．ｏｌｔｄＫｅｙｗｏｄｒｓ：ｒｓｓａｃｌｉｇｍａｈｎｅ；ｏａｄｅｃｎｅｔａｉｎ；ｏｂｅｚｎＰＴｄｆｕｉｎａｓｒｉｎ；ｅｉｔｎｅｗｅｄｒｃｉｌｗｎｏｏｃｎｒｔｏｄｕｌｏｅ；ｉｆｓｏｂｏｐｔｏ
整个加工过程的无应力技术和先进的测试技术，完成了１Ｈｚ电阻焊机用Ｆ０ｋＲＤ５）Ａ２）器件【）／（】（０（ｖ
的制作和批量生产任务。
关键词：阻焊机；ＲＤ；阳极浓度；Ｆ低双基区；扩铂吸收；雪崩
５００２０１ＨｚＲｅｉｔｎｃｅｄｉａｈｉ０Ａ／０Ｖ／０ｋｓｓａｅＷｌｎｇＭｃｎｅ
ＰＯＷＥＲＵＰＰＬＹＥＣＨＮＯＬＯＧＩＳＴＥＳＡＮＤＡＰＰＣＡＴＩＬＩＯＮＳ
Ｖｏ．５１１Ｎｏ９．

肖特基二极管常用参数大全

肖特基（势垒）二极管（简称SBD）整流二极管的基本原理•FCH10A15型号简称：10A15•主要参数：IF(AV)=10A, VRRM=150V•产品封装：TO-220F•脚位长度：6-12mm•可测试参数：耐压VRRM 正向压降(正向直流电压)VF 漏电IR•型号全名：FCH20A15•型号简称：20A15•主要参数：20A 150V•产品封装：TO-220F•可测试参数：耐压VRRM 正向压降(正向直流电压)VF 漏电IR•在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，用已形成的肖特基来阻挡反向电压。

肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。

其耐压程度只有40V左右。

其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间特别地短。

因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。

肖特基整流二极管的主要参数•以下是部分常用肖特基二极管型号，以及耐压和整流电流值：肖特基二极管肖特基二极管常用参数大全型号制造商封装 If/A Vrrm/V 最大Vf/V1SS294 TOS SC-59 0.1 400.60BAT15-099 INF SOT143 0.11 4 0.32BAT54A PS SOT23 0.20 300.5010MQ060N IR SMA 0.77 90 0 .6510MQ100N IR SMA 0.77 100 0.9 60.34SS12 GS DO214 1.00 200.50MBRS130LT3 ON - 1.00 30 0 .3910BQ040 IR SMB 1.00 40 0 .53RB060L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55RB160L-40 ROHM PMDS 1.00 40 0.55SS14 GS DO214 1.00 400.50MBRS140T3 ON - 1.00 40 0 .6010BQ060 IR SMB 1.00 60 0 .57SS16 GS DO214 1.00 600.7510BQ100 IR SMB 1.00 100 0.7 8MBRS1100T3 ON - 1.00 100 0.7 510MQ040N IR SMA 1.10 40 0 .5115MQ040N IR SMA 1.70 40 0 .55PBYR245CT PS SOT223 2.00 45 0.45.3530BQ040 IR SMC 3.00 40 0 .5130BQ060 IR SMC 3.00 60 0 .5830BQ100 IR SMC 3.00 100 0.7 9STPS340U STM SOD6 3.00 40 0.84MBRS340T3 ON - 3.00 40 0 .52RB051L-40 ROHM PMDS 3.00 40 0.45MBRS360T3 ON - 3.00 60 0 .7030WQ04FN IR DPAK 3.30 40 0.6 230WQ06FN IR DPAK 3.30 60 0.7 030WQ10FN IR DPAK 3.30 100 0.9130WQ03FN IR DPAK 3.50 30 0.5 250WQ03FN IR DPAK 5.50 30 0.5 350WQ06FN IR DPAK 5.50 60 0.5 76CWQ06FN IR DPAK 6.60 60 0.586CWQ10FN IR DPAK pr 6.60 100 0.811N5817 ON 轴向 1.00 20 0.751N5818 ON 轴向 1.00 30 0.55SB130 GS 轴向 1.00 30 0.501N5819 ON 轴向 1.00 40 0.60MBR150 ON 轴向 1.00 50 1.00MBR160 ON 轴向 1.00 60 1.0011DQ10 IR 轴向 1.10 100 0.8511DQ04 IR 轴向 1.10 40 0.5511DQ05 IR 轴向 1.10 50 0.5811DQ06 IR 轴向 1.10 60 0.58MBRS340TR IR SMC 3.00 40 0.431N5820 ON 轴向 3.00 20 0.851N5821 ON 轴向 3.00 30 0.381N5822 ON 轴向 3.00 40 0.52MBR360 ON 轴向 3.00 60 1.00SS32 GS DO214 3.00 203.00SS34 GS DO214 3.00 400.5031DQ10 IR DO201 3.30 100 0.85SB530 GS 轴向 5.00 30 0.57SB540 GS DO201 5.00 40 0.5750SQ080 IR 轴向 5.00 80 0.66 50SQ100 IR 轴向 5.00 100 0.66MBR735 GS TO220 7.50 35 0.84MBR745 GS TO220 7.50 45 0.84MBR745 IR TO220 7.50 45 0.8480SQ040 IR 轴向 8.00 40 0.53STQ080 IR TO220 8.00 80 0.728TQ100 TO220 8.00 1000.7280SQ040 IR 轴向 8.00 40 0.5380SQ035 IR DO204AR 8.00 35 0.53HFA16PA60C IR TO247CT 8.00 600 1.7095SQ015 轴向 9.00 15 0.3190SQ040 轴向 9.00 40 0.4810TQ045 TO220 10.00 45 0.5 7MBR1035 GS TO220 10.00 35 0.84MBR1045 ON TO220 10.00 45 0.84STPS1045F ON ISO220 10.00 45 0.64MBR2060CT ON TO220 10.00 60 0.85MBR1060 ON TO220 10.00 60 0.95PBYR10100 PS TO220 10.00 100 0.7010TQ040 IR TO220 10.00 40 0.57 MBR1045 IR TO220 10.00 45 0.8410CTQ150-1 IR D2pak 10.00 150 0.73 40L15CTS IR D2pak 10.00 150 0.41 85CNQ015A IR D61 80.00 15 0.32150K40A IR D08 150.00 400 1.33 12CTQ040 IR TO220 12.00 45 0.73MBR1545CT IR TO220pr 15.00 45 0.72MBR1660 GS TO220 16.00 60 0.75 16CTQ080 IR TO220 pr 16.00 80 0.7216CTQ100 IR TO220 pr 16.00 100 0.7216CTQ100-1 IR D2Pak 16.00 100 0.7218TQ045 ON TO220 18.00 45 0.60HFA16PB120 IR TO247 16.00 1200 3.00MBR1645 IR TO220AC 16.00 45 0.63 19CTQ015 IR TO220 19.00 15 0.3620CTQ045 IR TO220 pr 20.00 45 0.6420TQ045 IR TO220 20.00 45 0.57 MBR2045CT IR TO220 pr 20.00 45 0.84MBR2090CT IR TO220 pr 20.00 90 0.80 MBR20100CT IR TO220 pr 20.00 100 0.80MBR20100CT-1IR TO262 20.00 100 0.80 MBR2080CT IR TO220AB 20.00 80 0.85 MBR2545CT IR TO220AB 30.00 45 0.82 MBR3045WT IR TO247 30.00 4532CTQ030 IR TO220 pr 30.00 30 0.49 32CTQ303-1 IR D2Pak 30.00 30 0.49 30CPQ060 IR TO220 pr 30.00 60 0.62 30CPQ080 IR TO247AC 30.00 80 0.86 30CPQ100 IR TO247 pr 30.00 100 0.8630CPQ150 IR TO247 pr 30.00 150 1.0040CPQ040 IR TO247 pr 40.00 40 0.49 40CPQ045 IR TO247 pr 40.00 45 0.49 40CPQ050 IR TO247AA 40.00 50 0.53 40CPQ100 IR TO247 pr 40.00 100 0.7740L15CT IR TO220AB 40.00 15 0.53 47CTQ020 IR TO220 40.00 20 0.34 48CTQ060 IR TO220 40.00 60 0.5840L15CW IR TO247 40.00 15 0.5242CTQ030 IR TO220 40.00 30 0.38 40CTQ045 IR TO220 40.00 45 0.6840L45CW IR TO247 40.00 45 0.7040CPQ060 ON TO247 40.00 60 0.68 MBR4045WT IR TO247 40.00 45 0.59 MBR4060WT IR TO247 40.00 60 0.77 43CTQ100 IR TO220 40.00 100 0.9852CPQ030 IR TO247 50.00 30 0.38 MBR6045WT IR TO247pr 60.00 45 0.73STPS6045CPI ON TOP3I 60.00 45 0.8465PQ015 IR TO247 65.00 15 0.50 72CPQ030 IR TO247AC 70.00 30 0.5185CNQ015 IR D61 80.00 15 0.32 83CNQ100 IR D61 80.00 100 0.6780CPQ020 IR TO247 80.00 20 0.32 82CNQ030A IR D61 80.00 30 0.37 82CNQ045A IR D61 80.00 45 0.47 83CNQ100A IR D61 80.00 100 0.67 120NQ045 IR HALFPAK 120.00 45 0.52125NQ015 IR D67 120.00 15 0.33 122NQ030 IR D67 120.00 30 0.41 STPS16045TV ON ISOTOP 160.00 45 0.95182NQ030 IR D67 180.00 30 0.41 200CNQ040 IR TO244AB 200.00 40 0.54200CNQ045 IR TO244AB 200.00 45 0.54200CNQ030 IR TO244AB 200.00 30 0.48STPS24045TV ON ISOTOP 240.00 45 0.91203CMQ080 IR TO244 200.00 80 1.03 240NQ045 IR HALFPAK 240.00 45 0.55301CNQ045 IR TO244 300.00 45 0.59 403CNQ100 IR TO244AB 400.00 100 0.83440CNQ030 IR TO244AB 440.00 30 0.41肖特基整流二极管型号额定I（AV）A VRRM V向峰值电压浪涌电流IFSM A 反向恢复时间ns SB020 0.6 20 20 10SB030 0.6 30 20 10SB040 0.6 40 20 101N5817 1 20 25 10 1N5818 1 30 25 10 1N5819 1 40 25 10 SB120 1 20 40 10 SB130 1 30 40 10 SB140 1 40 40 10 SB150 1 50 40 5 SB160 1 60 40 5 SR120 1 20 40 20 SR130 1 30 40 20 SR140 1 40 40 20 SR150 1 50 40 20 SR160 1 60 40 20 SR180 1 80 40 20 SR1A0 1 100 40 20 SB220 2 20 50 20 SB230 2 30 50 20 SB240 2 40 50 20 SB250 2 50 50 20 SB260 2 60 50 20 SR220 2 20 50 10 SR230 2 30 50 10 SR240 2 40 50 10 SR250 2 50 50 10 SR260 2 60 50 10 SR280 2 80 50 10 SR2A0 2 100 50 10 1N5820 3 20 80 20 1N5821 3 30 80 20 1N5822 3 40 80 20 SB320 3 20 80 20 SB330 3 30 80 20 SB340 3 40 80 20 SB350 3 50 80 10 SB360 3 60 80 10 SR320 3 20 80 20 SR330 3 30 80 20 SR340 3 40 80 20 SR350 3 50 80 20 SR360 3 60 80 20 SR380 3 80 80 20 SR3A0 3 100 80 20 SB520 5 20 150 50 SB530 5 30 150 50SB540 5 40 150 50 SB550 5 50 150 25 SB560 5 60 150 25 SR520 5 20 150 50 SR530 5 30 150 50 SR540 5 40 150 50 SR550 5 50 150 25 SR560 5 60 150 25 SR580 5 80 150 25 SR5A0 5 100 150 25。

电子元器件选型规范

2.1 目的
为本公司研发电子产品时物料选型提供指导性规范文件。
2.2 适用范围
适用于公司研发部门开发过程中元器件选型使用。
2.3 电子元器件选型基本原则
1) 普遍性原则：所选的元器件要是被广泛使用验证过的，尽量少使用冷门、偏门芯片，减少开发风险。
2) 高性价比原则：在功能、性能、使用率都相近的情况下，尽量选择价格比较好的元器件，降低成本。
3) 采购方便原则：尽量选择容易买到、供货周期短的元器件。 4) 持续发展原则：尽量选择在可预见的时间内不会停产的元器件,禁止选用停
935三极管选型936晶体和晶振选型1037继电器选型1038电源选型11381acdc电源选型规则11382隔离dcdc电源选型规则1139运放选型11310ad和da芯片选型12311处理器选型13312flash选型14313sram选型14314eeprom选型15315开关选型15316接插件选型153161选型时考虑的电气参数
4 附则......................................................................................................................................17
2 / 18
2 总则
3 各类电子元器件选型原则.................................................................................................. 5 3.1 电阻选型.................................................................................

晶体二极管复习题

晶体二极管复习题一、填空题：1、晶体二极管加时导通,加时截止，这一导电特性称为晶体二极管的单向导电性。

2、所谓半导体是指。

半导体中存在两种载流子：和。

３、的半导体称为本征半导体。

４、P型半导体又称为半导体，其内部为多数载流子, 为少数载流子。

5、N型半导体又称为半导体,其内部为多数载流子，为少数载流子。

６、晶体二极管是在硅或锗单晶基片上加工出P型区和Ｎ型区，二极管的正极从区引出，负极从区引出。

P型区和N型区的结合部是一个特殊的薄层称为PN结,ＰN 结具有性。

7、加在二极管两端的和间的关系称为二极管的伏安特性,二极管的伏安特性曲线是的(填“线性”或“非线性”）。

8、二极管的门坎电压:硅：，锗:。

9、二极管的导通电压：硅: ,锗：。

1０、当二极管的正向电压小于门坎电压时,二极管处于状态。

11、当二极管的反向电压小于反向击穿电压时，反向电流很小,它不随反向电压而变化，称为。

12、用万用电表测试二极管时，将万用表拨到挡,一般用挡。

用红黑表笔分别接二极管的两端测试一次，再将红黑表对调再测试一次，若两次测得的值都很大,则表明；若两次测得的值都很小,则表明；若一次大一次小,则表明，其中电阻较小的那一次黑表笔所接的为二极管的极。

１34、画电路图符号:整流二极管：,稳压二极管：,发光二极管:,光敏二极管:。

1４、二极管的型号中：第二部分所表示的意义：A：，Ｂ: ，Ｃ：,D：；第三部分所表示的意义：P: ,W: ,Ｚ: 。

二、选择题:1、如果二极管的阳极电位为1.５Ｖ，阴极的电位为0.８Ｖ,二极管将会（)。

Ａ导通ﻩﻩB截止ﻩﻩﻩＣ烧坏二极管ﻩＤ无法确定2、晶体二极管的阳极电位是—7V,阴极电位是—5V,该晶体二极管处于（）。

A正偏ﻩﻩﻩB反偏ﻩﻩＣ零偏ﻩﻩD无法确定３、半导体二极管加正向电压时，( )A、电流大电阻小ﻩﻩB、电流大电阻大ﻩＣ电流小电阻小D、电流小电阻大4、半导体中的空穴和自由电子数目相等的半导体称为(）。

快恢复二极管参数

快恢复二极管参数型号品牌电流电压时间极性参考售价IN5817 GJ 1A 20V 10ns 0.40IN5819 GJ 1A 40V 10ns 0.50IN5819 MOT 1A 40V 10ns 1.00IN5822 MOT 3A 40V 10ns 1.8021D-06 FUI 3A 60V 10ns 1.20SBR360 GI 3A 60V 10ns 0.80C81-004 FUI 3A 40V 10ns 1.208TQ080 IR 8A 80V 10ns 单管3.50MBR1045 MOT 10A 45V 10ns 单管1.50 MBR1545CT MOT 15A 45V 10ns 双管3.00 MBR1654 MOT 16A 45V 10ns 双管3.50 16CTQ100 IR 16A 100V 10ns 双管5.50 MBR2035CT MOT 20A 35V 10ns 双管4.00 MBR2045CT MOT 20A 45V 10ns 双管4.00 MBR2060CT MOT 20A 60V 10ns 双管6.50 MBR20100CT IR 20A 100V 10ns 双管7.50 025CTQ045 IR 25A 45V 10ns 双管4.80 30CTQ045 IR 30A 45V 10ns 双管6.00C85-009* FUI 20A 90V 10ns 双管2.50D83-004* FUI 30A 40V 10ns 双管4.80D83-009* FUI 30A 90V 10ns 双管47.00 MBR4060* IR 40A 60V 10ns 双管3.50 MBR30045 MOT 300A 45V 10ns 35.00 MUR120 MOT 1A 200V 35ns 1.80MUR160 MOT 1A 600V 35ns 1.80MUR180 MOT 1A 800V 35ns 2.80MUR460 MOT 4A 600V 35ns 2.50BYV95 PHI 1.5A 1000V 250ns 1.20BYV27-50 PHI 2A 55V 25ns 0.60BYV927-100 PHI 2A 100V 25ns 0.80BYV927-300 PHI 2A 300V 25ns 1.20 BYW76 PHI 3A 1000V 200ns 1.20BYT56G PHI 3A 600V 100ns 1.20BYT56M PHI 3A 1000V 100ns 1.50BYV26C PHI 1A 600V 30ns 0.60BYV26E PHI 1A 1000V 30ns 0.90FR607 GI 6A 1000V 200ns 1.80MUR8100 MOT 8A 1000V 35ns 单管4.50 HFA15TB60 IR 15A 600V 35ns 单管3.50 HFA25TB60 IR 25A 600V 35ns 单管4.50MUR30100 HAR 30A 1000V 35ns 单管13.00MUR30120 HAR 30A 1200V 35ns 单管15.00MUR1620 PHI 16A 200V 35ns 双管2.50MUR1620CT MOT 16A 200V 35ns 双管4.80MUR1620P MOT 16A 200V 35ns 双管3.50MUR1660CT MOT 16A 600V 35ns 双管8.50HFA16TA600 IR 16A 600V 35ns 双管5.50MUR3030 GI 30A 300V 35ns 双管5.00MUR3040 MOT 30A 400V 35ns 双管16.00MUR3060 MOT 30A 600V 35ns 双管16.80HFA30TA600 IR 30A 600V 35ns 双管7.50MUR20040 MOT 200A 400V 35ns 双管145.00B92M-02 FUI 20A 200V 35ns 单管2.50C92-02 FUI 20A 200V 35ns 双管2.50D92M-02 FUI 30A 200V 35ns 双管4.00D92M-03 FUI 30A 300V 35ns 双管5.50DSE130-06 DSET 30A 600V 35ns 双管15.80DSE160-06 DSET 60A 600V 35ns 双管30.00型号：FR107通用参数：电流参数：IO=1A/IFSM=30A/IR=5A电压参数：URRM=1000V/URMS=700V/UDC=1000V/UF=1.3V 其他参数：trr=500ns备注：快恢复整流二极管。

高频变容二极管型号

高频变容二极管型号
高频变容二极管的型号有很多种，常见的有以下几种：
1. 1N5132：这是一款高速开关型高频变容二极管，具有低漏电流、低反向漏电流和高电容等特点，适用于高频开关电路。

2. 1N5201：这是一款高速开关型高频变容二极管，具有低漏电流、低反向漏电流和高电容等特点，适用于高频开关电路。

3. 1N5202：这是一款高速开关型高频变容二极管，具有低漏电流、低反向漏电流和高电容等特点，适用于高频开关电路。

4. 1N5205：这是一款高速开关型高频变容二极管，具有低漏电流、低反向漏电流和高电容等特点，适用于高频开关电路。

5. 1N5221：这是一款高速开关型高频变容二极管，具有低漏电流、低反向漏电流和高电容等特点，适用于高频开关电路。

需要注意的是，不同型号的高频变容二极管在参数和应用方面可能存在差异，应根据具体的电路要求进行选择。

数电课程设计圣诞树

电子课程设计---圣诞树的设计与制作学院：电子信息工程学院班级：电气091501班课设时间：2011年12月目录1、设计任务及要求-----------------------------12、总体框图-----------------------------------13、选择器件-----------------------------------24、功能模块-----------------------------------115、总体电路图设计-----------------------------166、硬件实验-----------------------------------177、课设心得-----------------------------------18圣诞树的设计与制作一、设计任务与要求圣诞树一共有七层彩灯控制电路组成。

顶层用一个五角星红色闪光灯构成；第一层由CD4017和LM555构成一个双闪或三闪式信号闪光电路；第二层有8个不同颜色的彩灯组成的控制电路，控制要求彩灯依次由暗变亮，又变暗不断重复闪烁发光；第三层由两组不同颜色的彩灯构成，形成红灯闪烁完毕绿灯接着闪烁，然后停3s 到5s 后红灯再次闪烁，然后绿灯再次闪烁，从而形成一个周期闪烁的彩灯控制电路；第四层由一只双四位串入/并出移位存储器CD4015组成形成光点逐个发光又逐个熄灭的移动闪烁效果；第五层在第四层的基础上对电路结构进行适当的变化形成一亮一暗交替闪烁发光电路；第六层双色花样流动灯，通过输出端与发光二极管的交叉连接在时钟脉冲的作用下两计数器输出的脉冲使双色发光二极管呈现出复杂的流动花样变化。

任务完成后，总体效果就是各层设计的彩灯电路在各自控制的电路下形成交替动感闪烁发光效果。

二、总体框图图（1）圣诞树的设计与制作的总体框图在闪光灯电路中，我决定用二进制计数器74LS293。

利用它的二进制功能，从而实现LED 闪光灯电路。