常用国产电子管型号命名方法

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常用国产电子管型号命名方法

G
宇宙射线计数管
Y
2．结构形式表
电子管典型结构形式
代表字母
电子管典型结构形式
代表字母
普通玻壳管
P
小型管φ19mm和22..5mm
无代号
陶瓷管
T
超小型管直径φ最大(mm)
＞11
G
“橡实”管
J
11～8
B
锁式管
S
8～4
A
盘封管（灯塔管）
D
≤4
R
J
遥截止五极管
K
双四极管或双五极管
T
输出五极管及输出束射四极管
P
变频管
A
三极—六极管
三极—七极管
三极—八极管
U
调谐指示管
E
属于收讯放大管的小功率整流二极管
Z
长中波和短波发射管（极限频率在30MHz以下）
FD
为一短横线“—”
表பைடு நூலகம்同类产品顺序号的数字
表示冷却方式的字母：
自然冷却—无字母
水冷式—S
风冷式—F
EG
引燃管
Y
冷阴极气体辉光放电数字符号指示管
QS
表示玻壳直径、对角线长度或平板高度的尺寸的数字（mm）
表示结构形式的字母（见下表）
荧光数字符号指示管
YS
等离子体放电数字符号指示管
DS
α射线计数管
J
表示同类型产品顺序号的数字
α
—
β射线计数管
β
硬β射线计数管
βr
γ射线计数管
γ
中子计数管
Z
X射线计数管
X
光子计数管
指示管
SS
显象管
SX

半导体命名

半导体器件型号命名方法１、国产半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。

五个部分意义如下：第一部分：用数字表示有效电极数目。

2—二极管、3 —三极管第二部分：用汉语拼音字母表示材料和极性。

表示二极管时：A—N型锗材料、B—P型锗材料、C—N型硅材料、D—P型硅材料。

表示三极管时：A—PNP型锗材料、B—NPN型锗材料、C—PNP型硅材料、D—NPN型硅材料。

第三部分：用汉语拼音字母表示类型。

P—普通管、V—微波管、W—稳压管、C—参量管、Z—整流管、L—整流堆、S—隧道管、N—阻尼管、U—光电器件、K—开关管、X—低频小功率管、G—高频小功率管、D—低频大功率管、A—高频大功率管、T—半导体晶闸管（可控整流器）、Y—体效应器件、B—雪崩管、J—阶跃恢复管、CS—场效应管、BT—半导体特殊器件、FH—复合管、PIN—PIN 型管、JG—激光器件。

高频、低频（f＝3MHz）大功率管、小功率管（Pc＝1W)第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG6A表示NPN型硅材料高频小功率三极管表1 中国半导体器件组成部分的符号及意义例如锗PNP高频小功率管为3AG11C。

３（三极管）Ａ（PNP型锗材料）Ｇ（高频小功率管）１１（序号）Ｃ（规格号）２、美国半导体分立器件型号命名方法美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。

美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：第一部分：用符号表示器件用途的类型。

JAN—军级、JANTX—特军级、JANTXV—超特军级、JANS—宇航级、（无）—非军用品。

第二部分：用数字表示pn结数目。

1—二极管、2—三极管、3—三个pn结器件、n—n个pn结器件。

第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。

N—该器件已在美国电子工业协会注册登记第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。

二极管命名规则

各国晶体三极管型号命名方法1、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN 型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。

五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。

2- 二极管、 3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。

表示二极管时： A-N 型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。

表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。

第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。

P-普通管、V微波管、W体稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管（F<3MHz,Pc<1W）、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W）、D -低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W）、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W）、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y- 体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、 PIN-PIN型管、JG-激光器件。

第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管2、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。

通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。

0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、 1-二极管、 2 三极或具有两个 pn 结的其他器件、 3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、一一依此类推。

第二部分：日本电子工业协会 JEIA注册标志。

S-表示已在日本电子工业协会 JEIA注册登记的半导体分立器件。

第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。

2a3,300b,211三极管,el34,el84五极管,6l6,kt88四极管声音特点

2a3,300b,211三极管,el34,el84五极管,6l6,kt88四极管声音特点通俗的讲：从电极的数量来分，音频领域电子管大概就分三个类别：1.三极管：三极管全部是直热式的，灯丝就是阴极，阴极加热到一定温度后，由于屏极有正高压，而阴极有负压。

在电场作用下，阴级向屏极发射电子，形成电流，但电流的方向和电子发射的方向相反。

三极管还有个控制栅极，由于他相对阴极来说，电位为负，所以，当栅极输入交流音频信号的时候，栅极可以控制阴极向屏极发射电子的数量，从而控制屏极电流变化。

使屏极电路2端的电压发生变化，这种能力使三极管具有放大信号的能力。

其实所有的电子管原理都是如此。

其他类型不过是多增加了几个控制电极而已。

常见用在胆机三极管的代表有：2A3 300B 211 845 805 833等等。

他们都是一个族的，输出功率从小到大。

三极管一般都用做单端纯甲类放大输出，也可以做推挽纯甲类输出和单端并联纯甲类输出，做AB类推挽输出意义不大。

而单端输出是首选。

推挽则可以获得大功率，但音色相对不如单端理想。

三极管的优点是内阻小，阻尼系数高（对功放的控制力比较好些，但控制力并不完全取决于阻尼系数），一般不加负反馈电路时候，就有2-4，使用环路负反馈后可以提高近10倍。

三极管非线形失真相对比较小，但做单端输出时偶次波失真大，所以泛音丰富，音色优美温暖润泽。

三极管单端输出电压转换速率也高，瞬态特性好，没有交越失真。

缺点：功率灵敏太低，需要比较高的激励电压，给制作和工艺都增加了不少难度，成本也相对高，这就是大功率三极管单端甲类胆机难以普及的更本原因。

三极管还有个主要的缺点：由于放大系数和信号的幅值有矛盾，所以三极管必须要求放大系数低，否则截止栅压会降低，不允许有大信号输入。

三极管在做音频放大的时候虽然屏流高，跨导高，但输出功率都不大，一般民用领域也就做到805，单管输出近50瓦甲类功率，但成本很高，屏极必须吃到1100V电压，对工艺要求非常高，很多厂家不愿意生产。

二极管命名规则

二极管命名规则Company number：【0089WT-8898YT-W8CCB-BUUT-202108】各国晶体三极管型号命名方法1、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。

五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。

2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。

表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。

表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。

第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。

P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、 U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D -低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。

通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。

0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。

第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。

原来国内外常用电子元器件型号命名规则是这样的，涨知识了！

原来国内外常用电子元器件型号命名规则是这样的，涨知识了！1.电阻器举例：RJ76表示精密金属膜电阻器R——电阻器（第一部分）J——金属膜（第二部分）7——精密（第三部分）6——序号（第四部分）2.电容器国外电容器命名规则不一，国外部分知名厂家命名规则如下：•(1)日本村田(muRata)•(2)日本TDK•(3)日本京瓷(Kyocera)•(4)日本罗姆(ROHM)•(5)日本松下旗下三洋电机(Panasonic)(6)韩国三星(SAMSUNG)•(7)美国基美(KEMET)•(8)英国Syfer•(9)中国台湾国巨(YAGEO)•(10)中国台湾华新科技(WALSIN)3.电感器4.变压器5.二极管6.三极管7.发光二极管8.扬声器9.电声器件10晶闸管11.继电器国外：1.国际电子联合会半导体器件命名法国际电子联合会晶体管型号命名法的特点：•1)这种命名法被欧洲许多国家采用。

因此，凡型号以两个字母开头，并且第一个字母是A，B，C，D或R的晶体管，大都是欧洲制造的产品，或是按欧洲某一厂家专利生产的产品。

•2)第一个字母表示材料（A表示锗管，B表示硅管），但不表示极性（NPN型或PNP型）。

•3)第二个字母表示器件的类别和主要特点。

如C表示低频小功率管，D表示低频大功率管，F表示高频小功率管，L表示高频大功率管等等。

若记住了这些字母的意义，不查手册也可以判断出类别。

例如，BL49型，一见便知是硅大功率专用三极管。

•4)第三部分表示登记顺序号。

三位数字者为通用品；一个字母加两位数字者为专用品，顺序号相邻的两个型号的特性可能相差很大。

例如，AC184为PNP型，而AC185则为NPN型。

•5)第四部分字母表示同一型号的某一参数（如hFE或NF）进行分档。

•6)型号中的符号均不反映器件的极性（指NPN或PNP）。

极性的确定需查阅手册或测量。

2.美国半导体器件型号命名法美国晶体管或其它半导体器件的型号命名法较混乱。

常用国产电子管参数

5.7
200
1.8
150
0.9
Rg<1 M。
6J2 B
6.3
0.2
120
5.5
R尸20
0。
120
<6
3.2
6.9
5.7
150
0.9
125
0.7
Rg<1 M。
6J3
6.3
0.3
2 5
0
7±3
R尸20
0。
150
<3
750
5
7.0
5.7
330
2.5
165
0.55
Rg<1 M。
6J4
6.3
0.3
2 5
0
11±3
2X
350
72
7
5.7
100
2 5
负载
5.2k
Q
6Z5
6.
0.6
2X
400
70
6.9
5.7
110
3 0
负载
5.7k
Q
6Hz
6.
0.3
2X
150
17
7
5.7
450
3
负载10k Q
300
B-9
5
300
45
-60
56
三极管
300 BC
5
1.2
300
60
-60
5.3
300 BA
5
1.2
300
60
-60
5.3
0
3
-2±
1
140
0.5
2
7.0
5.7

常用国产电子管参数

10±3
Rk=68Ω
100
＜6
850
4.4
—
7.0
5.7
300
3
125
0.6
Rg< 500kΩ
12K3P
12.6
0.15
250
9
－3
100
2.5±1
—
2±0.4
—
13.8
11.4
330
4.4
140
0.44
2P2
1.2
2.4
60mA30
60
3.5±1.2
－3.5
60
<1.2
—
＞0.9
—
1.4
2.8
0.9
5.6
38
7.0
5.7
300
1.6
—
—
Rg<100kΩ
6N16B
6.3
0.4
100
6.3±1.9
Rk=325Ω
—
—
5
5
25
6.9
5.7
200
0.9
—
—
Rg<1MΩ
6N17B
6.3
0.4
100
3.3±1
Rk=325Ω
—
—
20
3.8
75
6.9
5.7
250
0.9
—
—
Rg<1MΩ
6N21B-Q
6.3
0.4
200
＞0.3
—
6.9
5.7
330
1.1
110
1.1
0.3 mA/V
为变频互导
6A7P
6.3

常用国产电子管全参数

常用国产电子管全参数国产电子管是指中国生产的电子管，其参数包括电气参数、物理参数和工作条件等。

以下是一些常用的国产电子管的全参数：1.6N1P电子管:- 电压放大倍数 (mu): 33-静态相互导通导纳(Y11):0.83mS-静态屏蔽导纳(Y22):0.065mS-静态互导导纳(Y12):2.25mS-静态互导导纳(Y21):1.35mS-额定电压(Uf):6.3V-额定电流(If):600mA-额定功率(Pd):2.5W- 最大安装高度 (H): 76 mm- 最大直径 (D): 22 mm- 最大高度 (A): 54 mm2.EL84电子管:- 电压放大倍数 (mu): 17-静态相互导通导纳(Y11):8mS-静态屏蔽导纳(Y22):1.65mS-静态互导导纳(Y12):8mS-静态互导导纳(Y21):1.35mS-额定电压(Uf):6.3V-额定电流(If):760mA-额定功率(Pd):9W- 最大安装高度 (H): 71.5 mm - 最大直径 (D): 21 mm- 最大高度 (A): 71.5 mm3.6P3P电子管:- 电压放大倍数 (mu): 15.2-静态相互导通导纳(Y11):16.5mS -静态屏蔽导纳(Y22):5.9mS-静态互导导纳(Y12):15.7mS-静态互导导纳(Y21):4.5mS-额定电压(Uf):6.3V-额定电流(If):900mA-额定功率(Pd):12W- 最大安装高度 (H): 116 mm- 最大直径 (D): 52 mm- 最大高度 (A): 116 mm4.2A3电子管:- 电压放大倍数 (mu): 4.1-静态相互导通导纳(Y11):5.5mS -静态屏蔽导纳(Y22):7.7mS-静态互导导纳(Y12):3.7mS-静态互导导纳(Y21):11.7mS-额定电压(Uf):2.5V-额定电流(If):2A-额定功率(Pd):15W- 最大安装高度 (H): 121 mm- 最大直径 (D): 63 mm- 最大高度 (A): 119.6 mm5.6L6GC电子管:- 电压放大倍数 (mu): 19-静态相互导通导纳(Y11):0.45mS -静态屏蔽导纳(Y22):0.017mS-静态互导导纳(Y12):3.7mS-静态互导导纳(Y21):4.4mS-额定电压(Uf):6.3V-额定电流(If):0.9A-额定功率(Pd):30W- 最大安装高度 (H): 83 mm- 最大直径 (D): 32 mm- 最大高度 (A): 109 mm以上只是一些常用的国产电子管的参数，国际上还有许多其他类型的电子管。

三极管命名方式

三极管命名方式1、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。

五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。

2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。

表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。

表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN 型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。

第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。

P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D -低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。

通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。

第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。

S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。

第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。

A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN 型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N沟道场效应管、M-双向可控硅。

国产电子管的命名方法

fu
fu-10s
厘米波(极限频率在600兆赫以上)
fc
脉冲
fm
fm-30
调制管
连续
t
表
示
类
序
号
的
数
字
t-1
脉冲
tm
tm-83
高压
整流二极管
e
用分数形式表示,分子表示直流电流的安培数(脉冲管则以脉冲电流值表示);分母是反向电压峰值的千伏数
e1-
0.3/13
脉冲二极管
em
稳定管
稳压
wy
表示结构形式的代号
4mm<直径>8mm - a
直径<=4mm ---- r
锁式管--- s
盘封管--- d
6d6a
双二极管
h
6h6p
三极管
cHale Waihona Puke 6c12双三极管n
6n11
四极管
s
6s6
输出五极管和束射四极管
p
6p14
遥截止五极管和束射四极管
k
6k4
锐截止五极管和束射四极管
j
6j1
变频管
a
6a2
二次发射五极管
v
6v1
二极五极复合管和双二极五极复合管
g
6g2
二极五极复合管和双二极五极复合管
b
6b8p
三极五极复合管
f
6f1
三极六极.三极七极.三极八极复合管
u
6u1
调谐指示管
e
6e1
小功率整流管
z
5z4
发射管
长波和短波(极限频率到25兆赫)
fd
用以表示强制冷却方式的符号:

初烧入门我国电子管的命名方法

初烧入门我国电子管的命名方法我国作为电子管生产大国，生产了大量的、形式用途各异的电子管，为了方便大家的认知，我国的电子管编号方法是根据汉语拼音方案的原则，采用拉丁字母作为型号的代号。

按用途分，大体分为以下几种：（一）、一般电子管的编号（包括接收放大管、小功率整流管、小型振荡管）第一部分：表示灯丝电压伏特数的整数部分：0表示冷阴极；1表示灯丝电压为0.7~1.2V；2表示灯丝电压为2.2~2.5V；3表示灯丝电压为2.8V；4表示灯丝电压为4.2V或4.4V；5表示灯丝电压为5V；6表示灯丝电压为6.3V；12表示灯丝电压为12.6V。

灯丝电压在20V以上时，用实际电压数值表示，例如35则表示35V。

第二部分：表示电子管类型的字母：D表示“二极管”H表示“双二极管”G表示“双二极三极管”B表示“双二极五极管”C表示“三极管”N表示“双三极管”F表示“三极五极管”S表示“四极管”J表示“锐截止五极管和锐截止束射四极管”K表示“遥截止五极管”T表示“双四极管和输出束射四极管”V表示“二次放射管”P表示“输出五极管和输出束射四极管”A表示“变频管”U表示“三极六极管、三极七极管、三极八极管”L表示“横向偏转射线管”E表示“调谐指示管”Z表示“小功率整流二极管”第三部分：表示同类型管序号的数字，无特殊意义。

第四部分：表示电子管的外形结构形式的字母P表示普通玻璃管；K表示陶瓷管；J表示“橡实”管；G表示外径大于11毫米的超小型管；B表示外径为8~11毫米的超小型管；A 表示外径大于4，小于8毫米的超小型管；R表示外径为4毫米和4毫米以下的超小型管；S表示销式管；D表示盘封管（灯塔管）。

无代号的，外径为19毫米和22.5毫米的小型管，俗称拇指管，例如6N1、6N2、6N3、6N4、6N6、6N10、6N11。

（二）高压、大功率整流二极管和充气整流管以及闸流管的编号第一部分：表示电子管类型的字母：E表示真空高压整流二极管EM表示真空脉冲整流二极管EQ表示充气整流二极管EG表示充汞整流二极管Z表示冷阴极闸流管ZQ表示充气闸流管ZG表示汞气闸流管ZQM表示脉冲充气闸流管H表示汞整流管（液体汞阴极）Y表示引燃管第二部分：表示同类型管序号的数字。

电子管基本常识

电子管基本常识1.电子管的基本原理如果我们把两个不同材料的金属导体与灵敏电流计串联起来，使两端互相靠近并加热。

当导体温度达到一定程度的时候，电流计中就会有电流流过。

这是因为导体内部存在着许多自由电子，由于它们受导体内部正电荷的吸引而不能跑出来。

如果导体受热，自由电子的运动速度就会加快。

当运动速度很高的时候，自由电子就会克服正电荷的吸引而飞向周围空间，到达靠近的另一个金属导体，于是电流计中就会有电流流过，我们称这种现象为热发射。

电子管就是根据热发射的原理制成的。

2.国产电子管的命名法国产电子管的编号方法分为两类，每个型号包括四个部分：第一类是从数字起首（用于收信、放大、调谐指示和小型整流管）。

它们的顺序数字和字母的代表意义如下表：符号意义第一部分（数字表示灯丝电压的整数）1灯丝电压1.2V 2灯丝电压2.4V 6灯丝电压6.3V 12灯丝电压12.6V第二部分（字母表示结构和用途）D二极管H双二极管C三极管N双三极管U三极六极管和三极七极管F三极五管P输出五极管和束射四极管S四极管K遥截止五极管和束射四极管J锐截止五极管和束射四极管A变频管G双二极三极管B双二极五极管E调谐指示管Z小功率二极整流管第三部分用数字表示同类型管的序号及性能第四部分（用字母表示材料和外壳）P具有玻璃外壳的电子管J橡实管无字母花生管如6P6P电子管：第一部分的“6”表示灯丝电压为6.3V；第二部分“P”表示束射四极管；第三部分“6”表示同一类型的序号和性能；第四部分“P”表示普通玻璃管。

第二类从字母开头（用于发射、稳压、闸流、高压整流等），它们的数字、字母代表的意义如下：第一部分：用字母表示电子管类别。

第二部分：用数字表示以区别离子管和光电管同类管的序号（也有些管子无第二部分，如发射管）第三部分：用数字表示同类型管的序号（离子管有的没有第三部分）。

第四部分：用字母表示外型。

如FU-5是震荡三极管；FU-7是震荡束射四极管；WY-2是充气稳压管。

国内三极管的命名规则

国内三极管的命名规则在电子领域中，三极管是一种重要的电子元件，广泛应用于各种电子设备中。

国内三极管的命名规则是一种对三极管进行统一命名的规范，它规定了三极管的命名方式和代号的含义。

遵循这个规则，可以方便地识别和使用各种类型的三极管。

国内三极管的命名规则主要包括以下几个方面：1. 代号中的字母：国内三极管的代号中通常包含两个字母。

第一个字母表示三极管的类型，常见的有N（NPN型）和P（PNP型）。

第二个字母表示三极管的功率等级，常见的有A、B、C、D等。

其中，A代表小功率，B代表中功率，C代表大功率，D代表超大功率。

2. 代号中的数字：国内三极管的代号中通常包含两个数字。

第一个数字表示三极管的最大集电极电流，单位为毫安。

第二个数字表示三极管的最大集电极电压，单位为伏特。

3. 代号中的其他字母：有些国内三极管的代号中还包含其他字母，表示一些特殊的功能或参数。

例如，代号中的字母H表示高频特性好，字母L表示低噪声，字母R表示可靠性好，字母T表示温度特性好等。

根据这些规则，我们可以通过三极管的代号来了解它的基本性能和特点。

例如，一个代号为2N3904的三极管，其中的字母N表示NPN型，数字2表示最大集电极电流为200毫安，数字3表示最大集电极电压为30伏特，字母90表示该三极管的特殊功能或参数。

除了代号中的字母和数字，国内三极管还有一些其他的参数和性能指标需要注意。

例如，最大集电极电流、最大集电极电压、最大功率等是选择三极管时需要考虑的重要参数。

此外，三极管的频率响应特性、噪声系数、放大倍数等也是需要了解的关键指标。

在实际应用中，我们需要根据具体的需求选择合适的国内三极管。

根据不同的电路要求，我们可以选择不同类型、功率等级和特殊功能的三极管。

通过合理选择和使用三极管，可以有效地实现电子设备的各种功能，提高设备的性能和可靠性。

国内三极管的命名规则是一种对三极管进行统一命名的规范，它规定了三极管的命名方式和代号的含义。

国内外常用电子管代换大全……DIY之宝典

国内外常用电子管代换大全……DIY之宝典本帖最后由 czgqwe321 于 2015-12-26 14:18…………国内外常用电子管代换大全-----希望对各位烧友有用…………一、常用型号、用途及代换常用型号管芯结构主要用途国外同类型号代备注5X4G 直热式双阳极二极管小功率全波整流氧化物阴极5Z3P 直热式双阳极二极管小功率全波整流5T4、5ц3C、CV1861、5R4GY、U52、CV1071、5V3、5AU4、5U4G氧化物阴极5Z4P 旁热式双阳极二极管小功率全波整流*5B×1、*5ц4C，GZ30、CV2748、5Z4G/GT 氧化物阴极5Z1P 直热式双阳极二极管小功率全波整流氧化物阴极5Z2P 直热式双阳极二极管小功率全波整流5W4、5Y3G、80、U50 氧化物阴极5Z8P 旁热式双阳极二极管全波整流*5ц8C 氧化物阴极5Z9P 旁热式双阳极二极管全波整流*5ц9C 氧化物阴极6Z4 旁热式双阳极二极管全波整流*6ц4П、6B×4、6×4、6Z31 共阴极6Z5P 旁热式双阳极二极管小功率全波整流*6ц5C 共阴极6H2 旁热式双阳极二极管检波、整流*6×2П、6AL5、C 氧化物阴极6C1 旁热式三极管宽带电压放大*6C1П、CV664、9002 氧化物阴极6C3 旁热式三极管宽带电压放大*6C3П 阴地三极管6C4 旁热式三极管宽带电压放大*6C4П 栅地三极管6C5P 旁热式三极管低频电压放大6C5GT、*6C5C、6C5 、CV1067、L63氧化物阴极6C6B 旁热式三极管低频电压放大5703、CV3917、*6C6Ь 氧化物阴极6C7B 旁热式三极管低频电压放大*6C7Ь 氧化物阴极6C12 旁热式三极管宽带电压放大EC88、5842 高S、低N6C31B-Q 旁热式三极管电压放大*6C31Ь-B 氧化物阴极6C32B-Q 旁热式三极管电压放大*6C32Ь-B 遥截止三极管6N1 旁热式双三极管低频电压放大*6H1П、6AQ8、AA61、ECC40/82 氧化物阴极6N2 旁热式双三极管低频电压放大*6H2П、6AX7、6AV7、ECC41 氧化物阴极6N3 旁热式双三极管低频电压放大*6H3П、6A8Q、2C51、ECC42 氧化物阴极6N4 旁热式双三极管低噪声电压放大ECC83、12A×7 高μ、低N6N5P 旁热式双三极管低频功率放大*6H13C、6AS7、CV2523、6NS7G/GT 低Ri6N6（T）旁热式双三极管低频电压放大*6H6П、E182CC、12BH7 氧化物阴极6N7P 旁热式双三极管低频功率放大6H7、*H7C、6N7/G/GT 共阴极6N8P 旁热式双三极管低频电压放大*6H8C*6H8M、6SN7、6F8G、CV181、QB65、ECC32 氧化物阴极6N9P 旁热式双三极管低频电压放大*6H9C、6SL7、ECC35、6SC7、6CY7 高μ6N10 旁热式双三极管低频电压放大*6H10M、12AV7A、E82CC、CV491 氧化物阴极6N11 旁热式双三极管宽带电压放大*6H23П、6DJ8、ECC84、E88CC、6922、CV2492 高S、低RI、N6N12P 旁热式双三极管低频电压放大*6H12C、TS229、5687 氧化物阴极6N13P 旁热式双三极管低频功率放大*6H13C、6AS7、CV2523、6NS7G/GT 低内阻6N15 旁热式双三极管低频电压放大*6H15П、6J6WA、6CC31、CV858 共阴极6N16B 旁热式双三极管低频电压放大氧化物阴极6N17B 旁热式双三极管低频电压放大*6H17Ь、6112、CV5007 氧化物阴极6N21B-Q 旁热式双三极管低频电压放大氧化物阴极6N23 旁热式双三极管低频电压放大6DJ8、ECC88、PCC88 高μ低N6J1 旁热锐止五极管宽带电压放大*6ж1П、6AK5、6BC5、EF40、EF95、CV850 高频管6J1B 锐截止五极管宽带电压放大*6ж1Ь、CV3929、61489、CK5702/7083 旁热式阴极6J2 锐截止五极管宽带电压放大*6ж2П、6AS6、CV2522、EF11/732、CV4011 旁热式阴极6J2B 锐截止五极管宽带电压放大*6ж2Ь、CK5639 旁热式阴极6J3 锐截止四极管宽带电压放大*6ж3П、EF96、CV848、6BC6、6AG5 束射四极管6J4 锐截止五极管宽带电压放大*6ж4、6136、6BX6、6AC7、EF94 旁热式阴极6J4P 锐截止五极管宽带电压放大*6ж4C、CV849、1852 旁热式阴极6J5 锐截止高频管宽带电压放大*6ж5П、EF80、CV2521、6F36、6AH6 高S、束射四极管6J7 旁热式阴极五极管低频电压放大6*7 、OM5C、KTW61、EF37A、W310A、57、STR4141、低噪声N6J8 锐截止五极管低频电压放大CV2901、6SJ7、6CF8、6267、EF16、EF86、2729 低噪声N6J8P 锐截止五极管宽带电压放大*6ж8C、5693、EF6、EBC3、CV592 旁热式阴极6J9 锐截止五极管宽带电压放大*6ж9П、EF861 旁热式阴极6J20 锐截止五极管宽带电压放大*6ж20П 空间电荷栅6J23 高互导双五极管宽带电压放大*6ж23П 阴极框架栅6J23B-Q 锐截止五极管宽带电压放大*6ж23B-K 低振动噪声12J1S 锐截止五极管小功率放大*12ж1л 氧化物阴极6K1B 遥截止五极管宽带电压放大*6K16K3P遥截止五极管宽带电压放大*6K3、6SK7、6K7、KTZ63、CV1074、6D6、6SG7 旁热式阴极6K4 遥截止五极管宽带电压放大*6K4П、6BA6、6DA6、EF89/93、5749、6K5 旁热式阴极6K5 遥截止五极管宽带电压放大同6K4 旁热式阴极12K3P 遥截止五极管宽带电压放大12K3、12SK7/GT 旁热式阴极2P2 输出四极管低频功率放大2П2П、DL92、1S4T、1L33、1L34 直热式阴极2P3 束射四极管低频功率放大3A4、1662、CV807、DL93 直热式阴极2P19B 五极管功率放大直热式阴极2P29 直热式五极管功率放大*2、*2П29л 氧化物阴极4P1S 直热式阴极功率放大*4П1л、4L2D 五极管6P1 束射四极管低频功率放大*6П1П、6AQ5、6BW6、6L31、EL14、90 旁热式阴极6P3P 束射四极管低频功率放大*6П3C、*6л6C、6L6、6L6G/GT、1614、1619、1622 同型：1631、6TT3C6P4P 束射四极管低频功率放大旁热式阴极6P6P 旁热式束射四极管低频功率放大*6П2、*6П6C、6Φ6、1611、1613、1621、6K6、CV509、6V6GT、CV510、CV1912、CV511、6N6C、KT636P9P 旁热式五极管宽带功率放大*6П9C、CV569 氧化物阴极6P13P 束射四极管低频功率放大*6П13C（旁热）旁热式阴极6P14P 旁热式五极管宽带功率放大*6П14П、6BQ5、N709、EL84、CV2975、7320、6L40 氧化物阴极6P15P 旁热式五极管低频功率放大6CH6、6CW5、EL180、EL821、CV2127、12BY7A 氧化物阴极6P25B 束射四极管低频功率放大*6П25Ь、EL71、5902 氧化物阴极6P30B-Q 束射四极管低频功率放大*6П30Ь-B（旁热）氧化物阴极6P31B-Q 束射四极管低频功率放大*6П31Ь-B（旁热）氧化物阴极13P1P 输出五极管低频功率放大*13П1C 旁热式阴极6S6 高S 五极管电压/功率放大*6Э1П（旁热）氧化物阴极6T1 高频双四极管推挽输出QM322、5656 旁热式阴极6A2 七极电子管T UNER 变频CV453、EK90、X77、*6A2П、6BE5、5750 旁热式阴极6F1 三极-五极管变频/电压放大*6Φ1П、6BL8、6C16 旁热式阴极6F2 三极-五极管变频/电压放大6Φ2П、6U8、6GH、CV5065、ECF82、6BL8 旁热式阴极6G2P 双二极-三极管检波、电压放大*6Γ2、6SQ7、6SQ7GT/G 旁热式阴极WE300B 直热式三极管功率放大300B、4300A 古典式低内阻FU-5 直热式三极管低频功率放大T100-1、RK57、ML714、NU-150、CV2622、CV2768 F123A、GL805、HF150、CV25FU-7 旁热式四极管大S 功率放大QV05-25、RK39、HY-61、QE06-50、CV124、807 5B/250A、807V、5S1FU-13 直热束射四极管功率放大*гY-13、813、4B13 TT10、QY2-100、QB2、250、CV278、4T100 CV1927、3874A、5C/100AFU-15 直热束射五极管中功率放大*гY-15 氧化物热子FU-17 双束射四极管中功率放大*гY-17、CV3517、6360、QQV03-10、QQV03/12 旁热式阴极FU-25 旁热束射四极管宽带功率放大1625、FD-25 氧化物阴极FU-29 双束射四极管宽带功率放大*гY-29、829B 旁热式阴极FU-31 直热式三极管宽带功率放大2T26、826、826“RCA” 钍钨阴极FU-32 双束射四极管宽带功率放大*гY-32、RS1019、TT20SRS4452、QQE03/20、P2-12 与FU-29类同FU-33 直热式三极管功率放大ES833、CV635、B142、3578、833A、5T33 钍钨阴极FU-46 旁热式五极管中功率放大QV06-20、P40、QE05/40、7212、6146、2B46 氧化物阴极FU-50 束射五极管宽带功率放大*гY-50、SRS552、P50/2 旁热式阴极FU-811 直热式三极管宽带功率放大*г-811、811A 钍钨阴极FU-250F 旁热式四极管宽带功率放大4C×250A 金属陶瓷型EL81 旁热式五极管功率放大6CJ6 氧化物阴极845 直热式三极管功率放大UV-845 Po≈100W6CY7 旁热式双二极管电压放大每组**管特性参数不同Rg< 100kΩ6CX8 旁热式三极管- 五极管电压放大和P-K 分割比6U9、6F2靓高S18045 旁热式五极管小型功放作耳机放大有极佳表现Po> 1WFC4 旁热式三极管电压放大*гC4 金属陶瓷管6C22D 旁热式三极管电压放大5876 金属陶瓷管6550 旁热束射四极管功率放大KT88 氧化物阴极KT100 旁热束射四极管功率放大KT94 氧化物阴极PL81 旁热式五极管功率放大21A6 氧化物阴极EL34 旁热式五极管功率放大6CA7、KT66 氧化物阴极2A3 直热式三极管功率放大*2C4、AD1、6A3、6B4G、6C4C211 直热式三极管功率放大FD422 直热式五极管功率放大2E226C33C-B 旁热式三极管功率放大二、国内外电子管代换常用电压放大级即前级放大胆管代换表6N1 ECC85,6AQ8,6H1л6N4 12AX7,ECC83,E83CC,7729,CV4004,B759,CV4926N10 12AU7,ECC82,E82CC,7316,CV4003,5814,B749,61896N116DJ8,E88CC,ECC88,6922,ECC189,6J5,6H11N,7308,El88CC 6N8P 6SN7,B65,5692,33S30,CV1988,6H8C,6HM,6F8G,1633 6H8C 6HM,6F8G,1633,9002,6C8G6J8P 6SJ7,6267,EF86,12AT7ECC81,CV4024,6201,B739,A2900,2025,ECC80156N9P 6SL7,5691,33S29,VT2296F2 ECF82,6U86N2 6H2л功率用管代换表6P3P 6L6GC,58816P6P 6V6GT,5S2,KT63 EL34 6CA7,KT66,7027A 6P14 EL84,6BQ5,6П14П6N5P 6080,6AS7,6H5C FU-5 805FU-7 807,1625FU-13 813FU-46 06146BFU-17FU-605 6T517092 6T50FU811 811AFU812 812AGL-211 211300B WE300B,NL50,4300BKT88 6550,NT99,KT1002A3 2A3S845 845A6360,TY-7整流电子管代换及特性表型号代换型号Bb2V UfV/I I2L(mA)最大型式5U4G 5Z3P,U52 500V 5V/3A 2500 直热式5Y3GT 522P 350V 5V/2A 125 直热式5R4GY 22S2C 900V 5V/2A 150 直热式5T4 450V 5V/3A 250A 直热式6Z4 350V 6.3V/0.5A 50 直热式6Z5 6X5 230V 6.3V/0.8A 60 旁热式6X4 325V 6.3V/0.5A 70 旁热式5Z4P 5Z4 400V 5V/2A 125 旁热式5AR4 GZ34 450V 5V/1.9A 250 旁热式。

半导体三极管的命名方法(中日欧韩美)

半导体三极管的命名方法（中日欧韩美）按国家标准GB/T 249- 89 的规定，三极管的型号命名同二极管一样由五部分组成，其型号组成部分及其含义见表。

一、我国三极管的型号组成部分及其含义常见的三极管型号有3DG130C, 3AX52B等，其含义如下:头，日本产的半导体三极管是以“2S”开头，目前市场上以“2S”开头的日本品比较多。

日本产半导体器件命名方法如下:半导体三极管型号中的第三部分用A表示PNP型高频管，用B表示PNP型低频管，用C表示NPN型高频管，用D表示NPN型低频管;第四部分由数字组成，表示日本电子工业协会注册登记的顺序号，数字越大，表示产品越新;第五部分用字母表示对原型号的改进产品。

二、日本三极管的型号组成部分及其含义（常用）例子：三、欧洲常采用国际联合会制定的标准，对三极管型号的命名方法是:第一部分用A或B开头(A表示锗管，B表示硅管);第二部分用C表示低频小功率管，用F表示高频小功率管，用D表示低频大功率管，L表示高频大功率管，用S和U表示小功率开关管和大功率开关管;第三部分用数字表示登记序号，如BC87表示硅低频小功率管。

第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。

A、B、C、D、E┄┄表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。

除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。

常见后缀如下：1、稳压二极管型号的后缀。

其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。

2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。

3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。

电子管发烧知多少——十款常见的电子管你烧到哪个了？

电子管发烧知多少——十款常见的电子管你烧到哪个了？电子管种类电子管种类繁多，型号庞杂，在音频领域可作如下分类：1.按用途分类在音响领域电子管按其用途可分为电压放大管、功率放大管、整流管、稳压管等。

2.按管形分类电子管有很多种管形，可分为：（1）直棒形，如6N8P、6J8P、6N9P、EL34、805；（2）凸形（又称“葫芦管、茄子管），如5Z3P、6P3P、300B；（3）胖腰形，如6650、KT88；（4）长拇指管，如6P14、6P14、EL84；（5）短拇指管（又称“花生管”）12AX7、12AU7、6N10、6N3、6N11、6N1、6922。

3.按内部结构分类常用的电子管按其内部结构可分为二极管、三极管、束射四极管、五极管。

（1）二极管二极管通常用于整流和检波，它有单二极管和双二极管两种，单二极管内部只有一只二极管，如汞气整流管866，它是一种大电流的真空整流二极管，管内充有汞，使用时需要预热5 min以上，汞在加热后形成汞蒸气增大输出电流，通常用于大功率的整流电路。

为适应大电流整流电路，同时简化电路结构，双二极管内部复合有两只功能相同的二极管，输出电流比单二极管增大，如5Z3P（见图9）、5Z4P、5AR4、6Z4等。

866汞气整流管5Z3P双整流管（2）三极管三极管是放大器的基础，高保真音响的前级和后级都少不了它的身影。

三极管有电压放大管和功率放大管两种。

电压放大管一般内部复合两只完全相同的三极管，管形较小，多以小九脚管为主，如6N1、6N2、6N3、6N4、6N6、6N10、6N11等，6N8P、6N9P为大八脚电压放大管。

电压放大管6N1功率放大管能耗大，体形较大，主要用于末级功率输出，其中2A3、300B为中功率三极放大管，211、212、845、805、833为大功率三极放大管。

（3）束射四极管四极管是一种理论管，只作为验证管，由于它的结构原因，电气参数不理想，在实际应用很少。

中国二极管命名规则

中国二极管的命名规则通常由五个部分组成，具体如下：
1. 主称：用数字“2”表示主称为二极管。

2. 材料与极性：用字母表示二极管的材料与极性，如A代表N 型锗材料，B代表P型锗材料，C代表N型硅材料，D代表P型硅材料，E代表化合物材料。

3. 类别：用字母表示二极管的类别，如P代表小信号管（普通管），W代表电压调整管和电压基准管（稳压管），L代表整流堆，N代表阻尼管，Z代表整流管，U代表光电管，K代表开关管，B或C 代表变容管，V代表混频检波管，JD代表激光管，S代表遂道管，CM 代表磁敏管，H代表恒流管，Y代表体效应管，EF代表发光二极管。

4. 序号：用数字表示同一类别产品序号。

5. 规格号：用字母表示产品规格、档次。

通过这些字母和数字的组合，可以提供关于二极管特性和参数的信息，从而帮助用户快速识别和区分不同类型的二极管。