薄膜工艺工程师研发工程师简历

个人简历
个人资料
姓 名：xxx
性 别：男
出生日期：1982 年 3 月 1 日 学 历：大专
毕业院校：兰州大学
专 业：半导体器件与微 电子
(可以贴照片)
工作经验：三年以上
职 称：助理工程师
申请职位：薄膜工艺工程师 研发工程师
联系方式： (手机) xxxxxxx@h o
求职意向
(邮件 & MSN)
求职意向： 薄膜工艺工程师 研发工程师
求职地点： 无锡 XX 苏州 工作经验：三年以上
工资要求：3500 以上 工作性质：全职
教育培训
2000.9--2004.7 兰州大学 半导体器件与微电子学 本科 2000 年 9 月至 2004 年 7 月 就读于大学物理与科学技术学院微电子学专业 2006.5--2006.7 培训单位： 天合半导体公司 培训内容：iso9001 认证 200.4—2005--6 培训单位：核芯电子公司 培训内容：5s 现场管理
工作经验
2004 年 07 月— 2007 年 03 月 ：半导体公司 【单位性质】：合资 【所任职位】： 工程部/工艺工程师 【职责描述】：2004 年 07 月－－2007 年 4 月担任半导体有限公司工艺工程师 兼新产品工艺设计工程师.主要负责 varian3180、3120 溅射台，mark50 蒸 发台，varian3125 蒸发台，ebx2000 蒸发台等的工艺改进及保障工作和新产 品的开发和工艺、版图设计，并熟练掌握肖特基生产线薄膜制备工艺。2006 年 4 月-6 月改进了 varian3180 溅射台溅射工艺，使该企业肖特基产品成品率提 高了 9.6 个百分点，目前该设备已生产肖特基产品 40000 多片，并保持稳定运 行。2006 年 8 月-10 月改进了肖特基产品合金工艺，提高了芯片均匀性。
项目经验

2005.11—2006.3:开发低速（50-100 ns）和高速（小于 10 ns）开关二 极管 项目描述：开发了低速（50-100 ns）和高速（小于 10 ns）开关二极管，经 日本专家鉴定，比日本 tikoen 公司相同产品正向电压还要低 0.3v，目前已为天 水天光半导体公司获利 100 多万元。 200.5--2005.10:开发大电流高电压肖特基二极管 项目描述：开发了大电流、高电压肖特基 5a150v、200v，10a150v、200v 产品，填补了该企业在大电流产品方面的空白。 责任描述：负责项目请示，提交项目建议书，项目可行性分析和项目前期调研， 撰写项目可行性报告和调研报告；制定项目实施方案，填写项目申报书并负责项 目申报工作。负责与企业客户的沟通，了解并分析客户需求，制定项目合作方案； 并根据项目需求，组建项目团队和项目技术主要负责人.并负责与日本专家的技 术交流与沟通． 2005.10—2006.5:开发了稳压二极管、光敏晶体管、led 等产品 项目描述：参与开发了稳压二极管、光敏晶体管、led 等产品，扭转了该企业产 品单一化的局面。 责任描述：负责上述产品的金属薄膜制备，产品测试及工艺设计．
技能特长 熟练掌握 varian3180、3120 溅射台，mark50 蒸发台，varian3125 蒸发台， ebx2000 蒸发台等的设备运行状态和工艺参数，并熟练掌握肖特基生产线扩散、 光刻腐蚀、金属化等工艺。 熟悉新产品开发流程及工艺设计。 专业软件： l-edit
自我评价 乐观向上、兴趣广泛、稳重沉着、适应力强、勤奋好学、脚踏实地、认真负责、 坚忍不拔、勇于迎接新挑战、具有较强的团队合作精神。