模电练习题

一. ）

二. 选择正确答案填入空内，只需填入A 、B 、C 、D

1/在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于____，而少数载流子的浓度与____关系十分密切。（A ．温度， B ．掺杂工艺 ， C ．杂质浓度）

2、某二极管在正向电流I D ＝10mA 时，其正向压降U D ＝。在U D 保持不变的条件下，当二极管的结温升高10℃，I D 将____。（A ．小于10mA ， B ．大于10mA ， C ．等于10mA ）

3、随着温度升高，晶体管的电流放大系数β____，穿透电流CEO I ____，在I B 不变的情况下b-e 结电压U BE____。（ A ．增大， B ．减小， C ．不变）

5、选择填空。

1．直接耦合与变压器耦合多级放大电路之间主要不同点是。 （A ．所放大的信号不同，B ．交流通路不同，C ．直流通路不同） }

2．因为变压器耦合放大电路（A 1．各级静态工作点Q 相互独立，B 1．Q 点相互影响，C 1．各级A u 相互影响，D 1．A u 互不影响），所以这类电路（A 2．温漂小，B 2．能放大直流信号，C 2．放大倍数稳定），但是（A 3．温漂大，B 3．不能放大直流信号，C 3．放大倍数不稳定）。

6、选择填空。1．正弦波振荡电路利用正反馈产生自激振荡的条件是____。 （A ．

1＝F A ， B ．1＝－F A ， C ．11>>F A

＋） 2．负反馈放大电路产生自激振荡的条件是____。 （A ．

0＝F A ，B ．1＝F A ，C ．1＝－F A ，D ．∞＝F A

） 1、从括号中选择正确的答案，用A 、B 、C 、D 填空。

N 型半导体是在纯净半导体中掺入____；P 型半导体是在纯净半导体中掺入____。 （A ．带负电的电子， B ．带正电的离子， C ．三价元素，如硼等 ， D ．五价元素，如磷等）

;

2、从括号中选择正确的答案，用A 、B 、C …填空。 某直接耦合放大电路在输入电压为 时，输出电压为 8V ；输入电压为 时，输出电压为 4V （均指直流电压）。则该放大电路的电压放大倍数为________________。

（A ．80 ， B ．40， C ．－40， D ．20） 3、选择正确答案，用A 、B 、C 、D 填空。 当某阻容耦合放大电路输入一个方波信号时，输出电压波形如图所示，说明该电路出现了____；（A.非线性失真， B.频率失真），造成这种失真的原因是____。（A ．晶体管β过大， B ．晶体管的特征频率太低， C ．耦合电容太小， D ．静态工作点不合适）。

硅二极管的正向电压从增大10％，则流过的正向电流增大____。（A ．约10％， B ．小于10％ ， C ．大于10％）

对于同一个晶体管来说，CBO I ____CEO I ；(BR)CBO U _____(BR)CEO U 。（A ．小于， B ．大于， C ．等于）

某单管放大电路在负载开路情况下，输入端接1kHz 、50mV 正弦信号，测得输出电压为 2V （有效值）。当一个阻抗为8Ω、额定功率为 1W 的扬声器接至输出端，扬声器获得的电功率为 _____（ A ．1W ， B ． ， C ． ， D ．小于）。

，

5、选择正确的答案填空：

1．输入偏置电流I IB 是＿＿。

A ．运放两个输入端基极偏置电流之和

B ．运放两个输入端基极偏置电流之差

C ．运放两个输入端基极偏置电流之平均值

2．在运放中差分输入级静态电流I C 一定的情况下，I IB 的大小直接反映了差分放大管的＿＿值。 A ．发射结电压U BE

B ．电流放大系数 >

C ．U BE 的失配

D ．的失配

3．I IB 越小，则失调电流I IO ＿＿。 A ．越小 B ．越大 C ．不变

在双极型晶体管三种基本接法中高频响应特性最好的是______，最差的是____。

（A．共射接法， B．共集接法， C．共基接法

"

阻容耦合放大电路的上限截止频率主要取决于____，下限截止频率取决于____。

（A．耦合电容， B．晶体管的极间电容， C．晶体管的非线性特性）

一个同相放大电路当输入一个正弦信号时，若输出电压顶部削平了，说明该放大电路出现了____；如输出电压的相位与输入不同相，说明该放大电路出现了____。（A．饱和或截止失真， B．交越失真，C．频率失真）

随着温度的升高，在杂质半导体中，少数载流子的浓度____，而多数载流子的浓度____。（A．明显增大， B．明显减小， C．变化较小）

1．差分放大电路中的差模输入信号是两输入端信号＿＿，共模输入信号是两输入端信号的＿＿。

（A．差，B．和，C．比值，D．平均值）

—

2．差模电压放大倍数等于＿＿之比，共模电压放大倍数等于＿＿之比。

（A．输出信号电压与输入信号电压，B．输出差模电压与输入差模电压，C．输出共模电压与输入共模电压）

3．共模抑制比等于＿＿之比。

1．直接耦合放大电路能放大，阻容耦合放大电路能放大，变压器耦合放大电路能放大。

（A．直流信号，B．交流信号，C．交直流信号）

2．因为直接耦合放大电路（A1．各级静态工作点Q相互独立，B1．Q点相互影响，C1．各级A u互相影响，D1．A u互不影响），所以这类电路（A2．温漂小，B2．能放大直流信号，C2．放大倍数稳定），但是（A3．低频特性不好，B3．放大倍数不稳定，C3．必须进行电平配合）。

1、判断下列说法的正误，正确画√，错误画×。

-

当某同相放大电路在输入一个正弦信号时产生了频率失真，则输出电压波形将为非正弦（）；输出电压频率与输入电压频率不同（）；输出电压相位与输入电压相位不同（）。

2、判断下列说法的正误，正确画√，错误画×。

放大电路的增益带宽积近似为常数是指：

1．当晶体管选定后，放大电路的中频增益和带宽的乘积近似为一个常数。（）

2．当晶体管选定后，在信号频率远大于上限截止频率时，放大电路增益与信号频率乘积近似为一个常数。（）

1．本征半导体是指没有掺杂的纯净半导体。（）

2．掺杂半导体因含有杂质，所以在制造半导体器件时是没有用处的。（）

1．h参数模型可以用于输入为小信号、输出为大信号的情况；（）

~

2．h参数模型只能用于输入、输出均为低频小信号情况；（）

3．h参数模型可以用于求解直流放大器的电压放大倍数，（）也可用于求解直流静态工作点。（）

1．由于放大电路的增益带宽积近似为一个常数，所以宽带放大电路的放大倍数一定很低。（）

2．当晶体管和放大电路的结构选定之后，提高放大电路的电压放大倍数，必会牺牲放大电路的频带宽度。（）

试就多级放大电路的输入电阻和输出电阻判断下列说法是否正确，正确的在括号中画“√”，不正确的画“×”。

1．如果输入级是共射放大组态，则输入电阻只与输入级有关。（）

2．如果输入级是共集放大组态，则输入电阻还与后级有关。（）

3．如果输出级是共射放大组态，则输出电阻只与输出级有关。（）

￥

4．如果输出级是共集放大组态，则输出电阻还与前级有关。（）

1．h参数等效电路法适用于低频小信号情况；（）

2．图解法适用于高频大信号情况；（）

3．h参数等效电路法和图解法都能求解电路的静态工作点；（）

4．h参数模型是交流小信号模型，所以无法解直流放大电路的电压放大倍数。（）

1．一个理想对称的差分放大电路，只能放大差模输入信号，不能放大共模输入信号。（）