场效应管和三极管的区别
三极管的特点和场效应管
三极管的特点和场效应管三极管（Transistor）是一种具有放大和开关功能的半导体器件，由二个PN结组成。
它是现代电子技术的基础元器件之一，广泛应用于各种电子设备中。
1.放大功能：三极管可以将微弱的输入信号放大为较大的输出信号。
它通过控制基极电流，实现对集电极电流的放大。
这使得三极管在许多电子设备中起到放大器的作用。
2.开关功能：三极管可以实现电路的开关。
当输入信号使得三极管工作于饱和状态时，可以允许电流通过；当输入信号使得三极管工作于截止状态时，可以阻止电流通过。
这使得三极管在数字电路中起到开关的作用。
3.快速响应速度：三极管具有快速的开关速度和放大速度。
这使得它在高频电路中应用广泛，如射频放大器、电视机、收音机等。
4.小尺寸和轻量级：三极管较小且轻便，容易与其他电子器件集成在一起，实现各种电子设备的小型化。
5.高可靠性：三极管的制造工艺和材料选择使其具备较高的可靠性和稳定性，可以长时间稳定工作。
6.低功耗：三极管的特性使其能够在低功耗条件下工作，这在一些电池供电的设备中尤为重要。
除了三极管，还有另一种重要的半导体器件，即场效应管（Field-Effect Transistor，简称FET）。
场效应管也具有放大和开关功能，但与三极管相比，它具有以下特点：1.输入电阻高：场效应管的输入电阻非常高，几乎没有输入电流。
这使得场效应管可以在高输入阻抗的条件下进行信号放大，可以有效减小电路的负载效应。
2.低功耗：由于场效应管的输入电流非常低，可以在低功耗条件下工作。
这使得场效应管在需要长时间工作且能耗要求低的场合中非常有用。
3.容易控制：场效应管的放大和开关动作都是通过输入电场控制的。
与三极管相比，通过输入电场控制更容易实现。
4.可选择性强：场效应管有多种类型，如MOSFET、JFET等，可以根据需要选择不同类型的场效应管来满足不同需求。
5.输出电阻低：场效应管的输出电阻低，可以有效降低输出电压波动，提升信号质量。
三极管的特点和场效应管
三极管的特点
三极管是一种常用的电子器件，具有以下特点：
1. 增益放大作用：三极管能够将小信号输入转换为较大的输出信号，实现信号的放大。
2. 高输入阻抗：三极管的输入端具有高阻抗特性，不会对输入信号产生影响，从而保持信号的准确性。
3. 低输出阻抗：三极管的输出端具有较低的输出阻抗，可以提供稳定的输出信号，便于连接到下游电路。
4. 可控制流：通过控制管子中相应的电压或电流，可以有效地控制三极管的工作状态和输出。
由于以上特点，三极管在电子电路中广泛应用于放大、开关和调节等功能。
场效应管的特点
场效应管（Field-Effect Transistor, FET）是另一种常见的电子器件，具有以下特点：
1. 高输入阻抗：与三极管类似，场效应管的输入端也具有高阻抗，
不会对输入信号造成负载。
2. 低输入电流：场效应管的输入电流非常低，进一步降低了对输入信号的干扰。
3. 高增益：场效应管的增益通常比三极管高，可以提供更大的信号放大。
4. 低输出阻抗：与三极管类似，场效应管也具有较低的输出阻抗，能够提供稳定的输出信号。
场效应管的主要类型有MOSFET和JFET两种，其工作原理和特性略有不同。
总体而言，场效应管具有高输入阻抗、低输出阻抗和高增益等特点，可用于放大、开关、电压调节和逻辑门等电路应用。
与三极管相比，场效应管在某些方面具有优势，例如消耗更少的功率、更快的开关速度和更好的线性性能。
怎么判断贴片场效应管和贴片三极管
怎么判断是贴片场效应管还是贴片三极管，区别在哪里?随着科技不断进步，人们对于三极管及场效应管需求不断增加，贴片三极管与贴片场效应管在我们日常生活中大量使用。
现在市面上贴片三极管和贴片场效应管的型号规格众多，两者外观也十分相似。
那么我们要怎么判断这是贴片场效应管还是贴片三极管呢，它们区别在哪里?贴片场效应管和贴片三极管的区别1、贴片三极管贴片三极管在电路中主要起信号放大或开／关作用，根据其内部结构可分为NPN和PNP两大类，两者的区别是电流方向不同；按照功率可分为大、中、小三类，小型贴片三极管的功率值一般为0.1W～0.5W，属于中、小功率类型；按照工作频率可分为低频（3MHz以下）、中频（3MHz以上，30MH：以下）、高频（30MHz以上）三类。
大多数贴片三极管引脚按“左基右射中间集”的规律排列，如图1所示。
比较常见的贴片三极管型号有：9011 1T、9012 2T、9013 J3、9014 J6、9015 M6、9016 Y6、9018 J8、S8050 J3Y、2SC1815 HF、2SC945 CR、MMBT3904 1AM、MMBTA92 2D、BC856 3D等众多不同型号。
贴片三极管-作用现在市面上三极管款式、种类、性能、材质等都有不同，三极管指的就是一种电流控制电流的半导体器件，对微弱信号起着放大和作无触点作用。
贴片三极管在使用过程中具有结构牢固、体积小、寿命长、耗电省等一系列独特优点。
贴片三极管有一个重要参数即电流放大系数，贴片三极管还可作电子开关，以配合其它电子元件构成振荡器等。
在2、贴片场效应管贴片场效应管在电路中主要起信号放大或开／关作用，根据其内部结构可分为N沟道和P 沟道两大类，实际应用以N沟道居多。
由于贴片场效应管具有输入阻抗高、灵敏度高、功率大等优点，因此广泛用于平板彩电及数码产品中，其封装形式较多，常见引脚功能如图2所示。
其中，“G”表示栅极，“S”表示源极，“D”表示漏极。
三极管 场效应管对应关系
三极管场效应管对应关系
三极管和场效应管是两种常见的电子元件，它们在电子
电路中起着重要的作用。
虽然它们都是用来放大电信号的，但是它们的工作原理和特性有所不同。
首先，让我们来了
解一下三极管。
三极管是一种双极型晶体管，由三个区域
组成：发射区、基区和集电区。
它的工作原理是通过控制
基极电流来控制集电极电流。
当基极电流增大时，集电极
电流也会相应增大。
这种特性使得三极管可以用来放大信号。
与之相比，场效应管是一种单极型晶体管。
它由栅极、漏极和源极组成。
场效应管的工作原理是通过控制栅极与
源极之间的电压来控制漏极与源极之间的电流。
当栅极与
源极之间的电压变化时，漏极与源极之间的电流也会相应
变化。
这使得场效应管可以用来放大信号。
尽管三极管和
场效应管都可以用于放大信号，但它们在一些方面有所不同。
首先，在输入阻抗方面，场效应管的输入阻抗比三极
管高得多。
这意味着场效应管对输入信号的影响更小，更
适合用于高频电路。
其次，在输出阻抗方面，三极管的输
出阻抗比场效应管低。
这意味着三极管可以提供更大的输
出功率。
此外，场效应管的开关速度比三极管快得多。
这
使得场效应管在数字电路中更常用。
最后，从制造工艺来看，场效应管相对于三极管来说更容易制造和集成。
综上
所述，尽管三极管和场效应管都可以用于放大信号，但它
们在工作原理、特性和适用范围上有所不同。
选择使用哪
种器件取决于具体的应用需求和电路设计要求。
三极管 场效应管
三极管场效应管在当代的电子工业中，三极管和场效应管是常常被使用的两种电子元器件。
它们的使用范围广泛，可以在各种电路中担任不同的角色。
本文将围绕这两种元器件进行详细的阐述。
一、三极管三极管是一种半导体器件。
它由三个掺有不同材料的区域组成，其中两个区域被称为“外结区”，另一个区域则被称为“内结区”。
当外结区加正/负电压时，电子就可以跨越内结区流到另一个外结区中。
这种流动形式被称为“扩散”，且流动的方向从高浓度处向低浓度处。
而当内结区加电压时，电子会被强制转向，以便在另一个外结区中流动，这个过程称为“漂移”。
三极管的工作原理可以概括为：当基极电压为低电平（0V）时，隔板区被反偏，此时电子无法从集电区流向发射区，因此输出为高电平。
当基极电压为高电平（正电压）时，隔板区将被正偏，电子可以顺利流向发射区，从而使输出为低电平。
二、场效应管场效应管（FET）由三个区域组成，其中有一个称为“沟道区”，处于“沟道区”下方的是“源极”，而处于“沟道区”上方的是“漏极”。
FET在正常工作状态下，其沟道区内的电子和空穴通过扩散而互相中和。
当施加负电压于栅极时，栅式场会封锁漏极与源极之间的电流，因此，FET在负栅电压下具有很高的阻值，即非常高的输入电阻。
FET的特点是输入电阻大，除了噪声系数外，其他参数都很好。
其工作原理是利用栅电势来控制电源沟道中的电子。
三、三极管和场效应管的比较1. 不同的控制方式：三极管的控制基于基极电流，而场效应管的控制基于栅极电压。
2. 不同的电路结构：三极管有三个引脚，而场效应管具有五个引脚。
3. 不同的输入输出特性：三极管输入电阻小，输出电流大，而场效应管则恰好相反。
4. 工作电压不同：三极管需要一个足够大的开启电压，而场效应管则可以以较小的电压（几伏）开启。
两者都有各自的优势和不足，具体选择哪一种器件，需要根据具体的应用环境和性能要求进行评估。
总之，三极管和场效应管都是极为重要的电子元器件，在电子技术中扮演着重要的角色。
三极管、场效应管、IGBT的区别
三极管、场效应管、IGBT的区别一、三极管三极管是一种（电流）控制体器件，它的主要作用是把微弱（信号）放大，输入阻抗低，例如在基极b给一个很小的电流Ib，在集电极c上得到一个比较大的电流Ic。
它是电流放大器件，但是在实际时候通常通过一个电阻将三极管的电流放大作用转变为电压放大作用，因此，只要电路参数设置合适，一般输出电压可以比输入电压高很多倍。
它有三个工作状态：截止状态、放大状态、饱和状态。
三极管一般是弱电中使用，而且出现在开关作用、电流放大作用，例如蜂鸣器驱动、（数码）管驱动、直流小风扇驱动等方面。
1）三极管驱动数码管如果由于（单片机）I/O口驱动能力有限，可以加三极管扩大驱动电流2）三极管驱动蜂鸣器二、场效应管场效应管是电压控制器件，它是继三极管之后的新一代放大元件，场效应（晶体管）可分为耗尽型效应晶体管和增强型效应晶体管，同时又有N沟道和P沟耗尽型之分。
场效应管一般用于开关作用，有开关用以及有功率用。
特别是（电机）、（开关电源）等，应用场合一般都是出现在需要耐压高、耐电流大、频率特性高的时候。
三、（IGBT）IGBT是电压控制电流，可是说是集成块三极管和场效应管的优点的一种器件，它利用电压来控制PN结，在大电流应用比较广泛，因此比较适合强电开关，强电功率使用，例如（变频器）、逆变器、电力（控制系统）等，很多场合以IGBT作为逆变器件，工作电流3000kVA以上，频率达25kHz以上。
如下图是直流电机驱动主电路。
四、总结1）三极管是电流控制器件、而场效应管和IGBT是电压驱动器件。
三极管特点是能够将电流放大，场效应管特点是噪声小、功耗低、没有二次击穿现象等，IGBT特点是高耐压、导通压降低、开关速度快等；2）三者都可以作为（电子）开关用，三极管一般是小型开关、信号放大场合应用，如果对于信号源需要更多的电流时候可以采用三极管，否则就用场效应管，而IGBT更适合于大电流、大电压的（电力系统），它是（电力电子）重要的大功率主流器件之一。
场效应管和三极管的区别以及生产厂家介绍
场效应管和三极管的区别以及生产厂家介绍相信很多初学者在进行电路设计时，都曾经遇到过一个选择难题：三极管和场效应管选哪个更好一些呢？其实无论是三极管还是场效应管，它们都有自己的优势，也有各自的弊端，在今天的文章中，华强北IC代购网将会对这两种管子的优缺点和区别，展开简要分析。
场效应管和三极管工作原理区别尽管场效应管和三极管功能相近，场效应管也是由三极管衍生出来的，但是两者的工作原理是有所区别的。
具体如下：1、三极管是双极型管子，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与；2、场效应管是单极型管子，即管子工作时要么只有空穴，要么只有自由电子参与导电，只有一种载流子；3、三极管输入阻抗小，场效应管输入阻抗大；4、有些场效应管源极和漏极可以互换，三极管集电极和发射极不可以互换。
场效应管和三极管的应用区别就目前三极管和场效应管的应用情况来看，它们两者主要有以下四种区别：1、三极管是用电流控制，场效应管属于电压控制；2、从成本上看，三极管要比场效应管便宜；3、在功耗方面，与场效应管相比，三极管损耗更大一些；4、最后一种区别就是两者的驱动能力不同，由于场效应管常用应用在开关电路上，因此场效应管的驱动能力要比三极管的好。
相关参数比较表生产厂家介绍1、ROHMRohm是在系统LSI以及最新半导体技术是首屈一指的主导企业，以“用不坏的零件”为目标，实现了世界最高质量和可靠性。
产品包括大规模集成电路、模块、光学元件、模块组件、分立元件、无源元件等。
2、Toshiba东芝半导体，拥有先进的加工技术，高精度的产品开发能力以及对全球客户在宽带设备销售方面的经验，将东芝定位于全球半导体市场的持续领导地位。
产品齐全,公司经营主要有TLP光藕系列。
3、ON Semiconductor安森美半导体(ON Semiconductor，其高能效电源和信号管理、逻辑、分立及定制方案阵容，帮助客户解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗、军事/航空及电源应用的独特设计挑战。
场效应管和三极管的异同
场效应管和三极管的异同1.引言1.1 概述概述:场效应管和三极管是现代电子器件中常用的两种晶体管。
它们都是半导体器件，具有放大、开关、调节电流等功能。
虽然场效应管和三极管都属于晶体管的范畴，但它们在结构、工作原理和特性等方面存在一定的不同。
场效应管，又称为晶体管的一种，是一种基于电场调控电流的半导体器件。
场效应管的主要组成部分包括栅极、源极和漏极。
通过在栅极上施加电压来改变栅极和漏极之间的电场强度，从而控制漏极电流的大小。
场效应管具有高输入阻抗、低噪声、低功耗等优点，在许多应用中得到了广泛的应用。
而三极管是另一种常见的晶体管类型，也被称为双向晶体管。
它由三个掺杂不同的半导体材料层叠而成，主要包括基极、发射极和集电极。
通过控制基极电流来控制发射极和集电极之间的电流放大倍数。
三极管具有高电流放大倍数、可靠性高等特点，被广泛应用于放大、开关和稳压等电路。
在工作原理上，场效应管是通过改变栅极电压来调节漏极-源极之间的电流，而三极管则是通过调节基极电流来控制发射极-集电极之间的电流。
由于两者的工作原理不同，它们的特性表现也有所区别。
总结起来，场效应管和三极管在结构、工作原理和特性等方面存在明显的差异。
场效应管主要通过改变电场来调节电流，而三极管则是通过改变电流来实现电流放大。
尽管存在差异，但它们都是现代电子器件中不可或缺的重要组成部分，两者在电子领域中都有着广泛的应用。
在接下来的章节中，我们将更加深入地探讨场效应管和三极管的工作原理、特性以及它们在实际应用中的优劣势。
1.2 文章结构文章结构:本文主要围绕场效应管和三极管展开讨论，分为引言、正文和结论三个部分。
引言部分首先对场效应管和三极管进行了概述，介绍了它们的基本特点和在电子学中的应用。
接着，介绍了本文的结构以及各个部分的内容和目的。
正文部分分为两个小节，分别讨论了场效应管和三极管的特点和工作原理。
在场效应管部分，我们将重点探讨了它的两个要点。
第一个要点将介绍场效应管的基本结构和工作原理，包括栅极、漏极和源极的作用以及通过改变栅极电压控制漏电流。
场效应管与晶体三极管的比较
场效应管与晶体三极管的比较原理区别：1、三极管是双极型晶体管，场效应管是单极型晶体管；2、三极管是电流控件，场效应管是电压控件；3、三极管输入阻抗低，场效应管输入阻抗高；4、三极管分NPN和PNP两种类型，有硅管和锗管之分。
场效应管分结型和绝缘栅型两大类，每类又可分为N沟道和P沟道两种，都是硅管；5、三极管的集电极和发射机不可互换，场效应管的源极和漏极可以互换；场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件.在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管.晶体三极管与场效应管工作原理完全不同，但是各极可以近似对应以便于理解和设计：晶体管：基极发射极集电极场效应管：栅极源极漏极要注意的是，晶体管(NPN型)设计发射极电位比基极电位低(约0.6V)，场效应管源极电位比栅极电位高（约0.4V)。
有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好.场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用.在主板中的区别：第一种方法最有效果，就是查资料。
第二种是看看芯片脚下的铜片，场管一般只有G极是信号线，是细线，其余的都为粗线。
如果是复合管的话就有两根细线，并有一脚接地。
三端稳压器没有接地的脚而且都为粗线，一般电脑上不用三极管走电压线，只走信号线。
场效应管用万用表测第3脚和第2脚单向导通，其他脚不通。
三极管是第1脚和第2脚第3脚两组正向导通的。
在板上测不看图纸，很难区分三极管和场管的，CPU供电都是N沟道的场管。
拿下来测才准。
用万用表的三极管档，测三极管的B极和E极，有0.6V的压降，因为这是一个PN结而MOS管则测不到此压降。
三极管与场效应管的差别
三极管与场效应管的差别三极管（BJT）和场效应管（FET）是在放大、开关电路中应用非常普遍的电子元件，最初发明的是三极管，以其优异的性能迅速代替了电子管，但后来在应用中三极管暴露出一些先天不足--结构上问题所导致的缺陷，在这种形势下迫切要求制造一种能够克服三极管缺陷的晶体管，于是场效应管就应用而生了。
它的最大特点就是输入阻抗极高，这是三极管无法比拟的，然而它的出现并没有像晶体管淘汰电子管一样而完全取代三极管，它也不是万能的，在有些方面不如三极管，因此不能笼统的说谁好谁不好，由于它是在三极管的基础上研制而成的，所以它许多方面和三极管有相似的地方，二者珠联璧合应用广泛。
今天通过对比我们全面认识三极管和场效应管，以便更好的利用它们。
1.电极区别：三极管有基极b、发射极e、集电极c三个电极，场效应管也有G极、源极S、漏极D三个电极，它们二者有对应关系，电极的作用相似，即基极-栅极都是控制极，发射极对应源极，集电极对应漏极，都是被控电极；2.控制类型：三极管是电流控制型器件，也就是通过基极电流的变化控制集电极电流的变化；场效应管属于电压控制型器件，也就是通过栅极电压的变化来控制源漏极电流大小；二者的工作原理是不同的，三极管是通过基极电流来控制集电极电流大小的，而场效应管是通过栅压改变导电沟道的宽度来控制电流的变化；3.阻抗差别：三极管输入阻抗较低，在几百欧姆-几千欧姆之间，基极电流较大，输出电阻较高，对前级电路影响较大，阻抗不匹配时几乎不能工作；场效应管的输入阻抗极高，达到兆欧以上，MOS管更高，栅极几乎没有电流，对前级电路影响较小，和三极管一样输出电阻也较高；4.载流子差别：三极管有两种载流子参加导电，即少子与多子，属于双极性器件；场效应管只有一种载流子参加导电，属于单极性器件；5.稳定性差别：三极管由于少子也参与了导电，而少子容易受到温度的影响，热稳定性较差，故其噪声高，且制造复杂；场效应管由于其由多子导电，热稳定性较好，故噪声小；制造工艺简单，容易集成、功耗低、体积小、安全工作区域广；大规模、超大规模集成电路均大多由场效应管制作；6.分类差别：晶体管按结构分PNP和NPN型两种；而场效应管种类就多了，按导电沟道分n型和p型，按原理结构分结型场效应管JFET和绝缘栅场效应管MOSFET，mos管又分增强型、耗尽型两种；7.特性曲线差别：三极管特性曲线分截止区、放大区、饱和区、击穿区；场效应管分截止区、放大区、可变电阻区、击穿区，二者有对应关系；在特性曲线上均有输入、输出特性曲线；从电路分析计算，场效应管较三极管简单；三极管的转移特性（IC-Vbe）是按指数规律变化，场效应管的转移特性是按平方规律变化，因此场效应管的非线性失真比三极管大；8.放大能力：表征三极管放大能力的重要参数是电流放大倍数β，场效应管用跨导表示gm，其值较小，放大能力差，电压放大倍数小于三极管电路；9.灵活性差别：三极管的发射极、集电极不能互换，否则β极低，不能正常工作，而场效应管对于一些特定条件的（衬底没有和源极连着一起），源极和漏极是可以互换的。
三极管和场效应管
三极管和场效应管三极管是电子电路中最基本的元件，在数字电路中扮演着十分重要的角色。
三极管可以通过控制电流或电压，来控制另一个电路中的电流或电压，从而发挥重要作用。
在大多数应用中，三极管被用于去转换或控制一种信号，以达到控制电路的目的。
而场效应管是电路中比较常用的元件，它的特点是几乎没有体积，可以在微型电路中进行使用。
场效应管是由一个外部电源控制的一种可控制半导体，它具有很大的放大倍数。
它可以把输入信号变为输出信号，也可以把输入信号进行模拟或数字处理。
此外，场效应管还可以用来控制电流、电压或双向功率。
三极管和场效应管的最大区别在于它们的工作原理。
三极管是一种可放大和减小电流，从而控制对其他电路的输入和输出的元件。
它的工作原理是通过两个硅的双向电晶体管（一个叫n型晶体管，一个叫p型晶体管），来控制另一个电路中的电流或电压。
而场效应管是一种只有一个晶体管的可控制半导体。
它使用一个外部电源控制，以改变它的导通状态，从而影响另一个电路中的电流或电压。
在使用时，外部电源需要把输入电压和输出电压控制在一定的范围之内，以保证场效应管的正常工作。
三极管和场效应管都可以用于微型电路中，但它们的应用不同。
三极管可以用于放大小的电流或变换一种信号，以实现控制电路的功能。
另外，三极管也可以用来制作电路双向功率控制。
而场效应管多用于数字电路或器件的控制，可以把输入信号变为输出信号，也可以把输入信号进行模拟或数字处理。
即使三极管和场效应管有着不同的原理，但它们在微型电路中的应用也是有许多类似之处的。
它们可以被用来实现信号放大/缩小和控制电路的功能，也可以用来制作双向功率控制系统，还可以用来将输入信号变为输出信号。
总而言之，三极管和场效应管是电子电路中两种最基础的元件，它们可以用于实现信号放大/缩小和控制电路的功能，也可以用来制作双向功率控制系统，还可以用来将输入信号变为输出信号，在微型电路中应用极为广泛，是电子电路中不可缺少的重要元件。
电路中三极管、场效应管放大功能的区别
电路中三极管、场效应管放大功能的区别
三极管和场效应管都是常见的放大器件，但它们的工作原理和放大功能有所区别。
1. 工作原理:
三极管是一种双极型半导体器件，通过控制少数载流子对多数载流子的注入和流动，实现电流放大。
三极管的放大功能依赖于基极电流控制集电极电流的特性。
场效应管是一种单极型半导体器件，通过控制栅极电压调节通道中的电子浓度和电导率，实现电流放大。
场效应管的放大功能依赖于栅极电压控制漏极电流的特性。
2. 调节方式:
三极管中，放大比例通常是通过改变基极电流实现的。
基极电流的小幅度变化能够导致较大范围的集电极电流变化，实现对信号的放大。
场效应管中，放大比例主要是通过改变栅极电压实现的。
栅极电压的变化会调节漏极电流，从而实现对信号的放大。
3. 运行电压:
三极管通常需要一个较高的工作电压，如数十伏甚至上百伏的电压，以使其工作在适当的工作区间。
场效应管相比之下，通常可以在较低的电压下工作。
4. 输入电阻:
三极管的输入电阻较低，对输入信号的衰减较小，适用于输入信号比较弱的情况。
场效应管的输入电阻较高，对输入信号的影响较小，适用于输入信号比较强的情况。
总的来说，三极管和场效应管在放大功能上虽然有所区别，但它们都可以实现电流或电压的放大。
具体使用哪种放大器件，需要根据具体的应用和设计要求来选择。
场效应管与三极管
场效应管 与 三极管场效应管是在三极管的基础上而开发出来的。
三极管通过电流的大小控制输出，输入要消耗功率。
场效应管是通过输入电压控制输出，不消耗功率。
场效应管和三极管的区别是电压和电流控制，但这都是相对的。
电压控制的也需要电流，电流控制的也需要电压，只是相对要小而已。
就其性能而言，场效应管要明显优于普通三极管，不管是频率还是散热要求，只要电路设计合理，采用场效应管会明显提升整体性能。
1、三极管是双极型管子，即管子工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。
场效应管是单极型管子，即管子工作时要么只有空穴，要么只有自由电子参与导电，只有一种载流子；2、三极管属于电流控制器件，有输入电流才会有输出电流；场效应管属于电压控制器件，没有输入电流也会有输出电流；3、三极管输入阻抗小，场效应管输入阻抗大；4、有些场效应管源极和漏极可以互换，三极管集电极和发射极不可以互换；5、场效应管的频率特性不如三极管；6、场效应管的噪声系数小，适用于低噪声放大器的前置级；7、如果希望信号源电流小应该选用场效应管，反之则选用三极管更为合适。
场效应管是场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）的简称。
它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、受温度和辐射影响小等优点，特别适用于高灵敏度和低噪声的电路，现已成为普通晶体管的强大竞争者。
普通晶体管（三极管）是一种电流控制元件，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型晶体管；而场效应管（FET）是一种电压控制器件（改变其栅源电压就可以改变其漏极电流），工作时，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型晶体管。
场效应管和三极管一样都能实现信号的控制和放大，但由于他们构造和工作原理截然不同，所以二者的差异很大。
在某些特殊应用方面，场效应管优于三极管，是三极管无法替代的，三极管与场效应管区别见下表。
场效应管与三极管的比较
6．场效应管的噪声系数很小，在低噪声放大电路的输入级及要求信噪比较高的电路中要选用场效应管。
7．场效应管和三极管均可组成各种放大电路和开关电路，但由于前者制造工艺简单，且具有耗电少，热稳定性好，工作电源电压范围宽等优点，因而被广泛用于大规模和超大规模集成电路中。
总起来说，在设计场效应管电路时需要考虑的更多Байду номын сангаас比如由于其输入阻抗高，就必须要考虑电路的抗干扰性能，正是因为输入阻抗太高所以小小的一点干扰即可造成mos管的一个动作，还有就是场效应管无法做到像三极管那么高的电压，当然现在的三极管和场效应管复合型器件IGBT已经能做到很高的电压了，mos管由于其特性比较适合做开关用，在低功耗产品中比三极管有优势。
1．场效应管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于三极管的发射极E、基极B、集电极C，它们的作用相似。
2．场效应管是电压控制电流器件，由VGS控制iD，其放大系数gm一般较小，因此场效应管的放大能力较差；三极管是电流控制电流器件，由iB（或iE）控制iC。驱动能力强。
3．场效应管栅极几乎不取电流（ig>>0）；而三极管工作时基极总要吸取一定的电流。因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高。
4．场效应管只有多子参与导电；三极管有多子和少子两种载流子参与导电，因少子浓度受温度、辐射等因素影响较大，所以场效应管比三极管的温度稳定性好、抗辐射能力强。在环境条件（温度等）变化很大的情况下应选用场效应管。
5．场效应管在源极未与衬底连在一起时，源极和漏极可以互换使用，且特性变化不大；而三极管的集电极与发射极互换使用时，其特性差异很大， b
可控硅,场效应管,三极管的区别
2008-08-07 19:40linzy58 | 十二级
这可都是基础啊！一口吃不成胖子，慢慢学吧！
最简单的区别就是:
三级管是电流控制型.
场效应管是电压控制型.
可控硅也称作晶闸管,有单向和双向之分.
单向可控硅有其独特的特性：当阳极接反向电压，或者阳极接正向电压但控制极不加电压时，它都不导通，而阳极和控制极同时接正向电压时，它就会变成导通状态。一旦导通，控制电压便失去了对它的控制作用，不论有没有控制电压，也不论控制电压的极性如何，将一直处于导通状态。要想关断，只有把阳极电压降低到某一临界值或者反向
可控硅，场效应管，三极管的区别？
2008-08-07 10:37改变司令 | 分类：工程技术科学 | 浏览8652次 | 该问题已经合并到>>
可控硅，场效应管，三极管的区别？
分享到：
2008-08-07 12:34提问者采纳
场效应管 VS 三极管
1．场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似。
可控硅二极管可用两个不同极性（P-N-P和N-P-N）晶体管来模拟。当可控硅的栅极悬空时，BG1和BG2都处于截止状态，此时电路基本上没有电流流过负载电阻RL，当栅极输入一个正脉冲电压时BG2道通，使BG1的基极电位下降，BG1因此开始道通，BG1的道通使得BG2的基极电位进一步升高，BG1的基极电位进一步下降，经过这一个正反馈过程使BG1和BG2进入饱和道通状态。电路很快从截止状态进入道通状态，这时栅极就算没有触发脉冲电路由于正反馈的作用将保持道通状态不变。如果此时在阳极和阴极加上反向电压，由于BG1和BG2均处于反向偏置状态所以电路很快截止，另外如果加大负载电阻RL的阻值使电路电流减少BG1和BG2的基电流也将减少，当减少到某一个值时由于电路的正反馈作用，电路将很快从道通状态翻转为截止状态，我们称这个电流为维持电流。在实际应用中，我们可通过一个开关来短路可控硅的阳极和阴极从而达到可控硅的关断。
了解下：三极管和场效应管的小同大异
了解下：三极管和场效应管的小同大异三极管(BJT)和场效应管(FET)都有信号放大的作用，也都有3个管脚，且封装大小两者都类似，然而这么如此相似的两种管，无论是材质组成、工作原理、使用方式，它们都不一样。
三极管定义三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。
三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种，一般在信号源电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应优先选用三极管。
场效应管定义场效应晶体管(FET)简称场效应管，也称为单极型晶体管，主要有两种类型，JFET管和MOS-FET管。
和三极管不一样，它是属于电压控制型半导体器件。
具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者，只允许从信号源取较少电流的情况下应优先选用场效应管。
使用区别1、三极管之所以又被称为双极型管子，是因为管子在工作时内部由空穴和自由电子两种载流子参与。
主要工作原理是对基极和发射极之间的流过的电流进行不断地监视，并控制集电极-发射极之间的电流源，使基极-发射极间电流的十至数百倍的电流在集电极和发射极之间流动。
换言之，三极管是用基极电流来控制集电极-发射极电流的器件。
场效应管也被称为单极型管子，因为该管子工作时要么只有空穴，要么只有自由电子参与导电，只有一种载流子。
通过G极电压来控制D、S极间的电流放大信号，在电路设计中主要应用的是增强型的NMOS管和PMOS管，其中增强型的NMOS管更加常用，因为NMOS的导通电阻小并且容易制造，在开关电源和马达驱动的应用中，一般采用NMOS，主要原因是NMOS的导通电阻小并且容易制造，另外在MOS管内部，漏极D和源极S之间会寄生一个二极管，这个叫体二极管，当MOS管工作的时候，不管是PMOS还是NMOS，电流流动的方向都是必须与体二极管的方向相反。
场效应管和三极管的区别
場效應管是場效應晶體管（Field Effect Transistor,FET）的簡稱。
它屬于電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬、受溫度和輻射影響小等優點，特別適用于高靈敏度和低噪聲的電路，現已成為普通晶體管的強大競爭者。
普通晶體管（三極管）是一種電流控制元件，工作時，多數載流子和少數載流子都參與運行，所以被稱為雙極型晶體管；而場效應管（FET）是一種電壓控制器件（改變其柵源電壓就可以改變其漏極電流），工作時，只有一種載流子參與導電，因此它是單極型晶體管。
場效應管和三極管一樣都能實現信號的控制和放大，但由于他們構造和工作原理截然不同，所以二者的差異很大。
在某些特殊應用方面，場效應管優于三極管，是三極管無法替代的，三極管與場效應管區別見下表。
場效應管是電壓控制元件，而三極管是電流控制元件。
在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場效應管。
而在信號源電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應用三極管。
場效應管靠多子導電，管中運動的只是一種極性的載流子；三極管既用多子，又利用少子。
由于多子濃度不易受外因的影響，因此在環境變化較強烈的場合，采用場效應管比較合適。
場效應管的輸入電阻高，適用于高輸入電阻的場合。
場效應管的噪聲系數小，適用于低噪聲放大器的前置級。
1．場效應管的源極s、柵極g、漏極d分別對應于三極管的發射極e、基極b、集電極c，它們的作用相似。
2．場效應管是電壓控制電流器件，由vGS控制iD，其放大系數gm一般較小，因此場效應管的放大能力較差；三極管是電流控制電流器件，由iB（或iE）控制iC。
3．場效應管柵極幾乎不取電流（ig?0）；而三極管工作時基極總要吸取一定的電流。
因此場效應管的輸入電阻比三極管的輸入電阻高。
4．場效應管只有多子參與導電；三極管有多子和少子兩種載流子參與導電，而少子濃度受溫度、輻射等因素影響較大，因而場效應管比晶體管的溫度穩定性好、抗輻射能力強。
场效应管和三极管
一、三极管是电流控制器件，场效应管是电压控制器件。
二、三极管是双极性器件，场效应管是单极性器件。
三、场效应管受外界温度、辐射影响较小，因此场效应管比三极管更稳定。
四、三极管适用于分立元件的电路，而场效应管更适用于集成电路。
五、三极管的输入电阻比场效应管要小。
六、三极管的噪声系数比场效应管要大。
三极管和场效应管的主要区别在于三极管的放大或者开关功能依赖基极的电流分量。
场效应管的放大和开关功能依赖于栅极的电压分量。
其他还有开关时间特性的区别，一般晶体三极管大电流的开关速度远比不上场效应管。
场效应管和三极管输入电阻有差异。
.场效应管是单极;三极管是双极。
场效应管是电压控制电流源，控制电压和电流属于不同的支路，因而电压的求解一般不难（有时是与受控电流有关的表达式），进而根据漏极电流表达式来求出电流值，然后进行模型分析，求出跨导和输出电阻。
而三极管要先建立模型，然后进行电路分析，求解过程特别是计算很复杂，容易出错；总体而言，场效应管的分析要比三极管简单一些。
三.极管和场效应管的比较可以归纳以下几点：1）、在三极管中，空穴和自由电子都参与导电，称为双极型器件，用BJT表示；而场效应管只有多子导电，称为单极型器件，用FET表示。
由于多子浓度不受外界温度、光照、辐射的影响，在环境变化剧烈的条件下，选用FET比较合适。
这也就是我们通常所说的场效应管比较稳定的原因。
2）、在放大状态工作时，三极管发射结正偏，有基极电流，为电流控制器件，相应的输入电阻较小，约103Ω；FET在放大状态工作时无栅极电流，为电压控制器件，输入电阻很大，JFET的输入电阻大于107Ω，MOS管的输入电阻大于109Ω。
3）、场效应管的源极和漏极在结构上对称，可以互换使用(但应注意，有时厂家已将MOS管的源极与衬底在管内已经短接，使用时就不能互换)。
对耗尽型MOS管的VGS可正、可负、可为零，使用时比较灵活。
三极管的集电极和发射极一般不能互换使用。
场效应管与三极管的区别：
場效應管與三极管的區別：三极管是通過基极電流的變化來控制集電极電流的改變，是個電流控制元件。
場效應管工作時不需要從信號源汲取電流，是電壓控制元件，顯現出极高的輸入電阻。
主要應運於大規模集成電路中。
場效應管有兩种類型：(1) 結型場效應管(2) 絕緣柵型場效應管，又稱ＭＯＳ管它的三個工作區：可變電阻區恆流區夾斷區：當柵極電壓ＵGS＜ＵGSOFF之後導電溝道被夾斷，這時漏极電流Ｉd=0三极管分類：NPN型PNP型它的三個工作區:截止區：Ｉ=0Ｕbe＜0ｖＣ-Ｅ极間相當於開路飽和區：Ｉc不再隨Ｉb增加而增加;NPN：Ｖb＞Ｖc＞ＶeＣ—Ｅ相當於開關接通所以常利用三极管作電路中的開關，接通（飽和）斷開（截止）放大區：處在截止與飽和之間主要系數參數：1.電流放大系數β通常使用：β值為20～100大功率：β值較低為20～30β值太小電流放大作用差,β值過高100時管子性能受環境溫度影響大，性能不穩定，所以β值過高過低都不合用。
2.穿透電流ＩCEOＩCEO過大，管子性能下降，溫度升高時，ＩCEO也增大3.极限參數✧集電极最大允許電流Ｉcm，Ｉc過大β值下降✧ＵCE＞ＵBRCE，Ｉc增加表明管子已被擊穿✧集電极最大允許耗散功率Ｐcm。
一般硅管最高允許溫度為150℃，鍺管最高溫度為70℃集成運算放大器的主要技術指標：✧開環差模電壓放大倍數ＡOD是運放在沒有引入反饋情況下所具有的差模放大倍數。
ＡOD般均在100dB，性能較好的集成運放可140dB。
✧共模抑制比K CMR集成運放的K CMR一般在100dB左右。
✧輸入失調電壓ＵIO是指靜態時，為使輸出電壓為零需要在輸入端加的差值電壓（實際工作時，是通過運放外接調零電位器將輸出電壓調為零）。
ＵIO的大小反映運放內部線路對稱性的程度。
✧輸入失調電壓的溫漂d UIo/Dt指在規定的環境溫度範圍內，溫度每變化一度引起輸入失調電壓的變化值。
通常要求d UIo/Dt越小越好。
✧輸入失調電流Ｉio映集成運放輸入級輸入電流不對稱的程度。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
场效应管就是场效应晶体管(Field Effect Transistor,FET)的简称。
它属于电压控制型半导体器件,具有输入电阻高、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、受温度与辐射影响小等优点,特别适用于高灵敏度与低噪声的电路,现已成为普通晶体管的强大竞争者。
普通晶体管(三极管)就是一种电流控制元件,工作时,多数载流子与少数载流子都参与运行,所以被称为双极型晶体管;而场效应管(FET)就是一种电压控制器件(改变其栅源电压就可以改变其漏极电流),工作时,只有一种载流子参与导电,因此它就是单极型晶体管。
场效应管与三极管一样都能实现信号的控制与放大,但由于她们构造与工作原理截然不同,所以二者的差异很大。
在某些特殊应用方面,场效应管优于三极管,就是三极管无法替代的,三极管与场效应管区别见下表。
场效应管就是电压控制元件,而三极管就是电流控制元件。
在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管。
而在信号源电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应用三极管。
场效应管靠多子导电,管中运动的只就是一种极性的载流子;三极管既用多子,又利用少子。
由于多子浓度不易受外因的影响,因此在环境变化较强烈的场合,采用场效应管比较合适。
场效应管的输入电阻高,适用于高输入电阻的场合。
场效应管的噪声系数
小,适用于低噪声放大器的前置级。
1.场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c,它们的作用相似。
2.场效应管就是电压控制电流器件,由vGS控制iD,其放大系数gm一般较小,因此场效应管的放大能力较差;三极管就是电流控制电流器件,由iB(或iE)控制iC。
3.场效应管栅极几乎不取电流(ig»0);而三极管工作时基极总要吸取一定的电流。
因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高。
4.场效应管只有多子参与导电;三极管有多子与少子两种载流子参与导电,而少子浓度受温度、辐射等因素影响较大,因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。
在环境条件(温度等)变化很大的情况下应选用场效应管。
5.场效应管在源极水与衬底连在一起时,源极与漏极可以互换使用,且特性变化不大;而三极管的集电极与发射极互换使用时,其特性差异很大,b值将减小很多。
6.场效应管的噪声系数很小,在低噪声放大电路的输入级及要求信噪比较高的电路中要选用场效应管。
7.场效应管与三极管均可组成各种放大电路与开路电路,但由于前者制造工艺简单,且具有耗电少,热稳定性好,工作电源电压范围宽等优点,因而被广泛用于大规模与超大规模集成电路中。
8。
三极管导通电阻大,场效应管导通电阻小,只有几百毫欧姆,在现在的用电器件上,一般都用场效应管做开关来用,她的效率就是比较高的。
场效应管G极必须有一个对地的放电电阻,不然上电就烧,而三极管基极不需要
在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;
而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管、
晶体三极管与场效应管工作原理完全不同,但就是各极可以近似对应以便于理解与设计:
晶体管: 基极发射极集电极
场效应管: 栅极源极漏极
要注意的就是,晶体管(NPN型)设计发射极电位比基极电位低(约0、6V),场效应管源极电位比栅极电位高(约0、4V)。
场效应管就是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管就是即有多数载流子,也利用少数载流子导电,被称之为双极型器件、
有些场效应管的源极与漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好、
场效应管能在很小电流与很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。