西北工业大学材料科学基础2007答案年考研专业课初试真题

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西北工业大学材料科学基础课后答案

西北工业大学材料科学基础课后答案

西北工业大学材料科学基础课后答案西北工业大学材料科学基础课后答案【篇一:西北工业大学材料科学基础第7章习题-答案】/p> (1) 测定n:把一批经大变形量变形后的试样加热到一定温度(丁)后保温,每隔一定时间t,取出一个试样淬火,把做成的金相样品在显微镜下观察,数得再结晶核心的个数n,得到一组数据(数个)后作n―t图,在n―t曲线上每点的斜率便为此材料在温度丁下保温不同时间时的再结晶形核率n。

(2) 测定g:将(1)中淬火后的一组试样进行金相观察,量每个试样(代表不同保温时间)中最大晶核的线尺寸d,作d―t图,在d―t曲线上每点的斜率便为了温度下保温不同时间时的长大线速度g。

2.再结晶退火必须用于经冷塑性变形加工的材料,其目的是改善冷变形后材料的组织和性能。

再结晶退火的温度较低,一般都在临界点以下。

若对铸件采用再结晶退火,其组织不会发生相变,也没有形成新晶核的驱动力(如冷变形储存能等),所以不会形成新晶粒,也就不能细化晶粒。

3.能。

可经过冷变形而后进行再结晶退火的方法。

4.答案如附表2.5所示。

附表2.5 冷变形金属加热时晶体缺陷的行为5.(1)铜片经完全再结晶后晶粒大小沿片长方向变化示意图如附图2.22所示。

由于铜片宽度不同,退火后晶粒大小也不同。

最窄的一端基本无变形,退火后仍保持原始晶粒尺寸;在较宽处,处于临界变形范围,再结晶后晶粒粗大;随宽度增大,变形度增大,退火后晶粒变细,最后达到稳定值。

在最宽处,变形量很大,在局部地区形成变形织构,退火后形成异常大晶粒。

(2)变形越大,冷变形储存能越高,越容易再结晶。

因此,在较低温度退火,在较宽处先发生再结晶。

6.再结晶终了的晶粒尺寸是指再结晶刚完成但未发生长大时的晶粒尺寸。

若以再结晶晶粒中心点之间的平均距离d表征再结晶的晶粒大小,则d与再结d?k[gn1晶形核率n及长大线速度之间有如下近似关系: qn rtqnrt]4 且n?n0exp(?), g?g0exp(?)由于qn与qg几乎相等,故退火温度对g/n比值的影响微弱,即晶粒大小是退火温度的弱函数。

西北工业大学材料科学基础考研复习第一章

西北工业大学材料科学基础考研复习第一章

• 螺位错 原子面部分错动一个原子间距 形成不吻合过渡区。 螺位错分为左螺位错和右螺位 错,两者有本质区别
位错线只能终止在晶体表面 或晶界上,而不能中断于晶体 的内部,在晶体内部,它只能 形成封闭的环或与其他位错相 遇于节点而形成位错网络。
• 柏氏矢量——反映位错区畸变的 方向与程度 求法: (1)包含位错线做一封闭回路— —柏氏回路 (2)将同样的回路置于完整的晶 体中——不能闭合 (3)补一矢量(终点指向起点) 使回路闭合——柏氏矢量 特性: (1)满足右螺旋和规则时,柏氏 矢量与柏氏回路路径无关——唯 一性 (2)用柏氏回路求得的柏氏矢量 为回路中包围的所有位错柏氏矢 量的总和——可加性 (3)同一位错,柏氏矢量处处相 同——同一性
位错之间的交互作用与位错塞积
• 一。相互平行的位错之间的交互作用 1.同号位错 情况一:两位错相距很远时,应变能 : w总 2 Gb2 情况二:两位错相聚较近时,看成两位错柏氏矢量相加,应变能 : 2
w总 G(2b)
同号位错相斥,导致体系能量下降。
2.异号位错 异号位错会相互合并,抵消或者b减小,原因是异号位错会相互吸 引,使缺陷降低,体系能量降低,趋于稳定。
面心立方(fcc)
2 a 4 • 最近原子距离 d 2 a 2 • <110>方向
• 点阵常数:R
• 晶胞原子数 1 / 8 8 1 / 2 6 4
• 配位数:12
3 4 1 / 6 d • 致密度: k 74% 3 a
• (a为棱长)
体心立方(bcc)
3 a 4 3 最近原子间距: d a <111>方向 2
大纲要求
• 在西工大出版的《材料科学基础》里,我把1,2,5章称为 基础理论,3,4章称为凝固理论,6,7章为变形理论。8,9 章考研大纲不要求。

西北工业大学硕士材料科学基础真题2007年

西北工业大学硕士材料科学基础真题2007年

西北工业大学硕士材料科学基础真题2007年(总分:142.00,做题时间:90分钟)一、{{B}}简答题{{/B}}(总题数:5,分数:50.00)1.请说明什么是全位错和不全位错,并请写出FCC、BCC和HCP晶体中的最短单位位错的柏氏矢量。

(分数:10.00)__________________________________________________________________________________________ 正确答案:()解析:全位错:柏氏矢量等于点阵矢量的整数倍。

不全位错:柏氏矢量不等于点阵矢量的整数倍。

2.已知原子半径与晶体结构有关,请问当配位数降低时,原子半径如何变化?为什么?(分数:10.00)__________________________________________________________________________________________ 正确答案:()解析:半径收缩。

若半径不变,则当配位数降低时,会引起晶体体积增大。

为了减小体积变化,原子半径将收缩。

3.均匀形核与非均匀形核具有相同的临界晶核半径,非均匀形核的临界形核功也等于三分之一表面能,为什么非均匀形核比均匀形核容易?(分数:10.00)__________________________________________________________________________________________ 正确答案:()解析:因为非均匀形核时,用杂质或型腔充当了一部分晶核。

也就是说,需要调动的原子数少。

4.原子的热运动如何影响扩散?(分数:10.00)__________________________________________________________________________________________ 正确答案:()解析:热运动增强将使原子的跃迁距离、跃迁几率和跃迁频率均增大,即增大扩散系数。

西北工业大学2007-2011材料科学基础真题及答案

西北工业大学2007-2011材料科学基础真题及答案

西北工业大学2010年硕士研究生入学考试试题试题名称:材料科学基础(A卷)试题编号:832说明:所有答题一律写在答题纸上第 1页共 2页一、简答题(每题10分,共50分)1.请解释γ-Fe与α-Fe溶解碳原子能力差异的原因。

2.请简述位向差与晶界能的关系,并解释原因?3.请简述在固态条件下,晶体缺陷、固溶体类型对溶质原子扩散的影响。

4.请分析、解释在正温度梯度下凝固,为什么纯金属以平面状生长,而固溶体合金却往往以树枝状长大?5.铁碳合金中可能出现的渗碳体有哪几种?它们的成分有何不同?平衡结晶后是什么样的形态?二、作图计算题(每题15分,共60分)1.写出附图的简单立方晶体中ED、C’F的晶向指数和ACH、FGD’的晶面指数,并求ACH晶面的晶面间距,以及FGD’与A’B’C’D’两晶面之间的夹角。

(注:G、H点为二等分点,F点为三等分点)2.请判断图示中和两位错各段的类型,以及两位错所含拐折(bc、de和hi、jk)的性质?若图示滑移面为fcc晶体的(111)面,在切应力的作用下,两位错将如何运动?(绘图表示)3.某合金的再结晶激活能为250KJ/mol,该合金在400℃完成再结晶需要1小时,请问在390℃下完成再结晶需要多长时间。

(气体常数R=8.314L/mol·K)4.请分别绘出fcc和bcc晶体中的最短单位位错,并比较二者哪一个引起的畸变较大。

三、综合分析题(共40分)1、请分析对工业纯铝、Fe-0.2%C合金、Al-5%Cu合金可以采用的强化机制,并阐述机理。

(15分)2、请根据Cu-Zn相图回答下列问题:(25分)1)若在500℃下,将一纯铜试样长期置于锌液中,请绘出扩散后从表面至内部沿深度方向的相分布和对应的浓度分布曲线。

2)请分析902℃、834℃、700℃、598℃、558℃各水平线的相变反应类型,及其反应式。

3)请绘出Cu-75%Zn合金的平衡结晶的冷却曲线,并标明各阶段的相变反应或相组成。

07年研究生材基试题加答案

07年研究生材基试题加答案

2007年材料科学基础研究生试题及答案1、名词解释(10分,每个2分)对称中心:若晶体中所有的点在经过某一点反演后能复原,则该点就称为对称中心间隙固溶体:溶质原子分布于溶剂晶格间隙而形成的固溶体称为间隙固溶体重合位置点阵:两个相邻晶粒的点陈彼此通过晶界向对方延伸,则其中一些原子将出现有规律的相互重合。

由这些原子重合位置所组成比原来晶体点阵大的新点阵,称为重合位置点阵堆垛层错:实际晶体结构中,密排面的正常堆垛顺序遭到破坏和错排,称为堆垛层错割阶:在位错的滑移运动过程中,其位错线往往很难同时实现全长的运动,可能通过其中一部分线段(n个原子间距)首先进行滑移,在原位错线上形成一段折线,若该曲折线段垂直于位错的滑移面时,称为割阶2、已知某二元合金的共晶反应为:L(75%B)≒α(15%B)+β(95%B)。

试求含60%B的合金完全结晶后,初晶α与共晶(α+β)的重量%,合金中α相与β相的重量%,共晶体中α相与β相的重量比。

(10分)答:初晶α的重量%=(75-60)/(75-15)=15/60=0。

25=25%(2分)共晶(α+β)的重量%=(60-15)/(75-15)=45/60=0。

75=75%(2分)共晶体中α相的重量%=(95-75)/(95-15)=(20 /80)=25%共晶体中β相的重量%=1-25%=75%共晶体中α相与β相的重量比=25%W/75%W=1/3=(95-75)/(75-15)=20/60=1/3(2分)共晶α相在合金中的重量%=(95-75)/(95-15)*75%=(20 /80)*75%=18.75%共晶β相在合金中的重量%=(75-15)/(95-15)*75%=(60 /80)*75%=56.25%合金中α相的重量%=25%+18.75%=43.75%(2分)合金中β相的重量%=56.25%(2分)3、简述小角度晶界的结构特点(6分)答:(1)对称倾斜晶界是由一列柏氏矢量平行的(0.5分)刃型位错(0.5分)垂直排列所构成(0.5分);有一个自由度(0.5分);(2)不对称倾斜晶界是由两组柏氏矢量相互垂直的刃型位错交错排列而构成的(1.5分);有二个自由度(0.5分);(3)扭转晶界扭转晶界是两部分晶体绕某一轴在一个共同的晶面上相对扭转一个θ角所构成的(0.5分).该晶界的结构可看成是由互相交叉的螺型位错所组成(1分),有一个自由度(0.5分)。

西工大材料考试真题2005-2007试题及答案

西工大材料考试真题2005-2007试题及答案

2005年西北工业大学硕士研究生入学试题参考答案一、简答题(每题8 分,共40 分)1. 请简述二元合金结晶的基本条件有哪些。

答:热力学条件ΔG < 0; 结构条件r > r* ;能量条件:A > ΔG max ;成分条件2. 同素异晶转变和再结晶转变都是以形核长大方式进行的,请问两者之间有何差别?答:同素异晶转变是相变过程,该过程的某一热力学量的倒数出现不连续;再结晶转变只是晶粒的重新形成,不是相变过程。

3. 两位错发生交割时产生的扭折和割阶有何区别?答:位错的交割属于位错与位错之间的交互作用,其结果是在对方位错线上产生一个大小和方向等于其柏氏矢量的弯折,此弯折即被称为扭折或割阶。

扭折是指交割后产生的弯折在原滑移面上,对位错的运动不产生影响,容易消失;割阶是不在原滑移面上的弯折,对位错的滑移有影响。

4. 请简述扩散的微观机制有哪些?影响扩散的因素又有哪些?答:置换机制:包括空位机制和直接换位与环形换位机制,其中空位机制是主要机制,直接换位与环形换位机制需要的激活能很高,只有在高温时才能出现。

间隙机制:包括间隙机制和填隙机制,其中间隙机制是主要机制。

影响扩散的主要因素有:温度(温度约高,扩散速度约快);晶体结构与类型(包括致密度、固溶度、各向异性等);晶体缺陷;化学成分(包括浓度、第三组元等)5. 请简述回复的机制及其驱动力。

答:低温机制:空位的消失中温机制:对应位错的滑移(重排、消失)高温机制:对应多边化(位错的滑移+攀移)驱动力:冷变形过程中的存储能(主要是点阵畸变能)二、计算、作图题:(共60 分,每小题12 分)1. 在面心立方晶体中,分别画出、和、,指出哪些是滑移面、滑移方向,并就图中情况分析它们能否构成滑移系?若外力方向为[001] ,请问哪些滑移系可以开动?2. 请判定下列位错反应能否进行,若能够进行,请在晶胞图上做出矢量图。

(1 )几何条件:,满足几何条件能量条件:满足能量条件,反应可以进行。

西北工业大学材料专业课考研资料

西北工业大学材料专业课考研资料

专业课试卷同一见“标题: 各高校材料专业历年试题资料共享区(不断更新中)”西北工业大学《材料科学基础》考试大纲一、考试内容1. 工程材料中的原子排列:(1)原子键合,工程材料种类、特点;(2)原子的规则排列:晶体结构与空间点陈,晶向及晶面的特点及表示,金属的晶体结构,陶瓷的晶体结构。

(3)原子的不规则排列:点、线、面缺陷的类型及特征,位错的弹性性质,实际晶体中的位错。

2. 固体中的相结构:(1)固溶体的分类、性能及特征(2)金属间化合物的分类、性能及特征;(3)玻璃相性能及特征。

3. 凝固与结晶:(1)结晶的基本规律、基本条件;(2)晶核的形成与长大;(3)结晶理论的应用。

4. 二元相图:(1)相图的基本知识;(2)二元匀晶相图及固溶体的结晶,共晶相图及共晶转变,包晶相图及包晶转变;(3)二元相图的分析方法,其他类型二元相图及其应用,相图的热力学基础。

5. 固体中的扩散:(1)扩散定律及其应用;(2)扩散的微观机理,影响扩散的因素;(3)扩散的热力学理论;(4)反应扩散。

6. 塑性变形:(1)单晶体的塑性变形;(2)多晶体的塑性变形;(3)合金的塑性变形;(4)冷变形金属的组织与性能,超塑性。

7. 回复与与结晶:(1)冷变形金属在加热时的变化;(2)回复机制;(3)再结晶及再结晶后的晶粒长大;(4)金属的热变形。

二、参考书目1. 《材料科学基础》(第二版),刘智恩,西北工业大学出版社,20032. 《材料科学基础》,胡庚祥,蔡珣,上海交通大学出版社,20003. 《材料科学基础》,石德珂,西安交通大学出版社,20004. 《材料科学基础》,潘金生,仝健民,清华大学出版社,1998综合模拟题一一、简答题(每题6分,共30分)1.原子的结合键有哪几种?各有什么特点?2.面心立方晶体和体心立方晶体的晶胞原子数、配位数和致密度各是多少?3.立方晶系中,若位错线方向为[001],,试说明该位错属于什么类型。

西北工业大学材料科学基础课后答案

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西北工业大学材料科学基础课后答案【篇一:西北工业大学材料科学基础第7章习题-答案】/p> (1) 测定n:把一批经大变形量变形后的试样加热到一定温度(丁)后保温,每隔一定时间t,取出一个试样淬火,把做成的金相样品在显微镜下观察,数得再结晶核心的个数n,得到一组数据(数个)后作n—t图,在n—t曲线上每点的斜率便为此材料在温度丁下保温不同时间时的再结晶形核率n。

(2) 测定g:将(1)中淬火后的一组试样进行金相观察,量每个试样(代表不同保温时间)中最大晶核的线尺寸d,作d—t图,在d—t曲线上每点的斜率便为了温度下保温不同时间时的长大线速度g。

2.再结晶退火必须用于经冷塑性变形加工的材料,其目的是改善冷变形后材料的组织和性能。

再结晶退火的温度较低,一般都在临界点以下。

若对铸件采用再结晶退火,其组织不会发生相变,也没有形成新晶核的驱动力(如冷变形储存能等),所以不会形成新晶粒,也就不能细化晶粒。

3.能。

可经过冷变形而后进行再结晶退火的方法。

4.答案如附表2.5所示。

附表2.5 冷变形金属加热时晶体缺陷的行为5.(1)铜片经完全再结晶后晶粒大小沿片长方向变化示意图如附图2.22所示。

由于铜片宽度不同,退火后晶粒大小也不同。

最窄的一端基本无变形,退火后仍保持原始晶粒尺寸;在较宽处,处于临界变形范围,再结晶后晶粒粗大;随宽度增大,变形度增大,退火后晶粒变细,最后达到稳定值。

在最宽处,变形量很大,在局部地区形成变形织构,退火后形成异常大晶粒。

(2)变形越大,冷变形储存能越高,越容易再结晶。

因此,在较低温度退火,在较宽处先发生再结晶。

6.再结晶终了的晶粒尺寸是指再结晶刚完成但未发生长大时的晶粒尺寸。

若以再结晶晶粒中心点之间的平均距离d表征再结晶的晶粒大小,则d与再结d?k[gn1晶形核率n及长大线速度之间有如下近似关系:qnrtqnrt]4 且n?n0exp(?), g?g0exp(?)由于qn与qg几乎相等,故退火温度对g/n比值的影响微弱,即晶粒大小是退火温度的弱函数。

西工大材料科学基础04-13年真题

西工大材料科学基础04-13年真题

西北工业大学2004年硕士研究生入学考试试题试题名称:材料科学基础(A 卷) 试题编号:832说 明:所有答题一律写在答题纸上 第 1 页 共 2 页一、简答题:(共40分,每小题8分)1.请简述间隙固溶体、间隙相、间隙化合物的异同点?2.请简述影响扩散的主要因素有哪些。

3.临界晶核的物理意义是什么?形成临界晶核的充分条件是什么?4.有哪些因素影响形成非晶态金属?为什么?5.合金强化途径有哪些?各有什么特点?二、计算作图题(共60分,每小题12分)1.求]111[和]120[两晶向所决定的晶面,并绘图表示出来。

2.氧化镁(MgO )具有NaCl 型结构,即具有O2-离子的面心立方结构。

问:1)若其离子半径+2Mg r =0.066nm ,-2O r =0.140nm ,则其原子堆积密度为多少? 2)如果+2Mg r /-2O r =0.41,则原子堆积密度是否改变? 3.已知液态纯镍在1.013×105 Pa (1大气压),过冷度为319 K 时发生均匀形核,设临界晶核半径为1nm ,纯镍熔点为1726 K ,熔化热ΔHm=18075J/mol ,摩尔体积Vs =6.6cm3/mol ,试计算纯镍的液-固界面能和临界形核功。

4.有一钢丝(直径为1mm )包复一层铜(总直径为2mm )。

若已知钢的屈服强度σst =280MPa ,弹性模量Est =205GPa ,铜的σCu =140MPa ,弹性模量E Cu=110GPa 。

问:1)如果该复合材料受到拉力,何种材料先屈服?2)在不发生塑性变形的情况下,该材料能承受的最大拉伸载荷是多少?3)该复合材料的弹性模量为多少?三、综合分析题:(共50分,每小题25分)1.某面心立方晶体的可动滑移系为]101[ )111(、。

1)请指出引起滑移的单位位错的柏氏矢量;2)若滑移由刃位错引起,试指出位错线的方向;3)请指出在(2)的情况下,位错线的运动方向;4)假设在该滑移系上作用一大小为0.7MPa的切应力,试计算单位刃位错线受力的大小和方向(取点阵常数为a=0.2nm)。

西北工业大学材料科学基础历年真题及答案解析

西北工业大学材料科学基础历年真题及答案解析

西北工业大学2012年硕士研究生入学考试试题答案试题名称:材料科学基础试题编号:832说明:所有答题一律写在答题纸上第页共页一、简答题(每题10分,共50分)1.请简述滑移和孪生变形的特点?答:滑移变形特点:1)平移滑动:相对滑动的两部分位向关系不变2)滑移线与应力轴呈一定角度3)滑移不均匀性:滑移集中在某些晶面上4)滑移线先于滑移带出现:由滑移线构成滑移带5)特定晶面,特定晶向孪生变形特点:1) 部分晶体发生均匀切变2) 变形与未变形部分呈镜面对称关系,晶体位向发生变化3) 临界切分应力大4) 孪生对塑变贡献小于滑移5) 产生表面浮凸2.什么是上坡扩散?哪些情况下会发生上坡扩散?答:由低浓度处向高浓度处扩散的现象称为上坡扩散。

应力场作用、电场磁场作用、晶界内吸附作用和调幅分解反应等情况下可能发生上坡扩散。

扩散驱动力来自自由能下降,即化学位降低。

3.在室温下,一般情况金属材料的塑性比陶瓷材料好很多,为什么?纯铜与纯铁这两种金属材料哪个塑性好?说明原因。

答:金属材料的塑性比陶瓷材料好很多的原因:从键合角度考虑,金属材料主要是金属键合,无方向性,塑性好;陶瓷材料主要是离子键、共价键,共价键有方向性,塑性差。

离子键产生的静电作用力,限制了滑移进行,不利于变形。

铜为面心立方结构,铁为体心立方结构,两者滑移系均为12个,但面心立方的滑移系分布取向较体心立方匀衡,容易满足临界分切应力。

且面心立方滑移面的原子堆积密度比较大,因此滑移阻力较小。

因而铜的塑性好于铁。

4.请总结并简要回答二元合金平衡结晶过程中,单相区、双相区和三相区中,相成分的变化规律。

答:单相区:相成分为合金平均成分,不随温度变化;双相区:两相成分分别位于该相区的边界,并随温度沿相区边界变化;三相区:三相具有确定成分,不随结晶过程变化。

5.合金产品在进行冷塑性变形时会发生强度、硬度升高的现象,为什么?如果合金需要进行较大的塑性变形才能完成变形成型,需要采用什么中间热处理的方法?而产品使用时又需要保持高的强度、硬度,又应如何热处理?答:合金进行冷塑性变形时,位错大量増殖,位错运动发生交割、缠结等,使得位错运动受阻,同时溶质原子、各类界面与位错的交互作用也阻碍位错的运动。

西北工业大学材料科学基础04-11年真题及答案

西北工业大学材料科学基础04-11年真题及答案

2004年西北工业大学硕士研究生入学试题一、简答题:(共40分,每小题8分)1、请简述间隙固溶体、间隙相、间隙化合物的异同点?2、请简述影响扩散的主要因素有哪些。

3、临界晶核的物理意义是什么?形成临界晶核的充分条件是什么?4、有哪些因素影响形成非晶态金属?为什么?5、合金强化途径有哪些?各有什么特点?二、计算、作图题:(共60分,每小题12分)1、求]111[和]120[两晶向所决定的晶面,并绘图表示出来。

2、氧化镁(MgO )具有NaCl 型结构,即具有O 2-离子的面心立方结构。

问:(1) 若其离子半径+2Mg r =0.066nm ,-2O r =0.140nm ,则其原子堆积密度为多少?(2) 如果+2Mg r /-2O r =0.41,则原子堆积密度是否改变?3、已知液态纯镍在1.013×105 Pa (1大气压),过冷度为319 K 时发生均匀形核,设临界晶核半径为1nm ,纯镍熔点为1726 K ,熔化热ΔH m =18075J/mol ,摩尔体积V s =6.6cm 3/mol ,试计算纯镍的液-固界面能和临界形核功。

4、图示为Pb-Sn-Bi 相图投影图。

问:(1)写出合金Q (w Bi =0.7,w Sn =0.2)凝固过程及室温组织;(2)计算合金室温下组织组成物的相对含量。

5、有一钢丝(直径为1mm )包复一层铜(总直径为2mm )。

若已知钢的屈服强度σst =280MPa ,弹性模量E st =205GPa ,铜的σCu =140MPa ,弹性模量E Cu =110GPa 。

问:(1)如果该复合材料受到拉力,何种材料先屈服?(2)在不发生塑性变形的情况下,该材料能承受的最大拉伸载荷是多少?(3)该复合材料的弹性模量为多少?三、综合分析题:(共50分,每小题25分)1、某面心立方晶体的可动滑移系为]101[ )111(、。

(1) 请指出引起滑移的单位位错的柏氏矢量;(2) 若滑移由刃位错引起,试指出位错线的方向;(3) 请指出在(2)的情况下,位错线的运动方向;(4) 假设在该滑移系上作用一大小为0.7MPa 的切应力,试计算单位刃位错线受力的大小和方向(取点阵常数为a =0.2nm )。

西北工业大学(已有10试题)

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西北工业大学航空学院德语(一外)2007理论力学1997,2000,2002——2004,2007腐蚀防护2007自动控制原理1995——1996,2000——2007(2001——2006有答案)信号与系统2002——2007(注:2006年试卷共4页,缺第1页)材料科学基础2003——2010(2010为回忆版)(2005——2009有答案)飞机总体设计原理2003——2004,2007材料力学2003——2004,2007数字电子技术2003,2007数字电路2004空气动力学2003——2004,2007空中交通管理基础2003——2004,2007结构有限元分析基础2007流体力学2003——2004,2007机械振动基础2007自动化检测技术2007航天学院日语(一外)2007德语(一外)2007自动控制原理1995——1996,2000——2007(2001——2006有答案)航天器与导弹控制原理2007飞行器飞行力学2007气体动力学2007飞行器结构力学2007火箭发动机原理2007数字电子技术2003,2007数字电路2004材料力学2003——2004,2007航海学院水声学原理2003——2004,2007噪声与振动控制2007理论力学1997,2000,2002——2004,2007流体力学2003——2004,2007自动控制原理1995——1996,2000——2007(2001——2006有答案)模拟电子技术2003——2004,2007数字信号处理2002——2004,2007通信原理2001——2004,2007(2002有答案)微弱信号检测技术2007信号检测与估计2003——2004,2007动力装置原理2007微机原理及应用2000——2004,2007(2000——2003有答案)[说明:2003年试卷名称为“微型计算机原理”]信号与系统2002——2007(注:2006年试卷共4页,缺第1页)塑性成形原理2003——2004材料学院材料科学基础2003——2010(2010为回忆版)(2005——2009有答案)陶瓷工艺原理2007材料力学2003——2004,2007塑性成形原理2003——2004机电学院设计理论2007工业设计2007电工技术与电子技术2007工业设计基础2003——2004电子技术基础1996——1997,2004,2007设施规划与设计2007汽车理论基础2007数控机床2007机械设计2003——2004,2007机械原理1996,2001,2003——2004微机原理及应用2000——2004,2007(2000——2003有答案)[说明:2003年试卷名称为“微型计算机原理”]电路1998——1999电路基础2001——2004,2007数字电子技术2003,2007数字电路2004电力电子技术2003——2004,2007机械加工工艺学2003——2004,2007计算机辅助管理2002——2004,2007计算机辅助制造2003——2004,2007C语言2003C语言程序设计2004塑性成形原理2003——2004力学与土木建筑学院建筑历史2007建筑设计原理2007道面工程2007理论力学1997,2000,2002——2004,2007材料力学2003——2004,2007结构力学(土建)2003——2004,2007钢筋混凝土结构2007道面工程2007动力与能源学院德语(一外)2007自动控制原理1995——1996,2000——2007(2001——2006有答案)传热学2003——2004,2007工程流体力学2003——2004,2007工程热力学2002——2004,2007叶轮机械原理2007信号与系统2002——2007(注:2006年试卷共4页,缺第1页)电子技术基础1996——1997,2004,2007电工技术与电子技术2007数字电子技术2003,2007数字电路2004模拟电子技术2003——2004,2007电子信息学院电路1998——1999电路基础2001——2004,2007模拟电子技术2003——2004,2007信号与系统2002——2007(注:2006年试卷共4页,缺第1页)通信原理2001——2004,2007(2002有答案)数字电子技术2003,2007数字电路2004自动控制原理1995——1996,2000——2007(2001——2006有答案)数字信号处理2002——2004,2007电磁场与电磁波2002——2004,2007武器运筹学2007航空火力控制原理2007随机信号分析2003——2004教育学专业基础综合(全国统考试卷)2007——2008自动化学院德语(一外)2007自动控制原理1995——1996,2000——2007(2001——2006有答案)电路1998——1999电路基础2001——2004,2007计算机网络2007概率论2004,2007概率论与数理统计2003系统工程概论2007交通工程导论2007惯性导航原理2007传感器原理2007电机学2007电力电子技术2003——2004,2007电子技术基础1996——1997,2004,2007机电控制元件与系统2007微机原理及应用2000——2004,2007(2000——2003有答案)[说明:2003年试卷名称为“微型计算机原理”]C语言2003C语言程序设计2004医学图像处理2007计算机学院计算机专业基础2004,2007计算机组成与系统结构2001——2003计算方法2003——2004计算机综合技术2004编译原理2000——2002操作系统1999——2002数据结构1998——1999,2002软件综合技术2004离散数学2000——2002理学院高等代数2007数学分析2002,2007数学分析与高等代数2003——2004量子力学2002——2004,2007电动力学2007光学2003——2004,2007有机化学2004,2007数学(理学)2007普通物理2007数字电子技术2003,2007数字电路2004物理化学(凝聚态物理、材料物理与化学、材料学、材料加工工程、应用化学专业)2007物理化学(物理化学、药剂学专业)2007高分子化学2007高分子物理2007环境化学2007管理学院运筹学2003——2007(2005有答案)(注:2005年试卷共6页,缺第6页;2005年答案共6页,缺第6页)管理经济学2003——2004,2007管理学2002——2004,2007计算机辅助管理2002——2004,2007计算机辅助制造2003——2004,2007人文与经法学院俄语(一外)2007日语(一外)2007法语(一外) 2007英语水平测试2002——2004,2007英语写作知识与技能2002英语语言学测试2003英语语言学基础2002英语综合知识测试2004,2007英语(一外)2007德语水平考试(含语法、词汇、阅读、翻译及写作)2007综合知识考试(含德国国情, 语言学与德语文学基础知识)2007 法学综合2007马克思主义发展史2007政治学原理2007,2010(2010为回忆版)中国近现代史2007中国特色社会主义理论与实践2007经济法2007教育学专业基础综合(全国统考试卷)2007——2008现代西方经济学2007艺术史2007艺术专业综合理论2007行政管理学2007,2010(2010为回忆版)软件学院计算机组成与系统结构2001——2003计算方法2003——2004计算机专业基础2004,2007计算机综合技术(含操作系统、计算机组成原理)2004,2007 编译原理2000——2002操作系统1999——2002数据结构1998——1999,2002软件综合技术(含数据结构、C++程序设计)2004,2007离散数学2000——2002生命科学院生物综合2007分子生物学2007生物医学工程综合2007有机化学2004,2007物理化学(凝聚态物理、材料物理与化学、材料学、材料加工工程、应用化学专业)2007物理化学(物理化学、药剂学专业)2007。

西安工业大学硕士材料科学基础真题2007年

西安工业大学硕士材料科学基础真题2007年

西安工业大学硕士材料科学基础真题2007年(总分:135.00,做题时间:90分钟)一、{{B}}名词解释{{/B}}(总题数:5,分数:10.00)1.金属键(分数:2.00)__________________________________________________________________________________________ 正确答案:()解析:金属正离子与自由电子之间的相互作用所构成的金属原子间的结合力称为金属键。

2.间隙固溶体(分数:2.00)__________________________________________________________________________________________ 正确答案:()解析:若溶质原子比较小,就可以进入溶剂晶格的间隙位置之中而不改变溶剂的晶格类型,这样形成的固溶体称为间隙固溶体。

3.非稳态扩散(分数:2.00)__________________________________________________________________________________________ 正确答案:()解析:在扩散过程中任何一点的浓度都随时间不同而变化的扩散称为非稳态扩散。

4.相律(分数:2.00)__________________________________________________________________________________________ 正确答案:()解析:在平衡系统中由于受平衡条件的制约,系统内存在的相数有一定限制。

这种限制使系统的自由度数f和组元数目c、相的数目p以及对系统平衡状态能够产生影响的外界因素数目n之间存在一定的关系,这种关系就称之为相律,即f=c-p+n。

5.定向凝固(分数:2.00)__________________________________________________________________________________________ 正确答案:()解析:在凝固过程中,铸件中各个组织全部沿同一方向生长,由此产生由取向相同的柱状、层片状及棒状所构成的单相或多相纤维状组织,这种凝固技术称为定向凝固。

西北工业大学《材料科学基础》历年真题

西北工业大学《材料科学基础》历年真题

西北工业大学2012年硕士研究生入学考试试题答案试题名称:材料科学基础试题编号:832说明:所有答题一律写在答题纸上第页共页一、简答题(每题10分,共50分)1.请简述滑移和孪生变形的特点?答:滑移变形特点:1)平移滑动:相对滑动的两部分位向关系不变2)滑移线与应力轴呈一定角度3)滑移不均匀性:滑移集中在某些晶面上4)滑移线先于滑移带出现:由滑移线构成滑移带5)特定晶面,特定晶向孪生变形特点:1) 部分晶体发生均匀切变2) 变形与未变形部分呈镜面对称关系,晶体位向发生变化3) 临界切分应力大4) 孪生对塑变贡献小于滑移5) 产生表面浮凸2.什么是上坡扩散?哪些情况下会发生上坡扩散?答:由低浓度处向高浓度处扩散的现象称为上坡扩散。

应力场作用、电场磁场作用、晶界内吸附作用和调幅分解反应等情况下可能发生上坡扩散。

扩散驱动力来自自由能下降,即化学位降低。

3.在室温下,一般情况金属材料的塑性比陶瓷材料好很多,为什么?纯铜与纯铁这两种金属材料哪个塑性好?说明原因。

答:金属材料的塑性比陶瓷材料好很多的原因:从键合角度考虑,金属材料主要是金属键合,无方向性,塑性好;陶瓷材料主要是离子键、共价键,共价键有方向性,塑性差。

离子键产生的静电作用力,限制了滑移进行,不利于变形。

铜为面心立方结构,铁为体心立方结构,两者滑移系均为12个,但面心立方的滑移系分布取向较体心立方匀衡,容易满足临界分切应力。

且面心立方滑移面的原子堆积密度比较大,因此滑移阻力较小。

因而铜的塑性好于铁。

4.请总结并简要回答二元合金平衡结晶过程中,单相区、双相区和三相区中,相成分的变化规律。

答:单相区:相成分为合金平均成分,不随温度变化;双相区:两相成分分别位于该相区的边界,并随温度沿相区边界变化;三相区:三相具有确定成分,不随结晶过程变化。

5.合金产品在进行冷塑性变形时会发生强度、硬度升高的现象,为什么?如果合金需要进行较大的塑性变形才能完成变形成型,需要采用什么中间热处理的方法?而产品使用时又需要保持高的强度、硬度,又应如何热处理?答:合金进行冷塑性变形时,位错大量増殖,位错运动发生交割、缠结等,使得位错运动受阻,同时溶质原子、各类界面与位错的交互作用也阻碍位错的运动。

全国名校材料科学基础考研真题汇编(含部分答案)

全国名校材料科学基础考研真题汇编(含部分答案)

1.清华大学材料科学基础历年考研真题及详解2009年清华大学材料科学基础(与物理化学或固体物理)考研真题及详解2008年清华大学材料科学基础(与物理化学或固体物理)考研真题及详解2007年清华大学材料科学基础(与物理化学或固体物理)考研真题及详解清华大学2007年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目:材料科学基础(与物理化学或固体物理)适用专业:材料科学与工程一、(5分)证明:对于立方晶系,有二、(10分)画出下述物质的一个晶胞:金刚石 NaCl 闪锌矿纤锌矿石墨三、(10分)请导出摩尔分数为x A、x B的二元系中的综合扩散系数D与分扩散系数D A、D B之间的关系。

四、(10分)根据图1-1所示的铁碳平衡相图,回答以下问题:1.写出在1495℃、1154℃、1148℃、738℃和727℃发生的三相平衡反应的反应式。

2.画出含碳量的过共析钢在室温下的平衡组织,并计算其中二次渗碳体的百分数。

3.含碳量的亚共晶白口铸铁在从液相平衡冷却到室温时会发生什么三相平衡反应和两相平衡反应(可用热分析曲线表示)?室温下该成分的铸铁中有没有二次渗碳体?如有的话,计算其百分数。

五、(10分)1.解释冷变形金属加热时回复、再结晶的过程及特点。

2.已知Cu-30%Zn合金的再结晶激活能为250kJ/mol,此合金在400℃的恒温下完成再结晶需要1h,试求此合金在390℃的恒温下完成再结晶需要多少小时。

六、(15分)沿铝(A1)单晶的方向拉伸,使其发生塑性变形,请确定:1.画出立方晶系的标准投影,并由此确定初始滑移系统。

2.转动规律和转轴。

图1-1 第四题图3.双滑移系统。

4.双滑移开始时晶体的取向和切变量。

5.双滑移过程中晶体的转动规律和转轴。

6.晶体的最终取向。

七、(15分)有一面心立方单晶体,在(111)面滑移的柏氏矢量为的右螺型位错,与在面上滑移的柏氏矢量为的另一右螺型位错相遇于此两滑移面交线,并形成一个新的全位错。

(NEW)西安工业大学805材料科学基础历年考研真题及详解

(NEW)西安工业大学805材料科学基础历年考研真题及详解

(NEW)西安工业大学805材料科学基础历年考研真题及详

目录
2009年西安工业大学材料科学基础考研真题及详解2008年西安工业大学材料科学基础考研真题及详解2007年西安工业大学材料科学基础考研真题及详解2006年西安工业大学材料科学基础考研真题及详解2005年西安工业大学材料科学基础考研真题及详解2004年西安工业大学材料科学基础考研真题及详解2003年西安工业大学材料科学基础考研真题及详解
2009年西安工业大学材料科学基础考研真题及详解。

西北工业大学材料科学基础考研复习第一章

西北工业大学材料科学基础考研复习第一章

答案
简述位错增殖(F-R源)过程 A.B段位错两端A.B被钉扎不能移动,当外加切应力τ 作用时,AB将受到F=τ b 的作用,因为两端固定,故只能向前弯曲,两端则分别绕A.B发生回旋, 当两端弯曲出来的线段相互靠近时,由于该两段位错平行于b,属于左螺 位错和右螺位错,它们会相互抵消,形成一闭合的位错环和位错环内的一 小段弯曲位错线。在外力继续作用下,位错环将向外扩张,移出晶面,产 生一个b的滑移,而环内的弯曲曲线,在线张力作用下变直,重新形成一 个位错源,在τ 作用下继续释放位错环。
面缺陷
晶界特征 1.晶界——畸变——晶界能——向低能量状态转化——晶 粒长大、晶界变直——晶界面积较小 2.阻碍位错运动——强度值升高——引起细晶强化 3.位错、空位等缺陷多——晶界扩散速度高 4.晶界能量高,结构复杂——容易满足固态相变的条件— —固态相变的首发地 5.化学稳定性——晶界容易受腐蚀 6.微量元素、杂质富集
第一章 工程材料中的原子排列
一. 固体中原子的结合键:(考点一) 金属键,共价键,离子键,分子键,氢键 主要考点:各价键的特点 问题:从结合键角度分析金属塑性优于陶瓷的原因。(2013考题) 二. 原子规则排列: 1.晶体学基础 晶体、晶体结构、空间点阵、晶格、晶胞的定义(看) 布拉菲点阵主要记住立方点阵(体心立方,面心立方)及密排六方 点阵
• 螺位错 原子面部分错动一个原子间距 形成不吻合过渡区。 螺位错分为左螺位错和右螺位 错,两者有本质区别
位错线只能终止在晶体表面 或晶界上,而不能中断于晶体 的内部,在晶体内部,它只能 形成封闭的环或与其他位错相 遇于节点而形成位错网络。
• 柏氏矢量——反映位错区畸变的 方向与程度 求法: (1)包含位错线做一封闭回路— —柏氏回路 (2)将同样的回路置于完整的晶 体中——不能闭合 (3)补一矢量(终点指向起点) 使回路闭合——柏氏矢量 特性: (1)满足右螺旋和规则时,柏氏 矢量与柏氏回路路径无关——唯 一性 (2)用柏氏回路求得的柏氏矢量 为回路中包围的所有位错柏氏矢 量的总和——可加性 (3)同一位错,柏氏矢量处处相 同——同一性

西北工业大学832材料科学基础考研历年真题及答案

西北工业大学832材料科学基础考研历年真题及答案

西工大学考研历年真题解析——832材料科学基础主编:弘毅考研编者:贰晓孖弘毅教育出品【资料说明】《西北工业大学材料科学基础真题解析(专业课)》系西北工业大学优秀材料学考研辅导团队集体编撰的“历年考研真题解析系列资料”之一。

历年真题是除了参考教材之外的最重要的一份资料,其实,这也是我们聚团队之力,编撰此资料的原因所在。

历年真题除了能直接告诉我们历年考研试题中考了哪些内容、哪一年考试难、哪一年考试容易之外,还能告诉我们很多东西。

1.命题风格与试题难易第一眼看到西工大历年试题的同学,都觉得试题“简单”。

其实,这也是很多学生选择西工大的原因吧。

西工大的试题不偏、不怪,80% 的题目可以在课本上找到部分的答案。

这不同于一些学校的试题。

其实,“试题很基础”----“试题很简单”----“能得高分”根本不是一回事。

试题很基础,所以每个学生都能答上一二,但是想得高分,就要比其他学生强,要答出别人答不出来的东西。

要答出别人答不出来的东西,这容易吗?大家不要被试题表象所迷惑。

很多学生考完,感觉超好,可成绩出来却不到100分,很大程度上就是这个原因:把考的基础当成考的简单。

其实这很像武侠小说中的全真教,招式看似平淡无奇,没有剑走偏锋的现象,但是如果没有扎实的基础和深厚的内功是不会成为大师的。

我们只能说命题的风格是侧重考察基础的知识,但是,我们要答出亮点,让老师给你高分,这并不容易。

2.考试题型与分值大家要了解有哪些题型,每个题型的分值。

从最近五年看,西工大的题目基本都是主观题,个别年份有选择题和判断对错题。

可很多学生平时喜欢做选择题,不想写,到考试的时候就会傻眼。

每个题型的分值是不一样的,一个名词解释一般也就是5分,可一个论述就是30分。

这要求我们平时一定要注意书面表达能力的练习。

3.各章节的出题比重西工大的专业课没有考试大纲,因此没有重、难点的告知,但大家可以通过对历年真题的分析,掌握各个章节在整个考研中的重要地位。

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h′e: β+αII (1分) eB: β (1分) 3) 合金I (5分) L L→δ L+δ→α L→α α α→βII 合金II (3分) L L→α L→α+β α→βII
4) 合金I相组成: 合金II组织组成:
(2分)
(3分)
2. 请对比分析回复、再结晶、正常长大、异常长大的驱动力及力学性能变化 。(16分) 回复 存储能 (主要是点阵 畸变能) 基本保持变形 后性能 再结晶 存储能 (主要是点阵 畸变能) 正常长大 异常长大 总界面能和表 面能 性能恶化 强度、塑性下 降
2007年西北工业大学硕士研究生入 学试题 参考答案
一、 1、 请说明什么是全位错和不全位错,并请写出FCC、BCC和HCP晶体中的 最短单位位错的柏氏矢量。 答:全位错:柏氏矢量等于点阵矢量的整数倍; 不全位错:柏氏矢量不等于点阵矢量的整数倍。 <![endif]> 简答题(每题10分,共50分)
二、
作图计算题(每题15分,共60分)
1. 已知某晶体在500℃时,每1010个原子中可以形成有1个空位,请问该晶体 的空位形成能是多少?(已知该晶体的常数A=0.0539,波耳滋曼常数K =1.381×10-23 J / K)
解:
2.
请计算简单立方晶体中,(111)和
的夹角。
解: =70°32
Fcc:

bcc:

hcp:
2、 已知原子半径与晶体结构有关,请问当配位数降低时,原子半径如何变 化?为什么? 答:半径收缩。若半径不变,则当配位数降低时,会引起晶体体积增大。为 了减小体积变化,原子半径将收缩。
3、 均匀形核与非均匀形核具有相同的临界晶核半径,非均匀形核的临界形 核功也等于三分之一表面能,为什么非均匀形核比均匀形核容易?
答:因为非均匀形核时,用杂质或型腔充当了一部分晶核。也就是说,需要 调动的原子数少。
4、 原子的热运动如何影响扩散? 答:热运动增强将使原子的跃迁距离、跃迁几率和跃迁频率均增大,即增大 扩散系数。
5、 如何区分金属的热变形和冷变形? 答:变形温度与再结晶温度的高低关系。高于再结晶温度的为热变形,反之 为冷变形。
驱动力
总界面能
力学性能 变化
恢复到冷变形 基本保持再结 前的水平 晶后的水平
δ k n j
α
g d
i h
β
A b c1 g c 2 d h e B
解:
Байду номын сангаас
1) 水平线kj为包晶反应: (2分) 水平线gh为共晶反应: (2分) 2) Ab: α (1分) bg′: α+βII (1分) g′d: α+(α+β)共+βII (1分) d': (α+β)共 (1分) d′h′: β+(α+β)共+αII(1分)
3.
请判定在fcc中下列位错反应能否进行:
解:几何条件:
(6分) 能量条件:
(6分) 满足几何条件和能量条件,反应可以进行。(3分)
4.试画出面心立方晶体中的 (123) 晶面和
晶向
解:
三、
综合分析题(共40分)
1.
如附图所示,请分析:(24分) 1) 两水平线的反应类型,并写出反应式; 2) 分析Ab、bg′、g′d′、d′、 d′h′、 h′e、eB七个区域室温下的组织组成物( j点成分小于g点成分); 3) 分析I、II合金的平衡冷却过程,并注明主要的相变反应; 4) 写出合金I平衡冷却到室温后相组成物相对含量的表达式及合金II I II 平衡冷却到室温后 组织组 成物相 对含量的表达式。 t/℃
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