芯片减划工艺 中电智能卡
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中电智能卡有限责任公司COB封装厂
减薄划片工艺介绍
减薄划片工艺介绍—生产流程
减薄划片工艺介绍
背面减薄 贴磨片膜 抛光 贴划片膜 揭磨片膜 划片
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减薄划片工艺介绍—贴磨片膜
Chuck table CCD Alignme nt
Robot
Double load port
Work flow:
Wafer load Wafer alignment
BG tape laminating
W f unload Wafer l d
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减薄划片工艺介绍—贴磨片膜
Machine specification: 1.Wafer size 8 inch O.F., 8 inch V-notch, 12 inch wafer thickness ≧300μm;
V-notch
O.F.
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减薄划片工艺介绍—贴磨片膜
2.Load port 8 inch wafer: wafer cassette, FOSB 12 inch wafer: FOUP, FOSB
Wafer cassette
FOUP
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减薄划片工艺介绍—贴磨片膜
3. 磨片膜型号 Tape Type: UV tape, blue tape, bump tape; Tape Width:230～340mm; Tape Thickness:100～300 μm;
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减薄划片工艺介绍—背面减薄和贴划片膜
Machine model: DGP8761+DFM2800 DFM2800 DGP8761 3 主轴，4磨片平台
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减薄划片工艺介绍—背面减薄和贴划片膜
生产流程:
1) ) Cassette 2) Transfer with robot pick 3) Alignment at the position table 4) To C/T with transfer arm 1 5) Rough grinding with Z1‐axis 6) Fine grinding with Z2‐axis 7) Dry ry polish with Z3 3‐axis 8) Wafer cleaning at C/T 9) To Spinner with transfer arm 2 10) Wafer cleaning / dry at spinner section 11) To DFM2800 UV irradiation 12)Transfer to the mounting table 13) Dicing tape mounting using ring 14) Transfer to the peeling table 15) Back grinding tape peeling 16) Load wafer to the frame cassette
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减薄划片工艺介绍—背面减薄和贴划片膜
1. Z1/Z2 Spindle: Diamond wheel, Φ300mm; Z3 Spindle: Dry polishing wheel，为海绵,Φ450mm; 同时选配 G tti DP Getting DP, 可以有效防止memory wafer f 的电迁移效应； 的电迁移效应
2. Damage of back side
#2000 Dry yp polish
TEM (x 106)
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减薄划片工艺介绍—背面减薄和贴划片膜
Wafer厚度控制
1. Z1 axis配置1套Inline process gauge Z1 axis i 配置2个Inline li process gauge， 厚度检测范围为0～1800um；Z1轴磨片速度分为 3段, 速度范围：0.1um/s～80um/s。
2. Z2 axis分别配置1套Inline process gauge 和1套Non-contact gauge，厚度检测范围为 ； 轴磨片 度分为 段, 速度范围 度范围 10～200um；Z2轴磨片速度分为3段, ：0.1um/s～80um/s；当磨片厚度在10～200um 范围可使用Non-contact gauge测量wafer厚度， 而Inline process gauge抬起不接触wafer表面， 可避免gauge接触wafer形成的痕迹；
I li process gauge Inline
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3. Warpage
Warpage：12 inch 50 µm mirror wafer，磨轮金刚砂颗粒越小wafer warpage越小；Z1使用320#、360#的磨轮，对应的金刚砂颗粒为3050um；Z2使用4800#、6000#的磨轮，对应的金刚砂颗粒为2 30-50um2-5um；Z3 dry polish pad为海绵
5mm05mm
14 mm
14mm 5 mm0.5 mm
2000#4800#Dry Polish
1. 12 inch wafer 加工能力: ≧50µm
2. Wafer 厚度均匀性: ≦3µm
3. 粗糙度
320# wheel, Ra ≦0.20µm 6000# wheel, Ra≦0.002µm Dry polish, Ra≦0.0003µm
主要配置：
1双主轴功率为12KW 设备型号：DFD6362
1.Z1/Z2双主轴，功率为1.2KW ，
最大转速为60000RPM ；可以实现Step cut ，Dual cut
2.配置接触式测高功能、非接触式测
高功能、刀片破损报警功能、划片槽宽度检测功能；