晶圆切割站培训资料

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➢ 首件检查(使用工具显微镜)

目检(使用普通显微镜)
➢ 机器维护:换刀(在F5.1菜单下更换)

机器异常情况处理
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➢晶圆贴片步骤
1、准备工作
打开离子风扇 有效距离60cm 准备擦净的铁圈若干
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贴片
2、用气枪吹净机器表面
3、用沾酒精的无尘布擦拭机器表面及滚筒
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贴片
4、取一盒晶圆,先从外部观察 晶圆有无破损,若有,通知工 程师处理;然后打开,再确认 有无破片
27HCEE:12000刀 27HCCE:6500刀 27HCCB:6500刀 27HCCE:6500刀
1、当屏幕右下角的刀数到预定的 刀片使用寿命时即须换刀
2、当刀片磨损量到达刀刃极限时 也须换刀(在正常切割画面下按F3, 进入刀片状态信息)
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换刀
3、在主目录下按F5(刀片参数维护),再 按F1(刀片更换)进入更换刀片画面
E、具体操作要领
一、常见异常报警的处理
1、切痕检查:偏离中心
*消除警报
偏移
*确认警报原因为切割位置偏移OR基准线
*若是基准线偏移,则利用Y方向键调节基
准线中心对准切割痕中心
*按F5键基准线调整
*利用F4刀痕参数中的F5刀痕检查,检查
以上调整的位置,检查后会自动调整误差,并显示于屏

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异常处理
按下此键后,系统进入单 品种全自动切割准备状态, 再按下快捷键NEW CST、 START,机器将按F4菜单中 设置的程序进行单品种全自 动切割
F2:多品种全自动切割
跟F1相类似,只是F1切割 过程中程序不变,而在F2中, 可以设定料盒中有不同的产 品,不须中途全自动结束更 改程序(例如:EAGLE的CCD 与TG可以放在同一个料盒中 切割)
晶圆切割站学习手册
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CO2滤净机
A、DFD 651机台了解
指示灯 显示器


直行操作架
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
操 作

料 盒
切割轴
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升 降 台
2

直行操作架




割 刀
旋 转



切割工作盘
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清洗工作盘
操 作 键 盘
3
DFD651晶圓切割機的兩根切割軸以及切割刀
切割Z2軸
切割Z1軸
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4
( 机 器 右 侧 面 )

看出


崩 巴 不 良 图 片
e.晶圆切割当班工程师须对已目检晶圆进行随机抽检,
刮 伤
抽检比率应大于5%,并做相应的记录,对出现问题超 不
过2次(包括2次)的员工提报给当班制造线长

铝 电
图 片

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➢换刀步骤
目前使用切割刀的估计寿 命 如下: 27HEEE2:12000刀 27HCEF1:12000刀
(机器左侧面)
总水阀
总气阀

机 器
电源控制开关



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CUTTING BLADE WATER SHOWER WASHING SPRAY WATER SPRAY
冷却刀具用水 喷在刀刃上,清洗刀刃 清洗晶圆用水
清洗晶元用水
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( 位 纯于 水机 流台 量正 表左 方 )
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B、键盘讲解:
SET UP:测高快捷键
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➢ 目检方法:
➢ 每片切割完毕之晶圆,必须全部检查。 ➢ 将切割完成之晶圆,放置在显微镜平台上。 ➢ 调整至最大倍率。 ➢ 调整焦距至眼睛可看清楚。 ➢ 移动晶圆至短边切割道,检查短边崩碎范围是否影响至晶片,
若崩碎至晶片,则以黑色油性签字笔在晶片中央点个黑点。 ➢ 再调整显微镜倍率为30倍。 ➢ 调整焦距到眼睛可看清楚。 ➢ 再移动晶圆至最左边,检查长边切割道崩碎范围是否影响至
晶片及晶片上是否刮伤电路,或晶片上有任何异状,若有以 上情况,必须以黑色油性签字笔点在晶片中央。 ➢ 检查后,须将以上黑点数量、刮伤数量、其它不良记录于晶 圆切割站目检状况记录表。 若黑点数量超过30颗,必须马上通知领班或设备工程师处理
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目视检查
1、点黑点时,手不允许碰到晶圆
2、切割道崩坏超过保护边的就 必须当作不良点上黑点
➢ F2 刀片破损装置检测:在此程序下擦干净刀片破损装置检测敏感器,然 后按规定调整敏感器
➢ F3 测高方式:包含非接触、工作盘校准、敏感器校准测高
➢ F5 刀片基准线校准:每天切割前的准备工作,建议每次换刀后都做一遍, 可以提升切割品质
➢ F6 刀片状况资料:每天开机后或切割前必须进入确认刀片未到极限寿命 后方可进行切割
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贴片
5、双手小心取出一片晶圆
6、将其小心放置在工作盘上, 先将晶圆底部靠近工作盘的底 线,慢慢放下晶圆,左手不放 开,用右手打开真空开关
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贴片
7、放上铁圈,两个卡口 卡住工作盘上的两个突出 点
8、拉出胶布,先松开,让前 部贴住贴片机的前部;再拉紧 胶布,贴住贴片机后部
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DEVICE DATA:调出参数快捷键
AUX:不用
NEW CST:按下后使料盒从第一个第一格开始取料
S/T VAC:清洗盘真空压力开/关
SYS INIT:系统初始化
CUT WATER:切割水开/关
SPNDL:转轴开/关
C/T VAC:切割盘真空压力开/关
ZEM:转轴紧急抬起按钮
INDEX:索引
SCR INDEX:SCR索引
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F3:手动操作
F3.1进料:进行刀片基准线校准或其他机器维护时需要先进 料至工作盘
F3.2影像教读
F3.3校准
F3.4自动切割
F3.5半自动切割:通常在此程序下切不整片的晶圆
F3.6将晶片移至清洗盘
F3.7清洗
F3.8出料
F3.9外形识别
F3.10执行程序控制表(切割除外):将F3.2影像教读自动
检查表
垂直面量测完毕后,再检查晶片底部(背面),崩碎范围不可大于 100μm,结果记录于割片外观检查表。
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首件检查
切割第一片及每切割5片必须抽检1片,检验项目有垂直度、L型 至刀痕距离、及背崩检查,每片必须检查4个Chip以上
C/D、侧面图(垂直面)
E、侧面图(背崩)
型号 H3、H4、EP603、2R5P1 EAGLE2(4F4L-A1200dpi)、CA4B41-A CA4F3K 3R5B1、2R5S2、CFA03、A6T1 CF601、A6S1、1R5V1 CA4B4D EAGLE3(CA4F46)、CA4F58 A8
SHIFT:键盘切换
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C、日常操作:

开机;系统初始化(快捷键SYS INIT)
➢ 确认刀片型号及使用寿命未到极限(F5.6)

测高(F5.3.1or快捷键SET UP→F3)
➢ 刀片基准线校准(F5.5)

确认生产型号(F4)
➢ 贴片(使用晶圆贴片机)

单品种全自动切割(F1→快捷键NEW CST→START)
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贴片
9、用滚筒压过胶布
10、看胶布与晶圆间有无气泡, 若有超过0.5mm的气泡,将其 UV照射后重新再贴
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贴片
11、盖上滚筒,用滚刀刮断胶布
12、按住铁圈,小心撕开胶布
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贴片
13、将贴好的晶圆拿下, 用双手将其放进料盒
注意:料盒不可以重叠 放置
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贴片的注意事项
进行一遍,但不进行切割
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☺ F4:型号目录(有关切割参数的设定)
☺ F5:刀片参数维护
➢ F1 刀片更换:进入此程序后,切割轴和切割水自动关闭,以便进行更换 刀片的工作。当然也可以按下快捷键SPNDL和CUT WATER来关闭切割轴和切割水 后进行更换,不过没有前一种方法安全,因为前一种情况下如果按下SPNDL后 转轴不会转,后者则不然
8、小心取下刀片,并放入盒内
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换刀
9、退出刀片更换画面,再按F2 进入刀片检出装置调整画面, 将刀片破损检出敏感器取下, 用沾水的棉棒将其擦拭,使屏幕显示 为100%
10、用沾水的无尘纸擦拭转轴
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换刀
11、小心取出新刀片
12、将新刀片小心装上转轴, 并将卡紧螺丝用扭力扳手逆 时针方向旋紧,装上WHEEL COVER;调节刀片破损装置 使其敏感度在10%左右
▪ 1.贴片时除小手指外,其余四个手指均需要戴指套. ▪ 2.贴片时要让晶圆的切线边与贴台切线边重合.以
保证不让晶元贴偏.
▪ 3.晶元承载台不可以用锐利的物品碰触,防止划伤 晶圆承载台.
▪ 4.贴片时不可以使滚筒滚动太快,且不可用力过大 导致压伤或压迫晶元.
▪ 5.不使用贴片机时最好把盖子盖上.防止异物掉落 到晶圆的承载盘上.
警告:因在此目录下按SPINDL,转轴 不会转,所以尽量在此目录下更换,以 免意外发生!
4、打开保护盖,先擦净压克力板 以及各管路
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换刀
5、拧开螺丝,拿掉WHEEL COVER, 将刀片破损检测敏感器旋至最上
6、将扭力扳手调至350CN.M
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换刀
7、用扭力扳手顺时针旋开卡紧螺丝
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异常处理
4、切痕检查:太宽
*消除警报 *按F3进入暂停修正状态 *利用F4刀痕参数中的F5刀痕检查,确认WIDTH数据, 若太大,则须换刀
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异常处理
5、切痕检查:大宽(基准线中心到崩碎位置)
*消除警报 *检视画面中的崩碎面积是否过大,不可超过2500PIXELS *若超过,则按F9预切激活,降低切割速度后再切割
➢ F7 测高参数 ➢ F8 敏感器清洗
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手动切割
系统初始化 非接触测高
进料 选取F3-F5半自动切割
手动校准CH1面 对焦
调节θ角(水平) 找到第一个需要切割的切割道并对齐
选择向前或向后 按START开始切割并立即暂停 检查切割位置,确定OK后继续切割
切割另外一面(CH2)
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异常处理
6、Z1、Z2轴测高错误
*消除警报 *关闭切割轴和切割水 *打开外盖,先检查切割刀是否真的损耗异常或破损 *再用海绵棒擦拭非接触SENSOR两面,确保其在绿色范围内 *关闭外盖,重新测高
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异常处理
7 、 C/T真空压力不足
➢ 消除警报。 ➢ 按SPNDL键及CUT WATER键,停止切割轴和纯水的运转。 ➢ 打开外盖。 ➢ 检查chuck table(工作盘)上是否有异物,或U.V贴布上有破洞。 ➢ 工作盘上有异物时,先按F1键--全自动停止的功能键后,选择功能中的F1键--
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换刀
13、盖上保护盖,进入 F1更换刀片画面,确 认刀片类型、刀片状 态等参数后,按ENTER 更新刀片参数;再到 F6刀片状况资料里将 对应的刀片刀数清零
14、退到主画面,按F4选择磨刀程序MNT(Z1/Z2/Z1Z2) 按F1进入全自动切割,进行磨刀
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D、菜单讲解:
F1:单品种全自动切割
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UV照射
按住锁定按钮向后推开盖子 将须照射的工件表面朝上放入照射室
按START进行照射
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➢首件检查:
将要检查之晶圆放置工具显微镜平台上。 使用物镜倍率50倍检视,并调整焦距至清楚为止。 将平台移到屏幕显示晶圆最左边的短边切割道。 按照首检规格依次检查,并记录数值于割片外观检查表 用黑色抗静电镊子,夹起1颗晶片,将晶片电路朝向自己,调整晶 片水平,量测晶片两侧垂直面,不可大于5μm,结果记录于割片外观
全自动停止,等待旋转轴上的晶圆退出至料箱(cassette)内,再按F2键--切割 停止,将正在切割的晶圆退出。 ➢ 清洁贴布背面及工作盘上的异物。 ➢ 清洁干净后,按F3键--手动操作,以半自动切割将为切完的部分,切割完成。(半自 动切割必须先切割CH1短边,避免水平校准的偏移。)
底边 < 5μm
D≦100μm
特例:T3、4B4D的背崩 范围不可大于50μm
L型至刀痕距离 28≤A=B≤40 17≤A=B≤27 17≤A=B≤27 17≤A=B≤27 25≤A=B≤32 28≤A=B≤40 17≤A=B≤27 25≤A=B≤32
A+B+C+D ≤78μm ≤65μm ≤50μm ≤50μm ≤68μm ≤88μm ≤70μm ≤58μm
3、目检步骤:
a.目检晶圆四周,检查切割痕,看有 无未切穿的现象,若有,则尽快通知 工程师修机
b.目检短边切割道,看有无 崩坏到保护边的现象,若有, 则点上黑点
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目视检查
c.目检长边切割道,看 有无崩坏到保护边或晶 片表面刮伤的现象,若 有,则点上黑点


d.对于大面积的刮伤, 不
可利用显微镜的斜光
2、目标没有寻到
*消除警报 *按F4继续切割,但切割一刀后马上停止 *利用F4刀痕参数中的F5刀痕检查,确认基准线中心与切割 痕中心对齐 *确认无误后方可继续切割
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异常处理
3、切痕检查:切割位置偏移
*消除警报 *利用Y键调节到正确的切割位置 *按F10键切割位置调整 *按START再切割一刀 *利用F4刀痕参数中的F5刀痕检查 *确认无误后方可继续切割
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