电力电子技术期末考试试题 答案
电力电子技术期末考试试题及答案
保护电路控的器件中,容量最大的是1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角a的最大移相范围是0-180 2.阻感负载的特点是流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中, 晶闸管控制角a的最大移相范围是3.单相桥式全控整流电路中, 带纯电阻负载时,a角移相范围为0-180 °,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为_72氏/2_和=^2U2;电力电子技术试题第1章电力电子器件J电力电子器件一般工作在—开关—状态。
冬在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为—通态损耗—,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为—开关损耗—。
3.电力电子器件组成的系统,一般由—控制电路__、_驱动电路_、 _主电路—三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为一单极型器件_、—双极型器件_、一复合型器件_三类。
L电力二极管的工作特性可概括为—承受正向电压导通,承受反相电压截止_。
匚电力二极管的主要类型有一普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。
7_肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
二晶闸管的基本工作特性可概括为—正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止—。
生对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于—IH。
10.晶闸管断态不重复电压 UDSM与转折电压 Ubo数值大小上应为,UDSM大于—Uba丄逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_ (如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。
生GTO勺__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.MOSFET勺漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的—放大区__、前者的非饱和区对应后者的 _饱和区—。
电力电子技术期末考试试题及答案
电力电子技术试题第1章 电力电子器件1、电力电子器件一般工作在__开关__状态。
5、电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。
6、电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。
8、晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。
18、在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的就是_电力二极管__,属于半控型器件的就是__晶闸管_,属于全控型器件的就是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _,属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的就是_晶闸管_,工作频率最高的就是_电力MOSFET ,属于电压驱动的就是电力MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的就是_晶闸管、GTO 、GTR _。
2、可关断晶闸管的图形符号就是 ;电力场效应晶体管的图形符号就是 绝缘栅双极晶体管的图形符号就是 ;电力晶体管的图形符号就是 ;第2章 整流电路1、电阻负载的特点就是_电压与电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围就是_0-180O_。
2、阻感负载的特点就是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围就是__0-180O_ ,其承受的最大正反向电压均为_22U __,续流二极管承受的最大反向电压为__22U _(设U 2为相电压有效值)。
3、单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α角移相范围为__0-180O_,单个晶闸管所承受的最大正向电压与反向电压分别为__222U 与_22U ;带阻感负载时,α角移相范围为_0-90O_,单个晶闸管所承受的最大正向电压与反向电压分别为__22U _与__22U _;带反电动势负载时,欲使电阻上的电流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。
电力电子技术期末考试题答案
1.IGBT 的开启电压UGE (th )随温度升高而略有下降,开关速度小于电力MOSFET 。
2.在如下器件:电力二极管(Power Diode )、晶闸管(SCR )、门极可关断晶闸管(GTO )、电力晶体管(GTR )、电力场效应管(电力MOSFET )、绝缘栅双极型晶体管(IGBT )中,属于不可控器件的是电力二极管,属于半控型器件的是晶闸管,属于全控型器件的是GTO GTR 电力MOSFET IGBT ;属于单极型电力电子器件的有电力MOSFET ,属于双极型器件的有电力二极管 晶闸管 GTO GTR ,属于复合型电力电子器件得有 IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是电力MOSFET ,属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT ,属于电流驱动的是晶闸管、GTO 、GTR 。
3.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_。
阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中,晶闸管控制角α的最大移相围是__0-180O _ ,其承受的最大正反向电压均为_22U __,续流二极管承受的最大反向电压为__22U _(设U 2为相电压有效值)。
4.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α角移相围为0-180O ,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为222U 和22U ;带阻感负载时,α角移相围为0-90O ,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为22U 和22U ;带反电动势负载时,欲使电阻上的电流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个平波电抗器。
5.单相全控桥反电动势负载电路中,当控制角α大于不导电角时,晶闸管的导通角=π-α-; 当控制角小于不导电角时,晶闸管的导通角= π-2。
6.电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压UFm 等于22U ,晶闸管控制角α的最大移相围是0-150o ,使负载电流连续的条件为o 30≤α(U2为相电压有效值)。
《电力电子技术》期末试卷3份答案(可打印修改)
《电力电子技术》试卷1答案一、填空(每空1分,36分)1、请在正确的空格内标出下面元件的简称:电力晶体管GTR;可关断晶闸管GTO;功率场效应晶体管MOSFET;绝缘栅双极型晶体管IGBT ;IGBT是 MOSFET和GTR的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
3、多个晶闸管相并联时必须考虑 均流的问题,解决的方法是串专用均流电抗器。
4、在电流型逆变器中,输出电压波形为正弦波,输出电流波形为 方波。
5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为 100A。
6、180°导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个元件之间进行;而120o导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行的。
7、当温度降低时,晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降;当温度升高时,晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。
8、在有环流逆变系统中,环流指的是只流经?逆变电源、逆变桥而不流经负载的电流。
环流可在电路中加电抗器来限制。
为了减小环流一般采控用控制角α大于β的工作方式。
9、常用的过电流保护措施有快速熔断器?、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。
(写出四种即可)10、双向晶闸管的触发方式有Ⅰ+、Ⅰ-、Ⅲ+、Ⅲ-四种。
二、判断题,(每题1分,10分)(对√、错×)1、在半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中,电路出故障时会出现失控现象。
(√)2、在用两组反并联晶闸管的可逆系统,使直流电动机实现四象限运行时,其中一组逆变器工作在整流状态,那么另一组就工作在逆变状态。
( ×)3、晶闸管串联使用时,必须注意均流问题。
(×)4、逆变角太大会造成逆变失败。
(×)5、并联谐振逆变器必须是略呈电容性电路。
电力电子技术试题及答案电气信息学院电力电子技术期末考试试题与答案详解
《电力电子技术》一、填空(30分)1、为了减小变流电路的开、关损耗,通常让元件工作在软开关状态,软开关电路种类很多,但归纳起来可分为与两大类。
2、对异步电动机实施变频调速控制,通常的控制方式有、、、等四种。
3、PWM逆变电路的控制方法有、、三种。
其中调制法又可分为、两种。
4、通常变流电路实现换流的方式有、、、四种。
5、在单相交流调压电路中,负载为电阻性时移相范围是,负载是阻感性时移相范围是。
6、在电力晶闸管电路中,常用的过电压保护有;;;和等几种。
7、提高变流置的功率因数的常用方法有、、、几种。
8、目前常用的具有自关断能力的电力电子元件有、、、几种。
二判断题,(20分)(对√、错×)1、三相桥式半控整流电路,带大电感性负载,有续流二极管时,当电路出故障时会发生失控现象。
()2、晶闸管并联使用时,必须采取均压措施。
()3、供电电源缺相、逆变桥元件损坏、逆变换流失败等故障。
也会引起逆变失败。
()4、电压型逆变电路,为了反馈感性负载上的无功能量,必须在电力开关器件上反并联反馈二极管。
()5、用多重逆变电路或多电平逆变电路,可以改善逆变电路的输出波形,使它更接近正弦波。
()6、三相桥式全控整流电路,输出电压波形的脉动频率是150H Z 。
( )7、在普通晶闸管组成的全控整流电路中,带电感性负载,没有续流二极管时,导通的晶闸管在电源电压过零时不关断。
( )8、在桥式半控整流电路中,带大电感负载,不带续流二极管时,输出电压波形中没有负面积。
( )9、提高电力电子装置的工作频率,可以使电力电子装置的体积和重量减小。
( )10、无源逆变电路,是把直流电能逆变成交流电能,送给电网, ( )三、选择题 (10分)1、在下面几种电路中,不能实现有源逆变的电路有哪几种 。
A 、三相半波可控整流电路。
B 、三相半控整流桥电路。
C 、单相全控桥接续流二极管电路。
D 、单相半控桥整流电路。
2、在有源逆变电路中,逆变角β的移相范围应选 为最好。
电力电子技术期末测验试题及答案
电力电子技术期末测验试题及答案————————————————————————————————作者:————————————————————————————————日期:电力电子技术试题第1章 电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。
18.在如下器件:电力二极管(Power Diode )、晶闸管(SCR )、门极可关断晶闸管(GTO )、电力晶体管(GTR )、电力场效应管(电力MOSFET )、绝缘栅双极型晶体管(IGBT )中,属于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _,属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力MOSFET ,属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。
2、可关断晶闸管的图形符号是 ;电力场效应晶体管的图形符号是 绝缘栅双极晶体管的图形符号是 ;电力晶体管的图形符号是 ;第2章 整流电路1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_,在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O_。
2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O_ ,其承受的最大正反向电压均为_22U __,续流二极管承受的最大反向电压为__22U _(设U 2为相电压有效值)。
电力电子技术期末考试样卷含答案
)(10分,每小题1.0分)1、()只要移相控制角090>α晶闸管变流器就可实现有源逆变。
2、()单相半波可控整流电路带阻感性负载时,晶闸管承受反向阳极电压立刻关断。
3、()在目前所有电力电子器件开关中,电力场效应管开关速度最快。
4、()IGBT可视为一个场效应管和一个电力晶体管的达林顿连接。
5、()三相桥式全控整流电路,输出电压波形的脉动频率是300H Z。
6、()移相控制角越大,整流电路的功率因数越高。
7、()晶闸管内部可视为两个晶体三极管的负反馈连接。
8、()二极管单相桥式整流器带电容滤波电路重载时输出电压平均值约等于1.4U2。
9、()高频PWM逆变电路输出电压含有低次谐波。
10、()晶闸管整流电路中的功率因数与电流波形畸变无关。
二、单项选择题(20分,每小题2.0分)1、由IGBT组成的无源逆变器中其换流方式是()A.电网换流B.器件换流C.强迫换流D.负载换流2、带电阻性负载的单相全控桥,晶闸管所承受的最大正向和反向电压为( )。
A.222,2UU B.2222,2UU C.222,2/2UU D.2/2,222UU3、单相桥式晶闸管整流电路带阻感性负载时输出电流平均值表达式为()。
A.αcosUR.Id2342= B.αcosUR.Id2151=C.αcosUR.Id29= D.αcosUR.Id245=4、带电感性负载的三相全控桥,变压器二次侧相电流有效值为( )。
A.3/dI B.3/2dI C. 3/dI D. 3/2dI5、晶闸管直流侧过电压保护的元器件是( )A. 快速熔断器B. 压敏电阻C. 快速开关D. 过流继电器6、设开关周期和开关导通时间分别为on t T ,,在直流升降压斩波电路中,电源电压E 与负载电压平均值o U 之间的关系是( )。
(下式中Tt T t off on==βα,) A.E U o β= B. E U o α= C.E U o αα-=1 D. E U o αα-=17、能实现有源逆变的晶闸管整流电路为( )。
电力电子技术期末考试试题 答案
1.IGBT 的开启电压UGE (th )随温度升高而略有下降,开关速度小于电力MOSFET 。
2.在如下器件:电力二极管(Power Diode )、晶闸管(SCR )、门极可关断晶闸管(GTO )、电力晶体管(GTR )、电力场效应管(电力MOSFET )、绝缘栅双极型晶体管(IGBT )中,属于不可控器件的是电力二极管,属于半控型器件的是晶闸管,属于全控型器件的是GTO GTR 电力MOSFET IGBT ;属于单极型电力电子器件的有电力MOSFET ,属于双极型器件的有电力二极管 晶闸管 GTO GTR ,属于复合型电力电子器件得有 IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是电力MOSFET ,属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT ,属于电流驱动的是晶闸管、GTO 、GTR 。
3.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_。
阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ,其承受的最大正反向2__,续流二极管承受的最大反向电压为2_(设U 2为相电压有效值)。
4.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α角移相范围为0-180O ,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电222;带阻感负载时,α角移相范围为0-90O ,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别22;带反电动势负载时,欲使电阻上的电流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个平波电抗器。
5.单相全控桥反电动势负载电路中,当控制角α大于不导电角δ时,晶闸管的导通角θ =π-α-δ; 当控制角α小于不导电角 δ 时,晶闸管的导通角 θ = π-2δ。
6.电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压UFm 2,晶闸管控制角α的最大移相范围是0-150o ,使负载电流连续的条件为o 30≤α(U2为相电压有效值)。
电力电子技术期末考试卷和答案
一、 填空题(每空1分,共26分)1. 将直流电变为交流电称为逆变。
当交流侧接在电网上,即交流侧接有电源时, 称为 ;当交流侧直接和负载相连时,称为 。
2. PWM 逆变电路根据直流侧电源性质的不同,也可分为 和两种。
目前实际应用的PWM 逆变电路几乎都是 电路。
3. 三相桥式全控整流电路,若整流变压器副边电压2u t ω=V,带反电动势阻感负载,030=α,则整流输出平均电压d U = 。
4. 按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度,可以将电力电子器件分为以下三类: 、 和 。
5.电力半导体器件由于承受过电压、过电流的能力太差,所以其控制电路必须设有 和 保护电路。
6. 晶闸管导通的条件有二:一是 ,二是 。
7. 电力电子器件驱动电路的任务是将。
驱动电路还要提供 。
8. 若晶闸管电流的有效值是314A ,则其额定电流为 A 。
若该晶闸管 阴、阳极间所加电压为100sin t ωV ,则其额定电压应为 V 。
(不考 虑晶闸管电流、电压的安全裕量。
)9. 电力变换通常可分为四大类,即交流变直流、 、 和 。
10. 电子技术包括 和 两大分支。
11. 在电压型逆变电路的PWM 控制中,同一相上下两个桥臂的驱动信号是 的。
但实际上为了防止上下两个桥臂直通而造成短路,在上下两臂通断切换时要留一小段上下臂都施加关断信号的 。
12. 在三相全控桥整流电路中,触发脉冲可采用 触发与 触发两种方法。
1.有源逆变 无源逆变 2.电压型 电流型 3.11734.半控型器件 不控型器件 全控型器件 5.过电压保护 过电流保护6.有正向阳极电压 门极有足够大的触发电流7.按控制目标的要求施加开通或关断的信号,对半控型器件提供开通控制信号,对全控型器件则既要提供开通控制信号,又要提供关断控制信号。
提供控制电路与主电路之间的电气隔离环节8. 200A 100V 9. 直流变交流 交流变交流 直流变直流10. 信息电子技术 电力电子技术 11. 互补 死区时间 12. 双窄脉冲 单宽脉冲二、单项选择题 13. c 14. d 15. b 16. b 17. d13. 下列电力半导体器件中,( )最适合用在小功率、高开关频率的电力电子电路中。
电力电子技术期末复习10套及答案
电力电子技术期末复习10套及答案考试试卷(1)卷一、填空(这道题有8个小问题,每个空白1分,共20分)1、电子技术包括__信息电子技术___和电力电子技术两大分支,通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2.为了降低自身损耗,提高效率,电力电子设备一般工作在开关状态。
当设备的工作频率较高时,开关损耗将成为主要损耗。
3、在pwm控制电路中,载波频率与调制信号频率之比称为______载波比_______,当它为常数时的调制方式称为_____同步____调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段,每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为_____分段同步_______调制。
4.面积等效原则指的是___________________________基本相同。
5.在GTR、GTO、IGBT和MOSFET中,开关速度最快的是MOSFET,最大的单管输出功率是多少6、设三相电源的相电压为u2,三相半波可控整流电路接电阻负载时,晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值,即,其最大正向电压为。
7.如果逆变器电路的负载连接到电源,则称为逆变器。
如果它与负载相连,则称为逆变器。
8、如下图,指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用v1,vd1,v2,vd2表示)。
(1)在从0到T1的时间段内,当前路径为__;(2)在T1~T2时间段内,电流路径为__;(3)t2~t3时间段内,电流的通路为_______;(4)t3~t4时间段内,电流的通路为_______;(5)t4~t5时间段内,电流的通路为_______;二、多项选择题(本题共有10个子题,前4题各得2分,其余各得1分,共计14分)1、单相桥式pwm逆变电路如下图,单极性调制工作时,在电压的正半周是()a、 V1和V4打开,V2和V3关闭,B和V1正常打开,V2正常关闭,V3和V4交替打开和关闭,C,V1和V4关闭,V2和V3打开d、v1常断,v2常通,v3与v4交替通断2、对于单相交流调压电路,下面说法错误的是()a、当晶闸管的触发角大于电路的功率因数角时,晶闸管的导通角小于180度b、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时,必须加宽脉冲或脉冲列触发,电路才能正常工作c、晶闸管的触发角小于电路的功率因数角。
电力电子技术期末考试模拟试题3及答案
电力电子技术模拟试题3考试时间120分钟1.考试形式:闭卷;2.本试卷共8大题,满分100分。
一、简答题(每小题4分,本题共20分)1.利用晶闸管构成的软开关电路,其所谓的“软”是指的什么?从物理概念上说明。
利用晶闸管或其它电力电子器件构成的软开关电路是在电路中增加了小电感、电容等谐振元件,在开关过程前后引入谐振,使其开关条件得以改善,从而降低了开关损耗和开关噪声。
因此称为谐振开关。
分为零电压开关和零电流开关,其零电压开通和零电流关断是要靠电路中的谐振来实现的。
由于是零电压开关和零电流开关分别是电路谐振时电路中的电压或电流类似于正弦波的半波,谐振减缓了开关过程中电压、电流的变化,与传统的硬开关相比较大大降低了开关损耗和开关噪声,因此称之为软开关。
2.电力电子讲的变流其实质上是实现了哪些变换?电压变换、电流变换、频率变换、波形变换等3.利用双晶体管理论简述晶闸管GTO的关断机理。
如图给GTO的门极和阴极间加一个负脉冲信号,形成一个负电流,其负电流拉开出了等效晶体管T1的集电极电流Ic1,使原来注入到T2晶体管的基极电流减小。
由于电路的正反馈作用,使等效晶体管的电流进一步减小,直到其电流小于维持电流I H时,T1、T2关断,晶闸管的也就关断了。
4.简叙工作在有源逆变状态所要满足的必要条件和充分条件。
1)必要条件:(1)要有一个直流电动势(或一个直流电动机并工作在发电状态),其方向要保证晶闸管承受正向电压降;(2)控制角α>900(或β<900),保证输出的直流平均电压<02)充分条件:要使电路的电流连续,回路中要串接一个大电感L5.说明交流调压电路的控制形式1)移相控制的交流调压形式;2)通断控制交流调压形式;3)斩控式交流调压形式。
二、(本题共10分)如图2所示的晶闸管的伏安特性曲线,试叙述其在第一、第三象限的变化规律并说明I H 和U b o 的定义。
若不加注入电流,在第一象限,随着阳极电压增加,其正向漏电流增加,当阳极电压增加到U b o 时,特性曲线跳到直线上去,根据所加电压与回路负载的不同,电路工作在直线的不同位置上。
电力电子技术期末考试试题与答案
电力电子技术期末考试试题与答案电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态.2.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为__开关损耗__。
3。
电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__. 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_.6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_.7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ .9。
对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。
10。
晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM_大于__Ubo。
11。
逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件.12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13。
MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__.14。
电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。
15。
IGBT 的开启电压UGE(th)随温度升高而_略有下降__,开关速度__小于__电力MOSFET 。
16。
按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
电力电子技术期末考试试题及答案(1)
电力电子技术期末考试试题及答案(1)电力电子技术试题第 1 章电力电子器件1.电力电子器件普通工作在 __开关__状态。
2.在通常事情下,电力电子器件功率损耗要紧为 __通态损耗 __,而当器件开关频率较高时,功率损耗要紧为 __开关损耗 __。
3.电力电子器件组成的系统,普通由 __操纵电路 __、_驱动电路 _、 _主电路 _三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加 _爱护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的事情,电力电子器件可分为 _单极型器件 _ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件 _三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为 _承受正向电压导通,承受反相电压截止_。
6.电力二极管的要紧类型有 _一般二极管 _、_快恢复二极管 _、 _肖特基二极管 _。
7. 肖特基二极管的开关损耗 _小于快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。
9.对同一晶闸管,维持电流 IH与擎住电流 IL 在数值大小上有 IL__大于__IH 。
10.晶闸管断态别重复电压 UDSM与转折电压 Ubo数值大小上应为, UDSM_大于 __Ubo。
11.逆导晶闸管是将 _二极管_与晶闸管 _反并联_(怎么连接)在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的__多元集成 __结构是为了便于实现门极操纵关断而设计的。
13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的 _截止区 _、前者的饱和区对应后者的 __放大区 __、前者的非饱和区对应后者的 _饱和区 __。
14.电力 MOSFET的通态电阻具有 __正 __温度系数。
15.IGBT 的开启电压 UGE(th )随温度升高而 _略有下落 __,开关速度 __小于__电力 MOSFET。
16.按照驱动电路加在电力电子器件操纵端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为 _电压驱动型 _和_电流驱动型_两类。
电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)
电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件普通工作在__开关__状态。
2.在通常事情下,电力电子器件功率损耗要紧为__通态损耗__,而当器件开关频率较高时,功率损耗要紧为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统,普通由__操纵电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_爱护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的事情,电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通,承受反相电压截止_。
6.电力二极管的要紧类型有_一般二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。
7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。
9.对同一晶闸管,维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。
10.晶闸管断态别重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为,UDSM_大于__Ubo。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(怎么连接)在同一管芯上的功率集成器件。
的__多元集成__结构是为了便于实现门极操纵关断而设计的。
的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。
的开启电压UGE(th)随温度升高而_略有下落__,开关速度__小于__电力MOSFET 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件操纵端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
的通态压落在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数,在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。
电力电子技术期末考试试题及答案Word版
电力电子技术试题第1章 电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.电力电子器件组成的系统,一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__。
3.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。
4.电力二极管的工作特性可概括为_正向电压导通,反相电压截止_。
5.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。
6.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。
7.GTO 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
8.MOSFET 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR 共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
9.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
10.在如下器件:电力二极管(Power Diode )、晶闸管(SCR )、门极可关断晶闸管(GTO )、电力晶体管(GTR )、电力场效应管(电力MOSFET )、绝缘栅双极型晶体管(IGBT )中,属于不可控器件的是_电力二极管__,属于半控型器件的是__晶闸管_,属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _;属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _,属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _,属于复合型电力电子器件得有 __ IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是_电力MOSFET ,属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _,属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。
电力电子技术期末考试试题答案
1.IGBT 的开启电压UGE (th )随温度升高而略有下降,开关速度小于电力MOSFET 。
2.在如下器件:电力二极管(Power Diode )、晶闸管(SCR )、门极可关断晶闸管(GTO )、电力晶体管(GTR )、电力场效应管(电力MOSFET )、绝缘栅双极型晶体管(IGBT )中,属于不可控器件的是电力二极管,属于半控型器件的是晶闸管,属于全控型器件的是GTO GTR 电力MOSFET IGBT ;属于单极型电力电子器件的有电力MOSFET ,属于双极型器件的有电力二极管 晶闸管 GTO GTR ,属于复合型电力电子器件得有 IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是电力MOSFET ,属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT ,属于电流驱动的是晶闸管、GTO 、GTR 。
3.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_。
阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ,其承受的最大正反向电压均为_22U __,续流二极管承受的最大反向电压为__22U _(设U 2为相电压有效值)。
4.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α角移相范围为0-180O ,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为222U 和22U ;带阻感负载时,α角移相范围为0-90O ,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为22U 和22U ;带反电动势负载时,欲使电阻上的电流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个平波电抗器。
5.单相全控桥反电动势负载电路中,当控制角α大于不导电角时,晶闸管的导通角=π-α-; 当控制角小于不导电角时,晶闸管的导通角= π-2。
6.电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压UFm 等于22U ,晶闸管控制角α的最大移相范围是0-150o ,使负载电流连续的条件为o 30≤α(U2为相电压有效值)。
电力电子技术期末考试试题与答案
电力电子技术期末考试试题与答案一、选择题1.( ) 电力电子系统中常用的功率开关电路是:A. 逆变器B. 斩波电路C. 升压电路D. 降压电路答案:A2.( ) 电压型逆变器输出波形为:A. 正弦波B. 方波C. 锯齿波D. 三角波答案:B3.( ) 单相桥式整流电路输出脉动系数为:A. 0.364B. 0.482C. 0.482D. 0.600答案:B4.( ) 三相全控桥式整流电路的输出电压为:A. 正弦波B. 方波C. 锯齿波D. 三角波答案:C5.( ) 交流电调速系统常用的功率器件有:A. 可控硅B. 普通二极管C. 晶闸管D. 三极管答案:A二、填空题1.( ) 电压型逆变器的开关器件为 _______________。
答案:晶闸管或IGBT2.( ) 三相全控桥式整流电路中,每个器件的导通时间为单个周期的_______________。
答案:1/63.( ) 恒压恒频空调控制器常用的控制算法为 _______________。
答案:PID算法三、简答题1.( ) 请简述电力电子系统的优点并举例说明。
答:电力电子系统在工业、交通、军事等领域的应用越来越广泛。
其优点主要包括:•可以实现能量的调节、转换和控制,提高能源利用效率;•可以精确控制电机的运行状态,实现电动机的调速和起停;•可以实现高效、精确、稳定的电力输出,并且对电网负荷的影响小。
其中,逆变器是电力电子系统中最常用的功率开关电路之一。
逆变器能将直流电转换为交流电,广泛应用于交流调速、UPS、电动汽车、太阳能发电、工业控制等领域。
2.( ) 请简述电力电子系统的应用场景并阐述其在场景中的作用。
答:电力电子系统广泛应用于以下场景中:•钢铁、冶金、矿山等重工业领域:逆变器、斩波电路、大电流直流电源等电力电子装置用于铁水炉、转炉、熔炼炉、轧钢机、提升机等电动机的调速和控制。
电力电子技术也被应用于高温热处理设备、水处理设备、氢氧化钠电解等场景中。
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1.IGBT 的开启电压UGE (th )随温度升高而略有下降,开关速度小于电力MOSFET 。
2.在如下器件:电力二极管(Power Diode )、晶闸管(SCR )、门极可关断晶闸管(GTO )、电力晶体管(GTR )、电力场效应管(电力MOSFET )、绝缘栅双极型晶体管(IGBT )中,属于不可控器件的是电力二极管,属于半控型器件的是晶闸管,属于全控型器件的是GTO GTR 电力MOSFET IGBT ;属于单极型电力电子器件的有电力MOSFET ,属于双极型器件的有电力二极管 晶闸管 GTO GTR ,属于复合型电力电子器件得有 IGBT _;在可控的器件中,容量最大的是_晶闸管_,工作频率最高的是电力MOSFET ,属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT ,属于电流驱动的是晶闸管、GTO 、GTR 。
3.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_。
阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中,晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ,其承受的最大正反向2__,续流二极管承受的最大反向电压为2_(设U 2为相电压有效值)。
4.单相桥式全控整流电路中,带纯电阻负载时,α角移相范围为0-180O ,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电222;带阻感负载时,α角移相范围为0-90O ,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别22;带反电动势负载时,欲使电阻上的电流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个平波电抗器。
5.单相全控桥反电动势负载电路中,当控制角α大于不导电角δ时,晶闸管的导通角θ =π-α-δ; 当控制角α小于不导电角 δ 时,晶闸管的导通角 θ = π-2δ。
6.电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受的最大正向电压UFm 2,晶闸管控制角α的最大移相范围是0-150o ,使负载电流连续的条件为o 30≤α(U2为相电压有效值)。
7.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中,共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是最高的相电压,而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是最低的相电压;这种电路 α 角的移相范围是0-120o ,u d 波形连续的条件是α≤60°。
8.对于三相半波可控整流电路,换相重迭角的影响,将使用输出电压平均值下降_9.2_,随负载加重Ud 逐渐趋近于_0.9 U 2_,通常设计时,应取RC≥1.5-2.5 T ,此时输出电压为Ud≈1.2_U 2(U 2为相电压有效值,T 为交流电源的周期)。
10.实际工作中,整流电路输出的电压是周期性的非正弦函数,当 α 从0°~90°变化时,整流输出的电压ud 的谐波幅值随 α 的增大而 增大,当 α 从90°~180°变化时,整流输出的电压 ud 的谐波幅值随 α 的增大而减小。
11.逆变电路中,当交流侧和电网连结时,这种电路称为有源逆变,欲实现有源逆变,只能采用全控电路;对于单相全波电路,当控制角 0< α < π /2 时,电路工作在整流状态; π /2< α < π 时,电路工作在逆变状态。
12.在整流电路中,能够实现有源逆变的有单相全波、三相桥式整流电路等(可控整流电路均可),其工作在有源逆变状态的条件是有直流电动势,其极性和晶闸管导通方向一致,其值大于变流器直流侧平均电压和晶闸管的控制角α >90O ,使输出平均电压U d 为负值。
13.晶闸管直流电动机系统工作于整流状态,当电流连续时,电动机的机械特性为一组平行的直线,当电流断续时,电动机的理想空载转速将抬高,随 α 的增加,进入断续区的电流加大。
14.直流可逆电力拖动系统中电动机可以实现四象限运行,当其处于第一象限时,电动机作电动运行,电动机正转,正组桥工作在整流状态;当其处于第四象限时,电动机做发电运行,电动机反转转,正组桥工作在逆变状态。
15.CuK斩波电路电压的输入输出关系相同的有升压斩波电路、Sepic斩波电路和Zeta斩波电路。
16.Sepic斩波电路和Zeta斩波电路具有相同的输入输出关系,所不同的是:Sepic斩波电路的电源电流和负载电流均连续,Zeta斩波电路的输入、输出电流均是断续的,但两种电路输出的电压都为正极性的。
17.改变频率的电路称为变频电路,变频电路有交交变频电路和交直交变频电路两种形式,前者又称为直接变频电路,后者也称为间接变频电路。
18.单相交流调压电路带阻感负载,当控制角α<ϕ(ϕ=arctan(ωL/R) )时,VT1的导通时间_逐渐缩短_,VT2的导通时间逐渐延长。
19.晶闸管投切电容器选择晶闸管投入时刻的原则是:该时刻交流电源电压应和电容器预先充电电压相等。
20.把电网频率的交流电直接变换成可调频率的交流电的变流电路称为交交变频电路_。
21.单相交交变频电路带阻感负载时,哪组变流电路工作是由_输出电流的方向_决定的,交流电路工作在整流还是逆变状态是根据_输出电流方向和输出电压方向是否相同_决定的。
22.当采用6脉波三相桥式电路且电网频率为50Hz时,单相交交变频电路的输出上限频率约为_20Hz__。
23.电力晶体管GTR;可关断晶闸管GTO;功率场效应晶体管MOSFET;绝缘栅双极型晶体管IGBT;IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
24.晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
25.在电流型逆变器中,输出电压波形为正弦波,输出电流波形为方波。
26. 80°导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个元件之间进行;而120º导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行的。
27.当温度降低时,晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降;当温度升高时,晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。
28.在有环流逆变系统中,环流指的是只流经两组变流器之间而不流经负载的电流。
环流可在电路中加电抗器来限制。
为了减小环流一般采用控制角α=β的工作方式。
29.常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。
30.逆变器按直流侧提供的电源的性质来分,可分为电压型型逆变器和电流型型逆变器,电压型逆变器直流侧是电压源,通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧用电容器进行滤波,电压型三相桥式逆变电路的换流是在桥路的本桥元件之间元件之间换流,每只晶闸管导电的角度是180º度;而电流型逆变器直流侧是电流源,通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧是用电感滤波,电流型三相桥式逆变电路换流是在异桥元件之间元件之间换流,每只晶闸管导电的角度是120º度。
31.按逆变后能量馈送去向不同来分类,电力电子元件构成的逆变器可分为有源逆变器与无源逆变器两大类。
32.直流斩波电路在改变负载的直流电压时,常用的控制方式有等频调宽控制;等宽调频控制;脉宽与频率同时控制三种。
33.晶闸管的换相重叠角与电路的触发角α;变压器漏抗X B;平均电流I d;电源相电压U2。
等到参数有关。
34.带平衡电抗器的双反星形电路,变压器绕组同时有两相相导电;晶闸管每隔60 度换一次流,每只晶闸管导通120度,变压器同一铁心柱上的两个绕组同名端相反,所以以两绕组的电流方向也相反,因此变压器的铁心不会被磁化。
35.一个单相全控桥式整流电路,交流电压有效值为220V,流过晶闸管的电流有效值为15A,则这个电路中晶闸管的额定电压可选为()V220225.1倍-;晶闸管的额定电流可选为()A57.11525.1倍-。
36.提高变流置的功率因数的常用方法有减小触发角、增加整流相数、采用多组变流装置串联供电、设置补偿电容几种。
37.目前常用的具有自关断能力的电力电子元件有GTO、GTR、MOSFET、IGBT几种。
38.要使三相全控桥式整流电路正常工作,对晶闸管触发方法有两种,一是用大于60º小于120º的宽脉冲触发;二是用脉冲前沿相差60º的双窄脉冲触发。
39.一般操作引起的过电压都是瞬时尖峰电压,经常使用的保护方法是阻容保护而对于能量较大的过电压,还需要设置非线性电阻保护,目前常用的方法有压敏电阻和硒堆。
40.交流零触发开关电路就是利用过零触发方式来控制晶闸管导通与关断的。
41.在由两组反并联变流装置组成的直流电机的四象限运行系统中,两组变流装置分别工作在正组整流状态、逆变状态、反组整流状态、逆变状态。
42.当负载为大电感负载,如不加续流二极管时,在电路中出现触发脉冲丢失时单相桥式半控整流桥与三相桥式半控整流桥电路会出现失控现象。
43.三相半波可控整流电路,输出到负载的平均电压波形脉动频率为150H Z;而三相全控桥整流电路,输出到负载的平均电压波形脉动频率为300H Z;这说明三相桥式全控整流桥电路的纹波系数比三相半波可控流电路电路要小。
44.对三相桥式全控变流电路实施触发时,如采用单宽脉冲触发,单宽脉冲的宽度一般取90度较合适;如采用双窄脉冲触发时,双窄脉冲的间隔应为60度。
45.三相半波可控整流电路电阻性负载时,电路的移相范围0--150,三相全控桥电阻性负载时,电路的移相范围0--120,三相半控桥电阻性负载时,电路的移相范围0--180。
46.晶闸管的维持电流I H是指在标准室温温度条件下,门极断开时,晶闸管从较大通态电流下降到刚好能保持导通所必须的最小阳极电流。
47.为了减小电力电子器件本身的损耗提高效率,电力电子器件一般都工作在开关状态,但是其自身的功率损耗(开通损耗、关断损耗)通常任远大于信息电子器件,在其工作是一般都需要安装散热器。
48.只有当阳极电流小于维持电流时,晶闸管才会由导通转为截止。
49.半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中,电路可能会出现失控现象,为了避免单相桥式半控整流电路的失控,可以在加入续流二极管来防止失控。
50.从晶闸管开始承受正向阳极电压起到施加触发脉冲止的电角度称为触发角。
☆从晶闸管导通到关断称为导通角。
☆单相全控带电阻性负载触发角为180度☆三相全控带阻感性负载触发角为90度51.单相全波可控整流电路中,晶闸管承受的最大反向电压为2√2U1 。
(电源相电压为U1)三相半波可控整流电路中,晶闸管承受的最大反向电压为2.45U2。
(电源相电压为U2)为了保证三相桥式可控整流电路的可靠换相,一般采用双窄脉冲或者宽脉冲触发52.强迫换流需要设置附加的换流电路,给与欲关断的晶闸管强迫施加反压或反电流而关断。
53.直流—直流变流电路,包括直接直流变流电路电路和间接直流变流电路。