模电_差分放大电路
《模拟电子技术》课件项目一差分放大电路模块.
（2）基本概念
差模与共模：
差模输入信号 共模输入信号
vid = vi1 vi2 1
vic = 2 (vi1 vi2 )
+
+
-vid
vi1 -
+ -vi2
+
- 差分 放大
+ vo -
总输出电压 vo = vo vo AVDvid AVCvic
差模电压增益
AVD
=
vo vid
1、电路 2、电路的与特点 电路对称
Rb1 RS1
＋
Ui1 －
Rc1
Rc2
Uo
V1
V2
3、静态分析：
Rb2
RS2
vi1 = vi2 = 0（静态）
＋
Ui2 vo = VC1 - VC2 = 0
－
实现： 0输入 0输出
当电源电压波动或温度变化时，两管集电极电流和集 电极电位同时发生变化。输出电压仍然为零。可见， 尽管各管的零漂存在，但输出电压为零，从而使得零
＋UCC
Rc1
Uo
Rc2
RS1
＋
V1
RS2
V2
＋
Ui1
Ui2
－
－ IS
－UEE
(b)
具有恒流源的差分放大电路
带有比例电流源的差分放大电路
I REF
IC4
U EE U BE4 R1 R2
IC3
Io
I REF
R2 R3
例：如 图所示具有恒流源及调零电位器的差分放大
电路，二极管VD的作用是温度补偿，它使电流源 IC3基本上不受温度变化影响。设UCC=UEE=12V ， RP=200Ω，R1=6.8KΩ,R2=2.2 KΩ,R3=33 KΩ,Rb=10 KΩ,UBE3=UVD=0.7V,Rc=100 KΩ,各管的β值均为72, 求静态时的UC1、差模电压放大倍数及输入、输出 电阻。
模电试题及答案1-2
《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章）一.选择题1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N 型半导体。
A.二 B.三 C.四 D 五2、在P 型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。
A.大于 B.等于 C.小于3、本征半导体温度升高以后， C 。
A.自由电子增多，空穴数基本不变B.空穴数增多，自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变4、空间电荷区是由 C 构成的。
A.电子 B.空穴 C.离子 D.分子5、PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 无法确定6、稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿7、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏8、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。
A. 增大 B. 不变 C. 减小 D. 都有可能9、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 C 。
A. 83 B. 91 C. 100 D. 1010、晶体管是 A 器件。
A.电流控制电流 B.电流控制电压 C.电压控制电压 D.电压控制电流11、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。
图1为 D ；图2为 A 。
[基极电位总是处于中间]A.NPN 硅管B.PNP 硅管C.NPN 锗管D.PNP 锗管12、场效应管是 D 器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流13、基本共射放大电路中，基极电阻R b 的作用是 A 。
A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C.保护信号源D.防止输出电压被短路14、基本共射放大电路中，集电极电阻R c 的作用是 B 。
模电作业答案 (1)
第1章半导体二极管及其应用电路1．二极管电路如图1所示，设二极管是理想的。
试判断图中的二极管是导通还是截止，并求出A、O两端电压U AO。
(a) (b)图1解：图a：对D1有阳极电位为0V，阴极电位为－12 V，故D1导通，此后使D2的阴极电位为0V，而其阳极为－15 V，故D2反偏截止，U AO=0 V。
图b：对D1有阳极电位为12 V，阴极电位为0 V，对D2有阳极电位为12 V，阴极电位为－6V．故D2更易导通，此后使V A＝－6V；D1反偏而截止，故U AO＝－6V。
2．电路如图2所示，设二极管为理想的，输入电压为正弦波，试分别画出各图输出电压的波形。
(a) (b)图2解：图（a）：图（b）：第2章 半导体三极管及其放大电路7．电路如图5(a)所示，晶体管的β＝80，r bb '=100Ω。
（1）分别计算R L ＝∞和R L ＝3k Ω时的Q 点，A us ，R i 和R o 。
（2）由于电路参数不同，在信号源电压为正弦波时，测得输出波形如图4（b ）、（c ）、（d ）所示，试说明电路分别产生了什么失真，如何消除。
（3）若由PNP 型管组成的共射电路中，输出电压波形如图4（b ）、（c ）、（d ）所示，则分别产生了什么失真？(a)(b) (c)(d)图5解（1）在空载和带负载情况下，电路的静态电流、r be 均相等，它们分别为Ω≈++=≈=≈--=k 3.1mV26)1(mA76.1 Aμ 22EQbb'be BQ CQ BEQ bBEQCC BQ I r r I I R U R U V I sββ空载时，静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为Ω==-≈⋅+≈Ω≈≈=-≈-=≈-=k 593k 3.1308V 2.6 c o bes bebebe b i becc CQ CC CEQ R R A r R r A r r R R r R A R I V U uusu∥β R L ＝5k Ω时，静态管压降、电压放大倍数分别为LCQ cCEQR V I R U V CCCC =--∵∴V 3.2)(L c CQ Lc L CEQ ≈-+=R R I R R V R U CC∥47115 bes bebe 'L -≈⋅+≈-≈-=uusuA r R r A r R A βΩ==Ω≈≈=k 5k 3.1c o be be b i R R r r R R ∥（2）（a ）饱和失真，增大R b ，减小R c 。
模电(李国立)10章习题答案
10 模拟集成电路自我检测题一．选择和填空1.试比较图选择题1中三个电流源电路的性能，填空：I0更接近于I REF的电路是a ；I0受温度影响最小的电路是b ；I0受电源电压变化影响最大的电路是a 。
0I0R R( a )( b )图选择题12．差分放大电路是为了C 而设置的〔A．提高放大倍数，B．提高输入电阻，C．抑制温漂〕，它主要通过 F 来实现。
〔D．增加一级放大电路，E．采用两个输入端，F ．利用参数对称的对管〕。
3．在长尾式的差分放大电路中，R e的主要作用是B 。
〔A．提高差模电压放大倍数，B．抑制零漂，C．增大差模输入电阻〕4．在长尾式的差分放大电路中，R e对B 有负反馈作用。
〔A．差模信号，B．共模信号，C．任意信号〕5．差分放大电路利用恒流源代替R e是为了C 。
〔A．提高差模电压放大倍数，B．提高共模电压放大倍数，C．提高共模抑制比〕6．具有理想电流源的差分放大电路，无论何种组态，其共模抑制比A 。
〔A．均为无穷大，B．均为无穷小，C．不相同〕7．输入失调电压V IO是C 。
(A．两个输入端电压之差，B．两个输入端电压均为零时的输出电压，C．输出电压为零时，两个输入端之间的等效补偿电压)8．V IO越大，说明运放B 。
〔A．开环差模电压放大倍数越小，B．输入差放级V BE 或〔V GS〕的失配越严重，C．输入差放级β的失配越严重〕9．输入失调电流I IO是C 。
〔A．两个输入端信号电流之差，B．两个输入端信号电流均为零时的输出电流，C．两个输入端静态电流之差〕10．I IO越大，说明运放B 。
〔A．差模输入电阻越小，B．输入差放级β的失配越严重，C．输入差放级V BE 或〔V GS〕的失配越严重〕二．判断题〔正确的在括号内画√，错误的画×〕1．一个理想对称的差分放大电路，只能放大差模输入信号，不能放大共模输入信号。
〔√ 〕2．共模信号都是直流信号，差模信号都是交流信号。
模电模拟试卷及答案
模拟电子技术基础试卷及答案一、填空（18分）1．二极管最主要的特性是 单向导电性 . 3．差分放大电路中，若u I1=100μV ，u I 2=80μV 则差模输入电压u Id =20μV;共模输入电压u Ic=90μV 。
4．在信号处理电路中，当有用信号频率低于10 Hz 时，可选用 低通 滤波器；有用信号频率高于10 kHz 时,可选用 高通 滤波器；希望抑制50 Hz 的交流电源干扰时，可选用 带阻 滤波器；有用信号频率为某一固定频率，可选用 带通 滤波器。
6．乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流I CQ 0 、静态时的电源功耗P DC = 0 。
这类功放的能量转换效率在理想情况下，可达到 78。
5％ ，但这种功放有 交越 失真.二、选择正确答案填空（20分）1．在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，—10 V ，-9。
3 V ，则这只三极管是（ A )。
A ．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管C.PNP 型硅管 D 。
PNP 型锗管 2．某场效应管的转移特性如图所示，该管为( D ）。
A ．P 沟道增强型MOS 管 B 、P 沟道结型场效应管C 、N 沟道增强型MOS 管D 、N 沟道耗尽型MOS 管 3．通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ C ）。
A ．输入电阻高B 。
输出电阻低C.共模抑制比大D.电压放大倍数大 6。
RC 桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC 串并联选频网络和（ D )。
A. 基本共射放大电路 B 。
基本共集放大电路 C.反相比例运算电路 D.同相比例运算电路7。
已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示，该电路可能是（ A ）. A.积分运算电路 B.微分运算电路 C 。
过零比较器 D 。
滞回比较器8．与甲类功率放大方式相比，乙类互补对称功放的主要优点是( C )。
a ．不用输出变压器b ．不用输出端大电容c ．效率高d ．无交越失真 9．稳压二极管稳压时,其工作在（ C ），发光二极管发光时，其工作在（ A )。
模电课设单入双出恒流源式差分放大电路的设计
目录1 课程设计的目的与作用 (1)1.1设计目的及设计思想 (1)1.2设计的作用 (1)1.3 设计的任务 (1)2 所用multisim软件环境介绍 (1)3 电路模型的建立 (3)4 理论分析及计算 (4)4.1理论分析 (4)4..1.1静态分析 (4)4.1.2动态分析 (5)4.2计算 (5)5 仿真结果分析 (6)6 设计总结和体会 (9)6.1设计总结 (9)6.2心得体会 (9)7参考文献 (10)1 课程设计的目的与作用1.1设计目的及设计思想根据设计要求完成对单入双出恒流源式差分放大电路的设计，加强对模拟电子技术的理解,进一步巩固课堂上学到的理论知识。
了解恒流源式差分放大电路的工作原理，掌握外围电路设计与主要性能参数的测试方法。
1.2设计作用通过multisim软件仿真电路可以使我们对恒流源式差分放大电路有更深的理解，同时可以与长尾式放大电路加以比较，看到恒流源式差分放大电路的优越性。
1.3设计任务1.设计一个单入双出恒流源是差分放大电路，在实验中通过调试电路，能够真正理解和掌握电路的工作原理。
2.正确理解所设计的电路中各元件对放大倍数的影响，特别是三极管的参数。
3.正确处理理论计算数据，并非仿真数据进行比较在比较中加深理解。
2 所用multisim软件环境介绍multisim软件环境介绍Multisim是加拿大IIT公司（Interrative Image Technologies Ltd）推出的基于Windows的电路仿真软件，由于采用交互式的界面，比较直观、操作方便，具有丰富的元器件库和品种繁多的虚拟仪器，以及强大的分析功能等特点，因而得到了广泛的引用。
针对不同的用户，提供了多种版本，例如学生版、教育版、个人版、专业版和超级专业版。
其中教育版适合高校的教学使用。
Multisim 7主界面。
启动Multisim，就会看到其主界面，主要是由菜单栏、系统工具栏、设计工具栏、元件工具栏、仪器工具栏使用中元件列表、仿真开关、状态栏以及电路图编辑窗口等组成。
模拟电子技术基础 3.3差分放大电路PPT课件
ic2 = ic1
而（对镜像源）：
二、双端变单端的转换电路
对共模信号：
ic4 = ic3 ≈ ic1
iL = ic4 – ic2 = 0
uoc = 0
ic2 = ic1
而
具有双端输出的效果！
3.3.4 差分放大电路的差模传输特性
O
ui
iC
iC1
iC2
I0
UT
-UT
4UT
采用 V3 管代替 R
4 FET管电流源
I0 = IREF
2、有源负载
以电流源取代电阻作放大电路的负载。
优点：既提高了电压放大倍数，又设置了合适的工作点。
一、电流源与有源负载
二、具有电流源的差分放大电路
二、具有电流源的差分放大电路
CMOS差分放大电路
V1、V2构成差放， V3、V4构成电流源作有源负载， V5、V6 、V7构成电流源提供偏置。
第3章 放大电路基础
3.1 放大电路的基础知识 3.2 基本组态放大电路 3.3 差分放大电路 3.4 互补对称功率放大电路 3.5 多级放大器
3.3 差分放大电路
3.3.1 基本差分放大电路
3.3.2 电流源与具有电流源的差分放大电路
3.3.3 差分放大电路的输入、输出方式
差分放大电路又称差动放大电路，简称差放，具有输出电压近似与两个输入电压之差成正比的特性，是集成运放中重要的基本单元电路。
3.3.3 差分放大电路的差模传输特性及应用
一、电路组成及静态分析
一般
3.3.1 基本差分放大电路
结构特点： 1 两个输入端，两个输出端； 2 电路结构和元件参数对称； 3 双电源供电； 4 RE是公共发射极电阻。
模电
6.1.2 FET电流源电路 电流源电路
2. MOSFET多路电流源 多路电流源
I REF = I D0 = K n0 (VGS0 − VT0 ) 2
CH6 模拟集成电路
I D2
I D3 I D4
W2 / L2 I REF = W1 / L1
W3 / L3 I REF = W1 / L1 W4 / L4 I REF = W1 / L1
VCC − VBE − ( −VEE ) VCC + VEE ≈ Io＝IC2≈IREF＝ R R
确定后， 就确定了， 当R确定后， IREF就确定了， IC2也就 确定后 就确定了 也就 确定了，可将IC2看作 看作IREF的镜像 ，称此图 确定了，可将 看作 的镜像 镜像电流源。 为镜像电流源。
6.1.1 BJT电流源电路 电流源电路
2. 微电流源
I O = I C2 ≈ I E2 =
CH6 模拟集成电路
VBE1 − VBE2 Re2
∆VBE = Re2
由于 ∆VBE 很小， 很小， 所以I 也很小。 所以 C2也很小。 ro≈rce2（1＋ ＋
βRe2
rbe2 + R e2
）
′ （参考射极偏置共射放大电路的输出电阻 Ro） 当电源电压发生变化时， 的变化远小于IREF的变化，电 的变化， 当电源电压发生变化时，IC2的变化远小于 的变化远小于 的变化 源电压波动对IC2影响不大 故：此电流源有很高的恒定性。 影响不大,故 此电流源有很高的恒定性。 源电压波动对 影响不大
镜像电流源电路适用于较大工作电流（ 镜像电流源电路适用于较大工作电流（毫安数 的场合。 的值（例如微安级）。 量级）的场合。若需减少Ic2的值（例如微安级）。 必须要求R的值很大 这在集成电路中很难实现。 的值很大， 必须要求 的值很大，这在集成电路中很难实现。 因此，需要研究改进型的电流源。 因此，需要研究改进型的电流源。
模电试题-选择、判断题
一、判断题（1）√（2）×（3）√（4）×（5）√（6）×（7）×（8）√（9）×（10）×（11）√（12）×（13）×（14）×（15）√（16）×（17）×（18）√（19）×（20）√（21）×（22）√（23）√（24）×（25）√（26）×（27）√（28）×（29）×（30）×（1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（）（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（）（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（）（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。
（）（）（6）若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。
（7）只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（）（8）可以说任何放大电路都有功率放大作用；（）（9）放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（）（10）电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的；（）（11）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（）（12）由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（）（13）只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
（）解：（14）现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。
( )（15）阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立，它只能放大交流信号。
( )（16）直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响，它只能放大直流信号。
( )（17）只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。
模电(第四版)习题解答
自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3解：U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。
试问：(1)R b =50k Ω时，U o=?(2)若T 临界饱和，则R b =?解：(1)26BB BEB bV U I A R μ-==，2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
东南大学 信息学院 电子线路 模电实验四报告 -差分放大器 word版
实验四差分放大器姓名：学号：实验目的：1.掌握差分放大器偏置电路的分析和设计方法；2.掌握差分放大器差模增益和共模增益特性，熟悉共模抑制概念；3.掌握差分放大器差模传输特性。
实验内容：一、实验预习根据图4-1所示电路，计算该电路的性能参数。
已知晶体管的导通电压V BE(on)=0.55, β=500，|V A|=150 V，试求该电路中晶体管的静态电流I CQ，节点1和2的直流电压V1、V2，晶体管跨导g m，差模输入阻抗R id，差模电压增益A v d，共模电压增益A v c和共模抑制比K CMR，请写出详细的计算过程，并完成表4-1。
图4-1. 差分放大器实验电路表4-1：I CQ（mA）V1（V）V2（V）g m（mS）R id（kΩ）A v d A v c K CMR1 8.2 8.2 38.5 20.3 -261.8 -3.4 38.5二、仿真实验1. 在Multisim中设计差分放大器，电路结构和参数如图4-1所示，进行直流工作点分析（DC 分析），得到电路的工作点电流和电压，完成表4-2，并与计算结果对照。
表4-2：I CQ（mA）V1（V）V2（V）V3（V）V5（V）V6（V）0.997565 8.219 8.219 1.998 2.647 2.548仿真设置：Simulate → Analyses → DC Operating Point，设置需要输出的电压或者电流。
2. 在图4-1所示电路中，固定输入信号频率为10kHz，输入不同信号幅度时，测量电路的差模增益。
采用Agilent示波器（Agilent Oscilloscope）观察输出波形，测量输出电压的峰峰值（peak-peak），通过“差模输出电压峰峰值/差模输入电压峰峰值”计算差模增益A v d，用频谱仪器观测节点1的基波功率和谐波功率，并完成表4-3。
表4-3：1 10 20输入信号单端幅度（mV）A v d-239.23 -229.25 -208-24.021 -5.417 -0.474基波功率P1(dBm)-91.635 -52.095 -40.529二次谐波功率P2(dBm)-96.405 -41.272 -25.723三次谐波功率P3(dBm)仿真设置：Simulate →Run，也可以直接在Multisim控制界面上选择运行。
_模电期末自测题(A)
模电自测练习题（A）一、填空二极管1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。
PN结在正偏时导通，反偏时截止，这种特性称为单向导电性。
PN结具有单向导电性能，即加正向电压时，PN结导通，加反向电压时，PN结截止。
导通后，硅管的管压降约为0.7V，锗管约为0.2V。
2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P 型半导体，其多数载流子是空穴。
3、PN结的正向接法是P型区接电源的正极，N型区接电源的负极。
P型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是电子。
N型半导体中的多数载流子是电子、少数载流子是空穴。
4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。
5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。
稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。
8．硅稳压二极管的稳压电路是由限流电阻、硅稳压二极管与负载电阻组成。
6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。
7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。
8．半导体是一种导电能力介于导体与绝缘体之间的物质。
半导体按导电类型分为N型半导体与P型半导体。
N型半导体主要靠电子来导电，P型半导体主要靠空穴来导电。
半导体中的空穴带正电。
9、PN结中的内电场阻止多数载流子的扩散运动，促进少数载流子的漂移运动。
10．晶体二极管主要参数是最大正向电流与最高反向电压。
11．晶体二极管按所用的材料可分为锗和硅两类，按PN结的结构特点可分为点接触型和面接触型两种。
按用途可把晶体二极管分为检波二极管，整流二极管；稳压二极管；开关二极管，变容二极管等。
12、点接触型晶体二极管因其结电容小，可用于高频和超高频的场合；面接触型晶体二极管因其接触面积大，可用于大功率的场合。
13、2AP系列晶体二极管是锗材料做成的，其工作温度较低。
2ＣP、2ＣＺ系列晶体二极管是硅材料做成的，其工作温度较高。
差分电路原理
差分电路原理
差分电路是一种特殊的电路配置，它使用两个互相反向的输入信号来实现特定的功能。
差分电路的原理是通过比较两个输入信号的差异来产生一个输出信号。
差分电路通常由差动放大器和其他辅助电路组成。
差动放大器由两个输入端口和一个输出端口组成，其中一个输入端口接收正向信号，另一个输入端口接收反向信号。
两个输入信号之间的差异会被放大器放大，并输出为一个单一的信号。
差动放大器的关键是它的放大倍数，也就是称为放大器增益的比率。
放大倍数决定了输入信号的增益程度。
通常来说，差动放大器的增益较高，可以提供较大的输出信号。
差分电路的优点之一是它对共模信号的抵抗能力较强。
共模信号是同时作用于两个输入端口的信号，它们具有相同的幅度和相位。
在差分电路中，共模信号会被忽略或抑制，只有差异信号才会被放大。
差分电路在许多应用中被广泛使用。
例如，在通信系统中，差分电路可以用来抵消传输过程中引入的噪声和失真。
在模拟电路中，差分电路可以用来实现抑制干扰和提高信号的品质。
此外，差分电路还可以在数据传输和测量系统中使用，以提高信号传输的稳定性和精确性。
总的来说，差分电路是一种重要的电路配置，它能够通过比较两个输入信号的差异来产生一个输出信号。
差分电路具有抗干
扰能力强、信号增益高等优点，因此在许多领域都得到了广泛的应用。
模电期末试题及答案
模电期末试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电路中，放大电路的基本功能是（）。
A. 信号的整形B. 信号的放大C. 信号的滤波D. 信号的调制答案：B2. 共发射极放大电路中，若要使放大倍数增大，可以（）。
A. 减小集电极电阻B. 增大集电极电阻C. 减小基极电阻D. 增大基极电阻答案：B3. 理想运算放大器的输入电阻是（）。
A. 0B. ∞C. 1ΩD. 100Ω答案：B4. 差分放大电路中，差模信号是指（）。
A. 两个输入端输入信号相同B. 两个输入端输入信号相反C. 两个输入端输入信号相加D. 两个输入端输入信号相减答案：B5. 正弦波振荡电路中，振荡频率由（）决定。
A. 放大倍数B. 反馈系数C. 电路中的RC或LC参数D. 电源电压答案：C6. 场效应管（FET）的控制方式是（）。
A. 电流控制B. 电压控制C. 温度控制D. 光控制答案：B7. 在多级放大电路中，级间耦合方式采用直接耦合时，电路的静态工作点（）。
A. 容易设置B. 容易漂移C. 不容易设置D. 不容易漂移答案：B8. 负反馈可以（）放大电路的放大倍数。
A. 增大B. 减小C. 不变D. 先增大后减小答案：B9. 晶体管的饱和区是指（）。
A. 集电极电流最大B. 集电极电流最小C. 集电极电流接近于零D. 集电极电流远大于基极电流答案：D10. 模拟乘法器的主要功能是（）。
A. 信号放大B. 信号相加C. 信号相乘D. 信号相除答案：C二、填空题（每题2分，共20分）1. 在共发射极放大电路中，若要提高输入电阻，可以采用______偏置方式。
答案：集电极2. 差分放大电路的共模抑制比（CMRR）是衡量差分放大电路对共模信号抑制能力的指标，其定义为差模电压放大倍数与共模电压放大倍数的比值，用分贝表示时，CMRR = 20log（差模电压放大倍数/共模电压放大倍数）。
答案：20log3. 理想运算放大器的两个输入端分别为______输入端和反相输入端。
模电复习试题及答案(选择、填空、判断)
《模拟电子技术》复习题综合（半导体基础知识、单管共射放大电路）一.选择题1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N 型半导体。
A.二B.三C.四D.五2、在P 型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于3、本征半导体温度升高以后， C 。
A.自由电子增多，空穴数基本不变B.空穴数增多，自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变4、空间电荷区是由 C 构成的。
A.电子B.空穴C.离子D.分子5、PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 无法确定6、稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿7、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏8、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。
A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能9、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 C 。
A. 83B. 91C. 100D. 1010、晶体管是 A 器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流11、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。
图1为 D ；图2为 A 。
[基极电位总是处于中间]A.NPN 硅管B.PNP 硅管C.NPN 锗管D.PNP 锗管12、场效应管是 D 器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流13、基本共射放大电路中，基极电阻R b 的作用是 A 。
A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C.保护信号源D.防止输出电压被短路14、基本共射放大电路中，集电极电阻R c 的作用是 B 。
《模电》经典题目-含答案
模拟电子技术基础试卷与参考答案试卷三与其参考答案试卷三一、选择题（这是四选一的选择题，选择一个正确的答案填在括号）（共16分）1．有两个增益相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（）a. 输入电阻大b. 输入电阻小c. 输出电阻大d. 输出电阻小2．共模抑制比K CMR越大，说明电路（）。
a. 放大倍数越稳定b. 交流放大倍数越大c. 抑制温漂能力越强d. 输入信号中的差模成分越大3．多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带（）。
a. 变宽b. 变窄c. 不变d. 与各单级放大电路无关4．一个放大电路的对数幅频特性如图1-4所示。
当信号频率恰好为上限频率或下限频率时，实际的电压增益为（）。
a. 43dBb. 40dBc. 37dBd. 3dB图1-4 图1-55．LC正弦波振荡电路如图1-5所示，该电路（）。
a. 满足振荡条件，能产生正弦波振荡b. 由于无选频网络，不能产生正弦波振荡c. 由于不满足相位平衡条件，不能产生正弦波振荡d. 由于放大器不能正常工作，不能产生正弦波振荡6．双端输入、双端输出差分放大电路如图1-6所示。
已知静态时，V o=V c1－V c２＝０，设差模电压增益100vd=A ，共模电压增益m V 5V m V,10,0i2i1c ===V A V ，则输出电压o V 为（）。
a. 125mVb. 1000 mVc. 250 mVd. 500 mV图1-6 图1-77．对于图1-7所示的复合管，假设CEO1I 和CEO2I 分别表示T 1、T 2单管工作时的穿透电流，则复合管的穿透电流CEO I 为（）。
a. CEO2CEO I I =b. CEO2CEO1CEO I I I +=c. CEO1CEO I I =d. CEO12CEO2CEO )1(I I I β++=8．某仪表放大电路，要求R i 大，输出电流稳定，应选（）。
第十六次课 差分放大电路
-
R
R
C 3+ vo -4
C
R W RE
V EE
I R B1 B1 VBE I E1 RW /2 2IE1 RE VEE 0
V CC
2
R B1
RE对一半差分电路而言，只有2RE才能获得相同的电压降。
I B1
RB1
VEE VBE
(1 )(2RE
RW
/ 2)
I C1 = I B1
VCC RC
VC1 = VCC IC1RC VE1 = IBRB1 VBE VCE1 = VC VE
1
T1
RB1
T2管的静态工作点与T1管的相同 思考：接入负载后，静态工作点有无变化？
RW / 2
2RE VEE
VB 0 VE 0.7V VE 2 Re IE VEE IE 0.265mv VCE VC VE Vcc IC RC VE 4.05v
+ vo
ib1
2Re
–
2 Re rbe
ib2 Rc
Rs
ib2
ic2
vv
R ic
ic
ic
i 2i
i
b
R r 2(1 )R
S
be
e
2
v
R o R
i oc
c
o
例1.某差放电路如图所示，V1，V2参数相同， VBE1=VBE2=VBE=0.7V,β=100,rbb'=100Ω,R=5 1(1Ω)静态时两管的IBQ,ICQ和VCEQ各为多少？ (2)计算差模电压增益Avd; (3)计算差模输入电阻Rid和输出电阻Rod;
和V1管的集电极电位vC1;
(1)静态分析
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