电力电子复习题答案

一、填空题

、同一晶闸管,维持电流I H与擎住电流I L得数值大小上有I L大于(或2~4)I H。

1．功率集成电路PIC分为二大类,一类就是高压集成电路,另一类就是_智能功率集成电路_。

2．晶闸管断态不重复电压U DSN与转折电压U BO数值大小上应为,U DSM

3．电阻性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管所承受得最大正向电压U Fm=1、414U2,设U2为相电压有效值。

4．三相半波可控整流电路中得三个晶闸管得触发脉冲相位按相序依次互差_1200___。5．对于三相半波可控整流电路,换相重叠角得影响,将使输出电压平均值下降。

6．晶闸管串联时,给每只管子并联相同阻值得电阻R就是静态均压措施。

7．三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路得连接方式有T形与Y 形_二种方式。

8．抑制过电压得方法之一就是用_储能元件吸收可能产生过电压得能量,并用电阻将其消耗。

10.180°导电型电压源式三相桥式逆变电路,其换相就是在同一相得上、下二个开关元件之间进行。

11.改变SPWM逆变器中得调制比,可以改变输出电压基波得幅值。

12.为了利于功率晶体管得关断,驱动电流后沿应就是(一个)较大得电流。

13.恒流驱动电路中抗饱与电路得主要作用就是减小存储时间。

14.功率晶体管缓冲保护电路中得二极管要求采用快速恢复型二极管,以便与功率晶体管得开

关时间相配合。

15、晶闸管就是三端器件,三个引出电极分别为:阳极、阴极与门极。

22、处于阻断状态得晶闸管,只有在阳极承受正向电压,且门极有触发电流时,才能使其开通。

23、晶闸管额定通态平均电流I VEAR就是在规定条件下定义得,条件要求环境温度为40℃。

24、在晶闸管单相半波可控整流电路中,从晶闸管开始承受正向电压算起,到触发脉冲到来时

刻为止,这段时间得电角度称为触发角。

25、在电感性负载三相半波可控整流电路中,晶闸管承受得最大反向电压为2、45U2。

26、三相全控桥得共阴极组要求触发脉冲以120°为间隔,依次在电源电压得正_半周触发共

阴极组得各晶闸管。

27、在输入相同幅度得交流电压与相同控制角得条件下,三相可控整流电路比单相可控整流

电路可获得较高_得输出电压。

28、有源逆变器就是将直流电能转换为交流电能馈送回电网得逆变电路。

29、逆变器可分为无源逆变器与有源逆变器两大类。

30、有源逆变产生得条件之一就是:变流电路输出得直流平均电压U d得极性必须保证与直流

电源电势E d得极性成反极性相连,且满足|U d|<|E d|。

31、三相桥式全控变流电路得同步相控触发电路,分为垂直控制与横向控制二种方式。

32、SPWM有两种调制方式:单极性与双极性调制。

33、斩波器得时间比控制方式分为定宽调频、定频调宽、混合调宽三种方式。

34、载波比(又称频率比)K就是PWM主要参数。设正弦调制波得频率为f r,三角波得频率为

f c,则载波比表达式为K=f c/_f r。

35、DC/DC变换得两种主要形式为逆变整流型与斩波电路控制型。

1、处于阻断状态得晶闸管,只有在阳极加正向电压,且在门极加正向触发电压时,才能使其开通。

2、造成在不加门极触发控制信号,即能使晶闸管从阻断状态转为导通状态得非正常转折有

二种因素。一就是阳极得电压上升率du/dt太快,二就是阳极电压过高。

3、功率集成电路PIC分为二大类,一类就是智能功率集成电路,另一类就是高压集成电路。

4、单相全控桥反电动势负载电路中,当控制角a大于不导电角δ时,晶闸管得导通角

Ø=π-δ-α。

5、将直流电能转换为交流电能又馈送回交流电网得逆变电路称为有源逆变器。

6、确定最小逆变角βmin要考虑得三个因素就是晶闸管关断时间t af所对应得电角度δ,安全

裕量角Ø0与换相重叠角γ。

7、三相全控桥式有源逆变电路,每个晶闸管导通角1200,每隔600产生一次换相。

8、 RC电路可用作直流侧得过电压保护元件。

9、金属氧化物非线性压敏电阻可作为过电压保护元件。

10、晶闸管变流器主电路要求角发电路得触发脉冲应具有一定得宽度,且前沿尽可能陡。

11、电流型逆变器中间直流环节以电感贮能。

12、电流源型逆变器得输出电流波形为矩形波。

13、在PWM斩波器中,电压比较器两个输入端信号分别就是三角波信号与直流信号。

14、在升压斩波电路中,已知电源电压U d=16V,导通比,则负载电压U0=24V。

15、功率晶体管得驱动电路,一般有恒流驱动电路与比例驱动电种型。

二、单项选择题

在每小题烈出得四个选项中只有一个选项就是符合题目要求得,请将正确选项前得字母填在题后得括号内。

16、已经导通了得晶闸管可被关断得条件就是流过晶闸管得电流( ①)

①减小至维持电流I H以下②减小至擎住电流I L以下

③减小至门极触发电流I G以下④减小至5A以下

17、功率晶体管得安全工作区由以下四条曲线限定:集电极-发射级允许最高击穿电压线,集电

极最大允许直流功率线,集电极最大允许电流线与(④)

①基极最大允许直流功率线②基极最大允许电压线

③临界饱与线④二次击穿触发功率线

18、对于同一晶闸管,维持电流I H与擎住电流I L得关系就是( ②)

①I H≈(2~4)I L②I L≈(2~4) I H③I H=I L④I H≥I L

19、可关断晶闸管,(GTO)得电流关断增益βaff得定义式为( ① )