电子科大模电期末试题-(清华出题)
微电子器件_电子科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年
微电子器件_电子科技大学中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.处于平衡态的PN结，其费米能级EF（）。
答案:处处相等2.由PN结能带图可见，电子从N区到P区，需要克服一个高度为（）的势垒。
答案:3.不考虑势垒区的产生-复合电流，Jdn和Jdp在PN结的势垒区（）。
答案:均为常数4.正向偏置增加了耗尽层内的载流子浓度且高于其热平衡值，这导致了该区域内载流子出现（）过程占优。
答案:复合5.对突变PN结，反向电压很大时，可以略去，这时势垒电容与（）成反比。
答案:6.在开关二极管中常采用掺金的方法来提高开关管的响应速度。
也可采用掺铂、电子辐照、中子辐照等方法，其目的是（）。
答案:引入复合中心降低少子寿命7.双极晶体管效应是通过改变（）。
答案:正偏PN结的偏压来控制其附近反偏结的电流8.在缓变基区晶体管中，由于基区中存在内建电场，基区渡越时间变为（）。
9.在测量ICBO时，双极型晶体管的发射结和集电结分别处于（）。
答案:反偏和反偏10.为了降低基极电阻，通常采用对非工作基区进行（）的掺杂。
答案:高浓度、深结深11.ICBO代表( ) 时的集电极电流，称为共基极反向截止电流。
答案:发射极开路、集电结反偏12.以下哪些措施可以增大MOSFET的饱和区漏极电流：（）。
减小栅氧化层厚度13.以下哪些措施可以降低MOSFET的亚阈区摆幅：（）。
答案:降低衬底掺杂浓度14.以下哪些措施可以防止MOSFET的沟道穿通：（）。
答案:增加衬底掺杂浓度15.当MOSFET的栅极电压较大时，随着温度的温度升高，漏极电流将（）。
答案:减小16.MOSFET的（）是输出特性曲线的斜率，（）是转移特性曲线的斜率。
漏源电导，跨导17.以下哪些措施可以缓解MOSFET阈电压的短沟道效应：（）。
答案:减小氧化层厚度18.PN结的空间电荷区的电荷有（）。
答案:施主离子受主离子19.PN结的内建电势Vbi与（）有关。
答案:温度材料种类掺杂浓度20.反向饱和电流的大小主要决定于半导体材料的（）。
《模拟电子技术》期末考试复习题(含答案)
《模拟电子技术》期末考试复习题班级：学号：姓名：成绩：一、填空题1．硅二极管导通时的正向管压降约为____ V，锗二极管导通时的管压降约为____ V。
二极管的两端加正向电压时，有一段死区电压，锗管约为____V，硅管约为____V。
0.70.30.20.52．半导体具有____特性、____特性和____的特性。
掺杂热敏光敏3．电路中流过二极管的正向电流过大，二极管将会____；如果施加在二极管两端的反向电压过高，二极管将会____。
烧坏（开路）击穿（短路）4．使用二极管时，应考虑的主要参数是________和________。
最大整流电流（额定电流）最高反向工作电压（耐压）5．理想二极管的特点是正向导通时管压降为____，反向截止时反向电流为____。
0V0A6．用万用表测量二极管的正反向电阻时，若正、反向电阻均接近于零，则表明该二极管已____；若正、反向电阻均接近于无穷大，则表明二极管已____。
击穿烧坏7．在晶体管中，I E与I B、I C的关系为_________。
I E=I B+I C8．示波器是电子技术中常用的测量仪器，用于观察被测信号的____及测量被测信号的_________、_________和_________。
波形频率大小相位9．硅晶体管发射结的死区电压约为_____V，锗晶体管发射结的死区电压约为____V。
晶体管处在正常放大状态时，硅管发射结的导通电压约为_____V，锗管发射结的导通电压约为____V。
0.50.20.70.310．某晶体管的U CE不变，基极电流I B =30μA时，集电极电流I C =1. 2mA，则发射极电流I E =____ mA，若基极电流I B增大到50μA时，I C增大到2mA，则发射极电流I E =_____mA，晶体管的电流放大系数β=_____。
1.23mA2.05mA4011．用万用表测量晶体管时，应将万用表置于_____挡，并进行_____。
模拟电子技术期末考试试卷及答案
《模拟电子技术》期末考试卷一、填空题（20 分）1、二极管最主要的特性是。
2、当三极管处于放大状态时其放射结、集电结的偏置方式为、。
3、多级放大电路中，常见的级间的耦合方式有、、。
4、负反馈放大电路中的四种组态为、、、。
5、正弦波振荡电路的振荡条件为、。
二、选择题（20分）1、P型半导体中的多数载流子是，N型半导体中的多数载流子是。
A、电子B、空穴C、正离子2、杂质半导体中少数载流子的浓度本征半导体载流子的浓度。
A、大于B、小于C、等于3、温度升高，二极管在正向电流不变的情况下的正向电压，反向电流。
A、增大B、减小C、不变（）。
A．1500 B.80 C.505、RC串并联网络在f=f0=1/2RC时呈。
A、感性B、阻性C、容性三、判断题（10分）（对的打“√”，错的打“×”）1、本征半导体温度升高后，两种载流子浓度还是相等。
（）2、参数理想对称的双端输入双端输出差分放大电路只能放大差模信号，不能放大共模信号。
（）3、放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。
( )4、负反馈越深，电路的性能越稳定。
（ ）5、集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。
（ ） 四、简答题：（ 25分）1．写出下图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D ＝0.7V 。
2、判断下图所示电路中是否引入了反馈，如果有反馈试判断反馈类型？u ou o -3、电路下图所示：请将图中左右两部分正确连接起来，使之能够产生正弦波振荡五、计算题（25分）1、电路如下图所示，试求出电路A U、R i、和R0的表达式。
2、电路如下图所示，求下列情况下U0和U I的关系式。
模拟电子技术期末考试卷答案一、填空题1、单向导电性2、正偏、反偏。
3、变压器、阻容、直接4、电压并联、电压串联、电流并联、电流串联5、AF=1，相位平衡条件二、选择题1、B A2、B3、B A4、A5、B三、判断题1、V2、V3、V4、X5、V四、简答题1、1．①D截至，U O＝2V ②D导通，U O＝1.3V2、电压并联负反馈，电压并联负反馈3、解：N-H,J-M,K-F五、计算题1、解：V B=B b2/B b1+B b2V CC,I C=I E=V B-V BE/R EU CEQ=V CC-R C I C, A V=-B(R C//R L)/r be2、解：U O=-55U ITHANKS !!!致力为企业和个人提供合同协议，策划案计划书，学习课件等等打造全网一站式需求欢迎您的下载，资料仅供参考。
大学《模拟电子技术》模电期末考试模拟试题及答案详解
大学《模拟电子技术》模电期末考试模拟试题一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。
2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开；4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集）放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（串联）负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/ F ）。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。
13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；OTL电路是（）电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。
二、选择题（每空2分共30分）1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。
模电试题及答案(大学期末考试题)
一、选择题（本大题共15小题，每小题1分，共15分）1. 杂质半导体中少数载流子的浓度本征半导体中载流子浓度。
A．大于 B．等于 C．小于2. 温度升高时，二极管在正向电流不变的情况下的正向电压B，反向电流。
A．增大B．减小C．不变3. 晶体管通过改变来控制。
A．基极电流 B．栅-源电压 C．集电极电流D．漏极电流 E．电压 F．电流4. 集成运放有个输入端和个输出端。
A．1 B．2 C．3时，集成运放将，当其差5. 集成运放正常工作时，当其共模输入电压超过UIcmax时，集成运放。
模输入电压超过UIdmaxA．不能正常放大差模信号 B．输入级放大管将击穿6.直接耦合放大电路输入级采用差分放大电路是为了。
A．放大变化缓慢信号 B 放大共模信号 C 抑制温漂7. 已知整流二极管的反向击穿电压为20V,按通常规定，此二极管的最大整流电压为。
A. 20VB. 15VC. 10VD. 5V8. 空穴为少子的半导体称为________,空穴为多子的半导体称为。
A.P型半导体B.N型半导体C.纯净半导体D.金属导体9. 杂质半导体中少数载流子的浓度本征半导体中载流子浓度。
A．大于 B．等于 C．小于10. 室温附近，当温度升高时，杂质半导体中浓度明显增加。
A ．载流子B ．多数载流子C ．少数载流子11. 温度升高时，二极管在正向电流不变的情况下的正向电压 ，反向电流 。
A ．增大B ．减小C ．不变12. 晶体管通过改变 来控制 。
A ．基极电流B ．栅-源电压C ．集电极电流D ．漏极电流E ．电压F ．电流13. 晶体管电流由 形成，而场效应管的电流由 形成，因此晶体管电流受温度的影响比场效应管 。
A ．一种载流子B ．两种载流子C ．大D ．小14. 某放大电路在负载开路时的输出电压为4V ，接入12K Ω的负载电阻后，输出电压降为3V ，这说明放大电路的输出电阻为 。
A.10K ΩB.4K ΩC.3K ΩD.2K15. 直接耦合放大电路的放大倍数越大，在输出端出现的零点漂移现象就越 。
清华大学出社模拟电子技术习题解答
第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594TV T =，在常温（T=300K ）下，V T ==26mV 。
当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1eTV V >>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V<<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。
电子科技大学大二微电子专业模拟集成电路试卷及答案 (2)
………密………封………线………以………内………答………题………无………效……电子科技大学二零XX 至二零XX 学年第X 学期期终考试模拟集成电路原理课程考试题 A 卷（120分钟）考试形式：开卷考试日期20XX 年月日课程成绩构成：平时10 分，期中0 分，实验10 分，期末80 分一二三四五六七八九十合计一．选择题（共20题，每题2分，共40分）1.对于MOS管, 当W/L保持不变时, MOS管的跨导随漏电流的变化是( B )A. 单调增加B. 单调减小C. 开口向上的抛物线D.开口向下的抛物线.2. 对与MOS器件,器件如果进入饱和区, 跨导相比线性区将( A )Ａ增加 B.减少 C不变 D 可能增加也可能减小3. 在W/L相同时, 采用”折叠”几何结构的MOS管较普通结构的MOS管, 它的栅电阻( C )A 增大B 不变C 减小D 可能增大也可能减小4. 关于衬底PNP,下列说法正确的是( A )A．所有衬底PNP集电极电压必须相同.B．所有衬底PNP发射极电压必须相同.C．所有衬底PNP基极电压必须相同.D．所有衬底PNP各个电极电压可以任意设定5. 对于扩散电阻, 其宽度越大, 则电阻值越易做得( A )A 精确, B误差大, C 误差可大可小, D电阻间的相对误差大.6. 室温下, 扩散电阻阻值的温度系数为( A )A 正, B零, C负, 可正可负7.在集成电路中决定互联线宽度的因素有( A )A．大电流密度限制.B．Si-Al互熔问题.C．互联线的温度系数………密………封………线………以………内………答………题………无………效……D．是否形成欧姆接触.8. 套筒式共源共栅运放和折叠式共源共栅运放相比, 它的( B )较大些A. 最大电压输出摆幅B. 差模增益C. 极点频率D.功耗9.在版图设计上, 采用比例电阻和比例电容的设计可以( C )A. 提高电阻或电容自身的绝对精度,B. 提高电阻或电容自身的相对精度,C. 减小电阻或电容间的比例误差D. 无影响10.差分对中, 不影响其共模抑制比的因素为( C )A．差分管的对称性B．电流源的交流阻抗C．输入电压幅度D．电阻R C1和R C2的对称性11. Cascode电流镜的最小输出电压V MIN(out)的值为( C )A．V ON+V TN B.2(V ON+V TN) C. 2V ON+V TN D. V ON+2V TN12.对于ED NMOS基准电压源电路, 其中的两个NMOS的工作状态为( A )A, 都是饱和区B. 一个是饱和区, 一个是线性区C 都是线性区D都是亚阈值区13正偏二级管正向压降具有( B )温度特性.A . 零 B. 负 C. 正 D. 可正可负14. MOS共栅放大器的特点是( D )A．放大器输入输出反相, 输入阻抗高B．放大器输入输出同相, 输入阻抗高………密………封………线………以………内………答………题………无………效……C．放大器输入输出反相, 输入阻抗低D．放大器输入输出同相, 输入阻抗低15. 电路的主极点是( D )A离原点最远的极点, 它对应电路的-3dB带宽B 离原点最远的极点, 它对应电路的单位增益带宽C离原点最近的极点, 它对应电路的单位增益带宽D.离原点最近的极点, 它对应电路的-3dB带宽16.在CMOS差分输入级中, 下面的做法哪个对减小输入失调电压有利( C )A．增大有源负载管的宽长比.B．提高静态工作电流..C．增大差分对管的沟道长度和宽度D．提高器件的开启(阈值)电压17.在差分电路中, 可采用恒流源替换”长尾”电阻. 这时要求替换”长尾”的恒流源的输出电阻( A )A．越高越好, B.越低越好 C. 没有要求D. 可高可低18. 和共源极放大器相比较, 共源共栅放大器的密勒效应要( A )A.小得多B相当, C 大得多. D不确定19.在版图设计上, 采用比例电阻和比例电容的设计可以( C )A. 提高电阻或电容自身的绝对精度,B. 提高电阻或电容自身的相对精度,C. 减小电阻或电容间的比例误差D. 无影响20.对于差分对的版图设计下列（ D ）图最优.………密………封………线………以………内………答………题………无………效……二． 简答题（共5题，每题4分， 共20分）1. 画出共源共栅放大器基本结构, 简述其工作原理及特点.答:基本原理：M1为输入器件，M2为共源共栅器件，共源级M1将输入电压信号Vin 转换为电流信号g m Vin ，该电流信号流入M2漏端，从其源端输入到负载。
电子科技大学大二微电子专业模拟集成电路试卷及答案 (1)
………密………封………线………以………内………答………题………无………效……电子科技大学二零XX 至二零XX 学年第二学期期终考试模拟集成电路原理课程考试题 A 卷（120分钟）考试形式：开卷考试日期20XX 年月日课程成绩构成：平时10 分，期中0 分，实验10 分，期末80 分一二三四五六七八九十合计一．选择题（共20题，每题2分，共40分）1.对于MOS管, 当W/L保持不变时, MOS管的跨导随漏电流的变化是( B )A. 单调增加B. 单调减小C. 开口向上的抛物线D.开口向下的抛物线.2. 对与MOS器件,器件如果进入饱和区, 跨导相比线性区将( A )Ａ增加 B.减少 C不变 D 可能增加也可能减小3. 在W/L相同时, 采用”折叠”几何结构的MOS管较普通结构的MOS管, 它的栅电阻( C )A 增大B 不变C 减小D 可能增大也可能减小2.关于衬底PNP,下列说法不正确的是( B )A 衬底PNP一般耐压较高.B 衬底PNP一般共射电压增益较高.C 衬底PNP一般容易实现大电流D 衬底PNP不能采用n+ 埋层.3.对于扩散电阻, 杂质的横向扩散, 会导致电阻值( C )A 变小, B不变, C变大, D可大可小.4.室温下, 扩散电阻阻值的温度系数为( A )A 正, B零, C负, 可正可负5.对采用N+作下极板的MOS电容, 采用以下哪种方法可以提高MOS电容值与寄生电容值之比.( C )A, 增加MOS电容面积,………密………封………线………以………内………答………题………无………效……B. 减小MOS电容面积.C 增加衬底的反向偏压.D 减小衬底的反向偏压.6.在版图设计中, 电学规则检查称为（ B ）A. EXTRACTB. ERCC. DRCD. LVS7.随着微电子工艺水平提高, 特征尺寸不断减小, 这时电路的工作电压会（ D ）A不断提高 B. 不变 C. 可大可小 D. 不断降低8.对CMOS PTAT源，器件是工作在（ D ）A．饱和区和线性区 B. 都是饱和区 C.线性区和亚阈区 D. 饱和区和亚阈区9.下图示出的剖面图( C )ABA．A是纵向pnp, B是纵向pnpB．A是横向pnp, B是纵向pnpC．A是纵向pnp, B是横向pnpD．A是横向pnp, B是横向pnp10.对于电流镜的要求, 那种说法正确( C )A. 输出阻抗高B输出阻抗低C交流输出阻抗高D直流输出阻抗高11.Cascode电流镜的最小输出电压V MIN(out)的值为( C )A．V ON+V TN B.2(V ON+V TN) C. 2V ON+V TN D. V ON+2V TN12.差分放大器差模电压增益为( B )A．-g m R c B. g m R c C. -2g m R c D. 2g m R c………密………封………线………以………内………答………题………无………效……13.在下列防止CMOS IC中闩锁效应的办法中，（ C ）不可采用。
模电期末考试答案及解析
模电期末考试答案及解析一、选择题（每题2分，共20分）1. 在放大电路中，静态工作点的确定是为了（）。
A. 避免截止失真B. 避免饱和失真C. 避免截止和饱和失真D. 以上都不是答案：C解析：静态工作点的确定是为了确保放大电路在输入信号的整个范围内都能够正常工作，避免截止和饱和失真。
2. 共发射极放大电路中，输出电压与输入电压相位（）。
A. 相同B. 相反C. 不确定D. 以上都不是答案：B解析：在共发射极放大电路中，输出电压与输入电压相位相反，因为晶体管的集电极电流与基极电流相位相反。
3. 晶体三极管的放大作用是通过（）来实现的。
A. 改变集电极电流B. 改变基极电流C. 改变发射极电流D. 以上都是答案：A解析：晶体三极管的放大作用是通过改变集电极电流来实现的，因为集电极电流与基极电流之间存在比例关系。
4. 理想运算放大器的输入电阻是（）。
A. 0B. ∞C. 1D. 0.1答案：B解析：理想运算放大器的输入电阻是无穷大，这意味着它不会从输入信号源吸取电流。
5. 负反馈可以（）放大电路的放大倍数。
A. 增加B. 减少C. 不影响D. 以上都不是答案：B解析：负反馈可以减少放大电路的放大倍数，因为它通过将输出信号的一部分反馈到输入端来稳定电路的工作。
6. 场效应管的控制方式是（）。
A. 电压控制B. 电流控制C. 温度控制D. 以上都不是答案：A解析：场效应管的控制方式是电压控制，通过改变栅极电压来控制漏极电流。
7. 差分放大电路中，差模信号是（）。
A. 两个输入信号的差B. 两个输入信号的和C. 两个输入信号的平均值D. 以上都不是答案：A解析：差分放大电路中，差模信号是两个输入信号的差，它能够放大两个输入信号之间的差异。
8. 功率放大器的主要任务是（）。
A. 提高电压B. 提高电流C. 提高电压和电流D. 以上都不是答案：C解析：功率放大器的主要任务是提高电压和电流，以便能够驱动负载。
9. 正弦波振荡电路的振荡条件是（）。
模电试题及答案(大学期末考试题)汇编
《模拟电子技术》期末考试试卷一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。
2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成断开；4、三极管是（）控制元件，场效应管是（）控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（），集电结（）。
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（），发射结压降（）。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是（）、（）、（）放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（）负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（）。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。
13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；OTL电路是（）电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。
二、选择题（每空2分共30分）1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。
A、正偏B、反偏C、大于D、小于E、导通F、截止2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（），该管是（）型。
清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案
第一章 半导体基础知识自测题一、（ 1）√ （2）× （ 3）√ （ 4）× （ 5）√ （ 6）× 二、（ 1） A （2）C （ 3）C （4） B （ 5）A C 三、 U O1≈ 1.3VU O2＝ 0 U O3≈－ 1.3VU O4≈ 2V U O5≈ 2.3V U O6≈－ 2V四、 U O1＝ 6V U O2＝5V五、根据 P CM ＝ 200mW 可得： U CE ＝ 40V 时 I C ＝ 5mA ，U CE ＝ 30V 时 I C ≈ 6.67mA ， U CE＝ 20V 时 I C ＝ 10mA ， U CE ＝ 10V 时 I C ＝ 20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。
图略。
六、 1、I BVBBUBE26μAR bI CI B2.6mAUCEVCCI C R C 2VU O ＝ U CE ＝2V 。
2、临界饱和时 U CES ＝ U BE ＝0.7V ，所以VCC UCES2.86mAI CR cI C28.6μAI BV BBU BE45.4kR bI B七、 T 1：恒流区； T 2：夹断区； T 3：可变电阻区。
习题u i /V101.1（ 1） A C （ 2）A（3） C（ 4）AtO1.2 不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系， 当端电压为 1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。
u o /V101.3 u i 和 u o 的波形如图所示。
tO1.4u i和 u o的波形如图所示。
u i/V53O-3u O/V3.7O-3.7 1.5u o的波形如图所示。
u I1/V t t30.3Otu I2/V30.3tOu O/V3.71O t1.6I D＝（ V － U D） /R＝2.6mA ， r D≈ U T/I D＝ 10Ω， I d＝ U i/r D≈ 1mA 。
1.7（ 1）两只稳压管串联时可得 1.4V 、6.7V 、 8.7V 和 14V 等四种稳压值。
清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案
第一章 半导体基础知识自测题一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。
图略。
六、1、V2V mA6.2 A μ26V C C CC CE B C bBEBB B =-====-=R I U I I R U I βU O ＝U CE ＝2V 。
2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以Ω≈-====-=k 4.45V μA6.28mA86.2V BBEBB b CB c CESCC C I U R I I R U I β七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。
习题1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A1.2不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为 1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。
1.3 u i 和u o 的波形如图所示。
tt1.4 u i 和u o 的波形如图所示。
1.5 u o 的波形如图所示。
1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。
1.7 （1）两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。
（2）两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。
1.8 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA ，R ＝U Z /I DZ ＝0.24～1.2k Ω。
模拟电子技术期末考试试卷及复习资料
《模拟电子技术》期末考试卷一、填空题（20 分）1、二极管最主要的特性是。
2、当三极管处于放大状态时其放射结、集电结的偏置方式为、。
3、多级放大电路中，常见的级间的耦合方式有、、。
4、负反馈放大电路中的四种组态为、、、。
5、正弦波振荡电路的振荡条件为、。
二、选择题（20分）1、P型半导体中的多数载流子是，N型半导体中的多数载流子是。
A、电子B、空穴C、正离子2、杂质半导体中少数载流子的浓度本征半导体载流子的浓度。
A、大于B、小于C、等于3、温度升高，二极管在正向电流不变的情况下的正向电压，反向电流。
A、增大B、减小C、不变A．1500 B.80 C.505、RC串并联网络在f=f0=1/2RC时呈。
A、感性B、阻性C、容性三、判断题（10分）（对的打“√”，错的打“×”）1、本征半导体温度升高后，两种载流子浓度还是相等。
（）2、参数理想对称的双端输入双端输出差分放大电路只能放大差模信号，不能放大共模信号。
（）3、放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。
( )4、负反馈越深，电路的性能越稳定。
（）5、集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。
（）四、简答题：（25分）1．写出下图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
2、判断下图所示电路中是否引入了反馈，如果有反馈试判断反馈类型？¥+-+R Su oR Lu i R F(b)R 1R 2R 4R 5R 3u i +-+v cc-+V 1V 2u o C 1+-3、 电路下图所示：请将图中左右两部分正确连接起来，使之能够产生正弦波振荡五、计算题（25分）1、电路如下图所示，试求出电路A U、R i、和R0的表达式。
2、电路如下图所示，求下列情况下U0和U I的关系式。
模拟电子技术期末考试卷答案一、填空题1、单向导电性2、正偏、反偏。
3、变压器、阻容、直接4、电压并联、电压串联、电流并联、电流串联5、AF=1，相位平衡条件二、选择题1、B A2、B3、B A4、A5、B三、判断题1、V2、V3、V4、X5、V四、简答题1、1．①D截至，U O＝2V ②D导通，U O＝1.3V2、电压并联负反馈，电压并联负反馈3、解：N-H,J-M,K-F五、计算题1、解：V B=B b2/B b1+B b2V CC,I C=I E=V B-V BE/R EU CEQ=V CC-R C I C, A V=-B(R C//R L)/r be2、解：U O=-55U I。
模拟电子技术期末考试试卷及答案.doc
精品《模拟电子技术》期末考试卷一、填空题（20分）1 、二极管最主要的特性是。
2、当三极管处于放大状态时其放射结、集电结的偏置方式为、。
3 、多级放大电路中，常见的级间的耦合方式有、、。
4 、负反馈放大电路中的四种组态为、、、。
5 、正弦波振荡电路的振荡条件为、。
二、选择题（ 20 分）1 、P 型半导体中的多数载流子是，N 型半导体中的多数载流子是。
A 、电子 B、空穴 C、正离子2 、杂质半导体中少数载流子的浓度本征半导体载流子的浓度。
A 、大于B、小于 C、等于3 、温度升高，二极管在正向电流不变的情况下的正向电压，反向电流。
A 、增大B、减小C、不变4 、如图所示复合管，已知V 1的1=30，V2的2=50 ，则复合后的V1V 2 约为（）。
A ． 1500 B.80 C.505 、 RC 串并联网络在f=f 0=1 /2 RC 时呈。
A 、感性B、阻性C、容性三、判断题（10 分）（对的打“√”，错的打“×”）1 、本征半导体温度升高后，两种载流子浓度还是相等。
（）2 、参数理想对称的双端输入双端输出差分放大电路只能放大差模信号，不能放大共模信号。
（）3 、放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。
( )4 、负反馈越深，电路的性能越稳定。
（）5 、集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。
（）四、简答题：（ 25 分）1 ．写出下图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝ 0.7V 。
2、判断下图所示电路中是否引入了反馈，如果有反馈试判断反馈类型？+v ccR2R FR1 V 2+ V 1 +R S￥u i R4 uo+ -R3 R5u i + u o+- - C1 -R L(a) (b)3 、电路下图所示：请将图中左右两部分正确连接起来，使之能够产生正弦波振荡五、计算题（25 分）1 、电路如下图所示，试求出电路 A U、 R i、和 R0的表达式。
2 、电路如下图所示，求下列情况下U 0和 U I的关系式。
电子科技大学模电试卷A卷(2011-12)答案
………密………封………线………以………内………答………题………无………效……电子科技大学2011-2012学年第一学期期末考试A 卷课程名称：模拟电路和脉冲电路基础考试形式：闭卷考试日期：2012年1月11日考试时长：120分钟课程成绩构成：平时20 %，期中20 %，实验0 %，期末60 %本试卷试题由三部分构成，共5 页。
一、简答题（共30分，共6题，每题5分）1、简述常用的电压放大器与功率放大器的不同点？1）任务不同：电压放大—不失真地提高输入信号的幅度，以驱动后面的功率放大级，通常工作在小信号状态。
（2分）功率放大—信号不失真或轻度失真的条件下提高输出功率，通常工作在大信号状态。
（2分）2）分析方法不同：电压放大—采用微变等效电路法和图解法;功率放大—图解法。
（1分）2、简述引入负反馈改善波形失真的原因？失真的反馈信号（1分），使净输入产生相反的失真（2分），从而弥补了放大电路本身的非线性失真。
（2分）3、什么叫脉冲电路？简述脉冲电路构成和常见脉冲电路？脉冲电路是用来产生和处理脉冲信号的电路。
（1分）脉冲电路可以用分立晶体管、场效应管作为开关和RC或RL电路构成，也可以由集成门电路或集成运算放大器和RC充、放电电路构成。
（2分）常用的有脉冲波形的产生、变换、整形等电路，如双稳态触发器、单稳态触发器、自激多谐振荡器、射极耦合双稳态触发器（施密特电路）及锯齿波电路。
（2分）………密………封………线………以………内………答………题………无………效……4、一般地，CE 、CC 和CB 晶体管基本放大电路的带宽哪个最小？哪个最大？一般地，基本的BJT 共射放大器的带宽最小（2分），共集放大器的带宽最大（3分）。
5、简述乙类互补对称电路交越失真产生的原因，如何进行克服？当输入信号vi 在0~V BE 之间变化时，不足以克服死区电压，三极管不工作。
因此在正、负半周交替过零处会出现一些非线性失真，这个失真称为交越失真。
清华模电期末
一,填空
1.f从5K变化到5M,Af=20DB,求D,A
2.A,Af,F的计算.Af=20,A变化10%时,Af变化0.5%,求A,F
3.高频时产生自激震荡的原因,自激震荡平衡条件,频率补偿的方法
4.AD转换时的四步骤,量化时采取的两个方法,误差
5.A=10^4/(1+jf/1000)(1+jf/10000)^2问闭环增益50DB时,是否满足45的相位余度,是否自激
二,填空
见3字班那道有两个运放的填空题,基本是一样的题目,数据可能不一样
三,顺序连着4个运放最后连了一个晶体管,第一问问各个运放分别构成什么电路,注意有个开关S,闭和断开时作用不一样;第二问S闭和时,各个运放的输出电压和最后的晶体管的输出电压,注意晶体管的工作状态即可;第三问S断开,问过了时间t=1s和t=2s时五个输出又是什么.由于S断开,中间某运放为积分电路,随着时间输出改变,然后最后一个比较器的输出也会改变
四,三极的放大电路,都是共射接法,最后一级的输出有两个,在射极或者是集电极,有两条反馈线路,其中一个是直流的,一个是交流的,问分别有什么作用,然后问以不同的点为输出时电压增益分别是多大
五,权电流求和的DA
由于运放-断虚地,电阻网络各点的电阻不变
六,一个积分运放连这一个施密特触发器
开始C上电压为0,输入为6V,输出也为6V,问什么时候输出反转
将输入与输出连接,问是什么电路,两个输出端的波形分别是什么。