【CN109904061A】一种碳化硅晶圆减薄的制作方法【专利】

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晶圆的减薄方法[发明专利]

专利名称：晶圆的减薄方法
专利类型：发明专利
发明人：黄河,高大为,蒲贤勇,陈轶群,刘伟,谢红梅,杨广立,钟旻
申请号：CN200910197079.0
申请日：20091013
公开号：CN102044428A
公开日：
20110504
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明提供了一种晶圆的减薄方法，包括下列步骤：提供待减薄的半导体晶圆；对所述晶圆表面进行研磨减薄，直至停止厚度；对所述晶圆表面进行喷雾腐蚀减薄，直至预定减薄厚度。

本发明采取分步减薄的方式，先使用机械研磨进行初步减薄至停止厚度；再采用喷雾腐蚀进一步减薄至预定减薄厚度，使得晶圆在减薄过程中，避免因机械研磨所产生的应力损坏晶圆，减少晶圆边缘的断裂现象，并改善晶圆表面平整度。

申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
代理人：李丽
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碳化硅晶圆减薄砂轮及制备方法及包含其的加工设备与流程

碳化硅晶圆减薄砂轮及制备方法及包
含其的加工设备与流程
碳化硅晶圆减薄砂轮是一种用于碳化硅晶圆减薄加工的工具，其制备方法及包含其的加工设备与流程如下：
1. 砂轮制备方法：
- 原材料准备：选择适合的磨料、结合剂和填充材料等原材料。

- 配料和混合：将原材料按照一定比例进行配料，并通过混合工艺将其均匀混合。

- 成型：将混合好的材料通过模具或其他成型方法制成砂轮的形状。

- 烧结：将成型后的砂轮进行烧结，使其具有所需的硬度和强度。

- 加工和修整：对烧结后的砂轮进行加工和修整，以获得所需的尺寸和形状。

2. 加工设备：
- 砂轮主轴：用于安装和旋转砂轮。

- 工件夹具：用于固定和支撑待加工的碳化硅晶圆。

- 磨削液供应系统：提供磨削过程中所需的磨削液，以冷却和润滑砂轮和工件。

- 控制系统：用于控制加工设备的各项参数，如砂轮转速、进给速度等。

3. 加工流程：
- 将碳化硅晶圆固定在工件夹具上。

- 启动加工设备，使砂轮旋转并开始磨削碳化硅晶圆。

- 通过控制系统调整加工参数，以实现所需的减薄效果。

- 在加工过程中，磨削液不断供应，以冷却和润滑砂轮和工件。

- 加工完成后，停止设备运行，取下减薄后的碳化硅晶圆。

通过以上方法和流程，可以制备出用于碳化硅晶圆减薄加工的砂轮，并利用相应的加工设备实现对碳化硅晶圆的减薄处理。

这对于提高碳化硅晶圆的加工质量和效率具有重要意义。

碳化硅衬底晶圆的背面减薄方法

碳化硅衬底晶圆的背面减薄方法我折腾了好久碳化硅衬底晶圆的背面减薄方法，总算找到点门道。

我一开始真的是瞎摸索。

我想啊，要把这东西减薄，首先想到的就是磨呗，就像磨平一块石头那样。

我拿了个普通的研磨设备就开始了。

结果呢，根本不行。

这碳化硅硬度太高了，普通的研磨工具没磨几下就不行了，晶圆的表面还被弄得坑坑洼洼的，这就是一次惨痛的失败经历。

后来我想，是不是要换种研磨材料呢。

我就到处找更硬的研磨材料。

找到了一种据说对碳化硅有效果的特殊研磨砂。

我又兴致勃勃地开始了尝试。

这次倒是能磨动了，可问题是，速度非常慢，而且很难控制均匀性，有些地方薄了，有些地方还厚着呢，就像擀饺子皮，结果擀得薄厚不均。

再后来啊，我了解到化学机械抛光可能会有用。

我就试着配置了各种化学药剂，想通过化学腐蚀和机械研磨共同作用来实现背面减薄。

但是这个化学药剂的配比可太难搞了。

配得不合适的时候，要么就腐蚀得太快了，晶圆直接被损坏了，要么就几乎没什么效果。

我反复调整这个配比，就像做菜调整调料一样，多一点少一点味道就完全不同。

这期间失败了好多次，整得我都有点灰心了。

就在前几天，我试了个新方法。

我结合了之前的经验，先用合适的研磨砂进行初步研磨。

这个研磨砂的选择很重要，要根据晶圆的尺寸和初始厚度等来确定。

然后，再谨慎地使用化学机械抛光。

在化学机械抛光的时候，我不再盲目调整药剂配比，而是先查阅了大量资料。

这次总算成功了。

晶圆背面减薄得比较均匀，也没有出现严重的损坏。

我觉得啊，做这个碳化硅衬底晶圆的背面减薄，一是要有耐心，二是要多查资料多学习，不能总是自己瞎尝试。

而且每一个小步骤都要谨慎对待，像确定研磨压力、抛光时间这些看起来不太起眼的地方，都可能决定最后的成败。

比如说，研磨压力太大，就可能会引起晶圆破裂，太小了又磨不动。

还有抛光时间，长了短了都不好。

总之就是要不断尝试和总结经验，才能找到最适合的减薄方法。

一种适用于晶体硅的减薄方法[发明专利]

专利名称：一种适用于晶体硅的减薄方法专利类型：发明专利
发明人：刘慎思,梁小静,张松,陶智华
申请号：CN201910371061.1
申请日：20190506
公开号：CN110085706A
公开日：
20190802
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明的一种适用于晶体硅的减薄方法，包括以下步骤：对现有的硅片进行预抛光处理，抛光后反射率控制在35％‑40％；对抛光后的硅片在次进行粗抛除理；对粗抛后的硅片在次进行精抛除理；对精抛后的硅片进行表面纹理化，增加陷光效果；对表面纹理化得硅片进行扩散；对扩散后的硅片进行刻蚀抛光；刻蚀抛光硅片进行沉积；背面沉积后进行正面沉积；正面沉积后进行开槽与形成背场；背面印刷后通过正面丝网印刷形成正面接触。

本发明可应用于规模化生产工艺路线，利用现有设备就能生产，且在今后的硅片减薄情况下更快适用于市场。

申请人：上海神舟新能源发展有限公司
地址：201112 上海市闵行区浦江镇江月路505号
国籍：CN
代理机构：上海航天局专利中心
代理人：许丽
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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910165713.6
(22)申请日 2019.03.06
(71)申请人厦门市三安集成电路有限公司
地址 361100 福建省厦门市同安区洪塘镇
民安大道753-799号
(72)发明人杨程　林科闯　陶永洪　
(51)Int.Cl.
H01L 21/02(2006.01)
H01L 29/16(2006.01)
(54)发明名称
一种碳化硅晶圆减薄的制作方法
(57)摘要
本发明公开了一种碳化硅晶圆减薄的制作
方法，包括以下步骤：步骤一、对碳化硅晶圆进行
清洁；步骤二、在碳化硅晶圆的正面制作一层保
护性薄膜；步骤三、对碳化硅晶圆进行背面减薄；
步骤四、对减薄后的碳化硅晶圆进行清洁，并退
火的方式制作一层牺牲氧化层；步骤五、去除碳
化硅晶圆正面的保护性薄膜和背面的牺牲氧化
层。

本发明实现对碳化硅晶圆的减薄，并保证制
作过程中光刻图形的良好匹配，具有良好的工艺
效果。

权利要求书1页说明书4页附图1页CN 109904061 A 2019.06.18
C N 109904061
A
权　利　要　求　书1/1页CN 109904061 A
1.一种碳化硅晶圆减薄的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤一、对碳化硅晶圆进行清洁；
步骤二、在碳化硅晶圆的正面制作一层保护性薄膜；
步骤三、对碳化硅晶圆进行背面减薄；
步骤四、对减薄后的碳化硅晶圆进行清洁，并退火的方式制作一层牺牲氧化层；
步骤五、去除碳化硅晶圆正面的保护性薄膜和背面的牺牲氧化层。

2.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶圆减薄的制作方法，其特征在于：在步骤一中，碳化硅晶圆为碳化硅外延片或碳化硅衬底片。

3.根据权利要求2所述的一种碳化硅晶圆减薄的制作方法，其特征在于：在步骤一中，碳化硅外延片的外延为N型或P型，碳化硅外延片的衬底为N型或P型；或者碳化硅衬底片的衬底为N型或P型。

4.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶圆减薄的制作方法，其特征在于：在步骤二中，保护性薄膜为二氧化硅、氮化硅或碳膜。

5.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶圆减薄的制作方法，其特征在于：在步骤二中，保护性薄膜的厚度范围是300-3000nm。

6.根据权利要求1或4或5所述的一种碳化硅晶圆减薄的制作方法，其特征在于：保护性薄膜的沉积方式为PVD或CVD。

7.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶圆减薄的制作方法，其特征在于：通过研磨、湿法腐蚀或干法刻蚀进行背面减薄，减薄后碳化硅晶圆的厚度范围170-350μm。

8.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶圆减薄的制作方法，其特征在于：在步骤五中，同时去除保护性薄膜和牺牲氧化层，或先去除保护性薄膜后再去除牺牲氧化层。

9.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶圆减薄的制作方法，其特征在于：在步骤四中，牺牲氧化层采用炉管或RTO生长，生长方式为湿氧或干氧，工艺温度范围在900℃-1300℃之间，时间范围在0.5-5h之间。

10.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶圆减薄的制作方法，其特征在于：在步骤五中，去除方法为湿法腐蚀或刻蚀。

2。