【CN109904061A】一种碳化硅晶圆减薄的制作方法【专利】
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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910165713.6
(22)申请日 2019.03.06
(71)申请人 厦门市三安集成电路有限公司
地址 361100 福建省厦门市同安区洪塘镇
民安大道753-799号
(72)发明人 杨程 林科闯 陶永洪
(51)Int.Cl.
H01L 21/02(2006.01)
H01L 29/16(2006.01)
(54)发明名称
一种碳化硅晶圆减薄的制作方法
(57)摘要
本发明公开了一种碳化硅晶圆减薄的制作
方法，包括以下步骤：步骤一、对碳化硅晶圆进行
清洁；步骤二、在碳化硅晶圆的正面制作一层保
护性薄膜；步骤三、对碳化硅晶圆进行背面减薄；
步骤四、对减薄后的碳化硅晶圆进行清洁，并退
火的方式制作一层牺牲氧化层；步骤五、去除碳
化硅晶圆正面的保护性薄膜和背面的牺牲氧化
层。本发明实现对碳化硅晶圆的减薄，并保证制
作过程中光刻图形的良好匹配，具有良好的工艺
效果。权利要求书1页 说明书4页 附图1页CN 109904061 A 2019.06.18
C N 109904061
A
权 利 要 求 书1/1页CN 109904061 A
1.一种碳化硅晶圆减薄的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：
步骤一、对碳化硅晶圆进行清洁；
步骤二、在碳化硅晶圆的正面制作一层保护性薄膜；
步骤三、对碳化硅晶圆进行背面减薄；
步骤四、对减薄后的碳化硅晶圆进行清洁，并退火的方式制作一层牺牲氧化层；
步骤五、去除碳化硅晶圆正面的保护性薄膜和背面的牺牲氧化层。
2.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶圆减薄的制作方法，其特征在于：在步骤一中，碳化硅晶圆为碳化硅外延片或碳化硅衬底片。
3.根据权利要求2所述的一种碳化硅晶圆减薄的制作方法，其特征在于：在步骤一中，碳化硅外延片的外延为N型或P型，碳化硅外延片的衬底为N型或P型；或者碳化硅衬底片的衬底为N型或P型。
4.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶圆减薄的制作方法，其特征在于：在步骤二中，保护性薄膜为二氧化硅、氮化硅或碳膜。
5.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶圆减薄的制作方法，其特征在于：在步骤二中，保护性薄膜的厚度范围是300-3000nm。
6.根据权利要求1或4或5所述的一种碳化硅晶圆减薄的制作方法，其特征在于：保护性薄膜的沉积方式为PVD或CVD。
7.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶圆减薄的制作方法，其特征在于：通过研磨、湿法腐蚀或干法刻蚀进行背面减薄，减薄后碳化硅晶圆的厚度范围170-350μm。
8.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶圆减薄的制作方法，其特征在于：在步骤五中，同时去除保护性薄膜和牺牲氧化层，或先去除保护性薄膜后再去除牺牲氧化层。
9.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶圆减薄的制作方法，其特征在于：在步骤四中，牺牲氧化层采用炉管或RTO生长，生长方式为湿氧或干氧，工艺温度范围在900℃-1300℃之间，时间范围在0.5-5h之间。
10.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶圆减薄的制作方法，其特征在于：在步骤五中，去除方法为湿法腐蚀或刻蚀。
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