模拟电子技术复习资料
模拟电子技术复习题+参考答案
一、填空题1. 在N型半导体中，多数载流子是 ________；在P型半导体中，多数载流子是________。
2. 场效应管从结构上分为结型和 ________ 两大类，它属于 ________ 控制性器件。
3. 为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入________ 组态放大电路。
4. 在多级放大器中，中间某一级的 ________ 电阻是上一级的负载。
5. 集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入 ________。
6. 正弦波振荡电路通常由 ________ 四部分组成。
7. 利用二极管的 ________ 组成整流电路。
8. 硅二极管导通后，其管压降是 ________ 的，且不随电流而改变，典型值为________ 伏；其门坎电压V th 约为 ________ 伏。
9. P型半导体的多子为 ________、N型半导体的多子为 ________、本征半导体的载流子为 ________。
10. 频率响应是指在输入正弦信号的情况下，输出随 ________ 连续变化的稳态响应。
11. 三极管放大电路的三种基本组态是 ________、_______、_______。
12. 在单级共射放大电路中，如果输入为正弦波形，用示波器观察V O和V I的波形，则V O和V I的相位差为 ________；当为共集电极电路时，则V O和V I的相位差为 ________。
13. 三极管工作在放大区时，它的发射结保持 ________，集电结保持 ________。
二、选择题1. 在N型半导体中，多数载流子是：A. 自由电子B. 空穴C. 电子-空穴对2. 场效应管属于哪种控制性器件？A. 电压控制B. 电流控制C. 电阻控制3. 为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，一般使用哪种组态放大电路？A. 共射B. 共集C. 共基4. 在多级放大器中，中间某一级的 ________ 电阻是上一级的负载。
模拟电子技术总结材料复习资料
半导体二极管及其应用电路一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
7. PN结* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
* PN结的导通电压---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。
*三种模型微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
三极管及其基本放大电路一. 三极管的结构、类型及特点1.类型---分为NPN和PNP两种。
模拟电子技术重点笔记
模拟电子技术重点笔记一、半导体基础知识半导体是一种导电性能介于导体和绝缘体之间的材料，常见的半导体材料有硅（Si）和锗（Ge）。
半导体中的载流子有自由电子和空穴两种。
在纯净的半导体中掺入微量的杂质元素，可以显著改变其导电性能。
根据掺入杂质的不同，可分为 N 型半导体和 P 型半导体。
N 型半导体中多子为自由电子，少子为空穴；P 型半导体中多子为空穴，少子为自由电子。
PN 结是半导体器件的核心结构，它是通过将 P 型半导体和 N 型半导体结合在一起形成的。
PN 结具有单向导电性，当外加正向电压时，PN 结导通；当外加反向电压时，PN 结截止。
二、二极管二极管是由一个 PN 结加上电极引线和管壳构成的。
二极管的主要特性就是单向导电性。
二极管的伏安特性曲线是非线性的，分为正向特性和反向特性。
正向特性中，存在一个开启电压（硅管约 05V，锗管约 01V），当正向电压超过开启电压后，电流随电压迅速增大。
反向特性中，当反向电压不超过一定值时，反向电流很小；当反向电压超过击穿电压时，反向电流急剧增大。
二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压和反向电流等。
在实际应用中，二极管可用于整流、限幅、钳位等电路。
三、三极管三极管是一种具有电流放大作用的半导体器件，分为 NPN 型和PNP 型。
三极管有三个电极，分别是基极（b）、集电极（c）和发射极（e）。
三极管的工作状态有放大、饱和和截止三种。
在放大状态下，基极电流控制集电极电流，满足电流放大关系；在饱和状态下，集电极和发射极之间近似短路；在截止状态下，集电极和发射极之间近似开路。
三极管的特性曲线包括输入特性曲线和输出特性曲线。
输出特性曲线分为三个区域，分别对应三极管的三种工作状态。
三极管的主要参数有电流放大系数、集电极最大允许电流、集电极发射极反向击穿电压等。
四、基本放大电路基本放大电路的主要作用是将微弱的电信号放大。
常见的基本放大电路有共发射极放大电路、共集电极放大电路和共基极放大电路。
《模拟电子技术》复习题题库10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是自由电子；在P型半导体中，多数载流子是空穴。
2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类，它属于电压控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入共射（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的输出电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入_____负反馈_______。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（b）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（ c ）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( e)场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－104、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ b ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况5、集成运放中间级的作用是（ c ）。
A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ a ）的值。
A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
(完整版)《模拟电子技术》复习题10套及答案
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。
4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ ）。
A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（ ）。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（ ）发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ ）的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。
A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（ ）负反馈。
模拟电子技术课程复习提纲（复习必备）
模拟电子技术课程复习提纲（复习必备）第一章半导体器件§1.1半导体基础知识1、本征半导体：本征半导体、本征激发、复合、本征半导体导电机理；2、杂质半导体：杂质半导体、N 型半导体、P 型半导体、多数载流子、少数载流子；3、PN 结：PN 结的形成机理、扩散运动与漂移运动、PN 结的本质、PN 结的单向导电特性；4、温度对本征半导体、杂质半导体、PN 结导电能力的影响；5、PN 结的伏安特性：)1(-=T U u S D e I I ，当T=300K 时mV U T 26=，伏安特性曲线：反向击穿区、反向截止区、死区、正向导通区；6、PN 结的反向击穿特性：击穿类型、击穿原因（雪崩击穿、齐纳击穿）；7、PN 结的电容效应：势垒电容C T 、扩散电容C D ，PN 结电容效应的非线性、正偏和反偏时主要考虑那个电容。
§1.2半导体二极管1、二极管的结构、分类、符号；2、二极管的伏安特性：)1(-=T D U u S D e I I ，⑴正向特性：死区开启电压U th =0.5V （Si ）、0.1V （Ge ），正向导通电压U D(on)=0.7V （Si ）、0.2V （Ge ），⑵反向特性：反向截止区，反向击穿区；3、二极管的温度特性；4、二极管的参数及其含义：F I 、R U 、R I 、M f 、D R 、d r 、DQD T D I mV I U r )(26≈=； 5、二极管的等效模型：理想模型、理想二极管串联恒压将模型、折线模型、小信号（微变等效）模型（注意微变等效模型的应用条件）；6、二极管电路的分析方法：⑴直流图解法、⑵模型解析法⑶交流图解法（在Q 点附近i u 幅度较小时使用）、⑷微变等效电路分析法；7、稳压二级管：稳压二极管工作原理、稳压二极管参数及含义、简单电路参数计算；8、二极管应用（单向导电特性、二极管导通截止的判断）⑴静态工作分析、⑵整流电路（单管半波整流、双管全波整流、桥式整流）、⑶限幅电路（串联限幅、并联限幅、上限幅、下限幅、双向限幅）、⑷门电路；9、特种二极管的工作条件、符号、特性、参数，发光二极管、光敏二极管、激光二极管、红外二极管、光电耦合器件、变容二极管。
模拟电子技术复习资料
模拟电子技术复习资料模拟电子技术复习资料模拟电子技术是电子工程中的重要一环，它涉及到电子电路的设计、分析和优化。
在现代科技发展迅速的时代，模拟电子技术的应用范围越来越广泛。
为了更好地掌握这门学科，以下是一些模拟电子技术复习资料，希望对大家的学习有所帮助。
一、基础知识回顾1. 电路基本元件：电阻、电容、电感。
了解它们的特性和在电路中的应用。
2. 电路定律：欧姆定律、基尔霍夫定律、电流和电压的分布规律。
3. 放大器基础：了解放大器的基本概念和分类，如共射放大器、共集放大器、共基放大器等。
4. 信号处理：了解滤波器的原理和分类，如低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器等。
二、放大器设计与分析1. 放大器的基本特性：增益、带宽、输入输出阻抗等。
掌握放大器的参数计算方法。
2. 放大器的稳定性分析：了解稳定性的概念和判据，如极点、零点的分布，掌握稳定性分析的方法。
3. 反馈放大器：了解反馈放大器的原理和分类，如电压串联反馈、电流串联反馈等。
4. 差分放大器：了解差分放大器的原理和应用，如差分放大器的共模抑制比、共模反馈等。
三、运算放大器及其应用1. 运算放大器的基本特性：了解运算放大器的输入输出特性，如输入阻抗、输出阻抗、放大倍数等。
2. 运算放大器的反馈电路：了解反馈电路的原理和分类，如电压反馈、电流反馈、电阻反馈等。
3. 运算放大器的应用：了解运算放大器在各种电路中的应用，如比较器、积分器、微分器等。
四、振荡器与频率特性1. 振荡器的原理：了解振荡器的基本原理和分类，如正弦波振荡器、方波振荡器、脉冲振荡器等。
2. 振荡器的稳定性：了解振荡器的稳定性条件和稳定性分析方法，如震荡幅度、相位噪声等。
3. 频率特性分析：了解频率响应的概念和分析方法，如Bode图、相频特性等。
五、模拟滤波器设计1. 模拟滤波器的分类：了解模拟滤波器的基本分类，如低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器等。
2. 滤波器的设计方法：了解滤波器的设计方法和参数计算，如阻抗匹配、频率响应等。
模拟电子技术复习题
模拟电子技术复习题模拟电子技术是一门研究模拟信号处理的电子技术学科，它包含了许多基本的电子元件和电路。
以下是模拟电子技术的一些复习要点：1. 基础概念：- 模拟信号：连续变化的信号，如声音、温度等。
- 数字信号：离散的信号，通常以二进制形式表示。
2. 基本元件：- 电阻器（Resistor）：限制电流流动的元件。
- 电容器（Capacitor）：存储电荷和能量的元件。
- 电感器（Inductor）：存储磁能的元件。
3. 基本电路：- 串联电路：所有元件依次连接，电流相同。
- 并联电路：所有元件两端分别连接，电压相同。
4. 欧姆定律：- 描述电压、电流和电阻之间的关系：\[ V = IR \]- 其中，\( V \) 代表电压，\( I \) 代表电流，\( R \) 代表电阻。
5. 功率计算：- 功率是能量的传输速率，计算公式为：\[ P = IV \]- 其中，\( P \) 代表功率，\( I \) 代表电流，\( V \) 代表电压。
6. 放大器：- 放大器是模拟电子技术中的核心，用于增强信号的幅度。
- 包括运算放大器（Op-Amp）和晶体管放大器。
7. 滤波器：- 用于选择性地通过或阻止特定频率的信号。
- 包括低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻滤波器。
8. 反馈：- 反馈是将输出信号的一部分返回到输入端的过程。
- 可以是正反馈或负反馈，用于稳定或调整电路的性能。
9. 振荡器：- 产生周期性信号的电路，如正弦波振荡器。
10. 波形发生器：- 生成特定波形的电路，如方波、三角波和锯齿波。
11. 模拟-数字转换器（ADC）和数字-模拟转换器（DAC）：- 用于在模拟信号和数字信号之间进行转换。
12. 稳定性分析：- 如Bode图分析，用于评估放大器的稳定性和频率响应。
13. 设计原则：- 包括最小化噪声、最大化信号完整性等。
14. 实际应用：- 模拟电子技术在音频放大、信号处理、通信系统等领域有广泛应用。
模拟电子技术基础-总复习最终版
R1 R2 R3
Rf
ui3 i2 R3 i3
N
_
+ +
uo
uo
Rf
ui1 R1
ui2 R2
ui3 R3
R4
实际应用时, 可适当增加或减少输入端的个数, 以适应不同的需要。
2.同相求和运算
节点P的电流方程： i1 i2 i3 i4
Rf
ui1 uP ui2 uP ui3 uP uP
R1
解：（1）× （2）√ （3）× （4）× （5）√ （6）×
2.共发射极放大电路中，由于电路参数不同，在信号源电压 为正弦波时，测得输出波形如图所示，试说明电路分别产生 了什么失真，如何消除。
3.试分析图示各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。 设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
4.画出图示各电路的直流通路和交流通路。设所有电容对交 流信号均可视为短路。
虚短路
u-= u+= ui
虚开路
uo ui ui
Rf
R
uo
(1
Rf R
)ui
Au
uo ui
1
Rf R
反馈方式: 电压串联负反馈。输入电阻高。
一、求和运算电路 ui1 R1
1.反相求和运算
uN uP 0
ui2 i1 R2
iF Rf
i1 i2 i3 iF
ui1 ui2 ui3 uo
（c）
第二章 基本放大电路
知识点： 1、 放大的概念和放大电路的主要性能指标 2、静态工作点的定义及设置合适的静态工作点
的必要性。 3、常见电路的静态工作点的估算。 4、放大电路的直流通路和交流通路。 5、能画出基本放大电路的交流等效电路，并计
《模拟电子技术基础》复习资料及答案.doc
《模拟电子技术》复习资料答案一、填空题1.半导体不同于导体利绝缘体的三大独特件质为掺杂性、热敏性、光敏性；其电阻率分別受佳质、温度、光照的增加而下降。
2.用于制造半导体器件的材料通常是_硅、错和帥化稼。
3.当外界温度、光照等变化时，半导体材料的导电能力会发生很大的变化。
4.纯净的、不含杂质的半导体，称为本征半导体。
5.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。
6.本征半导体中掺入III族元素,例如B、A1 ,得到P型半导体。
7.木征硅中若掺入五价元素的原了，则多数载流了应是一电子,掺杂越多，则其数量一定越一多，而少数载流子应是—空穴，掺杂越多，则其数量一定越一少。
8.半导体中存在着两种载流子：带正电的空穴和带负电的.电子。
9.N型半导体小的多数载流子是_电子，少数载流子是一空穴。
10.杂质半导体分N型（电子）和P型（空穴）两大类。
11.N型半导体多数载流了是一电了，少数载流了是_空穴。
P型半导体多数载流了是一空穴，少数载流子是_电子。
12.朵质半导体中，多数载流子浓度主要取决于掺杂浓度，而少数载流子则与温度有很大关系。
13.PN结的主要特性是一单向导电性。
14.PN结是多数载流子的扩散运动和少数载流子的漂移运动处于动态平衡而形成的,有时又把它称为空间电荷区（势垒区）或耗尽区（阻挡层）。
15.PN结加正向电压时，空间电荷区变窄；PN结加反向电压时，空间电荷区变宽。
16.PN结在无光照、无外加电压吋，结电流为零°17.PN结两端电压变化时，会引起PN结内电荷的变化，这说明PN结存在电容效应。
18.二极管是由—个PN结构成，因而它同样具有PN结的单向导电特件。
19.二极管的伏安特性可川数学式和Illi线來描述，其数学式是上去屋佟LL，其曲线又口J分三部分：1I-：向特性、反向特性、击穿特性。
20.品体二极管的正向电阻比其反向电阻小，稳压二极管的反向击穿电压通常比一般二极管的止，击穿区的交流电阻乂比正向区的小o21.有两个晶体三极管A管的［3二200, /CEO=200M A； B管的卩二50, /CEO=10M A,其他参数人致相同，相比之下旦管的性能较好。
(完整word版)模拟电子技术基础-知识点总结
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。
*三种模型➢微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模拟电子技术期末总复习
电压放大模型 有 电流放大模型 要想减小衰减，则希望…？ 要想减小衰减，则希望…？
电压放大模型 电流放大模型 要想减小负载的影响？ 要想减小负载的影响？
Chap2 基本运算电路
01
同相和反相比例。
02
加法和减法,积分和微分。
03
组合电路的计算（虚短和虚断）。
04
虚短和虚断要求熟练应用。
05
同相和反相放大电路比较
01
集成电路运算放大器 主要参数
02
Chap6 差分放大电路
反馈有关的基本概念。
反馈组态的判断。
深度负反馈条件下的近似计算。
负反馈对放大电路性能的影响。
Chap7 反馈放大电路
提高效率和减少非线形失真矛盾的方法：甲类->乙类->甲乙类
指标计算：Po、PT、效率及功放管安全工作参数
Chap8 功率放大电路
即电压串联负反馈稳压原理，输出电压（及调节范围）的计算，三端集成稳压器的简单应用。
Chap10 直流稳压电源
考试重点
以第4章为主，可能会涉及MOSFET和差分电路；
1、分立元件放大电路的分析
组态和极性的判断； 负反馈对放大电路性能的影响； 根据负反馈影响，已知欲改善的性能，能自己引入负反馈； 深度负反馈下的近似计算
3
电路 形式
Ri
6
Ro
0
R1
Av
0
1
1、半导体导电的特点
本征激发、空穴、载流子；掺杂、N型、P型、多数载流子、少数载流子
2
2、PN结的特性
PN结的形成，扩散、漂移、内电场；PN结的单向导电性；PN结的击穿
3
3、二极管（含稳压二极管）
模拟电子技术基础试题库(附参考答案)
模拟电子技术基础试题库（附参考答案）一、选择题1. 下列关于二极管的描述，错误的是（）A. 二极管具有单向导电性B. 二极管具有稳压作用C. 二极管正向导通时，电流与电压成线性关系D. 二极管反向截止时，电流为零答案：C2. 下列关于三极管的描述，正确的是（）A. 三极管具有单向导电性B. 三极管具有放大作用C. 三极管具有稳压作用D. 三极管具有整流作用答案：B3. 下列关于放大电路的描述，错误的是（）A. 放大电路可以提高信号的幅度B. 放大电路可以改变信号的频率C. 放大电路可以改变信号的相位D. 放大电路可以提高信号的功率答案：B4. 下列关于运算放大器的描述，正确的是（）A. 运算放大器是一种非线性元件B. 运算放大器具有很高的开环增益C. 运算放大器可以用于放大信号D. 运算放大器可以用于整流答案：B5. 下列关于反馈放大电路的描述，错误的是（）A. 反馈放大电路可以提高放大倍数B. 反馈放大电路可以提高输入阻抗C. 反馈放大电路可以提高输出阻抗D. 反馈放大电路可以改善放大电路的线性度答案：A二、填空题1. 二极管正向导通时，电流与电压成 _______ 关系。
答案：非线性2. 三极管具有 _______ 作用。
答案：放大3. 放大电路可以提高信号的 _______。
答案：幅度4. 运算放大器具有 _______ 开环增益。
答案：很高5. 反馈放大电路可以提高放大电路的 _______。
答案：线性度三、判断题1. 二极管具有稳压作用。
（）答案：×（二极管具有稳压二极管，但不是所有二极管都具有稳压作用）2. 三极管具有整流作用。
（）答案：×（三极管具有放大作用，但不具有整流作用）3. 放大电路可以提高信号的功率。
（）答案：×（放大电路可以提高信号的幅度，但不一定提高功率）4. 运算放大器是一种非线性元件。
（）答案：×（运算放大器是一种线性元件）5. 反馈放大电路可以提高放大倍数。
模拟电子技术基础复习
UBE ＜Uon ≥ Uon ≥ Uon
IC ICEO βiB ＜βiB
UCE VCC ≥ uBE ≤ uBE
晶体管工作在放大状态时，输出回路电流 iC几乎仅仅决定于输入回路电流 iB； 即可将输出回路等效为电流 iB 控制的电流源iC 。
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晶体管的主要参数
•
直流参数：
、
、ICBO、 ICEO
反馈组态 电压串联 电压并联 电流串联
电流并联
Auf 或 Ausf
Auuf
U o U i
U U
o f
1 Fuu
Ausf Auf
UUUUoi osF1Fu1i ui
1 Rs
RL'
Ausf
U o U s
1 Fii
RL' Rs
通常，Auf ( Ausf )、A 、F、Af 符号相同。
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路； ③电感相当于短路（线圈电阻近似 为0）。 2. 交流通路：①大容量电容相当于短路； ②直流电源相当于短路（内阻为0）。
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图解法 波形非线性失真分析
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3、失真分析
• 截止失真
截止失真是在输入回路首先产生失真！ 消除方法：增大VBB，即向上平移输入回路负载线。
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2. 串联反馈和并联反馈
描述放大电路和反馈网络在输入端的连接方式， 即输入量、反馈量、净输入量的叠加关系。
+ _
负反馈
U i
U
' i
Uf
--串联负反馈
Ii Ii' If --并联负反馈
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模拟电子技术基础-知识点总结
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。
*三种模型微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
《模电》复习(有答案)
03
02
01
模拟电路的基本概念
模拟电路的基本元件
电阻是模拟电路中最基本的元件之一，用于限制电流和电压。
电容是能够存储电荷的元件，具有隔直流通交流的特性。
电感是能够存储磁能的元件，具有阻抗交流的作用。
二极管是单向导电的元件，常用于整流、开关等电路中。
04
电源：为电路提供稳定的直流或交流电源。
实验设备与仪器
实验准备
熟悉实验原理、目的、步骤和注意事项，准备好所需的仪器和元件。
电路搭建
根据实验要求，使用适当的电子元件搭建模拟电路。
参数测量
使用示波器等测量仪器，记录实验数据，观察信号波形。
结果分析
对实验数据进行分析，得出结论，并与理论值进行比较。
实验方法与步骤
发射机与接收机
通过模拟电路实现信号的调制和解调，如调频、调相和调幅等，以适应不同的通信信道。
调制解调技术
模拟电路用于信号处理和控制，如音频、视频信号的处理和通信系统的控制。
信号处理与控制
通信系统
模拟电路用于构建模拟控制器，实现对系统的连续控制和调节。
模拟控制器
模拟电路用于连接传感器和执行器，实现系统输入与输出的转换和控制。
详细描述
反馈放大电路的性能指标主要包括增益、带宽和稳定性等。
总结词
增益表示反馈放大电路的放大能力，与开环增益和反馈系数有关；带宽表示反馈放大电路能够正常工作的频率范围；稳定性则表示反馈放大电路对外部干扰和内部参数变化的敏感程度。
详细描述
反馈放大电路
总结词
集成运算放大器是一种高性能的模拟集成电路，具有高带宽、低噪声、低失真等特点。
模拟电子技术期末考试复习资料
《模拟电子技术》课程综合复习资料一、判断题1.P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。
答案：错2.阻容耦合放大电路只能放大交流信号，不能放大直流信号。
答案：对3.同相求和电路跟同相比例电路一样，各输入信号的电流几乎等于零。
答案：错4.差动放大电路可以放大共模信号，抑制差模信号。
答案：错5.共集电极放大电路放大动态信号时输入信号与输出信号相位相反。
答案：错一、单选题1．测得某电路板上晶体三极管3个电极对地的直流电位分别为UE =3V，UB=3.7V，UC=3.3V，则该管工作在（）。
A．放大区B．饱和区C．截止区D．击穿区答案：B2.放大器的增益是随着输入信号频率的改变而改变的，当输入信号的频率为Hf时，放大器增益的幅值将（）。
A．降为1B．降为中频时的1/2倍C．降为中频时的1/D．降为中频时的倍答案：C3.三级放大电路中Av1=Av2=10dB，Av3=15dB，则总的电压增益为（）dB。
A．35C．45D．60答案：A4.某三极管各个电极的对地电位如图所示，可判断其工作状态是（）。
A．放大B．饱和C．截止D．已损坏答案：D5.二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电压Vo为（）。
（设二极管的导通压降为0.7V）A．-5VB．-4.3VC．-5.7VD．-10V答案：C6.测得图示放大电路中晶体管各电极的直流电位如图所示，由此可知该管为（）。
A．Ge，PNP管B．Ge，NPN管C．Si，PNP管D．Si，NPN管答案：B7.在单级放大电路中，若输入电压为正弦波形，用示波器观察vo和vi的波形，当放大电路为共集电极放大电路时，则vo和vi的相位（）。
A．同相B．反相C．相差90D．不定答案：A8.在单级放大电路中，若输入电压为正弦波形，用示波器观察vo和vi的波形，当放大电路为共发射放大电路时，则vo和vi的相位（）。
A．同相B．反相C．相差90D．不定答案：B9.理想运放的开环差模增益AOd为（）。
模拟电子技术总结复习资料
半导体二极管及其应用电路一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
7. PN结* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
* PN结的导通电压---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。
*三种模型➢微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
三极管及其基本放大电路一. 三极管的结构、类型及特点1.类型---分为NPN和PNP两种。
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填空题1.信号是消息的载体，从广义上讲，它包含______，_______，______。
2.电信号是指随时间而变化的_______。
3.模拟信号的幅度（或数值）具有____性，数字信号的幅度（或数值）具有____性。
4.模拟电子技术是主要研究处理______的电子技术。
5.模拟电子系统主要是____、____、____和____四部分组成。
简答题1.何为有源元件？何为无源元件？2.电子系统设计时应做到哪几点？3.画图说明电子系统的设计流程？2-1填空题1.N型半导体是本征半导体中掺入______；P型半导体是在本征半导体中掺入_______。
2.PN结的导电特性是________。
3.二极管在外加直流电压时，理想二极管的正向导通阻抗为__；反向截止时的阻抗为_____。
4.PN结的结电容包括_____电容和_____电容。
5.当温度升高时，二极管的反向饱和电流会_____。
6.PN结加正向电压时，耗尽层变____，加反偏电压时，耗尽层变____。
7.PN结加正向电压时，主要由____运动形成正向导通电流，加反偏电压时，主要由____运动形成反向电流。
8.稳压二极管工作在稳压区时，其PN结工作在_____状态。
9.发光二极管正常发光时，其PN结工作在_____状态。
判断题1.本征半导体是指杂志密度非常小的晶体半导体。
（）2.本征半导体温度升高后，两种载流子浓度仍然相等。
（）3.P型半导体空穴是多子，所以P型半导体带正电；N型半导体电子是多子，所以N型半导体带负电。
（）4.在稳压管两端加适当的反向电压就能骑稳压作用。
（）5.在N型半导体中如果掺入了足够多的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（）6.PN结在无光照、无外加电压时，结电流为0。
（）7.二极管在低频状态下工作时，静态电阻和动态电阻近似相等。
（）8.随着二极管导通电压逐渐增大，其静态电阻逐渐增大。
（）9.随着二极管导通电压逐渐增大，其动态电阻逐渐增大。
（）10.变容二极管在电路中使用时，其PN结通常工作在反偏状态。
（）简答题1.为什么说在使用二极管时，应特别注意不要超过最大整流电流和最高反向工作电压？2.当直流电源电压波动或外接负载电阻R变动时，稳压管稳压电路的输出电压能否保持稳定？若能稳定，请说明其工作原理。
3.利用万用表的测试二极管的极性时，分别使用数字万用表和模拟万用表，应该如何测试？4.如果发光二极管的导通电压时1V，是否可以直接将一个1.5V的干电池正向连接到二极管的两端？检查是否可以正常发光，为什么？5.什么是不可逆击穿？不可逆击穿后PN结是否损坏？3—1填空题1.晶体管的三个极分别是_____、_____和_____；三极管中两个PN结分别称为_____和_____。
三极管的工作去分别是_____、_____和_____；在放大电路中，三极管通常工作在_____区。
2.三极管在工作时发射结、集电结或正片或反偏；工作在放大区时，发射结_____，集电结_____；工作在饱和区时，发射结_____，集电结_____；工作在截止区时，发射结_____，集电结_____。
3.双极结型三极管中的“双极”是指它的内部有两种载流子参与导电，它们是_____和______。
4.三极管发射区和集电区的杂质密度不同，发射区的杂质密度_____。
5.共集放大电路的特点是电压放大倍数___，电流放大倍数___，输入电阻___，输出电阻____。
判断题1.三极管工作在饱和状态时发射极没有电流流过。
（）2.三极管在放大状态下，发射集电流主要是由扩散电流组成。
（）3.三极管是电流控制元件。
（）4.所有组态三极管单管放大电路都可以进行功率放大。
（）5.放大电路的输入电阻与信号源内阻无关，输出电阻与负载电阻无关（）6.乙类放大电路可以进行功率放大，但甲类放大电路不能。
（）7.对于NPN单管放大电路，三极管工作在放大区时，集电极电位最高,发射极最低。
（）8.差模放大电路具有抑制共模干扰、输入电阻大的特点。
（）9.OCL功率放大电路具有抑制共模干扰、输入电阻大的特点。
（）10.甲类乙类放大电路都能进行功率放大。
（）简答题1.三极管具有两个PN结，可否用两个二极管相连以构成一个三极管，为什么？2.三极管的电流放大系数α、β是如何定义的？能否从共射极输出特性曲线上求得β？利用放大区的输出特性曲线，β的取值是否均匀一致？3.放大电路的NPN型三极管，能否将e和c两电极交换使用？为什么？4.三极管放大电路产生非线性失真的主要原因是什么？5.三极管放大电路饱和失真和截止失真的原因是什么？6.产生零点漂移的原因有哪些？为什么零漂通常称为温漂？7.为什么低频小信号放大电路（甲类）可以不考虑转换效率，功率放大电路一定要考虑效率问题？8.为了简化放大电路的性能分析，分析低频小信号特性时通常使用三极管的混分h模型，分析高频小信号特性是通常使用三极管的Π模型。
如果希望同时活的放大电路全频带的增益特性，应该使用哪种模型？为什么？9.在测量三极管放大电路公社电流增益β时，如果忽略三极管的穿透电流Iceo，测得放大电路的集电极电流ic和基级电流ib，则认为β=ic/ib；若果考虑三极管的穿透电流Iceo 时，应如何测量β和Iceo选择题1.晶体管工作在放大区时，具有如下特点______。
A.发射结正偏，集电结反偏B.发射结反偏，集电结正偏C.发射结正偏，集电结反偏D.发射结反偏，集电结反偏2.晶体管工作在饱和区时，具有如下特点______。
A.发射结正偏，集电结反偏B. 发射结反偏，集电结正偏C.发射结正偏，集电结反偏D.发射结反偏，集电结反偏3.在共射、共集、共基三种基本组态放大电路中，电压放大倍数小于1的是_____。
A.共射B.共集C.共基D.不确定4.对于NPN管组成的单管共射放大电路，当输入电压为余弦信号时，若产生饱和失真则输出电压_____失真；若产生截止失真，则输出电压_____失真。
A.顶部B.低部C.顶部或底部D.正极性和负极性信号交越处5.对于NPN管组成的单管共射放大电路，当输入电压为余弦信号时，若发生饱和失真则基极电流ib的波形将_____，集电极电流ic的波形将_____，输出电压uo的波形将_____。
A.正半波消波B.负半波消波C.双向消波D.不消波6.为了使高阻输出的放大电路（或高阻信号源）与低阻负载（或低阻输入电阻的放大电路）很好的配合，可以在高阻输出的放大电路与负载之间插入______。
A.共射电路B共集电路C共基电路D任何一种组态电路7.为了使一个低阻输出的放大电路（或内阻极小的电流源）转变为高阻输出的放大电路（或内阻尽可能大的电流源），可以在低阻输出的放大电路的后面接入______。
A.共射电路B共集电路C共基电路D任何一种组态电路8.在单级放大电路中，若输入电压为余弦波形，用示波器同时观察输入ui和输出uo的波形。
当为CE电路是，ui和uo的相位______;当为CC电路时，ui和uo的相位______；当为cb电路时，ui和uo的相位_____。
A.同相B.反相C.相差90°D.不确定9.可以放大电压又能放大电流的是______组态放大电路；可以放大电压但不能电流的是______组态放大电路；可以放大电流但不能放大电压的是_____组态放大电路；能够进行功率放大的是_____组态放大电路。
A.共射B.共集C.共基D.任意组态10.在共射、共集、共基三种基本放大电路组态中，电压放大倍数小于1的是_____组态；输入电阻最大的是_____组态，最小的是______；输出电阻最大的是______组态，最小的是_____。
A.共射B.共集C.共基D.任意组态11.放大电路在低频信号作用下电压放大倍数下降的原因是存在____和_____；而在高频信号作用下的电压放大倍数下降的主要原因是存在______。
A.耦合电容B.耦合电阻C.旁路电容D.三极管结电容12.三极管的特征频率ft点对应的β值为_____。
A.1B.1/√2C.0.5D.313.某三极管的贷款增益积为4MHz。
如果输入信号为单一拼了吧的余弦波，CE组态放大电路能够进行电流放大的最高频率为_____。
A.1MHzB.2MHzC.3MHzD.4MHz14.某放大电路无耦合电容。
利用单一频率的余弦信号进行测试，测试结果是：低频增益为AU；提高输入信号频率，频率f1时信号增益为1/√2AU，频率f2是输入信号增益为1/2AU，频率f3时信号增益为0.1AU。
电路的通频带宽为_____。
A.f1B.f2C.f3D.无穷15.差分放大电路中，双端输入、双端输出时差模电压放大倍数是Aud；单端输入、双端输出是差模电压放大倍数为______；双端输入、单端输出是差模电压放大倍数是_____；单端输入、单端输出时差模电压放大倍数是_______。
A.2Aud B0.5Aud C.Aud D无法确定16.差分放大电路能够________。
A.提高输入电阻B.降低输入电阻C.抑制温漂D.提高电压放大倍数17.共模抑制比越大，表明电路_______。
A.放大倍数越稳定B.交流放大倍数越低C.抑制温漂能力越强D交流放大倍数越强18.在差分放大电路中，用恒流源代替差分管的公共射极电阻Ree是为了______。
A.减小偏置电流B.提高差模放大倍数C提高共模抑制比D提高共模放大倍数19.功率放大电路最大输出功率是在输入电压为正弦波信号时，输出基本不是正情况下负载可能获得的最大_______。
A.交流功率B. 直流功率C.平均功率D.无法确定20.分析功率放大电路时应利用______。
A．混合h模型 B.Π模型 C.特性曲线 D.任意模型21.在单端输出的差放电路中，用恒流源替代发射极电阻能够_____。
A提高差模增益 B.提高共模增益C.增强抑制共模信号能力D.减小差模增益22.对于图3-4所示放大电路中，当用直流电压表测得UceVcc时，有可能是因为______，测得Uce≈0时，有可能是因为______。
A.Rb开路B.Rc开路C.Rb短路D.Rb过小4.1 填空题1）场效应管利用外加电压产生的_____来控制漏极电流的大小。
2）场效应管属于电压控制元件，而三极管属于_____控制元件。
3）为了使结型场效应管能够正常工作，栅极间两PN结必须加_____电压来改变导通沟道的宽度。
4）对于增强型N沟道MOS管，UGS只能为___极性，并且只能当UGS>UGS(on) 时，才能有漏极电流。
5）对于增强型P沟道MOS管，UGS只能为___极性。
6）对于耗尽型MOS管，UGS可以为_______极性。
7）场效应管与三极管相比，具有输入电阻___，噪声____，稳定性___。