三极管的参数

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常用二极管三极管参数大全

常用二极管三极管参数大全

常用二极管三极管参数大全一、常用二极管参数1.直流正向电压降(Vf):指二极管正向导通时的电压降,也称为前向压降,一般常用的正向电压降为0.6V或0.7V。

2. 最大正向电流(Ifmax):表示二极管正向工作时的最大电流,超过该电流可能会损坏二极管。

3. 最大反向电压(Vrmax):指二极管反向工作时最大允许的电压,超过该电压可能会导致二极管击穿。

4. 最大反向电流(Irmax):表示二极管反向工作时的最大允许电流,超过该电流可能会损坏二极管。

5. 最大耗散功率(Pdmax):表示二极管能够承受的最大功率,超过该功率可能会导致二极管过热损坏。

6.负温度系数(TK):指二极管在正向工作时,正向电流随温度升高而减小的程度,一般单位为%/℃。

7. 正向电导(Gon):指二极管正向工作时的导通电导,一般单位为S(西门子)或mA/V。

8.反向电容(Cj):指二极管反向偏置条件下的电容,一般单位为pF(皮法)。

9. 反向延迟时间(trr):指二极管正向导通结束到反向电流消失的时间。

10.导通角(θF):指二极管在正向导通状态下的导电角,即Ⅲ象限导通角。

二、常用三极管参数1. 最大漏极源极电压(Vceo):表示三极管漏极与源极之间的最大电压,超过该电压可能会导致击穿。

2. 最大集电极电流(Icmax):表示三极管集电极最大允许的电流,超过该电流可能会损坏三极管。

3. 最大发射极电流(Iemax):表示三极管发射极最大允许的电流,超过该电流可能会损坏三极管。

4. 最大功率(Pmax):表示三极管能够承受的最大功率,超过该功率可能会导致三极管过热损坏。

5. 最大反向电压(Vrmax):指三极管反向工作时最大允许的电压,超过该电压可能会导致击穿。

6. 最大反向电流(Irmax):表示三极管反向工作时的最大允许电流,超过该电流可能会损坏三极管。

7. 输入电容(Cin):指三极管输入端的电容,一般单位为pF(皮法)。

8. 输出电容(Cout):指三极管输出端的电容,一般单位为pF(皮法)。

三极管的主要参数

三极管的主要参数

三极管的主要参数1、直流参数(1)集电极一基极反向饱和电流Icbo,发射极开路(Ie=0)时,基极和集电极之间加上规定的反向电压Vcb时的集电极反向电流,它只与温度有关,在一定温度下是个常数,所以称为集电极一基极的反向饱和电流.良好的三极管,Icbo很小,小功率锗管的Icbo约为1~10微安,大功率锗管的Icbo可达数毫安,而硅管的Icbo则非常小,是毫微安级.(2)集电极一发射极反向电流Iceo(穿透电流)基极开路(Ib=0)时,集电极和发射极之间加上规定反向电压Vce时的集电极电流.Iceo大约是Icbo的β倍即Iceo=(1+β)Icbo o Icbo和Iceo受温度影响极大,它们是衡量管子热稳定性的重要参数,其值越小,性能越稳定,小功率锗管的Iceo比硅管大.(3)发射极---基极反向电流Iebo 集电极开路时,在发射极与基极之间加上规定的反向电压时发射极的电流,它实际上是发射结的反向饱和电流.(4)直流电流放大系数β1(或hEF) 这是指共发射接法,没有交流信号输入时,集电极输出的直流电流与基极输入的直流电流的比值,即:β1=Ic/Ib2、交流参数(1)交流电流放大系数β(或hfe) 这是指共发射极接法,集电极输出电流的变化量△Ic与基极输入电流的变化量△Ib之比,即:β= △Ic/△Ib一般晶体管的β大约在10-200之间,如果β太小,电流放大作用差,如果β太大,电流放大作用虽然大,但性能往往不稳定.(2)共基极交流放大系数α(或hfb) 这是指共基接法时,集电极输出电流的变化是△Ic与发射极电流的变化量△Ie之比,即:α=△Ic/△Ie因为△Ic<△Ie,故α<1.高频三极管的α>0.90就可以使用α与β之间的关系:α= β/(1+β)β= α/(1-α)≈1/(1-α)(3)截止频率fβ、fα当β下降到低频时0.707倍的频率,就是共发射极的截止频率fβ;当α下降到低频时的0.707倍的频率,就是共基极的截止频率fαo fβ、fα是表明管子频率特性的重要参数,它们之间的关系为:fβ≈(1-α)fα(4)特征频率fT因为频率f上升时,β就下降,当β下降到1时,对应的fT是全面地反映晶体管的高频放大性能的重要参数.3、极限参数(1)集电极最大允许电流ICM 当集电极电流Ic增加到某一数值,引起β值下降到额定值的2/3或1/2,这时的Ic值称为ICM.所以当Ic超过ICM时,虽然不致使管子损坏,但β值显著下降,影响放大质量.(2)集电极----基极击穿电压BVCBO 当发射极开路时,集电结的反向击穿电压称为BVEBO.(3)发射极-----基极反向击穿电压BVEBO 当集电极开路时,发射结的反向击穿电压称为BVEBO.(4)集电极-----发射极击穿电压BVCEO 当基极开路时,加在集电极和发射极之间的最大允许电压,使用时如果Vce>BVceo,管子就会被击穿.(5)集电极最大允许耗散功率PCM 集电流过Ic,温度要升高,管子因受热而引起参数的变化不超过允许值时的最大集电极耗散功率称为PCM.管子实际的耗散功率于集电极直流电压和电流的乘积,即Pc=Uce×Ic.使用时庆使PcPCM与散热条件有关,增加散热片可提高PCM.2、Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比(占空系数,外电路参数)di/dt---电流上升率(外电路参数)dv/dt---电压上升率(外电路参数)ID---漏极电流(直流)IDM---漏极脉冲电流ID(on)---通态漏极电流IDQ---静态漏极电流(射频功率管)IDS---漏源电流IDSM---最大漏源电流IDSS---栅-源短路时,漏极电流IDS(sat)---沟道饱和电流(漏源饱和电流)IG---栅极电流(直流)IGF---正向栅电流IGR---反向栅电流3、IGDO---源极开路时,截止栅电流IGSO---漏极开路时,截止栅电流IGM---栅极脉冲电流IGP---栅极峰值电流IF---二极管正向电流IGSS---漏极短路时截止栅电流IDSS1---对管第一管漏源饱和电流IDSS2---对管第二管漏源饱和电流Iu---衬底电流Ipr---电流脉冲峰值(外电路参数)gfs---正向跨导Gp---功率增益Gps---共源极中和高频功率增益GpG---共栅极中和高频功率增益GPD---共漏极中和高频功率增益ggd---栅漏电导gds---漏源电导K---失调电压温度系数Ku---传输系数L---负载电感(外电路参数)LD---漏极电感4、to(on)---开通延迟时间td(off)---关断延迟时间ti---上升时间ton---开通时间toff---关断时间tf---下降时间trr---反向恢复时间Tj---结温Tjm---最大允许结温Ta---环境温度Tc---管壳温度Tstg---贮成温度VDS---漏源电压(直流)VGS---栅源电压(直流)VGSF--正向栅源电压(直流)。

三极管的主要参数

三极管的主要参数

三极管的主要参数
三极管是一种常用电子元件,它能控制电流或电压,是电子工程中最
基本的部件。

三极管的主要参数包括型号标识、集电极(C)发射极(E)
和控制极(B)的击穿电压以及正向和反向两种状态下的最大电流值等。

1.型号标识:三极管的型号标识是由字母和数字组成的,用于区分不
同型号的三极管。

由于三极管有多种型号,因此每个型号的型号标识也不
尽相同,国内的三极管一般以“TXX”开头显示,其中“T”表示三极管,“XX”表示三极管型号的编号。

2.集电极(C):三极管的集电极也叫正极,简称C,它是三极管的
主要出口,用于连接电源供电。

它不仅可以接收电流,还可以把它转化为
电压输出,给电路供电。

3.发射极(E):三极管的发射极也叫负极,简称E,它是三极管的
主要入口,可以接收外部电路的电流。

它可以把电流转化为信号,通过晶
体管调节输出电流和电压的大小,这是三极管最主要的功能。

4.控制极(B):三极管的控制极简称B,它是三极管的主要控制极,在电路中,通常是应用信号或电压来控制三极管的工作状态,从而控制晶
体管的输出电流或电压。

5.击穿电压:击穿电压是指三极管正向或反向时,由于电压的升高。

常用三极管数据

常用三极管数据

常用三极管数据三极管是一种常用的半导体器件,广泛应用于电子电路中。

三极管的性能参数对电路的工作性能起着至关重要的作用。

本文将介绍常用的三极管数据,匡助读者更好地了解和应用三极管。

一、三极管的基本参数1.1 饱和电流(Icmax):三极管在饱和状态下的最大电流。

通常情况下,饱和电流越大,三极管的工作性能越好。

1.2 最大功耗(Pmax):三极管能够承受的最大功率。

超过最大功耗可能导致三极管损坏。

1.3 最大耗散功率(Pdmax):三极管在正常工作状态下能够承受的最大耗散功率。

二、三极管的频率参数2.1 最大工作频率(fT):三极管能够正常工作的最高频率。

频率越高,三极管的响应速度越快。

2.2 输入电容(Cib):三极管输入端的电容。

输入电容越小,三极管对输入信号的响应越灵敏。

2.3 输出电容(Cob):三极管输出端的电容。

输出电容越小,三极管对输出信号的响应越灵敏。

三、三极管的放大特性参数3.1 峰值电流增益(hFE):三极管的放大倍数。

峰值电流增益越大,三极管的放大效果越好。

3.2 输入电阻(Rin):三极管输入端的电阻。

输入电阻越大,三极管对输入信号的影响越小。

3.3 输出电阻(Rout):三极管输出端的电阻。

输出电阻越小,三极管对输出信号的影响越小。

四、三极管的温度特性参数4.1 温度系数(α):三极管的基极电流随温度变化的系数。

温度系数越小,三极管的温度稳定性越好。

4.2 温度上升系数(β):三极管的饱和电流随温度升高的系数。

温度上升系数越小,三极管的工作稳定性越好。

4.3 温度范围(Tj):三极管能够正常工作的温度范围。

超出温度范围可能导致三极管性能下降。

五、三极管的封装参数5.1 封装类型:三极管的封装形式,如TO-92、SOT-23等。

不同封装类型适合于不同的应用场景。

5.2 封装材料:三极管封装的材料,如塑料、金属等。

封装材料的选择影响三极管的散热性能。

5.3 封装尺寸:三极管封装的尺寸,包括封装的长、宽、高等参数。

三极管的相关参数

三极管的相关参数

三极管的相关参数三极管是一种重要的电子器件,广泛应用于电子电路中的放大、开关、斩波等功能。

它具有许多关键参数,下面将详细介绍三极管的相关参数。

1. 最大集电极电流(ICmax):三极管可以承受的最大集电极电流。

超过这个电流极限,三极管可能会损坏。

2. 最大集电极-基极电压(VCEOmax):三极管可以承受的最大集电极到基极的电压。

超过这个电压极限,三极管可能发生击穿。

3. 最大功耗(PDmax):三极管可以承受的最大功耗。

超过这个功耗极限,三极管可能会过热,导致故障。

4. 最大集电极-发射极电压(VCESmax):三极管可以承受的最大集电极到发射极的电压。

超过这个电压极限,三极管可能发生击穿。

5.最大集电极电流放大倍数(hFE):三极管的集电极电流与基极电流之间的比例关系。

它表示三极管的放大能力,通常在工作区域内具有较高的值。

6. 饱和区(Saturation Region):当三极管的基极电流足够大时,集电极-发射极间的电压达到最低值,此时三极管工作在饱和区。

7. 切断区(Cut-off Region):当三极管的基极电压较低时,集电极-发射极间的电压达到最高值,此时三极管工作在切断区。

8. 属性(Transconductance):三极管的输入特性之一,它是指集电极电流变化与基极-发射极电压变化之比,常用单位是毫安每伏特(mA/V)。

9. 剪切频率(Cut-off Frequency):三极管的输出特性之一,它是指在特定放大倍数下,三极管的功耗输出能力降低到原来的一半所对应的频率。

10. 输入电阻(Input Resistance):三极管的输入电阻,也称为基极电阻,是指输入端电压与输入端电流之比。

11. 输出电阻(Output Resistance):三极管的输出电阻,是指输出端电压与输出端电流之比。

12. 射极电阻(Emitter Resistance):三极管的发射极电阻,是指发射极电压与发射极电流之比。

三极管的主要参数包括直流参数交流参数极限参数

三极管的主要参数包括直流参数交流参数极限参数

三极管的主要参数包括直流参数交流参数极限参数
三极管的主要参数包括直流参数、交流参数和极限参数。

1. 直流参数:直流参数描述了三极管在直流电路中的电流和电压特性。

- 最大集电极电流(Icmax):三极管集电极能够承受的最大
电流值。

- 最大基极-发射极电压(Vbeo):基极和发射极之间能够承
受的最大电压值。

- 最大集电极-发射极电压(Vceo):集电极和发射极之间能
够承受的最大电压值。

- 饱和压降(Vcesat):三极管处于饱和状态时,集电极和发
射极之间的电压降。

2. 交流参数:交流参数描述了三极管在交流信号下的放大能力和频率特性。

- 增益(β或hfe):三极管的电流放大倍数。

- 输入电阻(Rin):输入端的电阻,影响输入信号的放大效果。

- 输出电阻(Rout):输出端的电阻,影响输出信号的传输效果。

- 频率响应:描述了三极管在不同频率下放大能力的变化情况,常用的参数包括截止频率和增益带宽积。

3. 极限参数:极限参数描述了三极管在工作过程中的极限条件。

- 最大功耗(Pdmax):三极管能够承受的最大功率。

- 集电极-发射极击穿电压(BVceo):集电极和发射极之间的
最大击穿电压。

- 集电极-基极击穿电压(BVceo):集电极和基极之间的最大击穿电压。

- 储能时间(Ton、Toff):三极管进行开关动作的能力。

这些参数是设计和使用三极管时需要考虑的重要指标,不同的应用场合可能需要不同的参数要求。

三极管的主要参数

三极管的主要参数

三极管的主要参数直流参数1、直流参数 (1)集电极⼀基极反向饱和电流Icbo,发射极开路(Ie=0)时,基极和集电极之间加上规定的反向电压Vcb时的集电极反向电流,它只与温度有关,在⼀定温度下是个常数,所以称为集电极⼀基极的反向饱和电流。

良好的三极管,Icbo很⼩,⼩功率锗管的Icbo约为1~10微安,⼤功率锗管的Icbo可达数毫安,⽽硅管的Icbo则⾮常⼩,是毫微安级。

 (2)集电极⼀发射极反向电流Iceo(穿透电流)基极开路(Ib=0)时,集电极和发射极之间加上规定反向电压Vce时的集电极电流。

Iceo⼤约是Icbo的β倍即Iceo=(1+β)Icbo o Icbo和Iceo受温度影响极⼤,它们是衡量管⼦热稳定性的重要参数,其值越⼩,性能越稳定,⼩功率锗管的Iceo⽐硅管⼤。

 (3)发射极---基极反向电流Iebo 集电极开路时,在发射极与基极之间加上规定的反向电压时发射极的电流,它实际上是发射结的反向饱和电流。

 (4)直流电流放⼤系数β1(或hEF)这是指共发射接法,没有交流信号输⼊时,集电极输出的直流电流与基极输⼊的直流电流的⽐值,即:β1=Ic/Ib交流参数 2、交流参数 (1)交流电流放⼤系数β(或hfe)这是指共发射极接法,集电极输出电流的变化量△Ic与基极输⼊电流的变化量△Ib之⽐,即: β= △Ic/△Ib ⼀般晶体管的β⼤约在10-200之间,如果β太⼩,电流放⼤作⽤差,如果β太⼤,电流放⼤作⽤虽然⼤,但性能往往不稳定。

 (2)共基极交流放⼤系数α(或hfb)这是指共基接法时,集电极输出电流的变化是△Ic与发射极电流的变化量△Ie 之⽐,即: α=△Ic/△Ie 因为△Ic<△Ie,故α<1。

⾼频三极管的α>0.90就可以使⽤ α与β之间的关系: α= β/(1+β) β= α/(1-α)≈1/(1-α) (3)截⽌频率fβ、fα当β下降到低频时0.707倍的频率,就是共发射极的截⽌频率fβ;当α下降到低频时的0.707倍的频率,就是共基极的截⽌频率fαo fβ、fα是表明管⼦频率特性的重要参数,它们之间的关系为:fβ≈(1-α)fα (4)特征频率fT因为频率f上升时,β就下降,当β下降到1时,对应的fT是全⾯地反映晶体管的⾼频放⼤性能的重要参数。

常用三极管参数大全

常用三极管参数大全

常用三极管参数大全三极管是一种常见的半导体器件,主要用于放大电流和控制电流的流动。

下面是一些常用的三极管参数的详细介绍。

1. 最大电流 (Ic max):这是三极管能够承受的最大电流。

当超过这个电流时,三极管可能会被烧毁。

2. 最大电压 (Vce max):这是三极管的最大耐压能力,也就是能够承受的最大电压。

当超过这个电压时,三极管可能会发生击穿。

3.放大倍数(β):也叫直流电流放大因子,表示输入电流和输出电流之间的比例关系。

β值越大,放大效果越好。

一般来说,普通的低功率三极管的β值在20到100之间。

4. 饱和电流 (Icsat):当三极管被正确偏置并处于饱和状态时,电流的最大值。

一般来说,这个值应该小于最大电流的一半。

5.收集极电阻(Rc):也叫输出电阻,表示三极管作为放大器时,输出端所呈现的电阻值。

一般来说,Rc越大,输出电阻越大。

6.音频频带宽度(fT):这是三极管的最高工作频率。

对于放大高频信号,fT应该足够高,以保持信号的完整性。

7.噪声系数(NF):表示三极管产生的噪音的大小。

通常用分贝(dB)为单位表示,值越小表示噪音越小。

8. 输入电阻 (Rin):表示对输入信号的阻力。

一般来说,输入电阻应该足够大,以避免对信号源的影响。

9. 输出电阻 (Rout):表示三极管的输出端对外部电路的负载能力。

一般来说,输出电阻应该足够小,以避免对外部电路的影响。

10.温度系数(TC):表示三极管参数对温度变化的敏感程度。

一般来说,温度系数越小,三极管的性能越稳定。

除了上述常用的参数外,三极管还有很多其他参数,如频率响应、输入/输出电容、功率耗散、失真等等。

这些参数在不同的应用场合中具有不同的重要性。

总的来说,了解三极管的参数对于选择合适的器件、设计电路以及优化电路性能至关重要。

不同的应用需要关注的参数也有所不同,需要根据具体情况进行选择和权衡。

三极管参数大全

三极管参数大全

三极管知识简介概述半导体三极管也称为晶体三极管,可以说它是电子电路中最重要的器件。

它最主要的功能是电流放大和开关作用。

三极管顾名思义具有三个电极。

二极管是由一个PN结构成的,而三极管由两个PN结构成,共用的一个电极成为三极管的基极(用字母b表示)。

其他的两个电极成为集电极(用字母c表示)和发射极(用字母e表示)。

由于不同的组合方式,形成了一种是NPN型的三极管,另一种是PNP型的三极管。

三极管的种类很多,并且不同型号各有不同的用途。

三极管大都是塑料封装或金属封装,常见三极管的外观,有一个箭头的电极是发射极,箭头朝外的是NPN型三极管,而箭头朝内的是PNP型。

实际上箭头所指的方向是电流的方向。

电子制作中常用的三极管有90××系列,包括低频小功率硅管9013(NPN)、9012(PNP),低噪声管9014(NPN),高频小功率管9018(NPN)等。

它们的型号一般都标在塑壳上,而样子都一样,都是TO-92标准封装。

在老式的电子产品中还能见到3DG6(低频小功率硅管)、3AX31(低频小功率锗管)等,它们的型号也都印在金属的外壳上。

我国生产的晶体管有一套命名规则,电子工程技术人员和电子爱好者应该了解三极管符号的含义。

符号的第一部分“3”表示三极管。

符号的第二部分表示器件的材料和结构:A——PNP型锗材料;B——NPN型锗材料;C——PNP型硅材料;D——NPN型硅材料。

符号的第三部分表示功能:U——光电管;K——开关管;X——低频小功率管;G——高频小功率管;D——低频大功率管;A——高频大功率管。

另外,3DJ型为场效应管,BT打头的表示半导体特殊元件。

三极管最基本的作用是放大作用,它可以把微弱的电信号变成一定强度的信号,当然这种转换仍然遵循能量守恒,它只是把电源的能量转换成信号的能量罢了。

三极管有一个重要参数就是电流放大系数 b。

当三极管的基极上加一个微小的电流时,在集电极上可以得到一个是注入电流b 倍的电流,即集电极电流。

三极管参数大全范文

三极管参数大全范文

三极管参数大全范文三极管是一种半导体器件,它具有放大和开关功能,被广泛应用于电子电路中。

以下是三极管的一些常见参数:1.最大耗散功率(Pd):三极管在工作时会产生一定的热量,最大耗散功率表示器件能够承受的最大热量。

通常以瓦特(W)为单位。

2.最大收集电流(Ic):三极管作为放大器时,通过其集电极的最大电流,通常以安培(A)为单位。

3.最大基极电流(Ib):三极管放大时,通过其基极的最大电流,通常以安培(A)为单位。

4.最大封装温度(Tj):三极管可以安装在不同的外壳中,最大封装温度表示器件可以承受的最高温度。

5.最大封装功率(Pc):三极管在封装外壳中所能承受的最大功率。

6. 最大封装电压(Vcbo):三极管收集极与基极之间的最高电压,通常以伏特(V)为单位。

7. 最大集电极-基极电压(Vceo):三极管集电极与基极之间的最高电压。

8. 最大集电极-发射极电压(Vceo):三极管集电极与发射极之间的最高电压。

9.倍数增益(β):三极管在放大模式下的电流放大比例。

10. 饱和电流(Icsat):三极管作为开关时,通过其集电极的最大电流。

11.截止频率(fT):三极管在放大模式下的最大工作频率。

12. 输入电阻(Rin):三极管放大器的输入电阻。

13. 输出电阻(Rout):三极管放大器的输出电阻。

14. 最小反向传导(Yfs):三极管放大时的反向电导。

15.最小反向电容(Cr):三极管放大时的反向电容。

以上是一些常见的三极管参数,不同型号的三极管具有不同的参数范围。

这些参数对于设计电子电路和选取适当的三极管非常重要,因为它们直接影响着三极管的性能和可靠性。

常用三极管参数大全

常用三极管参数大全

常用三极管参数大全1.最大耐压(VCEO):指三极管的集电极与发射极之间的最大耐压,也是三极管工作的最高电压。

2.最大漏极电流(ICMAX):指三极管的最大工作电流,超过该电流可能会导致器件损坏。

3. 最大功率(Pmax):指三极管能够承受的最大功率,超过该功率可能会导致器件损坏。

4. 最大集电极-基极电压(VCEMax):指三极管的集电极与基极之间的最大电压,通常用于确定三极管在开关工作状态下的最大电压。

5. 最大基极电流(IBmax):指三极管的最大基极电流,超过该电流可能会导致器件损坏。

6. 饱和区电压下降(VCEsat):指三极管在饱和区时,集电极与发射极之间的电压降。

7. 基极-发射极饱和电压(VBEsat):指三极管在饱和区时,基极与发射极之间的电压降。

8. 输入电阻(hie):指三极管的输入电阻,它与基极电流成正比。

9. 输出电阻(hoe):指三极管的输出电阻,它与输出电流成正比。

10. 增大时间(tf):指三极管从关断状态到导通状态所需的时间。

11. 减小时间(tr):指三极管从导通状态到关断状态所需的时间。

12. 反向转换时间(tfr):指三极管由关断状态转换为导通状态时,极化电容反向充电所需的时间。

13. 正向转换时间(tff):指三极管由导通状态转换为关断状态时,极化电容正向放电所需的时间。

14.最大效率:指在特定工作条件下,三极管从输入功率到输出功率的转换效率。

15.电流放大倍数(β):指三极管中电流放大的倍数,即集电极电流与基极电流之比。

16.最大工作频率(fT):指三极管能够正常工作的最高频率。

上述参数都是三极管常用的重要参数,不同型号的三极管具体数值会有所不同。

在选择三极管时,根据具体需求选择合适的参数是非常重要的。

此外,这些参数在设计电子电路时也起到了至关重要的作用。

常用三极管数据

常用三极管数据

常用三极管数据引言概述:三极管是一种常见的电子元件,广泛应用于电子电路中。

了解常用三极管的数据参数对于正确选择和使用三极管至关重要。

本文将详细介绍常用三极管的数据参数,帮助读者更好地了解和应用三极管。

一、电流参数1.1 最大集电电流(ICmax):指三极管正常工作时允许通过集电极的最大电流。

该参数决定了三极管的功率承受能力。

1.2 最大基极电流(IBmax):指三极管正常工作时允许通过基极的最大电流。

超过该电流会导致三极管损坏。

1.3 最大发射极电流(IEmax):指三极管正常工作时允许通过发射极的最大电流。

该参数与最大集电电流和最大基极电流之间的关系为IEmax = ICmax - IBmax。

二、电压参数2.1 最大集电极-发射极电压(VCEO):指三极管正常工作时允许的最大集电极-发射极电压。

超过该电压会导致三极管损坏。

2.2 最大集电极-基极电压(VCBO):指三极管正常工作时允许的最大集电极-基极电压。

超过该电压会导致三极管损坏。

2.3 最大基极-发射极电压(VBE):指三极管正常工作时允许的最大基极-发射极电压。

超过该电压会导致三极管损坏。

三、功率参数3.1 最大耗散功率(PDmax):指三极管正常工作时允许的最大耗散功率。

超过该功率会导致三极管过热损坏。

3.2 热阻(θJA):指三极管在单位功率耗散时,导热器件与环境之间的热阻。

热阻越小,三极管的散热性能越好。

3.3 热稳定系数(θJC):指三极管在单位功率耗散时,导热器件与芯片之间的热阻。

热稳定系数越小,三极管的散热性能越好。

四、放大参数4.1 直流放大倍数(hFE):指三极管在直流工作状态下,输出电流与输入电流之间的比值。

该参数决定了三极管的放大能力。

4.2 最大输出功率(Poutmax):指三极管在最大输出功率时能够提供的最大输出功率。

4.3 频率响应范围(fT):指三极管能够正常工作的最高频率。

超过该频率会导致三极管的放大能力下降。

三极管主要的参数

三极管主要的参数

三极管主要的参数
三极管的参数包括:
1、功率额定值:功率额定值定义了三极管在一定温度和额定电源电
压下可以承受的最大功率输出,通常有最大输出功率(Pd)、期望功率(Pc)和阻止功率(Pz)三种,其中最大输出功率是三极管运行时可输出
的最大功率,期望功率是正常工作时的额定功率,而阻止功率是在特定电
流和电压时的最大功率。

2、集电极-发射极电压:集电极-发射极电压(也称为正向伏安数)
是三极管在正向偏压下的集电极与发射极之间的电压,通常被简写为VCE,它受到多种因素的影响,包括正向偏压、温度和负向偏压等。

3、发射极-基极电压:发射极-基极电压(也称为负向伏安数)是三
极管在负向偏压下的发射极与基极之间的电压,通常被简写为VEB,它受
多种因素的影响,包括负向偏压、温度和正向偏压等。

4、集电极穿透电流:集电极穿透电流是三极管在集电极和发射极之
间的电流,它在正向偏压下会出现,通常被简称为ICEO。

它依赖于正向
偏压的大小,通常随着偏压的增大而增大,但随着偏压增大到一定程度时
会突然减小,这是由三极管在饱和区域的特性决定的。

全系列三极管参数

全系列三极管参数

全系列三极管参数三极管是一种常用的电子元件,主要由三个控制电极组成:基极、发射极和集电极。

它可以将小信号放大成大信号,并具有放大和开关两种应用。

下面将详细介绍三极管的各种参数。

1.DC参数:(1)E-B击穿电压:控制电极到基极之间的击穿电压,通常是5V。

(2)集电极饱和电压:集电极电压和基极电压之间的差,通常是0.2V。

(3)极化电压:基极与发射极之间的电压,一般为0.6V。

(4)漂移电流:无输入信号时集电极电流,通常为1μA。

2.小信号参数:(1)共射放大参数:-电流放大倍数:基极电流和集电极电流之比,通常为20。

-输入电阻:基极电阻,通常为50kΩ。

-输出电阻:发射极电阻,通常为100Ω。

-最大功率增益:集电极功率和输入功率之比,通常为300。

-频率响应:放大器对不同频率信号的放大能力。

-带宽:能够通过的频率范围。

(2)共集放大参数:-电流放大倍数:发射极电流和集电极电流之比,通常为1-输入电阻:发射极电阻,通常为10Ω。

-输出电阻:集电极电阻,通常为10kΩ。

-最大功率增益:集电极功率和输入功率之比,通常为1-频率响应:放大器对不同频率信号的放大能力。

-带宽:能够通过的频率范围。

(3)共基放大参数:-电流放大倍数:基极和集电极电流之比,通常为0.99-输入电阻:集电极电阻,通常为10kΩ。

-输出电阻:发射极电阻,通常为0.1Ω。

-最大功率增益:集电极功率和输入功率之比,通常为0.99-频率响应:放大器对不同频率信号的放大能力。

-带宽:能够通过的频率范围。

3.大信号参数:(1)最大集电极电流:集电极电流的最大值。

(2)最大功率:集电极电流和集电极电压之积的最大值。

(3)最大集电极电压:集电极电压的最大值。

(4)开关时间:从信号输入到放大器开关的时间,一般小于1μs。

4.噪声参数:(1)噪声系数:直流电流吸收后引起的输出噪声。

(2)输出噪声电压:由于内部噪声而引起的输出电压。

以上是三极管的一些重要参数,这些参数可以帮助我们了解三极管的性能和适用范围。

常用三极管参数大全

常用三极管参数大全

常用三极管参数大全1. 最大集电极电流(IC max):三极管在特定工作条件下能够承受的最大集电极电流。

这个参数决定了三极管能够驱动的负载电流的最大值。

2. 最大功率耗散(PD max):三极管在特定工作条件下能够承受的最大功率耗散。

这个参数决定了在特定工作条件下,三极管能够承受的最大功率,超过这个功率则可能会损坏。

3. 最大集电极-基极电压(VCEO max):三极管在特定工作条件下能够承受的最大集电极-基极电压。

这个参数决定了三极管能够承受的最大电压,超过这个电压则可能会损坏。

4. 最大集电极-发射极电压(VCE sat):三极管在饱和区的工作条件下,集电极-发射极之间的电压。

这个参数决定了三极管在饱和区时的电压控制能力。

5. 最大基极-发射极电压(VBE max):三极管在特定工作条件下,基极-发射极之间能够承受的最大电压。

这个参数决定了三极管能够承受的最大电压,超过这个电压则可能会损坏。

6.直流电流放大倍数(hFE):这个参数代表了三极管的放大能力。

它表示了当三极管的基极电流变化时,集电极电流变化的倍数。

7. 最大封装功率耗散(PC max):三极管的封装能够承受的最大功率耗散。

这个参数与封装结构和材料有关,超过这个功率则可能会损坏封装。

8. 最大封装温度(Tj max):三极管封装能够承受的最高温度。

超过这个温度则可能会导致封装失效。

9. 最大储存温度(Tstg max):三极管能够承受的最高储存温度。

超过这个温度则可能会导致三极管性能退化。

10.最大工作频率(fT):这个参数代表了三极管的最高工作频率。

在高频应用中,这个参数决定了三极管能够工作的最高频率。

通过了解和理解这些三极管参数,我们可以根据具体设计需求选择合适的三极管。

这些参数对于电子电路的设计和分析非常重要,因此研究这些参数并了解它们的意义是很有用的。

常用三极管详细参数和代换大全

常用三极管详细参数和代换大全

常用三极管详细参数和代换大全1.三极管的常用参数:(1)最大耗散功率(Pd):三极管正常工作时允许的最大耗散功率。

超过该功率会导致三极管过热损坏。

(2) 最大封装温度(Tjmax):三极管正常工作时允许的最高封装温度。

超过该温度会导致三极管可靠性下降。

(3) 最大集电极电流(Icmax):三极管正常工作时允许通过集电极的最大电流。

超过该电流会导致三极管损坏。

(4) 最大基极电流(Ibmax):三极管正常工作时允许通过基极的最大电流。

(5) 最大漏极电流(Iemax):三极管正常工作时允许通过漏极的最大电流。

(6) 最大集电极-发射极电压(Vceo):三极管正常工作时允许的最大集电极-发射极电压。

超过该电压会导致三极管损坏。

(7)最大输出功率(Po):三极管工作时允许输出的最大功率。

(8) 增益(β或hfe):三极管输入电流和输出电流之间的比值,用于描述三极管的放大能力。

2.常用三极管型号及其代换:(1)2N3904:NPN型三极管,常用于低功耗放大和开关电路。

可替代型号有PN2222、2SC3355等。

(2)2N3906:PNP型三极管,常用于低功耗放大和开关电路的互补性工作。

可替代型号有PN2907、2SA1013等。

(3)BC547:NPN型三极管,常用于低功耗放大和开关电路。

可替代型号有BC548、BC337等。

(4)BC557:PNP型三极管,常用于低功耗放大和开关电路的互补性工作。

可替代型号有BC558、BC327等。

(5)2N2222:NPN型三极管,常用于中功率放大和开关电路。

可替代型号有2N4401、2SC945等。

(6)2N2907:PNP型三极管,常用于中功率放大和开关电路的互补性工作。

可替代型号有2N5401、2SA733等。

以上仅是常用的一些三极管型号和代换,实际上还有很多其他型号的三极管可供选择。

在选用代替型号时,需要注意参数尽量与原型号相近,以免影响电路性能。

总结:了解三极管的详细参数对正确使用和选择是非常重要的。

三极管的主要参数

三极管的主要参数

三极管的主要参数
1﹑电流放大系数β= Δic/Δib CE=常数
2﹑极间反向电流I CBO 和集射反向电流Iceo﹐也叫穿透电流﹐受温度影响较大(随温度升高而增大)
3﹑集电极最大允许电流Icm﹐当Ic超过一定数值时β下降﹐β下降到正常值β的2/3时所对应的Ic值为Icm﹐当Ic>Icm时﹐长时间工作可导致三极管损坏。

4﹑反向击穿电压Ubr(ceo)基极开路﹐集射极之间最大允许电压。

当Uceo> Ubr(ceo)时三极管Ic﹑Ie剧增﹐使三极管击穿损坏。

5﹑集电极最大允许耗散功率Pcm。

6﹑Rbe基射极电阻﹐Rce集射极电阻。

场效应管主要参数
1﹑开启电压﹕当U ds为常数时﹐将沟道漏源极连接起来的最小Ugs值。

2﹑低频跨导﹕U ds定值﹐漏极电流动的变化量Δid与引起这个变化的栅一源电压U gs的变化量ΔU gs比值。

3﹑漏源击穿电压Uds指管子发生击穿时Id急剧上升时的Uds值。

4﹑最大耗散功率
5﹑最大漏极电流。

三极管的主要参数包括直流参数交流参数极限参数

三极管的主要参数包括直流参数交流参数极限参数

三极管的主要参数包括直流参数交流参数极限参数摘要:一、三极管简介二、三极管的主要参数1.直流参数2.交流参数3.极限参数三、参数对三极管性能的影响四、总结正文:一、三极管简介三极管,全称为半导体三极管,是一种常用的半导体器件,具有放大和开关等功能。

它由三个区域组成:n型区(发射极)、p型区(基极)和n型区(集电极)。

通过调整基极电流,可以控制集电极电流,从而实现信号的放大和开关。

二、三极管的主要参数1.直流参数直流参数主要包括静态工作点、静态电流和最大耗散功率。

静态工作点是指三极管在直流偏置下的工作状态,它决定了三极管的放大性能和稳定性。

静态电流是三极管在静态工作点下的基极电流,它影响了三极管的电流放大系数。

最大耗散功率是指三极管在最大工作电流下所能承受的热功率,它限制了器件的输出功率。

2.交流参数交流参数主要包括交流放大倍数、交流输入阻抗和交流输出阻抗。

交流放大倍数是指三极管在交流信号下的电流放大能力,它决定了三极管的信号放大性能。

交流输入阻抗是指三极管在交流信号下的输入阻抗,它影响了信号的传输效果。

交流输出阻抗是指三极管在交流信号下的输出阻抗,它影响了负载的驱动能力。

3.极限参数极限参数主要包括最大额定电压、最大额定电流和最小工作温度。

最大额定电压是指三极管能承受的最大电压,超过该电压可能导致器件损坏。

最大额定电流是指三极管能承受的最大电流,超过该电流可能导致器件过载。

最小工作温度是指三极管能正常工作的最低温度,低于该温度可能导致器件性能下降。

三、参数对三极管性能的影响直流参数、交流参数和极限参数共同决定了三极管的性能。

静态工作点的选择影响了三极管的放大性能和稳定性;静态电流的大小影响了三极管的电流放大系数;最大耗散功率决定了器件的输出功率;交流放大倍数、交流输入阻抗和交流输出阻抗影响了三极管的信号放大性能和驱动能力;最大额定电压、最大额定电流和最小工作温度则决定了器件的可靠性和稳定性。

四、总结三极管的主要参数包括直流参数、交流参数和极限参数。

三极管有哪些主要参数?型号如何进行选择?

三极管有哪些主要参数?型号如何进行选择?

三极管有哪些主要参数?型号如何进行选择?选用三极管需要了解三极管的主要参数, 主要了解三极管的四个极限参数:I cm, BV CEO, P cm及f T即可满足95%以上的使用需要。

1、I cm是集电极最大允许电流,三极管工作时,当它的集电极电流超过一定数值时,他的电流放大系数β将下降。

为此规定三级电流放大系数β变化不超过允许值时的集电极最大电流称为I cm。

所以在使用中当集电极电流I c超过I cm时不至于损坏三级管,但会使β值减小,影响电路的工作性能;2、BV CEO是三级管基极开路时,集电极-发射极反向击穿电压。

如果在使用中加载集电极与发射极之间的电压超过这个数值时,将可能使三极管产生很大的集电电流,这种现象叫击穿。

三极管击穿后会造成永久性损坏或性能下降;3、P cm是集电极最大允许耗散功率。

三极管在工作是,集电极电流集电在集电结上会产生热量而使三极管发热。

若耗散功率过大,三极管将烧坏。

在使用中如果三极管在大于P cm下长时间工作,将会损坏三极管。

需要注意的是大功率的三极管给出的最大允许耗散功率都是在加有一定规格散热器情况下的参数。

使用中一定要注意这一点。

4、特征频率f T。

随着工作频率的升高,三极管的放大能力将会下降,对应β=1时的频率fT叫作三极管的特征频率小功率三极管在电子电路的应用最多。

主要用作小信号的放大、控制或振荡器。

选用三极管时首先要搞清楚电子电路的工作频率大概是多少。

如中波收音机的振荡器的最高频率是2MHz左右;而调频收音机的最高震荡频率为120MHz左右;电视机中 VHF频段的最高振荡率为250MHz左右:UHF 频段的最高振荡率接近1000MHz,因此工程设计中一般要求三极管的f T 大于3倍的实际工作频率。

所以可按照此要求来选择三极管的特征频率f T。

由于硅材料高频三极管的fT一般不低于50Hz,所以在音频电子电路中使用这类管子可不考虑fT这个参数。

小功率三极管BV CEO的选择可以根据电路的电源电压来决定,一般情况下只要三极管的BV CEO大于电路中电源的最高电压即可。

常用三极管的一些参数以及替换型号

常用三极管的一些参数以及替换型号

常用三极管的一些参数以及替换型号三极管是一种常见的电子元件,常用于各种电子电路中。

以下是常用三极管的一些参数以及替换型号的详细介绍。

1.三极管参数:1.1 耐压(Vceo或Vces):指三极管能够承受的最大开关电压。

这是三极管能够在正常工作条件下稳定工作的重要参数。

1.2最大收集器电流(Ic):指三极管能够承受的最大电流。

如果超过这个电流,三极管可能会被损坏。

1.3最大功耗(Pd):指三极管能够承受的最大功率。

如果功耗过大,三极管可能在工作中过热而损坏。

1.4剩余漏极电流(Ib):指在关闭状态下,基极与发射极之间存在的微小漏电流。

1.5 当前放大倍数(hfe或β):指输入电流与输出电流的比例关系。

这个参数可以反映三极管的放大能力。

1.6 截止频率(ft):指三极管的最高工作频率。

当频率超过截止频率时,三极管的放大能力会显著下降。

2.常用三极管型号:2.1NPN型三极管:BC547、2N3904、2N2222等。

BC547是一种常用的NPN型三极管,其最大耐压为45V,最大收集器电流为100mA,最大功耗为500mW。

适用于一般低功率放大、开关和线性调节应用。

2N3904和2N2222也是常见的NPN型三极管型号,适用于类似应用。

2.2PNP型三极管:BC557、2N3906、2N2907等。

BC557是一种常用的PNP型三极管,其参数与BC547类似,适用于一般低功率放大、开关和线性调节应用。

2N3906和2N2907也是常见的PNP型三极管型号,适用于类似应用。

2.3功率三极管:2SC5200、2SA1943、TIP31C等。

2SC5200是一种NPN型功率三极管,其最大耐压为230V,最大收集器电流为15A,最大功耗为150W。

适用于高功率放大和开关应用。

2SA1943是一种PNP型功率三极管,其参数与2SC5200类似,适用于类似应用。

TIP31C是一种常用的NPN型功率三极管,适用于低频功率放大等应用。

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耗散功率?: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)
集电极电流1.5A
集电极--基极电压40V
集电极--发射极击穿电压25V
特征频率fT 最小100MHZ
放大倍数:按三极管后缀号分为 B C D 共3档
放大倍数 B:85-160 C:120-200 D:160-300
引脚排列多为EBC
有区别。我把两个管子的主要参数列出来:
8050参数:BVCBO=40伏,BVCEO=25伏,I=1.5安,P=1瓦
8050S参数:BVCBO=25伏,BVCEO=20伏,I=0.7安,P=0.625瓦
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
管脚都是一样的排列:从左到右依次是EBC.
9011 NPN 30V 30mA 400mW 150MHz 放大倍数20-80
9012 PNP 50V 500mA 600mW 低频管 放大倍数30-90
9013 NPN 20V 625mA 500mW 低频管 放大倍数40-110
9014 NPN 45V 100mA 450mW 150MHz 放大倍数20-90
射极-基极电压 5V
集电极电流 0.025A
耗散功率 0.4W
结温 150℃
特怔频率 平均 620MHZ
放大倍数:D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198
9018 结构:NPN
集电极-发射极电压 15V
集电极-基电压 30V
射极-基极电压 5V
集电极-发射极电压 25V
集电极-基电压 45V
射极-基极电压 5V
集电极电流 0.5A
耗散功率 0.625W
结温 150℃
特怔频率 最小 150MHZ
放大倍数:D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300
9014 结构:NPN
MC8050 硅 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz
CS8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K
3DG8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K
2SC8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K
值得注意的是,在代换相应的8050或8550三极管时,除了型号匹配,放大倍数也是很重要的参数。
C:120-200 D:160-300 E:280-400
NEC的8050
最大集电极电流(A):0.5 A;
直流电增益:10 to 60;
功耗:625 mW;
最大集电极-发射极电压(VCEO):25;
频率:150 MHz .
其它的8050
PE8050 硅 NPN 30V 1.5A 1.1W
图1 8050和8550三极管TO-92封装外形和引脚排列
/dianzizhizuo/qita/200909/943584.html
图2 8050和8550三极管SOT-23封装外形和引脚排列
/dianzizhizuo/qita/200909/943584.html
8050 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz 放大倍数30-100
8550 PNP 40V 1500mA 1000mW 200MHz 放大倍数40-140
详情如下:
90系列三极管大多是以90字为开头的,但也有以ST90、C或A90、S90、SS90、UTC90开头的,它们的特性及管脚排列都是一样的。
PE8050 硅 NPN 30V 1.5A 1.1W
3DG8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K
2SC8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K
MC8050 硅 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz
CS8050 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K
9011 结构:NPN
集电极-发射极电压 30V
集电极-基电压 50V
射极-基极电压 5V
集电极电流 0.03A
耗散功率 0.4W
结温 150℃
特怔频率 平均 370MHZ
放大倍数:D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198
9012 结构:PNP
集电极-发射极电压 45V
集电极-基电压 50V
射极-基极电压 5V
集电极电流 0.1A
耗散功率 0.4W
结温 150℃
特怔频率 最小 150MHZ
放大倍数:A60-150 B100-300 C200-600 D400-1000
9015 结构:PNP
集电极-发射极电压 -45V
集电极电流 0.05A
耗散功率 0.4W
结温 150℃
特怔频率 平均 620MHZ
放大倍数:D28-45 E39-60 F54-80 G72-108 H97-146 I132-198
三极管8550
8550是一种常用的普通三极管。
它是一种低电压,大电流,小信号的PNP型硅三极管
集电极-基极电压Vcbo:-40V
工作温度:-55℃ to +150℃
和8050(NPN)相对
主要用途:
开关应用
射频放大
三极管8050
8050是常用的NPN小功率三级管,下面是的8050引脚图参数资料。
8050三级管参数:类型:开关型; 极性:NPN; 材料:硅; 最大集存器电流(A):0.5 A; 直流电增益:10 to 60; 功耗:625 mW; 最大集存器发射电(VCEO):25; 频率:150 KHz
8050和8550三极管在电路应用中经常作为对管来使用,当然很多时候也作为单管应用。8050 为硅材料NPN型三极管;8550 为硅材料PNP型三极管。
8050S 8550S S8050 S8550 参数:
耗散功率0.625W(贴片:0.3W)
集电极电流0.5A
集电极--基极电压40V
集电极--基极电压40V
集电极--发射极击穿电压25V
特征频率fT 最小100MHZ 典型190MHZ
放大倍数:按三极管后缀号分为 B C D档
放大倍数B:85-160 C:120-200 D:160-300
8050SS 8550SS 参数:
耗散功率?: 1W(TA=25℃) 2W(TC=25℃)
集电极--发射极击穿电压25V
特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出
按三极管后缀号分为 B C D档 贴片为 L H档
放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350
C8050 C8550 参数:
耗散功率1W
集电极电流1.5A
集电极-发射极电压 -30V
集电极-基电压 -40V
射极-基极电压 -5V
集电极电流 0.5A
耗散功率 0.625W
结温 150℃
特怔频率 最小 150MHZ
放大倍数:D64-91 E78-112 F96-135 G122-166 H144-220 I190-300
9013 结构:NPN
集电极-基电压 -50V
射极-基极电压 -5V
集电极电流 0.1A
耗散功率 0.45W
结温 150℃
特怔频率 平均 300MHZ
放大倍数:A60-150 B100-300 C200-600 D400-1000
9016 结构:NPN
集电极-发射极电压 20V
集电极-基电压 30V
集电极电流1.5A
集电极--基极电压40V
集电极--发射极击穿电压25V
特征频率fT 最小100MHZ
放大倍数:按三极管后缀号分为 B C D D3 共4档
放大倍数 B:85-160 C:120-200 D:160-300 D3:300-400
引脚排列有EBC ECB两种
SS8050 SS8550 参数:
UTC的 S8050 S8550 引脚排列有EBC
8050S 8550S 引脚排列有ECB
这种管子很少见
参数:
耗散功率1W
集电极电流0.7A
集电极--基极电压30V
集电极--发射极击穿电压20V
特征频率fT 最小100MHZ 典型产家的目录没给出
放大倍数:按三极管后缀号分为C D E档
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