二极管命名规则
二极管命名规则【范本模板】
各国晶体三极管型号命名方法1、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。
五个部分意义如下:第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目.2-二极管、3—三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时：A—N型锗材料、B—P型锗材料、C—N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时：A—PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C—PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P—普通管、V—微波管、W—稳压管、C-参量管、Z-整流管、L—整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F〈3MHz,Pc<1W)、G—高频小功率管（f〉3MHz,Pc<1W）、D —低频大功率管（f<3MHz，Pc〉1W）、A—高频大功率管（f>3MHz,Pc〉1W）、T—半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B—雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH—复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件.第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管2、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下:第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型.0-光电（即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件.第三部分:用字母表示器件使用材料极性和类型.A—PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D—NPN型低频管、F—P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H—N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K—N沟道场效应管、M-双向可控硅.第四部分:用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号.两位以上的整数—从“11”开始,表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大,越是近期产品.第五部分:用字母表示同一型号的改进型产品标志。
二极管命名规则
二极管命名规则 Revised by Liu Jing on January 12, 2021各国晶体三极管型号命名方法1、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。
五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、 U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D -低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管2、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
二极管命名规则
各国晶体三极管型号命名方法1、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。
五个部分意义如下:第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料与极性。
表示二极管时:A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时:A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管(f>3MHz,Pc<1W)、D -低频大功率管(f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN 型管、JG-激光器件。
第四部分:用数字表示序号第五部分:用汉语拼音字母表示规格号例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管2、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下:第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其她器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其她器件、┄┄依此类推。
第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分:用字母表示器件使用材料极性与类型。
中国二极管命名规则
中国二极管命名规则全文共四篇示例，供读者参考第一篇示例：中国二极管的命名规则在国际上是共通的，但因为两国的历史和文化背景不同，在命名上也存在少许的差异。
而中国对于二极管的命名规则还是比较独特的，下面就让我们来详细了解一下中国二极管的命名规则。
在中国，二极管通常是按照其用途、特性和封装形式来命名的。
一般来说，二极管的命名是根据其类型、封装和特性来确定的，其中常见的类型有整流二极管、开关二极管、稳压二极管等。
我们来看一下整流二极管的命名规则。
在整流二极管的命名中，通常会包含型号和封装形式两部分。
型号部分通常是以字母或数字来表示，而封装形式则是用字母或数字来表示，比如1N4007，其中1N 表示整流二极管，而4007则表示其具体型号。
除了整流二极管外，开关二极管的命名规则也比较常见。
在开关二极管的命名中，通常会包含P、N或S等标志，用来表示其极性。
比如P600，其中P表示正型，而600代表具体的型号。
开关二极管的命名规则也是按照其电流和功率等特性来确定的。
稳压二极管也是比较常见的一种二极管类型。
稳压二极管通常会包含Z开头的标志，用来表示其稳压特性。
比如Zener二极管，其命名规则通常是以字母Z开头，后面跟上具体的型号。
而在具体型号中，通常会包含其稳压特点和电压等信息。
从以上的介绍可以看出，中国二极管的命名规则是比较简单清晰的。
通过型号和封装形式的结合，可以很方便地确定二极管的种类和具体特性。
中国二极管的命名规则也比较容易理解和记忆，适合广泛的应用场景。
中国二极管的命名规则虽然有些不同于国际标准，但仍然能够满足实际需求。
通过了解和掌握中国二极管的命名规则，可以更好地选择和使用合适的二极管，从而提高电子产品的性能和可靠性。
希望以上介绍能够帮助大家更好地理解中国二极管的命名规则，为实际应用提供帮助。
第二篇示例：中国二极管的命名规则是指在二极管的命名中所遵循的一系列规则和约定。
二极管是一种常用的半导体器件，用于电子电路中的整流、开关、放大等功能。
二极管命名规则和参数
二极管命名规则和参数说到二极管，这玩意儿可真有意思。
你知道吗，它可是电子产品里小小的英雄，默默地扮演着各种角色，像个不善言辞的工作狂，总是尽心尽力。
提起二极管，大家可能会觉得它就是个简单的开关，实际上，它的世界可复杂多了，就像一部精彩的电影，情节曲折，人物众多。
咱们得聊聊它的命名规则，这可是一门学问。
比如说，常见的1N4001，嘿，这个名字里可藏着不少秘密。
前面的“1”表示这是一类器件，后面的“N”代表它是个半导体，接下来的“4001”就是它的型号，像极了车牌号，一看就知道你是哪一位。
不过，不同厂家可能会有不同的命名方式，有些人爱用字母，有些则喜欢数字。
就像人名，千人千面，没个固定的模板。
然后，你还得注意参数，这可不是随便说说的。
二极管的主要参数就像是它的个人简历，大家可得好好看。
一方面，正向电流，俗称最大工作电流，嘿，这玩意儿就像二极管的“力气”，太大了可就扛不住。
另一方面，还有正向电压降，这个就好比二极管的“脾气”，不同的二极管脾气各异，有的温柔，有的倔强，真是让人哭笑不得。
还有反向电压，这就像是二极管的底线，超过这个值，它可能会不堪重负，直接“翻车”。
得提提反向恢复时间。
这小家伙可是很重要，决定了二极管在快速开关中的表现。
时间太长，二极管可就跟不上节奏，像个舞步不协调的舞者，真是让人看得揪心。
二极管的种类也是琳琅满目，像是市场上的小吃摊，各有各的风味。
普通的硅二极管是最常见的，可靠性强，价格亲民。
再说说肖特基二极管，这玩意儿反应速度那是飞快，像个跑得飞起的小兔子，适合那些需要高速开关的场合。
还有齐纳二极管，它最爱在特定的电压下工作，像个守卫，专门负责保护电路，防止过压。
想想看，生活中有没有碰到过二极管呢？你家里的手机、电视、冰箱，嘿，那些电子产品里多多少少都有它的身影。
没准，你今天早上起床刷牙的时候，它就在默默无闻地保障电源的稳定，给你带来温暖的阳光。
二极管可不止局限于普通的电子产品，它在各种电路中都有重要的作用，像个百事通，见多识广，帮你解决了不少麻烦。
diodes 命名规则
diodes 命名规则题目：diodes 命名规则引言：在电子领域中，diodes（二极管）是常用的元件之一。
它们具有无线管的整流功能，可以将交流电信号转化为直流电信号。
为了统一和方便命名，工程师们制定了一套特定的规则来命名不同类型的diodes。
本文将一步一步回答关于diodes命名规则的问题，以帮助读者更好地理解和应用这些命名规则。
第一部分：什么是diodes？- 解释diodes的基本概念和原理；- 引入diodes命名规则的重要性。
第二部分：diodes命名规则的基本原则- 介绍diodes命名规则的三个基本原则；1. 功能标识：根据diode的功能特点来命名；2. 极性标识：根据diode的极性来命名；3. 封装类型标识：根据diode的封装类型来命名。
第三部分：功能标识规则- 详细介绍功能标识规则的具体步骤；1. 确定diode的功能特点，如整流、反向阻断等；2. 根据特定功能特点选择合适的字母或数字进行命名；3. 添加特殊修饰符来进一步细分功能。
第四部分：极性标识规则- 解释极性标识规则的重要性；- 介绍极性标识规则的相关步骤；1. 根据diode的极性特点选择正向或负向的标识；2. 添加特定字母或数字来区分极性。
第五部分：封装类型标识规则- 解释封装类型标识规则的意义；- 介绍封装类型标识规则的具体方式；1. 根据diode的封装类型选择合适的字母或数字；2. 添加特定标记来表示封装形式。
第六部分：实例分析- 提供几个实例分析，以帮助读者更好地理解和应用diodes命名规则；- 分别以功能标识、极性标识和封装类型标识为例进行分析。
结论：diodes命名规则是工程师们为了方便命名和识别不同类型的diodes而制定的一套规则。
这些命名规则基于diode的功能特点、极性和封装类型，确保了电子工程师们能够准确地选择和使用适合的diodes。
了解和掌握这些命名规则将有助于提高工程师们的工作效率，推动电子技术的发展。
esd命名规则
esd命名规则
ESD（Electro Static Discharge）二极管型号的命名规则因不同的厂家而异，但一般来说，都包含以下几个部分：
1. 生产厂家：例如“UN”代表的是优恩半导体公司，“DW”代表的是东
沃DOWO的缩写。
2. 工作电压：表示ESD二极管的工作电压。
3. 保护线路数：如“D”表示单路，“M”表示多路。
4. 电容类型：例如“LC”表示低电容，“UC”表示超低电容，“NC”表示常规电容，“HC”表示高电容。
5. 极性：如“B”表示单向，“U”表示双向。
6. 功率等级：如“S”表示功率150W以上，“E”表示功率150W以下。
此外，部分ESD二极管型号还会包含误差、封装、系列类型等参数，例如
优恩半导体的压敏类UN0603ML080M中，0603表示封装，ML表示系列类型，080是压敏电压，M代表误差。
请注意，每个生产厂家的命名规则都可能存在差异，因此最终还是需要参照产品规格书中的各项参数。
二极管的型号命名规定
二极管的型号命名规定由五个部分组成晶体二极管的分类一、根据构造分类半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。
与PN结不可分割的点接触型和肖特基型，也被列入一般的二极管的范围内。
包括这两种型号在内，根据PN结构造面的特点，把晶体二极管分类如下：1、点接触型二极管点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。
因此，其PN结的静电容量小，适用于高频电路。
但是，与面结型相比较，点接触型二极管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大电流和整流。
因为构造简单，所以价格便宜。
对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言，它是应用范围较广的类型。
2、键型二极管键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。
其特性介于点接触型二极管和合金型二极管之间。
与点接触型相比较，虽然键型二极管的PN结电容量稍有增加，但正向特性特别优良。
多作开关用，有时也被应用于检波和电源整流（不大于50mA）。
在键型二极管中，熔接金丝的二极管有时被称金键型，熔接银丝的二极管有时被称为银键型。
3、合金型二极管在N型锗或硅的单晶片上，通过合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的。
正向电压降小，适于大电流整流。
因其PN结反向时静电容量大，所以不适于高频检波和高频整流。
4、扩散型二极管在高温的P型杂质气体中，加热N型锗或硅的单晶片，使单晶片表面的一部变成P型，以此法PN结。
因PN结正向电压降小，适用于大电流整流。
最近，使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型。
5、台面型二极管PN结的制作方法虽然与扩散型相同，但是，只保留PN结及其必要的部分，把不必要的部分用药品腐蚀掉。
其剩余的部分便呈现出台面形，因而得名。
初期生产的台面型，是对半导体材料使用扩散法而制成的。
因此，又把这种台面型称为扩散台面型。
对于这一类型来说，似乎大电流整流用的产品型号很少，而小电流开关用的产品型号却很多。
6、平面型二极管在半导体单晶片（主要地是N型硅单晶片）上，扩散P型杂质，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结。
肖特基二极管MBR系列命名规则
肖特基二极管MBR系列命名规则肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode）Schottky Barrier Diode:肖特基势垒二极管简称：SBDSchottky:肖特基（发明人名称）Barrier：势垒SB:即为肖特基势垒二极管MBR、SR、SL、SB、SBT、STP都是常见的半导体公司对肖特基产品的型号命名。
各厂家命名有不同。
肖特基二极管也称肖特基势垒二极管，国内厂家也有叫做"SB1045CT、SR10100、SL…、BL…看懂肖特基二极管MBR系列：M:是以最早MOTOROLA的命名，取MB:Bridge桥；Barrier:势垒R:Rectifier,整流器"MBR"意为整流器件SCHOTTKY RECTIFIER DIODES:肖特基整流二极管例1：MBR10100CTM:MOTOROLA缩写MB:Barrier缩写BR:Rectifier缩写R10:正向电流10A100:反向耐压100VC:表示TO-220AB封装，常指半塑封（铁封）。
T:表示管装例2：MBR6045PTM:MOTOROLA缩写MB:Barrier缩写BR:Rectifier缩写R60:正向电流60A45:反向耐压45VP:表示TO-247(3P)封装T:表示管装例3：MBR20200FCTM:MOTOROLA缩写MB:Barrier缩写BR:Rectifier缩写R20:正向电流20A200:反向耐压200VF:表示ITO-220AB(TO-220F)全塑封T:表示管装肖特基二极管有哪些主要参数呢？IF(IO)：正向电流（A)VRRM：反向耐压(V)IFSM：峰值瞬态浪涌电流(A)IF：测试电流(A)VF:正向压降(V)IR：反向漏电流(UA)TRR:反向快恢复时间(NS)肖特基二极管常见选型型号：。
二极管命名规则(终审稿)
二极管命名规则公司内部档案编码：[OPPTR-OPPT28-OPPTL98-OPPNN08]各国晶体三极管型号命名方法1、中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。
五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、 U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D -低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管2、日本半导体分立器件型号命名方法日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
二极管的命名方式
二极管的命名方式
二极管命名(国家标准)
国家标准国产二极管的型号命名分为五个部分：
第一部分用数字“2”表示主称为二极管。
第二部分用字母表示二极管的材料与极性。
第三部分用字母表示二极管的类别。
第四部分用数字表示序号。
第五部分用字母表示二极管的规格号。
第一部分：主称
2：二极管;
第二部分：材料与极性
A：N型锗材料;
B：P型锗材料;
C：N型硅材料;
D：P型硅材料;
E：化合物材料;
第三部分：类别
P：小信号管(普通管);
W：电压调整管和电压基准管(稳压管);
L：整流堆;
N：阻尼管;
Z：整流管;
U：光电管;
K：开关管;
B或C：变容管;
V：混频检波管;
JD：激光管;
S：遂道管;
CM：磁敏管;
H：恒流管;
Y：体效应管;
EF：发光二极管; 第四部分：序号
用数字表示同一类别产品序号; 第五部分：规格号
用字母表示产品规格、档次。
二极管型号命名方法
二极管的型号命名规定由五个部分组成晶体二极管的分类一、根据构造分类半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。
与PN结不可分割的点接触型和肖特基型，也被列入一般的二极管的范围内。
包括这两种型号在内，根据PN结构造面的特点，把晶体二极管分类如下：1、点接触型二极管点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。
因此，其PN结的静电容量小，适用于高频电路。
但是，与面结型相比较，点接触型二极管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大电流和整流。
因为构造简单，所以价格便宜。
对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言，它是应用范围较广的类型。
2、键型二极管键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。
其特性介于点接触型二极管和合金型二极管之间。
与点接触型相比较，虽然键型二极管的PN结电容量稍有增加，但正向特性特别优良。
多作开关用，有时也被应用于检波和电源整流（不大于50mA）。
在键型二极管中，熔接金丝的二极管有时被称金键型，熔接银丝的二极管有时被称为银键型。
3、合金型二极管在N型锗或硅的单晶片上，通过合金铟、铝等金属的方法制作PN结而形成的。
正向电压降小，适于大电流整流。
因其PN结反向时静电容量大，所以不适于高频检波和高频整流。
4、扩散型二极管在高温的P型杂质气体中，加热N型锗或硅的单晶片，使单晶片表面的一部变成P型，以此法PN结。
因PN结正向电压降小，适用于大电流整流。
最近，使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型。
PN结的制作方法虽然与扩散型相同，但是，只保留PN结及其必要的部分，把不必要的部分用药品腐蚀掉。
其剩余的部分便呈现出台面形，因而得名。
初期生产的台面型，是对半导体材料使用扩散法而制成的。
因此，又把这种台面型称为扩散台面型。
对于这一类型来说，似乎大电流整流用的产品型号很少，而小电流开关用的产品型号却很多。
6、平面型二极管在半导体单晶片（主要地是N型硅单晶片）上，扩散P型杂质，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结。
二极管和三极管的命名规则
二极管和三极管的命名规则二极管和三极管是电子元件中常见的两种器件，它们在电子电路中发挥着重要的作用。
在本文中，我们将介绍二极管和三极管的命名规则，以及它们的工作原理和应用。
一、二极管的命名规则二极管是一种具有两个电极的器件，其中一个电极为正极（阳极），另一个电极为负极（阴极）。
根据国际电工委员会（IEC）的命名规则，二极管的命名通常包括以下几个部分：1.器件类型：用字母D表示二极管（Diode）。
2.器件用途：用字母A、B、C等表示不同的用途，比如A表示整流二极管，B表示变容二极管等。
3.器件材料：用字母A、B、C等表示不同的材料，比如A表示硅材料，B表示锗材料等。
4.器件构造：用数字1、2、3等表示不同的构造形式，比如1表示普通二极管，2表示快恢复二极管等。
5.器件电流：用字母和数字表示器件的额定电流，比如字母F表示0.5A，字母G表示1A等。
6.器件电压：用字母和数字表示器件的额定电压，比如字母A表示50V，字母B表示100V等。
二、三极管的命名规则三极管是一种具有三个电极（基极、发射极和集电极）的器件。
根据国际电工委员会（IEC）的命名规则，三极管的命名通常包括以下几个部分：1.器件类型：用字母Q表示三极管（Transistor）。
2.器件材料：用字母N、P表示不同的材料，N表示NPN型三极管，P表示PNP型三极管。
3.器件用途：用字母A、B、C等表示不同的用途，比如A表示低频放大三极管，B表示中频放大三极管等。
4.器件电流：用字母和数字表示器件的额定电流，比如字母F表示0.5A，字母G表示1A等。
5.器件功率：用字母和数字表示器件的额定功率，比如字母A表示0.5W，字母B表示1W等。
三、二极管的工作原理和应用二极管是一种具有单向导电性的器件，它只允许电流在一个方向上通过。
当二极管的正极连接到正电压，负极连接到负电压时，二极管处于正向偏置状态，电流可以从正极流向负极。
而当正极连接到负电压，负极连接到正电压时，二极管处于反向偏置状态，几乎不允许电流通过。
二极管的命名规则
二极管的命名规则
嘿，你知道二极管的命名规则吗？就好像给人起名字一样，二极管也有它独特的命名方式呢！比如说常见的 1N4007 这个二极管，“1N”代表着它是一种半导体器件，这就好比人的姓氏一样。
然后“4007”呢，那就是它的具体编号啦，就如同人的名字是用来区分不同的个体一样。
在二极管的世界里，命名可是很有讲究的！为什么呢？你想啊，如果没有一个清楚的命名规则，那我们面对那么多种二极管不就晕头转向啦？就像在一个大班级里，如果大家都没有特定的名字，那老师怎么知道该叫谁回答问题呀！
不同的前缀、数字都有着特别的含义呢。
再比如说 BZX84C5V1，这里面的每个部分都有它的作用。
这就如同我们给自己搭配衣服一样，每件衣服的款式、颜色等都有它的意义呀！
所以说呀，二极管的命名规则可不是随便乱来的，那是非常重要的！它能让我们准确地认识和区分不同的二极管。
就像我们通过名字认出不同的人一样方便快捷。
这一点难道不是超级重要的吗？。
元器件命名规则
元器件命名规则
元器件命名规则通常包括以下几个方面：
1. 器件类型：例如，二极管、三极管、电容器等。
2. 材料：例如，硅、锗、氧化铝等。
3. 功能：例如，整流、放大、滤波等。
4. 极性：例如，正负极、源极、漏极等。
5. 封装形式：例如，贴片式、插针式、芯片式等。
6. 规格参数：例如，电压、电流、容量、频率等。
以二极管为例，其命名规则可表示为"D+材料+器件类型+极性+封装形式+规格参数"。
其中，D表示二极管。
例如，硅材料、整流功能、负极在左侧、贴片式、最高反向电压为50伏的二极管可命名为"D硅整流左负贴片50V"。
总之，元器件的命名规则需要全面考虑其各个方面的属性及功能特性，以确保命名的准确性和规范性。
二极管与三极管的命名以及辨别
• 第三部分：类别 • P：小信号管（普通管）， W：电压调整管和电压基准管
（稳压管），
• N: 阻尼管，Z：整流管，U：光电管， • K：开关管，B或C：变容管， • V：混频检波管，JP：激光管，S：隧道管， • CM：磁敏管，H：恒流管， • Y：体效应管，EF：发光二级管。
• 用万用表欧姆档 • 三极管基极确定后，通过交换表笔两次测量e、
c极间的电阻，如果两次测量的结果应不相等， 则其中测得电阻值较小的一次为红表笔接的是 e极，黑表笔接的是c极 • 对于PNP型三极管，方法与NPN管类似，只是 红、黑表笔的作用相反。
• 在测量e、c极间电阻时要注意，由于三极管的 V(BR)CEO很小，很容易将发射结击穿。
三极管
• 1、晶体管命名的国际标准 • 2、三极管管脚极性的辨别
第一部分
用字母表示器件使用的材料 • A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV 如锗 • B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV 如硅 • C-器件使用材料的Eg>1.3eV 如砷化镓 • D-器件使用材料的Eg<0.6eV 如锑化铟 • E-器件使用复合材料及光电池使用的材料
第二ห้องสมุดไป่ตู้分
用字母表示器件的类型及主要特征 A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极 管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、F-高频小功率三 极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路 中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔 元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功 率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极 管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。
中国二极管命名规则
中国二极管的命名规则通常由五个部分组成，具体如下：
1. 主称：用数字“2”表示主称为二极管。
2. 材料与极性：用字母表示二极管的材料与极性，如A代表N 型锗材料，B代表P型锗材料，C代表N型硅材料，D代表P型硅材料，E代表化合物材料。
3. 类别：用字母表示二极管的类别，如P代表小信号管（普通管），W代表电压调整管和电压基准管（稳压管），L代表整流堆，N代表阻尼管，Z代表整流管，U代表光电管，K代表开关管，B或C 代表变容管，V代表混频检波管，JD代表激光管，S代表遂道管，CM 代表磁敏管，H代表恒流管，Y代表体效应管，EF代表发光二极管。
4. 序号：用数字表示同一类别产品序号。
5. 规格号：用字母表示产品规格、档次。
通过这些字母和数字的组合，可以提供关于二极管特性和参数的信息，从而帮助用户快速识别和区分不同类型的二极管。
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各国晶体三极管型号命名方法
1、中国半导体器件型号命名方法
半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。
五个部分意义如下：
第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。
2-二极管、3-三极管
第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。
表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。
表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。
P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管
(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D -低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。
第四部分：用数字表示序号
第五部分：用汉语拼音字母表示规格号
例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管
2、日本半导体分立器件型号命名方法
日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成。
通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：
第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。
0-光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。
S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。
第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。
A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N沟道场效应管、M-双向可控硅。
第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。
两位以上的整数-从“11”开始，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。
第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。
A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。
3、美国半导体分立器件型号命名方法
美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。
美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：第一部分：用符号表示器件用途的类型。
JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、（无）-非军用品。
第二部分：用数字表示pn结数目。
1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。
第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。
N-该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记。
第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。
多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。
第五部分：用字母表示器件分档。
A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。
如：JAN2N3251A 表示PNP硅高频小功率开关三极管，JAN-军级、2-三极管、N-EIA注册标志、3251-EIA登记顺序号、
A-2N3251A档。
4、国际电子联合会半导体器件型号命名方法
德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。
这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下：
第一部分：用字母表示器件使用的材料。
A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV如硅、C -器件使用材料的Eg>1.3eV如砷化镓、D-器件使用材料的Eg<0.6eV如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料
第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。
A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、F-高频小功率三极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。
第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。
三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。
第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。
A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。
除四个基本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。
常见后缀如下：
1、稳压二极管型号的后缀。
其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母
A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、± 5%、±10%、±15%；其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。
2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。
3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。
如：BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。
5、欧洲早期半导体分立器件型号命名法
欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法。
第一部分：O-表示半导体器件
第二部分：A-二极管、C-三极管、AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器件。
第三部分：多位数字-表示器件的登记序号。
第四部分：A、B、C┄┄-表示同一型号器件的变型产品。
俄罗斯半导体器件型号命名法由于使用少，在此不介绍。