模电第06章模拟集成电路(康华光)

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《模拟电子技术基础(第五版 康华光主编)》 复习提纲

《模拟电子技术基础(第五版 康华光主编)》 复习提纲

模拟电子技术基础复习提纲第一章绪论)信号、模拟信号、放大电路、三大指标。

(放大倍数、输入电阻、输出电阻)第三章二极管及其基本电路)本征半导体:纯净结构完整的半导体晶体。

在本征半导体内,电子和空穴总是成对出现的。

N型半导体和P型半导体。

在N型半导体内,电子是多数载流子;在P型半导体内,空穴是多数载流子。

载流子在电场作用下的运动称为漂移;载流子由高浓度区向低浓度区的运动称为扩散。

P型半导体和N型半导体的接触区形成PN结,在该区域中,多数载流子扩散到对方区域,被对方的多数载流子复合,形成空间电荷区,也称耗尽区或高阻区。

空间电荷区内电场产生的漂移最终与扩散达到平衡。

PN结最重要的电特性是单向导电性,PN结加正向电压时,电阻值很小,PN结导通;PN结加反向电压时,电阻值很大,PN结截止。

PN 结反向击穿包括雪崩击穿和齐纳击穿;PN结的电容效应包括扩散电容和势垒电容,前者是正向偏置电容,后者是反向偏置电容。

)二极管的V-I 特性(理论表达式和特性曲线))二极管的三种模型表示方法。

(理想模型、恒压降模型、折线模型)。

(V BE=)第四章双极结型三极管及放大电路基础)BJT的结构、电路符号、输入输出特性曲线。

(由三端的直流电压值判断各端的名称。

由三端的流入电流判断三端名称电流放大倍数))什么是直流负载线什么是直流工作点)共射极电路中直流工作点的分析与计算。

有关公式。

(工作点过高,输出信号顶部失真,饱和失真,工作点过低,输出信号底部被截,截止失真)。

)小信号模型中h ie和h fe含义。

)用h参数分析共射极放大电路。

(画小信号等效电路,求电压放大倍数、输入电阻、输出电阻)。

)常用的BJT放大电路有哪些组态(共射极、共基极、共集电极)。

各种组态的特点及用途。

P147。

(共射极:兼有电压和电流放大,输入输出电阻适中,多做信号中间放大;共集电极(也称射极输出器),电压增益略小于1,输入电阻大,输出电阻小,有较大的电流放大倍数,多做输入级,中间缓冲级和输出级;共基极:只有电压放大,没有电流放大,有电流跟随作用,高频特性较好。

模拟电子技术康华光等主编ppt文档

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多数载流子(简称多子) 少数载流子(简称少子)
P 型半导体
掺入三价元素
+4 +34 接受一个 电子变为 负离子
空穴
+4 +4
硼原子
掺杂浓度远大于本 征半导体中载流子浓 度,所以,空穴浓度 远大于自由电子浓度。
空穴称为多数载流 子(多子),
自由电子称为少数 载流子(少子)。
半导体的特性: 热敏性:当环境温度升高时,导电能力明显 増强。(可制成温度敏感元件,如热敏电阻)
光敏性:当受到光照时,其导电能力明显变 化。(可制成各种光敏元件,如光敏电阻、 光敏二极管、光敏三极管、光电池等)。
掺杂性:往纯净的半导体中掺入某些杂质, 使其导电能力明显改变。
++++ ++++ ++++
N型半导体
P型半导体
无论是P型半导体还是N型半导体都是中性的, 通常对外不显电性。
掺入的杂质元素的浓度越高,多数载流子的数 量越多。
由于温升、光照等原因,共价键的电子容易 挣脱键的束縛成为自由电子。这是半导体的一 个重要特征。
室温下,由于热运动少数价电子挣脱共价 键的束缚成为自由电子,同时在共价键中留下 一个空位,这个空位称为空穴。失去价电子的 原子成为正离子,就好象空穴带正电荷一样。
在电子技术中,将空穴看成带正电荷的载流 子。
点接触型二极管PN结面积很小,结电容很
小,多用于高频检波及脉冲数字电路中的开关
元件。
面 接 触 型 二 极 管 PN 结 面 积 大 , 结 电 容 也 小
界面处将形成一个特殊的薄层→ PN结。
扩散与漂移达到动态平衡 形成一定宽度的PN结
多子
形成空间电荷区
扩散
产生内电场
阻止

清华杨素行第三版模电第6章

清华杨素行第三版模电第6章
一般集成运放的输入偏置电流愈大,其失调电流愈大。
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7. 差模输入电阻 rid
rid的定义是rid =
Δ UId Δ IId
用以衡量集成运放向信号源索取电流的大小。
8. 共模抑制比KCMR
它的定义是KCMR = 20lg
Aod Acd
用以衡量集成运放抑制温漂的能力。
9. 最大共模输入电压 UIcm 集成运放输入端所能承受的最大共模电压。
上页 首页
第三节 集成运放的基本组成部分
偏置电路 差分放大输入级 中间级 输出级
下页 总目录
集成运放的基本组成部分
克服零 点漂移
提供电压 放大倍数
输入级
中间级
提供负载所 需功率及效

输出级
偏置电路
集成运放的基本组成
向各放大级 提供合适的
偏置电流
上页 下页 首页
一、偏置电路
镜像电流源是最简单、最基本的电流源,而比例电流源和微电流源都是在镜 像电流源的基础上,稍加变化、发展而得到的。
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10. 最大差模输入电压 UIdm 集成运放反相输入端与同相输入端之间能够承受的最 大电压。
11. -3dB带宽 fH Aod下降 3dB 时的频率。
12. 单位增益带宽 BWG
Aod降至 0dB 时的频率。 13. 转换速率 SR 在额定负载条件下,输入一个大幅度的阶跃信号时, 输出电压的最大变化率,单位为V/μs。
1. 镜像电流源
+VCC
IREF
VCC - UBE1 R
IC2
I REF
1 1
2
当β >>2 时
R 2IB
IC1 IB1

模电教学课件,康华光,第

模电教学课件,康华光,第
● a. 直观展示:通过动画、视频等方式,直观展示电路原理和现象 ● b. 互动性强:学生可以通过操作课件进行模拟实验,提高学习兴趣 ● c. 节省时间:减少教师板书时间,提高教学效率 ● d. 资源共享:便于教师和学生共享课件,提高教学资源利用率
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,
汇报人:
01
02Biblioteka 030405
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模电教学课件是一种用于教授 模拟电子技术的教学工具
课件内容主要包括模拟电子技 术的基本概念、原理、应用等
课件形式多样,包括PPT、视 频、动画、实验等
课件旨在帮助学生更好地理解 和掌握模拟电子技术,提高学 习效果
19世纪末,电子技术开始应用于教学领域
20世纪初,电子技术在教学中的应用逐渐普 及
评价高:受到广大师生和业界专家的高度 评价和认可
基础知识:介绍 模电的基本概念、 原理和公式
实例分析:通过具 体的电路实例,讲 解模电的应用和设 计
实验操作:介绍 模电实验的操作 步骤和注意事项

模电 康华光 第六版

模电 康华光 第六版


vs

vn -
Rsi
vp +
100k ip
信号

RL 1k
vo

负载
有电压跟随器时 根据虚短和虚断 ip≈0,vp=vs vo=vn≈ vp= vs
2.3.2 反相放大电路
1. 基本电路
i2= i1 R2
vi
R1
ii=0 vn+ -
ii
vp

i1 R1
N i2
R2 O
虚短


vn≈vp=0
vo
vi -
2.3.1 同相放大电路
1. 基本电路
vp +


v-id -
vi -
R2
vn
R1
vo

vi
vp
ip →

vid=0

→in
+ -

Avo(vp-vn)

vo

iR R2
vn= vi R1
iR
vn R1
vi R1
(a)电路图
(b)小信号电路模型
2.3.1 同相放大电路
2. 几项技术指标的近似计算
N
i1
i4
vo
2.4.1 求差电路
一种高输入电阻的差分电路 如何提高输入电阻?
vi2

A2
vi2
R2 P
R3

i2 vp
i3 +
vo
A3
vn
-
vi1

R1
R4
A1
vi1

N
i1
i4
2.4.2 仪用放大器

模电康华光第五版1学习教案

模电康华光第五版1学习教案

vP或v+:同相输入端,信号从此端输入(vN=0) ,输出信号 和输入信号同相。
vO:输出端。
vN
vN
vO
vO
vP
vP
图运算放大器的代表符号
(a)国家标准规定的符号 (b)国内外常用符号
▷表示信号从左(输入端)向右(输出(shūchū)端)传输的方
向。
第第6六页页,/共共550页0。页
2. 运算放大器的电路(diànlù)模型
(-60μV,-12V)
第1第2十二页页,/共共505页0。 页
2.2 理想(lǐxiǎng)运算放大器
1. vo的饱和(bǎohé)极限值等于运 放的电源电压V+和V-
2. 运放的开环电压(diànyā) 增益很高
若(vP-vN)>0 则 vO= +Vom=V+
若(vP-vN)<0 3. 若V则-<vvOO=<–VV+om=V-
第第2二0十页页,/共共550页0。页
2.3 基本(jīběn)线性运放电 路
同相放大(fàngdà)电路
反相放大(fàngdà)电路
第第2二1十页一页/,共共550页0。页
同相放大(fàngdà)电路
1. 基本(jīběn)电路
(a)电路图
(b)小信号电路模型 (móxíng)
图同相放大电路
第第2二2十页二页/,共共550页0。页
同相放大(fàngdà)电路
2. 负反馈的基本概念
▪ 反馈(fǎnkuì):将放大电路输 出量,通过某种方式送回到输入 回路的过程。
▪ 瞬时(shùn shí)电位变化极性——某时刻电位 的电斜路率有 vo = Avo (vp-vn) 引入反馈后 vn 0,vp(vi)不变 → (vp-vn)↓ → vo↓ 使输出减小了,增益Av=vo/vi下降了,这时的反馈称为负反馈。

电子技术基础模拟部分(第六版) 康华光ch

电子技术基础模拟部分(第六版) 康华光ch
允许低频信号通过,抑制高频信 号。
全通滤波电路(APF)
对所有频率的信号都有相同的传 递函数。
滤波电路的分析方法
解析法
通过数学公式推导电路的 传递函数和频率响应。
实验法
通过实验测试电路的实际 性能。
近似法
对电路进行近似处理,简 化分析过程。
滤波电路的应用实例
音频信号处理
用于消除噪音、增强音质。
图像信号处理
感谢您的观看
振荡电路用于产生本机振荡信号,用于调制和解调无 线信号。
音频信号处理
振荡电路可以用于产生音频信号,如合成器和效果器 中的音源。
测量仪器
振荡电路用于产生稳定的频率信号,如示波器和频谱 分析仪中的信号源。
06 电源电路
电源电路的组成和工作原理
电源电路的组成
电源电路主要由电源、负载和中间环节组成。电源是产生电 能的装置,负载是消耗电能的装置,中间环节则起到传输电 能的作用。
用于图像增强、去噪。
通信系统
用于信号的提取、抑制干扰。
05 振荡电路
振荡电路的组成和工作原理
1 2 3
组成
振荡电路由放大器、反馈网络和选频网络三个部 分组成。
工作原理
振荡电路通过正反馈和选频网络的选频作用,将 输入信号中的特定频率成分不断放大,最终输出 稳定的振荡信号。
振荡条件
要产生振荡,必须满足一定的相位和幅度条件, 即|AF|=1和ΔΦ=2π(n-1),其中A为放大倍数,F 为反馈系数,n为自然数。
电子技术基础模拟部分(第六版) 康华光ch
目 录
• 电子技术概述 • 模拟电路基础 • 放大电路 • 滤波电路 • 振荡电路 • 电源电路
01 电子技术概述

模电 康华光(第五版)

模电  康华光(第五版)

1.1.2 杂质半导体
杂质半导体有两种
N 型半导体 P 型半导体
一、 N 型半导体
在硅或锗的晶体中掺入少量的 5 价杂质元素,如 磷、锑、砷等,即构成 N 型半导体(或称电子型半导
体)。
常用的 5 价杂质元素有磷、锑、砷等。
本征半导体掺入 5 价元素后,原来晶体中的某些 硅原子将被杂质原子代替。杂质原子最外层有 5 个价 电子,其中 4 个与硅构成共价键,多余一个电子只受 自身原子核吸引,在室温下即可成为自由电子。 自由电子浓度远大于空穴的浓度,即 n >> p 。电 子称为多数载流子(简称多子),空穴称为少数载流子 (简称少子)。
稳压管的参数主要有以下几项: 4. 电压温度系数 U 稳压管电流不变时,环境温度每变化 1 ℃ 引起稳定 电压变化的百分比。 (1) UZ > 7 V, U > 0;UZ < 4 V,U < 0; (2) UZ 在 4 ~ 7 V 之间,U 值比较小,性能比较稳
很小的正向电阻,如同开关闭合;加反向电压时截止, 呈现很大的反向电阻,如同开关断开。 从二极管伏安特性曲线可以看出,二极管的电压与 电流变化不呈线性关系,其内阻不是常数,所以二极管 属于非线性器件。
1.2.3 二极管的主要参数
1. 最大整流电流 IF 二极管长期运行时,允许通过的最大正向平均电流。 2. 最高反向工作电压 UR 工作时允许加在二极管两端的反向电压值。通常将 击穿电压 UBR 的一半定义为 UR 。 3. 反向电流 IR
I/mA
+ -
1.2.5 稳压管
一种特殊的面接触型半 导体硅二极管。 稳压管工作于反向击穿
正向
U
O
+
区。

电子技术基础(模拟部分)第五版_第6章_康华光

电子技术基础(模拟部分)第五版_第6章_康华光
(2)电流源电路用于模拟集成放大器中 以稳定静态工作点,这对直接耦合放大器是十分重要的。
(3)用电流源做有源负载,可获得增益高、 动态范围大的特性。
(4)用电流源给电容充电,以获得线性电压输出。
(5)电流源还可单独制成稳流电源使用。
(6)在模拟集成电路中,常用的电流源电路有: 镜象电流源、精密电流源、 微电流源、多路电流源等。
IC=0 IC 0 VCC=0 VBB
T
VBB
6.2 差分式放大电路
6.2.0 概述
直接耦合放大电路 零点漂移
差分式放大电路中的一般概念
6.2.1 射级耦合差分式放大电路
电路组成及工作原理 主要指标计算 抑制零点漂移原理 几种方式指标比较
6.2.2 FET差分式放大电路 6.2.3 差分式放大电路的传输特性
集成电路的优点
• 有体积小、功耗小、功能强、可靠 性好的优点,故得到发展。
• 最早源于航天技术的启示和应用。
6.1 模拟集成电路中的 直流偏置技术
BJT电流源
FET电流源
电 流 源 概 述
(1)电流源电路是一个电流负反馈电路, 并利用PN结的温度特性,对电流源电路进行温度补偿, 以减小温度对电流的影响。
4. 多路电流源
R
VCC
组成
IREF
T0
IC T ∑IB T1
IC1
IC2
IC3
公式推导
IC=IREF - ∑ IB/β
T2
Re2 Re3
T3
Re
Re1
当β较大时 IC=IREF 由于各管的β, VBE相同,则 IERE≈IREFRE=IE1RE1=IE2RE2=IE3RE3 所以 IC1≈IE1=IREFRE/RE1 IC2≈IE2=IREFRE/RE2 IC3≈IE3=IREFRE/RE3

模电电子教案,康华光PPT课件

模电电子教案,康华光PPT课件

uD
iD≈IS e U T
(uD/UT>>1)
14
1.2.2 PN结的击穿
• 1、 雪崩击穿
• 当反向电压增加时,内电场亦加强,使少数载流子在漂移 过程中受到更大作用力产生加速运动,它们可能在与共价 键中的价电子碰撞时将价电子“撞”出共价键而产生自由 电子—空穴对,新的自由电子—空穴对被电场加速后又可 能撞出更多的自由电子—空穴对。如此连锁反应,当反向 电压达到一定程度时,便产生类似雪崩的效应,从而使载 流子倍增而引起电流的急剧增加。
本章先介绍半导体的基础知识,然后重点讨 论最基本的半导体器件器件——二极管的物 理结构、工作原理、特性曲线、主要参数以 及二极管的基本电路与分析方法。
4
1.1
半导体基础知识
1.1.1 体
本征半导
• 导电性能介于导 体和绝缘体之间 的物质称为半导 体。纯净的、具 有晶体结构的半 导体称为本征半 导体。
• 在数字电路中,常利用二极管单向导电性的开关 作用,组成各种开关电路,实现相应的逻辑功能。 在分析这类电路原则仍然是判断电路中的二极管 是导通还是截止。
• 例求DA1U、.A4和D.2BU为电B在理路不 想如同二图的极所组管示合。,下当,UA输和出U电B为位0VU或Y的5值V时,,设 • 解向时出:偏现(置两1电)个压U二为A=1极02VV管,,同UD时BB=的正5V正向,向偏由偏置电置。路电在可压这知为种,1情7DV况A,的下此正,
正输偏向出置偏电,置 位 因U电 而YD压钳A大制截的止在二5。V极,管而首D先A因导D通B导,通即处DB于导反通向, 24
1.4.3 开关电路
• (值列2)入依表此1.类4.1推中,。UA和UB在不同的组合下,输出电位UY的 表1.4.1

康华光-电子技术基础(第六版)模拟部分ch06

康华光-电子技术基础(第六版)模拟部分ch06
AV f ( )
输入
放大电路
输出
前两章分析放大电路的性能指标时,是假设电路中所有耦合电容 和旁路电容对信号频率来说都呈现非常小的阻抗而视为短路;FET或 BJT的极间电容、电路中的负载电容及分布电容对信号频率来说都呈 现非常大的阻抗而视为开路。
5
华中科技大学 张林
6.1 放大电路的频率响应
为简化分析,设低频区内,有
1
Cs Rs
则Rs可作开路处理
Cb1 g
. d Id

Rsi .
+ Vi Rg . Vs -

+ . Vgs -
s
. gm Vgs
Rd Cs
Cb2 RL
Cb1 g +
Rsi
+ . Vs -
. Vi Rg -

. Vo

. d Id
Cb2


. Vgs
. gm Vgs

. d Id
Cb2


. Vgs
. gm Vgs
- s
Rd
. RL Vo
Cs -




Vo

RL


Rd
1

gmVgs


Rd

RL

jCb2

由前两个方程得
gmVgs 1
1 1

Rg 1 Vs

gm jCs
Rsi Rg jCb1
19
华中科技大学 张林
幅频响应 AVL
1 1 ( fL / f )2
当 f fL 时,
1
AVL

模电(康华光)课后习题讲解

模电(康华光)课后习题讲解

第二章2.4.1电路如图题2.4.1所示。

(1)利用硅二极管恒压降模型求电路的I D 和 V o 的值;(2)在室温(300K )的情况下,利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。

解(1)求二极管的电流和电压mA A V R v V I D DD D 6.8106.8101)7.0210(233=⨯=Ω⨯⨯-=-=- V V V V D O 4.17.022=⨯==(2)求v o 的变化范围图题2.4.1的小信号模型等效电路如图解2.4.l 所示,温度 T =300 K 。

Ω≈==02.36.826mAmV I V r D T d 当r d1=r d2=r d 时,则mV V r R r V v d d DDO 6)02.321000(02.32122±=Ω⨯+Ω⨯⨯±=+∆=∆O v 的变化范围为)(~)(O O O O v V v V ∆-∆+,即1.406V ~1.394V 。

2.4.3二极管电路如图2.4.3所示,试判断图中的二极管是导通还是截止,并求出AO 两端电压V AO 。

设二极管是理想的。

解 图a :将D 断开,以O 点为电位参考点,D 的阳极电位为-6 V ,阴极电位为-12 V ,故 D 处于正向偏置而导通,V AO =–6 V 。

图b :D 的阳极电位为-15V ,阴极电位为-12V ,D 对被反向偏置而截止,V AO =-12V 。

图c :对D 1有阳极电位为 0V ,阴极电位为-12 V ,故D 1导通,此后使D 2的阴极电位为 0V ,而其阳极为-15 V ,故D 2反偏截止,V AO =0 V 。

图d :对D 1有阳极电位为12 V ,阴极电位为0 V ,对D 2有阳极电位为12 V ,阴极电位为 -6V .故D 2更易导通,此后使V A =-6V ;D 1反偏而截止,故V AO =-6V 。

2.4.4 试判断图题 2.4.4中二极管是导通还是截止,为什么? 解 图a :将D 断开,以“地”为电位参考点,这时有V V k k V A 115)10140(10=⨯Ω+Ω=V V k k V k k V B 5.315)525(510)218(2=⨯Ω+Ω+⨯Ω+Ω=D 被反偏而截止。

模电第06章模拟集成电路(康华光)

模电第06章模拟集成电路(康华光)

RC IC2 IB2
RB2
+VCC
RB1
VCC VBE 1 VBE 1 I B1 I B 2 RB 2 RB1 IC1=IC2= 1 IB1
VCE1=VCE2= VCC -IC1 RC
(2)差模动态分析 目的:求 Avd ,Rid, Ro , KCMR
(1-18)
动态分析(双入双出) +VCC RB2 RC RC RB2 vi 从两输入端之 RL 间输入信号; RB1 RB1 + vo – T2 T1 vo从两管集电极 输出电压; vi1 – – vi2 + 差模信号 + 相当于: + vi – vi1=-vi2=vi/2 小信号电路: +
RC // RL 差模电 A =v /v = 1 vd o i 2 ( rbe RB 2 ) RB1 r 压增益: be
RB 2
差模输入电阻:Rid=2(RB1 +RB2 //rbe) 输出电阻:Ro=RC
(1-23)
(3)共模动态分析 RB2 RC 目的:求Avc ,KCMR 零漂信号相当于在 RB1 T1 两个输入端加入了 共模信号。 + vi1 – 当有零漂时: + vic vi1=vi2=vic 这时共模电压增益? 共模小信号电路如图:
IREF IC1
VCC
R 2IB
IC2=Io
T2
T1
(2)镜像电流源的作用 作用1:静态时可作为恒流源 ∵当 较大时, IB可以忽略:
-VEE
VCC VBE ( VEE ) Io=IC2≈IREF= R
当VCC,VEE ,R 恒定时, 输出电流Io 恒定
(1-2)
作用2:动态时可作为动态电阻

模电(第五版)康华光_第六章

模电(第五版)康华光_第六章
零漂: 输 入 短 路 时 , 输 出仍有缓慢变化 的电压产生。
主要原因: 温度变化引起,也称温漂。 温漂指标: 温度每升高1℃时,输出漂移电压按电压增益 折算到输入端的等效输入漂移电压值。
零点漂移是怎样形成的
运算放大器均是采用直接耦合方式,而直接耦
合方式放大电路的各级Q点是相互影响的,由于各级
的放大作用,第一级的微弱变化,会使输出级产生 很大的变化。当输入短路时(由于一些原因使输入
I B1 I B2
IC β
Vo = 0
动态 仅输入差模信号, vi1 和 vi2 大小相等,相位相反。 vc1 和 vc2 大小相等, 相位相反。 vo vc1 vc2 0 ,
信号被放大。
仅输入共模信号, vo
vc1 vc2 0
2.
抑制零点漂移原理 温度变化和电源电压波
按功能分为数字集成电路和模拟集成电路。
在模拟集成电路中集成运放是应用极为广泛的一种。
集成运放的基本单元电路:电流源和差分式放大电路。
6.1 模拟集成电路中的 直流偏置技术
6.1.1 BJT电流源电路
1. 镜像电流源 2. 微电流源
*3. 高输出阻抗电流源
*4. 组合电流源
6.1.2 FET电流源
1. MOSFET镜像电流源 2. MOSFET多路电流源
1=2=
VBE1=VBE2= VBE rbe1= rbe2= rbe ICBO1=ICBO2= ICBO Rc1=Rc2= Rc
信号的输入方式:若信号同 时从两个输入端输入,称为 双端输入; 若信号仅从一 个输入端对地加入,称为单 端输入。
信号的输出方式:差分放大电路可以有两个输出端,一
个是集电极C1,另一个是集电极C2。从C1 和C2输出称为 双端输出,仅从集电极 C1或C2 对地输出称为单端输出。

电子技术基础模拟部分(第五版)康华光总复习课件

电子技术基础模拟部分(第五版)康华光总复习课件

vi 2
5 4
vi1
2vi 2
18
二、习题
习题2.4.6 加减运算电路如图所示,求输出电压:vo的表达式。
令 vi1= vi2 = vi4 =0,
R1 40kΩ
R6
vi1
vi2 vi3
R2 25kΩ R3 10kΩ

vn
+
vp
vi4
R4 20kΩ
vo''
(1
R6 ) R1 // R2
R4 // R5 R3 R4 // R5
(2)同相输入加法运算电路
RP R11 // R12 // R RN R1 // Rf
uo
(1
Rf R1
)( RP R11
ui1
RP R12
ui2 )
当 RP = RN时,
uo
Rf R1
ui1
Rf R2
ui2
3、减法运算电路
RP R2 // R3 RN R1 // Rf
uo
(1
Rf R1
二、习题
习题2.4.6 加减运算电路如图所示,求输出电压vo的表达式。
解: 利用“虚短”、“虚断” 和叠加
R1 40kΩ
R6
vi1
原理 令 vi3= vi4 =0, 可看作是求和电路
vi2 vi3
R2 25kΩ R3 10kΩ

vn
+
vp
R4 20kΩ
vi4
R5
30kΩ
vo
vo'
R6 R1
vi1
R6 R2
iE

静态分析: 直流通路
IBQ
VCC Rb
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双入双出:
差模电 压增益:
Avd=vo/vi
=
βRC
//
RL 2
(rbe
RB2 )RB1 RB 2
rbe
差模输入电阻:Rid=2(RB1 +RB2 //rbe)
输出电阻:Ro=2RC
双入单出——请自己分析!
差模电 压增益:
Avd=vo/vi
=
1 2
RC // RL
(rbe
RB2 )RB1 RB 2
– +
ib
ib vo1 RC -
vo2 - RC
ib
RB1 ii
rbe RB2
差模电 压增益:
Avd=vo/vi
= [ βRC
//
RL ] /[ (rbe 2
RB2 )RB1 RB 2
rbe ]
差模输入电阻:
Rid=2(RB1 +RB2 //rbe) 输出电阻:
Ro=2RC
(1-21)
差模动态分析总结
RP作用: 保证两个电路的对称。 RP很小 。
(1-26)
2.抑制零点漂移原理 静态时(vi1=vi2 =0):
RC RB IC1
vo1
1.零漂现象 ——输入vi=0时, 输出有缓慢变化的电压产生。
2.产生零漂的原因
由温度等变化引起的。
当温度变化使第一级放大
+ ui
器的静态值发生微小变化 —
时,这种变化量会被后面的
电路逐级放大,最终在输出
端产生较大的电压漂移。
因而零点漂移也叫温漂。
Rc1 Rb1
T1 Re1
u o
Re2
+ VCC
+u o T2
第六章 模拟集成电路
重点: 1.理解镜像电流源的组成及其分析方法; 2.掌握差分式放大电路的分析方法; 3.了解集成电路运算放大器的组成。
§6.1模拟集成电路中的直流偏置技术
直流偏置——提供恒定工作点电流(恒流源)
一 . BJT电流源电路
1. 镜像电流源
(1)电路组成
T1,T2参数相同,包括1=2
与双入双出 相同
差模电 压增益:
Avd=vo/vi
=
1 2
RC // RL
(rbe
RB2 )RB1 RB 2
rbe
差模输入电阻:Rid=2(RB1 +RB2 //rbe) 输出电阻:Ro=RC
与双入单出 相同
(1-23)
(3)共模动态分析 2种:①双出;②单出 目的:求Avc ,KCMR 零漂信号相当于在
)RB1
rbe
(1-25)
二 . 典型差动放大电路
1. 电路组成
RC RB
vo1
vo2
RC +VCC RB
T1 RP T2
RE
vi1
-VEE
vi2
RE作用: 稳定Q点,限制每个管子的漂移,使电路既能双端 输出,又能单端输出。RE越大, 抑制零漂效果越好。
VEE作用: 补偿静态时RE上的压降,获得合适的Q点。
IB1=IB2
RB2 RC RB1 IC1
IB1
+
vCE1 -
RC RB2+VCC
+
IC2
RB1
vCE2 -
IB2
VCC VBE1 VBE1
RB 2
RB1
IC1=IC2= 1 IB1
VCE1=VCE2= VCC -IC1 RC
(2)差模动态分析
四种:①双入双出;②双入单出;③单入双出;④单入单出。
共模电压增益: Avc=voc/vic ——越小越好
总输出电压: vo=vod+voc= Avdvid+ Avc vic
共模抑制比: KCMR =
Avd AvC
——反映抑制零漂能力,越大越好
(1-17)
4.基本差动放大电路的分析与计算
(1)静态分析 目的:求 IB, IC, VCE 直流通路如图:
单端输出时:
ib
=
ii
RB 2 rbe RB2
ii
=
ib
rbe RB2 RB 2
这种电路不 可单端输出
vic=ii·RB1+ib·rbe =
ib [ ( rbe
RB2 RB 2
)RB1
rbe ]
voc=voc1=voc2 =-ib·RC //RL
A VC
=
(rbe
βRC // RL
RB2 RB 2
任意两个输入信号vi1、vi2均可分解为:
vi1=vic+vid/2
vi2=vic-vid /2
(1-15)
vi1=vic+vid/2 vi2=vic-vid/2 其中: vic=(vi1+vi2)/2 ——共模输入信号 vid=(vi1-vi2) ——差模输入信号
RB2 RB1
RC + vo –
rbe
差模输入电阻:Rid=2(RB1 +RB2 //rbe)
输出电阻:Ro=RC
(1-22)
单入双出——请自己分析!
差模电 压增益:
Avd=vo/vi
=
βRC (rbe RB2
// RL 2
)RB1
差模输入电阻:Rid=2(RB1
+RRBB2
2
//rbe)
rbe
输出电阻:Ro=2RC
单入单出——请自己分析!
Io= ID2=Kn2 (VGS –VT2 )2
-VSS
(1-7)
2. MOSFET多路镜像电流源
+VDD
T3 IREF
T1
-VSS
ID2
T2 + V- GS
ID3 T3
ID4 T4
——当VDD ,VSS ,VGS 恒定时, 各输出电流 恒定。
(1-8)
3. JFET电流源
作用1:静态时可作为恒流源
——采用差动放大电路。 差动放大电路是抑制零点漂移最有效的电路结构。
(1-12)
一 . 基本差动放大电路
1. 电路组成
两管特性及元件 的参数值相等, 静 态工作点相同。
有两个输入端、 两个输出端。
RB2 RB1
RC
IC1
T1
+ vo –
+ vo1
+ vo2
T2
RC
IC2
--
RB2+VCC RB1
+
- VEE
t
0
(1-11)
3.零点漂移的危害 直接影响对输入信号测量的准确程度和分辨能力。
严重时,可能淹没有效信号电压,无法分辨是有效 信号电压还是漂移电压。
4. 减小零漂的措施 减少第一级零漂是关键。只有输入端的等效漂移电
压比输入信号小许多时,放大后的有用信号才能被很好 地区分出来。
减小零漂的措施:
ro 的推导过程: 求ro 的图如右下图所示。设从T1基极看进去的电阻为R':
R
vbe1 ib2
vbe1
vbe1 vbe1 (1
) vbe1
R
//
rce1
//( rbe1
1
)
0
R rce1
rbe1
vo=rce2(io-ib2)+(io+ib2)Re2
ib2
io
rbe2
Re2 R
Re2
vi1
––
vi2
+
2.抑制零点漂移原理 静态时,vi1= vi2 = 0, vo=VC1-VC2=0 当温度升高时IC VC1,VC1 (两管变化量相等) vo=(VC1+VC1)-(VC2+VC2)=0 ——利用对称性抑制零漂 ——对称差动放大电路对两管的漂移有抑制作用。
(1-14)
3.差动放大电路几个基本概念
ID=Io
-VSS
iD id
vds
VGS =0 Io= ID=IDSS (1-VGS/Vp )2
=IDSS ——恒流
作用2:动态时可作为大电阻rds
VGS vDS
ds 两端表现出的动态电阻数值:
rds=ro=vds/id ——较大
(1-9)
§6.2 差分式放大电路
集成电路的工艺特点:
(1)元器件具有良好的一致性和同向偏差,因而特别有利 于实现需要对称结构的电路。
RC
+ T1 vo1
-
+ vo2
T2
-
RB2+VCC RB1
+
vi1
––
vi2
+
可见, 相对vi1、vi2而言: ——vic 是一对大小相等、相位相同的信号。
零漂信号即以此形式输入。因为当温度变化时:将使 两管集电极电流产生变化,且两管变化趋势是相同的,其 效果相当于在两个输入端加入了共模信号。
—— vid 是一对大小相等、相位相反的信号。有用信号 以此形式输入。
(1-2)
作用2:动态时可作为动态电阻 ∵静态恒流 ∴ T1 T2输出特性稳定:
iC iC IB
vCE vCE
VCC
R IREF 2IB IC1
T1
外电路
IC2=Io
T2
-VEE
T2的c e两端表现出的动态电阻数值:
rce2=ro=vCE/Ic
——较大,一般ro在几百千欧以上。
(1-3)
2. 微电流源 作用1——静态时可作为恒流源
RC -
- RC
rbe RB2
vic -
(1-24)
ii RB1
ib
+
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