内存品牌

合集下载

各品牌内存颗粒列表

各品牌内存颗粒列表

各品牌内存颗粒列表RX330Compatible DDR333 (PC2700) 184 Pin Unbuffered DIMM memory Modules Compatible DDR400 (PC3200) 184 Pin Unbuffered DIMM memory Modules Compatible DDR333 (PC2700) 184 Pin Unbuffered DIMM memory ModulesBit4RamDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB BDU03264B5BC1DC-60 2.5 8 32M x 8 Unknown512 MB BDU06464H1BC2DC-60 2.5 16 32M x 8 UnknownBuffaloDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB DD333-256/IB 2.5 8 32M x 8 Infineon HYB25D256800BT-6512 MB DD333-512/IB 2.5 16 32M x 8 Infineon HYB25D256800BT-6EdgeDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB M2U25H64DS8HB1G-6K 2.5 16 32M x 64 Elixir N2DS12H80BT-6KElixirDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB M2U25H64DS8HB1G-6K 2.5 16 32M x 64 Elixir N2DS12H80BT-6KElpidaDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number1 GB EBD11UD8ABFB-6B 2.5 16 64M x 8 Elpida EDD5108ABTA-6BGeilDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB GE2562700 2.5 8 32M x 8 Geil GL3LC32G88TG-6GigaramDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB GR9053-256/333 2.5 8 32M x 8 Mosel Vitelic V58C2256804SAT5B 512 MB GR9053-512/333 2.5 16 32M x 8 Mosel Vitelic V58C2256804SAT5B1 GB GR9053-1GB/333 2.5 16 64M x 8 Micron MT46V64M8HynixDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number128 MB HYMD216646A6J-J AA 2.5 4 16M x 16 Hynix HY5DU561622A T-J 128 MB HYMD216646C6J-J 2.5 4 16M x 16 Hynix HY5DU561622CT-J128 MB HYMD116645B8J-J AA 2.5 8 16M x 8 Hynix HY5DU28822BT-J 256 MB HYMD132645B8J-J AA 2.5 16 16M x 8 Hynix HY5DU28822BT-J 256 MB HYMD232646A8J-J AA 2.5 8 32M x 8 Hynix HY5DU56822AT-J 256 MB HYMD232646B8J-J 2.5 8 32M x 8 Hynix HY5DU56822BT-J512 MB HYMD264646A8J-J AA 2.5 16 32M x 8 Hynix HY5DU56822A T-J 512 MB HYMD264646B8J-J 2.5 16 32M x 8 Hynix HY5DU56822BT-J512 MB HYMD564646A8J-J 2.5 8 64M x 8 Hynix HY5DU12822A T-J1 GB HYMD512646A8J-J 2.5 16 64M x 8 Hynix HY5DU12822AT-JInfineonDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number128 MB HYS64D16301GU-6-B 2.5 4 16M x 16 Infineon HYB25D256160BT-6 256 MB HYS64D32300GU-6-B 2.5 8 32M x 8 Infineon HYB25D256800BT-6 256 MB* HYS72D32300GU-6-B 2.5 8 32M x 8 Infineon HYB25D256800BT-6 256 MB HYS64D32300HU-6-C 2.5 8 32M x 8 Infineon HYB25D256800CE-6 512 MB HYS64D64320GU-6-B 2.5 16 32M x 8 Infineon HYB25D256800BT-6 1 GB HYS64D128320GU-6-A 2.5 16 64M x 8 Infineon HYB25D512800AT-6*Denotes ECCKingMaxDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB MPMB62D-38KT3R 2.5 8 32M x 8 Kingmax KDL388P4LA-60512 MB MPMC22D-38KT3R 2.5 8 32M x 8 Kingmax KDL388P4LA-60Kingston TechnologiesDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number128 MB KVR333X64C25/128 2.5 4 16M x 16 Unknown256 MB KVR333X64C25/256 2.5 8 32M x 8 Unknown256 MB KVR333X64C25/256 2.5 8 32M x 8 Hynix HY5DU56822BT-J512 MB KVR333X64C25/512 2.5 16 32M x 8 Unknown512 MB KVR333X64C25/512 2.5 16 32M x 8 Hynix HY5DU56822BT-J1 GB KVR333X64C25/1G 2.5 16 64M x 8 Micron MT46V64M8TG-6TMicronDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB MT8VDDT3264AG-335C4 2.5 8 32M x 8 Micron MT46V32M8-6T256 MB MT8VDDT3264AG-335G4 2.5 8 32M x 8 Micron MT46V32M8TG-6TG 512 MB MT16VDDT6464AG-335C4 2.5 16 32M x 8 Micron MT46V32M8-6T 512 MB MT16VDDT6464AG-335G4 2.5 16 32M x 8 Micron MT46V32M8-6TG 1 GB MT16VDDT1284AG-335C1 2.5 16 64M x 8 Micron MT46V64M8TG-6TCMosel VitelicDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB V826632K24SATG-C0 2.5 8 32M x 8 Mosel Vitelic V58C2256804SAT6 512 MB V826664K24SATG-C0 2.5 16 32M x 8 Mosel Vitelic V58C2256804SAT6NanyaDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number128 MB NT128D64SH4B1G-6K 2.5 4 16M x 16 Nanya NT5DS16M16BT-6K 256 MB NT256D64S88B1G-6K 2.5 8 16M x 16 Nanya NT5DS32M8BT-6K512 MB NT512D64S8HB1G-6K 2.5 16 32M x 16 Nanya NT5DS32M8BT-6KOCZ TechnologyDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB OCZ333256P 2.5 8 32M x 8 OCZ X4P560840A-50512 MB OCZ333512P 2.5 16 32M x 8 OCZ X4P560840A-50SamsungDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number128 MB M368L1624DTM-CB3 2.5 4 16M x 16 Samsung K4H561638D-TCB3 128 MB M368L1624FTM-CB3 2.5 4 16M x 16 Samsung K4H561638F-TCB3 128 MB M368L1713DTM-CB3 2.5 8 16M x 8 Samsung K4H280838D-TCB3 256 MB M368L3313DTM-CB3 2.5 16 16M x 8 Samsung K4H280838D-TCB3 256 MB M368L3223DTM-CB3 2.5 8 32M x 8 Samsung K4H560838D-TCB3 256 MB M368L3223ETN-CB3 2.5 8 32M x 8 Samsung K4H560838E-TCB3256 MB M368L3223FTN-CB3 2.5 8 32M x 8 Samsung K4H560838F-TCB3512 MB M368L6423ETN-CB3 2.5 16 32M x 8 Samsung K4H560838E-TCB3 512 MB M368L6423FTN-CB3 2.5 16 32M x 8 Samsung K4H560838F-TCB3 512 MB M368L6523BTN-CB3 2.5 8 64M x 8 Samsung K4H510838B-TCB31 GB M368L2923BTN-CB3 2.5 16 64M x 8 Samsung K4H510838B-TCB3SimpletechDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB S256M3NHK1QK-AT 2.5 8 32M x 8 Micron MT46V32M8-5B512 MB S512M3NHK2QK-AT 2.5 16 32M x 8 Micron MT46V32M8-5BSwissBitDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB SDU03264B5B31MT-60 2.5 8 32M x 8 Micron MT46V32M8-5B 256 MB SDU03272B5B21IW-60 2.5 8 32M x 8 Infineon HYB25D256800BT-5 512 MB SDU0646H1B22IN-60 2.5 16 32M x 8 Infineon HYB25D256800BT-5 512 MB SDU06464B3B31MT-60 2.5 8 64M x 8 Micron MT46V64M8-5R1 GB SDU12864H1B32MT-60 2.8 16 64M x 8 Micron MT46V64M8-5RSyncMaxDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB SR256M-08800-2700 2.5 8 32M x 8 SyncMax R030074A-7A1512 MB SR512M-16800-2700 2.5 16 32M x 8 SyncMax P2S56D30BTP-UTTTranscendDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB TS32MLD64V3F5 2.5 8 32M x 8 Mosel Vitelic V58C2256804SAT6VikingDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB DDR32X64PC270088TM 2.5 8 32M x 8 Unknown256 MB VI4CU326428DTK 2.5 8 32M x 8 Micron MT46V32M8-6T256 MB VI4CU326428DTK 2.5 8 32M x 8 Samsung K4H560838D-TCB3 512 MB VI4CU646428ETK 2.5 8 64M x 8 Micron MT46V64M8-6T512 MB VI4CU646428ETK 2.5 8 64M x 8 Samsung K4H510838B-TCB3512 MB VI4CU646428DTK 2.5 16 32M x 8 Samsung K4H560838D-TCB3 512 MB VI4CU646428DTK 2.5 16 32M x 8 Micron MT46V32M8-6T Compatible DDR400 (PC3200) 184 Pin Unbuffered DIMM memory ModulesAdataDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB MDOWB5F3G31Y0D1E0Z 3 8 32M x 8 Winbond W942508CH-5 256 MB MDOAD6F3G31Y0B1E0H 3 8 32M x 8 Adata ADD8608A8A-5C 256 MB MDOAD5F3G31Y0D1E02 3 8 32M x 8 Adata ADD8608A8A-5B 512 MB MDOWB5F3H41Y0D1E0Z 3 16 32M x 8 Winbond W942508CH-5AdtecDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number 256 MB AD3200D-256W 3 8 32M x 8 Samsung K4H560838E-TCCC 256 MB AD3200D-512W 3 16 32M x 8 Hynix HY5DU56822BT-D43ApacerDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number 256 MB 77.10639535 3 8 32M x 8 Apacer A2S56D30BTP256 MB 77.10636.56G 3 8 32M x 8 Mosel VitelicV58C2256804SAT5BBit4RamDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number 256 MB BDU03264B5BC1DC-50 3 8 32M x 8 Unknown512 MB BDU06464H1BC2DC-50 3 16 32M x 8 UnknownBuffaloDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number 256 MB DD4333-S256/IB 3 8 32M x 8 Infineon HYB25D256800BT-5 512 MB DD4333-512/IB 3 16 32M x 8 Infineon HYB25D256800BT-5 512 MB DD400-512M 3 16 16M x 8 Hynix HY5DU56822BT-D43CenturyDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number 256 MB CD256M-DDU400 3 8 32M x 8 Samsung K4H560838F-TCCC 512 MB CD512M-DDU400 3 16 32M x 8 Samsung K4H560838F-TCCCCEONDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number 256 MB DDR400 256MB-T01892 3 8 32M x 8 CEON C2S56D30TP-5CFDDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number 256 MB DD4333K-S256/H 3 8 32M x 8 Hynix HY5DU56822BT-D43 512 MB DD4333K-512/H 3 16 32M x 8 Hynix HY5DU56822CT-D43Corsair256 MB CMX256A-3200LL 2.5 8 Unknown Unknown512 MB CMX512-3200LLPRO 2.5 16 32M x 8 Winbond W942508CH-5CrucialDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number 256 MB CT3264Z40B.8T 3 8 32M x 8 Micron MT46V32M8-5BElixirDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number 256 MB M2U25664DS88B3G-5T 3 8 32M x 8 Elixir N2DS25680BT-5T 512MB M2U51264DS8HB3G-5T 3 16 32M x 8 Elixir N2DS25680BT-5TElpidaDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number 256 MB EBD25EC8AKFA-5C 3 8 32M x 8 Elpida EDD2508AKTA-5C 512MB EBD52UC8AKFA-5C 3 16 32M x 8 Elpida EDD2508AKTA-5C 512MB EBD11ED8ADFA-5C 3 16 32M x 8 Elpida EDD5108ADTA-5CGeilDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number 256 MB GD3200-256V 2.5 8 32M x 8 Unknown256 MB GE2563200B 2.5 8 32M x 8 Geil GL3LC32G88TG-5A256MB GE2563200 2.5 8 32M x 8 Geil GL3LC32G88TG-5A256MB GL5123200DC 2 8 32M x 8 Unknown512 MB GE5123200B 2.5 16 32M x 8 Unknown512 MB GL1G3200DC 2 16 32M x 8 Unknown512 MB GD3200-1GDC 2 16 32M x 8 Unknown512 MB GE5123200 2.5 16 32M x 8 Geil GL3LC32G88TG-5AGigaramDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number 256 MB GR9053-256/400 3 8 32M x 8 Mosel Vitelic V58C2256804SAT5B 512 MB GR9053-512/400 3 8 32M x 8 Mosel Vitelic V58C2256804SAT5B 1 GB GR9053-1GB/400 3 16 64M x 8 Micron MT46V64M8GreenHouse256 MB GH-DR400-256MB 3 8 32M x 8 Samsung K4H560838E-TCCC512 MB GH-DR400-512M 3 16 32M x 8 Samsung K4H560838E-TCCCHynixDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number128 MB HYMD216646A6J-D43 AA 3 4 16M x 16 Hynix HY5DU561622AT-D43 128 MB HYMD216646C6J-D43 3 4 16M x 16 Hynix HY5DU561622CT-D43 256 MB HYMD232646B8J-D43 AA 3 8 32M x 8 Hynix HY5DU56822BT-D43 256 MB HYMD232646D8J-D43 3 8 32M x 8 Hynix HY5DU56822BT-D43512 MB HYMD264646A8J-D43AA-A 3 16 32M x 8 Hynix HY5DU56822AT-D43 512 MB HYMD264646B8J-D43 3 16 32M x 8 Hynix HY5DU56822BT-D43512 MB HYMD564646A8J-D43 3 8 64M x 8 Hynix HY5DU12822AT-D431 GB HYMD512646A8J-D43 3 16 64M x 8 Hynix HY5DU12822AT-D43IO-DataDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB DR400-256MX2 3 8 32M x 8 Samsung K4H560838E-TCCC512 MB DR400-512MX2 3 16 32M x 8 Hynix HY5DU56822BT-D43InfineonDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number128 MB HYS64D16301GU-5-B 3 4 16M x 16 Infineon HYB25D256160BT-5 128 MB HYS64D16301GU-5-C 3 4 16M x 16 Infineon HYB25D256160CE-5 128 MB HYS64D16301HU-5-C 3 4 16M x 16 Infineon HYB25D256160CE-5 256 MB HYS64D32300GU-5-B 3 8 32M x 8 Infineon HYB25D256800BT-5256 MB HYS64D32300HU5-C 3 8 32M x 8 Infineon HYB25D256800CE-5512 MB HYS64D6432300GU-5-B 3 16 32M x 8 Infineon HYB25D256800BT-5ItaucomDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB 256N4003U28 3 8 32M x 8 Itaucom ICM4L560807-43512 MB 512N4003U28 3 16 32M x 8 Itaucom ICM4L560807-43KingmaxDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB MPXB62D-38KT3R 2.5 8 32M x 8 Kingmax KDL388P4LA-50512 MB MPXC22D-38KT3R 2.5 16 32M x 8 Kingmax KDL388P4LA-50Kingston TechnologiesDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB KVR400X64C3A/256 3 8 32M x 8 Infineon HYB25D256800BT-5256 MB KVR400X64C25/256 2.5 8 Unnown Unknown256 MB KVR400X64C3A/256 3 8 32M x 8 Kingston D3208DL3T-5A256 MB KVR400X64C3A/256 3 8 32M x 8 Kingston D3208DH1T-5512 MB KVR400X64C3A/512 3 16 32M x 8 Kingston D3208DH1T-5512 MB KVR400X64C3A/512 3 16 32M x 8 Kingston D3208DH1T-5512 MB KVR400X64C3A/512 3 16 32M x 8 Mosel Vitelic V58C2256804SAT5MicronDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number128 MB MT8VDDT1664AG-403B5 3 8 16M x 8 Micron MT46V16M8-5T256 MB MT8VDDT3264AG-40BC4 3 8 32M x 8 Micron MT46V32M8-5B256 MB MT8VDDT3264AG-40BC4 3 8 32M x 8 Micron MT46V32M8TG-5BC 256 MB MT8VDDT3264AG-40BCB 3 8 32M x 8 Micron MT46V32M8-5B256 MB MT8VDDT3264AG-40BG4 3 8 32M x 8 Micron MT46V32M8TG-5BG 256 MB MT16VDDT3264AG-403B5 3 16 16M x 8 Micron MT46V16M8-5T 512 MB MT16VDDT6464AG-40BC4 3 16 32M x 8 Micron MT46V32M8-5B 512 MB MT16VDDT6464AG-40BG4 3 16 32M x 8 Micron MT46V32M8TG-5B 1 GB MT16VDDT12864AG-40BC1 3 16 64M x 8 Micron MT46V64M8TG-5BMosel VitelicDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB V826632K24SATG-D3 3 8 32M x 8 Mosel Vitelic V58C2256804SAT5 512 MB V826664K24SATG-D3 3 16 32M x 8 Mosel Vitelic V58C2256804SAT5NanyaDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number128 MB NT128D64SH4B1G-5 3 4 16M x 16 Nanya NT5DS16M16BT-5128 MB NT128D64SH4B1G-5T 3 4 16M x 16 Nanya NT5DS16M16BT-5T256 MB NT256D64S88B1G-5 3 8 32M x 8 Nanya NT5DS32M8BT-5256 MB NT256D64S88B1G-5T 3 8 32M x 8 Nanya NT5DS32M8BT-5T512 MB NT512D64S8HB1G-5T 3 16 32M x 8 Nanya NT5DS32M8BT-5T512 MB NT512D64S8HB1G-5 3 16 32M x 8 Nanya NT5DS32M8BT-5Powerchip SemiconductorDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB MD44256PPS3208GRPA01 2.5 8 32M x 8 Powerchip PP4D328S5256 MB AL5D8B53T-5B1T 2.5 8 32M x 8 Powerchip A2S56D30BTP512 MB AL6D8B53T-5B1T 2.5 16 32M x 8 Powerchip A2S56D30BTPPMIDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB 3200GATA08-04A3 3 8 32M x 8 Samsung K4H560838D-TCCC256 MB 3200GATA04-03D3 3 8 32M x 8 Hynix HY5DU56822BT-D43512 MB 3200GATA03-03D3 3 16 32M x 8 Hynix HY5DU56822BT-D43512 MB 3200GATA11-04A6 3 16 32M x 8 PQI PQ4D328D5PQIDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB 184DR256M438,MV,BH70 2.5 8 32M x 8 Mosel Vitelic V58C2256804SAT5B 256 MB 184DR256M438,WB,BH70 2.5 8 32M x 8 Winbond W942508CH-5256 MB 184DR256M438,PS,BH30 3 8 32M x 8 Powerchip A2S56D30BTPSamsungDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number128 MB M368L1713ETM-CCC 3 8 16M x 8 Samsung K4H280838E-TCCC128 MB M368L1624DTM-CCC 3 4 16M x 16 Samsung K4H561638D-TCCC128 MB M368L1624FTM-CCC 3 4 16M x 16 Samsung K4H561638F-TCCC256 MB M368L3223DTM-CC4 3 8 32M x 8 Samsung K4H560838D-TCC4256 MB M368L3223ETM-CCC 3 8 32M x 8 Samsung K4H560838E-TCCC256 MB M368L3223FTM-CCC 3 8 32M x 8 Samsung K4H560838F-TCCC256 MB M368L3223FTN-CCC 3 8 32M x 8 Samsung K4H560838F-TCCC512 MB M368L6423ETM-CCC 3 16 32M x 8 Samsung K4H560838E-TCCC512 MB M368L6423FTN-CCC 3 16 32M x 8 Samsung K4H560838F-TCCC512 MB M368L6523BTM-CCC 3 8 64M x 8 Samsung K4H510838B-TCCC1 GB M368L2923BTM-CCC 3 16 64M x 8 Samsung K4H510838B-TCCCSimpleTechDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB S256M3NK1QK-AT 3 8 32M x 8 Micron MT46V32M8-5B512 MB S512M3NK2QK-AT 3 16 32M x 8 Micron MT46V32M8-5BSwissBitDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB SDU03264B5B21IW-50 3 8 32M x 8 Infineon HYB25D256800BT-5256 MB SDU03264B5B31MT-50 3 8 32M x 8 Micron MT46V32M8-5B512 MB SDU06464H1B22IW-50 3 16 32M x 8 Infineon HYB25D256800BT-5B 512 MB SDU06464B5B31MT-50 3 8 64M x 8 Micron MT46V64-5B1 GB SDU12864H1B32MT-50 3 16 64M x 8 Micron MT46V64-5BSyncMaxDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number512 MB SR-512M-1606R-3200 3 16 32M x 8 SyncMax P2S56D30BTP-UTTTranscendDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB TS32MLD64V4F3 3 8 32M x 8 Samsung K4H560838E-TCCC256 MB TS32MLD64V4F3 3 8 32M x 8 Samsung K4H560838F-TCCC256 MB TS32MLD64V4F3 3 8 32M x 8 Mosel Vitelic V58C2256804SAT5B512 MB TS64MLD64V4F 2.5 16 32M x 8 Mosel Vitelic V58C2256804SAT5B 512 MB TS64MLD64V4F3 3 16 32M x 8 Mosel Vitelic V58C2256804SAT5B 512 MB TS64MLD64V4F3 3 16 32M x 8 Samsung K4H560838F-TCCC512 MB TS64MLD64V4F 3 16 32M x 8 Mosel Vitelic V58C2256804SAT5BTwinMos TechnologiesDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number512 MB M2G9J16AGATT9F081AA4T 3 16 32M x 8 TwinMos TMD7608F8E50DVdataDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB MDGVD6F3G3750B1E0H 3 8 32M x 8 Vdata VDD8608A8A-5CVikingDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB VI4CU326428DTP 3 8 32M x 8 Samsung K4H560838E-TCCC512 MB VI4CU646428DTP 3 16 32M x 8 Samsung K4H560838E-TCCC。

教你辩识别内存颗粒

教你辩识别内存颗粒

内存是电脑必不可少的部件,也是影响电脑性能的关键部件。

而对于内存颗粒,则是内存条上必不可少的一部分,同时也与内存的性能息息相关。

一条完整的内存条是由PCB板、SPD芯片和内存颗粒构成的,其中以颗粒最为重要,内存的容量、频率等都由内存颗粒决定的。

而正因为颗粒的重要性,颗粒也成为了不少奸商造假的地方所在。

因此,我们有必要对内存颗粒进行一个完整的认识,从而更好的选购内存。

一、内存颗粒巡礼1、内存颗粒介绍相对于市面上越来越多的内存品牌,内存颗粒的生产厂商要显得少了很多,目前主要有三星(SAMSUNG)、现代(Hynix)、英飞凌(Infi neon)、美光(Micron)、勤茂(TwinMOS)、南亚(NANYA)、华邦(Winbond)和茂矽(MOSEL)等等。

这些内存颗粒厂商都具有相当实力,其中名列三甲的有三星、现代以及美光。

现代D43颗粒(Hynix D43)在很多玩家心目中,现代D43内存颗粒有着兼容性好、超频出色的特点,而采用HY D43芯片的产品更是被众多玩家所追捧。

如果我们将它细分的话,D43内存颗粒又根据生产批次的不同,在编号上分为AT-D43、BT-D43、CT-D43和DT-D43。

其中又以BT-D43和DT-D43最为常见,口碑也是最好的。

三星UCCC内存颗粒三星(SAMSUNG)内存颗粒被誉为DDR时代的终结者,它在512MB时代的TCCD和TCC5颗粒,1GB时代的UCCC颗粒都是内存界的佼佼者。

UCCC颗粒早期专供服务器高端ECC内存使用,后来才逐渐进入民用领域。

前期的产品依旧保持着服务器内存的特点,只以稳定性见长,超频性能一般。

但三星为了重夺高频内存之王的宝座,在520周期以后生产的UCCC颗粒做了进一步制程优化,使得高频、海量、稳定三全齐美。

三星TCCC颗粒(SAMSUNG TCCC)除了上面提到的TCCD、TCC5、UCCC内存颗粒,三星还有一TCCC颗粒,TCCC也是一款非常优秀的内存颗粒,被用于三星原厂的“金条”中,它的价格要比TCCD便宜得多,而且兼容性也非常好,不过价格还是比普通内存颗粒高了一些。

内存条什么品牌好,内存条品牌排名

内存条什么品牌好,内存条品牌排名

内存条什么品牌好,内存条品牌排名内存是电脑中的主要部件,它是相对于外存而言的。

我们平常使用的程序,如WindowsXP系统、打字软件、游戏软件等,一般都是安装在硬盘等外存上的,但仅此是不能使用其功能的,必须把它们调入内存中运行,才能真正使用其功能,我们平时输入一段文字,或玩一个游戏,其实都是在内存中进行的。

通常我们把要永久保存的、大量的数据存储在外存上,而把一些临时的或少量的数据和程序放在内存上,总之,内存在电脑中起着举足轻重的作用,所以不管我们是在配置电脑的时候或者单买内存条的时候都需要仔细认真地选择。

那么,什么内存条品牌好呢?这还得先从内存条的基本性能说起。

一般评价内存条的性能指标一共有四个:(1) 存储容量:即一根内存条可以容纳的二进制信息量,如目前常用的168线内存条的存储容量一般多为32兆、64兆和128兆。

而DDRII3普遍为1GB到2GB。

(2) 存取速度(存储周期):即两次独立的存取操作之间所需的最短时间,又称为存储周期,半导体存储器的存取周期一般为60纳秒至100纳秒。

(3) 存储器的可靠性:存储器的可靠性用平均故障间隔时间来衡量,可以理解为两次故障之间的平均时间间隔。

(4) 性能价格比:性能主要包括存储器容量、存储周期和可靠性三项内容,性能价格比是一个综合性指标,对于不同的存储器有不同的要求。

由于电子行业的门槛比较低,电子行业又属于利润很高的行业,很多商家鱼目混珠,电子市场难免有些混乱。

所以购买内存时还须注意品牌和质量,目前,生产内存的厂家较多,如果想买到质量较为可靠的品牌的话,一份权威的内存条品牌排名榜单对于消费者们来说据有很好的依据性。

但是网络上各种各样的排名很多,究竟哪个才值得相信,才可以作为参考呢?不妨看一下十大品牌网maigoo的关于内存条十大品牌的排名榜单。

金士顿Kingston(全球存储产品领导品牌,全球规模最大的内存模组制造商之一,美国500强企业,远东金士顿科技股份有限公司)威刚ADATA(2001年台湾,第二大内存市场占有率,亚洲最大的记忆体模组厂商之一,十大内存品牌,威刚科技有限公司)海盗船Corsair(1994年,全球最大的内存供应商之一,设计高性能内存最具经验的内存制造商之一,海盗船科技股份有限公司)三星SAMSUNG(于1938年韩国,世界财富500强企业,全球消费电子领域龙头企业,全球电子产业的领导者,三星集团)宇瞻Apacer(1997年台湾,十大内存品牌,台湾最具影响力的数码存储品牌之一,跨国大型企业,宇瞻科技股份有限公司)金邦GEIL(于1993年,十大内存品牌,专业致力于研发内存模块产品的制造商,行业著名品牌,金邦(Geil科技有限公司))芝奇G.skill(创立于1989年,全球领先的内存模块专业制造商,行业知名品牌,中国十大内存品牌,台湾G.skill 公司)金泰克KINGTIGER(最大国产内存生产商之一,专业致力于研发内存模块产品的制造商,十大内存品牌,锯鑫科技(香港)有限公司)现代Hynix(创立于1983年,专业储存器制造商,世界领先内存生产商之一,行业著名品牌,海力士半导体股份有限公司)南亚易胜Elixir(国际知名内存品牌,全球DRAM大厂南亚科技旗下品牌,内存十大品牌,南亚科技股份有限公司)与其它网站的榜单对比,我们不难看出,这个榜单应该是比较权威的。

RAMSTA-瑞势内存产品介绍

RAMSTA-瑞势内存产品介绍

Ramsta——瑞势产品包材
DDR1
吸塑纸卡
DDR2
宣传彩页
DDR3
完整包装
型号标签
防伪标签
THKS!!!
媒体全面合作支持:
主机板厂商全面测试通过:
Ramsta—瑞势品牌售后服务
關於《產品免責條例》的實施及產品收貨的 三年保换 终身保固 通 知 尊敬的合作商: 瑞势提倡的“終身保固”服務理念,在行業市場取得了一定的正面影響和良好口碑,但同時由於條款不規範導致理 念被濫用的現象時有發生,給钜鑫國際公司帶來一定的困擾;為進一步完善售後服務條款及流程,針對瑞势系列產 品的“終身包換”服務理念作規範如下: 對於產品不是由於Ramsta廠家生產引起的損壞,而由後期的人為因素造成的內存或部件損失的,如有下列狀況發 生,則產品不適用於Ramsta產品“終身包換”條款: 1、因天災、人為不當操作等非產品本身之因素故障時。 2、IC顆粒的破損。 3、PCB損壞,路線被劃斷,折斷了PCB的。 4、內存被動元件被外力所致造成元件破壞而脫落的。(被動元件指:電阻、電容) 5、EEPROM的損壞而引起不開機的。 6、保修標簽或防拆標簽被更改或破損的。 7、內存因人為的超頻引起的IC顆粒燒毀或私自維修、拆裝的。 8、對速虎系列產品及其钜鑫國際新研發的產品,私自拆卸產品外部散熱片或配件的。 9、對於非保修的產品送回維修,我司將有償的、適當的收取客戶的維修費用。 10、對享有Ramsta系列產品之“終身包換”服務之產品,屬於已經淘汰或無法更換原配件的,將送回钜鑫國 際原廠保修;如原廠無法維修的,客戶可補差價更換市場的金泰克主流產品。 11、本條例於2008年5月2日生效。解釋權歸钜鑫(國際)科技有限公司所有。 另外,對於钜鑫(國際)科技有限公司交付各代理商的產品,請於收貨當天驗明產品的品質外觀,如發現有以上免 責條例所規範的產品,請直接致電發貨公司或钜鑫售後部門,否則,我司將按《產品免責條例》的規定給予執行, 感謝您的合作。 順頌商祺! 钜鑫(國際)科技有限公司

内存条什么品牌好,内存条品牌排名

内存条什么品牌好,内存条品牌排名

内存条什么品牌好,内存条品牌排名内存是电脑中的主要部件,它是相对于外存而言的。

内存是电脑中的主要部件,它是相对于外存而言的。

内存是电脑中的主要部件,它是相对于外存而言的。

下面是店铺跟大家分享的是内存条什么品牌好,内存条品牌排名,欢迎大家来阅读学习。

内存条什么品牌好,内存条品牌排名我们平常使用的程序,如WindowsXP系统、打字软件、游戏软件等,一般都是安装在硬盘等外存上的,但仅此是不能使用其功能的,必须把它们调入内存中运行,才能真正使用其功能,我们平时输入一段文字,或玩一个游戏,其实都是在内存中进行的。

通常我们把要永久保存的、大量的数据存储在外存上,而把一些临时的或少量的数据和程序放在内存上,总之,内存在电脑中起着举足轻重的作用,所以不管我们是在配置电脑的时候或者单买内存条的时候都需要仔细认真地选择。

那么,什么内存条品牌好呢?这还得先从内存条的基本性能说起。

一般评价内存条的性能指标一共有四个:(1) 存储容量:即一根内存条可以容纳的二进制信息量,如目前常用的168线内存条的存储容量一般多为32兆、64兆和128兆。

而DDRII3普遍为1GB到2GB。

(2) 存取速度(存储周期):即两次独立的存取操作之间所需的最短时间,又称为存储周期,半导体存储器的存取周期一般为60纳秒至100纳秒(3) 存储器的可靠性:存储器的可靠性用平均故障间隔时间来衡量,可以理解为两次故障之间的平均时间间隔(4) 性能价格比:性能主要包括存储器容量、存储周期和可靠性三项内容,性能价格比是一个综合性指标,对于不同的存储器有不同的要求。

由于电子行业的门槛比较低,电子行业又属于利润很高的行业,很多商家鱼目混珠,电子市场难免有些混乱。

所以购买内存时还须注意品牌和质量,目前,生产内存的厂家较多,如果想买到质量较为可靠的品牌的话,一份权威的内存条品牌排名榜单对于消费者们来说据有很好的依据性。

但是网络上各种各样的排名很多,究竟哪个才值得相信,才可以作为参考呢?不妨看一下十大品牌网maigoo的关于内存条十大品牌的排名榜单。

三星内存颗粒规格指标详解

三星内存颗粒规格指标详解

三星内存颗粒规格指标详解尽管市面上的内存品牌十分繁杂,但采用的内存颗粒不外乎三星、现代、英飞凌等这几家,其中三星的内存颗粒所占比重是极大的。

搞清楚三星内存颗粒的规格参数与性能指标,在内存的选购中是极为重要的。

当然,对内存而言,并不是只要采用同样型号的颗粒,内存的性能指标就会相同。

因为即便对同一型号的内存颗粒而言,也有等级之分,不同等级的颗粒,其性能也会有所区别,同时,更重要的,内存生产厂商的设计能力与生产工艺也会在很大程度上影响内存的性能与指标。

因此,对内存颗粒的性能指标,只能在我们选购内存时作为参考,而不要将其绝对化。

三星DDR内存颗粒面向中低端市场的内存颗粒三星TCB3颗粒TCB3是三星早期推出的6ns DDR颗粒,可以稳定地工作在PC2700,2-2-2-X 的时序,参数非常优秀。

此外它同样可以工作在PC3200,但时序需要相应地调低,200MHz时的时序为2-3-3-6,虽不能说优秀但表现尚可。

TCB3颗粒的频率极限大致在230MHz左右,这对于一款默认为166MHz的内存来说,超频幅度很大。

TCB3对于电压并不太敏感,3.0V电压下频率提升也不是很大。

目前该款颗粒多见于低端内存。

三星TCCC颗粒TCCC是三星TCC系列(PC3200)里面编号为“C”的颗粒,表示其PC3200时预设CAS值为3。

TCCC可以工作在250-260MHz,3-4-4-8的时序,而默认200MHz 时可以保持2.5-3-3-6的时序,由于TCCC颗粒的售价比较便宜,因此和现代的D43一起成为性价比出色的代表。

此外也有不少DDR 500内存同样采用了TCCC颗粒,不过由于已经接近极限频率,留下的超频空间很小。

电压对于TCCC颗粒的超频有一定的影响,但在2.8V时已经基本可以达到最高频率。

三星TCC4颗粒TCC4是三星的另外一款5ns的DDR400内存颗粒,不过并不常见,在一些品牌的PC3200低端内存甚至是PC2700内存上面可以看到它。

内存_百度百科

内存_百度百科

●2.什么是扩展内存?
我们知道,286有24位地址线,它可寻址16MB的地址空间,而386有32位地址线,它可寻址高达4GB的地址空间,为了区别起见,我们把1MB以上的地址空间称为扩展内存XMS(eXtend
memory)。
在386以上档次的微机中,有两种存储器工作方式,一种称为实地址方式或实方式,另一种称为保护方式。在实方式下,物理地址仍使用20位,所以最大寻址空间为1MB,以便与8086兼容。保护方式采用32位物理地址,寻址范围可达4GB。DOS系统在实方式下工作,它管理的内存空间仍为1MB,因此它不能直接使用扩展存储器。为此,Lotus、Intel、AST及Microsoft公司建立了MS-DOS下扩展内存的使用标准,即扩展内存规范XMS。我们常在Config.sys文件中看到的Himem.sys就是管理扩展内存的驱动程序。
目录[隐藏]
【内存简介】
【内存概述】
【内存概念】
【内存频率】
【内存发展】
【内存区别】
【内存品牌】
【内存容量】 【内存辨别】源自存故障判断过程 【内存简介】
【内存概述】
【内存概念】
【内存频率】
【内存发展】
【内存区别】
在1985年初,Lotus、Intel和Microsoft三家共同定义了LIM-EMS,即扩充内存规范,通常称EMS为扩充内存。当时,EMS需要一个安装在I/O槽口的内存扩充卡和一个称为EMS的扩充内存管理程序方可使用。但是I/O插槽的地址线只有24位(ISA总线),这对于386以上档次的32位机是不能适应的。所以,现在已很少使用内存扩充卡。现在微机中的扩充内存通常是用软件如DOS中的EMM386把扩展内存模拟或扩充内存来使用。所以,扩充内存和扩展内存的区别并不在于其物理存储器的位置,而在于使用什么方法来读写它。下面将作进一步介绍。

帮你辨别正品Hynix海力士内存(精)

帮你辨别正品Hynix海力士内存(精)

无论是装机市场还是升级用户,Hynix海力士无疑都是大家公认的高性价比内存品牌,拥有最诱人的价格、优良的做工以及不俗的超频能力,确实让众多DIYer认同Hynix海力士内存。

巨大的需求量让造假之风盛行,电脑市场中Hynix海力士内存真是正/假难分,甚至很多经销商自己都不知自己手中的内存是否为海力士正品,所以说他们有时候卖给你非正品内存时,可能是无心之过。

靠自己最省心,学会辨别正品海力士内存也是资深DIYer的基本技能之一啊,下面便让我们进行台式机的正品 Hynix海力士内存辨别的五步培训。

一、看包装盒所有Hynix海力士正品内存Hynix的中文名称为“海力士”,Hynix海力士内存中国总代理为超胜科技(香港)有限公司。

在包装盒上也都印刷有“超胜科技正品代理”等字样。

二、看标签从内存标签的颜色、字体等印刷质量可以简单的区分一些做工低劣的假“海力士”内存,假冒内存一般标签颜色暗淡,印刷内容拥挤,较模糊。

正品Hynix海力士内存标签颜色鲜艳,字体清晰。

目前正品Hynix海力士内存规格参数标签有两种如图:上边的为DDR的内存标签,下边的为DDR2的内存标签。

三、看内存颗粒假冒内存的内存颗粒来源有两个,1、打磨颗粒——将原有不同厂家、参数较低的颗粒打磨掉再刻印上新规格参数,这种打磨颗粒一般都整体色彩不太均匀,字体较模糊,使用一段时间后刻印内容掉色严重;2、白片——即出厂时无印刷内容,字体内容都是后刻上去的。

判别内存颗粒的真假,1.注意看颗粒整体着色是否均匀,印刷字体是否顺滑,有指甲盖轻轻划颗粒上的印刷体,看是否有掉漆现象;2.Hynix海力士内存颗粒,在芯片的右下角都会有圆形小凹坑,部分假冒颗粒,圆形小凹坑则很大或没有凹坑;3.正品Hynix海力士内存颗粒在两侧是没有半圆形缺口的。

四、看PCB板正品Hynix海力士内存采用独特的六层PCB专用设计,在显存颗粒周围,置有大量耦合电容以用于稳定输入电平,保持电压的稳定;布线时大面积覆铜,以保证整块内存电气性能优异,抗干扰能力强,稳定性高。

内存品牌及识别内存

内存品牌及识别内存
例如HY57V658010CTC-10s,HY表示现代的芯片, 57代表SDRAM,65是64Mbit和4K refresh cycles/64ms,8 是8位输出,10是2个Bank,C是第4个版本的内核,TC是 400mil TSOP-Ⅱ封装,10S代表CL=3的PC-100。
如图4-11所示为HYUNDAI内存。
如图4-9所示为三星DDRAM内存。 图4-9
Micron美光
• SDRAM • Rambus • DDR SDRAM
Micron(美光)是美国最大的内存颗粒 制造商。
其 SDRAM 芯 片 编 号 格 式 为 MT48abcdMefAgTG-hij , 其 中 MT 代 表 Micron 的 产 品 , 48 代 表 产 品 家 族 ( 48=SDRAM 、 4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=Rambus), ab代表处理工艺(C=5V Vcc CMOS,LC=3.3V Vdd CMOS,V=2.5V Vdd CMOS),cdMef设 备 号 码 ( 深 度 × 宽 度 ) , 无 字 母 =bit , K=Kilobit ( KB ) , M=Megabit ( MB ) , G=Gigabit(GB)Mricron的容量=cd×ef;ef表 示数据位宽(4、8、16、32分别代表4位、8位、 16 位 和 32 位 ) ; Ag 代 表 Write Recovery[Twr] (A2=Twr=2clk);
DDR SDRAM
在Micron DDR SDRAM内存上,内 存芯片上的参数含义如下:-8支持PC200 (CL2)-75支持PC200(CL2)和PC266B ( CL=2.5 ) -7 支 持 PC200 ( CL2 ) , PC266B(CL2),PC266A(CL=2.5)。 例 如 MT48LC16M8A2TG-75L_ES 表 示 美 光的SDRAM,16M8=16×8MB=128MB, 133MHz。

各大品牌内存条区别

各大品牌内存条区别

各大品牌内存条区别宇瞻DDR3-1600宇瞻是目前国内市场上占有率较高的一个品牌,其产品线覆盖主流低端到高端超频玩家。

这次送测的DDR3内存是目前宇瞻最高阶DDR3内存模块组。

作为一款定位于高端的内存,外置散热片是必不可少的。

除了能加强产品的散热能力和超频能力外,还可以降低静电击穿内存颗粒的几率,特别是对需要经常插拔内存的玩家来说具有较大的现实意义。

而黄金色的颜色搭配,给人一种奢华尊贵的感觉。

内存采用了尔必达(Elpida)DDR3内存颗粒。

DDR3内存对金手指上的凹槽做了一定的修改,可以看到,凹槽更多靠近于一边的边缘,依此特点可以很容易的分辨DDR2内存和DDR3内存。

金手指采用电镀工艺,比化学镀金工艺具备更好的电气性能,同时有效避免金手指氧化。

内存的铭牌上标明了这条内存的身份,单条1GB,PC3-12800表示这是一款DDR3 1600Hz频率的内存,内存每通道带宽达到了12.8GB/S。

这款宇瞻DDR3内存CL值为10,符合JEDEC标准。

黑金刚DDR3-1600黑金刚悍将版DDRII16002G(2*1G)黑金刚是近段时间内存市场比较活跃的一个内存品牌,而且一直走着高性价比的路线,其内存产品一直选用口碑不错的内存颗粒。

本次送测的内存是一款高频DDR内存,这条内存在外观上黑金刚独特的双面上色以及炫彩LED指示。

一面是传统的红色,一面是紫色。

虽然没有采用目前流行的外置散热片设计,但双色PCB板加上LED彩灯一样能吸引到顾客的眼球。

这款内存运行频率为1600MHz,也是一款高频DDR3内存产品。

DDR3内存在电气工艺上有了长足的改进,电压从DDR2默认的1.8V降到了1.5V,拥有更低的热功耗。

可以看到,凹槽更多靠近于一边的边缘,依此特点可以很容易的分辨DDR2内存和DDR3内存。

金手指采用电镀工艺,比化学镀金工艺具备更好的电气性能,同时有效避免金手指氧化。

内存的铭牌上标明了这条内存的身份,单条1GB,频率为1600Hz频率,内存每通道带宽达到了12.8GB/S。

常见品牌内存

常见品牌内存

选择常见或大品牌内存•品牌:金士顿(18) 威刚(15) 胜创(9) 宇瞻(25) 海盗船(32) 金泰克(14)三星金条(13) 黑金刚(12) 芝奇(23) 现代(3) 金邦(1) OCZ(28) 金士泰(8) 博帝(47) 创见(7) 金士刚(13) 必恩威(11) 记忆龙条(6) 亿能(10) 超胜(11) 劲永(12) 英飞凌(10) 蓝魔(5) 劲芯(15) 南亚(12) NCP(6) 富豪(10) 金特尔(11) 星存(6) 迈威(7) 慧创(13) 菲利浦名品(11)幻影真彩(6) KUK(9) 麒仑(9) 华东承启(5) 晶刚(2) 魔骏(7) 美商威特(3) 锐马士(5) 宏连(4) 力晶(1)•价格:200元及以下(179) 200-400元(107) 400-600元(38) 600-900元(30) 900元以上(75)•容量:16G(1) 8G(1) 4G(52) 2G(127) 1G(155) 512M(105) 256M(2)金士顿 DDR2 800 2G属于金士顿 DDR2 2G系列适用类型:台式机/内存类型:DDR II/内存主频:DDR2 800/内存总容量:2G/颗粒封装:BGA 内存电压1.8V ECC校验不支持推荐度 85% ¥125―金士顿 DDR2 800 1G属于金士顿 DDR2 1G系列适用类型:台式机/内存类型:DDR II/内存主频:DDR2 800/内存总容量:1G/颗粒封装:BGA 延迟描述CL=4-4-4-12 内存电压 1.8V ECC校验不支持推荐度 87% ¥80―威刚红色威龙游戏版 2G DDR2 800适用类型:台式机/内存类型:DDR II/内存主频:DDR2 800/内存总容量:2G/颗粒封装:FBGA延迟描述CL=5-5-5-12 内存电压 1.9-2.1V推荐度 77% ¥160↓3.03%金士顿 DDR 400 1G(KVR400X64C3A)属于金士顿 DDR 1G系列适用类型:台式机/内存类型:DDR/内存容量:1024M/内存主频:DDR400(PC3200)/颗粒封装:TSOP >颗粒速度5ns 延迟描述CL=3 内存电压 2.6V ECC校验不支持推荐度 72% ¥225―威刚万紫千红 DDRII800 2G属于威刚 DDR2 2G系列适用类型:台式机/内存类型:DDR II/内存主频:DDR2 800/内存总容量:2G/颗粒封装:BGA推荐度 82% ¥120↓7.69%Kingmax DDR2 800 2G·(17)·属于Kingmax DDR2 2G系列适用类型:台式机/内存类型:DDR II/内存主频:DDR2 800/内存总容量:2G/颗粒封装:BGA 延迟描述CL=5 内存电压 1.8V ECC校验不支持推荐度 89%¥125↓3.85%威刚红色威龙极速版 2G DDR2 800·(5)·适用类型:台式机/内存类型:DDR II/内存主频:DDR2 800/内存总容量:2G/颗粒封装:FBGA延迟描述CL=4-4-4-12 内存电压2.0-2.1V ECC校验不支持推荐度 96% ¥180↓2.7%金士顿 HyperX DDR2 800 2G(KHX6400D2/2G)属于金士顿 DDR2 2G系列适用类型:台式机/内存类型:DDR II/内存主频:DDR2 800/内存总容量:2G/颗粒封装:FBGA 延迟描述CL=5-5-5-15 内存电压2.0V ECC校验不支持推荐度 70% ¥225―海盗船 TWIN3X4G2000C9DF·(2)·属于海盗船 DDR3 2G系列适用类型:台式机/内存类型:DDR III/内存主频:DDR3 2000/内存总容量:4G/颗粒封装:FBGA 内存电压 1.7V推荐度 15% ¥7999―三星金条 DDR2 800 2G属于三星金条 DDR2 2G系列适用类型:台式机/标准:DDR2 800/内存类型:DDR II/封装:BGA/容量:2G > 全部参数推荐度 83% ¥150―威刚红色威龙 DDRII800 2G·(21)·属于威刚 DDR2 2G系列适用类型:台式机/内存类型:DDR II/内存主频:DDR2 800/内存总容量:2G/颗粒封装:BGA > 全部参数推荐度 86% 缺货―宇瞻 DDRII800 2G·(17)·属于宇瞻 DDR2 2G系列适用类型:台式机/标准:DDR2 800/内存类型:DDR II/封装:BGA/容量:2G 延迟描述CL=5内存电压 1.8V推荐度 79% ¥135―Kingmax DDR400 1G属于Kingmax DDR 1G系列容量:1G/封装:TinyBGA/内存类型:DDR/标准:DDR400(PC3200)/适用类型:台式机延迟描述CL=2.5 内存电压 2.6V推荐度 81% ¥205―金士顿 HyperX DDR2 1066 2G单条(KHX8500AD2/2G)适用类型:台式机/内存类型:DDR II/内存主频:DDR2 1066/内存总容量:2G/颗粒封装:BGA推荐度 76% ¥260―金士顿 DDR 400 512M(KVR400X64C3)盒装属于金士顿 DDR 512M以下系列适用类型:台式机/内存类型:DDR/内存主频:DDR400(PC3200)/内存总容量:512M/颗粒封装:TSOP推荐度 65%¥130―金士顿 HyperX DDR2 1066 4G套装(KHX8500D2K2/4G)·(19)·适用类型:台式机/内存类型:DDR II/内存主频:DDR2 1066/内存总容量:4G/颗粒封装:FBGA金士顿 DDR3 1333 2G(KVR1333D3N9/2G)适用类型:台式机/内存类型:DDR III/内存主频:DDR3 1333/内存总容量:2G > 全部参数推荐度 55% ¥550―金士顿 HyperX DDR2 800 2G套装(KHX6400D2K2/2G)·(34)·属于金士顿 DDR2 2G系列适用类型:台式机/内存类型:DDR II/内存主频:DDR2 800/内存总容量:2G/颗粒封装:FBGA > 全部参数推荐度81% ¥265―威刚 1G DDR400 万紫千红内存条属于威刚 DDR 1G系列容量:1G/封装:TSOP/内存类型:DDR/标准:DDR400(PC3200)/适用类型:台式机 > 全部参数推荐度 71%¥220―金泰克磐虎2G DDR3 1333·(0)·适用类型:台式机/内存类型:DDR III/内存主频:DDR3 1333/内存总容量:2G > 全部参数推荐度 94% ¥240―黑金刚金刚版 DDRII 800 2GB·(9)·属于黑金刚 DDR2 2G系列适用类型:台式机/标准:DDR2 800/内存类型:DDR II/封装:BGA/容量:2G > 全部参数推荐度 87%¥120↓7.69%Kingmax DDR400 512M属于Kingmax DDR 512M以下系列适用类型:台式机/内存类型:DDR/内存主频:DDR400(PC3200)/内存总容量:512M/颗粒封装:TSOP > 全部参数推荐度 83% ¥115↓4.17%宇瞻黑豹II代 DDRII800 2G·(13)·属于宇瞻 DDR2 2G系列适用类型:台式机/内存类型:DDR II/内存主频:DDR2 800/内存总容量:2G/颗粒封装:BGA > 全部参数推荐度 78% ¥190―Kingmax DDR3 1333 2G·(0)·适用类型:台式机/内存类型:DDR III/内存主频:DDR3 1333/内存总容量:2G/颗粒封装:BGA > 全部参数推荐度 60%¥405―海盗船 TWIN2X4096-6400C5(2G*2)·(5)·属于海盗船 DDR2 2G系列适用类型:台式机/标准:DDR2 800/内存类型:DDR II/封装:BGA/容量:4G > 全部参数。

了解主流的内存品牌

了解主流的内存品牌

了解主流的内存品牌:(一)主要的内存颗粒厂家虽然市场上的内存条品牌多如过江之鲫,但世界上的内存芯片生产厂商却只有那么几家,我们可以在内存条上查看所使用的内存芯片编号,例如三星、美光、现代等。

但由于不同生产厂家的技术实力差距,不同品牌内存的质量也有所差异。

需要说明的是,内存芯片其实也就是平常所说的内存颗粒,后者是我国台湾省和香港特别行政区对内存芯片的另一种称呼而已。

1.三星(Samsung)世界上最大的DRAM生产厂商,不过三星公司的产品并不仅局限于内存,还包括显存以PC年3 月4。

19 997.茂矽(MOSEL VITELIC)1987年,台湾茂矽正式成立于台湾新竹科学工业园区。

1996年,与德国西门子集团合资设立"茂德科技股份有限公司",兴建8寸芯片工厂,专门生产64M以上的高密度DRAM 产品,是台湾首家成功生产64MDRAM产品的厂商。

台湾茂矽1997年设立了"南茂科技股份有限公司"提供记忆体产品的专业后段加工服务。

8.力晶(PSC)力晶公司Powerchip Semiconductor Corporation是台湾最大的内存颗粒制造商,力晶,南亚和茂矽并称台湾内存颗粒制造三巨头。

力晶于1983.12创立于新竹科学园区,业务范围涵盖动态随机存取芯片制造及晶圆代工两大范围。

附:以下是ISuppli公司公布的十大内存芯片制造商在2002年的排名:1,三星电子公司2,美光科技公司3,Infineon4,现代5,Nanya6,Elpida7,Winbond电子公司8,日本三菱电子公司9,Mosel Vitelic公司10,日本东芝公司,合作伙伴。

Corsair是设计高性能内存最具经验的内存制造商,其深知每一个细节的重要性,严谨的记录长度的控制内存、阻抗控制、时钟记录设计、不断电源及高敏度的镀金针脚等。

经过工程师精心设计和严格的测试,把数据讯号的嘈音及时钟波长讯号的偏差减至最低,提高信讯品质和整合性。

8款高性价比8GB DDR4 2400内存条推荐!

8款高性价比8GB DDR4 2400内存条推荐!

8款高性价比8GB DDR4 2400内存条推荐!不少用户在装机选择内存的时候比较纠结,尤其是内存价格疯涨的时候,价格与频率参差不齐,加上品牌众多,导致不少装机用户在选择内存时难以抉择。

目前DDR4内存热销主流的就是2400频率,因此对于主流装机用户来说,DDR4 2400频率也是最佳的性价比之选。

下面分享一下8款高性价比8GB DDR4内存条推荐,希望能够为广大挑选内存的装机用户带来参考。

一起来看看吧!1、金士顿HyperX骇客神条8GB DDR4 2400或者金士顿8GB DDR4 2400普条金士顿内存相信大家都不会陌生,是目前最知名的内存品牌,占有市场份额最大,也是装机首选内存品牌之一。

金士顿HyperX骇客神条DDR4 2400 8G内存条采用经典的骇客神条系列造型设计,外观同样比较霸气,并具备良好的散热表现。

采用高质量的内存颗粒,并通过阉割的测试,稳定性与兼容性口碑很高。

点评:随着金士顿内存降价,目前金士顿内存虽然依然比其它品牌略贵一些,但建议一线知名品牌,严苛的稳定性与兼容性测试,可靠性很高,对于性价比不是那么敏感,注重品牌的主流装机友依然值得推荐。

2、威刚万紫千红8G DDR4 2400普条或者威刚XPG威龙DDR4 8G 2400内存威刚内存相信大家都不会陌生,在内存品牌排行中,仅次于金士顿,也属于目前高性价比品牌内存。

今天为大家推荐的是威刚XPG 威龙DDR4 8G 2400内存,具备稳固兼容等特点。

内存规格方面,威刚XPG威龙DDR4 8G 2400内存同样是新一代DDR4 2400主流频率内存,兼容Intel和AMD各新平台,工作电压为1.2V,带有散热片,严选颗粒,并采用黄金电镀金手指设计,稳定性有保障。

点评:总的来说,这款威刚8GB DDR4内存具备性能主流,稳定性与兼容性强,并支持终生质保等特点,加之性价比高,感兴趣的朋友,对于普通大众装机用户来说,值得考虑下。

3、英睿达镁光8G DDR4 2400 白色马甲条或者英睿达镁光8G DDR4 2400 普条镁光8G DDR4 2400内存条有着炫酷外形,采用数码迷彩隐藏屏蔽集成散热器设计,兼顾颜值与散热,相比一般的普条显得更为霸气。

内存品牌的简介

内存品牌的简介

限公司是一家与国际领先技术接轨,致力于记忆储存设备应用与服务,近年来全力打造黑金刚全球领先品牌形象的专业内存制造商。其工厂及产品已正式通过ISO9001国际质量管理体系严格认证。作为业界知名企业,黑金刚科技股份有限公司拥有领先的技术研发力量和非常雄厚的工厂实力,业已形成系统化的组织机构和全球性的行销布局,并与全球各大芯片厂家保持着紧密的战略合作伙伴关系。在台式机、笔记本、服务器等众多领域,黑金刚都拥有全系列配套完整的内存产品线。自入驻中国市场以来,黑金刚在很短的时间内就得到国内众多著名IT媒体的充分关注与认可,成为众多权威媒体机构极力推荐的内存品牌,更是广大专业级玩家与DIY爱好者的首选品牌!
6金邦GEIL
点评:金邦(Geil)科技是专业的内存模块制造商之一。是一家以汉字注册的内存品牌,并以中文命名的产品“金邦金条”“千禧条GL2000”迅速进入国内市场,金邦内存为用户“量身订做,终身保固”的记忆体模组内存品牌,其推出“量身订做”系列产品使计算机进入一种优化状态。GEIL在1993年成立于香港,1996年将总部设于台北,在两岸三地均设有生产基地和庞大的销售网络。金邦科技公司一向秉承“科技领先、品牌策略、以人为本”的经营理念,其开发的产品精雕细琢、别具一格。1998年,金邦公司以创新的BLP封装技术,率先在国内市场推出“金条”品牌内存条。其高效的性能、精湛的工艺、独特的外形一推出市场, 即以迅雷不及掩耳之势风靡全国,在计算机DIY市场掀起一浪浪“条”。2002年3月,在内存正从SDRAM迈向双倍速的DDR年代,金邦公司开发的DDR400内存初次在国内与消费者见面,便以其高速的性能和超频能力震撼业界。
金士顿Kingston
点评:金士顿科技——全球内存领导厂商,成立于1987年。从开始的单一产品的生产者,金士顿发展到现在拥有2000多种储存产品,支持计算机、服务器和打印机到MP3播放器、数字相机和手机等几乎所有的使用储存产品的设备。2007年,公司的年营收突破了45亿美金。包括位于美国加州芳泉谷的全球总部在内,金士顿在全球拥有超过 4,500 名员工。被美国财富杂志评为“美国最适宜工作的公司”。它的尊重、忠诚、弹性和正直的原则成为典范性的企业文化。金士顿相信投资于人是企业的根本,每位员工都是企业成功的重要因素。

内存颗粒识别

内存颗粒识别

内存颗粒识别存储颗粒主要有这样的一些品牌:美国的Micron(美光)、德国的Infineon(英飞凌);韩国的SAMSUNG(三星)、HY(现代);日本的NEC(日本电气)、Hitachi(日立)、Mitsubishi(三菱)、Toshiba(东芝);台湾的EilteMT、ESMT(晶豪)、EtronTech(钰创)、Winbond(华邦)、Mosel(茂矽)、Vanguard(世界先进)、Nanya(南亚)。

有的品牌现在已经没有被采用了,只有在SDRAM时代采用过,有的品牌在DDR时代采用的也不多了。

显存种类主要分SD和DDR两种,有时候,他们可以从编号上区分,DDR的可能会注明“D”,SDRAM的注明“S”或者其他字母。

另外主要从管角数量上来区分,以TSOP封装来说,SDRAM的管脚数量是27x2=54,DDR的管脚数量为33X2=66。

注:“bit”为“数位”,“B”即字节“byte”,一个字节为8位则计算时除以8。

关于内存容量的计算,文中所举的例子中有两种情况:一种是非ECC内存,每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存;另一种ECC内存,在每64位数据之后,还增加了8位的ECC 校验码。

通过校验码,可以检测出内存数据中的两位错误,纠正一位错误。

所以在实际计算容量的过程中,不计算校验位,具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。

在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。

SAMSUNG目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多,在市场上有很高的占有率。

由于其产品线庞大,所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。

三星内存颗粒的型号采用一个15位数字编码命名的。

这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别,所以我们重点介绍这两部分的含义。

编码规则:K 4 X X X X X X XX - X X X X主要含义:第1位——芯片功能K,代表是内存芯片。

第2位——芯片类型4,代表DRAM。

辨别内存条真伪

辨别内存条真伪

内存6大防伪让你不被骗● Kingston内存鉴别方法:Kingston品牌内存自进入国内市场,就以极高的品质性能和优秀的售后服务,在短时间内就一跃成为了目前国内内存市场上最受消费者信赖的内存品牌。

俗话说:“树大招风”,正是由于金士顿近年来在内存市场上的优异表现,被一些不法之徒看中,假货由此也就混入市场。

不过,除了假货之外,因Kingston合法代理商不同,所以贴的标也就不同,所以也有些商家为了竞争只说自己的标才是真货。

两种代理商防伪标签1目测方法:购买时对内存防伪标的鉴别,金士顿内存的产品铭牌同时就是防伪标。

当视线与防伪标表面垂直时,看到的防伪标上Kingston的LOGO头像是玫瑰红色,而当视线与标签形成一个夹角以后,标签就变成了橄榄绿色。

这种方法是最简便直接的防伪办法,消费者在购买时就可以立即检验产品真伪,及时发现假货。

2 一分钟网上辨别:请点选与您的内存模组上完全相同的变彩防伪标或白色标签:防伪标图样另外,打800电话或全球网络查询网站/china/verifynew/真假识别,你只需向该网站提交相关的内存产品信息,该网站就将会在极短的时间内帮您识别出您所购买的金士顿内存是否假冒。

● 金邦内存鉴别方法金邦在打击假货方面做得非常到位,在其全系列内存产品中采用DNA防伪条码技术,从根本上避免假冒内存。

DNA防伪标签GeIL所采用的DNA防伪标签应用了生物DNA防伪技术,撷取动、植物的DNA,经萃取、剪接、合成等步骤,并由遗传工程技术处理后再经特殊生产制成。

如无关键保密资料,任何假冒厂商想要复制这种DNA标记都需要付出高昂的代价,因此能够有效避免假冒产品出现。

DNA防伪技术除此之外,GeIL在售后服务上也比其他内存厂商更为出色,为其所有内存产品提供终身保换。

目前尚未有其他厂商采用类似的DNA防伪技术,不过,如果该技术获得广泛使用推广,对于普通用户来说购买内存时就不用提心掉但怕买到假内存。

金邦DNA防伪标签,在识别方法上也是非常简便和易操作。

  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
现代颗粒:
作为全球几大内存颗粒生产厂家的现代公司自从进入中国以后假货也随之而来并且花样之多令人发寒。以往所谓的现代原厂内存不过是使用些小伎俩比如贴塑料纸,喷漆等下三滥的REMARK手段,而现在真正的仿冒品出来了,不仔细看的话真的会被假货所蒙骗。同时HY公司的内存颗粒一直以来算的上中规中矩,除了稳固TSOP II封装的颗粒外,根本没有生产过其他封装的产品,这里就暴露了假货的致命点。虽然外观漂亮,但是最终难逃假货的命运。
KSV864T4XXX——128Mbits,8M 地址空间 × 16位数据宽度。
Kingmax内存的工作速率有四种状态,是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率:
-7A——PC133 /CL=2;
-7——PC133 /CL=3;
-8A——PC100/ CL=2;
-8——PC100 /CL=3。
三星TCB3颗粒:
TCB3是三星推出的6ns DDR颗粒,可以稳定地工作在PC2700, 2-2-2-X的时序,参数非常优秀,此外它同样可以工作在PC3200,但是不能继续维持这么高的时序,200MHz时的时序为2-3-3-6,不过也已经很不错了。TCB3的频率极限在230MHz左右,对于对于默认为166MHz的内存来说超频幅度很大,TCB3对于电压并不太敏感,3.0V电压下频率提升也不是很大。现在来看这种颗粒有些过时。
三星TCCC颗粒:
TCCC是三星TCC系列(PC3200)里面编号为“C”的颗粒,表示其PC3200时预设CAS值为3。TCCC可以工作在250-260MHz,3-4-4-8的时序,而默认200MHz时可以保持2.5-3-3-6的时序,由于TCCC颗粒的售价比较便宜,因此和现代的D43一起成为性价比出色的代表。此外不少DDR500内存同样采用了TCCC颗粒,不过由于已经接近极限频率,留给这款内存的超频空间已经很小了。电压对于TCCC颗粒的超频有一定的影响,不过在2.8V时已经基本可以达到最高频率。
KSVA44T4A0A——64Mbits,16M地址空间 × 4位数据宽度;
KSV884T4A0A——64Mbits,8M地址空间 × 8位数据宽度;
KSV244T4XXX——128Mbits,32M地址空间 × 4位数据宽度;
KSV684T4XXX——128Mbits,16M地址空间 × 8位数据宽度;
三星TCCD颗粒:
TCCD:TCCD是另一款经典高频颗粒,可以在2-2-2-X的时序下稳定工作在220MHz,也可以在2.5-4-4-X的时序下以超过300MHz的频率稳定运行,是目前工作频率最高的DDR内存芯片。TCCD对于电压的比较敏感,但是并不需要太高的电压就可以完全进入高效状态,在2.8V或者更低电压下即可达到,几乎适用于所有的主流主板。目前采用TCCD颗粒的内存产品在绝大多数主板上可以轻松达到DDR600的水准,可以满足不同用户的需要。TCCD和BH-5相比在高频时候的参数不足可以通过更高的工作频率来弥补。目前几乎所有的内存频宽记录都是由TCCD创造的,不少采用TCCD颗粒的品牌内存已经成为超频玩家们追捧的对象。
1、BH-5
BH-5是华邦公司最出名的内存颗粒,也可以称得上到目前位置最出名的内存颗粒!这些颗粒以其超强的内存参数而著称,并且对于电压相当地敏感;大多数的BH-5颗粒可以工作在2-2-2-X的参数下,当然在3.2-3.4V高压下,部分采用BH-5颗粒的极品内存甚至工作在280MHZ的频率,并且仍然维持2-2-2-x这样的时序。
例如一条Kingmax内存条,采用16片KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造,其容量计算为: 64Mbits(兆数位)×16片/8=128MB(兆字节)。
Winbond(华邦)系列
Winbond(华邦)是台湾著名的内存芯片生产商,该公司生产的DDR内存颗粒在玩家心目中的地位是其他任何厂商没办法取代的,该公司的BH-5内存芯片已经成为高档内存的代名词。
为了防止仿冒品三星原厂内存的代理商未雨绸缪的使用了防伪技术,在真品的内存中贴上了一张镭射三星金条的贴纸,同时整体原厂的包装中也附带有了一张质量保证卡。相信这些仿冒者除非下血本,不然还是难以与真品的附件质量相抗衡的。
三星内存颗粒上的编号“TC”,其中的“T”代表采用TSOP封装方式。
一、三星DDR系列内存芯片:
虽然他比KINGMAX出道晚,但是他却以迅雷不及掩耳的速度在国内走红,可能最主要的原因就是内存质量了。同样市场上也就出现了仿冒的盒装KINGSTON。辨别是否是正品非常的简单。首先,正品的封口贴纸印刷色彩丰富。假冒的产品则逊色很多。
如果不能通过包装外表来识破真假,那么就看看内存颗粒,假货为了节省成本通常使用廉价的杂牌内存颗粒,而正品则是以SAMSUNG,HY等为主的。但是必须要提防打磨的颗粒。还有一招就是拨打内存上的800电话来辨别真假。
三星原厂颗粒:
三星与现代原厂内存一直都是比较崇尚的,自从去年进入市场以来也都没有过的清闲,频繁受到了仿冒品的骚扰。
现在的所谓三星原厂的仿冒品如同以前的散装条,做工较为粗糙,PCB质量较为低劣,并且分量也不及原厂条来的重。内存颗粒的激光字体原厂的非常清晰,而仿冒品则有摩擦过的痕迹。
内存的背面也可以看到真品的走线比较清晰自然,而仿冒品则比较零乱,包括焊点的质量,谁真谁假一目了然。
目前现代主流的内存颗粒有两种,默认频率在200MHz的D-43颗粒以及250MHz的D-5颗粒。
海力士(Hynix)颗粒:
与英飞凌的情况类似,海力士以前是韩国现代电子公司的子公司现代半导体公司,后来从母公司中独立,改名为Hynix,所以严格的说,它的产品不能再称之为“现代内存”了。
KINGSTON系列:
使用三星ZCD5颗粒的三星金条DDR2-533内存在不加电压超频情况下,能够以4-4-4-X的时序稳定工作在DDR2-667模式,更具备挑战DDR2-900的实力。
目前全球速度最快的三星金条DDR2-800采用三星ZCE7颗粒
最近生产的三星颗粒上,厂家标识已经从原来的“SAMSUNG”改为“SEC”了
当然这样体质的BH-5颗粒还比较少见,对于内存的整体要求也相当高。如果你的主板不支持2.8V以上的内存电压调节,采用BH-5颗粒的内存或许不太适合你,但是对于那些狂热的超频玩家来说,OCZ的DDR booster可以帮助他们榨干BH-5的所有能量,最高3.9V的电压可以轻松让你的BH5达到DDR500,2-2-2-X以上,当然笔者不推荐正常使用中采用这么高的电压(毕竟大多数采用BH5颗粒的内存默认电压为2.5-2.6V之间)。
Kingmax内存都是采用TinyBGA封装(Tiny ball grid array)。并且该封装模式是专利产品,所以采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量:64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。
容量备注:
DDR2时代,三星全面进入到GC和ZC(G为FBGA封装方式,Y为FBGA-LF)系列,另外还有SC和YC,并采用90nm生产工艺,使相同晶元可以生产出更多的颗粒,从而降低了成本。YC是外形最小的一种封装方式,性能表现也最好,现在市面上很少见到。
目前较常见到的有GCCC(多用于DDR2-400)、***5/ZCD5(多用于DDR2-533)、***6/GCE6(多用于DDR2-667)、GCF7/GCE7(多用于DDR2-800)等;这些内存颗粒在超频方面同样有着不容小视的实力,且仍保持低延迟风格。不过经过编号更改后(由SAMSUNG改为SEC),默认时序参数已设定得较为保守,不过某些DDR2-533默认延迟仍设定在4-4-4-10上。通常情况下三星DDR2-533内存时序参数可以稳定在3-3-3-4上,优势明显,这也是为什么三星金条内存品质非常好的一个原因。GCCC和***5颗粒大都具备在5-5-5-15参数下超频至DDR2-800以上水平。三星金条作为韩国三星电子的原厂原装内存,多选用这种颗粒。
Hale Waihona Puke KINGMAX系列: KINGMAX的产品以他的TINYBGA封装形式得以闻名,同时因为技术的独特性也一定程度抑制了假货的生存。在去年KINGMAX为了丰富自己的产品线推出了一个SUPER-RAM的系列,这个系列采用了TSOP封装技术,当然这也给仿冒工厂带来了又一个利润点。
不过KINGMAX公司也意识到了这一点,对这个系列的内存使用了非常多的防伪手段。最另人值得注意的就是PCB板正面SPD下方新设计一颗ASIC芯片(特殊用途芯片),该颗粒采用KINGMAX专利的TinyBGA技术进行封装,内部存储了ID CODE,具有全球统一识别码,也就是说拥有唯一性,同时还附上了800电话的查询贴纸,这样假货就无处藏身了。
三星UCCC颗粒:
此外三星UCCC内存颗粒低延迟特性也为玩家所追捧,选用UCCC颗粒的DDR400内存条,默认工作时序为3-3-3-6,在不加电压超频模式下,可以工作在240MHz和2.5-3-3-X下。相对价格也要便宜一些,非常适合大众选择。
三星DDR2系列内存芯片
GCCC是目前最常见的三星颗粒,多用于DDR2-400产品
补补知识吧
我们经常用到的内存品牌有:海盗船、Kingston(金士顿)、Kingmax(胜创)、APACER(宇瞻)、三星(SAMSUNG)、现代(HYNIX)等。杂牌中用的颗粒编号较多的是EACH的以及KingMAN、KingRAM等等。海盗船内存主要用于服务器或者发烧玩家,我们大家在购买电脑的时候,在资金比较宽裕的情况下,推荐选购Kingston的VALUERAM盒装内存,以及APACER盒装内存(建议购买英飞凌”INFINEON“颗粒的)这两种内存提供内存的终身质保,品质上没有任何问题,大家完全可以放心使用。如果资金不是很宽裕,建议购买非打磨现代的内存,经实践证明原厂现代内存的兼容性在所有的内存中首屈一指。但是,现代的内存假货严重泛滥,关于其造假及售假方法将在下文中提到。如果你要购买现代的兼容内存,建议你一定要买富豪代理或者金霞代理的盒装正品。如果贪图便宜选择散装条子,那就要考考您的眼力了。基本上不推荐购买杂牌内存,杂牌内存在使用寿命和质保上都不能令人满意,最后说一下Kingmax内存之所以不推荐,就是因为Kingmax内存与某些主板(如早期NFORCE 2芯片组)的兼容性不是很好,但其自身的品质和性能绝对也是业界一流的。希望在购买的时候一定要当场试试,看有没有兼容性问题.
相关文档
最新文档