各品牌内存颗粒列表
主流DDR2内存颗粒
主流DDR2内存颗粒主流DDR2内存颗粒目前，市面上的内存就制造上主要分为两大类。
一类来自采用现代、三星、英飞凌等国际半导体芯片制造商生产的的内存芯片，然后打造自己品牌的产品，比如目前金士顿、威刚等品牌的内存都属于此类内存模块。
二类就是DRAM大厂的原厂内存。
由于DRAM大厂的原厂内存更多的是被整机厂商使用，而直接在国内零售市场和最终用户见面的机会并不多，目前国内的消费者能够买到的原厂内存一般只有三星“金条”与英飞凌原厂内存。
由于原厂内存一般都具有极佳的PCB设计和制造品质使其拥有品质优秀、兼容性好、超频能力强、稳定性一流等特点，因此吸引了大批超频玩家通过各种渠道去获得这些原厂内存条来满足自己PC的超频需要。
不过，无论是什么品牌的内存模块，都离不开内存颗粒，这往往是对内存性能的最大决定因素。
由于当前可以生产内存颗粒的厂商不多，因此我们很容易从内存颗粒上辨别出所选择内存模块的规格、性能。
三星(Samsung)三星有GC和ZC(G为FBGA封装方式,Y为FBGA-LF)系列，另外还有SC和YC，并采用90nm生产工艺，使相同晶元可以生产出更多的颗粒，从而降低了成本。
YC是外形最小的一种封装方式，性能表现也最好，现在市面上很少见到。
目前较常见到的有GCCC(多用于DDR2-400)、GCD5/ZCD5(多用于DDR2-533)、GCD6/GCE6(多用于DDR2-667)、GCF7/GCE7(多用于DDR2-800)等；这些内存颗粒在超频方面同样有着不容小视的实力，且仍保持低延迟风格。
不过经过编号更改后(由SAMSUNG改为SEC)，默认时序参数已设定得较为保守，不过某些DDR2-533默认延迟仍设定在4-4-4-10上。
通常情况下三星DDR2-533内存时序参数可以稳定在3-3-3-4上，优势明显，这也是为什么三星颗粒品质较好的一个原因。
GCCC和GCD5颗粒大都具备在5-5-5-15参数下超频至DDR2-800以上水平。
教你辩识别内存颗粒
内存是电脑必不可少的部件，也是影响电脑性能的关键部件。
而对于内存颗粒，则是内存条上必不可少的一部分，同时也与内存的性能息息相关。
一条完整的内存条是由PCB板、SPD芯片和内存颗粒构成的，其中以颗粒最为重要，内存的容量、频率等都由内存颗粒决定的。
而正因为颗粒的重要性，颗粒也成为了不少奸商造假的地方所在。
因此，我们有必要对内存颗粒进行一个完整的认识，从而更好的选购内存。
一、内存颗粒巡礼1、内存颗粒介绍相对于市面上越来越多的内存品牌，内存颗粒的生产厂商要显得少了很多，目前主要有三星(SAMSUNG)、现代(Hynix)、英飞凌(Infi neon)、美光(Micron)、勤茂(TwinMOS)、南亚(NANYA)、华邦(Winbond)和茂矽(MOSEL)等等。
这些内存颗粒厂商都具有相当实力，其中名列三甲的有三星、现代以及美光。
现代D43颗粒(Hynix D43)在很多玩家心目中，现代D43内存颗粒有着兼容性好、超频出色的特点，而采用HY D43芯片的产品更是被众多玩家所追捧。
如果我们将它细分的话，D43内存颗粒又根据生产批次的不同，在编号上分为AT-D43、BT-D43、CT-D43和DT-D43。
其中又以BT-D43和DT-D43最为常见，口碑也是最好的。
三星UCCC内存颗粒三星(SAMSUNG)内存颗粒被誉为DDR时代的终结者，它在512MB时代的TCCD和TCC5颗粒，1GB时代的UCCC颗粒都是内存界的佼佼者。
UCCC颗粒早期专供服务器高端ECC内存使用，后来才逐渐进入民用领域。
前期的产品依旧保持着服务器内存的特点，只以稳定性见长，超频性能一般。
但三星为了重夺高频内存之王的宝座，在520周期以后生产的UCCC颗粒做了进一步制程优化，使得高频、海量、稳定三全齐美。
三星TCCC颗粒(SAMSUNG TCCC)除了上面提到的TCCD、TCC5、UCCC内存颗粒，三星还有一TCCC颗粒，TCCC也是一款非常优秀的内存颗粒，被用于三星原厂的“金条”中，它的价格要比TCCD便宜得多，而且兼容性也非常好，不过价格还是比普通内存颗粒高了一些。
了解主流的内存品牌
了解主流的内存品牌：（一）主要的内存颗粒厂家虽然市场上的内存条品牌多如过江之鲫，但世界上的内存芯片生产厂商却只有那么几家，我们可以在内存条上查看所使用的内存芯片编号，例如三星、美光、现代等。
但由于不同生产厂家的技术实力差距，不同品牌内存的质量也有所差异。
需要说明的是，内存芯片其实也就是平常所说的内存颗粒，后者是我国台湾省和香港特别行政区对内存芯片的另一种称呼而已。
1.三星（Samsung）/Products/Semiconductor/Memory/index.htm世界上最大的DRAM生产厂商，不过三星公司的产品并不仅局限于内存，还包括显存、闪存以及手机内存等，大多数内存大厂和显卡大厂都选择三星的芯片，许多笔记本电脑上使用的就是三星内存，其内存芯片会很清楚的注明SAMSUNG。
2.美光（Micron）/products/dram/美国老牌的DRAM生产厂家，其内存芯片编号以MT开头。
3.英飞凌（Infineon）/Infineon的前身是西门子半导体公司，不过如今早已独立，其内存芯片编号的开头以HYB表示，前不久英飞凌还推出了第二品牌Aeneon，专门针对White-box PC（无品牌PC ）市场销售。
4.现代（Hynix）/hscs/index.html由于已经从母公司独立，并与LG半导体公司合并成立Hynix半导体公司，因此从严格意义上来说，其产品已不能称为“现代内存”，其内存芯片编号的开头以HY表示，可以说是中国市场上装机出货量最大的品牌之一，但出自原厂的内存条极少。
5.南亚（Nanya）/南亚科技(Nanya Technology Corp.)位于台湾省林口华亚科技园区，成立于1995年3月4日，是唯一位于大台北生活圈的世界级半导体制造厂.公司致力于DRAM（动态随机存取内存）之研发、设计、制造与销售，并于美国、欧洲、日本、中国设立海外行销据点。
2003年，南亚科技全年营收达8.37亿美元，并成为世界第五大DRAM制造厂商，其最大股东为台塑集团之南亚塑料股份有限公司。
内存颗粒识别内存
内存颗粒编号与内存品牌知识介绍通过查验内存颗粒的型号，我们就可以计算出内存的容量。
以下面几个内存颗粒编码规则为例来说明内存容量的辨识方法。
一、Samsung （三星）编码规则：K 4 X X X X X X X X - X X X X X1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 111213 1415具体含义解释：第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。
64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit 的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。
例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。
颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位）× 16片/8bits=256MB（兆字节）。
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。
关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。
各种品牌存储IC简单命名介绍
各种品牌存储IC简单命名介绍存储颗粒主要有这样的一些品牌：美国的Micron（美光）、德国的Infineon （英飞凌）；韩国的SAMSUNG（三星）、HY（现代）；日本的NEC（日本电气）、Hitachi(日立)、Mitsubishi(三菱)、Toshiba(东芝)；台湾的EilteMT、ESMT （晶豪）、EtronTech（钰创）、Winbond（华邦）、Mosel（茂矽）、Vanguard （世界先进）、Nanya（南亚）。
有的品牌现在已经没有被采用了，只有在SDRAM时代采用过，有的品牌在DDR 时代采用的也不多了。
显存种类主要分SD和DDR两种，有时候，他们可以从编号上区分，DDR的可能会注明“D”，SDRAM的注明“S”或者其他字母。
另外主要从管角数量上来区分，以TSOP封装来说，SDRAM的管脚数量是27x2＝54，DDR 的管脚数量为33X2=66。
美光（Micron）图1 美光芯片颗粒美光是美国第一大、全球第二大内存芯片厂商，目前显卡厂商采用它显示芯片较少，它主要供应内存OEM商，下面用上图的实例对Micron（美光）颗粒编号的简单含义作介绍：MT——Micron的厂商名称。
48——内存的类型。
48代表SDRAM；46 代表DDR。
LC——供电电压。
LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。
8M8——内存颗粒容量为8M。
A2——内存内核版本号。
TG——封装方式，TG即TSOP封装。
-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。
颗粒编号MT 48LC8M8A2 TG-75，从编号上的48很容易知道这是SDRAM颗粒，采用TSOP封装方式，速度为7.5ns，单颗粒为8M，位宽8bit。
亿恒（In fineon）图2 Infineon（亿恒）颗粒Infineon是德国西门子的一个分公司，它主要生产内存颗粒。
目前，Infineon在全球排名已经跃居为第四位，超过了韩国的Hynix。
内存常用颗粒识别
内存颗粒编号识别内存是计算机不可缺少的部件之一，常用的芯片有现代、三星……但并不是每个DIY的高手们都熟悉刻在内存芯片上编号型号的。
现在我们就详细列出内存编号的各项含义。
（1）HYUNDAI（现代）现代的内存颗粒现在都改名为Hynix了，不过旧颗粒上还是印有HYUNDAI的标志。
其SDRAM芯片编号格式为：HY 5<1> <2> V <345> <67> <8> <9> <10> <11.12>-<13.14> s，具体的编号含义可以在现代的网站上找到：其中HY代表现代的产品：5<1>表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；<2> 代表工作电压(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；<345> 代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；<67> 代表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；<8> 代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；<9> 代表接口（0=LVTTL［Low V oltage TTL］接口）；<10> 代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；<11.12>代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ）；<13.14>代表速度（7=7ns［143MHz］，8=8ns［125MHz］，10p=10ns［PC-100 CL2或3］，10s=10ns［PC-100 CL3］，10=10ns［100MHz］，12=12ns［83MHz］，15=5ns［66MHz］）。
内存好不好 关键看颗粒
内存好不好关键看颗粒！镁光颗粒乃超频颗粒！2008-06-11 12:22通常人们购买内存最注重的就是其容量频率大小和价格，其次便是品牌和做工等。
性价比成为了人们选购内存的最重要的衡量标准，确实如此，不过如果你想更深入的选购极品内存，那就必须了解内存的颗粒，内存颗粒不但可以决定内存的兼容性稳定性而且更能影响到内存的超频潜力！有时候明明是同一款品牌的产品，它们因为不同颗粒却有着相当大的差异！如大家所熟知的金士顿品牌，其内存采用的颗粒芯片都是由其他厂商所提供，同样的价格却能买到不同体质的内存，所以了解颗粒对内存选购相当重要。
目前市场上各品牌内存使用的内存颗粒主要是由晶圆厂三星Samsung、现代Hynix、镁光Micron、德奇梦达Qimonda、尔必达ELPIDA以及南亚Nanya提供！这些颗粒芯片怎么样识别呢？它们各自的特点是什么呢？不用着急，下面小编就带大家一一了解，在了解完之后小编还要对大家熟知的金士顿及海盗船内存使用的颗粒进行解析，相信对大家今后内存选购有一定的帮助！主流常见颗粒介绍--最大众的现代Hynix相信大家对HY颗粒并不陌生，许多知名品牌内存都有使用现代颗粒，如金士顿、超胜、威刚等等！现代在全球内存颗粒市场的市场份额达到了16.6%，是业内第二大晶圆厂商。
HY颗粒也是国内最主流的内存颗粒之一，其出产的Y5颗粒在兼容性及超频能力上相当不错，所以在口碑上也非常不错。
下面我们来仔细分析下现代颗粒编号，如上图所示HY代表现代颗粒5P代表DDR2 SDRAMS代表采用了1.8V电压12代表容量及刷新率8代表位宽2代表逻辑BANK数量1代表了接口类型C代表内核版本F代表封装类型P代表无铅（符合RoSH标准）Y5代表DDR2 667 5-5-5选购建议：现代的颗粒被广泛的使用，主要原因是其兼容性与稳定性比较突出，品质方面有一定保证，并且价格还不是很贵适合普通消费者使用！使用现代颗粒的内存品牌：金士顿、现代原厂条、超胜、威刚、创见等主流常见颗粒介绍--大哥级别三星Samsung韩国知名的三星相信说出去没有几个人会不知道吧，三星旗下的颗粒制造业务在全球晶圆厂中也是独占鳌头。
内存品牌
作为全球几大内存颗粒生产厂家的现代公司自从进入中国以后假货也随之而来并且花样之多令人发寒。以往所谓的现代原厂内存不过是使用些小伎俩比如贴塑料纸，喷漆等下三滥的REMARK手段，而现在真正的仿冒品出来了，不仔细看的话真的会被假货所蒙骗。同时HY公司的内存颗粒一直以来算的上中规中矩，除了稳固TSOP II封装的颗粒外，根本没有生产过其他封装的产品，这里就暴露了假货的致命点。虽然外观漂亮，但是最终难逃假货的命运。
KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空间 × 16位数据宽度。
Kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：
-7A——PC133 /CL=2；
-7——PC133 /CL=3；
-8A——PC100/ CL=2；
-8——PC100 /CL=3。
三星TCB3颗粒：
TCB3是三星推出的6ns DDR颗粒，可以稳定地工作在PC2700, 2-2-2-X的时序，参数非常优秀，此外它同样可以工作在PC3200，但是不能继续维持这么高的时序，200MHz时的时序为2-3-3-6，不过也已经很不错了。TCB3的频率极限在230MHz左右，对于对于默认为166MHz的内存来说超频幅度很大，TCB3对于电压并不太敏感，3.0V电压下频率提升也不是很大。现在来看这种颗粒有些过时。
三星TCCC颗粒：
TCCC是三星TCC系列（PC3200）里面编号为“C”的颗粒，表示其PC3200时预设CAS值为3。TCCC可以工作在250-260MHz，3-4-4-8的时序，而默认200MHz时可以保持2.5-3-3-6的时序，由于TCCC颗粒的售价比较便宜，因此和现代的D43一起成为性价比出色的代表。此外不少DDR500内存同样采用了TCCC颗粒，不过由于已经接近极限频率，留给这款内存的超频空间已经很小了。电压对于TCCC颗粒的超频有一定的影响，不过在2.8V时已经基本可以达到最高频率。
内存品牌及识别内存
如图4-11所示为HYUNDAI内存。
如图4-9所示为三星DDRAM内存。 图4-9
Micron美光
• SDRAM • Rambus • DDR SDRAM
Micron（美光）是美国最大的内存颗粒 制造商。
其 SDRAM 芯 片 编 号 格 式 为 MT48abcdMefAgTG-hij ， 其 中 MT 代 表 Micron 的 产 品 ， 48 代 表 产 品 家 族 （ 48=SDRAM 、 4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=Rambus）， ab代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=3.3V Vdd CMOS，V=2.5V Vdd CMOS），cdMef设 备 号 码 （ 深 度 × 宽 度 ） ， 无 字 母 =bit ， K=Kilobit （ KB ） ， M=Megabit （ MB ） ， G=Gigabit（GB）Mricron的容量=cd×ef；ef表 示数据位宽(4、8、16、32分别代表4位、8位、 16 位 和 32 位 ) ； Ag 代 表 Write Recovery[Twr] （A2=Twr=2clk）；
DDR SDRAM
在Micron DDR SDRAM内存上，内 存芯片上的参数含义如下：-8支持PC200 （CL2）-75支持PC200（CL2）和PC266B （ CL=2.5 ） -7 支 持 PC200 （ CL2 ） ， PC266B（CL2），PC266A（CL=2.5）。 例 如 MT48LC16M8A2TG-75L_ES 表 示 美 光的SDRAM，16M8=16×8MB=128MB， 133MHz。
无线路由器CPU闪存内存芯片列表
无线路由器CPU闪存内存芯片列表无线路由器CPU 闪存内存芯片列表品牌规格cpu 主频闪存/内存无线芯片参考价迅捷 FWR300T+ Atheros AR9132 400MHZ 4/32 Atheros 90 AR9103水星MWR300T+ 4/32 V1版Atheros AR9132 400MHZ Atheros 90 (旧款长方形的) 新款可能有缩水 AR9103TP-LINK Atheros AR9132 400MHZ 4/32 Atheros TL-WR941N AR9103D-LINK DIR618 Realtek 400MHZ 2/16 RealtekRTL8196B RTL8192SE主芯片集成华硕 RT-N56U Ralink 500MHZ 8/128RT3662F+RT3092主芯片集成 TOTOLINK N5004 Broadcom 533 MHZ 4/16BCM4718A贝尔金畅享版主芯片集成 Broadcom 533 MHZ 8/64BCM4718A华硕RT-N16 主芯片集成 Broadcom 533 MHZ 32/128BCM4718A型号&版本主频 CPU 无线芯片 RAM Flash 天线Size数TP-LINK/MW/FWTL-WR843N AR9341 200mhz 32M 4MTL-WR841N V8 AR9341 200mhz 16M 4M 2 TL-WR841N V7 AR7241-AH1A 360 AR9287 32M 4M 2 TL-WR740N V4 AR7240 400 AR9285 32M 4M 1TL-WR2543ND AR7242 400 AR9380 64M 8MTL-WR1041N AR9342-AL1A 550 AR8327 32M 4MTL-WR800N AR9341 200 16MTL-WA901ND V2.x AR9132 400 AR5416 32M 4MTL-WA901ND V1.x AR7240 400 AR9285 32M 4MTL-WA801ND v1.1 AR724x 查不了 AR9238-AL1A 32M 4M TL-WA701ND v1 AR7240 400 32M 4MMW310R V1 AR9341 200 16M 4M 3MW300R V4 AR9341 200 16M 2MMW300R V3 AR9341 200 16M 4M 2MW300r v2 AR7241 680 2TL-WDR4310 AR9344 533 AR9580 128M 8MTL-WDR7500 QCA9880[AC] 600 QCA9558[N] 128MMW150R V8.4 AR9331 400D-LINKDir615-1 F2 RTL8196B 400 RTL8192SEDIR615 C1 AR9130 400 AR8216DIR615L J1 RTL8196C 400 RTL8192SEDIR600NW A1 RT3050F 320腾达W811R RT3050F 320N300R BCM5357C0 533N308R BCM5357 500N309R BCM5357 500N3000 BCM5357 500W311R_2011 RT3050F 320W311R V2 BCM5356 333W311R V3 BCM5356 333A5S RT5350F 360A6 RT5350F 360N4 RT5350F 360W268R RT3050F 320W307R RT2880F 266W837R BCM5357 500磊科NW614 RTL8196C 400NW714 RTL8196C 400 RTL8192CENW715P BCM5357B0 533超频NW736 BCM5357 200NW735 BCM5357 200NR235W BCM5357C0 300超频NW716 RTL8196C 400 RTL8192CENW762NW765 BCM5358 500 BCM4323NW705+ V1.1 RTL8196C 400 RTL8188RE NW705 同上不明牌子 NW604 400TP-link(以下均是)TL-R860+ v2.08口有线路由 9vcpu 88E6218-LG01 150MHZis42s16400B-7TL 内存64MBEN29LV160AB 闪存2MBS29AL908D70TE102 不明芯片TL-WR641G Athreos AR2316 + Marvell 88E6060 TL-WR641G+ Athreos AR2318 + Marvell 88E6060 TL-WR642G Athreos AR2316 + Marvell 88E6060 TL-WR642G+ Athreos AR2318 + Marvell 88E6060 TL-WN610G Athreos AR2414 TL-WN620G Athreos AR5523TL-WN650G Athreos AR2414TL-WN651G Athreos AR2414TL-WN660G Athreos AR2414TL-WN612AG Athreos AR5414TL-WN652AG Athreos AR5414TL-WN653AG Athreos AR5414TL-WN662AG Athreos AR5414TL-WR541G Athreos AR2413 + Marvell 801012 TL-WR541G+ Athreos AR2317 + Marvell 88E6060 TL-WR542G Athreos AR2317 + Marvell 88E6060 TL-WA501G Athreos AR2315 + Realtek RTL8201 TL-WN510G Athreos AR2413 TL-WN550G Athreos AR2413TL-WN551G Athreos AR2413TL-WN321G Ralink RT2571WTL-WN321G Ralink RT2571WTL-WN560G Athreos AR2413TL-WN512AG Athreos AR5413TL-WN552AG Athreos AR5413TL-WN553AG Athreos AR5413TL-WN562AG Athreos AR5413TL-ANT2402A N/ATL-ANT2405C N/ATL-ANT2406A N/ATL-ANT2409A N/ATL-ANT2414A N/ATD-8610 Annex A) Broadcom BCM6338 + BCM6301 TD-8610 Annex B) Broadcom BCM6338 + BCM6301 TD-8810 (Annex A) Broadcom BCM6338 + BCM6301 TD-8810 (Annex B) Broadcom BCM6338 + BCM6301 TD-8811 (Annex A) Broadcom BCM6338 + BCM6301 TD-8811 (Annex B) Broadcom BCM6338 + BCM6301 TD-8840 (Annex A) Broadcom BCM6338 + BCM6301 TD-8840 (Annex B) Broadcom BCM6338 + BCM6301 TD-8841 (Annex A) Broadcom BCM6338 + BCM6301 TD-8841 (Annex B) Broadcom BCM6338 + BCM6301 TL-W8910G Atheros AR2413TL-W8920G Atheros AR2414TL-R402M Marvell 88E6218TL-R460 Marvell 88E6218TL-R860 Marvell 88E6218+Marvell 88E6060(Switch)TL-R860+ Marvell 88E6218 is42s16400B-7TL 内存64MB EN29LV160AB 闪存2MBS29AL908D70TE102不明芯片TL-R480T Intel FWIXP420BB (CPU) + Marvell 88E6063 (Switch)TL-R4000 Intel FWIXP420BB (CPU) + Marvell 88E6063 (Switch)TL-R480T+ Intel FWIXP420BB (CPU) + Marvell 88E6063 (Switch)TL-R488T Intel FWIXP425BD (CPU) + Marvell 88E6063 (Switch)TL-R4000+ Intel FWIXP425BD (CPU) +Marvell 88E6063 (Switch)TL-SG3109 Marvell 88E6185 (MAC) + 88E1145 (PHY) + 88E6218 (CPU) TL-SG3216 Marvell 98DX160 (MAC) + 88E1145 + 88E1111 + 88E1112 (PHY) +88E6218 (CPU) TL-SG3224 Marvell 98DX240 (MAC) + 88E1145 + 88E1111 +88E1112 (PHY) + 88E6218 (CPU) TL-SG3248 Marvell 98DX26x (MAC) + 88E1145 + 88E1111 + 88E1112 (PHY) + 88E6218 (CPU) TL-SL3428 Marvell 88E6185 + 88E6095 (MAC) + 88E1111 (PHY) + 88E6218 (CPU) TL-SL3452 Marvell 88E6185 + 88E6095 (MAC) + 88E1111 (PHY) + 88E6218 (CPU) TL-SG2109WEB Marvell88E6182 (MAC) + 88E1145 (PHY) + 88E6218 (CPU) TL-SG2216WEB Marvell98DX162 (MAC) + 88E1145 + 88E1111 + 88E1112 (PHY) + 88E6218 (CPU) TL-SG2224WEB Marvell 98DX242 (MAC) + 88E1145 + 88E1111 + 88E1112 (PHY) + 88E6218 (CPU) TL-SG2248WEB Marvell 98DX262 (MAC) + 88E1145 + 88E1111 + 88E1112 (PHY) + 88E6218 (CPU) TL-SL2210WEB Marvell 88E6092 (MAC) +88E1111 (PHY) + 88E6218 (CPU) TL-SL2218WEB Marvell 88E6092 (MAC) +88E1111 (PHY) + 88E6218 (CPU) TL-SL2428WEB Marvell 88E6182 + 88E6092(MAC) + 88E1111 (PHY) + 88E6218 (CPU) TL-SL2452WEB Marvell 88E6182 +88E6092 (MAC) + 88E1111 (PHY) + 88E6218 (CPU) TL-SG1005D Vitesse VSC7385 TL-SG1008D Vitesse VSC7388 TL-SG1008 Vitesse VSC7388TL-SG1016 Vitesse VSC7389 (MAC) + VSC8538 (PHY)TL-SG1016 Marvell 98DX161 (MAC) + 88E1149 (PHY)TL-SG1016D Marvell 98DX161 (MAC) + 88E1149 (PHY)TL-SG1024 Vitesse VSC7390 (MAC) + VSC8538 (PHY)TL-SG1024 Marvell 98DX241 (MAC) + 88E1149 (PHY)TL-SL1109 Realtek RTL8310 (MAC) + RTL8208B (PHY) TL-SL1117 Realtek RTL8318 (MAC) + RTL8208B (PHY) TL-SL1226 Realtek RTL8326(MAC)+ RTL8208-VF(PHY)+ Cicada CIS8201(PHY) TL-SL1351 Marvell 88E6182 + 88E6092 (MAC) + 88E1111 (PHY) + 88E6218 (CPU)TL-SF1005D Realtek RTL8305SCTL-SF1005D Marvell 88E6060TL-SF1008D Realtek RTL8309SBTL-SF1016D Realtek RTL8309SBTL-SF1016 Realtek RTL8316B (MAC) + RTL8208(PHY) TL-SF1016 RealtekRTL8316B (MAC) + RTL8208(PHY) TL-SF1024 Realtek RTL8324 (MAC) + RTL8208B (PHY) TL-SF1048 Realtek RTL8326 (MAC) + RTL8208-VF(PHY) TL-SM201CMAltima AC101TL-SM201CS Altima AC101TL-SM311LM N/ATL-SM311LS N/ATR-966D Realtek RTL8305SCTR-965DA Realtek RTL8305SCTR-965DB Realtek RTL8305SCTR-932D Realtek RTL8305SCTR-962D Realtek RTL8305SCTG-3269 Realtek RTL8169SCTG-3201 Marvell 88E8001TF-3239D Realtek RTL8139DTF-3239DL Realtek RTL8139DTF-5239 Realtek RTL8139CLTM-IP5600 Motorola PCI 3 (Si3052+Si3007) TM-EC5658V Intel MD5660 + MD4450 + MD1724。
各大品牌内存条区别
各大品牌内存条区别宇瞻DDR3-1600宇瞻是目前国内市场上占有率较高的一个品牌，其产品线覆盖主流低端到高端超频玩家。
这次送测的DDR3内存是目前宇瞻最高阶DDR3内存模块组。
作为一款定位于高端的内存，外置散热片是必不可少的。
除了能加强产品的散热能力和超频能力外，还可以降低静电击穿内存颗粒的几率，特别是对需要经常插拔内存的玩家来说具有较大的现实意义。
而黄金色的颜色搭配，给人一种奢华尊贵的感觉。
内存采用了尔必达(Elpida)DDR3内存颗粒。
DDR3内存对金手指上的凹槽做了一定的修改，可以看到，凹槽更多靠近于一边的边缘，依此特点可以很容易的分辨DDR2内存和DDR3内存。
金手指采用电镀工艺，比化学镀金工艺具备更好的电气性能，同时有效避免金手指氧化。
内存的铭牌上标明了这条内存的身份，单条1GB，PC3-12800表示这是一款DDR3 1600Hz频率的内存，内存每通道带宽达到了12.8GB/S。
这款宇瞻DDR3内存CL值为10，符合JEDEC标准。
黑金刚DDR3-1600黑金刚悍将版DDRII16002G(2*1G)黑金刚是近段时间内存市场比较活跃的一个内存品牌，而且一直走着高性价比的路线，其内存产品一直选用口碑不错的内存颗粒。
本次送测的内存是一款高频DDR内存，这条内存在外观上黑金刚独特的双面上色以及炫彩LED指示。
一面是传统的红色，一面是紫色。
虽然没有采用目前流行的外置散热片设计，但双色PCB板加上LED彩灯一样能吸引到顾客的眼球。
这款内存运行频率为1600MHz，也是一款高频DDR3内存产品。
DDR3内存在电气工艺上有了长足的改进，电压从DDR2默认的1.8V降到了1.5V，拥有更低的热功耗。
可以看到，凹槽更多靠近于一边的边缘，依此特点可以很容易的分辨DDR2内存和DDR3内存。
金手指采用电镀工艺，比化学镀金工艺具备更好的电气性能，同时有效避免金手指氧化。
内存的铭牌上标明了这条内存的身份，单条1GB，频率为1600Hz频率，内存每通道带宽达到了12.8GB/S。
常见品牌内存
选择常见或大品牌内存•品牌：金士顿(18) 威刚(15) 胜创(9) 宇瞻(25) 海盗船(32) 金泰克(14)三星金条(13) 黑金刚(12) 芝奇(23) 现代(3) 金邦(1) OCZ(28) 金士泰(8) 博帝(47) 创见(7) 金士刚(13) 必恩威(11) 记忆龙条(6) 亿能(10) 超胜(11) 劲永(12) 英飞凌(10) 蓝魔(5) 劲芯(15) 南亚(12) NCP(6) 富豪(10) 金特尔(11) 星存(6) 迈威(7) 慧创(13) 菲利浦名品(11)幻影真彩(6) KUK(9) 麒仑(9) 华东承启(5) 晶刚(2) 魔骏(7) 美商威特(3) 锐马士(5) 宏连(4) 力晶(1)•价格：200元及以下(179) 200-400元(107) 400-600元(38) 600-900元(30) 900元以上(75)•容量：16G(1) 8G(1) 4G(52) 2G(127) 1G(155) 512M(105) 256M(2)金士顿 DDR2 800 2G属于金士顿 DDR2 2G系列适用类型:台式机/内存类型:DDR II/内存主频:DDR2 800/内存总容量:2G/颗粒封装:BGA 内存电压1.8V ECC校验不支持推荐度 85% ￥125―金士顿 DDR2 800 1G属于金士顿 DDR2 1G系列适用类型:台式机/内存类型:DDR II/内存主频:DDR2 800/内存总容量:1G/颗粒封装:BGA 延迟描述CL=4-4-4-12 内存电压 1.8V ECC校验不支持推荐度 87% ￥80―威刚红色威龙游戏版 2G DDR2 800适用类型:台式机/内存类型:DDR II/内存主频:DDR2 800/内存总容量:2G/颗粒封装:FBGA延迟描述CL=5-5-5-12 内存电压 1.9-2.1V推荐度 77% ￥160↓3.03%金士顿 DDR 400 1G(KVR400X64C3A)属于金士顿 DDR 1G系列适用类型:台式机/内存类型:DDR/内存容量:1024M/内存主频:DDR400(PC3200)/颗粒封装:TSOP >颗粒速度5ns 延迟描述CL=3 内存电压 2.6V ECC校验不支持推荐度 72% ￥225―威刚万紫千红 DDRII800 2G属于威刚 DDR2 2G系列适用类型:台式机/内存类型:DDR II/内存主频:DDR2 800/内存总容量:2G/颗粒封装:BGA推荐度 82% ￥120↓7.69%Kingmax DDR2 800 2G·(17)·属于Kingmax DDR2 2G系列适用类型:台式机/内存类型:DDR II/内存主频:DDR2 800/内存总容量:2G/颗粒封装:BGA 延迟描述CL=5 内存电压 1.8V ECC校验不支持推荐度 89%￥125↓3.85%威刚红色威龙极速版 2G DDR2 800·(5)·适用类型:台式机/内存类型:DDR II/内存主频:DDR2 800/内存总容量:2G/颗粒封装:FBGA延迟描述CL=4-4-4-12 内存电压2.0-2.1V ECC校验不支持推荐度 96% ￥180↓2.7%金士顿 HyperX DDR2 800 2G(KHX6400D2/2G)属于金士顿 DDR2 2G系列适用类型:台式机/内存类型:DDR II/内存主频:DDR2 800/内存总容量:2G/颗粒封装:FBGA 延迟描述CL=5-5-5-15 内存电压2.0V ECC校验不支持推荐度 70% ￥225―海盗船 TWIN3X4G2000C9DF·(2)·属于海盗船 DDR3 2G系列适用类型:台式机/内存类型:DDR III/内存主频:DDR3 2000/内存总容量:4G/颗粒封装:FBGA 内存电压 1.7V推荐度 15% ￥7999―三星金条 DDR2 800 2G属于三星金条 DDR2 2G系列适用类型:台式机/标准:DDR2 800/内存类型:DDR II/封装:BGA/容量:2G > 全部参数推荐度 83% ￥150―威刚红色威龙 DDRII800 2G·(21)·属于威刚 DDR2 2G系列适用类型:台式机/内存类型:DDR II/内存主频:DDR2 800/内存总容量:2G/颗粒封装:BGA > 全部参数推荐度 86% 缺货―宇瞻 DDRII800 2G·(17)·属于宇瞻 DDR2 2G系列适用类型:台式机/标准:DDR2 800/内存类型:DDR II/封装:BGA/容量:2G 延迟描述CL=5内存电压 1.8V推荐度 79% ￥135―Kingmax DDR400 1G属于Kingmax DDR 1G系列容量:1G/封装:TinyBGA/内存类型:DDR/标准:DDR400(PC3200)/适用类型:台式机延迟描述CL=2.5 内存电压 2.6V推荐度 81% ￥205―金士顿 HyperX DDR2 1066 2G单条(KHX8500AD2/2G)适用类型:台式机/内存类型:DDR II/内存主频:DDR2 1066/内存总容量:2G/颗粒封装:BGA推荐度 76% ￥260―金士顿 DDR 400 512M(KVR400X64C3)盒装属于金士顿 DDR 512M以下系列适用类型:台式机/内存类型:DDR/内存主频:DDR400(PC3200)/内存总容量:512M/颗粒封装:TSOP推荐度 65%￥130―金士顿 HyperX DDR2 1066 4G套装(KHX8500D2K2/4G)·(19)·适用类型:台式机/内存类型:DDR II/内存主频:DDR2 1066/内存总容量:4G/颗粒封装:FBGA金士顿 DDR3 1333 2G(KVR1333D3N9/2G)适用类型:台式机/内存类型:DDR III/内存主频:DDR3 1333/内存总容量:2G > 全部参数推荐度 55% ￥550―金士顿 HyperX DDR2 800 2G套装(KHX6400D2K2/2G)·(34)·属于金士顿 DDR2 2G系列适用类型:台式机/内存类型:DDR II/内存主频:DDR2 800/内存总容量:2G/颗粒封装:FBGA > 全部参数推荐度81% ￥265―威刚 1G DDR400 万紫千红内存条属于威刚 DDR 1G系列容量:1G/封装:TSOP/内存类型:DDR/标准:DDR400(PC3200)/适用类型:台式机 > 全部参数推荐度 71%￥220―金泰克磐虎2G DDR3 1333·(0)·适用类型:台式机/内存类型:DDR III/内存主频:DDR3 1333/内存总容量:2G > 全部参数推荐度 94% ￥240―黑金刚金刚版 DDRII 800 2GB·(9)·属于黑金刚 DDR2 2G系列适用类型:台式机/标准:DDR2 800/内存类型:DDR II/封装:BGA/容量:2G > 全部参数推荐度 87%￥120↓7.69%Kingmax DDR400 512M属于Kingmax DDR 512M以下系列适用类型:台式机/内存类型:DDR/内存主频:DDR400(PC3200)/内存总容量:512M/颗粒封装:TSOP > 全部参数推荐度 83% ￥115↓4.17%宇瞻黑豹II代 DDRII800 2G·(13)·属于宇瞻 DDR2 2G系列适用类型:台式机/内存类型:DDR II/内存主频:DDR2 800/内存总容量:2G/颗粒封装:BGA > 全部参数推荐度 78% ￥190―Kingmax DDR3 1333 2G·(0)·适用类型:台式机/内存类型:DDR III/内存主频:DDR3 1333/内存总容量:2G/颗粒封装:BGA > 全部参数推荐度 60%￥405―海盗船 TWIN2X4096-6400C5(2G*2)·(5)·属于海盗船 DDR2 2G系列适用类型:台式机/标准:DDR2 800/内存类型:DDR II/封装:BGA/容量:4G > 全部参数。
了解主流的内存品牌
了解主流的内存品牌：（一）主要的内存颗粒厂家虽然市场上的内存条品牌多如过江之鲫，但世界上的内存芯片生产厂商却只有那么几家，我们可以在内存条上查看所使用的内存芯片编号，例如三星、美光、现代等。
但由于不同生产厂家的技术实力差距，不同品牌内存的质量也有所差异。
需要说明的是，内存芯片其实也就是平常所说的内存颗粒，后者是我国台湾省和香港特别行政区对内存芯片的另一种称呼而已。
1.三星（Samsung）世界上最大的DRAM生产厂商，不过三星公司的产品并不仅局限于内存，还包括显存以PC年3 月4。
19 997.茂矽（MOSEL VITELIC）1987年，台湾茂矽正式成立于台湾新竹科学工业园区。
1996年，与德国西门子集团合资设立"茂德科技股份有限公司"，兴建8寸芯片工厂，专门生产64M以上的高密度DRAM 产品，是台湾首家成功生产64MDRAM产品的厂商。
台湾茂矽1997年设立了"南茂科技股份有限公司"提供记忆体产品的专业后段加工服务。
8.力晶（PSC）力晶公司Powerchip Semiconductor Corporation是台湾最大的内存颗粒制造商，力晶，南亚和茂矽并称台湾内存颗粒制造三巨头。
力晶于1983.12创立于新竹科学园区，业务范围涵盖动态随机存取芯片制造及晶圆代工两大范围。
附：以下是ISuppli公司公布的十大内存芯片制造商在2002年的排名：1，三星电子公司2，美光科技公司3，Infineon4，现代5，Nanya6，Elpida7，Winbond电子公司8，日本三菱电子公司9，Mosel Vitelic公司10，日本东芝公司，合作伙伴。
Corsair是设计高性能内存最具经验的内存制造商，其深知每一个细节的重要性，严谨的记录长度的控制内存、阻抗控制、时钟记录设计、不断电源及高敏度的镀金针脚等。
经过工程师精心设计和严格的测试，把数据讯号的嘈音及时钟波长讯号的偏差减至最低，提高信讯品质和整合性。
无线路由器CPU闪存内存芯片列表
WIFI模块应用领域：串口（RS232/RS485）转WiFi、SPI转WiFi；WiFi远程控制/监控、TCP/IP和Wi-Fi协处理器；WiFi遥控飞机、车等玩具领域；WiFi网络收音机、摄像头、数码相框；医疗仪器、数据采集、手持设备；WiFi脂肪秤、智能卡终端；家居智能化；LED照明灯具电源开关仪器仪表、设备参数监测、无线POS机；现代农业、军事领域等其他无线相关二次开发应用。
汽车电子智能电网工业控制NO 中文名称型号方案 flash （M ） D DR （M ） Data Rate （速率）(M) RF Power壳料材质Power(optional)（电源）1 CPE cpe007 9341 8M/16M 32/64M 300 B:28±2，N ：24.5 胶壳 18V/1A2 CPE cpe008 9344 8M/16M 64/128M 300 500MW 胶壳 18V/1A3 CPE cpe012 9331 8M/16M 32/64M 150 500MW 胶壳 18V/1A4 CPEcpe0177240+9285 8M/16M 32/64M150100MW胶壳 18V/1A5 CPE cpe020 7240+92858M/16M 32/64M 150 100MW 胶壳 18V/1A6 CPE cpe021 7240+92838M/16M 32/64M 300 500MW 胶壳 18V/1A7 CPE/壁挂APcpe0217240+92838M/16M 32/64M 300 500MW 铁壳 18V/1A8 CPE/壁挂APAP023 9344 16M 128M 300 500MW 铁壳 18V/1A9 CPE/壁挂APSX-AP-23A AR9344 16M64M/128Mdual-frequency/2.4/5.8B:23±2A:22±2铁壳POE06BorPOE12Aor12V1A10 CPE/壁挂APAR9341 8M/16M 64M 300 500MW 铁壳 24V POEor48V POE11 CPE/壁挂APSX-AP-23A AR9344 16M 128M 600 300 铁壳 24V POEor48V POE12 CPE/壁挂APSX-AP-23A AR9344 16M64M/128Mdual-frequency/2.4/5.8B:23±2A:22±2铁壳POE06BorPOE12Aor12V1A13 入墙AP SX-RQAP-01B AR9331 8M/16M 32/64M 150 100MW 胶壳 POE04BorPOE15Aor14 入墙AP SX--RQAP-05A AR9341 8M/16M 32/64M 300 B:18±1.5 胶壳 POE08A15 入墙AP SX-rqap_07A AR9341 8M 64M 300 300MW 胶壳 POE04BorPOE15A16 室外AP SX-AP-03 AR9344 16M 128M dual-frequency600M/2.4/5.82.4GB:27±1.5A:24/26铁壳 POE06B17 吸顶AP SX-AP-10A6 AR9341 8M/16M 32/64M 300 B:28±2 胶壳POE06BorPOE12Aor12V1 A18 吸顶AP SX-AP-15B AR9344 16M 128M dual-frequency600M/2.4/5.8B:27±2,n:20A:22±2,n:20胶壳POE06BorPOE12Aor12V1A19 吸顶AP SX-AP15 9344+938216M 128M300M/2.4g B:27±2,n:20胶壳POE06BorPOE12Aor12V1A20 吸顶AP SX-AP-16A AR9331 8M/16M 32/64M 150 500MW 胶壳POE06BorPOE12Aor12V1 A21 吸顶AP SX-AP19 8197 8M/16M 32/64M 600M 200MW(23DBM)胶壳 POE06B/POE12Aor12V1.22 吸顶AP SX-AP-20A 8192+81968M/16M 32/64M 300M 500MV 胶壳 POE06B/POE12Aor12V1.23 吸顶AP SX-AP-21A 8197DL 8M/16M 32/64M 600Mbps 200mW 胶壳 POE06B/POE12Aor12V1.24 吸顶AP SX-AP-22A1 AR9341 8M/16M 32/64M 300 B:28±2，N：24.5 胶壳 POE06B/POE12A/（falseP24V1A）25 路由LY-03C 9341 8M/16M 64M 300Mbps 500mW 胶壳POE06BorPOE12Aor12V1 A26 路由LY-06B AR9344 8M/16M 64M/128M300Mbps 500mW 胶壳POE06BorPOE12Aor12V1A27 路由LY-08A MTK7620N A18M 64M 300Mbps 100mW 胶壳POE06BorPOE12Aor12V1A28 路由LY-09A AR9341 8M 64M 300Mbps 200mW 胶壳POE06BorPOE12Aor12V1 A29 路由LY-10A MTK7620A 8M/16M 64M/128M300Mbps 500mW 胶壳POE06BorPOE12Aor12V1A30 路由LY-10B MTK7620A 8M/16M 64M/128Mdual-frequency 300Mbps500mW 铁壳POE06BorPOE12Aor12V1A31 路由RT-03C 9341 8/16M 64M 300Mbps 500mW 铁壳POE06BorPOE12Aor12V1 A32 路由RT-06B AR9344 8/16M 64/128M 300Mbps 500mW 铁壳POE06BorPOE12Aor12V1 A33 模块SX-9331MK-01A AR9331 8M/16M 32M/64M 150 50MW34 模块AR9331-PCB-A2 9331 8M/16M 32M/64M 150 50MW35 模块SX-9331MK-04A AR9331 8M/16M 32M/64M 150 50MW36 模块MK-06A AR9344 8M/16M 64M/128Mdual-frequency300M/2.4/5.850MW37 模块SX-9331MK-07A AR9331 8M/16M 32M/64M38 模块SX-9331MK-08AAR9331 16M 64M 150 50MW39 模块SX-9331MK-11A AR9331 8M/16M 32/64M 150 50MW40 模块SX-9331MK-12A AR9331 8M/16M 32/64M 150 50MW41 模块SX-9331MK-13A AR9331 8M/16M 32/64M 150 50MW42 模块SX-MK-15A 9341 8M/16M 32/64M 300 B:23±243 模块SX-AP9331-CPU 9331 8M/16M 32/64M 150 50MW44 模块SX-9331MK-20A 9331 8M/16M 32/64M 150 50MW45 模块SX-9331MK-21A 9331 8M/16M 32/64M46 网卡SHX007C AR9220 NO NO 300 300MW47 网卡SHX002D AR9223 NO NO 300 500MW48 网卡MB92网卡NO NO 300 500MW49 网卡SHX22A 9382 NO NO 300 A:21±1.550 网卡SHX22A1 AR9382 NO NO 300 A:21±1.551 网卡SHX023A 8192 NO NO 300 100MW本文由于作者精力与能力所限，所列型号大部分只能为国产，或YLJ+水货，且也不能列举所有型号和所有版本，但阅读完本文应该已能辨别绝大部分路由的好坏本文如有疏漏，也请各位不吝指正另,路由猫不在本文讨论范围内基本知识储备：1.关键词：解决方案路由厂家实在太多，但是能生产路由主芯片的厂家则很少，路由厂你可以理解为主板厂，而提供无线和主芯片的厂家则可对应理解为intel 和AMD，后者提供解决方案，前者则生产出最终的路由成品卖到消费者手中，如下图所示Athros的官方解决方案:AR9001AP-2NG(AR9130+AR9102+AR)和d-link，TP-link对应的自己的出场成品（后者可能处于成本或者性能考虑，交换芯片更换成Marvell的产品）Athers官方解决方案：AP81图片来自: alan_rei的百度相册d-link dir615 c1版TP-link 841n v3版（交换芯片更改成Marvell 88E6060,性能没有区别）现在无线路由的解决方案主要由两大厂家把持——Broadcom（博通）和Atheros(目前已被Qualcomm高通收购) 以下是两家的产品列表链接：Atheros /wiki/AtherosAtheros被收购后设计的芯片/wiki/Qualcomm_AtherosBroadcom /wiki/Broadcom！！这两家的解决方案将是重点，图例和说明在下一楼上！！还有少部分份额则是由廉价的螃蟹（realtek），Ralink(雷凌)和比较昂贵（还是没有Broadcom贵，博通方案，特别是高端解决方案纯属于坑爹价的类型）的Marvell，Ubicom（只用主芯片的解决方案，没有无线芯片的解决方案，D-link的中高端产品用的最多）方案占据.（早期的主芯片解决方案中还有intel的strongARM插足，如有名的IXP4XX系类）D-link dir-655 A3版解决方案:主芯片Ubicom IP5160U，千兆交换芯片VITESSE VSC7385，无线基带+射频芯片：Atheros AR5416+AR2133(MINI PCI)Ubicom属于比较小众的解决方案，但却是D-link的御用芯片，这种芯片的特点是多线程的性能非常好，这也是D-link 一直再上默默投入的原因，D-link很早就在此基础上开发了自己流控固件，类似于killer网卡的那种QOS，可以设置网络游戏封包的优先权，高端系列的转发也很不错，无线方面一般是配合Atheros的无线网卡，所以无线性能也很有保障，缺点嘛，显而易见，芯片集成度不高，整套方案很繁杂，成本很高belkin 8235-4 V2 （v2000）解决方案：主芯片+无线Ralink RT3025F ，千兆交换芯片realtek RTL8366RB/SB其实Ralink的这个芯片已经集成了一个百兆的交换机，只是这个路由需要千兆的功能所以外加了千兆的交换芯片，Ralink 的解决方案一般集成度比较高，也比较廉价，但是Ralink的由于无线和网络芯片的研发起步的比较早，所以性能还是很不错的，不过产品线比较单一，优势是在信号和传输稳定上，缺点则是芯片的发热（集成度高）和802.11N的极限传输速度上代表产品还有MOTO 2108-N9/D9 , ASUS RT-N13, 华为HG255Ddir 615 A版解决方案:主芯片Marvell 88F5180, 交换芯片Marvell 88E6061, 无线基带+射频芯片Marvell 88W8361P+88W8060 可以看出Marvell的方案一般为全套的解决方案，一般不会与其他芯片混用，而且设计的也比较复杂，成本比较高，典型代表还有Netgear的WNR854T和苹果的airport extreme base station A1354，优点是无线极限传输性能不错，主芯片转发也不错，缺点是方案复杂，成本很高dir-615 F3版或FG版解决方案：主芯片+无线芯片+交换芯片Realtek RTL8196B廉价路由上用烂的方案，性能不是很好，不管是转发抑或是无线覆盖或是传输稳定性，口碑都不好，FG版也成为国内615系列口碑最烂的版本，Realtek做无线相对较少，对这方面投入的没有有线那么多，54M的时候很响亮的8187L USB无线网卡解决方案是其经典的代表作，但是近几年的在无线方面建树较少，所以无线路由选购时尽量不要选采用螃蟹芯片的产品linksys WRV54G V1解决方案：主芯片intel IXP425 @266MHz，交换芯片KENDIN KS8995M, 无线基带+射频芯片Intersil ISL3880 +ISL3686A，自从Intel将strongARM卖给Marvell以后，Intel的解决方案自此从路由市场销声匿迹了，这是04年初上市的老路由，一般Intel解决方案都定位为中小企业及的产品，比家用级高一个档次，这款型号对应的家用版本就是赫赫有名的WRT54G,但显然IXP425的性能是Broadcom BCM4712这类芯片所不能比拟的，所以也注定了他的过高的身价，在市场中的产品也是凤毛麟角，代表产品还有Actiontec MI424WR（此款为IXP425全频版@533MHz ）, linksys WRT300N v1，casio RV042注释：进入802.11N无线时代，主要的无线芯片厂都拿出了自己解决方案Broadcom叫INTENSI-FI，Atheros 叫XSPAN，Marvell叫Top Dog，螃蟹和雷凌的叫法不详2.各路由厂家的喜好linksys(Casio）：intel（早期），BroadcomASUS:BroadcomNetgear：Broadcom，Marvell（中高端），Atheros（中低端），Realtek（低端）Buffalo：Broacom( 早期)，Atheros（目前，高端），Ralink（目前，低端）apple：Marvell+Atheros(前者提供主芯片，后者提供无线)Belkin: Broadcom（中高端），Ralink(中低端)d-link:Ubicon+Atheros(中高端：前者提供主芯片，后者提供无线)，Atheros（中低端），Ralink(中低端)，Marvell（中端），realtek(低端)moto：Broadcom，RalinkTPlink&Mercury&FAST(普联，水星，迅捷基本算是一家公司)：Atheros, MTK(是的你没看错!!!)以上是比较常见的牌子，韩国棒子的ToTolink和斐讯国内也有一定市场，但是我没玩过，所以就不说了。
8款高性价比8GB DDR4 2400内存条推荐!
8款高性价比8GB DDR4 2400内存条推荐！不少用户在装机选择内存的时候比较纠结，尤其是内存价格疯涨的时候，价格与频率参差不齐，加上品牌众多，导致不少装机用户在选择内存时难以抉择。
目前DDR4内存热销主流的就是2400频率，因此对于主流装机用户来说，DDR4 2400频率也是最佳的性价比之选。
下面分享一下8款高性价比8GB DDR4内存条推荐，希望能够为广大挑选内存的装机用户带来参考。
一起来看看吧!1、金士顿HyperX骇客神条8GB DDR4 2400或者金士顿8GB DDR4 2400普条金士顿内存相信大家都不会陌生，是目前最知名的内存品牌，占有市场份额最大，也是装机首选内存品牌之一。
金士顿HyperX骇客神条DDR4 2400 8G内存条采用经典的骇客神条系列造型设计，外观同样比较霸气，并具备良好的散热表现。
采用高质量的内存颗粒，并通过阉割的测试，稳定性与兼容性口碑很高。
点评：随着金士顿内存降价，目前金士顿内存虽然依然比其它品牌略贵一些，但建议一线知名品牌，严苛的稳定性与兼容性测试，可靠性很高，对于性价比不是那么敏感，注重品牌的主流装机友依然值得推荐。
2、威刚万紫千红8G DDR4 2400普条或者威刚XPG威龙DDR4 8G 2400内存威刚内存相信大家都不会陌生，在内存品牌排行中，仅次于金士顿，也属于目前高性价比品牌内存。
今天为大家推荐的是威刚XPG 威龙DDR4 8G 2400内存，具备稳固兼容等特点。
内存规格方面，威刚XPG威龙DDR4 8G 2400内存同样是新一代DDR4 2400主流频率内存，兼容Intel和AMD各新平台，工作电压为1.2V，带有散热片，严选颗粒，并采用黄金电镀金手指设计，稳定性有保障。
点评：总的来说，这款威刚8GB DDR4内存具备性能主流，稳定性与兼容性强，并支持终生质保等特点，加之性价比高，感兴趣的朋友，对于普通大众装机用户来说，值得考虑下。
3、英睿达镁光8G DDR4 2400 白色马甲条或者英睿达镁光8G DDR4 2400 普条镁光8G DDR4 2400内存条有着炫酷外形，采用数码迷彩隐藏屏蔽集成散热器设计，兼顾颜值与散热，相比一般的普条显得更为霸气。
DDR内存常用品牌颗粒识别
DDR 内存常用品牌颗粒识别详解海力士(现代)内存海力士内存颗粒编号一般分为14个部分1. HY 表示海力士内存2.产品家族，“5D”表示DDR 内存3.工作电压V 表示VDD=3.3V ，VDDQ=2.5V U 表示VDD=2.5V ，VDDQ=2.5V W 表示VDD=2.5V ，VDDQ=1.8V S 表示VDD=1.8V ，VDDQ=1.8V 4.容量和刷新设置 64表示64Mb 、4K 刷新 66表示64Mb 、2K 刷新 28表示128Mb 、4K 刷新 56表示256Mb 、8K 刷新 57表示256Mb 、4K 刷新 12表示512Mb 、8K 刷新 1G 表示1Gb 、8K 刷新 5.颗粒位宽 4表示X4 8表示X8 16表示X16 32表示X326.表示逻辑BANK 数量 1表示2bankS 2表示4BANKS 3表示8BANKS7.接口类型1表示SSTL ＿3 2表示SSTL ＿2 3表示SSTL ＿18 8.颗粒版本“空白”表示第一代生产 A 表示第二代 B 表示第三代 C 表示第四代 9.能耗水准“空白”表示大众商用型、普通能耗 L 表示大众商用型、低能耗10.封装形式 T 表示TSOP Q 表示LQFP F 表示FBGAFC 表示FBGA （UTC ：8X13mm ） 11.表示堆叠封装 “空白”表示普通S 表示Hynix K 表示M&T J 表示其他M 表示MCP （Hynix ） MU 表示MCP （UTC ） 12.封装材料 空白 表示普通材料 P 表示铅 H 表示卤素 R 表示铅和卤素 13.颗粒性能D43表示DDR400（3-3-3） D3表示DDR400（3-4-4） J 表示DDR333M 表示DDR266（2-2-2） K 表示DDR266A H 表示DDR226B L 表示DDR200 14.工作需求温度 I 表示工业常温40-85度 E 扩展温度零下25-85三星DDR 内存三星内存颗粒一般分为17部分1.K 表示内存2.内存类别 4表示DRAM3.内存子类别 H 表示DDR T 表示DDR2 4-5.代表容量 28表示128Mb 56表示256Mb 51表示512Mb 1G 表示1Gb 2G 表示2Gb 6-7.表示位宽 04表示X4 32表示X32 06表示X4 Stack 07表示X8 Stack 16表示X16 8.表示BANK 数量 3表示4BANK 4表示8BANK9.表示接口类型与电压8表示接口类型为SSTL ＿2 工作电压2.5V Q 表示接口类型SSTL 工作电压1.8V 10.产品版本 M 1代 A 2代 B 3代 C 4代 D 5代 E 6代 F 7代 G 8代 H 9代生产 11.封装类型 T 表示TSOP2S 表示 sTSOP2 G 表示FBGAU 表示TSOP2（LEAD FREE ）Z 表示FBGA （LEAD FREE ）12.工作温度、能耗C 大众商用型能 、普通能耗 工作温度0-70 L 大众商用型能 、低通能耗 0-70I 工业型、普通能耗40-85 13-14.频率延迟 CC DDR400 3-3-3 C4 DDR400 3-4-4 C5 DDR466 3-4-4 B3 DDR333 2.5-3-3 AA DDR266 2-2-2 A2 DDR266 2-3-3 BO DDR266 2.5-3-3 15-17.OEM 时常保留标号位置英飞凌内存英飞凌内存颗粒编号一般分10个部分1.HY B 表示英飞凌内存（与海力士有区别 注意）2.工作电压 39表示3.3V 25表示2.5V 18表示1.8V 3.内存类型 S 表示SDR D 表示DDR T 表示DDR24.容量 略5.产品结构 40表示X4 80表示X816表示X166.产品变化，0表示标准产品7. 版本号字母表中的顺序越靠后越新例如A1代B2代C3代...8.封装类型C FBGA（含铅）T TSOP 400mil（含铅）E TSOP 400mil（无铅无卤）F FBGA（无铅无卤）G 堆叠TSOP（无铅无卤）9.能耗标准空白表示普通能耗L 低能耗10.颗粒性能5 DDR400B 3-3-36 DDR333 2.5-3-37 DDR266A 2-3-37F DDR266 2-2-27.5 DDR266B 2.5-3-38 DDR200 2-2-2。
内存颗粒识别
内存颗粒识别存储颗粒主要有这样的一些品牌：美国的Micron（美光）、德国的Infineon（英飞凌）；韩国的SAMSUNG（三星）、HY（现代）；日本的NEC（日本电气）、Hitachi(日立)、Mitsubishi(三菱)、Toshiba(东芝)；台湾的EilteMT、ESMT（晶豪）、EtronTech（钰创）、Winbond（华邦）、Mosel（茂矽）、Vanguard（世界先进）、Nanya（南亚）。
有的品牌现在已经没有被采用了，只有在SDRAM时代采用过，有的品牌在DDR时代采用的也不多了。
显存种类主要分SD和DDR两种，有时候，他们可以从编号上区分，DDR的可能会注明“D”，SDRAM的注明“S”或者其他字母。
另外主要从管角数量上来区分，以TSOP封装来说，SDRAM的管脚数量是27x2＝54，DDR的管脚数量为33X2=66。
注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。
关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC 校验码。
通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。
所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。
在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。
SAMSUNG目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。
由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。
三星内存颗粒的型号采用一个15位数字编码命名的。
这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别，所以我们重点介绍这两部分的含义。
编码规则：K 4 X X X X X X XX - X X X X主要含义：第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
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各品牌内存颗粒列表RX330Compatible DDR333 (PC2700) 184 Pin Unbuffered DIMM memory Modules Compatible DDR400 (PC3200) 184 Pin Unbuffered DIMM memory Modules Compatible DDR333 (PC2700) 184 Pin Unbuffered DIMM memory ModulesBit4RamDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB BDU03264B5BC1DC-60 2.5 8 32M x 8 Unknown512 MB BDU06464H1BC2DC-60 2.5 16 32M x 8 UnknownBuffaloDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB DD333-256/IB 2.5 8 32M x 8 Infineon HYB25D256800BT-6512 MB DD333-512/IB 2.5 16 32M x 8 Infineon HYB25D256800BT-6EdgeDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB M2U25H64DS8HB1G-6K 2.5 16 32M x 64 Elixir N2DS12H80BT-6KElixirDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB M2U25H64DS8HB1G-6K 2.5 16 32M x 64 Elixir N2DS12H80BT-6KElpidaDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number1 GB EBD11UD8ABFB-6B 2.5 16 64M x 8 Elpida EDD5108ABTA-6BGeilDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB GE2562700 2.5 8 32M x 8 Geil GL3LC32G88TG-6GigaramDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB GR9053-256/333 2.5 8 32M x 8 Mosel Vitelic V58C2256804SAT5B 512 MB GR9053-512/333 2.5 16 32M x 8 Mosel Vitelic V58C2256804SAT5B1 GB GR9053-1GB/333 2.5 16 64M x 8 Micron MT46V64M8HynixDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number128 MB HYMD216646A6J-J AA 2.5 4 16M x 16 Hynix HY5DU561622A T-J 128 MB HYMD216646C6J-J 2.5 4 16M x 16 Hynix HY5DU561622CT-J128 MB HYMD116645B8J-J AA 2.5 8 16M x 8 Hynix HY5DU28822BT-J 256 MB HYMD132645B8J-J AA 2.5 16 16M x 8 Hynix HY5DU28822BT-J 256 MB HYMD232646A8J-J AA 2.5 8 32M x 8 Hynix HY5DU56822AT-J 256 MB HYMD232646B8J-J 2.5 8 32M x 8 Hynix HY5DU56822BT-J512 MB HYMD264646A8J-J AA 2.5 16 32M x 8 Hynix HY5DU56822A T-J 512 MB HYMD264646B8J-J 2.5 16 32M x 8 Hynix HY5DU56822BT-J512 MB HYMD564646A8J-J 2.5 8 64M x 8 Hynix HY5DU12822A T-J1 GB HYMD512646A8J-J 2.5 16 64M x 8 Hynix HY5DU12822AT-JInfineonDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number128 MB HYS64D16301GU-6-B 2.5 4 16M x 16 Infineon HYB25D256160BT-6 256 MB HYS64D32300GU-6-B 2.5 8 32M x 8 Infineon HYB25D256800BT-6 256 MB* HYS72D32300GU-6-B 2.5 8 32M x 8 Infineon HYB25D256800BT-6 256 MB HYS64D32300HU-6-C 2.5 8 32M x 8 Infineon HYB25D256800CE-6 512 MB HYS64D64320GU-6-B 2.5 16 32M x 8 Infineon HYB25D256800BT-6 1 GB HYS64D128320GU-6-A 2.5 16 64M x 8 Infineon HYB25D512800AT-6*Denotes ECCKingMaxDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB MPMB62D-38KT3R 2.5 8 32M x 8 Kingmax KDL388P4LA-60512 MB MPMC22D-38KT3R 2.5 8 32M x 8 Kingmax KDL388P4LA-60Kingston TechnologiesDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number128 MB KVR333X64C25/128 2.5 4 16M x 16 Unknown256 MB KVR333X64C25/256 2.5 8 32M x 8 Unknown256 MB KVR333X64C25/256 2.5 8 32M x 8 Hynix HY5DU56822BT-J512 MB KVR333X64C25/512 2.5 16 32M x 8 Unknown512 MB KVR333X64C25/512 2.5 16 32M x 8 Hynix HY5DU56822BT-J1 GB KVR333X64C25/1G 2.5 16 64M x 8 Micron MT46V64M8TG-6TMicronDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB MT8VDDT3264AG-335C4 2.5 8 32M x 8 Micron MT46V32M8-6T256 MB MT8VDDT3264AG-335G4 2.5 8 32M x 8 Micron MT46V32M8TG-6TG 512 MB MT16VDDT6464AG-335C4 2.5 16 32M x 8 Micron MT46V32M8-6T 512 MB MT16VDDT6464AG-335G4 2.5 16 32M x 8 Micron MT46V32M8-6TG 1 GB MT16VDDT1284AG-335C1 2.5 16 64M x 8 Micron MT46V64M8TG-6TCMosel VitelicDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB V826632K24SATG-C0 2.5 8 32M x 8 Mosel Vitelic V58C2256804SAT6 512 MB V826664K24SATG-C0 2.5 16 32M x 8 Mosel Vitelic V58C2256804SAT6NanyaDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number128 MB NT128D64SH4B1G-6K 2.5 4 16M x 16 Nanya NT5DS16M16BT-6K 256 MB NT256D64S88B1G-6K 2.5 8 16M x 16 Nanya NT5DS32M8BT-6K512 MB NT512D64S8HB1G-6K 2.5 16 32M x 16 Nanya NT5DS32M8BT-6KOCZ TechnologyDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB OCZ333256P 2.5 8 32M x 8 OCZ X4P560840A-50512 MB OCZ333512P 2.5 16 32M x 8 OCZ X4P560840A-50SamsungDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number128 MB M368L1624DTM-CB3 2.5 4 16M x 16 Samsung K4H561638D-TCB3 128 MB M368L1624FTM-CB3 2.5 4 16M x 16 Samsung K4H561638F-TCB3 128 MB M368L1713DTM-CB3 2.5 8 16M x 8 Samsung K4H280838D-TCB3 256 MB M368L3313DTM-CB3 2.5 16 16M x 8 Samsung K4H280838D-TCB3 256 MB M368L3223DTM-CB3 2.5 8 32M x 8 Samsung K4H560838D-TCB3 256 MB M368L3223ETN-CB3 2.5 8 32M x 8 Samsung K4H560838E-TCB3256 MB M368L3223FTN-CB3 2.5 8 32M x 8 Samsung K4H560838F-TCB3512 MB M368L6423ETN-CB3 2.5 16 32M x 8 Samsung K4H560838E-TCB3 512 MB M368L6423FTN-CB3 2.5 16 32M x 8 Samsung K4H560838F-TCB3 512 MB M368L6523BTN-CB3 2.5 8 64M x 8 Samsung K4H510838B-TCB31 GB M368L2923BTN-CB3 2.5 16 64M x 8 Samsung K4H510838B-TCB3SimpletechDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB S256M3NHK1QK-AT 2.5 8 32M x 8 Micron MT46V32M8-5B512 MB S512M3NHK2QK-AT 2.5 16 32M x 8 Micron MT46V32M8-5BSwissBitDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB SDU03264B5B31MT-60 2.5 8 32M x 8 Micron MT46V32M8-5B 256 MB SDU03272B5B21IW-60 2.5 8 32M x 8 Infineon HYB25D256800BT-5 512 MB SDU0646H1B22IN-60 2.5 16 32M x 8 Infineon HYB25D256800BT-5 512 MB SDU06464B3B31MT-60 2.5 8 64M x 8 Micron MT46V64M8-5R1 GB SDU12864H1B32MT-60 2.8 16 64M x 8 Micron MT46V64M8-5RSyncMaxDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB SR256M-08800-2700 2.5 8 32M x 8 SyncMax R030074A-7A1512 MB SR512M-16800-2700 2.5 16 32M x 8 SyncMax P2S56D30BTP-UTTTranscendDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB TS32MLD64V3F5 2.5 8 32M x 8 Mosel Vitelic V58C2256804SAT6VikingDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB DDR32X64PC270088TM 2.5 8 32M x 8 Unknown256 MB VI4CU326428DTK 2.5 8 32M x 8 Micron MT46V32M8-6T256 MB VI4CU326428DTK 2.5 8 32M x 8 Samsung K4H560838D-TCB3 512 MB VI4CU646428ETK 2.5 8 64M x 8 Micron MT46V64M8-6T512 MB VI4CU646428ETK 2.5 8 64M x 8 Samsung K4H510838B-TCB3512 MB VI4CU646428DTK 2.5 16 32M x 8 Samsung K4H560838D-TCB3 512 MB VI4CU646428DTK 2.5 16 32M x 8 Micron MT46V32M8-6T Compatible DDR400 (PC3200) 184 Pin Unbuffered DIMM memory ModulesAdataDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB MDOWB5F3G31Y0D1E0Z 3 8 32M x 8 Winbond W942508CH-5 256 MB MDOAD6F3G31Y0B1E0H 3 8 32M x 8 Adata ADD8608A8A-5C 256 MB MDOAD5F3G31Y0D1E02 3 8 32M x 8 Adata ADD8608A8A-5B 512 MB MDOWB5F3H41Y0D1E0Z 3 16 32M x 8 Winbond W942508CH-5AdtecDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number 256 MB AD3200D-256W 3 8 32M x 8 Samsung K4H560838E-TCCC 256 MB AD3200D-512W 3 16 32M x 8 Hynix HY5DU56822BT-D43ApacerDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number 256 MB 77.10639535 3 8 32M x 8 Apacer A2S56D30BTP256 MB 77.10636.56G 3 8 32M x 8 Mosel VitelicV58C2256804SAT5BBit4RamDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number 256 MB BDU03264B5BC1DC-50 3 8 32M x 8 Unknown512 MB BDU06464H1BC2DC-50 3 16 32M x 8 UnknownBuffaloDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number 256 MB DD4333-S256/IB 3 8 32M x 8 Infineon HYB25D256800BT-5 512 MB DD4333-512/IB 3 16 32M x 8 Infineon HYB25D256800BT-5 512 MB DD400-512M 3 16 16M x 8 Hynix HY5DU56822BT-D43CenturyDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number 256 MB CD256M-DDU400 3 8 32M x 8 Samsung K4H560838F-TCCC 512 MB CD512M-DDU400 3 16 32M x 8 Samsung K4H560838F-TCCCCEONDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number 256 MB DDR400 256MB-T01892 3 8 32M x 8 CEON C2S56D30TP-5CFDDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number 256 MB DD4333K-S256/H 3 8 32M x 8 Hynix HY5DU56822BT-D43 512 MB DD4333K-512/H 3 16 32M x 8 Hynix HY5DU56822CT-D43Corsair256 MB CMX256A-3200LL 2.5 8 Unknown Unknown512 MB CMX512-3200LLPRO 2.5 16 32M x 8 Winbond W942508CH-5CrucialDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number 256 MB CT3264Z40B.8T 3 8 32M x 8 Micron MT46V32M8-5BElixirDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number 256 MB M2U25664DS88B3G-5T 3 8 32M x 8 Elixir N2DS25680BT-5T 512MB M2U51264DS8HB3G-5T 3 16 32M x 8 Elixir N2DS25680BT-5TElpidaDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number 256 MB EBD25EC8AKFA-5C 3 8 32M x 8 Elpida EDD2508AKTA-5C 512MB EBD52UC8AKFA-5C 3 16 32M x 8 Elpida EDD2508AKTA-5C 512MB EBD11ED8ADFA-5C 3 16 32M x 8 Elpida EDD5108ADTA-5CGeilDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number 256 MB GD3200-256V 2.5 8 32M x 8 Unknown256 MB GE2563200B 2.5 8 32M x 8 Geil GL3LC32G88TG-5A256MB GE2563200 2.5 8 32M x 8 Geil GL3LC32G88TG-5A256MB GL5123200DC 2 8 32M x 8 Unknown512 MB GE5123200B 2.5 16 32M x 8 Unknown512 MB GL1G3200DC 2 16 32M x 8 Unknown512 MB GD3200-1GDC 2 16 32M x 8 Unknown512 MB GE5123200 2.5 16 32M x 8 Geil GL3LC32G88TG-5AGigaramDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number 256 MB GR9053-256/400 3 8 32M x 8 Mosel Vitelic V58C2256804SAT5B 512 MB GR9053-512/400 3 8 32M x 8 Mosel Vitelic V58C2256804SAT5B 1 GB GR9053-1GB/400 3 16 64M x 8 Micron MT46V64M8GreenHouse256 MB GH-DR400-256MB 3 8 32M x 8 Samsung K4H560838E-TCCC512 MB GH-DR400-512M 3 16 32M x 8 Samsung K4H560838E-TCCCHynixDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number128 MB HYMD216646A6J-D43 AA 3 4 16M x 16 Hynix HY5DU561622AT-D43 128 MB HYMD216646C6J-D43 3 4 16M x 16 Hynix HY5DU561622CT-D43 256 MB HYMD232646B8J-D43 AA 3 8 32M x 8 Hynix HY5DU56822BT-D43 256 MB HYMD232646D8J-D43 3 8 32M x 8 Hynix HY5DU56822BT-D43512 MB HYMD264646A8J-D43AA-A 3 16 32M x 8 Hynix HY5DU56822AT-D43 512 MB HYMD264646B8J-D43 3 16 32M x 8 Hynix HY5DU56822BT-D43512 MB HYMD564646A8J-D43 3 8 64M x 8 Hynix HY5DU12822AT-D431 GB HYMD512646A8J-D43 3 16 64M x 8 Hynix HY5DU12822AT-D43IO-DataDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB DR400-256MX2 3 8 32M x 8 Samsung K4H560838E-TCCC512 MB DR400-512MX2 3 16 32M x 8 Hynix HY5DU56822BT-D43InfineonDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number128 MB HYS64D16301GU-5-B 3 4 16M x 16 Infineon HYB25D256160BT-5 128 MB HYS64D16301GU-5-C 3 4 16M x 16 Infineon HYB25D256160CE-5 128 MB HYS64D16301HU-5-C 3 4 16M x 16 Infineon HYB25D256160CE-5 256 MB HYS64D32300GU-5-B 3 8 32M x 8 Infineon HYB25D256800BT-5256 MB HYS64D32300HU5-C 3 8 32M x 8 Infineon HYB25D256800CE-5512 MB HYS64D6432300GU-5-B 3 16 32M x 8 Infineon HYB25D256800BT-5ItaucomDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB 256N4003U28 3 8 32M x 8 Itaucom ICM4L560807-43512 MB 512N4003U28 3 16 32M x 8 Itaucom ICM4L560807-43KingmaxDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB MPXB62D-38KT3R 2.5 8 32M x 8 Kingmax KDL388P4LA-50512 MB MPXC22D-38KT3R 2.5 16 32M x 8 Kingmax KDL388P4LA-50Kingston TechnologiesDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB KVR400X64C3A/256 3 8 32M x 8 Infineon HYB25D256800BT-5256 MB KVR400X64C25/256 2.5 8 Unnown Unknown256 MB KVR400X64C3A/256 3 8 32M x 8 Kingston D3208DL3T-5A256 MB KVR400X64C3A/256 3 8 32M x 8 Kingston D3208DH1T-5512 MB KVR400X64C3A/512 3 16 32M x 8 Kingston D3208DH1T-5512 MB KVR400X64C3A/512 3 16 32M x 8 Kingston D3208DH1T-5512 MB KVR400X64C3A/512 3 16 32M x 8 Mosel Vitelic V58C2256804SAT5MicronDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number128 MB MT8VDDT1664AG-403B5 3 8 16M x 8 Micron MT46V16M8-5T256 MB MT8VDDT3264AG-40BC4 3 8 32M x 8 Micron MT46V32M8-5B256 MB MT8VDDT3264AG-40BC4 3 8 32M x 8 Micron MT46V32M8TG-5BC 256 MB MT8VDDT3264AG-40BCB 3 8 32M x 8 Micron MT46V32M8-5B256 MB MT8VDDT3264AG-40BG4 3 8 32M x 8 Micron MT46V32M8TG-5BG 256 MB MT16VDDT3264AG-403B5 3 16 16M x 8 Micron MT46V16M8-5T 512 MB MT16VDDT6464AG-40BC4 3 16 32M x 8 Micron MT46V32M8-5B 512 MB MT16VDDT6464AG-40BG4 3 16 32M x 8 Micron MT46V32M8TG-5B 1 GB MT16VDDT12864AG-40BC1 3 16 64M x 8 Micron MT46V64M8TG-5BMosel VitelicDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB V826632K24SATG-D3 3 8 32M x 8 Mosel Vitelic V58C2256804SAT5 512 MB V826664K24SATG-D3 3 16 32M x 8 Mosel Vitelic V58C2256804SAT5NanyaDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number128 MB NT128D64SH4B1G-5 3 4 16M x 16 Nanya NT5DS16M16BT-5128 MB NT128D64SH4B1G-5T 3 4 16M x 16 Nanya NT5DS16M16BT-5T256 MB NT256D64S88B1G-5 3 8 32M x 8 Nanya NT5DS32M8BT-5256 MB NT256D64S88B1G-5T 3 8 32M x 8 Nanya NT5DS32M8BT-5T512 MB NT512D64S8HB1G-5T 3 16 32M x 8 Nanya NT5DS32M8BT-5T512 MB NT512D64S8HB1G-5 3 16 32M x 8 Nanya NT5DS32M8BT-5Powerchip SemiconductorDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB MD44256PPS3208GRPA01 2.5 8 32M x 8 Powerchip PP4D328S5256 MB AL5D8B53T-5B1T 2.5 8 32M x 8 Powerchip A2S56D30BTP512 MB AL6D8B53T-5B1T 2.5 16 32M x 8 Powerchip A2S56D30BTPPMIDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB 3200GATA08-04A3 3 8 32M x 8 Samsung K4H560838D-TCCC256 MB 3200GATA04-03D3 3 8 32M x 8 Hynix HY5DU56822BT-D43512 MB 3200GATA03-03D3 3 16 32M x 8 Hynix HY5DU56822BT-D43512 MB 3200GATA11-04A6 3 16 32M x 8 PQI PQ4D328D5PQIDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB 184DR256M438,MV,BH70 2.5 8 32M x 8 Mosel Vitelic V58C2256804SAT5B 256 MB 184DR256M438,WB,BH70 2.5 8 32M x 8 Winbond W942508CH-5256 MB 184DR256M438,PS,BH30 3 8 32M x 8 Powerchip A2S56D30BTPSamsungDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number128 MB M368L1713ETM-CCC 3 8 16M x 8 Samsung K4H280838E-TCCC128 MB M368L1624DTM-CCC 3 4 16M x 16 Samsung K4H561638D-TCCC128 MB M368L1624FTM-CCC 3 4 16M x 16 Samsung K4H561638F-TCCC256 MB M368L3223DTM-CC4 3 8 32M x 8 Samsung K4H560838D-TCC4256 MB M368L3223ETM-CCC 3 8 32M x 8 Samsung K4H560838E-TCCC256 MB M368L3223FTM-CCC 3 8 32M x 8 Samsung K4H560838F-TCCC256 MB M368L3223FTN-CCC 3 8 32M x 8 Samsung K4H560838F-TCCC512 MB M368L6423ETM-CCC 3 16 32M x 8 Samsung K4H560838E-TCCC512 MB M368L6423FTN-CCC 3 16 32M x 8 Samsung K4H560838F-TCCC512 MB M368L6523BTM-CCC 3 8 64M x 8 Samsung K4H510838B-TCCC1 GB M368L2923BTM-CCC 3 16 64M x 8 Samsung K4H510838B-TCCCSimpleTechDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB S256M3NK1QK-AT 3 8 32M x 8 Micron MT46V32M8-5B512 MB S512M3NK2QK-AT 3 16 32M x 8 Micron MT46V32M8-5BSwissBitDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB SDU03264B5B21IW-50 3 8 32M x 8 Infineon HYB25D256800BT-5256 MB SDU03264B5B31MT-50 3 8 32M x 8 Micron MT46V32M8-5B512 MB SDU06464H1B22IW-50 3 16 32M x 8 Infineon HYB25D256800BT-5B 512 MB SDU06464B5B31MT-50 3 8 64M x 8 Micron MT46V64-5B1 GB SDU12864H1B32MT-50 3 16 64M x 8 Micron MT46V64-5BSyncMaxDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number512 MB SR-512M-1606R-3200 3 16 32M x 8 SyncMax P2S56D30BTP-UTTTranscendDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB TS32MLD64V4F3 3 8 32M x 8 Samsung K4H560838E-TCCC256 MB TS32MLD64V4F3 3 8 32M x 8 Samsung K4H560838F-TCCC256 MB TS32MLD64V4F3 3 8 32M x 8 Mosel Vitelic V58C2256804SAT5B512 MB TS64MLD64V4F 2.5 16 32M x 8 Mosel Vitelic V58C2256804SAT5B 512 MB TS64MLD64V4F3 3 16 32M x 8 Mosel Vitelic V58C2256804SAT5B 512 MB TS64MLD64V4F3 3 16 32M x 8 Samsung K4H560838F-TCCC512 MB TS64MLD64V4F 3 16 32M x 8 Mosel Vitelic V58C2256804SAT5BTwinMos TechnologiesDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number512 MB M2G9J16AGATT9F081AA4T 3 16 32M x 8 TwinMos TMD7608F8E50DVdataDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB MDGVD6F3G3750B1E0H 3 8 32M x 8 Vdata VDD8608A8A-5CVikingDensity Module Part Number CL Loads Type Component Part Number256 MB VI4CU326428DTP 3 8 32M x 8 Samsung K4H560838E-TCCC512 MB VI4CU646428DTP 3 16 32M x 8 Samsung K4H560838E-TCCC。