电力电子技术试题库--2013答案
《电力电子技术》题库含答案
一、填空题(每空1分，共５０分)1、对同一晶闸管，维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上有I L _________ I H。
2、功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是________________________________。
3、晶闸管断态不重复电压U DSM与转折电压U BO数值大小上应为，U DSM ________ U BO。
4、电阻负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压U Fm等于_____，设U2为相电压有效值。
5、三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差___________________________。
6、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使用输出电压平均值_______________________。
7、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是______________________________________措施。
8、三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有______________二种方式。
9、抑制过电压的方法之一是用_____________________吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。
10、180°导电型电压源式三相桥式逆变电路，其换相是在___________的上、下二个开关元件之间进行。
11、改变SPWM逆变器中的调制比，可以改变_____________________________________________的幅值。
12、为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是___________________________________________。
13、恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是__________________________________________________。
14、功率晶体管缓冲保护电路中二极管要求采用________型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。
电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
电力电子技术试题
第1章电力电子器件
1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。
9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
度。
11、直流斩波电路按照输入电压与输出电压的高低变化来分类有降压斩波电路；升压斩波电路；升降压斩波电路。
12、由晶闸管构成的逆变器换流方式有负载换流和强迫换流。
13、按逆变后能量馈送去向不同来分类，电力电子元件构成的逆变器可分为有源、逆变器与无源逆变器两大类。
14、有一晶闸管的型号为KK200－9，请说明KK快速晶闸管；200表示表示200A，9表示900V。
12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
电力电子技术试卷与答案
《电力电子技术》试卷一、填空题（每空格1分，共31分)1．晶闸管是硅晶体闸流管的简称，常用的有螺栓式与＿＿＿＿＿＿＿。
2．晶闸管象二极管一样,具有可控＿＿＿＿＿＿＿特性。
3．为了保证晶闸管可靠与迅速地关断，通常在管子阳极电压下降为零之后，加一段时间的＿＿＿＿电压。
4．选用晶闸管的额定电压值应比实际工作时的最大电压大＿＿＿＿＿＿＿倍，使其有一定的电压裕量。
5．选用晶闸管的额定电流时，根据实际最大电流计算后至少还要乘以＿＿＿＿＿＿.6．在螺栓式晶闸管上有螺栓的一端是＿＿＿＿＿＿＿极.7．单相半波可控整流电路，当电感性负载接续流二极管时,控制角的移相范围为＿＿＿＿＿＿＿。
8．在反电动势负载时，只有＿＿＿＿＿＿＿的瞬时值大于负载的反电动势，整流桥路中的晶闸管才能随受正压而触发导通。
9．把晶闸管承受正压起到触发导通之间的电角度称为＿＿＿＿＿＿＿。
10．＿＿＿＿＿＿＿可控整流电路，是三相可控整流电路最基本的组成形式。
11．三相半波可控整流电路，带大电感负载时的移相范围为＿＿＿＿＿＿＿。
12．采用晶闸管共阳极接法的缺点是:要求三个触发电路的输出线圈＿＿＿＿＿＿＿。
13．触发脉冲可采取宽脉冲触发与双窄脉冲冲触发两种方法，目前采用较多的是＿＿＿＿＿＿＿触发方法.14．由于电路中共阴极与共阳极组换流点相隔60。
,所以每隔60。
有一次＿＿＿＿＿。
15．三相桥式整流电路控制角α的起算点，如α＝30.，在对应的线电压波形上脉冲距波形原点为＿＿＿＿＿＿＿。
16．双窄脉冲触发是在触发某一号晶闸管时，触发电路同时给＿＿＿＿＿＿＿一号晶闸管补表一个脉冲。
17．在三相可控整流电路中，α＝0。
的地方（自然换相点）为相邻线电压的交点，它距对应线电压波形的原点为＿＿＿＿＿＿＿。
18．在三相半波可控整流电路中，电阻性负载，当控制角＿＿＿＿＿＿时,电流连续。
19．在三相半波可控整流电路中，电感性负载，当控制角＿＿＿＿＿＿＿时，输出电压波形出现负值,因而常加续流二级管.20．三相桥式全控整流电路,电阻性负载，当控制角＿＿＿＿＿＿＿时,电流连续.21．三相桥式可控整流电路适宜在＿＿＿＿＿＿＿电压而电流不太大的场合使用.22．带平衡电抗器的双反星形可控整流电路是由两组三相半波可控整流电路＿＿＿＿＿＿＿组成.23．考虑变压器漏抗的可控整流电路中,在换相过程期间，两个相邻的晶闸管同时导通，对应的电角度称为＿＿＿＿＿＿＿.24．考虑变压器漏抗的可控整流电路中，如与不考虑漏坑的相比，则使输出电压平均值＿＿＿＿＿＿＿。
电力电子技术习题库(附答案)
电力电子技术习题库（附答案）一、单选题（共25题，每题1分，共25分）1.三相桥式全控整流电路，大电感负载，当α＝（）时整流平均电压Ud=0。
A、60度B、30度C、90度D、120度正确答案：C2.1957年美国通用电气（GE）公司研制出第一只（），它标志着电力电子技术的诞生。
A、电子管B、晶闸管C、MOSFETD、IGBT正确答案：B3.逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成（）A、可关断晶闸管B、双向晶闸管C、逆阻型晶闸管D、大功率三极管正确答案：C4.IGBT是一个复合型的器件，它是（）A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GTO正确答案：B5.晶闸管的伏安特性是指()A、门极电压与门极电流的关系B、阳极电压与阳极电流的关系C、门极电压与阳极电流的关系D、阳极电压与门极电流的关系正确答案：B6.单相全控桥式整流电路大电感性负载中，控制角的最大移相范围是（）A、180°B、120°C、90°D、150°正确答案：C7.三相半波可控整流电路的自然换相点是（）A、比三相不控整流电路的自然换相点超前30°B、本相相电压与相邻电压正半周的交点处C、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°D、交流相电压的过零点正确答案：B8.逆变电路是一种（）变换电路。
A、AC/ACB、DC/ACC、DC/DCD、AC/DC正确答案：B9.采用多重化电压源型逆变器的目的，主要是为()。
A、增大输出幅值B、减小输出谐波C、减小输出幅值D、减小输出功率正确答案：B10.三相全波可控整流电路电阻性负载中，控制角的最大移相范围是（）。
A、90°B、120°C、150°D、180°正确答案：B11.目前，在中小型变频器中普遍采用的电力电子器件是（）。
电力电子技术试题及答案
电力电子技术试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 电力电子器件中，能够实现交流到直流转换的是（）。
A. 二极管B. 晶闸管C. 晶体管D. 场效应管答案：B2. 电力电子技术中，PWM调制技术的主要作用是（）。
A. 整流B. 逆变C. 变频D. 变压答案：C3. 电力电子技术中，以下哪个器件是电压控制型器件（）。
A. 晶闸管B. 功率MOSFETC. 绝缘栅双极晶体管（IGBT）D. 功率二极管答案：B4. 在电力电子技术中，以下哪个器件是电流控制型器件（）。
A. 晶闸管B. 功率MOSFETC. 绝缘栅双极晶体管（IGBT）D. 功率二极管答案：A5. 电力电子技术中，三相桥式整流电路的输出电压波形是（）。
A. 正弦波B. 矩形波C. 三角波D. 锯齿波答案：B6. 电力电子技术中，以下哪个器件不适合用于高频开关应用（）。
A. 功率MOSFETB. 绝缘栅双极晶体管（IGBT）C. 功率二极管D. 晶闸管答案：D7. 电力电子技术中，以下哪个器件具有自关断能力（）。
A. 晶闸管B. 功率MOSFETC. 绝缘栅双极晶体管（IGBT）D. 功率二极管答案：B8. 电力电子技术中，以下哪个器件的导通电压最低（）。
A. 晶闸管B. 功率MOSFETC. 绝缘栅双极晶体管（IGBT）D. 功率二极管答案：B9. 电力电子技术中，以下哪个器件的开关速度最快（）。
A. 晶闸管B. 功率MOSFETD. 功率二极管答案：B10. 电力电子技术中，以下哪个器件的耐压最高（）。
A. 晶闸管B. 功率MOSFETC. 绝缘栅双极晶体管（IGBT）D. 功率二极管答案：A二、多项选择题（每题3分，共15分）1. 电力电子技术中，以下哪些器件属于全控型器件（）。
A. 晶闸管B. 功率MOSFETD. 功率二极管答案：BC2. 电力电子技术中，以下哪些器件可以用于实现交流到直流的转换（）。
A. 二极管B. 晶闸管C. 晶体管D. 场效应管答案：AB3. 电力电子技术中，以下哪些器件可以用于实现直流到交流的转换（）。
电力电子技术试题20套及答案【精选文档】
考试试卷（ 1 )卷一、填空题(本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。
当器件的工作频率较高时,_________损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制.在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制.4、面积等效原理指的是,___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中,开关速度最快的是__MOSFET_，单管输出功率最大的是__GTO_，应用最为广泛的是__IGBT___。
6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时,晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值,即，其承受的最大正向电压为.7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载,则称为逆变。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2，VD2表示)。
(1）0～t1时间段内，电流的通路为___VD1_____；(2) t1～t2时间段内，电流的通路为___V1____;(3）t2～t3时间段内，电流的通路为__VD2_____；(4) t3～t4时间段内,电流的通路为__V2_____;（5) t4~t5时间段内，电流的通路为___VD1____；二、选择题(本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分)1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时,在电压的正半周是（B ）A、V1与V4导通,V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断,V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是( C )A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通.A、1个B、2个C、3个D、4个4、对于单相交交变频电路如下图，在t1~t2时间段内，P组晶闸管变流装置与N组晶闸管变流装置的工作状态是（）A、P组阻断,N组整流B、P组阻断,N组逆变C、N组阻断，P组整流D、N组阻断,P组逆变5、电阻性负载三相半波可控整流电路中，控制角的范围是（ D )A、30°～150B、0°～120°C、15°～125°D、0°～150°6、桓流驱动电路中加速电容C的作用是（ A ）A、加快功率晶体管的开通B、延缓功率晶体管的关断C、加深功率晶体管的饱和深度D、保护器件7、直流斩波电路是一种( C ）变换电路.A、AC/ACB、DC/ACC、DC/DCD、AC/DC8、为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间,桓流驱动电路经常采用( B ）A、du/dt抑制电路B、抗饱和电路C、di/dt抑制电路D、吸收电路9、已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流( A ）A、减小至维持电流以下B、减小至擎住电流以下C、减小至门极触发电流以下D、减小至5A以下10、IGBT是一个复合型的器件，它是( B ）A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GTO三、简答题(共3小题，22分)1、简述晶闸管导通的条件与关断条件。
电力电子技术试题库--2013答案
电力电子技术作业题一、选择题（每题20分）1．（）晶闸管额定电压一般取正常工作时晶闸管所承受峰电压的( B )。
A. 1～2倍B. 2～3倍C. 3～4倍D. 4～5倍2．（）选用晶闸管的额定电流时，根据实际最大电流计算后至少还要乘以（ A ）。
A. 1.5～2倍B. 2～2.5倍C. 2.5～3倍D. 3～3.5倍3.（）晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，能维持通态所需要的最小电流是（ B ）。
A. 维持电流IHB. 擎住电流ILC. 浪涌电流ITSMD. 最小工作电流IMIN4.（）对同一只晶闸管，擎住电流IL约为维持电流IH的( B )。
A. 1～2倍B. 2～4倍C. 3～5倍D. 6～8倍5.( )普通晶闸管的额定电流用通态平均电流值标定，而双向晶闸管通常用在交流电路中，因此其额定电流用( D )标定。
A. 平均值B. 最大值C. 最小值D. 有效值6.( C )晶闸管属于A. 全控型器件B.场效应器件C.半控型器件D.不可控器件7.( )晶闸管可通过门极( C )。
A. 既可控制开通，又可控制关断B.不能控制开通，只能控制关断C.只能控制开通，不能控制关断D.开通和关断都不能控制8.（）使导通的晶闸管关断只能是( C )。
A. 外加反向电压B.撤除触发电流C. 使流过晶闸管的电流降到接近于零D. 在门极加反向触发9．（）在螺栓式晶闸管上有螺栓的一端是( A )。
A. 阴极KB. 阳极AC. 门极KD. 发射极E10. （）晶闸管导通的条件是（ A ）。
A. 阳极加正向电压，门极有正向脉冲B. 阳极加正向电压，门极有负向脉冲C. 阳极加反向电压，门极有正向脉冲D. 阳极加反向电压，门极有负向脉冲11. ( )可关断晶闸管（GTO）是一种（ A ）结构的半导体器件。
A.四层三端B.五层三端C.三层二端D.三层三端12 . （）晶闸管的三个引出电极分别是（A）。
A.阳极、阴极、门极B.阳极、阴极、栅极C.栅极、漏极、源极D.发射极、基极、集电极13. （）已经导通了的晶闸管可被关断的条件是流过晶闸管的电流（ A ）。
电力电子技术考试试卷
电⼒电⼦技术考试试卷电⼒电⼦技术试题库答案⼀、填空题（每空1分，共20分）1．电⼒电⼦技术是利⽤（电⼒电⼦器件）对电能进⾏（控制、转换和传输）的技术.2、晶闸管是⼀种既具有（开关作⽤），⼜具有（整流作⽤）的⼤功率半导体器件。
3．电⼒电⼦技术研究的对象是（电⼒电⼦器件的应⽤）、（电⼒电⼦电路的电能变换原理）和电⼒电⼦装置的开发与应⽤。
.4. 电⼒⼆极管的主要类型有（普通⼆极管），（快恢复⼆极管）和肖特基⼆极管。
5、电⼒⼆极管的主要类型有普通⼆极管，（快恢复⼆极管）和（肖特基⼆极管）。
6、晶闸管的正向特性⼜有（阻断状态）和（导通状态）之分。
7、半控型电⼒电⼦器件控制极只能控制器件的（导通），⽽不能控制器件的（关断）。
8、电流的波形系数Kf指（电流有效值）和（电流平均值）⽐值。
9、电⼒晶体管是⼀种（耐⾼压）、（⼤电流）的双极型晶体管。
10、晶闸管有三个电极，分别是阳极，（阴极）和（门极或栅极）。
⼆、判断题（每题1分，共10分）1、晶闸管的门极既可以控制它的导通，也可以控制它的关断。
（错）2、晶闸管的门极既不能控制它的导通，也不能控制它的关断。
（错）3、晶闸管的门极可以控制它的导通，但不能控制它的关断。
（对）4、晶闸管的门极不可以控制它的导通，但能控制它的关断。
（错）5、额定电流为100A的晶闸管，允许通过的最⼤平均电流为157A。
（对）6、在室温下门极断开时，元件从较⼤的通态电流降⾄刚好能保持导通的最⼩阳极电流为维持电流。
（对）7、在室温下门极断开时，晶闸管从较⼤的通态电流降⾄刚好能保持导通的最⼩阳极电流称为掣住电流。
( 错)8、在晶闸管加上触发电压，当元件从阻断状态刚好转为导通状态就去除触发电压，此时要保持元件导通所需要的最⼩阳极电流称为掣住电流。
（对）9、在晶闸管加上触发电压，当元件从阻断状态刚好转为导通状态就去除触发电压，此时要保持元件导通所需要的最⼩阳极电流称为维持电流。
（错）10、反励式变换器是指开关管导通时电源将电能转换为磁能储存在电感中，开关管截⽌时再将磁能转换为电能传送给负载。
2013年现代电力电子技术答案
湖南大学2013年现代电力电子技术课程考试题一、问答题1、简要说明衡量PWM调制方法优劣的四个指标。
（10分）2、简要说明双反星型整流电路与三相桥式整流电路的异同。
（10分）3、简要说明全控型器件的缓冲电路的主要作用，并分析RCD缓冲电路中各元件的作用。
（10分）4、试给出二极管的八种用途，要求画图并用文字说明。
（10分）5、简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。
（10分）二、设计题1、设计一台2000安，10伏高频开关直流电源，交流输入为三相380伏电源，要求交流侧谐波含量低，功率因数高，直流输出电流采用闭环控制，试画出系统结构图，并说明工作原理，给出控制方案和软件框图。
（25分）2、在某生态城示范小区楼顶，需安装2.5kWp光伏板阵列来实现太阳能并网发电。
要求设计一台2kW单相光伏并网逆变器，将太阳能光伏板输出的能量最大限度地转换为电能并接入交流电网。
已知：光伏阵列开路输出电压范围为200~250V，短路电流约为10.5A。
试画出并网逆变器的主电路和控制电路硬件框图以及软件主流程图，并简要给出工作原理及设计思路。
（25分）湖南大学2013年现代电力电子技术课程考试题一、简答题1、答：衡量PWM调制方法优劣的四个指标为：输出波形的失真度、输出波形中的谐波含量、直流电压利用率和开关频率。
2、答：（1）三相桥式电路是两组三相半波电路串联，而双反星型电路是两组三相半波电路并联，且后者需要平衡电抗器。
（2）当变压器二次电压有效值相等时，双反星型电路的整流电压平均值是三相桥式电路的1/2，整流电流平均值是单相桥式电路的2倍。
（3）在两种电路中，可控硅的导通及触发脉冲的分配关系是一样的，整流电压和整流电流的波形形状也一样。
3、答：缓冲电路的作用主要是抑制电力电子器件的过电压、du/dt或者过电流、di/dt，减小器件的开关损耗，保障器件的安全。
在全控型器件VT开通时，RCD电路中的电容C通过电阻R向VT放电，使电流上升，促使VT完全导通；在VT关断时，电流通过二极管VD向C分流，减轻VT的负担，抑制关断过程的过电压和du/dt。
(完整版)电力电子技术试题20套及答案
1.考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。
当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为____________调制。
4、面积等效原理指的是，_________相等而_______不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是_________，单管输出功率最大的是_____________，应用最为广泛的是___________。
6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。
7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。
(1) 0~t1时间段内，电流的通路为________；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为_______；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为_______；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为_______；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为_______；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。
电力电子技术试题库(附答案)
电力电子技术试题库（附答案）一、判断题（共100题，每题1分，共100分）1.触发脉冲具有一定的脉宽，前沿要陡。
（）A、正确B、错误正确答案：A2.有源逆变装置是把逆变后的交流能量送回电网。
（）A、正确B、错误正确答案：A3.在DC/DC变换电路中，可以采用电网换流方法。
（）A、正确B、错误正确答案：B4.单结晶体管触发电路结构简单、抗干扰能力强和运行可靠。
（）A、正确B、错误正确答案：A5.双向晶闸管的额定电流的定义与普通晶闸管不一样，双向晶闸管的额定电流是用电流有效值来表示的。
（）A、正确B、错误正确答案：A6.电流的波形系数是电流的有效值与平均值之比。
（）A、正确B、错误正确答案：A7.快速熔断器必须与其它过电流保护措施同时使用。
（）A、正确B、错误正确答案：A8.单相半波可控整流电路带电阻负载时的移相范围为0.5π。
（）A、正确B、错误正确答案：B9.直流变换电路输出的电压都小于输入电压。
（）A、正确B、错误正确答案：B10.单相半波可控整流电路带电阻负载时输出电压平均值的最大值为U2。
（）A、正确B、错误正确答案：B11.有源逆变器是将直流电能转换为交流电能馈送回电网的逆变电路。
（）A、正确B、错误正确答案：A12.两个以上晶闸管串联使用，是为了解决自身额定电压偏低，不能胜用电路电压要求，而采取的一种解决方法，但必须采取均压措施。
（）A、正确B、错误正确答案：A13.在GTO、GTR、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是MOSFET，单管输出功率最大的是GTO，应用最为广泛的是IGBT。
（）A、正确B、错误正确答案：A14.触发脉冲必须具有足够的功率。
（）A、正确B、错误正确答案：A15.在三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反压为2倍相电压U2。
（）A、正确B、错误正确答案：B16.三相半波可控整流电路也必需要采用双窄脉冲触发。
（）A、正确B、错误正确答案：B17.降压斩波电路斩波开关关断时，电感充电。
(完整版)电力电子技术试题及答案(1)
《电力电子技术》试卷一．填空（共15分，1分/空）1.电力电子技术通常可分为（）技术和（）技术两个分支。
2.按驱动电路信号的性质可以将电力电子器件分为（）型器件和（）型器件两类，晶闸管属于其中的（）型器件。
3.晶闸管单相桥式全控整流电路带反电动势负载E时（变压器二次侧电压有效值为U，忽略主电路2各部分的电感），与电阻负载时相比，晶闸管提前了电角度δ停止导电，δ称为（）角，数量关系为δ=（）。
4.三相桥式全控整流电路的触发方式有（）触发和（）触发两种，常用的是（）触发。
5.三相半波可控整流电路按联接方式可分为（）组和（）组两种。
6.在特定场合下，同一套整流电路即可工作在（）状态，又可工作在（）状态，故简称变流电路。
7.控制角α与逆变角β之间的关系为（）。
二．单选（共10分，2分/题）1．采用（）是电力电子装置中最有效、应用最广的一种过电流保护措施。
A.直流断路器B. 快速熔断器C.过电流继电器2．晶闸管属于（）。
A.不可控器件B. 全控器件C.半控器件3．单相全控桥式整流电路，带阻感负载（L足够大）时的移相范围是（）。
A．180O B.90O C.120O4．对三相全控桥中共阴极组的三个晶闸管来说，正常工作时触发脉冲相位应依次差（）度。
A.60B. 180C. 1205．把交流电变成直流电的是（）。
A. 逆变电路B.整流电路C.斩波电路三．多选（共10分，2分/题）1．电力电子器件一般具有的特征有。
A.所能处理电功率的大小是其最重要的参数B.一般工作在开关状态C.一般需要信息电子电路来控制D.不仅讲究散热设计，工作时一般还需接散热器2．下列电路中，不存在变压器直流磁化问题的有。
A.单相全控桥整流电路B.单相全波可控整流电路C.三相全控桥整流电路D.三相半波可控整流电路3．使晶闸管关断的方法有。
A.给门极施加反压B.去掉阳极的正向电压C.增大回路阻抗D.给阳极施加反压4．逆变失败的原因有。
A.触发电路不可靠B.晶闸管发生故障C.交流电源发生故障D.换相裕量角不足5．变压器漏抗对整流电路的影响有。
电力电子技术练习题库与参考答案
电力电子技术练习题库与参考答案一、选择题1. 电力电子技术的研究对象是（）。
A. 电力系统B. 电子技术C. 功率电子器件D.功率变换答案：D2. 电力电子器件的主要类型有（）。
A. 晶闸管、二极管、可控硅B. 晶闸管、二极管、三极管C. 晶闸管、二极管、MOSFETD. 晶闸管、二极管、IGBT答案：C3. 下列哪个器件属于电力电子器件？（）A. 晶体管B. 集成电路C. 电力电子器件D. 电阻答案：C4. 电力电子变换器的主要功能是（）。
A. 电压变换B. 电流变换C. 频率变换D. 以上都是答案：D5. 下列哪种电力电子变换器可以实现交流电到直流电的转换？（）A. 直流变换器B. 逆变器C. 整流器D. 交交变频器答案：C6. 下列哪种电力电子变换器可以实现直流电到交流电的转换？（）A. 直流变换器B. 逆变器C. 整流器D. 交交变频器答案：B7. 下列哪种电力电子变换器可以实现交流电到交流电的转换？（）A. 直流变换器B. 逆变器C. 整流器D. 交交变频器答案：D8. 下列哪种电力电子变换器可以实现直流电到直流电的转换？（）A. 直流变换器B. 逆变器C. 整流器D. 交交变频器答案：A9. 下列哪种电力电子变换器可以实现交流电到直流电的转换？（）A. 直流变换器B. 逆变器C. 整流器D. 交交变频器答案：C10. 下列哪种电力电子变换器可以实现直流电到交流电的转换？（）A. 直流变换器B. 逆变器C. 整流器D. 交交变频器答案：B二、填空题1. 电力电子技术是一种利用______对电能进行高效变换的技术。
答案：功率半导体器件2. 电力电子变换器的主要功能是实现______、______、______和______的变换。
答案：电压、电流、频率、波形3. 电力电子器件的主要类型有______、______、______和______。
答案：晶闸管、二极管、可控硅、MOSFET4. 电力电子变换器的主要类型有______、______、______和______。
电力电子技术试题及答案(分章节的)
电力电子技术试题（第一章）一、填空题1、普通晶闸管内部有PN结,，外部有三个电极，分别是极极和极。
1、两个、阳极A、阴极K、门极G。
2、晶闸管在其阳极与阴极之间加上电压的同时，门极上加上电压，晶闸管就导通。
2、正向、触发.3、、晶闸管的工作状态有正向状态，正向状态和反向状态。
3、阻断、导通、阻断.4、某半导体器件的型号为KP50-7的，其中KP表示该器件的名称为，50表示,7表示.4、普通晶闸管、额定电流50A、额定电压100V。
5、只有当阳极电流小于电流时，晶闸管才会由导通转为截止。
5、维持电流。
6、当增大晶闸管可控整流的控制角α，负载上得到的直流电压平均值会.6、减小。
7、按负载的性质不同，晶闸管可控整流电路的负载分为性负载，性负载和负载三大类。
7、电阻、电感、反电动势.8、当晶闸管可控整流的负载为大电感负载时,负载两端的直流电压平均值会，解决的办法就是在负载的两端接一个。
8、减小、并接、续流二极管。
9、工作于反电动势负载的晶闸管在每一个周期中的导通角、电流波形不连续、呈状、电流的平均值。
要求管子的额定电流值要些。
9、小、脉冲、小、大。
10、单结晶体管的内部一共有个PN结,外部一共有3个电极，它们分别是极、极和极。
10、一个、发射极E、第一基极B1、第二基极B2。
11、当单结晶体管的发射极电压高于电压时就导通；低于电压时就截止.11、峰点、谷点。
12、触发电路送出的触发脉冲信号必须与晶闸管阳极电压,保证在管子阳极电压每个正半周内以相同的被触发，才能得到稳定的直流电压。
12、同步、时刻。
13、晶体管触发电路的同步电压一般有同步电压和电压。
13、正弦波、锯齿波。
14、正弦波触发电路的同步移相一般都是采用与一个或几个的叠加，利用改变的大小,来实现移相控制.14、正弦波同步电压、控制电压、控制电压。
15、在晶闸管两端并联的RC回路是用来防止损坏晶闸管的。
15、关断过电压。
16、为了防止雷电对晶闸管的损坏，可在整流变压器的一次线圈两端并接一个或。
《电力电子技术》题库含答案
一、填空题(每空1分，共５０分)1、对同一晶闸管，维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上有I L _________ I H。
2、功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是________________________________。
3、晶闸管断态不重复电压U DSM与转折电压U BO数值大小上应为，U DSM ________ U BO。
4、电阻负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压U Fm等于_____，设U2为相电压有效值。
5、三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差___________________________。
6、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使用输出电压平均值_______________________。
7、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是______________________________________措施。
8、三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有______________二种方式。
9、抑制过电压的方法之一是用_____________________吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。
10、180°导电型电压源式三相桥式逆变电路，其换相是在___________的上、下二个开关元件之间进行。
11、改变SPWM逆变器中的调制比，可以改变_____________________________________________的幅值。
12、为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是___________________________________________。
13、恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是__________________________________________________。
14、功率晶体管缓冲保护电路中二极管要求采用________型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。
电力电子技术试题及答案
电力电子技术试题及答案# 电力电子技术试题及答案## 一、选择题1. 电力电子技术主要应用于哪些领域？- A. 工业控制- B. 电力系统- C. 家用电器- D. 所有以上答案：D2. 以下哪个不是电力电子器件？- A. 晶闸管- B. 绝缘栅双极晶体管（IGBT）- C. 继电器- D. 功率模块答案：C3. 电力电子变换器的基本功能是什么？- A. 电能的产生- B. 电能的转换- C. 电能的储存- D. 电能的传输答案：B## 二、填空题1. 电力电子技术中的PWM控制方式是指______脉冲宽度调制。
答案：脉宽2. 电力电子变换器的输出波形可以通过______来改善。
答案：滤波器3. 在电力电子系统中，软开关技术可以减少______损耗。
答案：开关## 三、简答题1. 简述电力电子技术在新能源领域的应用。
答案：电力电子技术在新能源领域的应用主要包括太阳能光伏发电、风力发电等。
在这些系统中，电力电子变换器用于将不稳定的直流电转换为稳定的交流电，以满足电网的要求。
此外，电力电子技术还用于能量存储系统，如电池管理系统，以提高能源的利用效率。
2. 解释什么是电力电子变换器的效率，并说明影响其效率的因素。
答案：电力电子变换器的效率是指输入功率与输出功率的比值。
它反映了变换器在转换过程中能量损失的程度。
影响电力电子变换器效率的因素包括器件本身的导通损耗和开关损耗、电路设计、控制策略、散热条件等。
## 四、计算题1. 假设有一个单相全桥整流电路，输入电压为220V（有效值），负载为纯电阻性，求输出直流电压的平均值。
答案：单相全桥整流电路的输出直流电压平均值可以通过以下公式计算： \[ V_{DC} = \frac{2V_m}{\pi} \]其中 \( V_m \) 是输入电压的最大值，对于有效值为220V的交流电，其最大值为 \( V_m = \sqrt{2} \times 220V \)。
\[ V_{DC} = \frac{2 \times \sqrt{2} \times 220V}{\pi}\approx 309V \]2. 如果上述电路的负载不是纯电阻性的，而是一个感性负载，其电感L为10mH，求电路在负载短路时的短路电流。
电力电子技术题库含参考答案
电力电子技术题库含参考答案一、单选题（共30题，每题1分，共30分）1、下面选项中属于晶闸管派生器件的是（）。
A、电力场效应晶体管B、绝缘栅双极晶体管C、门极可关断晶闸管D、电力晶体管正确答案：C2、带中心抽头变压器的逆变电路,变压器匝比为( )时，uo和io波形及幅值与全桥逆变电路完全相同。
A、1:2:1B、1:1:2C、3:1:1D、1:1:1正确答案：D3、单相半波可控制整流电路阻感负载需要（）续流。
A、晶闸管B、二极管C、GTRD、IGBT正确答案：B4、（）不属于换流技术。
A、整流B、电力电子器件制造C、逆变D、斩波正确答案：B5、单相桥式全控整流阻感性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( )。
A、0º-180°B、0º-150°C、0º-120°D、0º-90°正确答案：D6、电压型逆变电路输出的电流波形为（）。
A、因负载不同而不同B、锯齿波C、正弦波D、矩形波正确答案：A7、单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( )A、0º-150°B、0º-180°C、0º-120°D、0º-90°正确答案：B8、目前所用的电力电子器件均由（）制成，故也称电力半导体器件。
A、绝缘体B、金属C、半导体D、导体正确答案：C9、采用调制法得到PWM波形，把希望输出的波形作为（）。
A、载波B、锯齿波C、调制信号D、正玄波正确答案：C10、斩波电路中，输出电压高于输入电压的电路称为（）。
A、降压斩波B、升压斩波C、升降压斩波D、CUK斩波正确答案：B11、晶闸管额定电压一般取正常工作时晶闸管所承受峰电压的( )。
A、3～4倍B、4～5倍C、2～3倍D、1～2倍正确答案：C12、与单相全波可控整流电路功能相同的电路是（）。
A、斩波电路B、单相半波可控整流电路C、三相桥式整流电路D、单相桥式整流电路正确答案：D13、逆导晶闸管是将（）反并联在同一管芯上的功率集成器件。
电力电子技术试题及答案
电力电子技术试题1、请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO ；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET 和GTR 的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。
4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波波，输出电流波形为方波波。
5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为100A安。
6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120º导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_不同桥臂上的元件之间进行的。
7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、、正反向漏电流会下降、；当温度升高时，晶闸管的触发电流会下降、、正反向漏电流会增加。
8、在有环流逆变系统中，环流指的是只流经两组变流器之间而不流经负载的电流。
环流可在电路中加电抗器来限制。
为了减小环流一般采用控制角α= β的工作方式。
9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。
（写出四种即可）10、逆变器按直流侧提供的电源的性质来分，可分为电压型型逆变器和电流型型逆变器，电压型逆变器直流侧是电压源，通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧用电容器进行滤波，电压型三相桥式逆变电路的换流是在桥路的本桥元件之间元件之间换流，每只晶闸管导电的角度是180º度；而电流型逆变器直流侧是电流源，通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧是用电感滤波，电流型三相桥式逆变电路换流是在异桥元件之间元件之间换流，每只晶闸管导电的角度是120º度。
11、直流斩波电路按照输入电压与输出电压的高低变化来分类有降压斩波电路；升压斩波电路；升降压斩波电路。
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可编辑版电力电子技术作业题一、选择题（每题20 分）1．（）晶闸管额定电压一般取正常工作时晶闸管所承受峰电压的(B)。
A. 1～2 倍B. 2～3 倍C. 3～4 倍D. 4～5 倍2．（）选用晶闸管的额定电流时，根据实际最大电流计算后至少还要乘以（A）。
A. 1.5 ～2 倍B. 2～2.5倍C. 2.5～3倍D. 3～3.5倍3.（）晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，能维持通态所需要的最小电流是（B ）。
A. 维持电流 IHB. 擎住电流 ILC. 浪涌电流 ITSMD. 最小工作电流 IMIN4.（）对同一只晶闸管，擎住电流IL 约为维持电流 IH 的(B)。
A. 1～2 倍B. 2～4 倍C. 3～5 倍D. 6～8 倍5.( )普通晶闸管的额定电流用通态平均电流值标定，而双向晶闸管通常用在交流电路中，因此其额定电流用 (D)标定。
A. 平均值B.最大值C.最小值D.有效值6.( C ) 晶闸管属于A.全控型器件B.场效应器件C. 半控型器件D. 不可控器件7.( )晶闸管可通过门极 (C)。
A. 既可控制开通，又可控制关断B.不能控制开通，只能控制关断C.只能控制开通，不能控制关断D.开通和关断都不能控制8. （）使导通的晶闸管关断只能是 (C)。
A.外加反向电压B.撤除触发电流C.使流过晶闸管的电流降到接近于零D.在门极加反向触发9．（）在螺栓式晶闸管上有螺栓的一端是(A)。
A.阴极 KB. 阳极AC.门极KD.发射极 E10. （）晶闸管导通的条件是（A）。
A. 阳极加正向电压，门极有正向脉冲B. 阳极加正向电压，门极有负向脉冲C. 阳极加反向电压，门极有正向脉冲D. 阳极加反向电压，门极有负向脉冲11. ()可关断晶闸管（GTO ）是一种（A）结构的半导体器件。
A. 四层三端B. 五层三端C. 三层二端D. 三层三端12. （）晶闸管的三个引出电极分别是（A）。
A. 阳极、阴极、门极B.阳极、阴极、栅极C.栅极、漏极、源极D.发射极、基极、集电极13. （）已经导通了的晶闸管可被关断的条件是流过晶闸管的电流（A）。
A. 减小至维持电流 I H以下B. 减小至擎住电流 I L以下C. 减小至门极触发电流 I G以下D.减小至 5A以下14. ()单相半波可控整流电路，阻性负载，控制角α的最大移相范围是（B）。
A．0～90° B. 0～120° C. 0～ 150° D. 0～180°15. ()单相半波可控整流电路，阻性负载，当α=（ D）时， U d = 0 。
A．90° B.120° C.150° D.180°16. ()单相半波可控整流电路，阻性负载，当α=（ D）时， U d=0.45 U 2。
A．0° B.90° C.150° D.180°17. ()单相半波可控整流电路，阻性负载，晶闸管承受的最大正反向电压均为（ C）。
A ．U2B. 2 U2C.2U2D.2U22可编辑版 则直流输出电流平均值为（C ）。
A. 0.45U 2 ( 1 COSa ) B. 0.225U 2(1+COSa)R 2RC. 0.9U2(1+COSa)D.0.45 U 2 ( 1 COSa )RR219. ()单相半波可控整流电路，带电阻性负载，设变压器二次侧相电压有效值为 U 2，则直流输出电压平均值为（ B ）。
A. 0.45 U 2 ( 1 COSa )B.0.9U 2 (1+COSa)2C.0.9 U 2( 1 COSa )D. 0.45 U 2 (1 COSa)2220.( )单相半波可控整流电路，阻感性负载时，在负载两端并联续流二极管的作用是 （ B ）。
A ．使 α的移相范围加大。
B. 使 Ud 不再出现负的部分。
C. 保护可控硅不被击穿。
D. 减小可控硅承受的最大反向电压。
21. （ ）在整流电路的负载两端并联一个二极管，称为（ D ）。
A. 稳压二极管B. 电力二极管C. 整流二极管D. 续流二极管22. ( )在分析整流电路工作时，认为晶闸管（开关器件）为（ C ）。
A. 半导体器件B. 可控硅器件C. 理想器件D. 放大器件23. ( )α称为触发延迟角， θ称为导通角， α和 θ的关系为（ A ）。
A. θ- α=πB. θ+α=πC. θ- α=π/2D.θ+α=π/224. ( ) 单相桥式全控整流电路，阻性负载，控制角 α的最大移相范围是（ A ）。
A ．0～ 90° B. 0～ 120° C. 0～150° D. 0～ 180°25. ( ) 单相桥式全控整流电路，阻感性负载，控制角 α 的最大移相范围是（B ）。
A ． 0～ 90°B. 0 ～120° C. 0 ～150° D. 0 ～ 180°26. （ ）单相桥式半控整流电路阻感性负载电路，在负载两端并联一个续流二极管的目的是（ B ）。
A ．使 α的移相范围加大。
B. 使 Ud 不再出现负的部分。
C. 保护可控硅不被击穿。
D. 防止可能发生的失控现象。
27. ( ) 单相桥式全控整流电路，阻性负载，晶闸管承受的最大正电压和反向电压分别为（B ）。
A ．U 2 和 2 U 2B.2 U 2和 2 U 2 C. 2U 2 和2 U 2 D. 2U 2和 2U 22228. ( )单相桥式全控整流电路，阻感性负载，晶闸管承受的最大正电压和反向电压分别 为（C ）。
A ．U 2 和 2 U 2B.2 U 2和 2 U 2 C.2U 2 和2U 2D. 2 U 2和 2 U 22229.（ ）单相桥式全控整流电路，带电阻性负载R ，设变压器二次侧相电压有效值为U 2，则直流输出电流平均值为（ A ）。
A. 0.45 U 2( 1 COSa )B.0.9 U 2 (1+COSa)R 2RC. 0.9U 2 ( 1 COSa ) D. 0.45 U 2 ( 1 COSa )R 2R 230.（）单相桥式全控整流电路，带阻感性负载，设变压器二次侧相电压有效值为U ，则直Word 完美格式可编辑版A. 0.45 U 2 (1 COSa) B. 0.9 U 2 COSaC. 0.9 U 2 (1 COSa) D. 0.45 U 2 COSa2231.（）单相桥式全控整流电路， 带阻感性负载， 变压器二次侧相电流有效值为 （ B ）。
A. I= 1 I dB. I = I dC. I= 2 I dD. I12= I d2222232．() 三相半波可控整流电路，电阻性负载，当控制角（B ）时，整流输出电压与电流波形断续。
oB ． α＞30 o ． α＞ o． α＞oA ．α≤ 30 60 D 90C 33. ( ) 三相半波可控整流电路，电阻性负载，控制角 α≤ 30 °，每个周期内输出电压的 平均值为 （ C ）。
d2αdＵ 2 COS α C. U d=1.17Ｕ 2 COS α D. U d=2.34 Ｕ 2COS αA. U =0.45U COSB. U =0.934．()三相半波可控整流电路，电阻性负载， α 角的移相范围为（A ）。
A ．0o～90 oB ．0 o ～120 oC ．0 o～150 oD ．0 o ～180 o35．()三相半波可控整流电路，阻感性负载， α 角的移相范围为（ B ）。
A ．0o～90 oB ．0 o～120 oC ．0 o～150 oD ．0 o～180 o36. ( ) 三相半波可控整流电路中三个晶闸管的触发脉冲相位互差（D ）。
A. 60 ° B.90 ° C. 120 ° D. 180 °37.( ) 三相 半波 可控整 流电 路 ,电阻 性负载 ，晶 闸管 可能 承受的 最大 正向 电压 为 （ B ）。
A ． 6U 2 B. 2U 2C. 2U 2D. 2U 2238.() 三相半波可控整流电路 ,电阻性负载，整流电压的平均值 U d 最大为（C ）。
A ．0.9 U 2 B. 0.45U 2 C. 1.17U 2 D. 2.45U 239．()三相半波可控整流电路，阻感性负载，当移相角α=（ C）时， u d 的波形正负面积相等。
A ．30 oB ．60 oC ．90 oD ． 120 o40.（ ）三相全控桥式整流电路中，共阳极组的三只晶闸管的触发脉冲相位互差（B ）A.60oB. 90 oC. 120 oD.150 o41. ( )三相全控桥式整流电路中同一相上、下两只晶闸管触发脉冲相位差（C ）度。
A.60 B.90 C.120 D.18042. ( ) 三相桥式全控整流电路，在交流电源一个周期里，输出电压脉动（ B）次。
A. 2 B. 3 C. 4 D. 6 43．( )三相桥式全控整流电路，大电感负载，当 α＝（ D ）时整流平均电压 U d = 0。
A ． 30oB ．60oC ． 90oD ． 120o44．()三相桥式全控整流电路，电阻性负载时，触发角α 的移相范围为（ D）度。
A.0 ～180 oB.0～150 oC.0～120 oD.0～90 o 45．( )三相桥式全控整流电路，阻感性负载时，触发角 α 的移相范围为（ C ）度。
A.0 ～180 oB.0～150 oC.0～120 oD.0～90 o46．( ) 三相桥式全控整流电路，电阻性负载时，当触发角（C）时，整流输出电压平均值 U d =2.34U COS α。
2A ．α≤ 30 oB ． α≤60 oC ．α≤90 oD ． α= 9 0 o47．( )当正弦波同步触发电路采用 NPN 晶体管时，要求同步电压比被触发晶闸管的阳极电可编辑版A ．90 oB ．120 oC ．150 oD ． 180 o48．( )为了防止逆变失败，最小逆变角限制为（ A ）。
A.10 o～15 oB.20 o～25 oC.30 o～ 35 oD.40 o ～45 o49. ( ) 三相全控桥式整流电路，控制角 α 为（ D）时，整流输出电压为最大值。
50. A.0 ° B.90 ° C.120 ° D.180C ）。
（）三相全控桥式整流电路，晶闸管可能承受的最大反向电压为（A ． 6UB. 2U2 UD. 2U22C. 22251. （ ）三相全控桥式变流电路工作于有源逆变状态时，触发角α 的变化范围应在（ D ）之间。
A. 30 o～ 90 oB.60 o～ 90oC.90 o～ 120 oD.90 o～180o52. （ ）三相全控桥式变流电路工作于有源逆变状态， 输出电压平均值 U d 的表达式是（ A ）。