现代电力电子器件的发展与现状

现代电力电子器件的发展与现状

解放军信息工程大学李现兵师宇杰王广州黄娟

电力电子器件的回顾

电力电子器件又称作开关器件，相当于信号电路中的A/D 采样，称之为功率采样，器件的工作过程就是能量过渡过程，其可靠性决定了系统的可靠性。根据可控程度可以把电力电子器件分成两类：半控型器件——第一代电力电子器件

上个世纪50 年代，美国通用电气公司发明的硅晶闸管的问世，标志着电力电子技术的开端。此后，晶闸

管(SCR) 的派生器件越来越多，到了70 年代，已经派生了快速晶闸管、逆导晶闸管、双向晶闸管、不对称晶闸管等半控型器件，功率越来越大，性能日益完善。但是由于晶闸管本身工作频率较低(一般低于

400Hz )，大大限制了它的应用。此外，关断这些器件，需要强迫换相电路，使得整体重量和体积增大、

效率和可靠性降低。目前，国内生产的电力电子器件仍以晶闸管为主。

全控型器件——第二代电力电子器件

随着关键技术的突破以及需求的发展，早期的小功率、低频、半控型器件发展到了现在的超大功率、高频、全控型器件。由于全控型器件可以控制开通和关断，大大提高了开关控制的灵活性。自70 年代后期以来，

可关断晶闸管(GTO) 、电力晶体管(GTR 或BJT) 及其模块相继实用化。此后各种高频全控型器件不断问世，

并得到迅速发展。这些器件主要有电力场控晶体管(即功率MOSFET) 、绝缘栅极双极晶体管(IGT 或IGBT) 、静电感应晶体管(SIT) 和静电感应晶闸管(SITH) 等。

电力电子器件的最新发展

现代电力电子器件仍然在向大功率、易驱动和高频化方向发展。电力电子模块化是其向高功率密度发展的重要一步。当前电力电子器件的主要发展成果如下：

IGBT：绝缘栅双极晶体管

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 是一种N 沟道增强型场控(电压)复合器件，如图1 所示。它属于少子器件类，兼有功率MOSFET 和双极性器件的优点：输入阻抗高、开关速度快、安全工作区宽、饱和

压降低(甚至接近GTR 的饱和压降)、耐压高、电流大。IGBT 有望用于直流电压为1500V 的高压变流系统中。

目前，已研制出的高功率沟槽栅结构IGBT(Trench IGBT) 是高耐压大电流IGBT 器件通常采用的结构，它避免了模块内部大量的电极引线，减小了引线电感，提高了可靠性。其缺点是芯片面积利用率下降。这种

平板压接结构的高压大电流IGBT 模块将在高压、大功率变流器中获得广泛应用。

正式商用的高压大电流IGBT 器件至今尚未出现，其电压和电流容量还很有限，远远不能满足电力电子应

用技术发展的需求，特别是在高压领域的许多应用中，要求器件的电压等级达到10KV 以上。目前只能通

过IGBT 高压串联等技术来实现高压应用。国外的一些厂家如瑞士ABB 公司采用软穿通原则研制出了8KV 的IGBT 器件，德国的EUPEC 生产的6500V/600A 高压大功率IGBT 器件已经获得实际应用，日本东芝

也已涉足该领域。

MCT：MOS 控制晶闸管

MCT(MOS-Controlled Thyristor) 是一种新型MOS 与双极复合型器件，如图2 所示。它采用集成电路工艺，在普通晶闸管结构中制作大量MOS 器件，通过MOS 器件的通断来控制晶闸管的导通与关断。MCT 既具有晶闸管良好的关断和导通特性，又具备MOS 场效应管输入阻抗高、驱动功率低和开关速度快的优点，

克服了晶闸管速度慢、不能自关断和高压MOS 场效应管导通压降大的不足。所以MCT 被认为是很有发

展前途的新型功率器件。MCT 器件的最大可关断电流已达到300A ，最高阻断电压为3KV ，可关断电流密度为325A/cm2 ，且已试制出由12 个MCT 并联组成的模块。

在应用方面，美国西屋公司采用MCT 开发的10kW 高频串并联谐振DC-DC 变流器，功率密度已达到

6.1W/cm3 。美国正计划采用MCT 组成功率变流设备，建设高达500KV 的高压直流输电HVDC 设备。国内的东南大学采用SDB 键合特殊工艺在实验室制成了100mA/100V MCT 样品;西安电力电子技术研究所

利用国外进口厚外延硅片也试制出了9A/300V MCT 样品。

IGCT：集成门极换流晶闸管

IGCT(Intergrated Gate Commutated Thyristors) 是一种用于巨型电力电子成套装置中的新型电力半导体

器件。IGCT 使变流装置在功率、可靠性、开关速度、效率、成本、重量和体积等方面都取得了巨大进展，

给电力电子成套装置带来了新的飞跃。IGCT 是将GTO 芯片与反并联二极管和门极驱动电路集成在一起，再与其门极驱动器在外围以低电感方式连接，结合了晶体管的稳定关断能力和晶闸管低通态损耗的优点，

在导通阶段发挥晶闸管的性能，关断阶段呈现晶体管的特性。IGCT 具有电流大、电压高、开关频率高、可靠性高、结构紧凑、损耗低等特点，而且造成本低，成品率高，有很好的应用前景。

采用晶闸管技术的GTO 是常用的大功率开关器件，它相对于采用晶体管技术的IGBT 在截止电压上有更

高的性能，但广泛应用的标准GTO 驱动技术造成不均匀的开通和关断过程，需要高成本的dv/dt 和di/dt 吸收电路和较大功率的门极驱动单元，因而造成可靠性下降，价格较高，也不利于串联。但是，在大功率

MCT 技术尚未成熟以前，IGCT 已经成为高压大功率低频交流器的优选方案。

在国外，瑞典的ABB 公司已经推出比较成熟的高压大容量IGCT 产品。在国内，由于价格等因素，目前只有包括清华大学在内的少数几家科研机构在自己开发的电力电子装置中应用了IGCT 。

IEGT：电子注入增强栅晶体管

IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor) 是耐压达4KV 以上的IGBT 系列电力电子器件，通过采取增强

注入的结构实现了低通态电压，使大容量电力电子器件取得了飞跃性的发展。IEGT 具有作为MOS 系列电力电子器件的潜在发展前景，具有低损耗、高速动作、高耐压、有源栅驱动智能化等特点，以及采用沟

槽结构和多芯片并联而自均流的特性，使其在进一步扩大电流容量方面颇具潜力。另外，通过模块封装方

式还可提供众多派生产品，在大、中容量变换器应用中被寄予厚望。

日本东芝开发的IECT 利用了“电子注入增强效应”，使之兼有IGBT 和GTO 两者的优点：低饱和压降，宽

安全工作区(吸收回路容量仅为GTO 的1/10 左右)，低栅极驱动功率(比GTO 低两个数量级)和较高的工作