电力电子习题
电力电子习题
电力电子习题一选择题1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差度。
A、180°，B、60°， c、360°， D、120°2、α为度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。
A，0度， B，60度， C，30度， D，120度，3、晶闸管触发电路中，若改变的大小，则输出脉冲产生相位移动，达到移相控制的目的。
A、同步电压，B、控制电压，C、脉冲变压器变比。
4、可实现有源逆变的电路为。
A、三相半波可控整流电路，B、三相半控桥整流桥电路，C、单相全控桥接续流二极管电路，D、单相半控桥整流电路。
5、在一般可逆电路中，最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理。
A、30o-35o，B、10o-15o，C、0o-10o，D、0o。
6晶闸管内部有（）PN结。
A 一个，B 二个，C 三个，D 四个7单结晶体管内部有（）个PN结。
A 一个，B 二个，C 三个，D 四个8晶闸管可控整流电路中的控制角α减小，则输出的电压平均值会（）。
A 不变，B 增大，C 减小。
9单相半波可控整流电路输出直流电压的平均值等于整流前交流电压的（）倍。
A 1，B ，C ，D .10单相桥式可控整流电路输出直流电压的平均值等于整流前交流电压的（）倍。
A 1，B ，C ，D .11为了让晶闸管可控整流电感性负载电路正常工作，应在电路中接入（）。
A 三极管，B 续流二极管，C 保险丝。
12晶闸管可整流电路中直流端的蓄电池或直流电动机应该属于（）负载。
A 电阻性，B 电感性，C 反电动势。
13直流电动机由晶闸管供电与由直流发电机供电相比较，其机械特性（）。
A 一样，B 要硬一些，C 要软一些。
14带平衡电抗器的双反星型可控整流电路适用于（）负载。
A 大电流，B 高电压，C 电动机。
15晶闸管在电路中的门极正向偏压（）愈好。
A 愈大，B 愈小，C 不变16晶闸管两端并联一个RC电路的作用是（）。
电力电子习题
填空题1. 晶闸管的三个端子分别是阳极、阴极和门极。
晶闸管内部有3个PN结。
2. 按照电力电子技术能够被控制信号控制的程度，可将电力电子器件分为不可控器件、半控器件和全控型；按照驱动信号的性质，可分为电流驱动型和电压驱动型。
3. 三相桥式全控整流电路工作时需保证同时导通的两个晶闸管均有触发脉冲，可采用两种方法，一种是宽脉冲触发，另一种是双脉冲触发。
4. 整流电路交流侧谐波电流的次数越高，谐波幅值越小。
5. 输出端接电网的逆变方式称为有源逆变。
判断题1.三相半波可控整流电路中，触发角的0度在电源电压的过零点。
（×）2.高频化可以减小电力电子产品的体积，减轻其重量。
（√）3.单相交流调压电路采用通断控制方式实现对负载平均功率的调节。
（×）4.PWM控制的理论基础是冲量等效原理。
（√）5.斩控式交流调压电路，其输出谐波频率较低，滤波器的设计比较困难。
（×）选择题1. 同一只晶闸管的维持电流与擎住电流，在数值上维持电流（B）擎住电流。
A. 大于B. 小于C. 等于D. 不一定2. 以下电力电子器件中属于单极性器件的是（C）A. 晶闸管B. 电力晶体管C. Power MOSFETD. 电力二极管3. 下列器件中，（C）最适合用于小功率、高开关频率的变换器中。
A. SCRB. GTRC. IGBTD. Power MOSFET4. 电压型方波逆变器可以采用的控制方式有（A）A. PAMB. PWMC. 电流跟踪控制D. PFM5. 下列DC-DC变换器中，需要变压器磁芯复位电路的是（B）A. 单端反激式变换器B. 单端正激式变换器C. 推挽式变换器D. 全桥式变换器问答题1. 晶闸管的开通条件是什么？怎样使晶闸管由导通变为关断？2. PWM是什么？简述其基本原理。
3. 运用所学电力电子技术知识，设计一种单相交流调光灯电路，绘制电路原理图，并简要说明工作原理。
计算题1. 图1为流过晶闸管的电流波形，其最大值为I m。
2023电力电子习题
习题3.101.电力电子器件一般工作在开关状态，通常情况下，电力电子器件功率损耗为当器件开关频率较高时，功率损耗主要为开关损耗。
2.二极管英文名字缩写（TVS），二极管电气符号为。
3.电力二极管主要类型：、、。
3.131.晶闸管英文名字缩写为：。
2.同一晶闸管维持电流I H与掣住电流I l在数值大小上有I l I H。
3.晶闸管基本工作特性的概括为正向触发刚导通，反向截止。
3.201.晶闸管：。
门极自关断晶闸管：。
电力晶闸管。
2.GTO的多元集成，多元集成，多元的功率集成结构是为了便于实现萌及控制关断而设计。
3.功率晶体管GTR从高压小电流向低电压大电流跃变现象：。
4.GTR共发射极接法时输出特性中的三个区域：，，。
5.GTR电气符号中：b是极。
c是极。
e是极。
3.271.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR的共发射极接法时输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者截至区对应后者，前者饱和区对应后者，前者非饱和区对应后者。
2.电力MOSFET的电气符号中，G是极，D 极，S 极。
3.电力MOSFET通态电阻具有温度系数。
4.晶闸管；门级的关断晶闸管：；电力晶体管：；绝缘栅双型晶体管：。
电力场效应管晶体管。
4.31.在如下电力电子器件中SCR，GTO，IGBT，MOSFET中，按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电情况，属于双极型器件是；属于单极型器件；属于复合型器件的是；属于电压驱动的是；电流驱动型全控器件。
2.晶闸管的电气图形符号：。
3.门级的关断晶闸管电气图形符：。
4.电气晶体管电气图形符号：。
5.电力场效应晶体管电器图形符号：。
6.绝缘栅双极型晶体管电气图形符号：。
7.如图中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，电流最大值为I m，试计算波形的电流平均值I d与电流有效值I L，如果考虑安全裕量为a。
应选择额定电流为多大的晶闸管?4.71.单项桥式全控整流电路，带电阻负载时，其a角的移相范围：带阻感负载时，a角的移相范围：。
电力电子技术习题
电力电子技术第1章 电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
9.对同一晶闸管，维持电流IH 与擎住电流I L 在数值大小上有I L __大于__IH 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
17.IGBT 的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数， 在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。
第2章 整流电路1.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_，在单相半波可控整流电阻性负载电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O_。
2.阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-180O ，其承受的最大正反向电压均为22（设U 2为相电压有效值）。
3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为__0-180O _，单个晶闸管所222；带阻感负载时，α角移相范围为_0-90O_，22；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个_平波电抗器_。
4.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ =_π-α-δ_； 当控制角α小于不导电角 δ 时，晶闸管的导通角 θ =_π-2δ_。
5.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm 2，晶闸管控制角α的最大移相范围是_0-150o_，使负载电流连续的条件为o 30≤α(U2为相电压有效值)。
6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差_120o _，当它带阻感负载时，α的移相范围为__0-90o _。
电力电子习题(附图)
电力电子习题1．图1中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的最大电流为I m ，试计算各波形的电流平均值I d1、 I d2 、I d3与电流有效值I 1、 I 2 、I 3 。
图1 晶闸管导电波形2．上题中如果不考虑安全裕量，问100A 的晶闸管能送出的平均电流I d1、I d2、I d3各为多少？这时，相应的电流最大值I m1、 I m2 、I m3各为多少？3．单相桥式全控整流电路，U 2=100V ，负载中R=2Ω，L 值极大，当30=α°时，要求： ①作出u d 、i d 和i 2的波形；②求整流输出平均电压U d 、平均电流I d ，变压器二次电流有效值I 2；③考虑安全裕量，确定晶闸管的额定电压U N 和额定电流I N 。
4．单相桥式全控整流电路，U 2=100V ，负载中R=2Ω，L 值极大，反电动势E=60V ，当30=α°时，要求：①作出u d 、i d 和i 2的波形；②求整流输出平均电压U d 、平均电流I d ，变压器二次电流有效值I 2；③考虑安全裕量，确定晶闸管的额定电压U N 和额定电流I N 。
5．三相半波可控整流电路，U 2=100V ，带电阻电感负载，R=5Ω, L 值极大，当60=α°时，要求： ①画出u d 、i d 和i VT 的波形；②计算U d 、I d 、I VT 和I dvT 。
6．三相半波可控整流电路，反电动势阻感负载，U 2=100V ，R=1Ω，L =∞，L B =1Mh ，求当30=α°时、E=50V 时U d 、I d 与γ的值并作出u d 、i vt1和i vt2的波形。
7．三相全控桥，反电动势阻感负载，E=200V, R=1Ω，L =∞, U 2=220V ，60=α°，当 ① L B =0和② L B =1mH 情况下分别求U d 和I d 的值，后者还应求γ并分别作出u d 和i VT 的波形。
电力电子技术习题
一、填空题1、晶闸管是三端器件，三个引出电极分别是：______极、______极和______极。
2、晶闸管一旦导通，门极就失去了控制作用，故晶闸管为____ 器件。
能保持晶闸管导通的最小电流称为______。
3、逆变电路的负载如果接到电源，则称为____ __逆变，如果接到负载，则称为______ 逆变。
4、在GTR 和IGBT 两种自关断器件中，属于电压驱动的器件是______，属于电流驱动的器件是______。
5、电力电子电路中为了实现主电路与控制电路的隔离，常采用的隔离方法有_________隔离和_________隔离。
6、为了使电力晶体管安全、可靠地运行，驱动电路和主电路应该实行_________。
7、把交流电能转换成直流电能称整流，把一种直流电能转换成另一种直流电能称_________，而把直流电能转换成交流电能称_________。
8、可关断晶闸管（GTO ）的电流关断增益βoff 的定义式为βoff=___________，其值越______越好。
9、单相半波可控整流电路中，控制角α的最大移相范围是__________。
10、在GTR 、GTO 、IGBT 与MOSFET 中，开关速度最快的是_________，单管输出功率最大的是_____________，应用最为广泛的是___________。
晶闸管对触发脉冲的要求是 、 和 。
（要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高、触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
） 1、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管 ；可关断晶闸管 ；功率场效应晶体管 ；绝缘栅双极型晶体管 ；IGBT 是 和 的复合管。
（GTR 、GTO 、MOSFET 、IGBT 、MOSFET 、GTR 。
）5、型号为KS100-8的元件表示 晶闸管、它的额定电压为 伏、额定有效电流为 安。
6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_ 上的上、下二个元件之间进行；而120º导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_ 上的元件之间进行的。
(完整版)电力电子期末试题
1. 晶闸管导通的条件是什么？导通后流过晶闸管的电流由什么决定？晶闸管的关断条件是什么？如何实现？晶闸管导通与阻断时其两端电压各为多少？解: 晶闸管导通的条件是: 晶闸管阳极和阴极之间加正向阳极电压。
门极和阴极之间加适当的正向阳极电压。
导通后流过晶闸管的电流由主电路电源电压和负载大小决定。
晶闸管的关断条件是: 阳极电流小于维持电流。
关断晶闸管可以通过降低晶闸管阳极－阴极间电压或增大主电路中的电阻。
晶闸管导通时两端电压为通态平均电压（管压降）, 阻断时两端电压由主电路电源电压决定。
2．调试图所示晶闸管电路, 在断开负载Rd测量输出电压Ud是否可调时, 发现电压表读数不正常, 接上Rd后一切正常, 请分析为什么？习题2图解: 当S断开时, 由于电压表内阻很大, 即使晶闸管门极加触发信号, 此时流过晶闸管阳极电流仍小于擎住电流, 晶闸管无法导通, 电流表上显示的读数只是管子漏电流形成的电阻与电压表内阻的分压值, 所以此读数不准。
在S合上以后, Rd介入电路, 晶闸管能正常导通,电压表的读数才能正确显示。
3. 画出图1-35所示电路电阻Rd上的电压波形。
图1-35 习题3图解：4. 说明晶闸管型号KP100-8E代表的意义。
解: KP100-8E表示额定电流100A.额定电压8级（800V、通态平均电压组别E（0.7＜UT≤0.8）普通晶闸管。
5. 晶闸管的额定电流和其他电气设备的额定电流有什么不同？解: 由于整流设备的输出端所接负载常用平均电流来衡量其性能, 所以晶闸管额定电流的标定与其他电器设备不同, 采用的是平均电流, 而不是有效值, 又称为通态平均电流。
所谓通态平均电流是指在环境温度为40℃和规定的冷却条件下, 晶闸管在导通角不小于170°电阻性负载电路中, 当不超过额定结温且稳定时, 所允许通过的工频正弦半波电流的平均值。
6．型号为KP100－3、维持电流IH＝3mA的晶闸管, 使用在习题图所示的三个电路中是否合理？为什么（不考虑电压、电流裕量）？习题6图解: （a）图的目的是巩固维持电流和擎住电流概念, 擎住电流一般为维持电流的数倍。
电力电子习题答案
第一章 电力电子器件1.1 使晶闸管导通的条件是什么？答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正相阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。
或者U AK >0且U GK >01.2 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。
1.3 图1－43中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为Im , 试计算各波形的电流平均值I d1,I d2,I d3与电流有效值I 1，I 2，I 3解:a) Id1=Im 2717.0)122(2Im )(sin Im 214≈+∏=∏⎰∏∏t ω I1=Im 4767.021432Im )()sin (Im 2142≈∏+=∏⎰∏∏wt d t ϖ b) Id2=Im 5434.0)122(2Im )(sin Im 14=+=∏⎰∏∏wt d t ϖ I2=Im 6741.021432Im 2)()sin (Im 142≈∏+=∏⎰∏∏wt d t ϖ c) Id3=⎰∏=∏20Im 41)(Im 21t d ω I3=Im 21)(Im 21202=∏⎰∏t d ω1.4.上题中如果不考虑安全裕量,问100A 的晶阐管能送出的平均电流Id1、Id2、Id3各为多少?这时,相应的电流最大值Im1,Im2,Im3各为多少?解:额定电流I T(A V)=100A 的晶闸管,允许的电流有效值I=157A,由上题计算结果知a) Im135.3294767.0≈≈I A, Id1≈0.2717Im1≈89.48A b) Im2,90.2326741.0A I ≈≈ Id2A 56.1262Im 5434.0≈≈ c) Im3=2I=314 Id3=5.783Im 41=1.5.GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构,为什么GTO 能够自关断,而普通晶闸管不能?答:GTO 和普通晶阐管同为PNPN 结构,由P1N1P2和N1P2N2构成两个晶体管V1、V2，分别具有共基极电流增益1α和2α，由普通晶阐管的分析可得，121=+αα是器件临界导通的条件。
电力电子技术练习题库与参考答案
电力电子技术练习题库与参考答案一、单选题（共30题，每题1分，共30分）1、直接耦合式强迫换流是给晶闸管加上反向电压而使其关断，因此又叫（）。
A、电流换流B、器件换流C、电压换流D、负载换流正确答案：C2、PWM控制技术在( )电路中的应用最为广泛。
A、逆变B、整流C、变频D、斩波正确答案：A3、单相全桥电压型逆变电路阻感负载，需要（）个续流二极管。
A、2B、4C、1D、3正确答案：B4、逆变电路根据交流输出侧接的对象，可分为（）。
A、单相逆变电路和三相逆变电路B、电压型逆变电路和电流型逆变电路C、有源逆变电路和无源逆变电路D、电容式逆变电路和电感式逆变电路正确答案：C5、单相全控桥式整流电路最多需要（）个晶闸管。
A、2B、3C、1D、4正确答案：D6、采用调制法得到PWM波形，把希望输出的波形作为（）。
A、正玄波B、载波C、调制信号D、锯齿波正确答案：C7、绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合型器件，它是由（）复合而成的。
A、GTR和MOSFETB、GTR和GTOC、GTO和MOSFETD、SCR和MOSFET正确答案：A8、所谓电力电子技术就是应用于电力领域的（）技术。
A、变换B、电子C、控制D、交流正确答案：B9、单相桥式可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( )。
A、0º-150°B、0º-90°C、0º-120°D、0º-180°正确答案：D10、斩波电路控制方式中，ton和T都可调，改变占空比，称为（）。
A、频率调制B、PWMC、相位控制D、混合型正确答案：D11、得到PWM波形的方法有（）。
A、计算法和调制法B、计算法和画图法C、调制法和画图法D、计算法和理论法正确答案：A12、逆变电路根据直流侧电源性质的不同，可分为（）。
A、电压型逆变电路和电流型逆变电路B、单相逆变电路和三相逆变电路C、电容式逆变电路和电感式逆变电路D、有源逆变电路和无源逆变电路正确答案：A13、斩波电路控制方式中，ton不变，改变T，称为（）。
电力电子技术_习题集(含答案)
《电力电子技术》课程习题集一、单选题1.晶闸管内部有（）PN结。
A、一个B、二个C、三个D、四个2.电力二极管内部有（）个PN结。
A、一个B、二个C、三个D、四个3.双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（）电极。
A、一个B、两个C、三个D、四个4.比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（）。
A、GTOB、GTRC、MOSFETD、SR5.下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（）A、GTRB、MOSFETC、IGBTD、SR6.比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（）。
A、GTOB、GTRC、MOSFETD、IGBT7.下列半导体器件中属于电压型控制器件的是（）。
A、GTOB、GTRC、MOSFETD、SR8.压敏电阻在晶闸管整流电路中主要是用来作（）。
A、分流B、降压C、过电压保护D、过电流保护9.晶闸管两端并联一个RC电路的作用是（）。
A、分流B、降压C、过电压保护D、过电流保护10.普通晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（）来表示的。
A、有效值B、最大值C、平均值D、最小值11.晶闸管在电路中的门极正向偏压（）愈好。
A、愈大B、愈小C、不变D、为零12.快速熔断器在晶闸管整流电路中主要是用来作（）。
A、分流B、降压C、过电压保护D、过电流保护13.当晶闸管的额定电压小于实际要求时，可以用两个以上同型号的器件相( )。
A、串联B、并联C、串并联14.当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在( )。
A、导通状态B、关断状态C、饱和状态D、不定15.当晶闸管的额定电流小于实际要求时，可以用两个以上同型号的器件相 ( )。
A、串联B、并联C、串并联16.晶闸管整流电路中直流电动机应该属于（）负载。
A、电阻性B、电感性C、反电动势D、不定17.晶闸管可控整流电路中的控制角α减小，则输出的电压平均值会（）。
A、不变B、增大C、减小D、不定18.三相可控整流与单相可控整流相比较，输出直流电压的纹波系数（）。
电力电子技术习题及答案
电力电子技术习题集习题一1. 试说明什么是电导调制效应与其作用。
2. 晶闸管正常导通的条件是什么，导通后流过的电流由什么决定？晶闸管由导通变为关断的条件是什么，如何实现？3. 有时晶闸管触发导通后，触发脉冲结束后它又关断了，是何原因？4.图1-30中的阴影部分表示流过晶闸管的电流波形，其最大值均为I m ，试计算各波形的电流平均值、有效值。
如不考虑安全裕量，额定电流100A 的晶闸管，流过上述电流波形时，允许流过的电流平均值I d 各位多少？(f)图1-30 习题1-4附图5. 在图1-31所示电路中，若使用一次脉冲触发，试问为保证晶闸管充分导通，触发脉冲宽度至少要多宽？图中，E =50V ；L =0.5H ；R =0.5Ω; I L =50mA 〔擎住电流〕。
图1-31习题1-5附图 图1-32习题1-9附图6. 为什么晶闸管不能用门极负脉冲信号关断阳极电流，而GTO 却可以？7. GTO 与GTR 同为电流控制器件，前者的触发信号与后者的驱动信号有哪些异同？ 8. 试比较GTR 、GTO 、MOSFET 、IGBT 之间的差异和各自的优缺点与主要应用领域。
9. 请将VDMOS 〔或IGBT 〕管栅极电流波形画于图1-32中，并说明电流峰值和栅极电阻有何关系以与栅极电阻的作用。
10. 全控型器件的缓冲吸收电路的主要作用是什么？试分析RCD 缓冲电路中各元件的作用。
11. 限制功率MOSFET 应用的主要原因是什么？实际使用时如何提高MOSFET 的功率容量？习题二1．具有续流二极管的单相半波可控整流电路，带阻感性负载，电阻为5Ω，电感为0.2H，电源电压的有效值为220V，直流平均电流为10A，试计算晶闸管和续流二极管的电流有效值，并指出晶闸管的电压定额〔考虑电压2-3倍裕度〕。
2．单相桥式全控整流电路接电阻性负载，要求输出电压在0～100V连续可调，输出电压平均值为30 V时，负载电流平均值达到20A。
电力电子习题
第1章绪论1．电力电子技术涉及的三大学科领域是电力学，电子学，控制理论。
2．简答电力电子技术的应用并举例说明之。
一般工业：电化学工业，电解铝，电解食盐水，电镀，冶金工业，淬火电源，直流电弧炉。
交通运输：航空，航海，磁悬浮列车，电动汽车。
电力系统：配电网系统电子装置：程控交换机，大型计算机。
家用电器：电视，音响，冰箱，洗衣机其它：航天飞行器，水力发电。
第2章电力电子器件一、填空题：1.电力电子器件一般工作在____开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为___通态损耗_____，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为____开关损耗____。
3.电力电子器件组成的系统，一般由___主电路_____、__驱动电路_____、___控制电路____三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_____保护电路___。
4.晶闸管的基本工作特性可概括为___正向门极有触发则导通_ _反向电压则截止___ 。
5.对同一晶闸管，维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上有I L____2~4倍____I H。
6.晶闸管断态不重复电压U DRM与转折电压U bo数值大小上应为，U DRM ___<____ U bo。
7.逆导晶闸管是将___二极管_____与晶闸管___反并联_____（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
8.GTO的___多元集成____结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
16.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是____电力二极管____，属于半控型器件的是___晶闸管___，属于全控型器件的是____GTO，GTR，电力MOSFET，IGBT___；在可控的器件中，容量最大的是___GTO_____，工作频率最高的是____电力MOSFET____，属于电压驱动的是____电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）____，属于电流驱动的是____GTO，GTR____。
电力电子技术习题及参考答案
电力电子技术习题及参考答案一、单选题（共25题，每题1分，共25分）1.降压斩波电路中，已知电源电压Ud=16V，负载电压Uo=12V，斩波周期T=4ms，则开通时Ton=（）A、3msB、2msC、4msD、1ms正确答案：A2.晶闸管的伏安特性是指()A、门极电压与门极电流的关系B、阳极电压与阳极电流的关系C、门极电压与阳极电流的关系D、阳极电压与门极电流的关系正确答案：B3.可实现有源逆变的电路为（）。
A、单相半控桥整流电路B、单相全控桥接续流二极管电路C、三相半波可控整流电路D、三相半控桥整流桥电路正确答案：C4.在单相桥式全控整流电路中，大电感负载时，控制角α的有效移相范围是（）。
A、90°～180°B、0°～180°C、0°～90°正确答案：C5.采用多重化电压源型逆变器的目的，主要是为()。
A、减小输出功率B、减小输出谐波C、减小输出幅值D、增大输出幅值正确答案：B6.单相全控桥式整流电路大电感性负载中，控制角的最大移相范围是（）A、90°B、150°C、180°D、120°正确答案：A7.具有自关断能力的电力半导体器件称为（）A、不控型器件B、全控型器件C、半控型器件D、触发型器件正确答案：B8.电阻性负载三相半波可控整流电路中，控制角的范围是（）。
A、0°～120°B、0°～150°C、30°～150°D、15°～125°正确答案：B9.单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是（）A、150°B、90°C、120°D、180°正确答案：D10.单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角α的移相范围是（）A、90度-180度B、0度-90度C、0度D、180度-360度正确答案：B11.在晶闸管应用电路中，为了防止误触发，应使干扰信号的幅值限制在（）A、可靠触发区B、不触发区C、安全工作区D、不可靠触发区正确答案：B12.IGBT属于（）控制型元件。
电力电子习题答案
第2章电力电子器件2.1与信息电子电路中的二极管相比，电力二极管具有怎样的结构特点才能使它具有耐受高电压和大电流的能力？解：1.电力二极管是垂直导电结构，使得硅片中通过电流的有效面积增大，提高通流能力2.电力二极管在P区和N区多了一层低掺杂区，可以承受很高的电压而不致被击穿；3.具有电导调制效应。
2.2使晶闸管导通的条件是什么？答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正相阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。
或者UAK>0且UGK>02.3维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？答：维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。
2.4图2－27中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为Im,试计算各波形的电流平均值Id1,Id2,Id3与电流有效值I1，I2，I3解:a)Id1=0.2717 ImI1==0.4767Imb)Id2==0.5434 ImI2=0.6741 Imc)Id3==0.25 ImI3==0.5 Im2.5.上题中如果不考虑安全裕量,问100A的晶阐管能送出的平均电流Id1、Id2、Id3各为多少?这时,相应的电流最大值Im1,Im2,Im3各为多少?解:额定电流IT(AV)=100A的晶闸管,允许的电流有效值I=157A,由上题计算结果知a)Im1=I/0.4767A=329.35A,Id10.2717Im189.48Ab)Im2=I/0.6741 =232.90AId2=0.5434Im2=126.56Ac)Im3=2I=314Id3=0.25Im3 =78.5A2.6.GTO和普通晶闸管同为PNPN结构,为什么GTO能够自关断,而普通晶闸管不能?答:GTO之所以能够自行关断,而普通晶闸管不能,是因为GTO与普通晶闸管在设计和工艺方面有以下几点不同：1l)GTO在设计时2较大,这样晶体管V2控制灵敏,易于GTO关断;2)GTO导通时12的更接近于l,普通晶闸管12 1.5,而GTO则为12 1.05，GTO的饱和程度不深,接近于临界饱和,这样为门极控制关断提供了有利条件;3)多元集成结构使每个GTO元阴极面积很小,门极和阴极间的距离大为缩短,使得P2极区所谓的横向电阻很小,从而使从门极抽出较大的电流成为可能。
电力电子技术练习题库与答案
电力电子技术练习题库与答案一、判断题（共100题，每题1分，共100分）1.双向晶闸管的结构与普通晶闸管一样，也是由四层半导体（P1N1P2N2）材料构成的。
（）A、正确B、错误正确答案：B2.给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通（）A、正确B、错误正确答案：B3.逆变角太大会造成逆变失败。
（）A、正确B、错误正确答案：B4.降压斩波电路中二极管作用是续流。
（）A、正确B、错误正确答案：A5.螺栓式晶闸管的优点是散热性能好。
（）A、正确B、错误正确答案：B6.并联谐振逆变电路采用负载换流方式时，谐振回路不一定要呈电容性。
（）A、正确B、错误正确答案：B7.变频调速实际上是改变电动机内旋转磁场的速度达到改变输出转速的目的。
（）A、正确B、错误正确答案：A8.有源逆变装置是把逆变后的交流能量送回电网。
（）A、正确B、错误正确答案：A9.电力电子器件一般工作在开关状态，因此可以用理想开关模型来代替。
（）A、正确B、错误正确答案：A10.对三相桥式全控整流电路的晶闸管进行触发时，只有采用双窄脉冲触发，电路才能正常工作。
（）A、正确B、错误正确答案：B11.在单相全控桥电路中，晶闸管的额定电压应取U2。
（）A、正确B、错误正确答案：B12.无源逆变电路是把直流电能逆变成交流电能送给交流电网。
（）A、正确B、错误正确答案：B13.整流电路按电路结构不同分为零式电路和桥式电路。
（）A、正确B、错误正确答案：A14.变频器总是把直流电能变换成50Hz交流电能。
（）A、正确B、错误正确答案：B15.逆变失败，是因主电路元件出现损坏，触发脉冲丢失，电源缺相，或是逆变角太小造成的。
（）A、正确B、错误正确答案：A16.无源逆变指的是把直流电能转换成交流电能送给交流电网。
（）A、正确B、错误正确答案：B17.为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在开关状态。
（）A、正确B、错误正确答案：A18.电感元器件对电流的变化起阻碍作用，在电路中通交阻直。
电力电子技术及应用练习题(附答案)
电力电子技术及应用练习题（附答案）一、单选题（共90题，每题1分，共90分）1、共阳极三相半波可控整流电路的自然换相点是( )A、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°B、本相相电压与相邻相电压负半周的交点处C、比三相不控整流电路的自然换相点超前30°D、交流相电压的过零点正确答案：B2、电力场效应晶体管的优点下列选项中错误的是？(____)。
A、开关速度慢B、安全工作区宽C、工作频率高D、无二次击穿问题正确答案：A3、以下三相交流调压电路，适用于各种负载的是(____)。
A、三相三线交流调压电路B、负载Y形连接带中性线的三相交流调压电路C、晶闸管与负载连接成内三角形的三相交流调压电路D、三个晶闸管接于Y形负载中性点的三相交流调压电路正确答案：A4、当温度升高时，晶闸管的正反向漏电流会（）A、增加B、不变C、不确定D、减小正确答案：A5、电力电子器件分为不可控型器件、半控型器件和(____)。
A、双极型器件B、复合型器件C、全控型器件D、单极型器件正确答案：C6、电力电子技术是(____)三大电气工程技术之间的交叉学科。
A、电力、电子与控制B、电力、电子与生产C、电力、电子与技术D、电力、电子与应用正确答案：A7、调光灯电路中，决定灯泡能否点亮的关键是(____)。
A、三极管B、续流二极管C、单结晶体管D、晶闸管正确答案：D8、双向晶闸管的触发方式中，灵敏度最高的是(____)。
A、Ⅰ－B、Ⅲ－C、Ⅲ＋D、Ⅰ＋正确答案：D9、导通后的晶闸管其通态压降(____)左右。
A、20VB、50VC、1VD、150V正确答案：C10、KC04移相集成触发器可以输出两个相位相差(____)的窄脉冲。
A、180°B、90°C、60°D、120°正确答案：A11、电风扇无极调速器是以（）为核心器件。
A、晶体管B、二极管C、三极管D、双向晶闸管正确答案：D12、以下不是电力电子应用技术发展方向的是( )。
电力电子习题集
电力电子题集一、名词解释1.自然换相点2.GTR3.换相重叠角γ4.同步5.相控方式6.换流7.脉宽调制法8.晶闸管的维持导通电流I H9.单拍电路10.双拍电路11.晶闸管的换相重叠角γ12.Buck-Boost电路（库克变换电路）13.电流型无源逆变电路14.晶闸管的擎住电流I L15.晶闸管的控制角α（移相角）16.导通角θ17.逆变18.开关电源19.交—交变频电路20.有源逆变21.GTO22.晶闸管的管耗23.整流电路24.直流斩波电路二、填空题1.晶闸管的动态参数有断态电压临界上升率du/dt和通态电流临界上升率等，若du/dt过大，就会使晶闸管出现________，若di/dt过大，会导致晶闸管________。
2.单相全控桥可控整流电路中功率因数cos 比单相半波可控整流电路的功率因数提高了________倍。
各管上承受的最大反向电压为________。
3.三相零式可控整流电路带电阻性负载工作时，在控制角α>30°时，负载电流出现________。
晶闸管所承受的最大反向电压为________。
4.三相零式可控整流电路，在电阻性负载时，当控制角α≤30°，每个晶闸管的导通角θ=________。
此电路的移相范围为________。
5.三相全控桥可控整流，其输出电压的脉动频率为________。
6.把交流电能转换成直流电能称整流，把一种直流电能转换成另一种直流电能称_______，而把直流电能转换成交流电能称_______。
7.晶闸管一旦导通，门极就失去了控制作用，故晶闸管为_______器件。
能保持晶闸管导通的最小电流称为_______。
8.IGBT是一种新型复合器件，它的栅极具有9._______器件的电压控制特性，而它的输出极(c,e)具有_______器件的导通压降低的特点。
10.造成晶闸管在工作时发热的原因是_______，决定发热的因素是流过该管的电流_______。
电力电子技术练习题1
电⼒电⼦技术练习题1电⼒电⼦技术习题⼀、可控整流部分1、如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压应为（）。
A、700VB、750VC、800VD、850V2、单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制⾓α的最⼤移相范围是( )A、0o-90°B、0o-120°C、0o-150°D、0o-180°3、三相全控桥式整流电路带电阻负载，当触发⾓α=0o时，输出的负载电压平均值为（）。
A、0.45U2B、0.9U2C、1.17U2D、2.34U24、三相全控整流桥电路，如采⽤双窄脉冲触发晶闸管时，下图中哪⼀种双窄脉冲间距相隔⾓度符合要求。
请选择。
5、单相半波可控整流电路，晶闸管两端承受的最⼤电压为（）。
A、U2B、2U2C、22UD、6U26、单相桥式整流电路的同⼀桥臂两只晶闸管的触发脉冲应相差度。
A、60°B、180°C、360°D、120°7、在三相半波可控整流电路中，当负载为电感性时，负载电感量越⼤，则（）A. 输出电压越⾼B.输出电压越低C.导通⾓越⼩D. 导通⾓越⼤8、在三相半波可控整流电路中，每只晶闸管的最⼤导通⾓为（D）A. 30°B. 60°C. 90°D. 120°9、三相半波可控整流电路由(A)只晶闸管组成。
A、3B、5C、4D、210、三相半波可控整流电路电阻负载的控制⾓α移相范围是(A)。
A、0～90°B、0～100°C、0～120°D、0～150°11、三相半波可控整流电路⼤电感负载⽆续流管，每个晶闸管电流平均值是输出电流平均值的(D)。
A、1/3B、1/2C、1/6D、1/412、三相半控桥式整流电路由(A)晶闸管和三只功率⼆极管组成。
A、四只B、⼀只C、⼆只D、三只13、三相半控桥式整流电路电阻性负载时，控制⾓α的移相范围是(D)。
(完整版)电力电子技术练习题(答案)
34、将50Hz的工频交流电直接变换成其他频率的 交流电，—般输出频率均小于工频频率，这种直 接变频的方式称为 交—交变频 。
35、将50Hz的交流电先经整流变换为直流电，再 由直流电变换为所需频率的交流电这种变频的方 式称为 交—直—交变频。
36、如图为电流型并联谐振式变频电路，其输出电 流的波形为 矩形波 ， 其输出电压的波形基本 为 正弦波 。
5、有源逆变的条件（ A ） A （1）有直流电动势源EM，其极性和晶闸管
的导通方向一致且EM>Ud （2）、逆变角β<90º （α>90º ）。
B （1）有直流电动势源EM，其极性须和晶闸 管的导通方向一致且EM>Ud
37、如图为电压型并联谐振式变频电路，其输出电 流的波形为 正弦波 ， 其输出电压的波形基本 为 矩形波 。
38、电压型变频电路的特点是： (1) 直流侧接有 大电容 ，相当于电压源，直流电
压基本无脉动。 (2) 交流侧电压波形为 矩形波 ，交 流侧电流的波形由 负载性质 决定。
39、电流型变频电路的特点不： (1)直流侧接有 大电感 ，相当于电流源，直流电流基 本无脉动。(2)交流侧电流为 矩形波 ，交流侧电压的
斩波式 和通断式。
31、双向晶闸管的主要参数中，额定电流指的 是：在规定条件下，晶闸管所允许流过的最大工频 。 电流的有效值
32、对于电阻性负载的单相交流调压电路，输入电压
为Ui，控制角α的可调范围为
，输出电压的可
调范围为
。
0~
0 ~ Ui
33、对于电感性负载的单相交流调压电路，若负载 的阻抗角为φ，则晶闸管的控制角α的可调范围
电力电子技术练习题
一、填空题
1、电子技术包括信息电子技和术 电力两电大子分技支术。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
3.2.4 单相桥式半控整流电路-电阻负载
例题：具有中点二极管的单相 半控桥式整流电路如图所示
(1)给出=45o时Ud波形。
u2
VD3 u2 u2
VT1 VT2
R
VD1 VD2
0
π
ud
2 2U2
2U2
2π ωt
0
+
2 t
(2)在 t ，VT1和VD2导通，VD3关断，输出电压为2 2U2 sint
Id 10A;R 5;U2 220V
uOd
t1
t
c)
O
t
/2
id d)
Id
晶闸管电流平均值
O
t
i VT
Id
IdVT
π
2π
Id
π
π/ 2π
2 10
2.5A
e) f)
O i VD R
O
-
+
t t
u VT
晶闸管电流有效值
g) O
t
IVT
3.2.4 单相桥式半控整流电路-电阻负载
例题：具有中点二极管的单相 半控桥式整流电路如图所示
(1)给出=45o时Ud波形。
u2
VD3 u2 u2
VT1 VT2
R
VD1 VD2
0
π
ud
2 2U2
2U2
2π ωt
0
+
2 t
(3) t ，VD3和VD1导通，VT1关断，输出电压为 2U2 sint
大电流（角留有20o裕量）。
Ud
0.9U2
1
cos
2
0.9U2
1
cos 2
20
250
V
U2 286.4V 峰值电压Um 2U2 405V
晶闸管承受的最大正向电压为 2U2，最大反向电压为 2U2 晶闸管承受的最大电流Im 2U2 / R 405/ 25 16.2A
(1) Ud Id R 25 4 100 V
设=0时Ud最大
Ud
0.9U2
1 cos
2
0.9U2
100
V
变比 K =U1/U2 =220/111 2
U2 111 V
u2
(2) 0
最大有效值
t
I
1 2π
π 0
I
m
sin
t
2
d(t
)
2 Im 2
t
3.2.2.2 单相桥式全控整流电路-阻感负载
例题 单相全控桥式整流电路，接大电感负载，U2=220V，负载电 阻R=4Ω。（2）当负载两端接有续流二极管时，试求输出电压、 电流的平均值，流过晶闸管和续流二极管中电流的平均值、有效 值，画出波形。
ud =60o
晶闸管中电流平均值和有效值
0
iT1，4 0
例题:具有续流二极管的单相半波可控整流电路,带阻感负载,电阻 为5Ω,电感无穷大,电源电压的有效值为220V,直流平均电流为10A, 试计算晶闸管和续流二极管的电流平均值和有效值，并根据晶闸 管承受电压来选择晶闸管（考虑3倍安全裕量）
Id
Ud R
0.45U2 R
1 cos
2
a) u2
b)
2
2U2 sin td(t)
2U2
π
sin td(t) 2sin td(t)
π0
2U2 cost 0 2 cost
π
π
2 π
U
2
3
cos
3.2.4.2 单相桥式半控整流电路-阻感负载(带续流二极管)
例 单相半控桥式整流电路（带续流二极管），阻感负 载，R=5Ω，U2=220V，α=60°。求流过晶闸管、整流二极管 和续流二极管的电流平均值与有效值。
t 99V
输出负载电流平均值
Id Ud / R 99 / 4 24.8A
t 晶闸管中电流平均值
IdT Id / 2 12.4 A
晶闸管中电流有效值
t
IT
Id 2
17.54 A
3.2.2.2 单相桥式全控整流电路-阻感负载
例题 单相全控桥式整流电路，接大电感负载，U2=220V，负载电 阻R=4Ω。（2）当负载两端接有续流二极管时，试求输出电压、 电流的平均值，流过晶闸管和续流二极管中电流的平均值、有效 值，画出波形。
有触发脉冲即可导通，VD2处于关断状态，当电源电压过零时VT1关断。
当电源电压过零变负时，a为负，b为正，VT1关断，VD1导通。当电源
电压再次过零变正时，VD1关断。。
（2）输出平均值Ud。
Ud
1 2π
π π 3
2U
2
sin
td(t)
1 2π
π 0
2U2 sin td(t)
0.45U 2
π
2π Id
π π / 2 10 5A 2π
例题:具有续流二极管的单相半波可控整流电路,带阻感负载,电阻 为5Ω,电感无穷大,电源电压的有效值为220V,直流平均电流为10A, 试计算晶闸管和续流二极管的电流平均值和有效值，并根据晶闸 管承受电压来选择晶闸管（考虑2倍安全裕量）
u2
b)
uOd
பைடு நூலகம்
t1
t
（5，10，20，30，50，80，100，200， c)
300，400，500，600，800，1000）
O id
t
d)
Id
O
t
i VT
Id
e)
O i VD R
-
+
t
f)
O
t
u VT
g)
O
t
3.2.2.2 单相桥式全控整流电路-阻感负载
例题 单相全控桥式整流电路，接大电感负载，U2=220V，负载电
阻R=4Ω。（1）=60o时，画出晶闸管中的电流波形，求其平均值
和有效值。（2）当负载两端接有续流二极管时，试求输出电压、 电流的平均值，流过晶闸管和续流二极管中电流的平均值、有效 值，画出波形。
ud =60o
0 iT1，4
0 iT2，3
0
Id Id 2
解：（1）输出电压平均值
Ud 0.9U2 cos 0.9 220 cos60o
3.2.4 单相桥式半控整流电路-电阻负载
例题：具有中点二极管的单相
半控桥式整流电路如图所示
(1)给出=45o时Ud波形。
(2)设U2=100V，求输出整
流电压平均值Ud。 u2
VD3 u2 u2
VT1 VT2
R
VD1 VD2
0
π
ud
2 2U2
2U2
2π ωt
0
+
2 t
(1)=45，在0<t 区间，VD3和VD2导通，输出电压为 2U2 sint
1
cos
2
0.45U 2
0.45U 2
1
cos 60 2
1
0.45U2 1.75 0.45 2201.75 173.25V
3.2.4 单相桥式半控整流电路-电阻负载
例题 带整流变压器的单相半控桥式整流电路，U1=220V，电阻负 载，R=4Ω。要求负载电流Id在0~25A之间变化，试求(1)变压器的 变比;(2)波形系数;(3)变压器容量;(4)负载电阻R的最大功率。
例题 三相半波整流电路向大电感性负载供电，已知U2=220V，
R=11.7。计算=60o时负载电流Id、晶闸管电流IT、变压器副边电
流i2的平均值和有效值。改为电阻负载，重复上述计算。
u
v
w
u
v
ud
0
ωt
1、对于大电感负载
Ud 1.17U2 cos 128.7 V
id
Id
Id
Ud R
3.2.4 单相桥式半控整流电路-电阻负载
例题：具有中点二极管的单相半控桥式整流电路如图所示
（2）设U2=100V，求输出整流电压平均值Ud。
ud
VD3 u2
2 2U2
VT1 VT2
R
2U 2
u2
VD1 VD2
0
+
2 t
Ud
1 π
0
π
2U2 sin td(t)
3.2.4 单相桥式半控整流电路-电阻负载
例题：具有中点二极管的单相 半控桥式整流电路如图所示
(1)给出=45o时Ud波形。
u2
VD3 u2 u2
VT1 VT2
R
VD1 VD2
0
π
ud
2 2U2
2U2
2π ωt
0
+
2 t
(4) t 2，VT2和VD1导通，VD3关断，输出电压为2 2U2 sint
3.2.4 单相桥式半控整流电路-电阻负载
例题：具有中点二极管的单相半控桥式整流电路如图所示
（1）给出=45o时Ud的波形。 （2）设U2=100V，求输出整流电压平均值Ud。
ud
VD3 u2
VT1 VT2
2 2U2
R
2U 2
u2
VD1 VD2
0
+
2 t
(1)=45，在0<t 区间，VD3和VD2导通，输出电压为 2U2 sint (2)在 t ，VT1和VD2导通，VD3关断，输出电压为2 2U2 sint (3) t ，VD3和VD1导通，VT1关断，输出电压为 2U2 sint (4) t 2，VT2和VD1导通，VD3关断，输出电压为2 2U2 sint