技术标准和服务要求

项目编号：（采购管理办公室填写）
技术标准和服务要求
一、技术标准
（一）具体技术指标要求
见招标文件技术部分
（二）样品要求
中标公示期内，用户有权对中标候选人所投设备中部分重要产品进行实物核查，要求中标候选人在规定时间内提供设备样机按招标文件参数进行比对，不满足者或与投标文件不符者均按虚假响应论处。

具体为：
第二包中的两项设备：钛宝石锁模激光器实验系统、图像探测器/高动态背照式。

（三）实施人员要求
要求投标人的项目实施人员具有相关专业毕业或取得相关的职业技能资格证书。

（四）生产及安装调试等要求
1. 在设备交货前2周，投标人应通知招标人有关设备安装的环境与安装条件（与要求相适应的环境），招标人做好设备安装前的准备工作。

2. 到货后1周内，投标人免费到招标人现场进行安装调试。

3. 投标人对招标人进行操作和维护培训，培训应能使操作技术人员较熟练掌握操作和维护保养相关技术，具有保证系统正
常运行和排除系统一般故障的能力，及维护好实验室原有同型设备，并提供不少于一个月生产现场技术支持等工作。

（五）供货、安装周期及交货地点要求
1. 合同生效后，中标方在90天内完成交货、安装及调试。

2. 中标方提供设备的各项技术性能指标必须达到合同和技术文件规定的要求。

3. 交货地点: 湖南省长沙市（指定位置）。

二、服务要求
（一）售后质保培训等要求
1.本项目要求投标人提供本地化服务。

2.自验收合格日起，产品质保期不少于3年，质保期内软
件部分可以免费升级，投标人负责提供技术支持。

3.在质保期内，要求投标人每个学期必须上门技术服务1
次以上。

4.质保期内，招标人在使用产品过程中，遇到技术问题或
出现非人为损坏的设备质量问题，投标人必须在8小时
内赶到现场，负责维护或更换，由此发生的费用完全由
投标人负责。

5.质保期结束后投标人仍继续负责设备的维修，产品出现
使用问题时，投标人在24小时内给予有效响应，通过电
话、Email等方式解决，维修中只收取必要的成本费；若
招标人认为确需投标人到现场进行支持，投标人应积极— 2 —
配合，并且提供5*8小时上门服务，直到解决问题，由
此发生的费用由双方共同协商解决。

（二）保密要求
甲、乙双方在采购和履行合同过程中所获悉的对方属于保密的内容，甲乙双方均有保密义务。

采购具体内容对外保密，要求提供保密承诺函，并签字盖章。

（三）报价要求
人民币（含税）。

（四）其他项目个性化要求
无。

三、投标（报价）人资质要求
（一）资质要求
1．符合《中华人民共和国政府采购法》第二十二条资格条件：
⑴具有独立承担民事责任的能力；
⑵具有良好的商业信誉和健全的财务会计制度；
⑶具有履行合同所必需的设备和专业技术能力；
⑷有依法缴纳税收和社会保障资金的良好记录；
⑸参加政府采购活动前3年内，在经营活动中没有重大违法记录；
⑹法律、行政法规规定的其他条件。

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2．截止到开标时间，供应商成立时间不少于3年，且为非外资独资或外资控股企业,或为事业单位、军队单位。

3．单位负责人为同一人或者存在直接控股、管理关系的不同供应商，不得同时参加同一包的采购活动。

生产型企业生产场地为同一地址的，销售型企业之间股东有关联的，一律视为有直接控股、管理关系。

供应商之间有上述关系的，应主动声明，否则将给予列入不良记录名单、3年内不得参加军队采购活动的处罚。

4．本项目不接受联合体投标。

5. 由于本项目属于教学设备，品类多，使用频率高，要求本地化服务。

（二）投标人需准备资料要求
投标人需要按要求提供采购谈判响应声明、报价一览表、货物说明一览表、商务响应偏离表、技术响应偏离表和产品技术资料等。

除此以外，需要提供采购设备的实际部署和管理维护方案。

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近代物理——招标技术参数（第二包）
一、紫外可见光光度计
1．采用双光束光学系统（动态反馈比例测光方式）和电路控制系统设计。

2．光源采用氘灯和12V50W溴钨灯，接收器采用光电倍增管。

★3．波长范围（nm）190～900,波长准确度及分辨率（nm）±0.3，波长重复性（nm）≤0.1。

4．带宽（nm）0.15、0.3、0.5、1.0、2.0（5档可选）；透射比准确度（%T）±0.3,透射比重复性（%T）≤0.15；测光精度（透过率）：±0.3%T（0.0-100%T）；吸光度：±0.002A（0.0-0.5A）±0.004A（0.5-1.0A）。

5．配专用软件：工作方式含吸光度、透过率、能量,扫描速度快速、中速、慢速、最慢；数据处理功能包含浓度计算、光谱存储、光谱四则运算、光谱平滑、光谱微分、基线校正、波长修正、光谱累加平均、峰值检出、指定峰值标注、图谱比对、峰值打印等；数据导出功能包含图谱预览、图谱打印、导出数据等，均可脱机操作。

二、红外分光光度计
1．高能量双闪耀光栅：波数范围（cm-1）4000～400（2.5～25μm）；
★2．波数精度（cm-1）±4（4000～2000），±2（2000～400）；波数重复性（cm-1）≤2（4000～2000），≤1（2000～400）；分辨率（cm-1）≤1.5（1000附近）；3．配套软件：工作方式（连续扫描、重复扫描、定波长扫描）三种可选；扫描速度五档可选：很快、快、正常、慢、很慢；响应速度（很快、快、正常、慢）四种可选；狭缝宽度（很宽4cm-1、宽2cm-1、正常1cm-1、窄0.5cm-1、0.2cm-1很窄）五档可选；测量模式透过率、吸光度、单光束（能量）可选：透过率精度（%T）±0.2（不含噪声电平）；杂散光（%T）≤0.5 (4000-650cm-1），≤1（650-400cm-1）；基线平直度（%T）±2,横、纵坐标扩展任意；数据处理功能、数据导出功能完备；
4．配套附件：聚苯乙烯在3000附近可分辨7个吸收峰，峰高1%；液体池:≥48×80×2mm,R=38mm,旋转顶杆机构,内置密封圈，可拆开清洗；
5．数据采集器：CPU：i5-6500以上；内存：≥2GB DDR3；硬盘：≥500G;1GB以上独立显卡;DVDRW；配至少21.5显示器。

三、椭圆偏振光测厚仪
1．薄膜厚度范围1nm ～300nm，折射率范围1～10，偏振器方位角范围0°～180°，分辨率为0.05°；
2．测量膜厚和折射率重复性精度分别为±1nm和±0.01，入射角连续调节范围20°～90°精度为0.05°，入射光波长632.8nm；
3．齿轮副机构：由手轮和斜锥齿轮组成，大小齿轮的模数m=0.5，其传动比为8：1，灵敏度可以达到 0.26°，读数机构上的大圆刻度盘均分360份，每份1°；固定尺（副尺）上刻有20条刻线与大圆刻度盘的19条刻线首尾分别对齐，即将1°均分20等份；
4.采集与控制：光电倍增管采用侧窗式；采用消光法自动控制，自动测量薄膜厚度和折射率；. 仪器采用USB接口与电脑连接，配套数据采集及处理专用软件。

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四、镀膜机电子枪及坩埚配件
1. 实验室现有500B镀膜机、ZZS700镀膜机各一台，需现场拆机搬运及维修维护更换维修配件，恢复至出厂时状态；
2. 维修验收标准为设备原有的出厂标准；
★3. 投标人需在投标截止日期前，与实验室工作人员联系，现场勘探，并出具详细的维修方案，并得到用户认可，投标人必须在投标时提供现场勘探记录及用户认可方案。

五、黑体实验装置
1．装置完整组成：电源控制箱、标准光源室、连接电缆5/5芯线、连接电缆8/8芯线、连接电缆DB25、USB连接线、软件系统、寄存器10个及以上；
2．波长范围800～2500nm，波长精度±4 nm，波长重复性2 nm，杂散光≤0.3％T，透过率精度≤±1，噪声≤±2％；
3．准直镜焦距f=302.5 mm，相对孔径D/F＝1/7 ，狭缝宽度至少0～2.5 mm连续可调；
4．色散元件300L/mm，衍射光栅1400nm闪耀；
5．其它主要元件：光学元件M 2、M 3焦距 f＝302.5 mm，滤光片L三块滤光片工作区间，第一片800～1200nm，第二片1200～1950nm，第三片1950～2500nm。

六、单光子计数实验系统
1. 系统主机基本要求：
（1）系统入光部分配备：窄带干涉滤光片（中心波长）532nm，衰减片（1%的1片，10%的2片），可拆卸光阑片
（2）系统光电倍增管：渡越时间短，暗计数低
（3）信号处理部分：采用高速运算放大器和高精度脉冲幅度甄别电路，甄别后的信号送至脉冲计数器进行计数；采用稳定的脉冲计数器，具备计数范围宽、计数准确等优点
（4）带冷却功能，可外接制冷系统
2. 光谱响应范围300～650nm；最大计数10,000,000；甄别电平数字可调（0～4096/2.56V），暗计数≤30CPS(-20℃)；
3. 高压控制数字可调（0～1000V），积分时间数字可调 (0～10000ms)；
4. 系统构成：主机1台，制冷系统1台，包括各种保证仪器正常工作的附件及实验所需附件等；数据采集器：CPU i5-6500以上，内存≥2GB DDR3，硬盘≥500G，1GB 以上独立显卡，DVDRW，配至少21.5显示器。

七、弗兰克赫兹实验
1.弗兰克—赫兹管: 氩管，管子结构：4级，寿命≥3000hrs。

2.工作电源及扫描电源（三位半数显）：
2.1灯丝电压：DC 0～6.3V，±1% ；
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2.2第一栅压：DC 0～5V，±1%；
2.3第二栅压：DC 0～100V，±1%(自动扫描/手动)；
2.4拒斥电压：DC 0～12V，±1% 。

3.微电流测量仪（三位半数显）：测量范围：10-6～10-9A，±1%。

4.可手动或自动调节扫描电压，普通示波器动态显示实验曲线形成过程，不损失谱
峰数；手动、半自动、自动相结合的多种实验方式：
4.1 手动进行数据测量：手动逐点调节扫描电压测量实验数据，同时普通示波器
跟踪显示谱峰曲线波形。

4.2 自动测量：普通示波器动态显示曲线形成过程，回查实验数据，人工描绘曲
线。

5.保护性设计：采用长寿命的独立按键取代易损的旋转电位器，使用次数在20万次
以上；弗兰克—赫兹管保护功能：为避免学生接错或者短路提供给夫兰克—赫兹管的电源连线而烧坏夫兰克—赫兹管，仪器设有各组工作电源短路、过流保护装置，并具有声音报警功能。

八、X射线管-CU
1．靶材类型：Cu；
2．焦点尺寸：1×10mm或0.4×14mm；
3．最大输出功率：2.4kW 或2.7kW；
4．使用寿命：4000个小时以上；
5．能与实验室原有X射线衍射仪设备配套使用。

九、单光子寿命测试仪
1．测试单晶规格：电阻率范围>2Ω.cm；单晶尺寸：断面竖测φ25mm～150mm； L 2mm～500mm；纵向卧测φ25mm～150mm； L 50mm～800mm；
2．可测单晶少子寿命范围：5μS～7000μs，重复误差<±20％；
3．配备光源类型：波长1.09μm；余辉<1 μS；闪光频率为20～30次／秒；4．高频振荡源：用石英谐振器，振荡频率30MHz；
5．前置放大器：放大倍数约25，频宽2 Hz～1 MHz。

十、四探针测试仪
1. 测量范围：电阻率：10-5～105 Ω.cm(可扩展)；
方块电阻：10-4～106 Ω/□(可扩展)；
电导率：10-5～105s/cm；
电阻：10-5～105 Ω；
2．可测晶片尺寸：140mm×150mm；200mm×200mm；400mm×500mm；
3．四探针探头基本指标：间距：1±0.01mm；针间绝缘电阻：≥1000MΩ；机械游移率：≤0.3％；探针：碳化钨或高速钢Ф0.5mm；探针压力：5～16 牛顿(总力)；4．模拟电阻测量相对误差( 按JJG508-87进行)： 0.01Ω、0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω、1000Ω、10000Ω≤0.3％±1字；整机测量最大相对误差：(用硅标样片:0.01-180
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Ω.cm测试) ≤±5％.
5．配套软件：软件可记录、保存、打印每一点的测试数据，并统计分析测试数据最大值、最小值、平均值、最大百分变化、平均百分变化、径向不均匀度、并将数据生成直方图，也可把测试数据输出到Excel中，对数据进行各种数据分析。

十一、四探针测试演示仪
1．测量范围：电阻率：10-5～105Ω.cm(可扩展)；
方块电阻：10-4～106Ω/m2 (可扩展)；
电导率：10-5～105 S/cm；
电阻：10-5～105Ω；
2．可测晶片尺寸：厚度≤3mm；面型规格140mm×150mm；200mm×200mm；400mm×500mm；3．探头：间距1±0.01mm；针间绝缘电阻≥1000MΩ；机械游移率≤0.3％；探针为碳化钨或高速钢Ф0.5mm；探针压力5～16 牛顿(总力)；
4．模拟电阻测量相对误差：( 按JJG508-87)0.01Ω、0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω、1000Ω、10000Ω≤0.3％±1 字；整机测量最大相对误差(用硅标样片:0.01～180Ω.cm 测试) ≤±4％；
5．配套软件功能：软件可记录、保存、打印每一点的测试数据，并统计分析测试数据最大值、最小值、平均值、最大百分变化、平均百分变化、径向不均匀度、并将数据生成直方图，也可把测试数据输出到Excel 中，对数据进行各种数据分析。

十二、半导体制冷片
1．外形尺寸：≥50×50×5.6mm，元件对数 127，内部阻值4.0～4.3Ω（环境温度23±1℃，1kHZ Ac测试）；
2．导线规格：引线长≥100±5mm， RV标准导线，单头5mm镀锡；
3．温控范围-12度～室温，温度分辨率0.1度，最大温差△Tmax（Qc=0） 60℃以上；4．额定电压DC12V（Vmax：15.5V），工作电流Imax=3A（额定电压启动时），致冷功率Qcmax≥18W ；
5．主要构成：数字温度计、散热器。

十三、温控加热片板
1．加热尺寸：≥300*500mm；
2．温控范围：室温～400度，温度分辨率0.1度，控温精度±1%或±1℃，表面温度均匀度≤2%；
3．功率：≥600W。

十四、1英寸单晶硅片
1．型号：N/P；
2．晶向：100111110；
3．电阻：10-5～105Ω；
4．厚度：≤3mm；
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5．尺寸：1英寸。

十五、1英寸单晶锗片
1．型号：N/P；
2．晶向：100111110；
3．电阻：10-5～105Ω；
4．厚度：≤3mm；
5．尺寸：1英寸。

十六、4英寸单晶硅片
1．型号：N/P；
2．晶向：100111110；
3．电阻：10-5～105Ω；
4．厚度：≤3mm；
5．尺寸：4英寸。

十七、4英寸单晶锗片
1．型号：N/P；
2．晶向：100111110；
3．电阻：10-5～105Ω；
4．厚度：≤3mm；
5．尺寸：4英寸。

十八、傅里叶变换图像识别实验装置
1．氦氖激光器 1台：输出功率≥1.5mW，TEM
模。

00
2．DMD空间光调制器 1台：帧刷新率～15000Hz，波长范围400nm～700nm（典型值），量化精度优于11bit，分辨率2569×1600以上，USB3.0接口，HDMI显示接口，网络接口等；
3．CMOS相机 1台：分辨率1280×1024以上，10bit，单个像素尺寸≤5.2μm×5.2μm， USB2.0接口以上；
4．傅里叶变换透镜 1个：Φ40mm，AR@400nm～700nm，f200mm；
准直镜 1个：Φ25.4mm，AR@400nm～700nm；
偏振片 2个：Φ25.4mm，AR@400nm～700nm；
5．精密光学导轨 1个： 1200mm，配滑块、支座、支杆；
6．空间滤波器 1个：40×显微物镜，15μm针孔；
7．线性偏振片 1个：吸收型偏振片，基片材质：N-BK7；工作范围：400 nm～700 nm；
AOI：±30°；机械外壳直径：25.4mm；通光孔径：21.5mm；消光比：>5000:1 (450 nm- 510 nm)，>10000:1 (510 nm～700 nm)；镀膜：400 nm～700 nm；反射率：Ravg<0.5%（6°入射角）；
8．变频光栅 1个：材质钠钙玻璃，尺寸76.2mm×25.4mm，分辨率从1.25线对/mm
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至250线对/mm，提供18组线性光栅；
9．涡旋半波片1个：532nm，400～700nm, 直径25.4 mm；
10．目标物 1个：图案精度1μm；
11．专用数据分析软件 1套，具备功能：联合傅里叶变换功率谱的实时记录、读出实验；联合傅里叶相关图像实时识别实验；傅里叶光学在光学图像加密的应用实验；二维线性傅里叶分析实验；基于分数傅里叶变换的光学相关器实验；
12．以上各器件均含相应支架调节架，实验易损件（傅里叶变换透镜、准直镜、偏振片、空间滤波器、线性偏振片、变频光栅等）需提供实验标准数量的3倍。

十九、体全息晶体存储实验装置
1．激光器 1台：波长532nm，功率≥10mW；
2．扩束镜 1个：Φ6mm，f=-9.8mm；
3．光束准直镜 1个：Φ25.4mm，f150mm；
4．傅里叶变换透镜 1个：Φ40mm，f200mm；
5．分光棱镜 1个：偏振分光，25.4×25.4×25.4mm；
6．可变衰减器 1个：Φ50mm，相对密度范围0～3.0，连续可调；
7．涡旋半波片2个：材质液晶聚合物，工作波段覆盖405～1550nm，增透膜，透过率≥98%@532nm，平均反射率≤0.5%（0°入射角），Ф25.4mm，通光孔径≥21.5mm，入射角±20°，延迟量λ/2@532nm，延迟量精度λ/100，延迟量均匀性±5nm，透射光偏转≤10arcsec，透射光波前差λ/6@633nm；
8．线性偏振片1个：吸收型偏振片，材质N-BK7，工作波段覆盖400～700nm，通光孔径21.5mm，入射角度±30°，透射波前差λ/4@633nm，透射光偏转≤10arcsec；9．CCD图像传感器 1个：传感器尺寸≥2/3”，8.45×7.07mm，像素尺寸≤3.45×3.45um，曝光时间0.1ms~60s，fps26@1536×1024以上，USB2.0以上，最高动态范围≥90dB；10．铌酸锂晶体 1个：10×10×10mm以上；
11．可编程电控旋转台 1个：含控制器、电源、控制软件；
12．异形光学导轨 1个：可旋转180°光学导轨，≥1200mm+800mm，配滑块、支座、支杆；
13．专用数据软件 1套，具备功能：光栅的晶体存储实验，体全息图的记录和再现实验，图文信息高密度存储的原理和光路设计实验，全息资料存储实验；
14．以上各器件均含相应支架调节架，实验易损件（扩束镜、光束准直镜、傅里叶变换透镜、分光棱镜、可变衰减器、涡旋半波片、线性偏振片、铌酸锂晶体等）需提供实验标准数量的3倍。

二十、光波分复用分分插复用实验装置
1．固体激光器 2台：532nm波长，输出功率≥10mW；473nm波长，输出功率≥3mW；2．半导体激光器 1台：650nm波长，输出功率≥1.5mW，内置音频调制模块；3．声光调制器 1个：工作波长532nm，声光频率输出功率≥100MHz，调制带宽≥10MHz；
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4．光电音频解调器 1个：光学带宽覆盖450～650nm
5．薄膜型复用器 4个：红绿蓝光复用
6．光栅型复用器 1个：约100 lp/mm；
7．圆形可调衰减器组件 1台：光密度0～3.0连续可调；
8．斩波器 1台：含支架；
9．以上各器件均含相应支架调节架。

二十一、连续空间频率传递函数测量实验装置
1．测量空间频率范围：0～100 lp/mm；
2．宽光谱光源：卤素灯，输出光功率≥4.7mw，波长范围覆盖380～2500nm，光输出稳定性优于0.15%（峰间），光输出漂移＜0.1%/小时，光源寿命≥10,000小时；3．狭缝 1个：宽20um，长度≥25.4mm；
4．平行光管组件 1套：D/F=1:10，L=550mm，Ф50mm，f=500mm；
5．光学组件透镜 3个：
Ф40mm，f=70mm；f=100mm；f=150mm双凸透镜，
分辨力板：≥50×50mm，分辨率范围3.125～12.5LP/mm；
变频朗奇光栅：外形≥63.5×31.8mm，分辨率范围5～80 LP/mm；
6．滤光片 3个：
中心波长：分别为450 nm、532 nm和635 nm；透过率：分别为≥45%、≥70%和≥70%；直径≥25.4mm；OD>4；FWHM≤5 nm；厚度≤6.3 mm；
7．探测器组件CCD 1个：传感器尺寸≥2/3”，单像元尺寸≤3.45 um×3.45 um，曝光时间覆盖0.1ms~60s；帧频≥fps26@1536×1024；USB2.0接口，动态范围≥90dB；
8．专用分析软件 1套，具备功能：抽样、平均和统计算法计算MTF 值，应用线扩散函数算法测量已知成像系统传递函数，不同波长传递函数测量与最终像质评价。

9．以上各器件均含相应支架调节架，实验易损件（Ф40mm，f=70mm；f=100mm；f=150mm 双凸透镜、滤光片、分辨力板、变频朗奇光栅、狭缝等）需提供实验标准数量的3倍。

二十二、巨磁阻效应实验仪
1. 巨磁阻传感器：灵敏度不低于 3.3mV/V·Gs～4.0 mV/V·Gs，线性范围覆盖
–8.0Gs～+8.0Gs，饱和磁场不低于15Gs；
2. 传感器工作电源：覆盖4V～15V连续可调；
3. 传感器测量：信号4位半LED显示；
4. 亥姆霍兹线圈：线圈有效半径≥110mm，单个线圈匝数≥500匝，二线圈中心间距
≥110mm，温升不大于10℃的最大负荷电流≥0.5A；
5. 内置恒流源: 输出电流覆盖0～0.5A，最大电压≥24V，至少3位半LED显示，最
小分辨率≤1mA。

二十三、超低温实验箱
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1．获得低温：≤77K～60K（-196℃～-213℃）；
2．惠斯登电桥：1Ω～9999000Ω精度不低于0.1级；
3．加热器：≥300W 220V；
4．真空泵抽速：≥0.5L/min，极限真空度≤5×10-3帕；
5．液氮容器：≥1 L。

二十四、非线性电路混沌实验仪
1．具备功能（1）非线性电阻的测量功能（2）蔡氏电路的调试功能（3）倍周期现象的观察功能（4）混沌同步的调试功能（5）混沌掩盖与恢复功能（6）混沌键控加密与解密功能。

2．四位半直流数字电压表，最小分辨率≤10μV，分四个量程：
0～199.99V，0～19.999V，0～1.9999V，0～199.99mV。

3．四位半直流数字电流表，最小分辨率≤0.1μA，分四个量程：
0～1.9999A，0～199.99mA，0～19.999mA，0～1.9999mA。

4. 五位频率表测量范围：覆盖10Hz～100KHz；
5. 四位半数字电压表测量范围：0～2V分辨率≤0.1mV；0～20V分辨率≤1mV；
6. 信号源：方波覆盖5Hz～1000Hz，峰值幅度0～6V；正弦波覆盖50Hz～100KHz，峰值幅度0～6V；
7. 数字示波器：带宽≥100MHz，2通道及以上，采样率≥1G/S,7寸彩屏及以上。

二十五、混沌信号检测与分析实验仪
1．具备功能：（1）非线性电路中混沌现象的观察，（2）非线性电路振荡周期的分岔与混沌实验，（3）费根鲍姆常数的测量，（4）混沌加密通讯实验；
2．测试电源：输出覆盖-12V～（+12V）连续可调，≥0.25A电压源，电压纹波Vp-p ≤1mV，电流纹波≤1uA；
3．测试电源电压四位半数显：覆盖0～19.999V，分辨率不低于0.001V，显示精度不低于0.1%；
4．测试电源电流四位半数显：覆盖0～19.999mA，分辨率不低于0.001mA，显示精度不低于0.05%；
5．可变电感：1.（0～10）×1mH，精度不低于0.2%。

2.（0～10）×0.1mH，精度不低于0.5%。

6．电阻：（0～10）×（1000+100+10）Ω, 精度不低于±0.1%；
7．模块工作电源：±15V，有粗调、细调，精度不低于±0.01V，输出电流≥250mA，稳定性优于1×10 -4/小时，负载稳定性优于 1×10-3，纹波Vp-p≤1mV,有短路软截止自动回复保护功能；
8．系统其它要求：软件适合用于验证实验数据，在两个混沌吸引子的实验基础上，7级重进模式，示波器图像可显示五个以上混沌吸引子。

二十六、钛宝石锁模激光器实验系统
★1．锁模激光器模块主要技术参数：
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中心波长1550nm，光谱宽度≤10nm；脉冲宽度≤80fs；平均功率≥2W；重复频率约20～50MHz；功率稳定性≤0.5%；光纤耦合输出+空间输出；保偏输出，偏振可调；光斑模式TEM00；
2．飞秒激光倍频模块主要技术参数：
适应激光波长范围覆盖1500～1600nm，倍频效率≥60%；
3．超快光电探测模块主要技术参数：
响应波长覆盖350～1700nm，上升沿≤50ps，带宽≥2GHz；
4．激光功率测量模块主要技术参数：
光谱响应范围覆盖0.19～11um，最大测量功率≥10W，灵敏度≥100mV/W，响应时间≤1ms；
★5．激光脉宽测量模块主要技术参数：
扫描范围覆盖2.5ps～600ps，精度不低于5fs，最大测量脉宽≥150ps，扫描频率≥10ps/s，波长范围覆盖700≥1800nm；输入最小激光重频要求≤10Hz，输入信号TTL ≤10kHz，可视化软件显示。

二十七、立式X射线衍射仪
★1．X射线发生器部分主要技术参数：
1.1 采用进口PLC控制线路，最大输出功率≥5KW；
1.2 X光管电压：至少10～60KV；1kV/Step调节；
1.3 X光管电流：至少2～80mA；1mA /Step调节；
1.4 输出稳定性：≤0.005％；
1.5 高压电缆：介电电压≥100kV；
1.6 X射线管：
1.6.1 进口铜靶；
1.6.2功率：≥
2.4kW；
1.6.3焦点尺寸：约1×10mm；
1.7 高压变压器：保护功能至少有KV过高、KV过低、mA过高、mA过低、无水、X光管超温保护、整机过流保护、X光管功率保护等功能。

1.8 防护标准：防护标准必须达到《GBZ115-2002X射线衍射仪和荧光分析仪卫生防护标准》中的规定，须取得省环保局颁发的辐射安全许可证，X射线泄漏量≤0.1μSv/h。

★2．测角仪部分主要技术参数：
2.1 （θs-θd）立式测角仪；
2.2 扫描范围：覆盖-35～170°，
2.3 扫描速度：至少0.006～120°/min；
2.4 最小步进角度：≤0.0001°；
2.5 2θ角重复精度：≤0.0005°；
3．记录控制单元部分主要技术参数：
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3.1 PLC控制单元：采用进口PLC控制线路；
3.2 TDF-50计数器：
3.2.1 能谱分辨率：≤50%；
3.2.2 最大线性计数率：≥1×107CPS,
3.2.3 计数器高压：覆盖0～2100V连续可调；
3.2.4 计数方式：PLC自动控制微分、积分方式的转换，自动PHA,死时间校
正；
3.3 探测器高压稳定度：优于±0.005％；
4．循环冷却水装置主要技术参数：分体式，冷却水流量≥16-40L/min，数字显示水温，有自动控制及保护报警装置；循环装置的启动和停止，可实现手动控制和计算机自动控制；工作范围覆盖0～50℃，控温精度不低于±0.5℃；
5．石墨单色器主要技术参数：反射本领η≧28%，晶体表面可倾斜至少±2度，嵌镶度≤0.55；
6．计算机及软件部分主要技术参数：
6.1 主机：CPU I5 4500以上， 21″液晶显示器以上， A4激光打印机以上；
6.2 应用软件功能组成：
基本数据处理功能:平滑，扣除背底，Kα2剥离；寻峰(标d值，2θ强度半高宽，标2θ值,显示全部参数等多种衍射峰表示方法)；改变采样步长；去除杂峰、干扰峰；d 值、峰位修正；求积分面积、积分宽度、半高宽；谱图对比、谱图合并等；在谱图任意位置插入文字；两种游标方式(小游标、大游标)；多种缩放功能，多种坐标方式(线性坐标、对数坐标、平方根坐标)；图片放入剪贴板，直接在Word或Excel中粘贴；分峰程序、结晶度计算、晶胞参数精修、指标化、黏土定量分析等；
6.3 定性分析：采用至少包含国际通用数据库（1—54）组，可进行卡片查询，可
进行自动检索和手工检索，自动检索结果包括：卡片号、分子式（或矿物名）、匹配峰数、标准峰数、K值、可靠性因子、检索的准确度，根据检索的结果可以进行半定量分析及K值法定量分析；
6.4 定量分析：采用至少包含无标样定量分析，采用至少包含全谱拟合方法，晶
体结构数据库ICSD计算出主要相、少量相、微量相的百分含量，模拟出晶体结构；
6.5 控制功能：可在Windows XP及以上系统下运行的全中文界面，可自动控制X 射线发生器的管电压、电流的升降及光闸和X光管的老化训练等；自动控制衍射仪系统连续扫描或阶梯扫描，同时进行数据采集，可控制测角仪步进和步退，对测角仪调整和2θ校准等功能。

二十八、图像探测器/高动态背照式
★1-1. 芯片尺寸：≥2〃；
1-2. 芯片类型：背照式黑白sCMOS传感器；
★1-3. 量子效率：≥79%@240nm, ≥95%@560nm, ≥60%@800nm；
1-4. 有效像素数：≥2048(H) × 2048(V)；
1-5. 单像素尺寸：≤11μm× 11μm；
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1-6. 有效面积：≥22.528 × 22.528(mm)；
★1-7. 满阱容量：≥90000e-；
1-8. 读出速度(全分辨率)：≥24fps@16bit, ≥48fps@12bit；
1-9. 读出噪声：≤1.6e-(中值)；
1-10. 快门模式：至少包含卷帘快门；
1-11. 曝光控制：手动/自动可选，曝光时间覆盖0.021 ms～10 s；
1-12. 制冷：帕尔贴冷却，≤-15 ℃(环境温度20 ℃)；
1-13. 暗电流噪声：≤1.5 electrons/pixel/s (-15 ℃) (typ.)
1-14. DSNU：≤0.2e-；
1-15. 子阵列：支持；
1-16. 外部触发模式：至少包含标准触发、同步触发、全局触发；
1-17. 触发延时功能：覆盖0～10s(步进1μs)
1-18. 触发输出：至少包含3个可编程时序输出(曝光信号、全局信号、读出信号) 1-19. 接口：至少USB3.0及CameraLink；
1-20. SDK：支持；
1-21. 位深：≥16bit；
1-22. 镜头接口：C接口；
1-23. 软件：至少支持Mosaic/LabVIEW/Matlab/Micromanager；
2-1. 芯片尺寸：≥1.2〃；
2-2. 芯片类型：背照式黑白sCMOS传感器；
2-3. 量子效率：≥60%@254nm，≥95%@550nm，≥50%@850nm；
★2-4. 有效像素数：≥2048(H) × 2040(V)；
2-5. 单像素尺寸：≤6.5μm × 6.5μm；
2-6. 有效面积：≥13.3mm × 13.3mm；
2-7. 满阱容量：≥30000e-；
2-8. 读出速度（全分辨率）：≥74fps@CameraLink，≥ 40fps@USB3.0；
2-9. 读出噪声：≤1.2e-(中值)；
2-10. 快门模式：至少包含卷帘快门；
2-11. 曝光控制：手动/自动可选，曝光时间覆盖6.6μs-10s；
2-12. 制冷：帕尔贴冷却，≤-15 ℃(环境温度20 ℃)；
★2-13. 暗电流噪声：≤0.15 electrons/pixel/s ( -15 ℃)；
2-14. DSNU：≤0.2e-；
2-15. 子阵列：支持；
2-16. 外部触发模式：至少包含标准触发、同步触发、全局触发；
2-17. 触发延时功能：0～10s(步进1μs)；
2-18. 触发输出：至少包含3个可编程时序输出 (曝光信号、全局信号、读出信号)；2-19. 接口：至少USB3.0及CameraLink；
2-20. SDK：支持；
2-21. 位深：≥16bit；
2-22. 镜头接口：C接口；
— 15 —
2-23. 软件：至少支持Mosaic/LabVIEW/Matlab/Micromanager。

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