闪存技术与应用方法-刘爱贵
机械设计制造及其自动化专业- 中国海洋大学
机械设计制造及其自动化专业目录画法几何与机械制图 (1)理论力学 (9)材料力学 (13)机械原理课程 (15)机械设计 (20)工程测试技术 (26)工程材料及成形技术基础 (29)机械工程控制基础 (33)互换性与测量技术 (36)电路基础 (40)电路基础实验 (43)模拟电子技术 (47)数字电子技术基础 (49)电子技术实验 (51)机械制造工程 (52)液压与气压传动 (55)微机原理及接口技术 (58)热工学 (60)机电工程专业外语 (64)工业企业管理 (69)机电控制技术和PLC (71)机械振动及其应用 (74)机械优化设计 (77)机械创新设计 (79)数控技术 (82)CAD三维造型 (85)先进制造技术 (90)海洋机电工程概论 (93)工业机器人 (96)模具技术 (102)三维造型课程设计 (106)微机原理及接口技术实验 (108)机械原理课程设计 (111)机械设计课程设计 (113)机械制造工程课程设计 (115)机电综合创新设计实践教学大纲 (117)金工实习 (118)电工电子实习 (120)生产实习 (121)毕业实习 (122)毕业设计 (123)画法几何与机械制图开课院系：工程学院机电工程系课程编号：082102101203 082102101211课程英文名称：Descriptive Geometry & Mechanical drawing课程总学时：136 总学分：6.5含实验或实践学时：51 学分：推荐使用教材：《机械制图》编者：清华大学工程图学及计算机辅助设计教研室，刘朝儒等出版社：高等教育出版社出版时间及版次： 2001年8月第四版课程教学目标与基本要求：本课程是机械类专业的一门必修的技术基础课，它研究解决空间几何问题及绘制和阅读工程图样的理论和方法。
本课程的目的在于使学生掌握正投影法的基本理论及其应用，培养学生解决空间几何问题的图解能力，培养和发展学生的空间构思能力、分析能力、和表达能力，使学生具有绘制和阅读机械零件图和部件图的基本能力及较熟练地使用计算机绘图二维图形的能力。
【CN109817756A】基于二维异质结光波长诱导的光电存储器及其制备方法【专利】
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CN 109817756 A
说 明 书
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基于二维异质结光波长诱导的光电存储器及其制备方法
技术领域 [0001] 本发明属于光电存储器技术领域，具体涉及一种基于二维材料异质结的不同光波 长诱导的非易失光电存储器及其制备方法。
背景技术 [0002] 光电存储器是一种在光照条件下可以存储电荷载流子的器件。这些设备可用于图 像捕获 和频谱分析系统。二维原子层状材料是开发下一代光电 存储器的良 好候选者 ，以 满 足设备小型化和柔性的新兴要求。然而 ，过去的研究中 ，利用二维材料制造的光电 存储器具 有较差的数据存储能力，在约8个不同的存储状态下具有最高的报告数据，因此基于二维材 料的光电存储器的数据存储能力仍然存在很大的提升空间，亟需一种数据保持时间长而且 可实现不同光波长诱导的多值存储的新型光电存储器。 [0003] 虽然二维材料光电存储器具有电荷存储的功能，但其存储能力有限。在本发明中， 仅用两种材料实现不同光波长诱导的多值存储性能 ，大大提升了单个存储单元的数据存储 量，提高了器件的单位面积利用率。
（1）在预先准备好的衬底上制备第一层二维材料薄膜，作为光吸收层； 所述衬底为带有氧化绝缘层的高掺杂硅衬底。 [0007] 优选为，所述氧化绝缘层厚度为30至40纳米；所述二维材料薄膜厚度为8-15纳米。 [0008] 优选为，所述氧化绝缘层材料可以为氧化铝或氧化铪等。 [0009] 优选为，所述二维材料薄膜可以通过两种方法制备：一种是通过在块状材料上机 械剥离的方法直接获取；另一种是通过化学气相沉积生长大面积并可控层数的薄膜。 [0010] 所述二维材料可以为六方氮化硼或者其他二维材料。 [0011] （2）在第一层二维材料上转移第二层二维双极性材料，作为器件的沟道层。 [0012] 优选为，所述二维双极性材料为硒化钨材料。 [0013] 优选为，所述二维双极性材料的转移方法为干法转移技术。 [0014] 优选为，所述二维双极性材料的厚度不宜超出10纳米。
一种基于ＧＤ３２Ｆ４５０ＺＥＴ６多路采集系统的设计
第４期２０２３年８月机电元件ＥＬＥＣＴＲＯＭＥＣＨＡＮＩＣＡＬＣＯＭＰＯＮＥＮＴＳＶｏｌ ４３Ｎｏ ４Ａｕｇ ２０２３收稿日期：２０２３－０４－１８一种基于ＧＤ３２Ｆ４５０ＺＥＴ６多路采集系统的设计邹 勇１，李 鸽２，苏 伟３，郄永学４，井占发５（１．苏州御驱电子技术有限公司，江苏苏州，２１５５００；２－５．上海中广核工程科技有限公司，上海，２０１１０８） 摘要：为实现某型设备对多路电压和电流信号多路信号采集的功能。
设计了一套基于３２位ＭＣＵＧＤ３２Ｆ４５０ＺＥＴ６的采集系统，最高可以多达４０路信号的采集系统，实现了５路三相电压、４路三相电流，１路单相电压、电流，３路直流电压，２路直流电流的采集，共计３４路的信号采集。
通过２路ＳＰＩ通信扩展２个８通道ＡＤＣ模块，通过２路ＣＡＮ，分别实现数据通信和程序升级功能。
试验结果表明，电压、电流精度小于２％。
本多信号采样系统体积小，可靠性高，智能化高，满足系统设计要求。
关键词：车载电源；ＧＤ３２Ｆ４５０ＺＥＴ６；ＳＧＭ５１６５２Ｈ８；多路信号采集Ｄｏｉ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１０００－６１３３．２０２３．０４．００４中图分类号：ＴＰ３９１ ９ 文献标识码：Ａ 文章编号：１０００－６１３３（２０２３）０４－００１４－０４ＡＤｅｓｉｇｎｏｆＭｕｌｔｉ－ｃｈａｎｎｅｌＳｉｇｎａｌＡｃｑｕｉｓｉｔｉｏｎＳｙｓｔｅｍＢａｓｅｄｏｎＧＤ３２Ｆ４５０ＺＥＴ６ＺＯＵＹｏｎｇ，ＬＩＧｅ，ＳＵＷｅｉ，ＱＩＥＹｏｎｇ－ｘｕｅ，ＪＩＮＧＺｈａｎ－ｆａ（１．ＳｕｚｈｏｕＹｕｑｕＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙＣｏ．ＬＴＤ，Ｓｕｚｈｏｕ，２１５５００；２－５．ＳｈａｎｇｈａｉＣＧＮＮｕｃｌｅａｒＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙＣｏ．ＬＴＤ，Ｓｈａｎｇｈａｉ，２０１１０８）Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｉｓｐａｐｅｒｄｅｓｉｇｎａｍｕｌｔｉ－ｃｈａｎｎｅｌｖｏｌｔａｇｅａｎｄｃｕｒｒｅｎｔｓｅｎｓｅｓｙｓｔｅｍｔｏｍｅｅｔａｃｅｒｔａｉｎｔｙｐｅｅｑｕｉｐ ｍｅｎｔ。
小数据线性FLASH的存取技术
小数据线性FLASH的存取技术
李长波;陶玉贵
【期刊名称】《神州（下旬刊）》
【年(卷),期】2011(000)004
【摘要】本文论述了在线性Flash中存储小数据的算法思想及程序模型.读者通过这篇文章,可以了解到小数据的存储方法,并能以这篇文章为基础,写出相应的数据存储及查找方法.
【总页数】2页(P236,238)
【作者】李长波;陶玉贵
【作者单位】安徽芜湖信息技术职业学院,241003;安徽芜湖信息技术职业学院,241003
【正文语种】中文
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《光电功能材料与器件》课程教学大纲
《光电功能材料与器件》课程教学大纲《光电功能材料与器件》课程教学大纲课程代码（五号黑体）：MCHM3042（五号宋体）课程性质：专业必修课程授课对象：材料化学、功能材料等专业开课学期：总学时：54学时学分：3学分讲课学时：52学时实验学时：0学时实践学时：2学时主讲教师：杨晓明指定教材：王筱梅，《有机光电材料与器件》，化学工业出版社，2014年参考书目（五号黑体）5－20部左右（五号宋体）刘恩科，《半导体物理学》，电子工业出版社，2007年黄昆半，《导体物理基础》，科学出版社，1999年李晔，《光化学基础与应用》，化学工业出版社，2000年刘亟须，《物理光学基础教程》，北京理工大学出版社，2000年朱建国，《电子与光电子材料》，国防工业出版社，2007年刘云圻，《有机纳米与分子器件》，科学出版社，2010年李文连，《有机光电子器件的原理、结构设计及其应用》，科学出版社，2012年教学目的：（五号黑体）本课程为材料化学专业和功能材料专业的专业必修课。
通过本课程的学习使学生了解和掌握各种光电材料的基本原理、基本性质、制备技术，及光电子材料的现状及发展趋势有。
了解和掌握光电子器件相关理论与器件物理，掌握有机发光二极管、有机太阳能电池、有机场效应晶体管、生物传感器等分子材料器件的基本类型、结构、工作机理、电学特性、电学特性参数表征及其应用，为光电器件的研究、设计及应用奠定理论基础。
第一章物质吸收光谱与颜色（五号黑体）课时：2.5周，共8课时（五号宋体）教学内容第一节光的基本性质光的波粒二象性第二节电子跃迁一、基态与激发态分子的基态与激发态的性质比较二、电子跃迁类型有机分子电子能级跃迁三、跃迁允许与跃迁禁阻电子跃迁允许与跃迁禁阻示意图第三节紫外-可见吸收光谱一、吸收光的条件能量要大于一定值二、朗伯-比耳定律样品对光波的吸光能力与该溶液的浓度和吸收层厚度成正比。
三、紫外-可见吸收光谱在近紫外-可见-近红外光谱区域内，某一样品对不同波长单色光的吸收强度的变化情况，简称吸收光谱。
一种硫氧化钆(GdOS)闪烁陶瓷制备方法[发明专利]
![一种硫氧化钆(GdOS)闪烁陶瓷制备方法[发明专利]](https://img.taocdn.com/s3/m/030add92b1717fd5360cba1aa8114431b80d8e79.png)
(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201410398953.8(22)申请日 2014.08.14C04B 35/50(2006.01)C04B 35/622(2006.01)G01T 1/20(2006.01)(71)申请人清华大学地址100084 北京市海淀区清华园1号清华大学申请人同方威视技术股份有限公司(72)发明人王燕春 张清军 李元景 陈志强赵自然 刘以农 刘耀红 常建平赵书清 张文剑 王永强(74)专利代理机构中国专利代理(香港)有限公司 72001代理人韦欣华 杨思捷(54)发明名称一种硫氧化钆（Gd 2O 2S）闪烁陶瓷制备方法(57)摘要本发明涉及一种采用单轴加压放电等离子体烧结（SPS），任选地结合热等静压二次烧结技术，快速制备具有Pr,Ce,Tb,Eu 中的至少一种元素掺杂的硫氧化钆（具有化学通式Gd 2O 2S，简称GOS）多晶闪烁陶瓷的方法。
(51)Int.Cl.(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请权利要求书1页 说明书8页 附图3页CN 105330289 A 2016.02.17C N 105330289A1.一种硫氧化钆(GOS)闪烁陶瓷的制备方法，其包括；向闪烁陶瓷粉体中添加助烧剂并混合均匀；将添加有助烧剂的闪烁陶瓷粉体装入烧结模具内，进行放电等离子烧结，得到GOS烧结体；和对所述GOS烧结体进行退火和任选地进行热等静压二次烧结及二次退火，得到GOS闪烁陶瓷。
2.权利要求1所述的方法，其中通过球磨进行所述混合，以得到中值粒径为4-9μm的添加有助烧剂的闪烁陶瓷粉体一。
3.权利要求1所述的方法，其中通过球磨进行所述混合并通过球磨进行进一步细化，以得到中值粒径为1-4μm、优选2-3μm的添加有助烧剂的闪烁陶瓷粉体二。
4.权利要求1-3任一项所述的方法，其中所述助烧剂为LiF或Li2GeF6，且其添加量为闪烁陶瓷粉体质量的0.02-1%、优选0.1-1%。
可扩展网格文件访问接口的设计与实现
可扩展网格文件访问接口的设计与实现
刘爱贵;程耀东;许冬;陈刚
【期刊名称】《核电子学与探测技术》
【年(卷),期】2008(028)003
【摘要】本文主要描述了网格文件访问接口(GFAl)的设计和实现.目前网格上存在多种数据存储系统,使用不同的访问方法,用户使用很不方便.GFAl实现了一个与POSⅨ标准兼容的、可扩展的网格文件访问接口,屏蔽了不同存储系统访问协议的细节,解决了不同网格文件访问/传输协议的异构性问题,为用户提供了-个统一的、易于使用的网格Ⅰ/0接口.
【总页数】6页(P602-607)
【作者】刘爱贵;程耀东;许冬;陈刚
【作者单位】中国科学院高能物理研究所计算中心,北京,100049;中国科学院研究生院,北京,100049;中国科学院高能物理研究所计算中心,北京,100049;中国科学院高能物理研究所计算中心,北京,100049;中国科学院高能物理研究所计算中心,北京,100049
【正文语种】中文
【中图分类】TP311
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1.二维网格NoC中资源-网络接口设计与实现 [J], 侯宁;高明伦;杜高明;张多利;耿罗锋;汤益华
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3.一种可扩展网格监控系统的设计与实现 [J], 刘亮;杨寿保;刘鹏展;郭磊涛
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5.织女星企业信息网格资源接口模块设计与实现的研究 [J], 杨新刚;李晓林;唐宁九因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。
《光电信息技术》PPT课件
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序 前言
第一章：光电信息技术物理基础
§1.1 理论基础 §1.1.1 半导体能带理论 §1.1.2 光电发射效应 §1.1.3 光电导效应 §1.1.4 光伏效应 §1.1.5 热释电效应
21
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专家倡导的“863计划”受信息化、数字 化、网络化浪潮的推动，中国的光电信 息市场和产业也呈现出高速增长态势， 成为拉动整个国民经济增长的第一支柱 行业。1999年底全国范围内建成了“八 横八纵”的光缆网．武汉、广东和长春
等地提出了建设中国光谷的规划。
现代信息技术的发展，迫切需要培
划的
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重点是光电子产业。据国家统计资料显 示，世纪具有代表意义的主导产业，第 一是光子产业，第二是信息通信产 业……”。 我国政府十分重视光电子技术和产 业的发展，已将它列入国民经济优先发 展的领域，把光电子产业列为国家重点 发展计划，继1986年3月王大恒等四位
8 ．试设计一个用于水下作业的光纤开关系统， 用双向可控硅控制用电器。请画出全部电子线 路图。
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§4.2.2 光电遥控 §4.2.3 光纤开关 §4.3 光纤通信 §4.3.1 光纤通信原理及构成 §4.3.2 光纤通信系统 §4.3.3 光纤网络系统 §4.4 光纤传感器 §4.4.1 元件型光纤传感器 §4.4.2 传输型光纤传感器
13
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激光照明用ＹＡＧ∶Ｃｅ－ＣａＦ２荧光陶瓷的冷烧结制备
第３９卷 第１期 ２０２４年３月 西 南 科 技 大 学 学 报 ＪｏｕｒｎａｌｏｆＳｏｕｔｈｗｅｓｔＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｖｏｌ．３９Ｎｏ．１ Ｍａｒ．２０２４ＤＯＩ：１０．２００３６／ｊ．ｃｎｋｉ．１６７１ ８７５５．２０２４．０１．００５收稿日期：２０２３－０４－１７；修回日期：２０２３－０５－２９基金项目：四川省科技计划项目（２０２０ＪＤＲＣ００６２）；深圳市技术攻关项目（ＪＳＧＧ２０２１０８０２１５４２１３０４０）作者简介：第一作者，段星（１９９６—），男，硕士研究生，Ｅ ｍａｉｌ：１３９８１３２３５７＠ｑｑ．ｃｏｍ；通信作者，魏贤华（１９７６—），男，博士，教授，研究方向为功能材料，Ｅ ｍａｉｌ：ｗｅｉｘｉａｎｈｕａ＠ｓｗｕｓｔ．ｅｄｕ．ｃｎ激光照明用ＹＡＧ∶Ｃｅ－ＣａＦ２荧光陶瓷的冷烧结制备段 星１ 杨仕林１ 杜 甫２ 陈 磊２ 魏贤华１（１．西南科技大学环境友好能源材料国家重点实验室 四川绵阳 ６２１０１０；２．旭宇光电（深圳）股份有限公司 广东深圳 ５１８１０１）摘要：荧光陶瓷是激光照明的关键材料。
为探究低温制备荧光陶瓷的可行性，采用冷烧结工艺在４２５℃成功制备了致密度高、晶粒尺寸均匀、相界分明的ＹＡＧ∶Ｃｅ－ＣａＦ２复合荧光陶瓷。
结果表明：发光相与基体之间没有可检测到的界面反应；制备的荧光陶瓷具有较高的量子效率（７４．３％）、较好的热导率（室温可达９．４Ｗ·ｍ－１·Ｋ－１）、优异的热稳定性（在４００Ｋ时发光强度仅损失４．３％）；在蓝光激光（４５１ｎｍ）激发下，复合荧光陶瓷表现出良好的黄光发射，并展现出光通量为９１０．７ｌｍ和流明效率为９１．０７ｌｍ·Ｗ－１ 的高亮度白色激光照明，其荧光寿命无衰减（６６ｎｓ），相关色温为４４８３～８２４７Ｋ，显色指数为７３．４～８３．６。
冷烧结工艺是低温条件下制备性能优良荧光陶瓷的新方法。
熔融制样Ｘ射线荧光光谱法测定含硫量高的石膏矿物中主次量元素
２０１５年７月Ｊｕｌｙ２０１５岩 矿 测 试ＲＯＣＫＡＮＤＭＩＮＥＲＡＬＡＮＡＬＹＳＩＳＶｏｌ．３４，Ｎｏ．４４４８～４５３收稿日期：２０１４－０７－０４；修回日期：２０１５－０５－０５；接受日期：２０１５－０７－０８基金项目：中国地质大调查项目———地质实验测试技术研发示范与应用“湖北云应地区膏盐矿分析方法与技术体系研究”（１２１２０１１３０１５８００）作者简介：魏灵巧，硕士，工程师，从事岩石矿物分析工作。
Ｅ ｍａｉｌ：ｓｍａｒｔｃｃ＠１２６．ｃｏｍ。
文章编号：０２５４５３５７（２０１５）０４０４４８０６ＤＯＩ：１０．１５８９８／ｊ．ｃｎｋｉ．１１－２１３１／ｔｄ．２０１５．０４．０１２熔融制样Ｘ射线荧光光谱法测定含硫量高的石膏矿物中主次量元素魏灵巧１，２，宋红元１，易 达１，罗 磊１，付胜波１，黄瑞成１（１．湖北省地质局第六地质大队，湖北孝感４３２０００；２．中国地质大学（武汉）材料与化学学院，湖北武汉４３００７４）摘要：Ｘ射线荧光光谱法（ＸＲＦ）已经应用于石膏等非金属矿物的测定，但由于石膏标准物质匮乏、硫含量较高且在高温易挥发损失，给测定带来了一定困难。
本文采用石膏标准物质、高纯硫酸钙和其他国家一级标准物质（土壤、水系沉积物、碳酸盐）配制人工标准物质拟合校准曲线，优化稀释比、熔矿温度等熔融制样条件，用理论α系数校正基体效应，建立了采用ＸＲＦ同时测定石膏矿中１０个主次量元素（硅铝铁钙镁钾钠钛硫锶）的分析方法。
样品与四硼酸锂－偏硼酸锂熔剂的稀释比为１∶９，在１０５０℃温度下样品熔融完全。
方法检出限为４～１３５μｇ／ｇ，精密度（ＲＳＤ，ｎ＝１２）小于３．０％。
本方法配制的人工校准样品加强了样品基体的适应性，使用的四硼酸锂－偏硼酸锂熔剂在样品熔融过程中可有效地结合硫，抑制了硫的挥发损失，适用于批量分析硫含量高达１２．６０％～５１．９１％的实际石膏矿物。
关键词：石膏；主次量元素；硫；四硼酸锂－偏硼酸锂熔剂；Ｘ射线荧光光谱法中图分类号：Ｏ６５７．３４；Ｐ５７８．７２文献标识码：Ｂ石膏是非金属矿产的典型代表，因其具有高强度、高绝缘性、耐高温、耐酸碱等诸多优良的理化性能，广泛应用于建筑、化工和中医等诸多领域。
闪存技术与应用方法-刘爱贵
NAND Management
闪存自定义
• API接口 • OP • FTL • RAID • OOB • Bad block
闪存替换内存计算
Good die/Ink die
Flash RAID
Flash RAID SOC
PCIe
SFF SFF SFF SFF 8087 8087 8087 8087
Block devices Driver
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软件定义闪存
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SSD成本真的高？ $/IOPS, $/GB, latency
SSD应用考量
• 要不要用SSD? • SLC/MLC/TCL/3D? • SATA SSD还是PCIe SSD? • 作为主存储还是Cache/Tier? • 有无特殊要求? 如宽温、加固、加密、自毁
Storage backplane SAS
SAS
SAS
SAS
SAS
2.5 inch Flash Disk
2.5 inch Flash Disk
对安全使用计算机闪存的思考
对安全使用计算机闪存的思考
柳志强
【期刊名称】《山东广播电视大学学报》
【年(卷),期】2006(000)002
【摘要】从计算机闪存的接口、闪存驱动、闪存读写、闪存安全使用、闪存加密、以及闪存病毒六个方面探讨如何正确使用计算机闪存问题,并提出相应的对策,非常必要.
【总页数】2页(P22-23)
【作者】柳志强
【作者单位】莱钢电大,山东,莱芜,271104
【正文语种】中文
【中图分类】G434
【相关文献】
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数据存储技术的选择与应用
数据存储技术的选择与应用
唐峰
【期刊名称】《世界专业音响与灯光》
【年(卷),期】2005(003)001
【摘要】图灵奖(计算机界最高奖)获得者Jim Gray曾在1998年的获奖演说中，对未来数据量急剧增长的规律做过这样的预言：每18个月产生的数据量等于有史以来的数据量之和!近几年来．随着Internet的日益普及与高速发展，加之多媒体的广泛应用，使得运行在不同系统平台的数据呈几何级数增长，也使这条被人们称之为”新摩尔定律”的规律得到验证。
【总页数】3页(P14-15,21)
【作者】唐峰
【作者单位】中国国际广播电台技术部主任工程师、高级工程师
【正文语种】中文
【中图分类】TN948.6
【相关文献】
1.纺织行业数据处理过程中大数据技术的选择与应用 [J], 刘佩全
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SSD成本真的高？ $/IOPS, $/GB, latency
SSD应用考量
• 要不要用SSD? • SLC/MLC/TCL/3D? • SATA SSD还是PCIe SSD? • 作为主存储还是Cache/Tier? • 有无特殊要求? 如宽温、加固、加密、自毁
闪存技术与应用方法
Nand Flash
Nand Flash生产流程
正片(original die)，白片(good die)，黑片(ink die)
企业级SSD
SATA SAS PCIe NVMe NVDIMM
Nand 控制器
AXI4-Lite
NOR Flash
I2C
Interrupt Controller
CPU0
AXI4 CPU1
PCIE
DMA
NAND CTRL
DDR3 Controller
NAND Flash
4GB 72bit ECC DDR3
Nand可靠性
• NAND Flash 错误模型 – Bad blocks – Program disturb – Read disturb – Endurance – Data retention – Gross errors
如何选择SSD？
• 容量/IOPS/带宽 • Latency/Jitter • 写寿命 • 功耗/散热 • 成本或性价比
如何测试SSD？
52.2hour@85℃ = 1year@40℃
Arrhenius equation (阿伦尼乌斯方程)
CPU的影响
• Intel, AMD, ARM, 龙芯,飞腾 • CPU主频 • 多socket/core • NUMA问题
Block devices tocol
软件定义闪存
User Space kernel
PCIe
Eblaze Application Customized FS Customized FTL
Driver
Interface Protocol
FTL
NAND Management
Controller1
NVRAM Failover
NVRAM
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NVME
PCIe Switch
SSD SSD
……
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NVME
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PCIe Switch
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……
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HDDs
Scale out
SSDs
HDDs
All Flash Array
Client Client Client Client Client Client
10GbE 10GbE 10GbE 10GbE
Eth Switch
10GbE 10GbE 10GbE 10GbE
CPU
Controller0 NT Bridge
Server SAN Controller
Node 2
Applications
Hypervisor I/O driver
Server SAN Controller
Node N
Applications
Hypervisor I/O driver
Server SAN Controller
SSDs
HDDs
SSDs
Storage backplane SAS
SAS
SAS
SAS
SAS
2.5 inch Flash Disk
2.5 inch Flash Disk
2.5 inch Flash Disk
2.5 inch Flash Disk
Server SAN
Node 1
Applications
Hypervisor I/O driver
ECC纠错技术 BCH LDPC
RAID保护
初始化后，受损，抛弃它
⊕
⊕ ⊕
⊕
初始化
⊕ ⊕
aaiiddsseeccttoorr aaiiddsseeccttoorr aaiiddsseeccttoorr aidsector aidsector aidsector aidsector aidsector
NAND Management
闪存自定义
• API接口 • OP • FTL • RAID • OOB • Bad block
闪存替换内存计算
Good die/Ink die
Flash RAID
Flash RAID SOC
PCIe
SFF SFF SFF SFF 8087 8087 8087 8087
SSD系统优化
• I/O schedule算法 • CPU多核绑定 • 请求列队和最大请求数 • 禁用merge/rotational/read_ahead/barrier • 分区/卷4KB对齐 • 文件系统开启SSD支持选项
Pblaze Application
FileSystem+ IO Stack