半导体二极管 电子教案13页
半导体二极管及基本电路PPT课件
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1.1 半导体的基础知识
一．半导体
• 按物体的导电性能，可将物体分为导体、绝缘 体和半导体三类。
① 导体：电阻率很低、电流易通过、导电性强的 物体。
② 绝缘体：电阻率很高、电流不通过、无导电能 力的物体。
• 一般情况下，锗管反向电流I R＞硅管I R反向电流。
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综述：
• 1）二极管的 V—A 特性为非线性；
• 2）当 导通；
时，且 U D ＞U T ，则 D
• 3）当 -U BR ＜ U D ＜ U T ，有I R ≈0，则 D 截 止；
• 4）当
时，且 绝对值U R ＞ U
BR ，则反向击穿烧坏。
一、课程的性质及任务
• 1. 本课程是一门电子技术方面的入门技术基础课，是研究各种半导体器件、 电子线路及应用的一门学科。
• 2. 学生通过本课程的学习，掌握一些有关电子技术的基本理论、基本知识， 为今后进一步学习打下一定的基础。
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• 二 研究对象
• 1.电子器件的特性、参数； • 2.电子线路分析的基本方法：即模拟电路和数字电路的分析方法。 • 3.有关应用。
由此得知： • 1）稳压管的 V—A 特性为非线性，且反向特性
很陡，； • 2）稳压管有导通、截止、击穿三个状态，常工作
于反向击穿状态。
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二. 主要参数
1). 稳定电压 UZ
• DZ在正常工作下管子两端的电压，也就是它 的反向击穿电压。
2). 稳定电流 IZ
半导体二极管教(学)案
半导体二极管3.PN结原理当N型半导体和P型半导体用特殊工艺结合在一起时，由于P 型半导体中空穴浓度高、电子浓度低，而N型半导体中电子浓度高、空穴浓度低，因此在交界面附近电子和空穴都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散。
P区的空穴要扩散到N区，且与N区的电子复合，在P区一侧就留下了不能移动的负离子空间电荷区。
同样，N区的电子要扩散到P区，且与P区的空穴复合，在N区一侧就留下了不能移动的正离子空间电荷区。
空间电荷区形成了一个方向由N区指向P 区的电场，电场的作用是阻碍多数载流子的继续扩散。
这种动态稳定的结构称之为PN结。
当加入外电场时动态平衡被打破，略讲PN 结单向导电性，即正偏(P接“＋”，N接“－”)时，正向电流大；反偏(P接“－”，N接“＋”)时，反向电流小。
二、半导体二极管（20分钟）1.二极管概述利用PN结的单向导电性，可以用来制造一种半导体器件——半导体二极管。
半导体二极管又称晶体二极管。
几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管。
结构半导体二极管是由一个PN结加上电极引线和外壳封装而成。
P区引出的电极称为阳极，或叫正极，用A表示；N区引出的电极称为阴极,或叫负极,用K表示。
半导体二极管的外形与符号符号半导体二极管在电路中的符号如上图所示，箭头指向表示二极管正向导通时电流的方向。
分类按结构的不同来分，可分为点接触型和面接触型；若按应用场合的不同来分，可分为整流二极管、稳压二极管、检波二极管、限幅二极管、开关二极管、发光二极管等；若按功率的不同可分为小功率、中功率和大功率；若按制作材料的不同，可分为锗二极管和硅二极管等。
为学生展示几种常见二极管本节的重难点主要就在二极管的外部特性。
通过二极管的检测加深理解二极管单向导电特性。
通过知识拓展了解二极管的作用引发兴趣。
重点练习恒压降模型的分析方法。
我们已经知道了PN结具有单向导电性，但是二极管具体的外部特性是怎样的呢？下面给出二极管的伏安特性曲线。
半导体二极管教案
3.PN结原理
当N型半导体和P型半导体用特殊工艺结合在一起时，由于P型半导体中空穴浓度高、电子浓度低，而N型半导体中电子浓度高、空穴浓度低，因此在交界面附近电子和空穴都要从浓度高的地方向浓度低的地方扩散。P区的空穴要扩散到N区，且与N区的电子复合，在P区一侧就留下了不能移动的负离子空间电荷区。同样，N区的电子要扩散到P区，且与P区的空穴复合，在N区一侧就留下了不能移动的正离子空间电荷区。空间电荷区形成了一个方向由N区指向P区的内电场，内电场的作用是阻碍多数载流子的继续扩散。这种动态稳定的结构称之为PN结。当加入外电场时动态平衡被打破，略讲PN结单向导电性，即正偏(P接“＋”，N接“－”)时，正向电流大；反偏(P接“－”，N接“＋”)时，反向电流小。
3.半导体结构
在电子学中，用得最多的半导体是硅和锗，硅和锗的外层电子都是4个，都是四价元素。与相邻四个原子分别用四个共价键相连，形成原子有规律地整齐排列的结构，称为晶体结构，这就是晶体管的来由。本来外层电子受共价键束缚，但是少数电子获得一定的动能才能挣脱共价键的束缚成为自由电子。在电子挣脱共价键的束缚成为自由电子后，共价键中就留下一个空位，这个空位叫做空穴。于是半导体可以导电，但是在常温下只有极少电子能称为自由电子，所以导电能力较弱。完全纯净的、结构完整的半导体晶体称为本征半导体。但是本征半导体易受温度的影响，而且导电能力差，不能直接使用在电子线路中，必须利用掺杂特性制作杂质半导体。
在硅（或锗）晶体中掺入微量的五价元素P，磷原子的5个价电子中有4个电子和硅原子组成共价键，多出一个电子很容易脱离原子核的束缚而成为自由电子，同时磷原子也就成为带正电的离子。这样，由于磷元素的掺入，使硅晶体中自由电子的数目大大增加。当然硅原子由于热激发也产生少量的电子—空穴对。这种半导体的导电主要是靠电子，所以称它为电子半导体，简称N型半导体。本征半导体中空穴和自由电子成对出现，但是在杂质半导体中不同，略讲多子和少子概念。
半导体二极管ppt课件
快 恢 复 二 极 管
形形色色的二极管
肖 特 基 二 极 管
二极管的封装 资金是运动的价值，资金的价值是随时间变化而变化的，是时间的函数，随时间的推移而增值，其增值的这部分资金就是原有资金的时间价值
用于电视机、收音机、电源装置等电子产品中
的各种不同外形的二极管如下图所示。二极管
通常用塑料、玻璃或金属材料作为封装外壳，
五、二极管的检测 资金是运动的价值，资金的价值是随时间变化而变化的，是时间的函数，随时间的推移而增值，其增值的这部分资金就是原有资金的时间价值
用万用表检测普通二极管的好坏 测试图如图所示
1、万用表置于R×1k挡。测量正向电阻时，万用表的黑表
笔接二极管的正极，红表笔接二极管的负极。
2、万用表置于R×1k挡。测量反向电阻时，万用表的红表
稳压管在电路中主要 功能是起稳压作用。
击穿 特性
稳压管的伏安特性曲线
正向 特性
资金是运动的价值，资金的价值是随 时间变 化而变 化的， 是时间 的函数 ，随时 间的推 移而增 值，其 增值的 这部分 资金就 是原有 资金的 时间价 值
形形色色的二极管
高频二极管
阻尼二极管
金属封装整流二极管
资金是运动的价值，资金的价值是随 时间变 化而变 化的， 是时间 的函数 ，随时 间的推 移而增 值，其 增值的 这部分 资金就 是原有 资金的 时间价 值
发光二极管
形形色色的二极管
资金是运动的价值，资金的价值是随 时间变 化而变 化的， 是时间 的函数 ，随时 间的推 移而增 值，其 增值的 这部分 资金就 是原有 资金的 时间价 值
高，主要用于信号检测、取样、小电流整流等
整流二极管（2CZ、2DZ等系列）的IFM较大，fM很
半导体分立器件---半导体二极管教案
课程名称半导体分立器件---半导体二极管授课班级授课教师授课安排授课地点课前准备教案、课本等教学用具以及各种类型的半导体二极管若干。
教学目标一、知识与技能1、掌握半导体的基本概念、种类及基本特性。
2、掌握PN结的组成和基本特性。
3、掌握半导体二极管的基本知识与检测选用。
二、过程与方法1、学会用学过的知识和技能解决新问题的方法。
2、利用初中学过的知识来联系新知识，掌握新知识。
3、利用对比分析法来比较学习常用元器件及半导体分立器件。
三、情感态度与价值观通过对半导体分立器件基本知识的学习，提高把知识转化为技术的意识，今后在实验过程中培养认真的态度，把理论转化为实践。
教学重点、难点教学重点：掌握PN结及半导体二极管的基本知识。
教学难点：了解半导体二极管的伏安特性曲线，掌握半导体二极管的基本知识和检测选用。
教学过程一、导入课程在开始上课之前请同学们先考虑以下几个问题：1、大家对节能灯的发展过程了解多少？2、每当夜幕降临的时候，城市出现各种五颜六色的闪烁的灯光，它们是怎样做出来的，都是用哪些材料？3、大家对现在新一代的LED电视都了解多少知识？（请同学们根据日常生活中的所见所闻各抒己见，发表自己的观点）然后带着这三个问题预习今天的内容。
二、自主学习参考教学目标：1、掌握半导体的基本概念、种类及基本特性。
2、掌握PN结的组成和基本特性。
3、掌握半导体二极管的基本知识与检测选用。
（给十分钟时间，预习课本上的内容，围绕上面的教学目标，结合课本自主学习）三、合作探究第一部分半导体的基本知识1、半导体的基本概念物质按导电能力强弱不同可分为：导体、半导体和绝缘体三类。
半导体，指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。
目前半导体器件用的最多的是硅和锗两种材料。
半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。
2、半导体的导电特性热敏特性所谓热敏性就是半导体的导电能力随着温度的升高而迅速增加。
半导体的阻率几乎减小为原来的1/2。
半导体二极管教案
本次授课的课题绪论半导体二极管课型讲授本次授课的目的和要求 1. 低频电路在本专业的地位、作用、能力要求、电子技术发展史及趋势；2.了解半导体特性、P型N型半导体的形成及特性；3.了解二极管构造；熟悉二极管单向导电性、电路符号；4.熟悉二极管伏安特性、主要参数涵义；温度对特性影响。
本次授课的重点、难点及解决措施重点：二极管特性、电路符号本次授课采用的教具挂图及参考书名称《模拟电子技术基础》周良权主编高教出版社《模拟电子技术基础》沈任元主编机械工业出版社课后作业内容与估计完成时间1.1 21.3. （b）（c）本此课的小结与改进措施完成教学任务，结合课程进行爱国主义及职业道德教育和专业教育。
第一次课绪论、半导体二极管一、半导体基础知识1．半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。
常用的半导体材料有硅（Si）、锗（Ge）、硒（Se）和砷化镓（GaAs）等。
2．本征半导体： 纯净的不含任何杂质、晶体结构排列整齐的半导体。
3．共价键：相邻原子共有价电子所形成的束缚。
4．半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电。
5．空穴产生：价电子获得能量挣脱原子核吸引和共价键束缚后留下的空位，空穴带正电。
图1.1.1 共价健结构与空穴产生示意图6．半导体的特性半导体的特性热敏特性温度升高或受到光照，半导体材料的导电能力增强。
光敏特性 本征半导体中掺入某种微量元素(杂质)后，它的导电能力增强，利用该特性可形成杂质半导体。
7．杂质半导体的分类：(1)N 型半导体(N-type semiconductor)：在四价的本征半导体(硅)中掺入微量五价元素磷，就形成了N 型半导体。
(2)P 型半导体(P-type semiconductor)：在四价的本征半导体(硅)中掺入微量三价元素(硼)就形成P 型半导体。
8．杂质半导体中多数载流子的产生见图1.1.2。
图1.1.2 掺杂半导体共价健结构示意图a)N 型半导体 b)P 型半导体9．总结：(1)N 型半导体中自由电子为多数载流子，简称多子，空穴为少数载流子，简称少子。
半导体二极管教学导案
教学重点
二极管伏安特性
教学难点
二极管伏安特性
学法分析
1、由于电子课程入门难,这节课作为入门课，在绪论中给出整个课程的大框架,使学生对于课程的认识更加清晰
2、老师在讲解伏安特性后,再讲解二极管的判别，让学生参与进来，使学生对单向导电性认识更清晰
半导体二极管的外形与符号
符号
半导体二极管在电路中的符号如上图所示,箭头指向表示二极管正向导通时电流的方向。
分类
按Hale Waihona Puke 构的不同来分,可分为点接触型和面接触型;
若按应用场合的不同来分,可分为整流二极管、稳压二极管、检波二极管、限幅二极管、开关二极管、发光二极管等;
若按功率的不同可分为小功率、中功率和大功率；
半导体二极管教案
———————————————————————————————— 作者：
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ﻩ
半导体二极管
授课名称
电子基础
授课类型
讲授
授课时数
1
课题
半导体二极管
学情分析
认知特征：中专生的学习方法由模仿转向领会，思维方式由形象转向抽象。
若按制作材料的不同,可分为锗二极管和硅二极管等。
为学生展示几种常见二极管
2.二极管伏安特性
我们已经知道了PN结具有单向导电性,但是二极管具体的外部特性是怎样的呢？下面给出二极管的伏安特性曲线。二极管的伏安特性就是二极管两端的电压U与流过二极管的电流I的关系。
半导体二极管伏安特性
正向特性
当二极管所加的正向电压(又称正向偏置）较小时,正向电流IF很小,二极管呈现较大的电阻，称这个区域为死区。通常硅二极管的死区电压UT（又叫门限电压）约为0.5V,锗二极管的死区电压约为0.２V。
元器件半导体二极管教案
b. P型半导体
c.空间电荷区（即PN结）
②.PN结单向导电性
PN结具有单向导电性。当P区为高电位，N区为低电位时，称为正向连接，此时结会形成较大电流。相反，若N区为高电位，P区为低电位时，称反向连接，此时结形成的反向电流及其微弱。
3.理解晶体二极管的结构。
将一个PN结封装在密封管壳之中并引出两个电极，就构成了晶体二极管。P区相连引线为正，N区相连引线为负。
教内容
半导体二极管
授课人：陶宏
班级：08秋机电
教学目标
知识
1掌握半导体材料的基本特性，
2理解PN结，单向导电性
2理解晶体二极管的结构
4了解晶体二极管的分类
情感教育
培养学生严谨学习态度,锻炼学生实际操作能力
重难点
重点：PN结，晶体二极管的结构
难点：PN结单向导电性
方法
讲授,演示
课前准备
多媒体课件
教学活动过程
四、布置作业
1半导体材料的基本特性2画出晶体二极管的结构示意图和符号。
学生回答课前预习问题：
1.常用的半导体材料有哪些？
2.半导体二极管的主要特性。.
学生理解并掌握
演示课件给学生看，引起学生的兴趣，解说PN结的形成
演示课件给学生看，解说PN结单向导电性
学生用万用表电流档，检测PN结单向导电性
学生理解并掌握
4.晶体二极管的分类
①晶体管按材料分为:
硅二极管、锗二极管和砷化镓二极管等
②按结构不同可分：
为点接触性二极管、面接触二极管。
③按用途可分为：
整流二极管、检波二极管、开关二极管、稳压二极管、变容二极管、发光二极管、阻尼二极管等。
④按封装外形分为:
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第一章半导体二极管内容简介本章首先介绍半导体的导电性能和特点，进而从原子结构给与解释。
先讨论PN结的形成和PN结的特性，然后介绍半导体二极管特性曲线和主要参数。
分析这些管子组成的几种简单的应用电路，最后列出常用二极管参数及技能训练项目。
知识教学目标1.了解半导体基础知识，掌握PN结的单向导电特性；2.熟悉二极管的基本结构、伏安特性和主要参数；3.掌握二极管电路的分析方法；4.了解特殊二极管及其应用。
技能教学目标能够识别和检测二极管，会测定二极管简单应用电路参数。
本章重点1.要求掌握器件外特性，以便能正确使用和合理选择这些器件。
如：半导体二极管：伏安特性，主要参数，单向导电性。
2.二极管电路的分析与应用。
本章难点1.半导体二极管的伏安特性，主要参数，单向导电性。
2.二极管电路分析方法。
课时4课时题目：半导体、PN结教学目标：了解本征半导体，杂质半导体的区别，从而得出半导体特性。
记住半导体PN结的特性。
教学重点：1、半导体特性；2、半导体PN结的特性；教学难点：1、半导体单向导电性。
2、半导体PN结分别加正反向电压导通与截止的特性。
教学方法：讲授教具：色粉笔新课导入：电子技术基础是我们这学期新开的一门专业课，它包含各个基本小型电路的介绍及使用分析，这次课我们来学习一种材质：半导体。
为以后的电路分析打下基础。
新授：从导电性能上看，通常可将物质为三大类：导体：电阻率，缘体：电阻率，半导体：电阻率ρ介于前两者之间。
目前制造半导体器件材料用得最多的有：单一元素的半导体——硅(Si)和锗(Ge);化合物半导体——砷化镓(GaAs)。
图1.1.1 半导体示例1.1.1 本征半导体了解：纯净的半导体称为本征半导体。
用于制造半导体器件的纯硅和锗都是四价元素，其最外层原子轨道上有四个电子（称为价电子）。
在单晶结构中，由于原子排列的有序性，价电子为相邻的原子所共有，形成图1.1.2所示的共价健结构，图中+4代表四价元素原子核和内层电子所具有的净电荷。
共价键中的一些价电子由于热运动获得一些能量，从而摆脱共价键的约束成为自由电子，同时在共价键上留下空位，我们称这些空位为空穴，它带正电。
在外电场作用下，自由电子产生定向移动，形成电子电流；同时价电子也按一定的方向一次填补空穴，从而使空穴产生定向移动，形成空穴电流。
因此，半导体中有自由电子和空穴两种载流参与导电，分别形成电子电流和空穴电流，这一点与金属导体的导电机理不同。
1.1.2 杂质半导体在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。
其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。
一、 N型半导体若在四价的硅或锗的晶体中掺入少量的五价元素(如磷、锑、砷等)，则晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，磷原子的最外层有五个价电子，其中四个与相邻的半导体原子形成共价键，必定多出一个电子，这个电子几乎不受束缚，很容易被激发而成为自由电子，这样，在该半导体中就存在大量的自由电子载流子，空穴是少数载流子，这种半导体就是N型半导体图1.1.3 N型半导体结构二、 P型半导体若在四价的硅或锗的晶体中少量的三价元素，如硼，晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，硼原子的最外层有三个价电子，与相邻的半导体原子形成共价键时，产生一个空穴。
这个空穴可能吸引束缚电子来填补，使得硼原子成为不能移动的带负电的离子,因而在该半导体中就存在大量的空穴载流子,当然,其中还有少数由于本征激发而产生的自由电子，如图1.1.4所示。
需要指出的是,无论是N型还是P型半导体,都是呈电中性的。
*综上所述，半导体特性：*1、半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间。
2、在一定温度下，本征半导体因本征激发而产生自由电子和空穴对，故其有一定的导电能力。
*3、本征半导体的导电能力主要由温度决定；杂质半导体的导电能力主要由所掺杂质的浓度决定。
4、P型半导体中空穴是多子，自由电子是少子。
N型半导体中自由电子是多子，空穴是少子。
*5、半导体的导电能力与温度、光强、杂质浓度和材料性质有关。
1.1.3 PN结一、PN 结的形成在同一片半导体基片上，分别制造P型半导体和N型半导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了PN结。
PN结是多数载流子的扩散运动和少数载流子的漂移运动相较量,最终达到动态平衡的必然结果，相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚度固定不变。
二、PN结的单向导电性1、PN结的偏置PN结加上正向电压（正向偏置）的意思都是：P区加正、N区加负电压。
PN结加上反向电压（反向偏置）的意思都是： P区加负、N区加正电压。
2、PN结正偏如上图1.1.6所示,当PN结正偏时，外加电源形成的电场加强了载流子的扩散运动，削弱了内电场，耗尽层变薄，因而多子的扩散运动形成了较大的扩散电流。
用流程图表述如下：PN结正偏外电场削弱内电场耗尽层变薄扩散运动漂移运动多子扩散运动形成正向电流。
3、PN结的反偏在PN结加反向偏置时,如图1.1.7所示，外加电源形成的外电场加强了内电场，多子的扩散运动受到阻碍，耗尽层变厚；少子的漂移运动加强，形成较小的漂移电流。
其过程表述如下：PN结反偏外电场加强内电场耗尽层变厚扩散运动漂移运动少子漂移运动形成反向电流。
综上所述：1）PN结加正向电压时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻， PN结导通；2）PN结加反向电压时，具有很小的反向漂移电流，呈现高电阻， PN结截止。
课后总结：这次课我们认识了半导体材料。
对于半导体的特性，PN结的特性进行对比记忆，由大家课下熟悉完成记忆。
作业：练习册1.1板书设计：一、半导体1、本征半导体2、杂质半导体：二、PN结题目：1.2 二极管的特性及主要参数教学目标：了解二极管的特性，分析使用二极管时的主要参数-伏安特性。
教学重点：二极管结构分析，伏安特性的分析；教学难点：1、伏安特性分析。
2、几个参数的记忆及区分。
教学方法：讲授教具：色粉笔新课导入：上次课我们认识了半导体器件中常用的器件“二极管”，在使用过程中不仅要了解它的参数也是不行的，这次我们继续学习它的特性及参数要求。
新授：1.2.1 半导体二极管的结构和符号形成PN结的P型半导体和N型半导体上，分别引出两根金属引线，并用管壳封装，就制成二极管。
其中从P区引出的线为正极，从N区引出的线为负极。
二极管的结构外形及在电路中的文字符号如图1.2.1所示。
在图1.2.1(b)所示电路符号中，箭头指向为正向导通电流方向，二极管常见的封装形式如图1.2.2所示。
1.2.2 二极管的伏—安特性半导体二极管的核心是PN结，它的特性就是PN结的单向导电特性。
常利用伏一安特性曲线来形象地描述二极管的单向导电性。
所谓伏安特性，是指二极管两端电压和流过二极管电流的关系，可用电路图来测量。
若以电压为横坐标，电流为纵坐标，用作图法把电压、电流的对应值用平滑曲线连接起来，就构成二极管的伏—安特性曲线，如图1.2.3所示(图中虚线为锗管的伏—安特性，实线为硅管的伏—安特性)，下面以二极管的伏—安特性曲线加以说明。
一、正向特性当二极管两端加正向电压时，就产生正向电流，正向电压较小时，正向电流极小(几乎为零)，这一部分称为死区，相应的A(A′)点的电压命名为死区电压。
二极管正向导通时，要特别注意它的正向电流不能超过最大值，否则将烧坏PN结。
二、反向特性当二极管两端加上反向电压时，在开始很大范围内，二极管相当于非常大的电阻，反向电流很小，且不随反向电压而变化。
此时的电流称之为反向饱和电流，如图1.2.3中0C(或O′C′)段所示。
三、反向击穿特性二极管反向电压加到定数值时，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿。
此时的电压称为反向击穿电压用表示，如图1.2.3中CD(或C′D′)段所示。
四、死区电压：锗——0.2V硅——0.5V五、导通电压降：锗——0.3V硅——0.7V1.2.3 半导体二极管的主要参数和分类基本参数：1．最大整流电流最大整流电流是指二极管长期工作时，允许通过的最大平均电流使用正向平均电流能超过此值，否则二极管会击穿。
2．最大反向工作电压最大反向工作电压是指二极管正常工作时，所承受的最高反向电压(峰值)。
通常手册上给出的最大反向工作电压是击穿电压的一半左右。
3．二极管的直流电阻二极管的直流电阻指加在二极管两端的直流电压与流过二极管的直流电流的比值。
二极管的正向电阻较小，约为几欧到几千欧；反向电阻很大，一般可达零点几兆欧以上。
4．最高工作频率最高工作频率是指二极管正常工作时上、下限频率，它的大小与PN结的结电容有超过此值，二极管单向导电特性变差。
课后总结：这次课的重点：1、二极管结构及其单向导电性2、死区电压：锗——0.2V硅——0.5V3、导通电压降：锗——0.3V硅——0.7V4、二极管反向电压加到定数值时，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿作业：练习册1.2填空1-5题板书设计：一、半导体二极管的结构和符号二、二极管的伏—安特性三、半导体二极管的主要参数和分类题目：1.4特殊二极管、二极管的检测及应用教学目标：1、稳压二极管、发光二级管及光电二极管的特点2、学习二极管极性检测3、学习二极管好坏的检测教学重点：1、学习二极管极性检测2、学习二极管好坏的检测教学难点：1、二极管的检测2、二极管的应用教学方法：讲授教具：色粉笔新课导入：二极管大家已经知道是什么电子器件，那么如果拿来一个二极管，如何知道它的正负极？二极管的好坏该怎样检测？这一系列使用前应该做的准备都是必须有的，现在我们就来学习他的检测方法！新授：1.4.1 稳压二极管稳压电路利用稳压二极管在反向击穿特性来实现稳压。
下面简要介绍稳压二极管基本知识。
一、稳压二极管的工作特性稳压二极管简称稳压管，它的伏一安特性曲线和在电路中的符号如图1.4.1所示。
稳压管和普通二极管正向特性相同，不同的是反向击穿电压较低，且击穿特性陡峭，这说明反向电流在较大范围内变化时，击穿电压基本不变，稳压管正是利用反表示。
向击穿特性来实现稳压的，此时击穿电压称为稳定工作电压，用 UZ二、稳压管的主要参数1.稳定电压UZ即反向击穿电压。
由于击穿电压与制造工艺、环境温度和工作电流有稳定电压UZ关，手册中只能给出某一型号的稳压范围。
2.稳定电流IZ稳定电流I是指稳压管工作至稳定状态时流过的电流。
当稳压管稳定电流小于Z最小稳定电流时，没有稳定作用；大于最大稳定电流时，管子因过流而损坏。
稳压管由于受热而击穿。
1.4.2 发光二极管与光电二极管一、发光二极管发光二极管是一种把电能变成光能的器件，由磷化镓、砷化镓等半导体材料制成，电路符号见图1.4.3,当给发光二极管加上偏压，有一定的电流流过时二极管就会发光，这是由于PN结的电子和空穴直接复合放出能量的结果。