基于4T像素结构的CMOS图像传感器设计.
CMOS图像传感器的基本原理及设计
CMOS图像传感器的基本原理及设计摘要：介绍CMOS图像传感器的基本原理、潜在优点、设计方法以及设计考虑;关键词：互补型金属－氧化物－半导体图像传感器；无源像素传感器；有源像素传感器1引言20世纪70年代,CCD图像传感器和CMOS图像传感器同时起步;CCD图像传感器由于灵敏度高、噪声低,逐步成为图像传感器的主流;但由于工艺上的原因,敏感组件和信号处理电路不能集成在同一芯片上,造成由CCD图像传感器组装的摄像机体积大、功耗大;CMOS图像传感器以其体积小、功耗低在图像传感器市场上独树一帜;但最初市场上的CMOS图像传感器,一直没有摆脱光照灵敏度低和图像分辨率低的缺点,图像质量还无法与CCD图像传感器相比; 如果把CMOS图像传感器的光照灵敏度再提高5倍～10倍,把噪声进一步降低,CMOS图像传感器的图像质量就可以达到或略微超过CCD图像传感器的水平,同时能保持体积小、重量轻、功耗低、集成度高、价位低等优点,如此,CMOS图像传感器取代CCD图像传感器就会成为事实;由于CMOS图像传感器的应用,新一代图像系统的开发研制得到了极大的发展,并且随着经济规模的形成,其生产成本也得到降低;现在,CMOS图像传感器的画面质量也能与CCD图像传感器相媲美,这主要归功于图像传感器芯片设计的改进,以及亚微米和深亚微米级设计增加了像素内部的新功能;实际上,更确切地说,CMOS图像传感器应当是一个图像系统;一个典型的CMOS图像传感器通常包含：一个图像传感器核心是将离散信号电平多路传输到一个单一的输出,这与CCD图像传感器很相似,所有的时序逻辑、单一时钟及芯片内的可编程功能,比如增益调节、积分时间、窗口和模数转换器;事实上,当一位设计者购买了CMOS图像传感器后,他得到的是一个包括图像阵列逻辑寄存器、存储器、定时脉冲发生器和转换器在内的全部系统;与传统的CCD图像系统相比,把整个图像系统集成在一块芯片上不仅降低了功耗,而且具有重量较轻,占用空间减少以及总体价格更低的优点;2基本原理从某一方面来说,CMOS图像传感器在每个像素位置内都有一个放大器,这就使其能在很低的带宽情况下把离散的电荷信号包转换成电压输出,而且也仅需要在帧速率下进行重置;CMOS图像传感器的优点之一就是它具有低的带宽,并增加了信噪比;由于制造工艺的限制,早先的CMOS图像传感器无法将放大器放在像素位置以内;这种被称为PPS的技术,噪声性能很不理想,而且还引来对CMOS图像传感器的种种干扰;然而今天,随着制作工艺的提高,使在像素内部增加复杂功能的想法成为可能;现在,在像素位置以内已经能增加诸如电子开关、互阻抗放大器和用来降低固定图形噪声的相关双采样保持电路以及消除噪声等多种附加功能;实际上,在Conexant公司前Rockwell半导体公司的一台先进的CMOS摄像机所用的CMOS图传感器上,每一个像素中都设计并使用了6个晶体管,测试到的读出噪声只有1均方根电子;不过,随着像素内电路数量的不断增加,留给感光二极管的空间逐渐减少,为了避免这个比例又称占空因数或填充系数的下降,一般都使用微透镜,这是因为每个像素位置上的微小透镜都能改变入射光线的方向,使得本来会落到连接点或晶体管上的光线重回到对光敏感的二极管区域;因为电荷被限制在像素以内,所以CMOS图像传感器的另一个固有的优点就是它的防光晕特性;在像素位置内产生的电压先是被切换到一个纵列的缓冲区内,然后再被传输到输出放大器中,因此不会发生传输过程中的电荷损耗以及随后产生的光晕现象;它的不利因素是每个像素中放大器的阈值电压都有细小的差别,这种不均匀性就会引起固定图像噪声;然而,随着CMOS图像传感器的结构设计和制造工艺的不断改进,这种效应已经得到显着弱化;这种多功能的集成化,使得许多以前无法应用图像技术的地方现在也变得可行了,如孩子的玩具,更加分散的保安摄像机、嵌入在显示器和膝上型计算机显示器中的摄像机、带相机的移动电路、指纹识别系统、甚至于医学图像上所使用的一次性照相机等,这些都已在某些设计者的考虑之中;3设计考虑然而,这个行业还有一个受到普遍关注的问题,那就是测量方法,具体指标、阵列大小和特性等方面还缺乏统一的标准;每一位工程师在比较各种资料一览表时,可能会发现在一张表上列出的是关于读出噪声或信噪比的资料,而在另一张表上可能只是强调关于动态范围或最大势阱容量的资料;因此,这就要求设计者们能够判断哪一个参数对他们最重要,并且尽可能充分利用多产品的CMOS图像传感器家族;一些关键的性能参数是任何一种图像传感器都需要关注的,包括信噪比、动态范围、噪声固定图形噪声和读出噪声、光学尺寸以及电压的要求;应当知道并用来对比的重要参数有：最大势阱容量、各种工作状态下的读出噪声、量子效率以及暗电流,至于信噪比之类的其它参数都是由那些基本量度推导出来的;对于像保安摄像机一类的低照度级的应用,读出噪声和量子效应最重要;然而对于象户外摄影一类的中、高照度级的应用,比较大的最大势阱容量就显得更为重要;动态范围和信噪比是最容易被误解和误用的参数;动态范围是最大势阱容量与最低读出噪声的比值,它之所以引起误解,是因为读出噪声经常不是在典型的运行速度下测得的,而且暗电流散粒噪声也常常没有被计算在内;信噪比主要决定于入射光的亮度级事实上,在亮度很低的情况下,噪声可能比信号还要大;所以,信噪比应该将所有的噪声源都考虑在内,有些资料一览表中常常忽略散粒噪声,而它恰恰是中、高信号电平的主要噪声来源;而SNRDARK得到说明,实际上与动态范围没有什么两样;数字信噪比或数字动态范围是另一个容易引起混淆的概念,它表明的只是模拟/数字A/D 转换器的一个特性;虽然这可能很重要,但它并不能精确地描述图像的质量;同时我们也应清楚地认识到,当图像传感器具有多个可调模拟增益设置时,模拟/数字转换器的分辨率不会对图像传感器的动态范围产生限制;光学尺寸的概念的模糊,是由于传统观念而致;使用光导摄像管只能在部分范围内产生有用的图像;它的计算包括度量单位的转换和向上舍入的方法;采用向上舍入的方法,先以毫米为单位测量图像传感器的对角线除以16,就能得到以英寸为单位的光学尺寸;例如的尺寸是而不是;假如你选择了一个光学尺寸为的图像传感器,很可能出现图像的四周角落上的映影阴影现象;这是因为有些资料一览表欺骗性地使用了向下舍入的方法;例如,将的尺寸称为,理由很简单：光学尺寸的图像传感器的价格要比光学尺寸的图像传感器的价格低得多,但是这对系统工作性能产生不利影响;所以,设计者应该通过计算试用各种不同的图像传感器来得到想要的性能;CMOS图像传感器的一个很大的优点就是它只要求一个单电压来驱动整个装置;不过设计者仍应谨慎地布置电路板驱动芯片;根据实际要求,数字电压和模拟电压之间尽可能地分离开以防止串扰;因此良好的电路板设计,接地和屏蔽就显得非常重要;尽管这种图像传感器是一个CMOS装置并具有标准的输入/输出I/O电压,但它实际的输入信号相当小,而且对噪声也很敏感;到目前为止,已设计出高集成度单芯片CMOS图像传感器;设计者力求使有关图像的应用更容易实现多功能,包括自动增益控制AGC、自动曝光控制AEC、自动平衡AMB、伽玛样正、背景补偿和自动黑电平校正;所有的彩色矩阵处理功能都集成在芯片中;CMOS图像传感器允许片上的寄存器通过I2C总线对摄像机编程,具有动态范围宽、抗浮散且几乎没有拖影的优点;4CMOS-APS的潜在优点和设计方法4．1CMOS-APS胜过CCD图像传感器的潜在优点CMOS APS胜过CCD图像传感器的潜在优点包括1～5：1消除了电荷反复转移的麻烦,免除了在辐射条件下电荷转移效率CTE的退化和下降;2工作电流很小,可以防止单一振动和信号闭锁;3在集成电路芯片中可进行信号处理,因此可提供芯迹线,模/数转换的自调节,也能提供由电压漂移引起的辐射调节;与硅探测器有关,需要解决的难题和争论点包括1～2：1在体材料界面由于辐射损伤而产生的暗电流的增加问题;2包括动态范围损失的阈值漂移问题;3在模/数转换电路中,定时和控制中的信号闭锁和单一扰动问题;4．2CMOS-APS的设计方法CMOS-APS的设计方法包括：1为了降低暗电流而进行研制创新的像素结构;2使用耐辐射的铸造方法,再研制和开发中等尺寸“dumb”哑成像仪通过反复地开发最佳像素结构;3研制在芯片上进行信号处理的器件,以适应自动调节本身电压Vt的漂移和动态范围的损失;4研制和开发耐辐射单一扰动环境的定时和控制装置;5研制和加固耐辐射的模/数转换器;6寻找低温工作条件,以便在承受最大幅射强度时,找到并证实最佳的工作温度;7研制和开发大尺寸、全数字化、耐辐射的CMOS-APS,以便生产;8测试、评价和鉴定该器件的性能;9引入当代最高水平的组合式光学通信/成像系统测试台;5像素电路结构设计目前,已设计的CMOS图像传感器像素结构有：空隙积累二极管HAD型结构、光电二极管型无源像素结构、光电二极管型有源像素结构、对数变换积分电路型结构、掩埋电荷积累和敏感晶体管阵列BCAST型结构、低压驱动掩埋光电二极管LV－BPD型结构、深P阱光电二极管型结构、针型光电二极管PPD结构和光栅型有源像素结构等;5．1CMOS PPS像素结构设计光电二极管型CMOS无源像素传感器CMOS-PPS的结构自从1967年Weckler首次提出以来实质上一直没有变化,其结构如图1所示;它由一个反向偏置的光敏二极管和一个开关管构成;当开关管开启时,光敏二极管与垂直的列线连通;位于列线末端的电荷积分放大器读出电路保持列线电压为一常数,并减小KTC噪声;当光敏二极管存贮的信号电荷被读出时,其电压被复位到列线电压水平,与此同时,与光信号成正比的电荷由电荷积分放大器转换为电荷输出;单管的PD-CMOS-PPS允许在给定的像素尺寸下有最高的设计填充系数,或者在给定的设计填充系数下,可以设计出最小的像素尺寸;另外一个开关管也可以采用,以实现二维的X Y 寻址;由于填充系数高且没有许多CCD中多晶硅叠层,CMOS-PPS像素结构的量子效率较高;但是,由于传输线电容较大,CMOS-PPS读出噪声较高,典型值为250个均方根电子,这是致命的弱点;5．2CMOS-APS的像素结构设计几乎在CMOS-PPS像素结构发明的同时,科学家很快认识到在像素内引入缓冲器或放大器可以改善像素的性能;虽然CMOS图像传感器的成像装置将光子转换为电子的方法与CCD相同,但它不是时钟驱动,而是由晶体三极管作为电荷感应放大器;在一些CMOS图像传感器中,每组像素的顶端有一个放大器,每个像素只有一个作为阈值电流值开关的三极管;开关像素中的电荷为放大器充电,其过程类似DRAM中的读取电路,这种传感器被称为PPS;PPS的结构很简单,它具有高填充系数;各像元没有很多的多晶硅层覆盖,其量子效率很高,但是PPS的读取干扰很高,只适应于小阵列传感器;在CMOS-APS中每一像素内都有自己的放大器;CMOS-APS的填充系数比CMOS-PPS的小,集成在表面的放大晶体管减少了像素组件的有效表面积,降低了“封装密度”,使40％～50％的入射光被反射;这种传感器的另一个问题是,如何使传感器的多通道放大器之间有较好的匹配,这可以通过降低残余水平的固定图形噪声较好地实现;由于CMOS-APS像素内的每个放大器仅在此读出期间被激发,所以CMOS-APS的功耗比CCD图像传感器的还小;与CMOS-PPS相比,CMOS－APS的填充系数较小,其设计填充系数典型值为20％～30％,接近内线转换CCD的值;5．2．1光敏二极管CMOS-APSPD-CMOS-APS的像素结构1968年,Noble描述了PD-CMOS-APS;后来,这种像素结构有所改进;PD-CMOS-APS的像素结构如图2所示;高性能CMOS APS由美国哥伦比亚大学电子工程系和喷气推进实验室JPL在1994年首次研制成功,像素数为128×128,像素尺寸为40μm×40μm,管芯尺寸为×,采用μmCMOSn阱工艺试制,动态范围为72dB,固定图形噪声小于％饱和信号水平;固定图形噪声小于％饱和信号水平;1997年日本东芝公司研制成功了640×480像素光敏二极管型CMOS APS,其像素尺寸为μm×μm,具有彩色滤色膜和微透镜阵列;2000年美国Foveon公司与美国国家半导体公司采用μmCMOS工艺研制成功4096×4096像素CMOS APS10,像素尺寸为5μm×5μm,管芯尺寸为22mm×22mm,这是迄今为止世界上集成度最高、分辨率最高的CMOS固体摄像器件;有关CMOS APS的工作原理、发展现状及其应用,笔者已作过详细介绍6～8;因为光敏面没有多晶硅叠层,PD-CMOS-APS的量子效率较高,它的读出噪声由复位噪声限制,典型值为75均方根电子～100均方根电子;PD-CMOS-APS的每个像素采用3个晶体管,典型的像元间距为15μm;PD-CMOS-APS适宜于大多数低性能应用;5．2．2光栅型CMOS APSPG-CMOS-APS的像素结构1993年由JPL最早研制成功PG-CMOS-APS并用于高性能科学成像的低光照明成像;PG-CMOS-APS结合了CCD和X Y寻址的优点,其结构如图3所示;光栅信号电荷积分在光栅PG下,浮置扩散点A复位电压为VDD,然后改变光栅脉冲,收集在光栅下的信号电荷转移到扩散点,复位电压水平与信号电压水平之差就是传感器的输出信号;当采用双层多晶硅工艺时,PG与转移栅TX之间要恰当交叠;在光栅与转移栅之间插入扩散桥,可以采用单层多晶硅工艺,这种扩散桥要引起大约100个电子的拖影;光栅型CMOS APS每个像素采用5个晶体管,典型的像素间距为20μm最小特征尺寸;采用μmCMOS工艺将允许达到5μm的像素间距;浮置扩散电容的典型值为10－14F量级,产生20μV/e的增益,读出噪声一般为10均方根电子～20均方根电子,已有读出噪声为5均方根电子的报道;CMOS图像传感器的设计分为两大部分,即电路设计和工艺设计,CMOS图像传感器的性能好坏,不仅与材料、工艺有关,更重要的是取决于电路设计和工艺流程以及工艺参数设计;这对设计人员提出更高的要求,设计人员面要宽,在设计中,不但要懂电路、工艺、系统方面的知识,还要有较深的理论知识;这个时代对设计者来说是一个令人兴奋和充满挑战的时代;计算机辅助设计技术为设计者提供了极大的方便,但图像系统的用途以及目标用户的范围由制造商决定;如果用户装有Windows95的系统,那么就要确定图像系统不是Windows98的;如果你只是为了获取并存储大量的低分辨率图像,那就不要选择一个能够提供优质图像但同时会产生更多数据以致于无法存储的高分辨率图像传感器;现在还存在许多非标准的接口系统;现在仅供数字相机所使用可装卸存储介质就包括PCMCIA卡、东芝Toshiba的速闪存储器及软磁盘;重要的是,要根据产品未来所在的工作环境,对样品进行细致的性能评估;5．3CCD和CMOS系统的设计CCD图像传感器和CMOS图像传感器在设计上各不相同,对于CCD图像传感器,不能在同一芯片上集成所需的功能电路;因此,在设计时,除设计光敏感部分即CCD图像传感器外,还要考虑设计提供信号和图像处理的功能电路,即信号读出和处理电路,这些电路需要在另外的基片上制备好后才能组装在CCD图像传感器的外围；而CMOS图像传感器则不同,特别是CMOS APS可以将所有的功能电路与光敏感部分光电二极管同时集成在同一基片上,制作成高度集成化的单芯片摄像系统;与前者相比,成本低、制备容易、体积小、微型化、功耗低,虽然开始有人认为光照灵敏度不如CCD图像传感器的高,并且暗电流和噪声比较大,近来由于改进了电路设计,采用亚微米和深亚微米光刻技术,使CMOS图像传感器的性能得到改善;已经具备与CCD图像传感器进行竞争的条件,21世纪,CMOS摄像器件将成为信息获取与处理领域的佼佼者;到那时,单芯片摄像机和单芯片数码相机将进入千家万户;这些都得益于CMOS APS为人们提供了高度集成化的系统,如图4所示;图5示出CMOS数码相机的框图,从中可见数码相机设计的复杂性;霍尔器件是一种基于霍尔效应的磁传感器,已发展成一个品种多样的磁传感器产品族,并已得到广泛的应用;本文简要介绍其工作原理、产品特性及其典型应用;图39霍尔电流传感器在逆变器中的应用CS为霍尔电流传感器图40霍尔电流传感器在UPS中的应用1、2、3均为霍尔电流传感器图41霍尔电流传感器在电子点焊机中的应用在逆变器中的应用在逆变器中,用霍尔电流传感器进行接地故障检测、直接侧和交流侧的模拟量传感,以保证逆变器能安全工作;应用线路如图39所示;在不间断电源中的应用如图40所示,霍尔电流传感器1发出信号并进行反馈,以控制晶闸管的触发角,电流传感器2发出的信号控制逆变器,传感器3控制浮充电源;用霍尔电流传感器进行控制,保证逆变电源正常工作;由于其响应速度快,特别适用于计算机中的不间断电源;在电子点焊机中的应用在电子点焊机电源中,霍尔电流传感器起测量和控制作用;它的快速响应能再现电流、电压波形,将它们反馈到可控整流器A、B,可控制其输出;用斩波器给直流迭加上一个交流,可更精确地控制电流;用霍尔电流传感器进行电流检测,既可测量电流的真正瞬时值,,又不致引入损耗,如图41所示;用于电车斩波器的控制电车中的调速是由调整电压实现的;将霍尔电流传感器和其它组件配合使用,并将传感器的所有信号输入控制系统,可确保电车正常工作;其控制原理示图42霍尔电流传感器在电车斩波器中的应用图43在变频调速电机中的应用I,R,S,T均为霍尔电流传感器图44用于电能管理的霍尔电流传感器图45霍尔接地故障检测器的原理和结构于图42;图中,SCR1是主串联晶闸管,SCR2为辅助晶闸管,Lo、Co组成输入滤波器,Ls是平滑扼流圈,M1～M5是霍尔电流传感器;在交流变频调速电机中的应用用变频器来对交流电机实施调速,在世界各发达国家已普遍使用,且有取代直流调速的趋势;用变频器控制电机实现调速,可节省10％以上的电能;在变频器中,霍尔电流传感器的主要作用是保护昂贵的大功率晶体管;由于霍尔电流传感器的响应时间短于1μs,因此,出现过载短路时,在晶全管未达到极限温度之前即可切断电源,使晶体管得到可靠的保护,如图43所示;用于电能管理图44给出一种用于电能管理的电流传感器的示意图;图中,12是通电导线,11是导磁材料带,17是霍尔组件,19是霍尔组件的输入、输出引线;由此构成的电流传感器,可安装到配电线路上进行负载管理;霍尔器件的输出和计算机连接起来,对用电情况进行监控,若发现过载,便及时使受控的线路断开,保证用电设备的安全;用这种装置,也可进行负载分配及电网的遥控、遥测和巡检等;在接地故障检测中的应用在配电和各种用电设备中,可靠的接地是保证配电和用电设备安全的重要措施;采用霍尔电流传感器来进行接地故障的自动监测,可保证用电安全;图45示出一种霍尔接地故障监测装置;在电网无功功率自动补偿中的应用电力系统无功功率的自动补偿,是指补偿容量随负荷和电压波动而变化,及时准确地投入和切除电容器,避免补偿过程中出现过补偿和欠补偿的不合理和不经济,使电网的功率因数始终保持最佳;无功功率的自动采样若用霍尔电流、电压传感器来进行,在保证“及时、准确”上具有显着的优点;因为它们的响应速度快,且无相位差,如图46所示;图46电网无功功率自动补偿控制器的原理框图霍尔钳形电流表将磁芯做成张合结构,在磁芯开口处放置霍尔器件,将环形磁芯夹在被测电流流过的导线外,即可测出其中流过的电流;这种钳形表既可测交流也可测直流;图48示出一种数字钳形交流电流表的线路;用钳形表可对各种供电和用电设备进行随机电流检测;电功率测量使负载电压变换,令其与霍尔器件的工作电流成比例,将负载电流通入磁芯绕组中,作为霍尔电流传感器的被测电流,即可构成霍尔功率计;由霍尔器件输出的霍尔电压来指示功率,其工作原理如图49所示;在电力工频谐波分析仪中的应用在电力系统中,电网的谐波含量用电力工频谐波仪来进行测试;为了将被测电压和电流变换成适合计算机A/D采样的电压,将各种电力工频谐波分析仪的取样装置,如电流互感器、电压互感器、电阻取样与光隔离耦合电路等和霍尔电流传感取样测试对比,结果表明霍尔电流传感器最为适用;对比结果如表8所示;表8电力工频谐波分析仪中使用的3种接口部件的比较LEM模块是一种霍尔零磁通电流传感器接口部件性能、特点在开关电源中的应用近代出现的开关电源,是将电网的非稳定的交流电压变换成稳定的直流电压输出的功率变换装置;无论是电压控制型还是电流控制型开关电源,均采用脉冲宽度调制,借助驱动脉冲宽度与输出电压幅值之间存在的某种比例关系来维持恒压输出;其中,宽度变化的脉冲电压或电流的采样、传感等均需用电流、电压传感器来完成;霍尔电流、电压传感器以其频带宽、响应时间快以及安装简便而成为首选的电流、电压传感器;在大电流检测中的应用在冶金、化工、超导体的应用以及高能物理例如可控核聚变试验装置中都有许多超大型电流用电设备;用多霍尔探头制成的电流传感器来进行大电流的测量和控制,既可满足测量准确的要求,又不引入插入损耗,还免除了像使用罗果勘斯基线圈法中需用的昂贵的测试装置;图47示出一种用于DⅢ－D托卡马克中的霍尔电流传感器装置;采用这种霍尔电流传感器,可检测高达到300kA的电流;。
温度对4管像素结构CMOS图像传感器性能参数的影响
温度对4管像素结构CMOS图像传感器性能参数的影响王帆;李豫东;郭旗;汪波;张兴尧【摘要】为了对4管像素结构CMOS图像传感器的空间应用提供可靠性指导,对4管像素结构的CMOS图像传感器进行了-40~80℃的变温实验,着重分析了样品器件的转换增益、满阱容量、饱和输出和暗电流等参数随温度的变化规律。
实验结果表明,随着温度的升高,样品器件的转换增益从0.02654 DN/e 下降到0.02379 DN/e,饱和输出从4030 DN下降到3396 DN,并且暗电流从22.9 e·pixel-1·s-1增长到649 e· pixel-1·s-1。
其中器件转换增益的减小应主要归因于载流子迁移率随温度升高而下降使得像素后端读出电路增益降低；饱和输出的降低则是因为转换增益的降低,因为转换增益随温度变化对饱和输出的影响要大于满阱容量随温度变化对饱和输出的影响。
%In order to provide a reliable guidance for the spatial application of the 4 T CMOS image sensor, temperature effects on 4T active pixel sensor CMOS image sensor from -40 ℃ to 80 ℃were presented. The influences of temperature on conversion gain, full well charge, saturated output and dark current of the device were investigated. The experiment results show that the conversion gain of device decreases from 0. 026 54 DN/e to 0. 023 79 DN/e, the saturated output decreases from 4 030 DN to 3 396 DN, and the dark current increases from 22. 9 e·pixel-1 ·s-1 to 649 e· pixel-1 ·s-1 with the temperature increasing. The decrease of conversion gain should be attributed to the decrease of the carrier mobility with the temperature increasing. The decrease of saturation output is mainly because of the decrease of the conversion gainwhich the influence of the conversion gain on saturated output is greater than that of the full well capacity with the change of temperature.【期刊名称】《发光学报》【年(卷),期】2016(037)003【总页数】6页(P332-337)【关键词】CMOS图像传感器;转换增益;满阱容量;暗电流;温度【作者】王帆;李豫东;郭旗;汪波;张兴尧【作者单位】中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室，新疆电子信息材料与器件重点实验室，中国科学院新疆理化技术研究所，新疆乌鲁木齐 830011; 中国科学院大学，北京100049;中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室，新疆电子信息材料与器件重点实验室，中国科学院新疆理化技术研究所，新疆乌鲁木齐 830011;中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室，新疆电子信息材料与器件重点实验室，中国科学院新疆理化技术研究所，新疆乌鲁木齐830011;中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室，新疆电子信息材料与器件重点实验室，中国科学院新疆理化技术研究所，新疆乌鲁木齐 830011; 中国科学院大学，北京 100049;中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室，新疆电子信息材料与器件重点实验室，中国科学院新疆理化技术研究所，新疆乌鲁木齐 830011; 中国科学院大学，北京 100049【正文语种】中文【中图分类】TP394.1;TH691.9相比于电荷耦合元件(Charge-coupled device,CCD)图像传感器，互补金属氧化物半导体(Complementary metal oxide semiconductor，CMOS)图像传感器有着低功耗、充足的设计资源和制造工艺成本低等优势。
有源像素CMOS图像传感器
有源像素CMOS 图像传感器图1示出了有源像素CMO 图像传感器(Active Sensor , APS)的功能结构图其中成像部分为光极管阵列(Photo Diode Array)图l 肓澤曜CMOE 弗車锋暮E 慚功能结码團四场效应管(4T)有源像素CMO 图像传感器的每个像素由光敏二极管、复位管T 。
、转移管T1、源跟随器T 。
和行选通开关管T 。
组成，如图2所示［9］。
转移管T1，被用来将光敏二极管连接至源跟随器 T3。
，并通过复位管T2与VDD 相连.T3的栅极与T1和T2之间的N+扩散区相连。
与3T 结构的APS 相比，减 少了与T3的栅极相关的漏电流效应。
源跟随器 T3的作用是实现对信号的放大和缓 冲，改善APS 的噪声问题。
T4是用来将信号与列总线相连。
其工作过程是：首先进 入“复位状态”，T2打开，对光敏二极管复位；然后进入“取样状态”，T2关闭， 光照射到光敏二极管上产生光生载流子，并通过源跟随器 T3放大输出；最后进入“读出状态”，这时行选通管 T4打开，信号通过列 总线输出。
CIS 图像传感器IMAM LIMF 」iryht rTTREADOUT SlUUCTUftf TT.|fOL( MKAJKi/T±PHQ-TVUIUWKEfPfR ， AK.A'*®. 匚AM 和 COKFROl JNRHpAfE I CXI, 一rnMFM^r FAME , puftr Wi 」代Met T1MIMG R«X1 巾 UVlJMJtf <U»：fkQL B 2 4丁衣漁條才示肃阳接触式图像传感器( CIS(Contact Image Sensor) 是90 年代新型图像传感器。
与电荷耦合器件(CCD相比.CIS的优点主要有a无须外加光源、光学透镜等辅助机构b具有尺寸小、重量轻、结构紧凑及便于安装c采用R a 3光源.系统功耗低d采用陶瓷基底.有良好的温度特性。
基于4T像素结构的CMOS图像传感器设计
基于4T像素结构的CMOS图像传感器设计摘要传统的CMOS图像传感器采用3T像素结构,但由于自身结构的关系,整体性能难以满足较高的要求,4T像素结构应运而生,它比3T像素有更小的噪声,更好的性能;同时要求控制部分更加复杂.文中介绍了基于一种4T像素结构的图像传感器的设计.关键词3T;4T;APS;图像传感器CMOS图像传感器是在20世纪60年代末期出现的由IBM和仙童公司开发的双极型和MOS光敏二极管阵列结构⑴.在图像传感器中最常用的光敏器件是反偏PN结光电二极管和P+/N/P埋藏光电二极管(BuriedPhotoDiode)。
其中埋藏光电二极管像素比反偏PN结像素有更好的灵敏度,另外由于M1(Tx)的存在,使像素的可控性更好,有效地降低热噪声和暗电流.但4T结构比3T多了一个管子,在同样像素尺寸条件下,填充率比3T像素小.3T像素由于自身结构的关系,暗电流不能得到很好的控制,性能难以满足较高的要求;为满足需要,4T像素结构应运而生,它比3T像素有更小的噪声,更好的性能;同时要求控制部分更加复杂⑷14T像素图像传感器的设计1.14T像素与读取电路结构设计T1时刻，完成对光敏二极管和P点连接的寄生电容Cp的复位,光电荷开始聚集；T2时刻，再次完成P点寄生电容的复位,寄生电容Cp存入电压VDD；T3时刻,经过源跟随器对电容CP.电压进行采样，到T4时刻，完成采样。
源跟随器增益AP,CP电压存于电容CP；电容CP上电压Vc1=AP•VDD；T5时刻，光信号积分完成，图像信号产生；M1管打开，光电荷流向寄生电容CP，T6时刻完成电荷转移。
寄生电容CP上电压为Vcp=VDD-Vsignal；T7时刻,对CP上的电压进行采样。
到T8时刻,完成采样,CP上的电压存于电容C8;C8上的电压为VC8=AP•(VDD-Vsignal);由此可知,电容C和电容C上的电压差得到相关的图像信号电压(前文对相关双采样论述详细,这里没有再对噪声信号进行分析,因此各电容电压均为近似值).1.2系统概述,CMOS图像传感器的集成度高,在同一芯片上集成有模拟信号处理电路和数字信号处理电路。
CMOS芯片原理和产品介绍
• Radiation hardness
• Color
CMOS 芯片的特性功能
Features Region of Interest: Makes it possible to address a certain area of the sensor and read this part out with a higher speed. Typically full row addressing, column addressing if required. Binning: Gives higher DR and speed with a reduced resolution. Typically 2x2 binning: +50% DR and 2.5 x more speed
CMOS 图像传感器基本结构
Row Decoder
Pixel
Column Amplifiers (and ADC)
Column Mux
Output Amplifier
Spatial information accessed through direct addressing – each pixel has its own sense node and sense amplifier
CMOS 芯片的特性功能
Features Color: Application of on-chip color filters allows color imaging. Typically RGGB Bayer pattern.
V-CCD PD PD+amp MOS switch
Row selection
amp
5T结构全局曝光CMOS图像传感器的研究与设计
5T结构全局曝光CMOS图像传感器的研究与设计姚洪涛;李晓宁;田青青【摘要】阐述一种5T全局曝光像素结构的设计.通常的全局曝光CMOS图像传感器采用的是4T结构,该5T全局曝光像素结构在原有结构基础上增加一个曝光控制管,实现对曝光操作的控制,可以使曝光与积分值读出同步进行,提高图像传感器的工作效率,使其有更高的帧频,同时克服电子溢流等问题,使得其拥有更高的成像质量.【期刊名称】《现代计算机（专业版）》【年(卷),期】2018(000)031【总页数】5页(P75-79)【关键词】CMOS图像传感器;全局曝光;5T像素结构;列级ADC【作者】姚洪涛;李晓宁;田青青【作者单位】长春理工大学计算机科学技术学院,长春130022;长春理工大学计算机科学技术学院,长春130022;长春理工大学计算机科学技术学院,长春130022【正文语种】中文0 引言目前，固态图像传感器主要有两种：电荷耦合器件（Charge Couple Device，CCD）和互补金属氧化物半导体（Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS）。
近年来，CMOS传感器设计技术和半导体制造技术的不断发展，使得CMOS图像传感器在数码相机、数字摄像机、安防监控、手机、汽车倒车影像、医疗影像等方面有着越来越广阔的应用前景[1]。
CMOS图像传感器主要有两种曝光方式：滚筒曝光（Rolling Shutter）和全局曝光（Global Shutter）。
在滚筒曝光模式中，一帧图像中的每一行都是在不同的时间点开始和结束曝光的，下一行的曝光开始时刻比上一行延迟一个行的读出周期，最后一行的曝光开始时刻比最早曝光的一行延迟了一个帧的读出周期[2]。
在滚筒式曝光模式下，如果被拍摄物体在曝光过程中高速运动，在进行曝光的过程中，被拍摄的物体已经发生了位移。
首先曝光的图像部分和随后曝光的图像部分已经处于不同的相对位置，导致被摄物体的图像产生形变失真。