15春西南交《模拟电子技术基础A》在线作业一答案

模拟电子技术(西安交大2版)试题及答案

《模拟电子技术基础》试题（A 卷）一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。

（10分）（1）在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。

（）（2）电压负反馈稳定输出电压，电流负反馈稳定输出电流。

（）（3）使输入量减小的反馈是负反馈，否则为正反馈。

（）（4）产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。

（）（5）利用两只NPN 型管构成的复合管只能等效为NPN 型管。

（）（6）本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。

（）（7）未加外部电压时，PN 结中电流从P 区流向N 区。

（）（8）集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。

（）（9）只要引入正反馈，电路就会产生正弦波振荡。

（）（10）直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。

（）二、选择填空（10分）（1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入；为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入。

（A ）电流负反馈（B ）电压负反馈（C ）直流负反馈（D ）交流负反馈（2）RC 串并联网络在RCf f π210==时呈。

（A ）感性（B ）阻性（C ）容性（3）通用型集成运放的输入级多采用。

（A ）共基接法（B ）共集接法（C ）共射接法（D ）差分接法（4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为。

（A ）β （B ）β2 （C ）2β （D ）1+β（5）在（A ）、（B ）、（C ）三种电路中输出电阻最小的电路是；既能放大电流，又能放大电压的电路是。

（A ）共基放大电路（B ）共集放大电路（C ）共射放大电路（6）当NPN 型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C u B u E 。

（A ） > （B ） < （C ） = （D ）≤ （7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的。

《模拟电子技术》试卷A与参考答案

《模拟电子技术》试卷（A卷）一、填空题（本题共5小题，每小题4分，共 20 分）1. 多级放大电路常见的三种耦合方式中，若要求各级静态工作点互不影响，可选用耦合方式；若要求能放大变化缓慢的信号或直流信号，可选用耦合方式；若要求能实现阻抗变换，使负载与输出级阻抗相匹配，可选用耦合方式。

2. 某放大电路中，晶体管三个电极的电流测出分别为：I1=1.2mA、I2=0.03mA、I1=1.23mA。

由此可知：电极1是极，电极2是极，电极3是极。

若已知I1电流方向流入晶体管，则I2电流方向与I1电流方向、I3电流方向与I1电流方向。

3. 硅二极管导通压降的典型值是 V、锗二极管导通压降的典型值是 V；NPN型管的集电极电流和基极电流晶体管；PNP型管的集电极电流和基极电流晶体管。

4. 线性失真和非线性失真都使得放大电路的输出波形不再与输入波形相同，其中饱和失真和截止失真属于失真；幅频失真和相频失真属于失真。

5. 若反馈量使放大电路的净输入量减小，称为反馈；若反馈量使放大电路的净输入量增大，称为反馈。

放大电路通常采取反馈。

6. 小功率直流稳压电源系统中滤波环节最常采用的元件是元件；串联型直流稳压电路的调整管正常工作在状态；开关型直流稳压电路的调整管正常工作在状态。

二、判断正、误题（本题共10小题，每小题1分，共10分）1. 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

（）2. PN结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。

（）3. 放大电路只有既放大电压又放大电流时，才能称为具有放大作用。

（）4. 发光二极管正常工作在正向导通区，其导通压降为0.7V。

（）5. 为了获得更高的电流放大倍数而采用复合管，复合管的类型取决于第一个管子的类型。

（）6. 单门限电压比较器的抗干扰能力比滞回电压比较器的抗干扰能力强。

（）7. 整流的目的就是把交变的电压、电流转换为单向脉动的直流电。

（）8. 放大交流信号，只能采用阻容耦合方式或变压器耦合方式。

东大15春学期《模拟电子技术基础Ⅰ》在线作业2满分答案

15春学期《模拟电子技术基础Ⅰ》在线作业2
一,单选题
1. OCL功放电路的输出端直接与负载相联，静态时其直流电位为（）。
A. VCC
B. (1/2)VCC
C. 0
D. 2VCC
?
正确答案：D
2.欲将正弦波电压转换成二倍频电压，应选用
A.反相比例运算电路
B.同相比例运算电路
C.积分运算电路
D.乘方运算电路
D. OTL电路
?
正确答案：B
10.作幅值为1μV以下微弱信号的量测放大器，集成运放应选用（）。
A.通用型
B.高阻型
C.高速型
D.高精度型
?
正确答案：D
11.欲将方波电压转换成三角波电压，应选用
A.反相比例运算电路
B.同相比例运算电路
C.积分运算电路
D.微分运算电路
?
正确答案：C
12.为了减小放大电路的输出电阻，应引入（）负反馈
?
正确答案：A
6. A.错误
B.正确
?
正确答案：A
7.只要集成运放引入正反馈，就一定工作在非线性区。
A.错误
B.正确
?
正确答案：B
8.运放的输入失调电压UIO是两输入端电位之差。
A.错误
B.正确
?
正确答案：A
9.参数理想对称的双端输入双端输出差分放大电路只能放大差模信号，不能放大共模信号。
A.错误
B.正确
A.电压
B.电流
C.串联
D.并联
?
正确答案：A
13.制作频率为2 MHz～20MHz的接收机的本机振荡器，应选用
A. RC桥式正弦波振荡电路
B. LC正弦波振荡电路

15秋西南交大《模拟电子技术C》在线作业一答案

西南交《模拟电子技术》在线作业一一、单选题（共 15 道试题，共 30 分。

）1. PN结加正向电压时，空间电荷区将（）。

. 变窄. 基本不变. 加宽正确答案：2. 为了增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用（）。

. 共射放大电路. 共集放大电路. 共基放大电路正确答案：3. 集成放大电路采用直接耦合方式的原因是。

（）. 便于设计. 放大交流信号. 不易制作大容量电容正确答案：4. 选用差动放大电路的原因是。

（）. 克服温漂. 提高输入电阻. 稳定放大倍数正确答案：5. 差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的（）。

. 差. 和. 平均值正确答案：6. 当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结应为（）。

. 前者反偏，后者也反偏. 前者正偏，后者反偏. 前者正偏，后者也正偏正确答案：7. 欲得到电流-电压转换电路，应在放大电路中引入（）。

. 电压串联负反馈. 电压并联负反馈. 电流串联负反馈. 电流并联负反馈正确答案：8. 工作在放大区的某三极管，如果当I从12μ增大到22μ时，I从1m变为2m，那么它的β约为（）。

. 83. 91. 100正确答案：9. 差分放大电路的共模信号是两个输入端信号的（）。

. 差. 和. 平均值正确答案：10. 整流的目的是（）。

. 将交流变为直流. 将高频变为低频. 将正弦波变为方波。

正确答案：11. 集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以（）。

. 减小温漂. 提高放大倍数. 提高输入电阻正确答案：12. 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（）。

. 增大. 不变. 减小正确答案：13. 稳压管的稳压区是其工作在（）。

. 正向导通. 反向截止. 反向击穿正确答案：14. 功率放大电路的转换效率是指（）。

. 输出功率与晶体管所消耗的功率之比. 最大输出功率与电源提供的平均功率之比. 晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比正确答案：15. 在本征半导体中加入（）元素可形成N型半导体。

模拟电子技术基础期末模拟试卷一(答案)(1)

期末模拟试卷一答案课程名称：模拟电子技术基础一、选择题1. 在保持二极管反向电压不变的条件下，二极管的反向电流随温度升高而____。

A 、增大，B 、减小，C 、不变答案：A2. 在N 型半导体中，空穴浓度____电子浓度。

A 、大于，B 、小于，C 、等于答案：B3. 直接耦合与变压器耦合多级放大电路之间主要不同点是⎽⎽⎽⎽。

A 、所放大的信号不同，B 、交流通路不同，C 、直流通路不同答案：C4. 在长尾式的差分放大电路中，Re 对＿＿有负反馈作用。

A 、差模信号，B 、共模信号，C 、任意信号答案：B5. 用直流电压表测出UCE ≈VCC ，可能是因为_____。

A 、CC V 过大， B 、c R 开路， C 、b R 开路， D 、β 过大答案：C6. 已知图中二极管的反向击穿电压为100V ，测得I ＝1μA 。

当R 从10Ωk 减小至5Ωk 时，I 将____。

A 、为2μA 左右，B 、为0.5μA 左右，C 、变化不大，D 、远大于2μA 答案：C7.测得某NPN型晶体管3个电极的电位分别为UB=1V，UE=0.3V，UC=3V，则此晶体管工作在____状态。

A．截止B．饱和C．放大 D. 开关答案：C8. 差动放大电路的主要特点是____。

A. 放大差模信号，抑制共模信号；B. 既放大差模信号，又放大共模信号；C. 放大共模信号，抑制差模信号；D. 既抑制差模信号，又抑制共模信号。

答案：A9．互补输出级采用射极输出方式是为了使____。

A. 电压放大倍数高B. 输出电流小C. 输出电阻增大D. 带负载能力强答案：D10．集成运放电路采用直接耦合方式是因为____。

A. 可获得较高增益B. 可使温漂变小C. 在集成工艺中难于制造大电容D. 可以增大输入电阻答案：C11、利用正反馈产生正弦波振荡的电路，其组成主要是____。

A、放大电路、反馈网络B、放大电路、反馈网络、选频网络C、放大电路、反馈网络、稳频网络答案：B13、分别指出下列传递函数表达式各表示哪一种滤波电路（A、低通，B、高通，C、带通，D、带阻，E、全通）。

智慧树知到《模拟电子技术基础》章节测试答案

智慧树知到《模拟电⼦技术基础》章节测试答案智慧树知到《模拟电⼦技术基础》章节测试答案第⼀章1、6.N型半导体中的多数载流⼦是（）。

A:⾃由电⼦B:空⽳C:正离⼦D:负离⼦答案: ⾃由电⼦2、4.场效应管的控制⽅式为（）。

A:输⼊电流控制输出电压B:输⼊电压控制输出电流C:输⼊电流控制输出电流D:输⼊电压控制输出电压答案: 输⼊电压控制输出电流3、3.在放⼤电路中，若测得某晶体管的三个电极的电位分别为6V，1.2V，1V，则该管为（）。

A:NPN硅管B:PNP锗管C:NPN锗管D:PNP硅管PNP硅管PNP硅管PNPPNP硅管PNP硅管答案: NPN锗管4、2.测得某⼯作在放⼤区域的三极管,当Ib=30uA时,Ic=2.4mA;当Ib=40uA时，Ic=3mA;则该管的电流放⼤系数β=( )。

A:60B:75C:80D:100答案: 605、1.稳压⼆极管稳压时，其⼯作在( ) 。

A:正向导通区B:反向截⽌区答案: 反向击穿区第⼆章1、82.晶体管的控制⽅式为。

A:输⼊电流控制输出电压B:输⼊电流控制输出电流C:输⼊电压控制输出电压D:输⼊电压控制输出电流答案: 输⼊电流控制输出电流2、13.在共射、共集、共基三种放⼤电路中，（）。

A:都有电压放⼤作⽤B:都有功率放⼤作⽤C:都有电流放⼤作⽤D:只有共射电路有功率放⼤作⽤答案: 都有功率放⼤作⽤3、12.共发射极放⼤电路中,输出电压uo与输⼊电压ui之间的关系是（）。

A: 两者反相, 输出电压⼤于输⼊电压B:两者相位差90，且⼤⼩相等C:两者同相，输出电压近似等于输⼊电压D:两者反相，且⼤⼩相等答案:两者反相, 输出电压⼤于输⼊电压4、11.晶体管⼯作在放⼤状态的条件是（）。

A:发射结正偏、集电结反偏B:发射结正偏、集电结正偏C:发射结反偏、集电结反偏D:发射结反偏、集电结正偏答案: 发射结正偏、集电结反偏5、10.放⼤电路“放⼤”的本质是（）。

A: ⽤输⼊信号控制电源的能量和转换B:iB对iC或uGS对iD的控制C:将较⼩能量转换为较⼤能量D:三极管的电流分配作⽤答案:⽤输⼊信号控制电源的能量和转换6、要求电压放⼤倍数的数值⼤于10，输⼊电阻⼤于10MΩ，输出电阻⼩于100Ω，第⼀级应采⽤A:共射电路D:共源电路E:共漏电路答案: 共集电路第三章1、101.差动放⼤电路中，所谓差摸信号是指两个输⼊信号（）。

(完整版)《模拟电子技术》复习题10套及答案

《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。

2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。

3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。

4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。

5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。

6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。

7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。

二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。

A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。

A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。

A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（）。

A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（）。

A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（）发生振荡。

A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（）的值。

A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。

A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（）负反馈。

《模拟电子技术基础》复习资料及答案.doc

《模拟电子技术》复习资料答案一、填空题1.半导体不同于导体利绝缘体的三大独特件质为掺杂性、热敏性、光敏性；其电阻率分別受佳质、温度、光照的增加而下降。

2.用于制造半导体器件的材料通常是_硅、错和帥化稼。

3.当外界温度、光照等变化时，半导体材料的导电能力会发生很大的变化。

4.纯净的、不含杂质的半导体，称为本征半导体。

5.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。

6.本征半导体中掺入III族元素,例如B、A1 ,得到P型半导体。

7.木征硅中若掺入五价元素的原了，则多数载流了应是一电子,掺杂越多，则其数量一定越一多，而少数载流子应是—空穴，掺杂越多，则其数量一定越一少。

8.半导体中存在着两种载流子：带正电的空穴和带负电的.电子。

9.N型半导体小的多数载流子是_电子，少数载流子是一空穴。

10.杂质半导体分N型（电子）和P型（空穴）两大类。

11.N型半导体多数载流了是一电了，少数载流了是_空穴。

P型半导体多数载流了是一空穴，少数载流子是_电子。

12.朵质半导体中，多数载流子浓度主要取决于掺杂浓度，而少数载流子则与温度有很大关系。

13.PN结的主要特性是一单向导电性。

14.PN结是多数载流子的扩散运动和少数载流子的漂移运动处于动态平衡而形成的,有时又把它称为空间电荷区（势垒区）或耗尽区（阻挡层）。

15.PN结加正向电压时，空间电荷区变窄；PN结加反向电压时，空间电荷区变宽。

16.PN结在无光照、无外加电压吋，结电流为零°17.PN结两端电压变化时，会引起PN结内电荷的变化，这说明PN结存在电容效应。

18.二极管是由—个PN结构成，因而它同样具有PN结的单向导电特件。

19.二极管的伏安特性可川数学式和Illi线來描述，其数学式是上去屋佟LL，其曲线又口J分三部分：1I-：向特性、反向特性、击穿特性。

20.品体二极管的正向电阻比其反向电阻小，稳压二极管的反向击穿电压通常比一般二极管的止，击穿区的交流电阻乂比正向区的小o21.有两个晶体三极管A管的［3二200, /CEO=200M A； B管的卩二50, /CEO=10M A,其他参数人致相同，相比之下旦管的性能较好。

第1章模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)

《模拟电子技术基础》第4版习题解答第1章半导体二极管及其基本应用电路一、填空题1．1 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有很大关系。

1．2 在N型半导体中，多子是，少子是；在P型半导体中，多子是，少子是。

1．3二极管具有性；当时，二极管呈状态；当时，二极管呈状态。

1．4 2APl2型二极管是由半导体材料制成的；2CZ52A型二极管是由半导体材料制成的。

1．5在桥式整流电路中接入电容C(与负载并联)滤波后，输出电压较未加C时，二极管的导通角，输出电压随输出电流的增大而。

二、选择正确答案填空(只需选填英文字母)1．6二极管正向电压从0．7 V增大15％时，流过的电流增大(a．15％；b．大于15％；c．小于15％)。

1．7当温度升高后，二极管的正向压降将，反向电流将(a．增大；b．减小；c．不变)。

1．8利用二极管的组成整流电路(a1．正向特性；b1．单向导电性；c1．反向击穿特性)。

稳压二极管工作在状态下，能够稳定电压(a2．正向导通；b2．反向截止；c2．反向击穿)。

三、判断下列说法是否正确(用√或×号表示)1．9在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质，可以改型为P型半导体。

( )1．10 PN结的伏安特性方程可以描述PN结的正向特性和反向特性，也可以描述其反向击穿特性。

( )1．11 在桥式整流电路中，如用交流电压表测出变压器二次侧的交流电压为40 V，则在纯电阻负载两端用直流电压表测出的电压值约为36 V。

( ) 1．12光电二极管是受光器件，能将光信号转换为电信号。

( ) 解答：1.1 杂质浓度温度1.2 电子空穴空穴电子1.3 单向导电性正向偏置导通反向偏置截止1.4 N 型锗材料 N 型硅材料1.5 增大减小减小1.6 （b ）1.7 （b ）（a ）1.8 （b 1）（c 2）1.9 （√）1.10 （×）1.11 （√）1.12 （√）1．13某硅二极管在室温下的反向饱和电流为910-A ，求外加正向电压为0．2 V 、0．4 V 时二极管的直流电阻R D 。

模拟电子技术基础部分练习题含答案

模拟电子技术基础部分练习题含答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、二极管在电路板上用( )表示。

A、CB、DC、RD、L正确答案：B2、根据作业指导书或样板之要求，不该断开的地方断开叫( )。

A、焊反B、短路C、开路D、连焊正确答案：C3、电感线圈磁芯调节后它的什么参数改变了？ ( )A、电流B、电压C、电阻D、电感正确答案：D4、三段固定集成稳压器CW7906的一脚是( )A、输入端B、公共端C、调整端D、输出端正确答案：B5、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。

A、截止区B、放大区C、截止区与饱和区D、饱和区正确答案：A6、多级放大电路各级的电压增益分别是：10dB、20 dB、30 dB，则电压总增益是( )。

A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案：C7、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。

A、变压器的效率越高，各种损耗越小B、变压器在高频段和低频段的频率特性较中频段好C、变压器温升值越小，变压器工作越安全D、升压变压器的变比n<1正确答案：C8、在三极管放大电路中，三极管各极电位最高的是( )A、NPN管基极B、NPN管发射极C、PNP管集电极D、PNP管发射极正确答案：D9、衡量一个差动放大电路抑制零漂能力的最有效的指标是( )A、差模电压放大倍数B、共模电压放大倍数C、共模抑制比D、电路的对称性正确答案：C10、某三极管,测得其发射结反偏，集电结反偏，则该三极管处于( )。

A、放大状态B、截止状态C、饱和状态D、失真状态正确答案：B11、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管( )A、被烧坏B、电流基本正常C、击穿D、电流为零正确答案：B12、某多级放大电路的各级电压放大倍数分别为：1、100、-100，则总的电压放大倍数( )。

A、10000倍B、-10000倍C、1倍D、100倍正确答案：B13、共发射极放大器的输出电压和输人电压在相位上的关系是( )A、同相位B、相位差360°C、相位差90°D、相位差180°正确答案：D14、在基本放大电路中，集电极电阻Rc的作用是( )A、放大电流B、调节偏置电流IBQC、把放大的电流转换成电压D、防止输入信号被短正确答案：C15、在P型半导体中，自由电子浓度（）空穴浓度。

《模拟电子技术基础》课后习题答案完美第五章到第七章

第五章放大电路的频率响应自测题一、选择正确答案填入空内。

（1）测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是。

A.输入电压幅值不变，改变频率B.输入电压频率不变，改变幅值C.输入电压的幅值与频率同时变化（2）放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是，而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是。

A.耦合电容和旁路电容的存在B.半导体管极间电容和分布电容的存在。

C.半导体管的非线性特性D.放大电路的静态工作点不合适（3）当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的。

A.0.5倍B.0.7倍C.0.9倍即增益下降。

A.3dBB.4dBC.5dB （4）对于单管共射放大电路，当f ＝ f L 时，与相位关系是 o U &iU &。

A.＋45˚B.－90˚C.－135˚当f ＝ f H 时，与的相位关系是 oU &i U &。

A.－45˚ B.－135˚ C.－225˚ 解：（1）A （2）B ，A （3）B A （4）C C二、电路如图T5.2所示。

已知：V C C ＝12V ；晶体管的C μ＝4pF ，f T = 50MHz ，＝100Ω, β'bb r 0＝80。

试求解：（1）中频电压放大倍数； smu A & （2）；'πC （3）f H 和f L ；（4）画出波特图。

图T5.2解：（1）静态及动态的分析估算： ∥178)(mA/V2.69k 27.1k 27.1k 17.1mV26)1(V 3mA 8.1)1(Aμ 6.22c m bee b'i s ismTEQ m b be i e b'bb'be EQe b'c CQ CC CEQ BQ EQ bBEQCC BQ −≈−⋅+=≈=Ω≈=Ω≈+=Ω≈+=≈−=≈+=≈−=R g r r R R R A U I g R r R r r r I r R I V U I I R U V I u &ββ（2）估算：'πCpF1602)1(pF214π2)(π2μc m 'μTe b'0μπe b'0T ≈++=≈−≈+≈C R g C C C f r C C C r f πππββ（3）求解上限、下限截止频率：Hz14)π(21kHz 175π21567)()(i s L 'πH s b b'e b'b s b b'e b'≈+=≈=Ω≈+≈+=CR R f RC f R r r R R r r R ∥∥∥（4）在中频段的增益为dB 45lg 20sm≈u A & 频率特性曲线如解图T5.2所示。

西南交通大学《电子技术》_在线作业一

西南交《电子技术》在线作业一
一个固定偏置放大电路,Rb=150kΩ,RC=2kΩ,VCC=6V,晶体管的β=40。

为了提高放大能力,换上一只β=80的晶体管。

则该放大器( )。

A:电压放大倍数不变
B:电压放大倍数比原来大
C:晶体管进入饱和状态
D:晶体管进入截止状态
参考选项：C
对于固定偏置共射放大电路,当用直流电压表测得UCE≈VCC时,有可能是因为( );当测得UCE≈0时,有可能是因为( )。

A:Rb开路
B:RL短路
C:RC开路
D:Rb过小
参考选项：A
在放大电路中引入负反馈可使其通频带展宽约下列数中值最大的为()。

A:(1+AF)倍
B:1/(1+AF)倍
C:(1-AF)倍
D:AF倍
参考选项：A
在分压偏置电路中,若发射极电容Ce击穿短路,放大器工作点将( )。

A:不变
B:下降
C:升高
参考选项：A
在固定偏置放大电路中,若集电极电阻RC断路,晶体管UCE=( )。

A:UCC
B:UCC/2
C:UBE
D:0
参考选项：C
由开关组成的逻辑电路如图所示,设开关接通为“1”,断开为“0”,电灯亮为“1”,电灯暗为“0”,则该电路为( )。

A:“与”门
B:“或”门
C:“非”门
1。

《模拟电子技术基础》典型习题解答

半导体器件的基础知识1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。

试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。

图P1.1 解图P1.1 解：波形如解图P1.1所示。

1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。

试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。

图P1.2解：u O的波形如解图P1.2所示。

解图P1.21.3 已知稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，稳定电流的最小值I Zmin ＝5mA ，最大功耗P ZM R 的取值范围。

图P1.3解：稳压管的最大稳定电流 I ZM ＝P ZM /U Z ＝25mA电阻R 的电流为I ZM ～I Zmin ，所以其取值范围为Ω=-=k 8.136.0ZZ I ～I U U R 1.4 U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。

（1）别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值；（2）若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？图P1.4解：（1）当U I ＝10V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。

故V33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，若U O ＝U Z ＝6V ，则稳压管的电流小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。

故LO I L 5VR U U R R =⋅≈+当U I ＝35V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V 。

（2）=-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。

1.5 电路如图P1.5（a ）、（b ）所示，稳压管的稳定电压U Z ＝3V ，R 的取值合适，u I 的波形如图（c ）所示。

西南交通大学网络教育学院《模拟电子技术A》第1次作业

参考答案：
开关S断开，UO=0.45U2= 0.45×100= 45 V
电压表(V2)的读数为45V，IO= = 45 mA，电流表(A)的读数为45 mA。
开关S闭合，UO = 0.9U2= 0.9×100 = 90 V，电压表(V2)的读数为90 V，
IO= = 90 mA，电流表(A)的读数为90 mA。
参考答案：
当时，二极管D2，D3，D4外加正向电压而导通，a点电位2.1 V，二极管D1外加反向电压而截止。
当时，二极管D1导通，a点电位为0.7V，不足以使二极管D2，D3和D4导通故而截止。
13.放大电路如图所示，晶体管的电流放大系数，，RB1= ， = ，RC= 6 k，RE= 400，RL＝6 k，要求：
(A)电流放大作用
(B)单向导电性
(C)电压放大作用
正确答案：B
解答参考：
8.在运算放大器电路中，引入深度负反馈的目的之一是使运放( )。
(A)工作在线性区，降低稳定性
(B)工作在非线性区，提高稳定性
(C)工作在线性区，提高稳定性
正确答案：B
解答参考：
9.整流电路如图所示，设二极管为理想元件，已知变压器副边电压，若二极管D1损坏而断开，则输出电压的波形应为图（）。
(1)计算静态工作点；(2)画出微变等效电路；(3)计算电压放大倍数。
参考答案：
(1)
(2)
(3)
其中
14.图示电路中，二极管为理想元件，ui为正弦交流电压，已知交流电压表的读数为100V，负载电阻RL = 1k，求开关S断开和闭合时直流电压表和电流表（A）的读数。（设各电压表的内阻为无穷大，电流表的内阻为零）
(A)(B)
(C)(D)

《模拟电子技术基础》习题参考答案

18.《模拟电子技术基础》习题及参考答案、填空题：半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电。

半导体中由漂移形成的电流是反向电流，它由少数载流子形成，其大小决定于温度，而与外电场无关。

10. 一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是： A 脚为12伏，B 脚为11.7伏，C 脚为6伏，则该管为PNP 型锗管,A 为发射（E ）极,B 为基（B ）极，C 为集电（C ）极。

11. 稳压二极管工作在反向击穿区，主要用途是稳压。

12. 稳压二极管稳压时是处于反向偏置状态，而二极管导通时是处于正向偏置状态。

13. 晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而下降。

共基极电路比共射极电路高频特性好。

场效应管的输出特性曲线可分为三个区：分别是可变电阻区、恒流区、击穿区。

电子线路中常用的耦合方式有直接耦合和电容耦合。

通常把与信号源相连接的第一级放大电路称为输入级,与负载相连接的末级放大电路称为输出级，它们之间的放大电路称为中间级。

某放大电路空载输出电压为4V,接入3KQ 负载后，输出电压变为3V ,该放大电路的输出电阻为1KQ 。

为了稳定三极管放大电路静态工作点，采用直流负反馈。

为稳定交流输出电1. 2. 3. 4. 5. PN 结的P 型侧接高电位，N 型侧接低电位称为正向偏置（正偏），反之称为反向偏置（反偏）。

PN 结最重要的特性是单向导电性，它是一切半导体器件的基础。

在 NPN 型三极管中，掺杂浓度最大的是发射区。

晶体三极管因偏置条件不同，有放大、截止、饱和三种工作状态。

6. 7. 8. 9. 晶体三极管的集电极电流lc=XL B 所以它是电流控制元件。

工作在放大区的晶体管，当I B 从10卩A 增大到20卩A ，I C 从1mA 增大到2mA它的P 为100，a 为1。

通常晶体管静态工作点选得偏高或偏低时，就有可能使放大器的工作状态进入饱和区或截止区，而使输出信号的波形产生失真。

模拟电子技术基础-作业答案1

模拟电子技术课程作业第1章半导体器件1将PN 结加适当的正向电压，则空间电荷区将( b )。

(a)变宽 (b)变窄 (c)不变2半导体二极管的主要特点sdf 是具有( b )。

(a)电流放大作用 (b)单向导电性(c)电压放大作用3二极管导通的条件是加在二极管两端的电压( a )。

(a)正向电压大于PN 结的死区电压 (b)正向电压等于零 (c)必须加反向电压4电路如图1所示，设D 1，D 2均为理想元件，已知输入电压u i =150sin ωt V 如图2所示，试画出电压u O 的波形。

20V100V 0u Iu i V/ωtD 2D 140k Ω40k Ω150u O+- 图1+-图2+-+-答案u i V /ωt150ωt 10060u i V /0100605电路如图1所示，设输入信号u I1,u I2的波形如图2所示，若忽略二极管的正向压降，试画出输出电压u O 的波形，并说明t 1,t 2时间内二极管D 1，D 2的工作状态。

u I2R Lu Ot 1t 2tt2D 1D 2图1图2u I1+-u I1/ V-22-2u I2/ V答案t 1t 2tu O /V -2t 1:D 1导通，D 2截止t 2:D 2导通，D 1截止第2章基本放大电路1下列电路中能实现交流放大的是图( b )。

++++++++U CCu oU CCU CCU CC()a ()b (c)(d)+-+-+-+-+-+-+-+-u iu iu ou ou iu ou i++++2图示电路，已知晶体管β=60，U BE .V =07，R C k =2 Ω，忽略U BE ，如要将集电极电流I C 调整到1.5mA ，R B 应取( a )。

(a)480k Ω (b)120k Ω (c)240k Ω (d)360k Ω++C 2C 1R BR C u ou i+-+-+12V3固定偏置放大电路中，晶体管的β＝50，若将该管调换为β=80的另外一个晶体管，则该电路中晶体管集电极电流IC 将( a )。

西南交通大学《模拟电子技术基础A》-在线作业二

西南交《模拟电子技术基础A》在线作业二
当温度升高时,半导体的导电能力将( )。

A:增强
B:减弱
C:不变
参考选项：A
N型半导体的多数载流子是电子,因此它应( )。

A:带负电
B:带正电
C:不带电
参考选项：C
二极管接在电路中,若测得a、b两端电位如图所示,则二极管工作状态为( )。

A:导通
B:截止
C:击穿
参考选项：A
稳压管反向击穿后,其后果为( )。

A:永久性损坏
B:只要流过稳压管电流不超过规定值允许范围,管子无损
C:由于击穿而导致性能下降
参考选项：B
集成运放级间耦合方式是( ) 。

A:变压器耦合
B:直接耦合
C:阻容耦合
参考选项：B
对放大电路进行静态分析的主要任务是( )。

A:确定电压放大倍数Au
B:确定静态工作点Q
C:确定输入电阻ri, 输出电阻r0
参考选项：B
理想二极管的正向电阻为( )。

A:零
B:无穷大
C:约几千欧
1。

《电子技术基础模拟部分》习题答案1

第1章习题及答案1.1．在图题1.1所示的各电路图中E ＝5V ，t u i ωsin 10=V ，二极管的正向压降可忽略不计，试分别画出输出电压o u 的波形。

oo(a)(b)(c)(d)图题1.1解：（a ）图：当i u > E 时，o u = E ，当i u < E 时，i o u u =。

（b ）图：当i u < E 时，o i u u =；当i u > E 时，E u o =。

（c ）图：当i u < E 时，E u o =；当i u > E 时，i o u u =。

（d ）图：当i u > E 时，i o u u =；当i u < E 时，E u o =。

画出o u 波形如图所示。

Vu i /u o /u o /u o /u o /1.2．有两个稳压管D Z1和D Z2，其稳定电压分别为5.5V 和8.5V ，正向压降都是0.5V 。

如果要得到0.5V ，3V ，6V ，9V 和14V 几种稳定电压，问这两个稳压管（还有限流电阻）应如何连接？画出各个电路。

解：各电路图如图所示。

(a)0.5V ；(b)3V ；(c)6V ；(d)9V ；(e)14V。

R LR L(a)(b)R LR LR L(c) (d) (e)1.3．在如图题1.3所示的发光二极管的应用电路中若输入电压为1.0V 试问发光二极管是否发光，为什么？U图题1.3解：若输入电压U I =1.0V ，发光二极管不发光，因为发光二极管正向工作电压为2～2.5V 。

1.4．光电二极管在电路中使用时，是正向连接还是反向连接？解：光电二极管在电路中使用时，是反向连接，因为光电二极管工作在反偏状态，它的反向电流随光照强度的增加而上升，用于实现光电转换功能。

1.5．某二极管的管壳标有电路符号，如图所示，已知该二极管是好的，万用表的欧姆档示意图如图题1.5所示，（1）在测二极管的正向电阻时，两根表笔如何连接？（2）在测二极管的反向电阻时，两根表笔又如何连接？（3）两次测量中哪一次指针偏转角度大？偏转角度大的一次的阻值小还是阻值大？图题1.5解：（1）在测二极管的正向电阻时，黑表笔接正极，红表笔接负极。

《模拟电子技术》模拟题1-5(含答案)

《模拟电子技术》模拟题1一、判断（10分）1、以自由电子导电为主的半导体称为N型半导体。

（）2、模拟信号的特点是信号在时间和幅度上均是连续的。

（）3、PN结具有单向导电特性。

（）4、差动放大电路结构可以抑制零点漂移现象。

（）5、交流放大器工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量，直流分量表示静态工作点，交流分量表示信号的变化情况。

（）6、单管共发射极放大电路的集电极和基极相位相同。

（）7、直流负反馈不能稳定静态工作点。

（）8、晶体二极管击穿后立即烧毁。

（）9、采用集成电路和R,C元件构成的电路称为无源滤波电路。

（）10、集成稳压器79XX系列输出的是正向电压。

（）二、选择（10分）1、P型半导体是在本征半导体内掺杂( )价元素。

A、3B、5C、2D、42、稳压管工作于 ( )状态下，可以稳定电压。

A、正偏导通B、反偏截止C、反向击穿3、三极管放大的外部条件 ( )。

A、正偏导通，反偏截止B、正偏截止，反偏导通C、正偏导通，反偏导通D、正偏截止，反偏截止4、既能放大电压，也能放大电流的电路 ( )。

A、共发射极B、共集电极C、共基级D、以上均不能K越大，表明电路（）。

5、共模抑制比CMRA、放大倍数越稳定；B、交流放大倍数越大；C、抑制温漂能力越强；D、输入信号中的差模成分越大。

6、放大电路中为增大输入电阻应引入（）反馈，为稳定输出电压应引入（）反馈，为稳定输出电流应引入（）反馈，为减小输出电阻，应引入（）反馈。

A 、电压 B 、电流 C 、串联 D 、并联 7、振荡电路中其振荡频率特别稳定的是（）。

A 、RC 振荡电路B 、LC 振荡电路 C 、石英晶体振荡电路三、在图1所示的电路中，已知输入信号u i =5sin ωt V,试画出输出电压u o1和u o2的波形，设二极管为理想二极管。

（每题10分，共20分）R(a )(b )图1四、简答题（每题5分，共10分）1.简述正弦波发生电路的组成结构、相位条件、幅度条件，以及起振条件。